CN114613753A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括设置于所述非显示区内的静电环和设置于所述显示区内的多条信号线，所述多条信号线至少包括接地信号线，通过在接地信号线靠近所述静电环的一侧设置有静电释放结构，以将所述接地信号线上的静电释放至所述静电环上。避免了静电对显示区内的信号线和驱动芯片造成损坏，避免了静电对显示区造成的不良影响，提升产品整体的抗静电(ESD)能力，进一步实现了显示装置的正常显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在显示面板的制造技术领域，静电(Electro-Static discharge，ESD)一直是一个难以解决的问题，静电会导致产品良率降低、成本增加、产能下降，一直影响着显示装置的品质。
在显示面板的工艺制程中，基板在各道膜层工艺机台之间的传输通常都是通过滚动滑轮移动的，滚动滑轮滚动以推动基板移动的过程中，滚动滑轮与基板之间会由于不断摩擦而产生静电荷。而且，基板在成膜机台上进行每一步工艺制程时，用于对基板进行支撑的支撑端与基板之间也会由于接触和摩擦而产生静电荷。产生的静电荷会在基板上不断累积，当静电荷累积到一定程度，就可能在基板上导致金属信号线之间发生静电击穿的现象，从而将不同层的金属信号线之间的绝缘层击穿，造成金属信号线层级之间的短路，甚至静电会传输到驱动芯片上，导致驱动芯片的损坏。
发明内容
针对上述问题，本申请提供了一种显示面板及显示装置，解决了现有技术中静电易导致显示面板上的信号线和驱动芯片损坏的技术问题。
第一方面，本申请提供一种显示面板，包括
衬底基板，其中，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
静电环，设置于所述非显示区内；
多条信号线，设置于所述显示区内；
其中，所述多条信号线至少包括接地信号线，所述接地信号线靠近所述静电环的一侧设置有静电释放结构，所述静电释放结构用于将所述接地信号线上的静电释放至所述静电环上。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述静电释放结构包括沿靠近所述静电环的方向延伸的突出部。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述突出部的线宽沿靠近所述静电环的方向逐渐减小。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述静电释放结构在所述衬底基板上的正投影与所述静电环在所述衬底基板上的正投影之间存在间隙。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述间隙的宽度大于等于0.2mm。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述接地信号线与所述静电环位于同一层。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述接地信号线包括主体部，以及设置于所述突出部与所述主体部之间的过渡部。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述过渡部和所述突出部的线宽均小于所述主体部的线宽。
在一些实施例中，上述显示面板中，还包括：
级联的多个驱动芯片，设置于所述显示区内；其中，所述驱动芯片包括多个端子，所述多个端子至少包括接地端子，所述驱动芯片的所述接地端子与所述接地信号线连接；
多个发光单元，分别与所述驱动芯片对应连接且设置于所述显示区内。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述多条信号线还包括驱动信号线，所述多个端子还包括寻址信号输入端子和输出端子；
其中，所述发光单元的第一端连接所述驱动信号线，所述发光单元的第二端连接其对应的所述驱动芯片的所述输出端子；
上一级所述驱动芯片的所述输出端子连接下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述多条信号线还包括电源信号线，所述多个端子还包括电源信号输入端子；
其中，所述驱动芯片的所述电源信号输入端子与所述电源信号线连接。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述接地信号线的电阻小于上一级所述驱动芯片的所述接地端子到下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子之间的电阻。
在一些实施例中，上述显示面板中，上一级所述驱动芯片的所述接地端子到下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子之间的电阻，包括：
上一级所述驱动芯片的所述接地端子与其所述输出端子之间的电阻，以及上一级所述驱动芯片的所述输出端子与下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子之间的电阻。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述发光单元包括至少一个依次串联或并联的发光器件。
在一些实施例中，上述显示面板中，所述发光器件远离衬底基板的一侧覆盖有保护层；
其中，所述接地信号线在所述衬底基板上的正投影不覆盖所述保护层在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中，上述显示面板中，在垂直于所述突出部延伸方向的方向上，所述突出部远离所述静电环的一端与两侧相邻的所述发光器件之间的距离相同。
在一些实施例中，上述显示面板中，在平行于所述突出部延伸方向的方向上，所述突出部远离所述静电环的一端与两侧相邻的所述发光器件之间的距离相同。
第二方面，本申请提供一种显示装置，包括如第一方面中任一项所述的显示面板。
采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：
本申请提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括设置于所述非显示区内的静电环和设置于所述显示区内的多条信号线，所述多条信号线至少包括接地信号线，通过在接地信号线靠近所述静电环的一侧设置有静电释放结构，以将所述接地信号线上的静电释放至所述静电环上。避免了静电对显示区内的信号线和驱动芯片造成损坏，避免了静电对显示区造成的不良影响，提升产品整体的抗静电(ESD)能力，进一步实现了显示装置的正常显示。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
图1是一种显示面板的俯视示意图；
图2是图1中所示的显示面板的静电的传导示意图；
图3是本申请一示例性实施例示出的一种显示面板的俯视示意图；
图4是图3中所示的显示面板的局部放大图；
图5是图3中所示的显示面板的静电的传导示意图；
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，附图并未按照实际的比例绘制；
附图标记为：
11-衬底基板；111-显示区；112-非显示区；12-静电环；13-信号线；131-接地信号线；131a-静电释放结构；131b-过渡部；132c-主体部；132-驱动信号线；IC-驱动芯片；14-发光单元；141-发光器件；15-绑定引脚；16-连接线；
Gnd-接地端子；Di-寻址信号输入端子；Out-输出端子；Pwr-电源信号输入端子。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，借此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本申请的保护范围之内。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。
随着显示技术的不断发展，发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术作为一种新型的显示技术已逐渐成为研究的热点之一，其中，具有较小尺寸的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)和次毫米发光二极管(Mini LightEmitting Diode，简称mini LED)由于其尺寸小且其背光源厚度薄，在大尺寸背光源上的应用越来越多。Micro-LED和mini-LED技术是将现有LED的尺寸分别微缩至100μm以下和100～300μm之间。
显示面板内，Mini/Micro LED的阴极需要连接驱动芯片，驱动芯片与Mini/MicroLED一起设置在显示区域内，驱动芯片与Mini/Micro LED的对应关系为一对一或一对多，Mini/Micro LED的阳极通过外部驱动单元供给恒定电压，通过显示区内的驱动芯片来实现对Mini/Micro LED发光状态。
但是现有的Micro-LED和mini-LED的显示面板中的静电会导致显示区内LED驱动芯片的损坏。
一种显示面板的结构，如图1所示，该显示面板包括显示区(图中未标注)和非显示区(图中未标注)，显示区内设置有阵列排布的多个发光单元，以及多个级联的驱动芯片IC，其中，每个发光单元与所述驱动芯片IC对应连接。非显示区上设置有绑定引脚，用于与柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)绑定连接。
上述驱动芯片IC包括4个绑定端子，其中，包括三个输入端子，分别为寻址信号输入端子Di、电源信号输入端子Pwr和接地端子Gnd，以及一个输出端子Out。
显示区内还设置有多条信号线，包括驱动信号线(图中未示出)和接地信号线(图中未示出)。
上述显示面板中，级联的驱动芯片IC中，上一级驱动芯片IC的输出端子Out通过连接线连接下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di，第一级的驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di连接至对应的绑定引脚。各个驱动芯片IC的接地端子Gnd连接所述接地信号线。
发光单元的阳极通过连接线连接驱动信号线，发光单元的阴极通过连接线连接对应的驱动芯片IC的输出端子Out，以通过驱动芯片IC来实现对发光单元的发光状态的控制。
上述发光单元可以包括至少一个依次串联或并联的发光器件，如mini LED发光器件或micro LED发光器件。
在上述显示面板的工艺制程中，基板上积累的静电(ESD)可能的击穿路径如图2中箭头所指方向，静电(ESD)易通过接地信号线经过上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd传导至其输出端子Out，再传导到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di，而由于驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di部分抵抗静电(ESD)的能力较弱，最终导致对应的驱动芯片IC损坏。
其中，上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd到其输出端子Out之间的电路结构如图2所示，包括放大器、电阻R4、N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2。
上述路径中，静电(ESD)传导的总电阻包括接地信号线到上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd之间的电阻R2、N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2的反向电阻，以及上一级驱动芯片IC的输出端子Out到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的连接线的电阻R1。
其中，N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2的反向电阻可按照PN结的反向电阻(未击穿)近似计算，即分别为500kΩ，和值为1kkΩ。
接地信号线到上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd之间的电阻R2，以及上一级驱动芯片IC的输出端子Out到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的连接线的电阻R1均为走线电阻，走线电阻计算为：电阻R＝ρL/S＝ρL/(hW)。其中ρ为连接线的电阻率(如铜走线的电阻率ρ为0.0175Ωmm^2/m)，L为连接线长度，W为连接线宽度，h为连接线的厚度。但是相对于N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2的反向电阻，走线电阻可忽略不计，即上述路径中，静电(ESD)传导的总电阻约为1kkΩ。
在一些情况下，如图1所示的结构中，同一列的发光单元对应的驱动芯片IC可以连接同一条接地信号线和同一条驱动信号线。同一行的发光单元对应的驱动芯片IC依次级联。其中，由于静电(ESD)会在接地信号线中一直传导，直至传导至接地信号线端部时，传导受阻，才会向驱动芯片IC中传输，导致驱动芯片IC的损坏，所以上述显示面板中被静电损坏的驱动芯片IC大多集中在显示区远离所述绑定引脚一侧的第一行驱动芯片IC中，且由于同一行的发光单元对应的驱动芯片IC之间是级联的关系，所以上述显示面板中的静电可能最终会集中在第一行的某几个驱动芯片IC上，当ESD达到12kv时，会导致该位置处的驱动芯片IC损坏，如图1所示。
因此，本申请实施例提供一种显示面板，如图3和图4所示，包括衬底基板11、静电环12和多条信号线13。
其中，衬底基板11包括显示区111和位于显示区111外围的非显示区112。
静电环12，设置于非显示区112内。
上述多条信号线13，设置于显示区111内。
其中，上述多条信号线13至少包括接地信号线131，接地信号线131靠近静电环12的一侧设置有静电释放结构131a，静电释放结构131a用于将接地信号线131上的静电释放至静电环12上。
上述静电防护结构避免了静电对显示区111内的信号线和驱动芯片IC造成损坏，避免了静电对显示区111造成的不良影响，提升产品整体的抗静电(ESD)能力，进一步实现了显示装置的正常显示。
在一些实施例中，静电释放结构131a包括沿靠近静电环12的方向延伸的突出部。
该突出部可以使得静电集中在该突出部中，当该突出部中的电荷积累到一定程度，形成一个较大的电场，静电就可以释放至静电环12进行释放。
在一些实施例中，突出部的线宽沿靠近静电环12的方向逐渐减小。
也就是说，突出部的为一尖端突出部，其利用了尖端放电的原理，使得静电可以集中到突出部的顶端，当突出部的顶端积累有较大的电荷时，形成一个较大的电场，静电可以从突出部的顶端传输至静电环12进行释放。
且本申请中，静电环12为导线状结构，可以实现突出部到静电环12的单向放电，静电环12上的静电无法反向释放至显示区111内，进一步保护了显示区111内的信号线和驱动芯片IC及其它部件，进一步实现了显示装置的正常显示。
在一些实施例中，突出部在衬底基板11上的正投影的形状可以为三角形(包括不限于等边三角形、直角三角形等)，梯形，或端部为圆弧状的其它尖端形状。
在一些实施例中，静电环12的线宽为0.2mm。
在一些实施例中，静电释放结构131a在衬底基板11上的正投影与静电环12在衬底基板11上的正投影之间存在间隙。
在一些实施例中，静电释放结构131a在衬底基板11上的正投影与静电环12在衬底基板11上的正投影之间的间隙宽度d大于等于0.2mm。
在一些实施例中，静电环12与接地信号线131可以位于同一层，进一步的，静电环12与静电释放结构131a到衬底基板11的垂直距离相同，使得静电环12与静电释放结构131a位于同一高度，使得静电释放结构131a可以直接对静电环12进行放电。
对应的，上述静电释放结构131a与接地信号线131之间的最小距离，可以理解为是目前显示面板制程中图案化工艺不会产生短路的极限值，比如信号线间隔距离的极限值。
但是需要说明的是，静电环12与接地信号线131之间的间隙距离可以具有一定的上限值，以避免静电环12与接地信号线131之间的距离太大时，影响静电释放效果，静电可能从其它路径进行释放，损坏显示区111内的部件。
在一些实施例中，静电环12与接地信号线131还可以位于不同层，则静电释放结构131a与静电环12在衬底基板11上的正投影可以接触或者交叠，但静电释放结构131a与静电环12之间通过介质层隔开，也同样可以实现静电从静电释放结构131a释放至静电环12上。
在一些实施例中，接地信号线131包括主体部131c，以及设置于突出部与主体部131c之间的过渡部131b。
在一些实施例中，过渡部131b和突出部的线宽均小于主体部131c的线宽。
在一些实施例中，由于接地信号线131向静电环12延伸以保证静电释放距离时，接地信号线131可能会与其它部件造成交叠，为了避免不同部件之间的交叠形成电容，影响显示效果，所以在接地信号线131向静电环12延伸的过程中，在其它部件的间隙位置较小时，可以适应性地调整接地信号线131的线宽，以避免与其它部件产生交叠。
在一些实施例中，非显示区112上设置有绑定引脚15，用于与柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)绑定连接。上述多条信号线13和静电环12均通过连接线16连接至对应的绑定引脚15。
在一些实施例中，静电环12可以设置在非显示区112除绑定区以外的其它三侧上，并通过连接线16连接至绑定引脚15中的接地引脚中。
在一些实施例中，上述多条信号线13可以从非显示区112的绑定引脚15延伸至显示区111内，再向静电环12延伸。
在一些实施例中，如图3和图4所示，为了实现上述多条信号线13在显示区111内的规则排列，减少信号线之间短路的风险，所以上述多条信号线13可以从非显示区112的绑定引脚15延伸至显示区111内，再向与绑定引脚15相对的一侧(如图3和图4所示的上侧)的静电环12部分延伸。
对应的，静电释放结构131a设置于接地信号线131远离绑定引脚15的一端。
在一些实施例中，上述显示面板还包括：多个发光单元14和级联的多个驱动芯片IC。
其中，级联的多个驱动芯片IC，设置于显示区111内；其中，驱动芯片IC包括多个端子，上述多个端子至少包括接地端子Gnd，驱动芯片IC的接地端子Gnd与接地信号线131连接；
多个发光单元14，分别与驱动芯片IC对应连接且设置于显示区111内。
其中，上述多个发光单元14可以呈阵列排布于显示区111内，其中，同一列的发光单元14对应的驱动芯片IC可以连接同一条接地信号线131。
发光单元14可以包括至少一个依次串联或并联的发光器件141。
发光器件141包括mini LED发光器件141或micro LED发光器件141。
可以理解为，发光单元14包括一个或多个mini LED发光器件141或micro LED发光器件141，当一个发光单元14包括多个mini LED发光器件141或多个micro LED发光器件141时，则发光单元14内各个mini LED发光器件141或micro LED发光器件141的连接方式为依次串联或并联的方式。
可以理解为，上述静电释放结构131a的设计可以应用于Micro-LED和mini-LED的显示面板中。可以避免静电对显示区111内的驱动芯片IC和发光器件141造成损坏。
在一些实施例中，上述多条信号线13还包括驱动信号线132，上述多个端子还包括寻址信号输入端子Di和输出端子Out；其中，发光单元14的第一端连接驱动信号线132，发光单元14的第二端连接其对应的驱动芯片IC的输出端子Out；上一级驱动芯片IC的输出端子Out连接下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di。
在一些实施例中，上述多个端子还包括电源信号输入端子Pwr。对应的，上述多条信号线13还包括电源信号线(图中未示出)，各个驱动芯片IC的电源信号输入端子Pwr与电源信号线连接。
在一些实施例中，发光单元14中各个发光器件141之间的连接线16，以及各个驱动芯片IC之间的连接线16，可以与上述多条信号线13绝缘交叠。
其中，如图3和图4所示，发光单元14可以包括9个依次串联的发光器件141，发光单元14内，这9个依次串联的发光器件141按照3行3列的方式排列，依次串联呈S形，该发光单元14对应的接地信号线131可以从第2列和第3列的发光器件141之间穿过，但发光单元14与接地信号线131在衬底基板11上的正投影互不接触，以避免形成电容，影响显示效果。但是该发光单元14对应的接地信号线131可以与第2列和第3列的发光器件141之间的连接线16绝缘交叠，此处交叠面积很小，形成的电容较小，可以忽略不计，对第2列和第3列的发光器件141之间的连接线16上的电压不会产生明显的影响，此处的电压仍然能够满足发光器件141的驱动需求。如单个发光器件141的偏置电压为3V，交叠处的电压差需要为第3列的3个发光器件141提供电压，故交叠处，发光器件141的连接线16与接地信号线131之间的电压差为9V与接地信号线131之间的差值，即约为9V。
在一些实施例中，发光器件141远离衬底基板11的一侧覆盖有保护层(图中未示出)；其中，接地信号线131在衬底基板11上的正投影不覆盖保护层在衬底基板11上的正投影。以防止接地信号线131搭接到保护层边缘，形成断差，产生一些光学或者短路问题。
在一些实施例中，保护层的材料包括透镜胶(Lens胶)，为有机材料。
在一些实施例中，突出部远离静电环12的一端，在平行于突出部延伸方向的方向上，与两侧相邻的发光器件141之间的距离相同。使得静电释放结构131a对该方向上邻近的发光器件141的影响是相同的，实现对该方向上邻近的发光器件141的影响达到最小。
可以理解为，当突出部为尖端时，根据尖端放电的基本原理，从尖端底部的位置开始到顶部电荷的聚集逐渐集中，较其它非尖端位置，从尖端底部开始，ESD电荷的聚集量多，所以该尖端远离静电环12的一端(与顶部相对的底部)在平行于突出部延伸方向的方向上，与两侧相邻的发光器件141之间的距离相同时，对其两侧相邻的发光器件141的影响都达到最小。
在一些实施例中，可以根据上述结构，以及静电释放结构131a在衬底基板11上的正投影与静电环12在衬底基板11上的正投影之间的间隙宽度d来确定静电释放结构131a的长度e以及过渡部131b的长度k。
如图3和图4所示，静电释放结构131a(突出部)远离静电环12的一端(底部)，可以位于第1行发光器件141与第2行发光器件141之间，且位于第1行发光器件141与第2行发光器件141的之间的中间位置处。
对应的，在一些实施例中，过渡部131b的长度k为13.5mm，静电释放结构131a的长度e为5.27mm(即第1行发光器件141与第2行发光器件141的之间的中间位置，到静电释放结构131a靠近静电环12的一端的距离)。二者之和为接地信号线131的主体部131c到静电释放结构131a靠近静电环12的一端的距离。
在一些实施例中，静电释放结构131a(突出部)远离静电环12的一端(底部)，还可以位于第2行发光器件141与第3行发光器件141之间，且位于第2行发光器件141与第3行发光器件141的之间的中间位置处。
对应的，在一些实施例中，静电释放结构131a的长度e为，5.27mm(即第1行发光器件141与第2行发光器件141的之间的中间位置，到静电释放结构131a靠近静电环12的一端的距离)与相邻两个发光器件141的纵向距离9.9mm的和值，结果为15.17mm(即第2行发光器件141与第3行发光器件141的之间的中间位置，到静电释放结构131a靠近静电环12的一端的距离)；过渡部131b的长度k为，13.5mm与相邻两个发光器件141的纵向距离9.9mm的差值，结果为3.6mm。
其中，需要说明的是，当静电释放结构131a(突出部)远离静电环12的一端，位于第1行发光器件141与第2行发光器件141之间时，静电释放结构131a上累积的电荷可能会影响该范围内的4个发光器件141(位于第1行至第2行，且位于第2列至第3列的4个发光器件141)；而当静电释放结构131a(突出部)远离静电环12的一端，位于第2行发光器件141与第3行发光器件141之间时，静电释放结构131a上累积的电荷可能会影响该范围内的6个发光器件141(位于第1行至第3行，且位于第2列至第3列的6个发光器件141)。所以，第一种结构优于第二种结构。
在一些实施例中，突出部远离静电环12的一端，在垂直于突出部延伸方向的方向上，与两侧相邻的发光器件141之间的距离相同。使得静电释放结构131a对该方向上邻近的发光器件141的影响是相同的，实现对该方向上邻近的发光器件141的影响达到最小。
如图3和图4所示，静电释放结构131a(突出部)远离静电环12的一端，位于第2列发光器件141与第3列发光器件141之间，且位于第2列发光器件141与第3列发光器件141的之间的中间位置处。
如图4所示，其中驱动信号线132的线宽a可以根据发光器件141在显示区111内的布局进行设计，比如根据面板的宽度、发光器件141的列数，计算单列发光单元14对应的总走线宽度和间隙宽度再计算分配到每根走线的宽度。除此之外，还要考虑在扇形区的布线空间大小。
同理，接地信号线131的最大线宽b(主体部131c的线宽)也可以按照上述方式进行设计。
除此之外，接地信号线131的过渡部131b的线宽c以及静电释放结构131a远离静电环12的一端(尖端底部)的线宽的设计原理为：接地信号线131在衬底基板11上的正投影不覆盖发光器件141上覆盖的保护层在衬底基板11上的正投影，以防止接地信号线131搭接到保护层边缘，形成断差，产生一些光学或者短路问题。保护层在衬底基板11上的正投影可以为以发光器件141的中心为圆心的圆圈，即可以根据发光器件141之间的距离以及保护层在衬底基板11上的正投影的直径进行计算。
在一些实施例中，可以用相邻两列发光器件141对应的保护层之间的距离减去保护层的叠加误差，得到接地信号线131的过渡部131b的线宽c以及静电释放结构131a远离静电环12的一端(尖端底部)的线宽。
在一些实施例中，相邻两列发光器件141对应的保护层之间的距离为7.40mm，减去叠加误差0.40mm，得到接地信号线131的过渡部131b的线宽c以及静电释放结构131a远离静电环12的一端(尖端底部)的线宽的设计值为7.00mm。
上述各个参数的设计值，可参阅表1。
表1显示面板中各个参数的设计值
| 参数 | 说明 | 数值(mm) |
| 静电环12的线宽 | 0.20 | |
| c | 接地信号线131的过渡部131b的线宽 | 7.00 |
| k | 接地信号线131的过渡部131b的长度 | 13.5或3.6 |
| e | 静电释放结构131a的长度 | 5.27或15.17 |
| d | 静电释放结构131a到静电环12的间隙宽度 | 0.20 |
在如图4所示的结构中，静电的传输路径可能有，第一条路径(Path A)：通过接地信号线131经过上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd传导至其输出端子Out，再传导到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di；第二条路径(Path B)：通过接地信号线131传导至静电释放结构131a，以释放至静电环12上，但是第一条路径(Path A)会导致驱动芯片IC的损坏，是需要避免的。
所以，在一些实施例中，静电释放结构131a的电阻(尤其接地信号线131到静电释放结构131a靠近静电环12的一端之间的电阻)，小于上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的电阻。也即第二条路径(Path B)的电阻小于第一条路径(Path A)的电阻。以保证静电可以通过第二条路径(Path B)传导至静电释放结构131a，以释放至静电环12上，而非通过第一条路径(Path A)经由上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd传导到下一级驱动芯片IC。
如图3至图5所示，接地信号线131到静电释放结构131a靠近静电环12的一端之间的电阻为走线电阻，走线长度为接地信号线131的过渡部131b的长度与静电释放结构131a的长度之和，走线电阻计算为：电阻R＝ρL/S＝ρL/(hW)。其中ρ为连接线16的电阻率(如铜走线的电阻率ρ为0.0175Ωmm^2/m)，L为连接线16长度，W为连接线16宽度，h为连接线16的厚度。按照上式计算得到接地信号线131到静电释放结构131a靠近静电环12的一端之间的电阻不到1Ω，即第二条路径(Path B)的电阻不到1Ω。
在一些实施例中，上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的电阻，包括：
上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd与其输出端子Out之间的电阻，以及上一级驱动芯片IC的输出端子Out与下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的电阻。
在一些实施例中，上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd到其输出端子Out之间的电路结构如图5所示，包括放大器、电阻R4、N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2。
第一条路径(Path A)传导的总电阻包括接地信号线131到上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd之间的电阻R2、N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2的反向电阻，以及上一级驱动芯片IC的输出端子Out到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的连接线16的电阻R1。
其中，N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2的反向电阻可按照PN结的反向电阻(未击穿)近似计算，即分别为500kΩ，和值为1kkΩ。
接地信号线131到上一级驱动芯片IC的接地端子Gnd之间的电阻R2，以及上一级驱动芯片IC的输出端子Out到下一级驱动芯片IC的寻址信号输入端子Di之间的连接线16的电阻R1均为走线电阻，走线电阻计算为：电阻R＝ρL/S＝ρL/(hW)。其中ρ为连接线16的电阻率(如铜走线的电阻率ρ为0.0175Ωmm^2/m)，L为连接线16长度，W为连接线16宽度，h为连接线16的厚度。但是相对于N型晶体管(NMOS)K1和三极管K2的反向电阻，这部分走线电阻可忽略不计，即第一条路径(Path A)的总电阻约为1kkΩ。
显然，第一条路径(Path A)传导总电阻远大于第二条路径(Path B)的电阻，即静电会通过第二条路径(Path B)传导至静电释放结构131a中再释放到静电环12上，而不是通过第一条路径(Path A)经由上一级驱动芯片IC内部传导到下一级驱动芯片IC。
第一条路径(Path A)和第二条路径(Path B)可以看作是两条并联的电路，在此时静电(ESD)会绝大部分走第二条路径(Path B)进行放电，故可以对第一条路径(Path A)上的驱动芯片IC进行保护，提升产品整体的抗静电(ESD)能力。其中，静电从静电释放结构131a释放至静电环12的释放电阻为电阻R3。
本申请中，通过在接地信号线131靠近静电环12的一侧设置有静电释放结构131a，以将接地信号线131上的静电释放至静电环12上。避免了静电对显示区111内的信号线和驱动芯片IC造成损坏，避免了静电对显示区111造成的不良影响，提升产品整体的抗静电(ESD)能力，进一步实现了显示装置的正常显示。
本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
在一些实施例中，显示装置还包括壳体，显示面板与壳体相连接，例如，显示面板嵌入到壳体内。显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的设备。
以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。虽然本申请所公开的实施方式如上，但的内容只是为了便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属技术领域内的技术人员，在不脱离本申请所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本申请的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (18)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，其中，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
静电环，设置于所述非显示区内；
多条信号线，设置于所述显示区内；
其中，所述多条信号线至少包括接地信号线，所述接地信号线靠近所述静电环的一侧设置有静电释放结构，所述静电释放结构用于将所述接地信号线上的静电释放至所述静电环上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电释放结构包括沿靠近所述静电环的方向延伸的突出部。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述突出部的线宽沿靠近所述静电环的方向逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电释放结构在所述衬底基板上的正投影与所述静电环在所述衬底基板上的正投影之间存在间隙。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述间隙的宽度大于等于0.2mm。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述接地信号线与所述静电环位于同一层。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述接地信号线包括主体部，以及设置于所述突出部与所述主体部之间的过渡部。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述过渡部和所述突出部的线宽均小于所述主体部的线宽。
9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
级联的多个驱动芯片，设置于所述显示区内；其中，所述驱动芯片包括多个端子，所述多个端子至少包括接地端子，所述驱动芯片的所述接地端子与所述接地信号线连接；
多个发光单元，分别与所述驱动芯片对应连接且设置于所述显示区内。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述多条信号线还包括驱动信号线，所述多个端子还包括寻址信号输入端子和输出端子；
其中，所述发光单元的第一端连接所述驱动信号线，所述发光单元的第二端连接其对应的所述驱动芯片的所述输出端子；
上一级所述驱动芯片的所述输出端子连接下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述多条信号线还包括电源信号线，所述多个端子还包括电源信号输入端子；
其中，所述驱动芯片的所述电源信号输入端子与所述电源信号线连接。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述静电释放结构的电阻小于上一级所述驱动芯片的所述接地端子到下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子之间的电阻。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，上一级所述驱动芯片的所述接地端子到下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子之间的电阻，包括：
上一级所述驱动芯片的所述接地端子与其所述输出端子之间的电阻，以及上一级所述驱动芯片的所述输出端子与下一级所述驱动芯片的所述寻址信号输入端子之间的电阻。
14.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括至少一个依次串联或并联的发光器件。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件远离衬底基板的一侧覆盖有保护层；
其中，所述接地信号线在所述衬底基板上的正投影不覆盖所述保护层在所述衬底基板上的正投影。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述突出部延伸方向的方向上，所述突出部远离所述静电环的一端与两侧相邻的所述发光器件之间的距离相同。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，在平行于所述突出部延伸方向的方向上，所述突出部远离所述静电环的一端与两侧相邻的所述发光器件之间的距离相同。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至17中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210331466.4A CN114613753A (zh) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210331466.4A CN114613753A (zh) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114613753A true CN114613753A (zh) | 2022-06-10 |
Family
ID=81867572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210331466.4A Pending CN114613753A (zh) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114613753A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024065759A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板、背光模组及显示装置 |
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2022
- 2022-03-30 CN CN202210331466.4A patent/CN114613753A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024065759A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板、背光模组及显示装置 |
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