CN114591093B - 陶瓷件退火方法及陶瓷件制备方法 - Google Patents

陶瓷件退火方法及陶瓷件制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种陶瓷件的退火方法，其特征在于，包括：将所述陶瓷件自室温升温至350摄氏度(℃)至450℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至750℃至850℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件降温至室温。还提供一种陶瓷件的制备方法。

Description

陶瓷件退火方法及陶瓷件制备方法
技术领域
本申请涉及陶瓷加工技术领域，具体涉及一种陶瓷件退火方法及陶瓷件制备方法。
背景技术
陶瓷材料制作的结构件，如陶瓷后盖等，具有温润的质感，目前为电子设备厂家所青睐；然而，陶瓷件在研磨、抛光的过程中会造成大量的加工应力，尽管部分的加工应力会在下一工序中释放，但是释放的应力是无序的，不均匀的，故而出现陶瓷翘曲变形等缺陷，而缺陷较严重的翘曲变形在后续加工过程中易产生破裂和平面翘曲度差等质量问题，无形中增加了制造成本。
发明内容
针对上述问题，本申请提供一种陶瓷件退火方法及陶瓷件制备方法，通过有效的退火释放陶瓷件的应力，改善陶瓷件加工过程中产生的翘曲变形。
本申请提供了一种陶瓷件的退火方法，包括：将所述陶瓷件自室温升温至350摄氏度(℃)至450℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至750℃至850℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间；后，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件降温至室温。
本申请还提供了一种陶瓷件的制备方法，包括：成型一陶瓷胚体；将所述瓷胚体烧结形成陶瓷件；将所述陶瓷件进行研磨及抛光处理；及采用如前所述的陶瓷件的退火方法对所述陶瓷件进行退火处理。
本申请实施例的陶瓷件的退火方法及制备方法，通过五段式升温，可以更有效地释放所述陶瓷件的应力，从而可以将翘曲的陶瓷件抚平，而本申请提供的陶瓷件的退火方法中的温度设置也更有利于陶瓷件应力的释放；另外，本申请的陶瓷件的退火方法中，在将陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间后，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间，抚平效果更好，不需要多次退火即可将陶瓷件抚平。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例提供的陶瓷件的退火方法的流程示意图。
图2是本申请第一实施例提供的陶瓷件的退火方法中将陶瓷件降温至室温的流程示意图。
图3是本申请第一实施例提供的陶瓷件的退火方法中一优选方法将陶瓷件降温至室温的流程示意图。
图4为本申请第一实施例提供的一种陶瓷件与承烧板及压板配合进行退火的叠构示意图。
图5为本申请第一实施例提供的另一种陶瓷件与承烧板及压板配合进行退火的叠构示意图。
图6为本申请实施例提供的未退火的陶瓷件的CAV测试结果与设计值的对比图。
图7是按照本申请一实施例提供的陶瓷件的退火方法得到的陶瓷件的CAV测试结果与设计值的对比图。
图8是本申请第二实施例提供的陶瓷件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
需要说明的是，为便于说明，在本申请的实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。
本申请提供一种陶瓷件的退火方法，包括：将所述陶瓷件自室温升温至350摄氏度(℃)至450℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至750℃至850℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间；后，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间；之后，将所述陶瓷件降温至室温。
其中，本申请提供的陶瓷件的退火方法，通过五段式升温，可以更有效地释放所述陶瓷件的应力，从而可以将翘曲的陶瓷件抚平，而本申请提供的陶瓷件的退火方法中的温度设置也更有利于陶瓷件应力的释放；另外，本申请的陶瓷件的退火方法中，在将陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间后，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间，抚平效果更好，不需要多次退火即可将陶瓷件抚平。
请参阅图1至图7，本申请第一实施例提供的陶瓷件的退火方法，包括：
S101，将所述陶瓷件自室温升温至350摄氏度(℃)至450℃，保温一预定时间；
S102，将所述陶瓷件升温至750℃至850℃，保温一预定时间；
S103，将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃，保温一预定时间；
S104，将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间；
S105，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间；
S106，将所述陶瓷件降温至室温。
在一些实施例中，将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃后的保温时间为10分钟至20分钟；更优选地，保温时间为10分钟。
在一些实施例中，将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃的升温速率为4.0摄氏度每分钟(℃/min)至4.4℃/min。
在一些实施例中，将所述陶瓷件升温至750℃至850℃后的保温时间为10分钟至20分钟；更优选地，保温时间为10分钟。
在一些实施例中，将所述陶瓷件升温至750℃至850℃的升温速率为3.2℃/min至3.4℃/min。
在一些实施例中，将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃后的保温时间为10分钟至20分钟；更优选地，保温时间为10分钟。
在一些实施例中，将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃的升温速率为1.9℃/min至2.1℃/min。
在一些实施例中，将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃后的保温时间为10分钟至20分钟；更优选地，保温时间为10分钟。
在一些实施例中，将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃的升温速率为0.9℃/min至1.1℃/min。
在一些实施例中，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃后的保温时间为20分钟至30分钟；更优选地，保温时间为25分钟。
在一些实施例中，将所述陶瓷件再升温40℃至60℃的升温速率为0.9℃/min至1.1℃/min。
其中，将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃为本申请的陶瓷件的退火方法的第一段升温，第一段升温时终点的温度相对较低，故，升温速率相对可以快一些；将所述陶瓷件再升温至750℃至850℃为本申请的陶瓷件的退火方法的第二段升温，第二段升温时的温度较第一段升温的温度高，故，第二段升温的升温速率相对第一段升温的升温速率有下降，以防止温度突变引起的应力突变；将所述陶瓷件再升温至950℃至1050℃为本申请的陶瓷件的退火方法的第三段升温，第三段升温时的温度较第一段、第二段升温的温度高，故，第二段升温的升温速率相对第一段及第二段升温的升温速率又有下降；将所述陶瓷件再升温至1150℃至1250℃为本申请的陶瓷件的退火方法的第四段升温，第四段升温时的温度较第一段、第二段、第三段升温的温度又高，故，第二段升温的升温速率相对第一段、第二段及第三段升温的升温速率又有下降，其中，本申请的第四段升温可以提升退火动力，减少退火次数，例如，本申请发明人实验证明经本申请的退火处理，一次就能使陶瓷件的翘曲变平，提升生产效率，进一步也降低了陶瓷件的生产成本；将所述陶瓷件再升温40℃至60℃为本申请的陶瓷件的退火方法的第五段升温，第五段升温速率与第四段的升温速率大致相同，第五段升温让温度较为缓慢上升至最高温度，在升温过程中应力释放逐渐提升，既保证高温状态下炉体升温负载小，同时兼顾升温效率又能保证不会因应力释放过大导致陶瓷开裂。
本申请第一段至第四段升温之后的保温时间都为10至20分钟，有效缩短升温时间，提升效率；本申请第四段升温之后的保温时间较第一段至第四段升温之后的保温时间略长，让温度缓慢上升至最高温度，在该过程中应力释放逐渐提升，既保证高温状态下炉体升温负载小，同时兼顾升温效率又能保证不会因应力释放过大导致陶瓷开裂。
在一优选实施例中，在90分钟的时间内，匀速将所述陶瓷件自室温升温至400℃，即，以4.22℃/min的升温速率将所述陶瓷件自室温升温至400℃；之后，在120分钟的时间内，匀速将所述陶瓷件自400℃升温至800℃，即，以3.33℃/min的升温速率将所述陶瓷件自400℃升温至800℃；之后，在100分钟的时间内，匀速将所述陶瓷件自800℃升温至1000℃，即，以2.0℃/min的升温速率将所述陶瓷件自800℃升温至1000℃；之后，在200分钟的时间内，匀速将所述陶瓷件自1000℃升温至1200℃，即，以1.0℃/min的升温速率将所述陶瓷件自1000℃升温至1200℃；之后，在50分钟的时间内，匀速将所述陶瓷件自1200℃升温至1250℃，即，以1.0℃/min的升温速率将所述陶瓷件自1200℃升温至1250℃。
此优选实施例的温度、升温速率、保温时间等设置，可以使初始阶段升温速率快，保证效率，发挥低温下炉体升温速率快的优势，接近高温段时，升温速率下降，在该过程中应力释放逐渐提升，既保证高温状态下炉体升温负载小，同时兼顾升温效率又能保证不会因应力释放过大导致陶瓷开裂。
在一些实施例中，请参阅图2，将所述陶瓷件降温至室温的步骤包括：
S1061，将所述陶瓷件以3℃/min至3.3℃/min的速率降温至750℃至850℃；
S1062，之后，将所述陶瓷件以3.2℃/min至3.4℃/min的速率降温至350℃至450℃；及
S1063，之后，将所述陶瓷件以1.8℃/min至2.0℃/min的速率降温至室温。
其中，本申请的分段式的降温让降温曲线兼顾高温段降温缓慢，中温段降温快，低温段降温慢，即符合长炉降温规律又不至于在400℃左右快速降温导致急冷急热重新产生热应力的现象。
在一优选实施例中，请参阅图3，将所述陶瓷件降温至室温的步骤包括：
S2061，将所述陶瓷件以3.21℃/min的速率降温至800℃；
S2062，之后，将所述陶瓷件以3.33℃/min的速率降温至400℃；及
S2063，之后，将所述陶瓷件以1.9℃/min的速率降温至室温。
此优选实施例的温度、降温速率等设置，可以更优化应力释放，避免急冷急热重新产生热应力的现象。
在一些实施例中，在对所述陶瓷件进行退火处理时，将所述陶瓷件置于一承烧板上，且在所述陶瓷件上覆盖压板，通过压板的压重，促使所述陶瓷件翘曲的展平。
其中，所述承烧板与所述压板均可以为莫来石板或氧化铝板。
本申请的退火可以在恒温箱内进行，通过设定恒温箱的温度为如前述的温度曲线，进行本申请的陶瓷件的退火处理。
在一些实施例中，请参阅图4，为本申请的一种陶瓷件与承烧板及压板配合进行退火的叠构示意图，本实施例中，所述陶瓷件10包括相对的外表面101及内表面102，所述内表面102合围形成有内腔103，所述内腔103朝向所述承烧板20，所述压板30覆盖于所述陶瓷件10的与所述内腔103相背的外表面101上。
在一些实施例中，所述外表面101可以为2D、2.5D或3D表面。
在一些实施例中，所述陶瓷件10可以为2.5D或3D的手机后盖。
在一些实施例中，所述外表面101在所述压板30上的垂直投影完全落在所述压板30上，也就是说，所述压板30完全覆盖所述陶瓷件10；优选地，所述压板30对所述陶瓷件10形成20Pa至100Pa的压强，以能向所述陶瓷件10提供有效的压重且不会对所述陶瓷件10造成损伤；其中，在一具体实施例中，当所述陶瓷件10为手机后盖时，所述压板30的重量可以为30克至70克。
在一些实施例中，所述承烧板20的平面度为小于或等于0.1毫米；如果所述承烧板20自身的平面度较大时，可能会影响所述陶瓷件10翘曲的校正。
在一些实施例中，请参阅图5，为本申请的另一种陶瓷件与承烧板及压板配合进行退火的叠构示意图，本实施例中，所述叠构包括两个陶瓷件10，与图2所示的实施例相同，本实施例中的每个陶瓷件10也均对应设置有承烧板20及压板30，所述陶瓷件10的内腔103均朝向对应的所述承烧板20，对应的所述压板30均覆盖于所述陶瓷件10的与所述内腔103相背的外表面101上；本实施例中，相邻两个所述承烧板20之间通过支撑块40支撑，从而使所述压板30与邻近的承烧板20相间隔，进而使所述承烧板20对所述陶瓷件10不产生压力。
在其他实施例中，可以参照图5的实施例的设置，形成包括三个及三个以上的陶瓷件10的叠构，此处不再赘述。
本申请的陶瓷件也可以为手机的其他结构件，还可以为其他电子设备如平板电脑、可穿戴设备、电子书等的前盖、后盖等结构件。
在氧化锆陶瓷的烧成过程中，通常将烧结最高温度设置为1450±50℃，一般退火温度越高越能提升退火动力，有利于应力释放，但是退火温度偏高会导致氧化锆陶瓷晶粒长大，影响强度，而本退火曲线最高温为1190～1310℃，能够提升退火动力，有利于应力释放，且不影响陶瓷的强度；另外，本技术方案在退火过程中，将底平面置于远离承烧板的一侧，且表面负重，负重板平面度为0.1mm以内，借助外力作用使得产品内应力均匀释放；未经过退火处理的陶瓷件的翘曲较为严重，通过本申请的陶瓷件的退火方法退火得到的陶瓷件的平面翘曲极差可以控制在0.2毫米以内(参图6及图7，分别为本申请实施例提供的未退火的陶瓷件的CAV测试结果与设计值的对比图及本申请一种实施例得到的退火后的CAV测试结果与设计值的对比图)，且单次退火后的平面度的良率较高(优选实施例即可达到96％以上)，大部分产品都不需要进行再次退火，进而可以节省加工成本。
请参阅图8，本申请第二实施例提供一种陶瓷件的制备方法，包括：
S401，成型一陶瓷胚体；
S402，将所述陶瓷胚体烧结形成陶瓷件；
S403，将所述陶瓷件进行研磨及抛光处理；及
S404，对所述陶瓷件进行退火处理。
在一些实施例中，可以通过干压成型工艺一体成型得到所述陶瓷胚体。
在一些实施例中，可以通过磨床-金刚石砂轮对所述陶瓷件的外表面进行研磨抛光；可以通过CNC-电镀金刚石砂轮棒对所述陶瓷件的内表面进行研磨抛光。
其中，在对所述陶瓷件进行退火处理时，可以采用如第一实施例所述的陶瓷件的退火方法对所述陶瓷件进行退火处理，此处不再赘述。
本申请的陶瓷件可以为各种电子设备如手机、平板电脑、可穿戴设备、电子书等的前盖、后盖等结构件。
以下结合具体实施例对本案的陶瓷件的退火方法进行说明。
实施例1
提供一陶瓷件，将所述陶瓷件以下表的退火曲线进行退火处理；其中，所述陶瓷件包括相对的外表面及内表面，所述内表面合围形成有内腔，所述陶瓷件置于一承烧板上，所述内腔朝向所述承烧板，所述陶瓷件上覆盖有压板，所述压板覆盖于所述陶瓷件的与所述内腔相背的外表面上：
Figure BDA0002813821040000081
对实施例1中的退火后的陶瓷件进行CAV检测。
对比例1
提供一陶瓷件，所述陶瓷件未经过退火处理
对对比例1中的陶瓷件进行CAV检测。
对比例2
提供一陶瓷件，将所述陶瓷件以下表的退火曲线进行退火处理；其中，所述陶瓷件包括相对的外表面及内表面，所述内表面合围形成有内腔，所述陶瓷件置于一承烧板上，所述内腔朝向所述承烧板：
Figure BDA0002813821040000091
对对比例2中的退火后的陶瓷件进行CAV检测。
对比例3
提供一陶瓷件，将所述陶瓷件以下表的退火曲线进行退火处理；其中，所述陶瓷件包括相对的外表面及内表面，所述内表面合围形成有内腔，所述陶瓷件置于一承烧板上，所述内腔朝向所述承烧板，所述陶瓷件上覆盖有压板，所述压板覆盖于所述陶瓷件的与所述内腔相背的外表面上：
Figure BDA0002813821040000092
Figure BDA0002813821040000101
对对比例3中的退火后的陶瓷件进行CAV检测。
对比例4
提供一陶瓷件，将所述陶瓷件以下表的退火曲线进行退火处理；其中，所述陶瓷件包括相对的外表面及内表面，所述内表面合围形成有内腔，所述陶瓷件置于一承烧板上，所述内腔背离所述承烧板，所述陶瓷件上覆盖有压板，所述压板覆盖于所述陶瓷件的与所述内腔相背的外表面上：
Figure BDA0002813821040000102
对对比例4中的退火后的陶瓷件进行CAV检测。
如下表所示，为实施例1及对比例1至4的CAV测试结果。
Figure BDA0002813821040000103
Figure BDA0002813821040000111
上述的平面度范围是指退火后与设计值的对比(对比例2为直接与设计值对比)，其中，高出标准底面为正，低于标准底面为负；上述的合格率是指退火后，取样抽检得到的最高点和最低点的极差小于等于0.2mm的样品占总样品的数量比。
对比例1表明在初始状态下，即无退火状态下外凸0.199，内凹0.148，整体良率为0，请一并参阅图6，为对比例1的未退火的陶瓷件的CAV测试结果与设计值的对比图，可以看出，退火前的陶瓷件，中间较大面积均较设计值低0.1毫米以上，即较设计值凹陷，周围较大面积均较设计值高出0.1毫米以上；实施例1表示最优退火状态下，良率为95％，平面度范围为-0.1至+0.075mm，请一并参图7，为实施例1得到的退火后的陶瓷件的CAV测试结果与设计值的对比图，可以看出，采用实施例1的退火方法退火后的陶瓷件，中间位置仅有极少区域较设计值低0.1毫米左右，且没有区域胶设计值地0.11以上，周边区域也较设计值高出0.1毫米及以上的区域，即采用实施例1的退火方法退火后的陶瓷件的大部分区域均较设计值偏差在0.07及以内，也就是说，采用实施例1的退火方法退火后的陶瓷件的平面度较未退火处理的陶瓷件的平面度大大提升；对比例2与实施例1相比，无压板，外凸和内凹均比实施例1严重，主要是压板在退火过程中呈现外力有抚平陶瓷的趋势；对比例3中，陶瓷内腔朝向背离承烧板一侧，与实施例1相比，陶瓷摆放方式不同，压块无法直接覆盖至整个陶瓷底面，导致应力释放不均匀，故，外凸和内凹均比实施例1严重；对比例4与实施例1相比，主要是退火最高温度低，退火动力不够，应力释放不完全，导致平面度极差值偏大，且良率偏低。
在本文中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (14)

1.一种陶瓷件的退火方法，其特征在于，所述陶瓷件为氧化锆陶瓷件，所述方法包括：
第一段升温：将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃，保温一预定时间；
之后，第二段升温：将所述陶瓷件升温至750℃至850℃，保温一预定时间；
之后，第三段升温：将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃，保温一预定时间；
之后，第四段升温：将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃，保温一预定时间；其中，所述第一段升温的升温速率大于所述第二段升温的升温速率，所述第二段升温的升温速率大于所述第三段升温的升温速率；所述第三段升温的升温速率大于所述第四段升温的升温速率；
之后，第五段升温：将所述陶瓷件再升温40℃至60℃，保温一预定时间；
之后，将所述陶瓷件降温至室温。
2.如权利要求1所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃后、将所述陶瓷件升温至750℃至850℃后、将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃后及将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃后，保温时间均为10至20分钟；将所述陶瓷件再升温40℃至60℃后，保温时间为20至30分钟。
3.如权利要求1所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃时的升温速率为4.0℃/min至4.4℃/min；将所述陶瓷件升温至750℃至850℃时的升温速率为3.2℃/min至3.4℃/min；将所述陶瓷件升温至950℃至1050℃时的升温速率为1.9℃/min至2.1℃/min；将所述陶瓷件升温至1150℃至1250℃时的升温速率为0.9℃/min至1.1℃/min；将所述陶瓷件再升温40℃至60℃时的升温速率为0.9℃/min至1.1℃/min。
4.如权利要求1所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，包括：
将所述陶瓷件以4.22℃/min的速率自室温升温至400℃，保温10分钟；
之后，将所述陶瓷件以3.33℃/min的速率升温至800℃，保温10分钟；
之后，将所述陶瓷件以2.0℃/min的速率升温至1000℃，保温10分钟；
之后，将所述陶瓷件以1.0℃/min的速率升温至1200℃，保温10分钟；
之后，将所述陶瓷件以1.0℃/min的速率升温至1250℃，保温25分钟；
之后，将所述陶瓷件降温至室温。
5.如权利要求1所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，将所述陶瓷件降温至室温的步骤包括：
将所述陶瓷件以3℃/min至3.3℃/min的速率降温至750℃至850℃；
之后，将所述陶瓷件以3.2℃/min至3.4℃/min的速率降温至350℃至450℃；及
之后，将所述陶瓷件以1.8℃/min至2.0℃/min的速率降温至室温。
6.如权利要求5所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，将所述陶瓷件降温至室温的步骤包括：
将所述陶瓷件以3.21℃/min的速率降温至800℃；
之后，将所述陶瓷件以 3.33℃/min的速率降温至400℃；及
之后，将所述陶瓷件以1.9℃/min的速率降温至室温。
7.如权利要求1至6任一项所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，在“将所述陶瓷件自室温升温至350℃至450℃”之前，所述陶瓷件的退火方法还包括：
将所述陶瓷件置于承烧板上，再在所述陶瓷件上覆盖压板。
8.如权利要求7所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，所述陶瓷件包括外表面及内表面，所述内表面合围形成有内腔，所述内腔朝向所述承烧板，所述压板覆盖于所述陶瓷件的与所述内腔相背的外表面上。
9.如权利要求8所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，所述外表面为2D、2.5D或3D表面。
10.如权利要求7所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，所述承烧板与所述压板为莫来石板或氧化铝板。
11.如权利要求8所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，所述外表面在所述压板上的垂直投影完全落在所述压板上；所述压板对所述陶瓷件形成20Pa至100Pa的压强。
12.如权利要求7所述的陶瓷件的退火方法，其特征在于，所述承烧板的平面度为小于或等于0.1毫米。
13.一种陶瓷件的制备方法，其特征在于，包括：
成型一陶瓷胚体；
将所述陶瓷胚体烧结形成陶瓷件；
将所述陶瓷件进行研磨及抛光处理；及
采用如权利要求1至12任一项所述的陶瓷件的退火方法对所述陶瓷件进行退火处理。
14.如权利要求13所述的陶瓷件的制备方法，其特征在于，“成型一陶瓷胚体”的步骤为：通过干压成型工艺一体成型得到所述陶瓷胚体。
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