CN114583090A

CN114583090A - Oled发光器件及其制备方法、显示面板

Info

Publication number: CN114583090A
Application number: CN202210159725.XA
Authority: CN
Inventors: 张鑫
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2022-02-22
Filing date: 2022-02-22
Publication date: 2022-06-03

Abstract

本发明公开了一种OLED发光器件及其制备方法、显示面板，OLED发光器件的制备方法包括：提供一基板；在所述基板一侧形成第一电极，所述第一电极包括多个凸起部位；对所述凸起部位进行激光照射，以去除所述凸起部位；在所述第一电极远离所述基板的一侧形成发光功能层；以及在所述发光功能层远离所述基板的一侧形成第二电极。本发明通过采用激光器对第一电极中的凸起部位进行激光照射，以去除凸起部位，从而提高了第一电极膜厚的均匀性，有利于提升屏幕的亮度和色度均匀性。

Description

OLED发光器件及其制备方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED发光器件及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)屏幕应用越加广泛，其中，亮度和色度均匀性是评价屏幕性能的重要指标之一，OLED发光器件的各膜层厚度的均匀性直接影响了最终屏幕的亮度、色度均匀性，特别是OLED发光器件的阳极和阴极。一般来说，各膜层厚度膜厚越均匀，越有利于获得显示效果更均匀的屏幕，然而，受制作工艺、设备、材料等限制，阳极和阴极的成膜厚度均一性达到临界值后，其仅仅依靠制作工艺的优化较难进一步得到提升。

发明内容

本发明实施例提供一种OLED发光器件及其制备方法，以解决现有的OLED发光器件的阳极和阴极的成膜厚度均一性无法得到进一步提升的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板一侧形成第一电极，所述第一电极包括多个凸起部位；

对所述凸起部位进行激光照射，以去除所述凸起部位；

在所述第一电极远离所述基板的一侧形成发光功能层；以及

在所述发光功能层远离所述基板的一侧形成第二电极。

根据本发明提供的制备方法，在所述采用激光器对所述凸起部位进行激光照射的步骤之前，所述制备方法还包括：

设置所述第一电极的基准膜厚；以及

根据所述基准膜厚判断所述凸起部位在所述第一电极上的位置。

根据本发明提供的制备方法，所述根据所述基准膜厚判断所述凸起部位在所述第一电极上的位置的步骤，包括：

选取所述第一电极表面的多个测试点，记录每一所述测试点的坐标；

利用膜厚测试装置检测每一所述测试点的初始膜厚；以及

计算每一所述测试点的初始膜厚与所述基准膜厚的差值，若所述差值为正且在预设范围内，则所述测试点为凸起部位，所述差值为所述凸起部位的应去除膜厚值；否则，所述测试点无需进行激光照射。

根据本发明提供的制备方法，所述对所述凸起部位进行激光照射的步骤，包括：

根据所述凸起部位的所述坐标和所述初始膜厚绘制出所述第一电极的凸起部位分布图；以及

激光器根据所述凸起部位分布图以对每一所述凸起部位分别进行激光照射。

根据本发明提供的制备方法，所述对所述凸起部位进行激光照射的步骤，还包括：

所述激光器的存储单元存储有激光能量密度与所述应去除膜厚值的对应关系曲线，所述激光器根据所述应去除膜厚值及所述对应关系曲线得到去除所述凸起部位所需的激光能量密度；以及

所述激光器根据所述激光能量密度对对应的所述凸起部位进行激光照射。

根据本发明提供的制备方法，所述膜厚测试装置依据所述若干测试点的所述初始膜厚计算出所述若干测试点的所述初始膜厚的平均值，所述平均值为所述基准膜厚。

根据本发明提供的制备方法，所述第一电极为阳极和阴极中的其中一种，所述第二电极为所述阳极和所述阴极中的另一种。

根据本发明提供的制备方法，所述预设范围为大于或等于2纳米。

本发明提供一种OLED发光器件，由上述制备方法制备而成；所述OLED发光器件包括：

基板；

第一电极，设置于所述基板一侧；

发光功能层，设置于所述第一电极远离所述基板的一侧；以及

第二电极，设置于所述发光功能层远离所述基板的一侧。

本发明提供一种显示面板，包括上述OLED发光器件；以及

阵列基板，所述OLED发光器件设置于所述阵列基板一侧。

本发明的有益效果为：本发明提供的OLED发光器件及其制备方法、显示面板，通过采用激光器对第一电极中的凸起部位进行激光照射，以去除凸起部位，从而提高了第一电极膜厚的均匀性，有利于提升屏幕的亮度和色度均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种OLED发光器件的制备方法的流程图；

图2A～图2F是本发明实施例提供的一种OLED发光器件的制备方法的流程结构示意图；

图3A是本发明实施例提供的一种第一电极未进行激光处理时的凸起部位分布图；

图3B是本发明施例提供的对A区域进行激光处理后的凸起部位分布图；

图3C是本发明实施例提供的对B区域进行激光处理后的凸起部位分布图；

图4是本发明实施例提供的一种OLED发光器件的截面结构示意图。

附图标记说明：

100、OLED器件；10、基板；20、第一电极；201、凸起部位；30、发光功能层；40、第二电极；200、激光器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

请参阅图1和图2A～图2F，图1是本发明实施例提供的一种OLED发光器件的制备方法的流程图；图2A～图2F是本发明实施例提供的一种OLED发光器件的制备方法的流程结构示意图；本发明实施例提供一种OLED发光器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S101：提供一基板10；

步骤S102：在所述基板10一侧形成第一电极20，所述第一电极20包括多个凸起部位201；

步骤S103：对所述凸起部位201进行激光照射，以去除所述凸起部位201；

步骤S104：在所述第一电极20远离所述基板10的一侧形成发光功能层30；以及

步骤S105：在所述发光功能层30远离所述基板10的一侧形成第二电极40。

可以理解的是，由于所述凸起部位201的存在影响所述第一阳极膜厚的均匀性，本发明实施例通过对第一电极20中的凸起部位201进行激光照射，以去除凸起部位201，从而提高了第一电极20膜厚的均匀性，有利于提升屏幕的亮度和色度均匀性。

具体的，如图2A所示，在所述步骤S101中，所述基板10可以为玻璃基板10。

具体的，如图2B所示，所述第一电极20可为阳极和阴极中的其中一种，为了清楚的描述本发明提供的技术方案，本发明实施例以所述第一电极20为阳极为例进行阐述说明，所述阳极的材料为氧化铟锌、氧化铟锡、银、脂肪族聚碳酸酯和氧化钨中的其中一种。所述阳极可以为单种膜层和多种膜层组合，当所述阳极为多层膜层时，可每制作一层阳极膜层后，进行一次膜层的激光处理；也可在各层阳极膜层均制作完成后，处理最顶层的膜层。

具体的，如图2C所示，在所述步骤S103中，可以采用激光器200对所述凸起部位201进行照射，具体的，所述激光器200为纳秒调Q激光器，所述激光器200的波长为355纳米，所述激光器200发射激光束至所述凸起部位201上以对所述凸起部位201进行激光处理。在本发明实施例中，可以通过调节所述激光器200的激光功率、频率、扫描速度和离焦量等激光参数，对所述凸起部位201进行激光处理，以实现所述凸起部位201处的膜层的减薄，从而提高所述第一电极20的正面膜厚均匀性。一般来说，将离焦量设置为0，扫描速度v不能设置过快也不能设置过慢，扫描速度v越快则有利于缩短加工时间，但过快会导致光斑间脉冲间距ds过大，从而导致光斑重叠率不够，所述激光器200的具体参数的调节及确定，可由激光工艺工程师调试得出。

具体的，如图2D所示，经过激光处理，所述凸起部位201被去除，所述第一电极20的表面均匀化得到提升。

具体的，如图2E所示，在所述步骤S104中，当所述第一电极20为阳极时，所述发光功能层30包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，所述发光层至少包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。

具体的，如图2F所示，在所述步骤S105中，所述第二电极40为所述阳极和所述阴极中的另一种，在本发明实施例中，所述第二电极40为阴极。

当然的，在其它实施例中，在形成所述第一电极20时，可对所述第一电极20进行激光处理，同时，在形成所述第二电极40时，也可对所述第二电极40进行激光处理，能够进一步提升整个所述OLED发光器件100的膜厚均匀性，有利于进一步提升屏幕亮度和色度均匀度。

进一步的，在一种实施方式中，在所述对所述凸起部位201进行激光照射的步骤之前，所述制备方法还包括：

步骤S201：设置所述第一电极20的基准膜厚；以及

步骤S202：根据所述基准膜厚判断所述凸起部位201在所述第一电极20上的位置。

需要说明的是，由于所述第一电极20表面是不均匀的，所述凸起部位201在所述第一电极20表面呈无规律排布，因此，在采用激光器200对所述凸起部位201进行激光照射之前，需要判断出所述凸起部位201在所述第一电极20上的具体位置，以避免激光对所述第一电极20上无需去除的部位进行照射。

具体的，在所述步骤S201中，所述基准膜厚(如图2B中的虚线所示)可以在制备所述第一电极20时预先设置，可以根据所述第一电极20的材料、功能及所述OLED发光器件100的整体膜厚进行综合考量确定，例如，在本发明实施例中，可将所述基准膜厚设置为73纳米，也就是说，所述第一电极20在所述凸起部位201处的膜厚大于所述73纳米。在所述步骤S202中，通过判断所述基准膜厚与所述凸起电位处的膜厚之间的大小，来确定所述凸起部位201在所述第一电极20上的位置。

当然地，在一种实施例中，所述基准膜厚也可以根据所述第一电极20表面的实际膜厚情况进行确定，具体的，所述根据所述基准膜厚判断所述凸起部位201在所述第一电极20上的位置的步骤，包括：

步骤S301：选取所述第一电极20表面的多个测试点，记录每一所述测试点的坐标；

步骤S302：利用膜厚测试装置检测每一所述测试点的初始膜厚；以及

步骤S303：计算每一所述测试点的初始膜厚与所述基准膜厚的差值，若所述差值为正且在预设范围内，则所述测试点为凸起部位201，所述差值为所述凸起部位201的应去除膜厚值；否则，所述测试点无需进行激光照射。

具体的，在所述步骤S301中，为了保证所述第一电极20上的全部或大部分所述凸起部位201被去除，有效提升所述第一电极20的膜厚均匀性，因此，可设置较多数量的所述测试点，在本发明实施例中，所述测试点的数量大于或等于100。

具体的，在所述步骤S302中，所述膜厚测试装置可以设置于所述OLED发光器件100一侧，所述膜厚测试装置可以直接测出所述测试点的所述初始膜厚，例如，所述膜厚测试装置可以为椭圆仪，当然地，所述膜厚测试装置也可采用其它测量手段来测量所述测试点的所述初始膜厚。

具体的，在所述步骤S303中，所述预设范围为大于或等于2纳米。

进一步的，在本发明实施例中，所述膜厚测试装置依据所述若干测试点的所述初始膜厚计算出所述若干测试点的所述初始膜厚的平均值，所述平均值为所述基准膜厚，相较于在制备所述第一电极20时预先设置所述基准膜厚，本实施例能够根据所述第一电极20表面的实际情况确定，更为准确。

进一步的，在一种实施例中，所述采用激光器200对所述凸起部位201进行激光照射的步骤，包括：

步骤S401：根据所述凸起部位201的所述坐标和所述初始膜厚绘制出所述第一电极20的凸起部位201分布图；以及

步骤S402：所述激光器200根据所述凸起部位201分布图以对每一所述凸起部位201分别进行激光照射。

具体的，在所述步骤S401中，请参阅图3A，图3A是本发明实施例提供的一种第一电极未进行激光处理时的凸起部位分布图；所述第一电极20的所述基准膜厚为73纳米，在600毫米*800毫米大小的基板10上，所述第一电极20的实际膜厚分布存在明显不均，部分区域的膜厚大于73纳米，因此，根据各个测试点的坐标和膜厚绘制出所述第一电极20的凸起部位201分布图，简单的说，所述凸起部位201分布图是将多个所述测试点中的所述凸起部位201处的坐标和膜厚聚集起来，可根据不同膜厚范围将其划分为多个区域，不同区域对应所述激光器200不同的处理参数。因此，在所述步骤S402中，所述激光器200根据所述凸起部位201分布图则可清楚地判断出所述凸起部位201的具体方位及应去除膜厚。

示例性的，以所述凸起部位201分布图中的A区域和B区域为例，所述A区域的膜厚范围为73纳米～76纳米，所述B区域的膜厚范围为76纳米～79纳米，由于所述A区域的膜厚与所述B区域的膜厚均大于所述基准膜厚，因此，所述A区域与所述B区域均对应所述第一电极20上的所述凸起部位201，所述A区域与所述B区域均需要进行激光处理。

具体的，在本发明实施例中，所述采用激光器200对所述凸起部位201进行激光照射的步骤，还包括：

步骤S501：所述控制器存储有激光能量与所述应去除膜厚值的对应关系曲线，所述控制器根据所述应去除膜厚值及所述对应关系曲线得到去除所述凸起部位201所需的激光能量密度；以及

步骤S502：所述激光器200根据所述激光能量密度对对应的所述凸起部位201进行激光照射。

具体的，根据应去除膜厚值节激光能量密度，所述应去除膜厚值越大，所需激光能量密度越高。例如，在本发明实施例中，分别对所述A区域与所述B区域进行激光处理，将两个区域膜厚减薄。请参阅图3B，图3B是本发明实施例提供的对A区域进行激光处理后的凸起部位分布图，首先，对所述A区域进行激光处理，所述A区域采用的激光能量密度范围是30～35mJ/cm²，所述A区域的所述凸起部位201被去除，所述A区域的膜厚减薄；请参阅图3C，图3C是本发明实施例提供的对B区域进行激光处理后的凸起部位分布图，接着，对所述B区域进行激光处理，所述B区域采用的激光能量密度范围是35～45mJ/cm²(毫焦每平方厘米)，所述B区域的所述凸起部位201被去除，所述B区域的膜厚减薄，从激光处理后得到的膜厚分布情况可以看出，膜厚均匀性明显提高。

请参阅图4，图4是本发明实施例提供的一种OLED发光器件的截面结构示意图；本发明实施例还提供一种OLED发光器件100，所述OLED发光器件100由上述实施例中的制备方法制备而成；所述OLED器件包括基板10、第一电极20、发光功能层30和第二电极40，所述第一电极20设置于所述基板10一侧，所述发光功能层30设置于所述第一电极20远离所述基板10的一侧，所述第二电极40设置于所述发光功能层30远离所述基板10的一侧。

在一种实施例中，所述第一电极20为阳极，所述第二电极40为阴极，所述发光功能层30包括依次层叠设置于所述第一电极20靠近所述第二电极40一侧的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；在另一种实施例中，所述第一电极20为阴极，所述第二电极40为阳极，所述发光功能层30包括依次层叠设置于所述第二电极40靠近所述第一电极20一侧的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。

本发明实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例中的所述OLED发光器件100，所述OLED发光器件100设置于所述阵列基板10一侧。

有益效果为：本发明实施例提供的OLED发光器件及其制备方法、显示面板，通过采用激光器对第一电极中的凸起部位进行激光照射，以去除凸起部位，从而提高了第一电极膜厚的均匀性，有利于提升屏幕的亮度和色度均匀性。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims

1.一种OLED发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

对所述凸起部位进行激光照射，以去除所述凸起部位；

在所述第一电极远离所述基板的一侧形成发光功能层；以及

在所述发光功能层远离所述基板的一侧形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述对所述凸起部位进行激光照射的步骤之前，所述制备方法还包括：

设置所述第一电极的基准膜厚；以及

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述根据所述基准膜厚判断所述凸起部位在所述第一电极上的位置的步骤，包括：

利用膜厚测试装置检测每一所述测试点的初始膜厚；以及

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对所述凸起部位进行激光照射的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述对所述凸起部位进行激光照射的步骤，还包括：

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述膜厚测试装置依据所述若干测试点的所述初始膜厚计算出所述若干测试点的所述初始膜厚的平均值，所述平均值为所述基准膜厚。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为阳极和阴极中的其中一种，所述第二电极为所述阳极和所述阴极中的另一种。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预设范围为大于或等于2纳米。

9.一种OLED发光器件，其特征在于，由权利要求1～8任一项所述的制备方法制备而成；所述OLED发光器件包括：

基板；

第一电极，设置于所述基板一侧；

第二电极，设置于所述发光功能层远离所述基板的一侧。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的OLED发光器件；以及

阵列基板，所述OLED发光器件设置于所述阵列基板一侧。