CN114574960B - 氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 121
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 115
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 115
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 115
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法,包括以下步骤:S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底;S2、通入不含氧前驱体源,在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层;S3关闭不含氧前驱体源,通入含氧前驱体源,在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层;S4、关闭氮源,通入含氧前驱体源,进行热退火处理;S5、关闭含氧前驱体源,通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构;S6、通入不含氧前驱体源,在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层。本发明通过坑洞结构促进氮化物外延层横向生长,改善位错密度走向,降低氮化物外延层位错密度,提高晶体质量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法。
背景技术
宽禁带半导体材料GaN具有击穿场强高、热导率大、电子饱和迁移四度快等优异的物理和化学性质,在蓝绿光LED、光探测器以及高温高频大功率器件方面有广泛的应用前景而备受关注。
目前GaN基半导体材料MOCVD外延都是异质衬底上生长的外延技术,由于衬底与外延层间的晶格与热膨胀失配导致外延生长的晶体材料位错密度较高及应力较大,容易出现翘曲裂纹等现象,这些位错在器件工作时表现为非辐射复合中心而影响器件效率,同时引起漏电流增大而使器件迅速老化,影响器件的工作效率及寿命,制约了其在半导体电子领域中的应用;另外,随着半导体照明与显示等市场发展,衬底需求越来越转向更大尺寸,大尺寸蓝宝石等异质衬底上GaN厚膜中残留的应力而导致的翘曲裂纹也是GaN异质外延技术难以克服的难题,这对GaN材料生长提出更大的困难与挑战。因此,亟需一种新的高质量的氮化物外延层结构来解决上述问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种具有利用坑洞结构改善位错密度走向、降低氮化物外延层位错密度、提高晶体质量的氮化物外延层的制备方法。
为了解决上述问题,本发明提供了一种氮化物外延层的制备方法,所述氮化物外延层的制备方法包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底;
S2、通入不含氧前驱体源,在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层;
S3关闭不含氧前驱体源,通入含氧前驱体源,在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层;
S4、关闭氮源,通入含氧前驱体源,进行热退火处理;
S5、关闭含氧前驱体源,通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构;
S6、通入不含氧前驱体源,在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层。
作为本发明的进一步改进,所述第一非掺杂氮化物层和第二非掺杂氮化物层的生长温度、生长压力、生长气氛相同。
作为本发明的进一步改进,所述第一非掺杂氮化物层的生长温度大于所述含氧氮化物层的生长温度,所述第一非掺杂氮化物层的生长压力大于所述含氧氮化物层的生长压力。
作为本发明的进一步改进,所述含氧氮化物层的厚度为5-20nm。
作为本发明的进一步改进,所述含氧前驱体源包括含氧有机镓源、含氧有机铝源、含氧有机铟源中的一种或多种;所述不含氧前驱体源包括有机镓源、有机铝源、有机铟源中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进,所述含氧前驱体源的纯度大于等于99.9999%,氧含量大于5ppm;所述不含氧前驱体源的纯度大于等于99.9999%,氧含量小于5ppm。
作为本发明的进一步改进,所述还原性气体为H2。
本发明还提供了一种氮化物外延层结构,其采用上述任一所述的氮化物外延层的制备方法制备得到。
本发明还提供了一种氮化物外延片的制备方法,其包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底;
S2、通入不含氧前驱体源,在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层;
S3关闭不含氧前驱体源,通入含氧前驱体源,在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层;
S4、关闭氮源,通入含氧前驱体源,进行热退火处理;
S5、关闭含氧前驱体源,通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构;
S6、通入不含氧前驱体源,在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层;
S7、在具有坑洞结构的氮化物外延层上生长外延结构层。
本发明还提供了一种氮化物外延片,其采用上述氮化物外延片的制备方法制备得到。
本发明的有益效果:
本发明采用还原性气体刻蚀氮化物外延层上的含氧氮化物层,由于还原性气体的刻蚀,会在含氧氮化物层表面形成均匀分布的金属或者氮化物聚集,金属或者氮化物聚集在还原性气体刻蚀过程中是不能去掉的,会形成凸起结构,而含氧氮化物层在还原性气体刻蚀时形成了凹坑结构,因此在氮化物外延层上使用还原性气体能够形成坑洞和金属或者氮化物聚集的凹凸不平的结构。然后在坑洞结构上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层。其中,坑洞结构可以促进氮化物外延层横向生长,改善位错密度走向,降低氮化物外延层位错密度,提高晶体质量;进一步地,可在氮化物外延层上生长半导体器件,提高半导体器件性能。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1是本发明实施例中氮化物外延层结构的结构示意图。
标记说明:
10、衬底;20、GaN缓冲层;31、第一非掺杂GaN层;32、含氧AlN层;33、第二非掺杂GaN层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。
实施例一
本实施例公开了一种氮化物外延层的制备方法,在衬底上生成3μm的GaN外延层(有刻蚀),参照图1。所述氮化物外延层的制备方法包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;可选地,衬底10为蓝宝石等。进一步地,还包括对衬底10清洁处理的步骤。具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层20上生长1μm的第一非掺杂GaN层31,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为300mbar;
S3、关闭不含氧TMG源,通入含氧TMAl源,在第一非掺杂GaN层31上生长5nm的含氧AlN层32,生长气氛为N2气氛,生长温度为650℃,生长压力为250mbar;
S4、关闭氮源,通入含氧TMAl源,进行热退火处理,并维持1min;
S5、关闭含氧TMAl源,通入还原性气体H2对含氧AlN层32进行刻蚀处理以形成坑洞结构,处理时间30s;
S6、通入不含氧TMG源,在刻蚀处理后的含氧AlN层32上生长2μm的第二非掺杂GaN层33,得到具有坑洞结构的氮化物外延层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为300mbar。
在其他实施例中,含氧AlN层32可以用含氧GaN、含氧InN等替代。优选地,厚度为5-20nm。
可选地,所述含氧前驱体源包括含氧有机镓源、含氧有机铝源、含氧有机铟源中的一种或多种;所述不含氧前驱体源包括有机镓源、有机铝源、有机铟源中的一种或多种。进一步地,所述含氧前驱体源的纯度大于等于99.9999%,氧含量大于5ppm;所述不含氧前驱体源的纯度大于等于99.9999%,氧含量小于5ppm。
其中,有机镓源可以为三甲基镓(TMG)或三乙基镓(TEG),有机铝源为三甲基铝(TMAl)或三乙基铝(TEAl),有机铟源为三甲基铟(TMIn)。含氧三甲基镓(TMG)或三乙基镓(TEG)中O可以和镓键链接,也可以和C键链接,可以为单分子结构、线性结构或是环状或簇状结构,可以为OH基取代甲基和Ga键链接、也可以为O键链接两个Ga键或是O取代甲基H所构成。含氧三甲基铝(TMAl)或三乙基铝(TEAl)中O可以和铝键链接,也可以和C键链接,可以为单分子结构、线性结构或是环状或簇状结构,可以为OH基取代甲基和铝键链接、也可以为O键链接两个Al键或是O取代甲基H所构成。含氧三甲基铟中O可以和铟键链接,也可以和C键链接,可以为单分子结构、线性结构或是环状或簇状结构,可以为OH基取代甲基和铟键链接、也可以为O键链接两个Al键或是O取代甲基H所构成。
本发明在含氧氮化物层形成坑洞结构的原理如下:采用还原性气体刻蚀氮化物外延层上的含氧氮化物层,由于还原性气体的刻蚀,会在含氧氮化物层表面形成均匀分布的金属或者氮化物聚集,金属或者氮化物聚集在还原性气体刻蚀过程中是不能去掉的,会形成凸起结构,而含氧氮化物层在还原性气体刻蚀时形成了凹坑结构,因此在氮化物外延层上使用还原性气体能够形成坑洞和金属或者氮化物聚集的凹凸不平的结构。然后在坑洞结构上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层。
本发明氮化物外延层中的坑洞结构可以促进氮化物外延层横向生长,改善位错密度走向,降低氮化物外延层位错密度,提高晶体质量;进一步地,可在氮化物外延层上生长半导体器件,提高半导体器件性能。
实施例二
本实施例公开了一种氮化物外延片的制备方法,其在衬底上生长LED外延片,包括在衬底上生长3μm的GaN外延层(有刻蚀)以及在GaN外延层上生长的外延结构层(包括n型层、发光层、p型层),所述氮化物外延片的制备方法包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层20上生长1μm的第一非掺杂GaN层31,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为300mbar;
S3、关闭不含氧TMG源,通入含氧TMAl源,在第一非掺杂GaN层31上生长5nm的含氧AlN层32,生长气氛为N2气氛,生长温度为650℃,生长压力为250mbar;
S4、关闭氮源,通入含氧TMAl源,进行热退火处理,并维持1min;
S5、关闭含氧TMAl源,通入还原性气体H2对含氧AlN层32进行刻蚀处理以形成坑洞结构,处理时间30s;
S6、通入不含氧TMG源,在刻蚀处理后的含氧AlN层32上生长2μm的第二非掺杂GaN层33,得到具有坑洞结构的GaN外延层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为300mbar;
S7、在具有坑洞结构的GaN外延层上,温度1060℃、生长压力200torr条件下,生长3μm的nGaN层,Si的掺杂浓度8×1018cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛为H2气氛;
S8、在nGaN层上,温度750℃、生长压力250torr条件下,生长InGaN/GaN多量子阱发光层,为周期性重复交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层,发光层重复周期为9,InGaN量子阱层的厚度为3nm,GaN垒的厚度为12nm;
S9、在InGaN/GaN量子阱发光层上,温度850℃、生长压力200torr条件下,生长一层厚度为25nm的pAlGaN电子阻挡层,生长所需的Ga源为TMG源,Al源为TMAl,生长气氛为N2气氛;
S10、在pAlGaN电子阻挡层上,温度930℃、生长压力200torr条件下,生长150nm的pGaN层,Mg掺杂浓度为5×1019cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛切换为H2气氛。
实施例三
本实施例公开了一种氮化物外延片的制备方法,其在衬底上生长LED外延片,包括在衬底上生长3μm的GaN外延层(有刻蚀)以及在GaN外延层上生长的外延结构层(包括n型层、发光层、p型层),所述氮化物外延片的制备方包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层20上生长1μm的第一非掺杂GaN层31,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为300mbar;
S3、关闭不含氧TMG源,通入含氧TMAl源,在第一非掺杂GaN层31上生长10nm的含氧AlN层32,生长气氛为N2气氛,生长温度为650℃,生长压力为250mbar;
S4、关闭氮源,通入含氧TMAl源,进行热退火处理,并维持1min;
S5、关闭含氧TMAl源,通入还原性气体H2对含氧AlN层32进行刻蚀处理以形成坑洞结构,处理时间30s;
S6、通入不含氧TMG源,在刻蚀处理后的含氧AlN层32上生长2μm的第二非掺杂GaN层33,得到具有坑洞结构的GaN外延层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为300mbar;
S7、在具有坑洞结构的GaN外延层上,温度1060℃、生长压力200torr条件下,生长3μm的nGaN层,Si的掺杂浓度8×1018cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛为H2气氛;
S8、在nGaN层上,温度750℃、生长压力250torr条件下,生长InGaN/GaN多量子阱发光层,为周期性重复交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层,发光层重复周期为9,InGaN量子阱层的厚度为3nm,GaN垒的厚度为12nm;
S9、在InGaN/GaN量子阱发光层上,温度850℃、生长压力200torr条件下,生长一层厚度为25nm的pAlGaN电子阻挡层,生长所需的Ga源为TMG源,Al源为TMAl,生长气氛为N2气氛;
S10、在pAlGaN电子阻挡层上,温度930℃、生长压力200torr条件下,生长150nm的pGaN层,Mg掺杂浓度为5×1019cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛切换为H2气氛。
实施例四
本实施例公开了一种氮化物外延片的制备方法,其在衬底上生长LED外延片,包括在衬底上生长3μm的GaN外延层(有刻蚀)以及在GaN外延层上生长的外延结构层(包括n型层、发光层、p型层),所述氮化物外延片的制备方包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层20上生长1μm的第一非掺杂GaN层31,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为300mbar;
S3、关闭不含氧TMG源,通入含氧TMAl源,在第一非掺杂GaN层31上生长20nm的含氧AlN层32,生长气氛为N2气氛,生长温度为650℃,生长压力为250mbar;
S4、关闭氮源,通入含氧TMAl源,进行热退火处理,并维持1min;
S5、关闭含氧TMAl源,通入还原性气体H2对含氧AlN层32进行刻蚀处理以形成坑洞结构,处理时间30s;
S6、通入不含氧TMG源,在刻蚀处理后的含氧AlN层32上生长2μm的第二非掺杂GaN层33,得到具有坑洞结构的GaN外延层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为300mbar;
S7、在具有坑洞结构的GaN外延层上,温度1060℃、生长压力200torr条件下,生长3μm的nGaN层,Si的掺杂浓度8×1018cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛为H2气氛;
S8、在nGaN层上,温度750℃、生长压力250torr条件下,生长InGaN/GaN多量子阱发光层,为周期性重复交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层,发光层重复周期为9,InGaN量子阱层的厚度为3nm,GaN垒的厚度为12nm;
S9、在InGaN/GaN量子阱发光层上,温度850℃、生长压力200torr条件下,生长一层厚度为25nm的pAlGaN电子阻挡层,生长所需的Ga源为TMG源,Al源为TMAl,生长气氛为N2气氛;
S10、在pAlGaN电子阻挡层上,温度930℃、生长压力200torr条件下,生长150nm的pGaN层,Mg掺杂浓度为5×1019cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛切换为H2气氛。
实施例五
本实施例公开了一种氮化物外延片的制备方法,其在衬底上生长HEMT外延片(有刻蚀),所述氮化物外延片的制备方法包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层20上生长1μm的第一非掺杂GaN层31,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为350mbar;
S3、关闭不含氧TMG源,通入含氧TMAl源,在第一非掺杂GaN层31上生长5nm的含氧AlN层32,生长气氛为N2气氛,生长温度为650℃,生长压力为250mbar;
S4、关闭氮源,通入含氧TMAl源,进行热退火处理,并维持1min;
S5、关闭含氧TMAl源,通入还原性气体H2对含氧AlN层32进行刻蚀处理以形成坑洞结构,处理时间30s;
S6、通入不含氧TMG源,在刻蚀处理后的含氧AlN层32上生长2.5μm的第二非掺杂GaN层33,得到具有坑洞结构的氮化物外延层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为350mbar。
S7、通入不含氧TMG源,在第二非掺杂GaN层33上生长厚度10nm的AlGaN势垒层,Al源为TMAl,生长气氛为N2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为150mbar。
实施例六
本实施例公开了一种氮化物外延层,其采用实施例一中氮化物外延层的制备方法制备得到。
实施例七
本实施例公开了一种氮化物外延片,其采用实施例二至五任一所述的氮化物外延片的制备方法制备得到。
对比例1
本对比例公开了一种氮化物外延层的制备方法,在衬底上生成3μm的GaN外延层(无刻蚀)。所述氮化物外延层的制备方法包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层上生长3μm的非掺杂GaN层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为300mbar。
对比例2
本实施例公开了一种氮化物外延片的制备方法,其在衬底上生长LED外延片,包括在衬底上生长3μm的GaN外延层(无刻蚀)以及在GaN外延层上生长的外延结构层(包括n型层、发光层、p型层),所述氮化物外延片的制备方包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层上生长3μm的非掺杂GaN层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为300mbar;
S3、在非掺杂GaN层上,温度1060℃、生长压力200torr条件下,生长3μm的nGaN层,Si的掺杂浓度8×1018cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛为H2气氛;
S4、在nGaN层上,温度750℃、生长压力250torr条件下,生长InGaN/GaN多量子阱发光层,为周期性重复交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层,发光层重复周期为9,InGaN量子阱层的厚度为3nm,GaN垒的厚度为12nm;
S5、在InGaN/GaN量子阱发光层上,温度850℃、生长压力200torr条件下,生长一层厚度为25nm的pAlGaN电子阻挡层,生长所需的Ga源为TMG源,Al源为TMAl,生长气氛为N2气氛;
S6、在pAlGaN电子阻挡层上,温度930℃、生长压力200torr条件下,生长150nm的pGaN层,Mg掺杂浓度为5×1019cm-3,生长所需的Ga源为TMG源,生长气氛切换为H2气氛。
对比例3
本实施例公开了一种氮化物外延片的制备方法,其在衬底上生长HEMT外延片(无刻蚀),所述氮化物外延片的制备方法包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层20的衬底10;具体地,衬底10上生长有20nm的GaN缓冲层20,生长所需的Ga源为高纯不含氧TMG源,生长气氛为H2气氛,生长温度为580℃,生长压力为650mbar;
S2、通入不含氧TMG源,在GaN缓冲层上生长3.5μm的非掺杂GaN层,生长气氛为H2气氛,生长温度为1210℃,生长压力为350mbar;
S3、通入不含氧TMG源,在非掺杂GaN层上生长厚度10nm的AlGaN势垒层,Al源为TMAl,生长气氛为N2气氛,生长温度为1215℃,生长压力为150mbar。
本发明实施例一相比对比例1,外延层表面平整无Pits等缺陷,位错密度从8×108cm-2下降到9.6×107cm-2,由于坑洞结构GaN外延层横向外延加强,位错延伸过程弯曲,降低了GaN外延层缺陷密度,调高了晶体质量,此外,本发明通过刻蚀含氧氮化物层形成坑洞结构,可以使得坑洞结构均匀分布,而常规对位错刻蚀工艺形成坑洞,由于位错分布不均匀,位错刻蚀后表面很难获得均匀分布的坑洞结构,经过本发明形成的坑洞结构密度可以提高一个量级,达到109-1010cm-2。
本发明实施例二、实施例三和实施例四相比对比例2,外延片的外延测试PL强度分别提升2.8%、3.4%和5.2%,点测电压降低0.4V、0.5V和0.6V,由于坑洞结构提高GaN外延层晶体质量降低位错延伸到发光层,降低非辐射复合,提高发光效率,同时,提高外延片载流子注入均匀性降低工作电压。
需要进一步指出的是,实施例二、实施例三和实施例四波长分别为470nm、472nm和476nm,波长均匀性分别为1.0nm、1.4nm和1.7nm,可以判定随着含氧AlN层厚度增加,光致发光增强,是因为由于坑洞结构提高GaN外延层晶体质量降低位错延伸到发光层,降低非辐射复合,提高发光效率,但外延片发光波长随着含氧AlN厚度增加出现红移,并且波长均匀性有变差的趋势,当AlN厚度超过20nm时,波长呈现同心圆分布,均匀性大于2nm,外延片片子中心波长较边沿长10nm以上,主要原因在于随着含氧AlN层厚度增加,增大了外延层应力,并且发光层中激化效应增强。
比较实施例五和对比例3,由于坑洞结构GaN外延层横向外延加强,位错延伸过程弯曲,调高晶体质量,降低GaN外延层缺陷延伸,实施例五相比对比例3中外延片的二位电子气密度从7.6×1012cm-2提高到9.7×1012cm-2。
以上实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例,本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换,均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.氮化物外延层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底;
S2、通入不含氧前驱体源,在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层;
S3、关闭不含氧前驱体源,通入含氧前驱体源,在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层;所述含氧氮化物层包括含氧AlN、含氧GaN、含氧InN中的一种;
S4、关闭氮源,通入含氧前驱体源,进行热退火处理;
S5、关闭含氧前驱体源,通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构;
S6、通入不含氧前驱体源,在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层。
2.如权利要求1所述的氮化物外延层的制备方法,其特征在于,所述第一非掺杂氮化物层和第二非掺杂氮化物层的生长温度、生长压力、生长气氛相同。
3.如权利要求2所述的氮化物外延层的制备方法,其特征在于,所述第一非掺杂氮化物层的生长温度大于所述含氧氮化物层的生长温度,所述第一非掺杂氮化物层的生长压力大于所述含氧氮化物层的生长压力。
4.如权利要求1所述的氮化物外延层的制备方法,其特征在于,所述含氧氮化物层的厚度为5-20nm。
5.如权利要求1所述的氮化物外延层的制备方法,其特征在于,所述含氧前驱体源包括含氧有机镓源、含氧有机铝源、含氧有机铟源中的一种或多种;所述不含氧前驱体源包括有机镓源、有机铝源、有机铟源中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的氮化物外延层的制备方法,其特征在于,所述含氧前驱体源的纯度大于等于99.9999%,氧含量大于5ppm;所述不含氧前驱体源的纯度大于等于99.9999%,氧含量小于5ppm。
7.如权利要求1所述的氮化物外延层的制备方法,其特征在于,所述还原性气体为H2。
8.氮化物外延层结构,其特征在于,采用如权利要求1-7任一所述的氮化物外延层的制备方法制备得到。
9.氮化物外延片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底;
S2、通入不含氧前驱体源,在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层;
S3、关闭不含氧前驱体源,通入含氧前驱体源,在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层;所述含氧氮化物层包括含氧AlN、含氧GaN、含氧InN中的一种;
S4、关闭氮源,通入含氧前驱体源,进行热退火处理;
S5、关闭含氧前驱体源,通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构;
S6、通入不含氧前驱体源,在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层,得到具有坑洞结构的氮化物外延层;
S7、在具有坑洞结构的氮化物外延层上生长外延结构层。
10.氮化物外延片,其特征在于,采用如权利要求9所述的氮化物外延片的制备方法制备得到。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210169567.6A CN114574960B (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210169567.6A CN114574960B (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114574960A CN114574960A (zh) | 2022-06-03 |
CN114574960B true CN114574960B (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=81770887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210169567.6A Active CN114574960B (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114574960B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116190506A (zh) * | 2023-02-28 | 2023-05-30 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 一种led器件的外延结构及其制备方法和半导体器件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7459380B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-12-02 | Applied Materials, Inc. | Dislocation-specific dielectric mask deposition and lateral epitaxial overgrowth to reduce dislocation density of nitride films |
CN101343733B (zh) * | 2008-08-28 | 2010-08-25 | 上海蓝光科技有限公司 | Mocvd生长氮化物外延层的方法 |
CN102409406A (zh) * | 2011-10-28 | 2012-04-11 | 中国科学院半导体研究所 | 低位错氮化镓的生长方法 |
CN104911713A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-09-16 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种利用氢气原位刻蚀提高氮化铝晶体质量的方法 |
TWI706563B (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 半導體結構、高電子遷移率電晶體及半導體結構的製造方法 |
-
2022
- 2022-02-23 CN CN202210169567.6A patent/CN114574960B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114574960A (zh) | 2022-06-03 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |