CN114551477A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板;该阵列基板包括衬底、具有多个图案化的有源部的有源层以及具有多个图案化的覆盖部的第一间绝缘层,一覆盖部与至少一有源部对应,其中,在阵列基板的俯视图方向上,有源部在衬底上的正投影位于对应的覆盖部在衬底上的正投影内;上述阵列基板通过将阵列基板内与有源层对应设置的第一间绝缘层进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在阵列基板的俯视图方向上,有源部在衬底上的正投影位于对应的覆盖部在衬底上的正投影内,使得第一间绝缘层在覆盖有源层的区域的同时,在衬底上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖有源层的区域形成连续结构的绝缘层设计,提高阵列基板的耐弯折性。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
薄膜晶体管广泛应用于显示背板技术中,具有顶栅结构的薄膜晶体管可以在很大程度上改善由于源漏极与栅极在垂直方向上面积重叠导致的寄生电容问题。目前传统的具有顶栅结构的薄膜晶体管结构中在源漏极和栅极之间有一层连续的无机间绝缘层,且厚度较厚(大约500纳米左右),当应用传统顶栅结构的薄膜晶体管制备柔性显示面板时,柔性显示面板中的间绝缘层在弯折时产生的应力过大,过大的应力会造成间绝缘层断裂,导致源漏极层金属线发生断线的问题,影响产品的良率。
因此,亟需一种阵列基板及显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板,可以改善当前的显示面板在弯折过程中,薄膜晶体管中的功能膜层受到弯折应力的作用下易出现断裂而导致源漏极层金属线发生断线的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,包括:衬底、设置于所述衬底上的有源层以及设置于所述有源层上的第一间绝缘层,所述有源层还包括多个图案化的有源部,第一间绝缘层包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部对应;
其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述有源部在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括设置于所述衬底上并部分覆盖每一个所述覆盖部的第二间绝缘层;
其中,所述第二间绝缘层的材料的抗弯强度大于所述第一间绝缘层的抗弯强度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一间绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种,所述第二间绝缘层的材料为丙烯酸树脂、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括设置于所述第二间绝缘层上并与部分所述覆盖部接触的第一电极层以及设置于所述第一电极层上的源漏极图案,所述源漏极图案包括源极和漏极;
其中,所述阵列基板上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述覆盖部以及所述第一电极层;所述源极通过所述第一过孔与所述有源部连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源部连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述源漏极图案在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内。
可选的,在本申请的一些实施例中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述第一电极层在所述衬底上的正投影位于所述源漏极图案在所述衬底上的正投影内。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括栅极绝缘层以及栅极,所述栅极绝缘层设置于所述衬底上并完全覆盖所述有源层,所述栅极设置于所述栅极绝缘层上并与所述有源层对应设置;
其中,所述覆盖部设置于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极,所述第二间绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上并覆盖部分所述第一间绝缘层。
可选的,在本申请的一些实施例中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述覆盖部在所述衬底上的正投影位于对应的所述第二间绝缘层在所述衬底上的正投影内;
其中,所述第一间绝缘层的厚度小于所述第二间绝缘层的厚度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括缓冲层,所述缓冲层设置于所述衬底与所述栅极绝缘层之间,所述有源部设置于所述缓冲层上;
其中,所述缓冲层的材料与所述第一间绝缘层的材料相同。
相应地,本申请实施例还提供一种显示面板,包括阵列基板以及设置于所述阵列基板上的多个发光器件,所述阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上的有源层以及设置于所述有源层上的第一间绝缘层,所述有源层还包括多个图案化的有源部,第一间绝缘层包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部对应;
其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述有源部在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内。
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板;该阵列基板包括:衬底、设置于所述衬底上的有源层以及设置于所述有源层上的第一间绝缘层,所述有源层还包括多个图案化的有源部,第一间绝缘层包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部对应,其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述有源部在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内;上述阵列基板通过将阵列基板内与所述有源层对应设置的所述第一间绝缘层进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在所述阵列基板的俯视图方向上,所述有源部在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内,使得所述第一间绝缘层在覆盖所述有源层的区域的同时,在所述衬底上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖所述有源层的区域形成连续结构的绝缘层设计,从而能够减少所述阵列基板在弯折时作用在所述有源层以及其他金属膜层上的应力,提高所述阵列基板的耐弯折性,进一步提高所述显示面板的产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一截面结构示意图;
图2为本申请实施例提供的阵列基板的第二截面结构示意图;
图3是本申请提供的阵列基板的制作方法的流程示意图;
图4A-图4F是本申请提供的阵列基板的制作方法的具体过程。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例针对当前的显示面板在弯折过程中,薄膜晶体管中的功能膜层受到弯折应力的作用下易出现断裂而导致源漏极图案中的金属线发生断线的技术问题,本申请实施例可以改善上述技术问题。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1至图2,本申请实施例提供一种阵列基板100,所述阵列基板100包括衬底101、设置于所述衬底101上的有源层103以及设置于所述有源层103上的第一间绝缘层106,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,所述第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部1031对应;
其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内。
本申请实施例提供的阵列基板100通过将所述阵列基板100内与所述有源层103对应设置的所述第一间绝缘层106进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内,使得所述第一间绝缘层106在覆盖所述有源层103的区域的同时,在所述衬底101上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖所述有源层103的区域形成连续结构的绝缘层设计,从而能够减少所述阵列基板100在弯折时作用在所述有源层103以及其他金属膜层上的应力,提高所述阵列基板100的耐弯折性,进一步提高所述显示面板的产品良率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
如图1所示,为本申请实施例提供的阵列基板100的第一截面结构示意图;其中,所述阵列基板100包括衬底101、设置于所述衬底101上的有源层103以及设置于所述有源层103上的第一间绝缘层106,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与一所述有源部1031对应;
其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内。
在本申请实施例中,所述阵列基板100包括多个薄膜晶体管,在每一个所述薄膜晶体管内,所述阵列基板100还包括:设置于所述衬底101上的缓冲层102、设置于所述缓冲层102上的所述有源部1031、设置于所述缓冲层102上并覆盖所述有源部1031的栅极绝缘层104、设置于所述栅极绝缘层104上并与所述有源部1031对应设置的栅极105、设置于所述栅极绝缘层104上并完全覆盖所述栅极105的所述第一间绝缘层106以及设置于所述栅极绝缘层104上的所述第二间绝缘层107。
进一步地,所述衬底101可以是聚酰亚胺薄膜,所述衬底101可以由一层或多层PI柔性基板构成。所述缓冲层102的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种,起到隔绝水氧的作用。所述有源层103的材料可以是氧化铟镓锌或氧化铟锌等金属氧化物半导体材料。所述栅极绝缘层104的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种,以起到绝缘保护的作用。所述栅极绝缘层104的材料也可以是其他具有绝缘作用的有机材料,能够进一步减少阵列基板100中的无机膜层。所述栅极105的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料。
在本申请实施例中,所述第二间绝缘层107的材料的抗弯强度大于所述第一间绝缘层106的抗弯强度;具体地,所述第一间绝缘层106的材料为无机材料,所述第二间绝缘层107的材料为有机材料。
优选地,所述第一间绝缘层106的材料可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料中的一种或多种,用于隔绝水氧,起到绝缘并保护其他功能膜层的作用。所述第二间绝缘层107的材料可以是丙烯酸树脂、聚碳酸脂以及聚苯乙烯等有机材料中的一种或多种,用于缓释所述第一间绝缘层106产生的应力,进而增强所述阵列基板100的耐弯折性,避免裂纹产生。
本实施例提供的所述阵列基板100通过将所述第一间绝缘层106设置为无机材料,所述第二间绝缘层107设置为有机材料,相较于现有技术中间绝缘层的材料均为无机材料,有效减少了所述阵列基板100中的无机膜层,提高了所述阵列基板100的耐弯折性,进而避免产生裂纹。
在本申请实施例中,所述阵列基板100还包括设置于所述第二间绝缘层107上并与部分所述覆盖部接触的第一电极层108以及设置于所述第一电极层108上的源漏极图案,所述源漏极图案包括源极109和漏极110;
其中,所述阵列基板100上设置有第一过孔1081和第二过孔1082,所述第一过孔1081和所述第二过孔1082均贯穿所述覆盖部以及所述第一电极层108;所述源极109通过所述第一过孔1081与所述有源部1031连接,所述漏极110通过所述第二过孔1082与所述有源部1031连接。
在本申请实施例中,所述源漏极图案的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料;所述第一电极层108的材料为氧化铟锡以及氧化铟镓锡中的至少一种。
进一步地,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述第一电极层108在所述衬底101上的正投影位于所述源漏极图案在所述衬底101上的正投影内。这样设计使得所述第一电极层108将所述源漏极图案与所述间绝缘层隔开,可以避免金属材质的所述源漏极图案直接接触有机材质的所述第二间绝缘层107带来的腐蚀问题。
在本申请实施例中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述源漏极图案在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内。这样设计可以保证所述覆盖部对所述源漏极图案所在区域的保护,减小外界因素对所述薄膜晶体管性能的影响。
在本申请实施例中,所述覆盖部的图案为不规则图案,优选为梯形;其中,所述覆盖部完全覆盖所述有源部1031以及所述栅极105的各个表面,可以极限的减少所述第一间绝缘层106的覆盖面积。
在本申请实施例中,所述第一间绝缘层106的厚度小于所述第二间绝缘层107的厚度,使得未被所述第一电极层108覆盖的所述覆盖部完全被所述源漏极图案以及所述第二间绝缘层107填充。由于所述第二间绝缘层107的材料为有机材料,因此,当所述阵列基板100进行弯折时,能够减少位于所述源极109与所述漏极110之间的所述第一间绝缘层106受到的应力,避免位于第一过孔1081的源极109以及位于第二过孔1082中的漏极110断裂,进一步提高了器件的稳定性。
此外,由于所述第一间绝缘层106的厚度为100纳米至500纳米,厚度很厚,因此设置所述第二间绝缘层107的厚度大于所述第一间绝缘层106的厚度,使得所述源漏极图案和所述栅极105之间保持一定的距离,避免所述源漏极图案和所述栅极105之间产生静电干扰或信号串扰。
在本申请实施例中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述覆盖部在所述衬底101上的正投影位于对应的所述第二间绝缘层107在所述衬底101上的正投影内;这样设计可以保证所述第一间绝缘层106的边缘两端完全被所述第二间绝缘层107覆盖。由于所述第二间绝缘层107的材料为有机材料,因此,当所述阵列基板100进行弯折时,能够减少位于所述第一间绝缘层106的边缘两端受到的应力,避免位于所述第一间绝缘层106边缘两端的膜层断裂,进一步提高了器件的稳定性。
在本申请实施例中,所述阵列基板100上的多个所述薄膜晶体管为顶栅结构,可以在很大程度上改善由于所述源漏极图案与所述栅极105在垂直方向上面积重叠导致的寄生电容问题。
本申请实施例通过在所述栅极105上制备互相分离的图案化的所述第一间绝缘层106,并且覆盖图案化后的所述有源层103所在的区域,同时使用有机绝缘材料的所述第二间绝缘层107对所述第一间绝缘层106进行填充以及平坦化处理;之后,在所述第二间绝缘层107上制备源漏极图案,并通过在所述第二间绝缘层107和所述源漏极图案之间增加一层氧化铟锡的方法避免金属材料的所述源漏极图案直接接触有机材料的所述第二间绝缘层107的带来的腐蚀问题。使用此薄膜晶体管结构的柔性背板,小岛状的所述第一间绝缘层106仍然可以保护所述有源层103免受外界因素影响,同时连续的所述第二间绝缘层107更有韧性,在弯折时不容易断裂。
在本申请实施例中,所述第一间绝缘层106的材料需为无机材料,因为有机材料的水氧隔绝性能弱于无机材料的水氧隔绝性能;本申请实施例的初衷在于使用无机材料制备离散化的岛状图案化的所述第一间绝缘层106既保证了对有源层103区域的保护,减小外界因素对所述薄膜晶体管性能的影响,又可以防止在弯折时应力在连续尺度上的积累。使用有机绝缘材料实现平坦化,相比于无机材料,有机材料在弯折时应力更小。所述第一电极层108的使用可以避免有机材料直接接触金属电极造成的腐蚀。
针对当前的显示面板在弯折过程中,薄膜晶体管中的功能膜层受到弯折应力的作用下易出现断裂而导致源漏极层金属线发生断线的技术问题,本申请实施例提供的一种阵列基板100包括:衬底101、设置于所述衬底101上的有源层103以及设置于所述有源层103上的第一间绝缘层106,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与一所述有源部1031对应,其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内;上述阵列基板100通过将阵列基板100内与所述有源层103对应设置的所述第一间绝缘层106进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内,使得所述第一间绝缘层106在覆盖所述有源层103的区域的同时,在所述衬底101上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖所述有源层103的区域形成连续结构的绝缘层设计,从而能够减少所述阵列基板100在弯折时作用在所述有源层103以及其他金属膜层上的应力,提高所述阵列基板100的耐弯折性,进一步提高所述显示面板的产品良率。
实施例二
如图2所示,为本申请实施例提供的阵列基板100的第一截面结构示意图;其中,本申请实施例二中的阵列基板100的结构与本申请实施例一中的阵列基板100的结构相同或相似,不同之处仅在于,所述阵列基板100包括相邻设置的第一薄膜晶体管T1以及第二薄膜晶体管T2。所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与相邻的两个所述有源部1031对应,即所述覆盖部由所述第一薄膜晶体管T1延伸至所述第二薄膜晶体管T2;
其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,相邻的两个所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内。
经对比可知,本申请第二实施例制备的图案化所述第一间绝缘层106的形状大于本申请第一实施例制备的图案化所述第一间绝缘层106的形状,使得本申请第二实施例制备的所述阵列基板100的制备成本比本申请第一实施例制备的所述阵列基板100的制备成本高。另一方面,由于所述第一间绝缘层106为无机材料,因此本申请第二实施例制备的所述阵列基板100的抗弯强度小于本申请第一实施例制备的所述阵列基板100的抗弯强度。
针对当前的显示面板在弯折过程中,薄膜晶体管中的功能膜层受到弯折应力的作用下易出现断裂而导致源漏极图案中的金属线发生断线的技术问题,本申请实施例提供的一种阵列基板100包括:衬底101、设置于所述衬底101上的有源层103以及设置于所述有源层103上的第一间绝缘层106,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与相邻的两所述有源部1031对应,其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,相邻的两所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内;上述阵列基板100通过将阵列基板100内与所述有源层103对应设置的所述第一间绝缘层106进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在所述阵列基板100的俯视图方向上,相邻的两所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内,使得所述第一间绝缘层106在覆盖所述有源层103的区域的同时,在所述衬底101上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖所述有源层103的区域形成连续结构的绝缘层设计,从而能够减少所述阵列基板100在弯折时作用在所述有源层103以及其他金属膜层上的应力,提高所述阵列基板100的耐弯折性,进一步提高所述显示面板的产品良率。
相应的,请参阅图3,图3是本申请提供的阵列基板100的制作方法的流程示意图。如图3所示,该阵列基板100的制作方法包括以下步骤(以本申请实施例一为例说明):
S10,在一衬底101上依次形成缓冲层102、有源层103、栅极绝缘层104以及栅极105,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031;
S20,在所述栅极绝缘层104上形成图案化的第一间绝缘层106,所述第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与一所述有源部1031对应;
S30,在所述栅极绝缘层104上形成第二间绝缘层107,对所述第二间绝缘层107进行开孔处理,形成第一子过孔1071以及第二子过孔1072,所述第一子过孔1071以及所述第二子过孔1072均贯穿所述第二间绝缘层107并暴露出所述第一间绝缘层106;
S40,在所述第二间绝缘层107上沉积一导电层20,所述导电层20完全覆盖所述第二间绝缘层107以及所述第一间绝缘层106;
S50,对部分所述第一间绝缘层106以及部分所述导电层20进行开孔处理,形成第一过孔1081以及所述第二过孔1082,所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082完全贯穿所述导电层20、所述第一间绝缘层106以及部分所述栅极绝缘层104并暴露出所述有源部1031;
S60,在所述第二间绝缘层107上沉积一层金属层,所述金属层完全覆盖所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082,并利用一道光罩定义出第一电极层108以及源漏极图案。
本申请实施例提供一种阵列基板100的制作方法,以制作以上各实施例中所述的阵列基板100。该制作方法在所述衬底101上依次形成所述缓冲层102、图案化的所述有源层103、所述栅极绝缘层104、所述栅极105、所述第一间绝缘层106、所述第一电极层108、所述第二间绝缘层107以及所述源漏极图案;其中,上述阵列基板100通过将所述阵列基板100内与所述有源层103对应设置的所述第一间绝缘层106进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在所述阵列基板100的俯视图方向上,相邻的两所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内,使得所述第一间绝缘层106在覆盖所述有源层103的区域的同时,在所述衬底101上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖所述有源层103的区域形成连续结构的绝缘层设计,从而能够减少所述阵列基板100在弯折时作用在所述有源层103以及其他金属膜层上的应力,提高所述阵列基板100的耐弯折性,进一步提高所述显示面板的产品良率。
现结合具体实施例对本申请的制作方法进行描述。
具体的,请参阅图3和图4A-图4F。本实施例提供的阵列基板100的制作方法包括:
S10,在一衬底101上依次形成缓冲层102、有源层103、栅极绝缘层104以及栅极105,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031。
具体地,所述S10还包括:
首先,提供一衬底101,所述衬底101由一层或者多层聚酰亚胺材料的柔性基板构成;之后,采用化学气相沉积法(CVD)在所述衬底101上形成缓冲层102,所述缓冲层102可以减小所述衬底101对所述薄膜晶体管的影响。其中,所述缓冲层102的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及二氧化硅等无机材料中的一种或多种;然后,采用物理气相沉积法(PVD)在所述缓冲层102上沉积一金属氧化物半导体层;并对该金属氧化物半导体层进行图案化处理,以形成一有源层103。最后利用350℃高温对所述有源层103进行退火处理。其中,金属氧化物半导体可以是氧化铟镓锌或氧化铟锌,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031。
之后,采用化学气相沉积法在所述有源层103和所述缓冲层102上沉积一栅极绝缘层104,采用物理气相沉积法在栅极绝缘层104上沉积栅极105金属层。利用黄光光刻法以及湿刻工艺对所述栅极105金属层进行处理,以形成所述栅极105。
最后,利用对准工艺对所述有源层103的两端进行氦气导体化处理。其中,所述栅极105的材料可以是钼、铜以及铝等,所述栅极绝缘层104的材料可以是氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅等无机材料中的一种或多种,如图4A所示。
S20,在所述栅极绝缘层104上形成图案化的第一间绝缘层106,所述第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与一所述有源部1031对应。
具体地,所述S20还包括:
首先,采用化学气相沉积法在所述栅极绝缘层104以及所述栅极105上沉积第一间绝缘层106,黄光后刻蚀所述第一间绝缘层106,以形成分离岛状的所述第一间绝缘层106;其中,所述第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与一所述有源部1031对应。此时,所述第一间绝缘层106完全覆盖所述有源部1031以及所述栅极105的各个表面,能够防止空气中或者有机膜层中的水汽影响所述有源层103。
其中,所述第一间绝缘层106的材料可以是氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅等无机材料中的一种或多种,用于隔绝水氧,起到绝缘并保护其他功能膜层的作用,如图4B所示。
S30,在所述栅极绝缘层104上形成第二间绝缘层107,对所述第二间绝缘层107进行开孔处理,形成第一子过孔1071以及第二子过孔1072,所述第一子过孔1071以及所述第二子过孔1072均贯穿所述第二间绝缘层107并暴露出所述第一间绝缘层106。
具体地,所述S30还包括:
在本实施例中,在所述栅极绝缘层104以及所述第一间绝缘层106上涂布有机绝缘材料溶液,通过烘烤处理获得固态的第二间绝缘层107;之后,对所述第二间绝缘层107采用图形化工艺利用一道光罩进行开孔处理,在需要做源漏极过孔的位置先打开所述第二间绝缘层107的大孔,以形成第一子过孔1071以及第二子过孔1072,所述第一子过孔1071以及所述第二子过孔1072均贯穿所述第二间绝缘层107并暴露出所述第一间绝缘层106;
其中,所述第二间绝缘层107的材料可以是丙烯酸树脂、聚碳酸脂以及聚苯乙烯等有机材料中的一种或多种,可用于缓释所述第一间绝缘层106产生的应力,进而增强所述阵列基板100的柔性,避免产生裂纹。此外,所述第一间绝缘层106的厚度为100纳米至500纳米。所述第二间绝缘层107的厚度大于所述第一间绝缘层106的厚度,具体可根据实际需求进行设置。
S40,在所述第二间绝缘层107上沉积一导电层20,所述导电层20完全覆盖所述第二间绝缘层107以及所述第一间绝缘层106。
具体地,所述S40还包括:
在所述第二间绝缘层107上沉积一导电层20,所述导电层20完全覆盖所述第二间绝缘层107以及所述第一间绝缘层106。其中,所述导电层20完全覆盖所述第一子过孔1071以及所述第二子过孔1072,所述导电层20的材料为氧化铟锡以及氧化铟镓锡中的至少一种,如图4D所示。
S50,对部分所述第一间绝缘层106以及部分所述导电层20进行开孔处理,形成第一过孔1081以及所述第二过孔1082,所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082完全贯穿所述导电层20、所述第一间绝缘层106以及部分所述栅极绝缘层104并暴露出所述有源部1031。
具体地,所述S50还包括:
利用与S30中的同一道光罩对部分所述第一间绝缘层106以及部分所述导电层20继续进行开孔处理(分别对应于所述第一子过孔1071以及所述第二子过孔1072所在的位置),形成第一过孔1081以及所述第二过孔1082,所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082完全贯穿所述导电层20、所述第一间绝缘层106以及部分所述栅极绝缘层104并暴露出所述有源部1031;其中,所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082为所述阵列基板100的源漏极过孔,如图4E所示。
S60,在所述第二间绝缘层107上沉积一层金属层,所述金属层完全覆盖所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082,并利用一道光罩定义出第一电极层108以及源漏极图案。
具体地,所述S60还包括:
采用物理气相沉积法在所述第二间绝缘层107上沉积一层金属层,所述金属层完全覆盖所述第一过孔1081以及所述第二过孔1082,之后利用黄光光刻法以及湿刻工艺对所述导电层20以及所述金属层进行图案化处理,定义出第一电极层108以及源漏极图案,且保证所述源漏极图案外的所述第二间绝缘层107的表面无所述导电层20残留。其中,所述源漏极图案包括源极109和漏极110。所述源极109通过所述第一过孔1081与所述有源层103连接,所述漏极110通过所述第二过孔1082与所述有源层103连接,如图4F所示。
本申请实施例提供的所述阵列基板100中,包括衬底101、具有多个图案化的有源部1031的有源层103以及具有多个图案化的覆盖部的第一间绝缘层106,一覆盖部与至少一有源部1031对应,在阵列基板100的俯视图方向上,有源部1031在衬底101上的正投影位于对应的覆盖部在衬底101上的正投影内;
其中,由无机材料构成的所述第一间绝缘层106是分离岛状的图案化膜层,由有机材料构成的所述第二间绝缘层107完全覆盖所述源漏极所在区域以外的所述第一间绝缘层106,所述第二间绝缘层107为连续膜层结构;离散化的岛状所述第一间绝缘层106既保证了对所述有源层103所在区域的保护,减小外界因素对薄膜晶体管性能的影响,又可以防止在弯折时应力在连续尺度上的积累。使用有机绝缘材料制备的所述第二间绝缘层107在实现膜层平坦化的同时,相比于无机材料,有机材料在弯折时应力更小。另一方面,所述第一电极层108的使用可以避免有机材料直接接触金属电极造成的腐蚀。
在本申请实施例中,对于柔性显示背板,顶栅极105结构的薄膜晶体管中源漏极和栅极105之间较厚的间绝缘层在弯折时会产生较大的应力,过大的应力会造成间绝缘层断裂,导致源漏极图案中金属线发生断线的问题,影响产品的良率。
针对上述问题,本申请实施例提出分离岛状图案化的所述第一间绝缘层106和连续的所述第二间绝缘层107的设计,并利用所述第一电极层108防止电极腐蚀,改善了柔性显示背板弯折应力大造成的产品良率问题。
本申请实施例提供一种阵列基板100,该阵列基板100包括:衬底101、设置于所述衬底101上的有源层103以及设置于所述有源层103上的第一间绝缘层106,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部1031对应,其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内;上述阵列基板100通过将阵列基板100内与所述有源层103对应设置的所述第一间绝缘层106进行图案化处理后形成多个图案化的覆盖部,且在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内,使得所述第一间绝缘层106在覆盖所述有源层103的区域的同时,在所述衬底101上形成分离的岛状结构,避免了在覆盖所述有源层103的区域形成连续结构的绝缘层设计,从而能够减少所述阵列基板100在弯折时作用在所述有源层103以及其他金属膜层上的应力,提高所述阵列基板100的耐弯折性,进一步提高所述显示面板的产品良率。
相应地,本申请实施例还提供一种显示面板,包括阵列基板100以及设置于所述阵列基板100上的多个发光器件,所述阵列基板100包括衬底101、设置于所述衬底101上的有源层103以及设置于所述有源层103上的第一间绝缘层106,所述有源层103还包括多个图案化的有源部1031,第一间绝缘层106包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部1031对应;
其中,在所述阵列基板100的俯视图方向上,所述有源部1031在所述衬底101上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底101上的正投影内。
具体地,所述显示面板应用于柔性显示器、移动终端以及室外大屏显示中。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板100以及显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
有源层,设置于所述衬底上,包括多个图案化的有源部;以及
第一间绝缘层,设置于所述有源层上,包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部对应;
其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述有源部在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述衬底上并部分覆盖每一个所述覆盖部的第二间绝缘层;
其中,所述第二间绝缘层的材料的抗弯强度大于所述第一间绝缘层的抗弯强度。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一间绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种,所述第二间绝缘层的材料为丙烯酸树脂、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述第二间绝缘层上并与部分所述覆盖部接触的第一电极层以及设置于所述第一电极层上的源漏极图案,所述源漏极图案包括源极和漏极;
其中,所述阵列基板上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述覆盖部以及所述第一电极层;所述源极通过所述第一过孔与所述有源部连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源部连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述源漏极图案在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述第一电极层在所述衬底上的正投影位于所述源漏极图案在所述衬底上的正投影内。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅极绝缘层以及栅极,所述栅极绝缘层设置于所述衬底上并完全覆盖所述有源层,所述栅极设置于所述栅极绝缘层上并与所述有源层对应设置;
其中,所述覆盖部设置于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极,所述第二间绝缘层,设置于所述栅极绝缘层上并覆盖部分所述第一间绝缘层。
8.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述覆盖部在所述衬底上的正投影位于对应的所述第二间绝缘层在所述衬底上的正投影内;
其中,所述第一间绝缘层的厚度小于所述第二间绝缘层的厚度。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括缓冲层,所述缓冲层设置于所述衬底与所述栅极绝缘层之间,所述有源部设置于所述缓冲层上;
其中,所述缓冲层的材料与所述第一间绝缘层的材料相同。
10.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板以及设置于所述阵列基板上的多个发光器件,所述阵列基板包括:
衬底;
有源层,设置于所述衬底上,包括多个图案化的有源部;以及
第一间绝缘层,设置于所述有源层上,包括多个图案化的覆盖部,一所述覆盖部与至少一所述有源部对应;
其中,在所述阵列基板的俯视图方向上,所述有源部在所述衬底上的正投影位于对应的所述覆盖部在所述衬底上的正投影内。
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