CN114551259A - 制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器 - Google Patents

制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器 Download PDF

Info

Publication number
CN114551259A
CN114551259A CN202111316054.5A CN202111316054A CN114551259A CN 114551259 A CN114551259 A CN 114551259A CN 202111316054 A CN202111316054 A CN 202111316054A CN 114551259 A CN114551259 A CN 114551259A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor switching
power
switching element
terminals
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111316054.5A
Other languages
English (en)
Inventor
I·特伦茨
M·雷曼
T·博世
R·拜伦维勒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZF Friedrichshafen AG
Original Assignee
ZF Friedrichshafen AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZF Friedrichshafen AG filed Critical ZF Friedrichshafen AG
Publication of CN114551259A publication Critical patent/CN114551259A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • H02M7/53871—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame

Abstract

本发明涉及一种用于制造用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥(10)的方法，半桥包括基板、半导体开关元件(24)、功率端子(14，16，18)和信号端子(20)，其中，由扁平导体框架形成、优选冲压成功率端子和信号端子，其中，将半导体开关元件嵌入在模块化设计的层系统中，层系统包括接触部平面(22)和用于接触半导体开关元件的金属化部，其中，将信号端子和功率端子布置在基板的第一表面上，其中，用浇注料(12)对模块化的层系统、信号端子和功率端子进行浇注，其中，功率端子和/或信号端子的在导体框架中形成的外部区段各自从与第一表面正交的第二表面、从浇注料延伸出来，其中，外部区段分别具有与第一表面垂直的端部。

Description

制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器
技术领域
本发明涉及制造用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥的方法、用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥、用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的逆变器的功率模块以及对应的逆变器。
背景技术
在现有技术中已知专有地或辅助地由作为驱动总成的一个或多个电动机器驱动的纯电动车辆以及混合动力车辆。为了给这样的电动车辆或混合动力车辆中的电动机器供应电能，电动车辆和混合动力车辆包括电能储存器、尤其可再充电的电池。这些电池在此被设计为直流电压源，然而电动机器一般需要交流电压。因此在电动车辆或混合动力车辆的电池与电动机器之间通常连接有具有所谓的逆变器的功率电子设备。
这种逆变器通常包括半导体开关元件，这些半导体开关元件典型地由晶体管构成。在此已知的是，提供不同集成度的半导体开关元件，即作为集成度低、然而可扩展性高的分立的单独的开关器，或者作为集成度高、然而可扩展性低的功率模块，以及作为在集成度和可扩展性方面介于单独的开关器与半桥之间的半桥。每个半桥包括具有较高电势的高侧开关位置(下文中：“高侧”)和具有较低电势的低侧开关位置(下文中：“低侧”)。高侧和低侧分别可以包括并联连接的一个或多个单独开关。
在DE 10 2006 050 291 A1中公开了一种电子组件，该电子组件包括半导体功率开关和半导体二极管。在此，半导体功率开关的底侧包括装配在载条的芯片区上的输出接触部。此外，半导体功率开关的顶侧包括控制接触部和输入接触部。半导体二极管的阳极接触部被布置在半导体功率开关的输入接触部上并且与该输入接触部电连接。二极管的阴极接触部与功率半导体开关的输出接触部电连接。
DE 10 2006 008 632 A1公开了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括扁平导体框架、至少一个竖直的功率半导体器件和至少一个另外的电子器件。竖直的功率半导体器件具有第一侧和第二侧。至少一个第一接触表面和至少一个控制接触表面布置在第一侧上。至少一个第二接触表面布置在第二侧上。至少一个另外的电子器件布置在竖直的功率半导体器件的第二接触表面上。
从DE 10 2015 012 915 A1中已知一种具有至少两个半导体元件的半导体模块，这些半导体元件分别在第一侧上具有至少一个第一电极，并且在第二侧上具有至少一个第二电极。第一半导体元件布置在第二半导体元件之上。在第一半导体元件与第二半导体元件之间布置有导电连接装置。第一半导体元件的至少一个第二电极与导电连接装置机械连接且电连接。第二半导体元件的至少一个第一电极与导电的连接装置机械连接且电连接。
从还尚未公开的DE 10 2019 220 010.9(其公开内容应被并入到本专利申请中)已知一种功率模块，在该功率模块中信号端子和功率端子全都被布置在基板的共用侧上并且被浇注料包围。功率端子和信号端子都能够从基板的共用侧被触及，使得这些功率端子和这些信号端子从该基板的共用侧看延伸穿过浇注料，并且在其穿过浇注料的穿通方向上看被布置在由该基板扩展出的底面内。
从还尚未公开的DE 10 2020 205 420.7(其公开内容应被并入到本专利申请中)已知一种功率模块，在该功率模块中信号端子和功率端子全都形成在扁平导体框架中。功率端子和信号端子的端部侧向地从浇注料延伸出来并且分别具有与扁平导体框架沿其延伸的表面垂直的直角弯曲部。
然而，已知的功率模块的缺点在于它们的制造特别复杂。此外，已知功率模块的载流能力受限于半导体开关元件的由结构方式决定的可扩展性，因而这些功率模块不足以适用于高压系统，例如400V系统或800V系统。此外，已知的功率模块在相应的换向单元中具有高漏电感，这些功率模块在快速切换半导体开关元件时导致高过电压，该高过电压会影响半导体开关元件。因此，不能令人满意地利用所谓的宽带隙半导体(Wide-Bandgap-Semiconductor，具有大带隙的半导体)在切换时间短方面的优点。
发明内容
本发明的目的是，提供一种用于电动或混合动力车辆的电驱动器的半桥，在该半桥中至少部分地克服了上述缺点。
根据本发明，该目的通过具有本发明的特征的方法、半桥、功率模块和逆变器来实现。本发明的有利的设计方案和改进方案自优选实施例中得出。
本发明涉及一种用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥。半桥包括基板、半导体开关元件、功率端子和信号端子。
基板例如可以被设计为DBC(Direct Bonded Copper，直接敷铜)基板、DPC(DirectPlated Copper，直接镀铜)基板、AMB(Active Metal Brazing，活性金属钎焊)基板或IM(Insulated Metal，绝缘金属)基板。一方面在基板上布置有半导体开关元件(尤其晶体管和二极管)，并且另一方面在基板上布置有相关联的功率端子和信号端子。基板优选被设计为矩形的，尤其被设计为扁平的、盘状的矩形，该矩形具有各两个相反的侧边缘。基板必要时也可以被设计成正方形。
半导体开关元件在半桥中形成高侧和低侧。高侧包括一个或多个彼此并联连接的半导体开关元件，并且可以使电流能够在AC功率端子连接与DC正功率端子之间流动。低侧包括一个或多个彼此并联连接的半导体开关元件，并且可以使电流在AC功率端子与DC负功率端子之间流动。高侧和低侧彼此串联连接。
优选提出，半导体开关元件被设计为高电子迁移率晶体管(High ElectronMobility Transistor，HEMT)、尤其是氮化镓(GaN)HEMT。这些类型的半导体开关元件也相对较好地适用于低损耗且快速的切换。
替代地，半导体开关元件可以被实施为具有绝缘栅电极的双极晶体管，并且/或者被实施为金属-氧化物-半导体-场效应晶体管。在此，具有绝缘栅电极的双极晶体管通常还被称为所谓的IGBT。金属氧化物半导体场效应晶体管通常还被称为所谓的MOSFET。
特别优选地提出：每个具有绝缘栅电极的双极晶体管都配属有续流二极管。续流二极管尤其在切换晶体管时保护其相应配属的、具有绝缘栅电极的双极晶体管免受电感性过电压的影响。
功率端子自身与集成在半导体开关元件中的功率接触部(例如源电极和漏电极)电连接，或者与接地电连接，以便可以通过半导体开关元件将电功率从一个功率端子传输到另一个功率端子。在此，藉由功率端子确保对用于驱动电动车辆或混合动力车辆的电动马达的电力供应。
信号端子用于电切换半导体开关元件并且对应地与半导体开关元件的集成在该半导体开关元件中的信号接触部电连接。根据半导体开关元件的设计，于是可以通过对信号接触部通电或施加电压来将半导体开关元件切换成电流导通的或电流阻断的。优选地，以这种方式根据脉宽调制(英文：Pulse-Width-Modulation，PWM)来切换半导体开关元件，以便能够实现相电流的正弦形时间曲线。
根据本发明的半桥的半导体开关元件、功率端子和信号端子(优选全部)布置在基板的第一表面上。外部器件、尤其是汇流排(例如汇流条)可以在那里以容易的方式与功率端子和信号端子接触。第一表面优选是层状基板的两个相对置的、相对最大的表面之一。
根据本发明，将半导体开关元件嵌入在模块化设计的层系统中。模块化的层系统包括金属化部和金属化部与之相连的接触部平面。金属化部用于与半导体开关元件接触，尤其是用于将半导体开关元件与功率端子和信号端子电连接。接触部平面用于容纳半导体开关元件并且用于这些半导体开关元件与下方布置的基板的连接以及相应的冷却连接。
在根据本发明的半桥中，功率端子和信号端子由扁平导体框架形成、优选冲压而成。这意味着，在将功率端子和信号端子连接到模块化的层系统的为此而设的位置之前，已经在扁平导体框架中提供了功率端子和信号端子。
首先将半导体开关元件嵌入在层系统中，然后将层系统与功率端子和信号端子一起例如进行浇注以防止环境影响(替代方案：转移模塑)。这使得能够特别容易地制造半桥。尤其，金属化部可以被设计成与半导体开关元件的接触方式以及因此与匹配功率端子和/或信号端子的布置相适配。这简化了半导体开关元件、额外的栅极驱动器部件和功率及信号端子在半桥中的集成，从而使得所得到的用于电驱动器的功率电子设备更可靠地起作用。
功率端子和/或信号端子具有从与第一表面正交的第二表面、从浇注料延伸出来的外部区段。在此，第二表面是浇注的层状基板的一般来说比第一表面小得多的“侧面”。根据本发明，外部区段各自具有垂直于第一表面延伸的端部。这可以实现从半桥的外部与功率端子或信号端子容易地电接触。
本发明还涉及一种具有至少三个根据本发明的半桥的功率模块，其中，这些半桥中的每个半桥优选被配属给借助于功率模块基于馈入的直流电流产生的交流电流的至少三个电流相之一。本发明还涉及一种具有这种功率模块的、用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的逆变器。优选地，功率模块和/或逆变器包括冷却体，该冷却体进一步优选安置在基板的底侧并且可以具有用于使冷却介质流过的冷却结构(例如针翅结构)。因此，结合根据本发明的半桥已经描述的优点也适用于根据本发明的功率模块和根据本发明的逆变器。
根据一个实施方式，所述金属化部具有背离所述基板的第一金属叠层和朝向所述基板的第二金属叠层，其中，将所述半导体开关元件布置在所述第一金属叠层与所述第二金属叠层之间，从而使得所述半导体开关元件与第一金属叠层电连接，其中，使所述第二金属叠层由所述基板的朝向所述层系统的金属层形成。第一金属叠层和接触部平面优选是电路板的一部分，该电路板进一步优选地包括一个或多个竖直接触部。例如被设计为DCB基板的基板包括两个金属层和在它们之间布置的绝缘层。因此，可以借助于容易获得的基板实现模块化的层系统，这简化了半桥的制造。
根据另一实施方式，金属化部包括在第一金属叠层与第二金属叠层之间形成的一个或多个竖直接触部，在接触部平面中预先制造这些竖直接触部，然后将半导体开关元件嵌入模块化的层系统、尤其嵌入接触部平面或电路板中。这种竖直接触部用于将在层系统的顶侧馈入的电流竖直经过层系统传导到达层系统底侧的位置，以便例如与半导体开关元件的电极、尤其是栅电极、源电极或漏电极进行电接触。该措施可以实现半导体开关元件的容易且有效的电接触。尤其，竖直接触部的布置可以与半导体开关元件、功率端子和/或信号端子的所规划的布置相适配。
优选地，第二金属叠层的一个或多个边缘区域平行于第一表面延伸超过接触部平面或电路板的边缘，其中，功率端子和/或信号端子中的至少一者与边缘区域电连接。这可以实现金属化部与功率端子和/或信号端子中的至少一个端子的容易的电连接。
进一步优选地，第一金属叠层具有一个或多个岛区域，这些岛区域相对于第一表面布置在接触部平面或电路板内，其中，功率端子和/或信号端子中的至少一者和/或至少一个栅极驱动器部件与岛区域电连接。以此方式，金属化部可以在接触部平面或电路板的顶侧居中地与功率端子和/或信号端子中的至少一个端子电连接。
可以将半导体开关元件嵌入模块化的层系统中、尤其嵌入接触部平面或电路板中，然后将电路板连接到基板的朝向层系统的金属层。替代地，将半导体开关元件连接到基板的朝向层系统的金属层，然后将电路板连接到基板的金属层，其方式为使得半导体开关元件嵌入电路板中。
附图说明
下面借助在附图中展示的实施方式示例性地阐述本发明。
在附图中：
图1示例性地且示意性地以立体视图示出了根据一个实施方式的用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥；
图2以分解视图示出了图1中的半桥；
图3以侧视图示出了根据另一实施方式的示例性的且示意性的半桥，其中，多个汇流排和冷却体连接到半桥；
图4示出了包括三个根据本发明的半桥的示例性的且示意性的功率模块；
图5示出了包括六个根据本发明的半桥的示例性的且示意性的功率模块；
图6示出了根据另一实施方式的示例性的且示意性的半桥，其中，为了更清楚起见未示出浇注料；
图7以侧向剖视图示出了图6中的半桥；
图8以立体视图示出了图6中的半桥的基板；
图9示出了根据另一实施方式的示例性的且示意性的半桥，其中，为了更清楚起见未示出浇注料；
图10以侧向剖视图示出了图9中的半桥；并且
图11以立体视图示出了图9中的半桥的基板；
附图标记清单
10，10'，10a-c，10aa-cb，100，200 半桥
12 浇注料
121 顶侧
13 冷却体
132 针翅结构
134 烧结层
14，114，214 第一功率端子
142 第一外部端子接触部
115，215 第一内部端子接触部
16，116，216 第二功率端子
162 第二外部端子接触部
216 第二内部端子接触部
18，118，218 第三功率端子
182 第三外部端子接触部
119，219 第三内部端子接触部
20 信号端子
202 信号端子的外部端子接触部
22，122，222 接触部平面
24，124，224 半导体开关元件
1252a-b，2252a-b 第一金属叠层
1254a-c，2254a-c 竖直接触部
1256a-c，2256a-b 第二金属叠层
26 基板
262，1262，2262 顶部的金属层
264，1264，2264 绝缘层
266底部的金属层
28 第一汇流排
30 第二汇流排
32，32a-c 第三汇流排
34 驱动器部件
40，50 功率模块
具体实施方式
相同的物体、功能单元和类似的部件贯穿附图用相同的附图标记表示。这些物体、功能单元和类似的部件在其技术特征方面实施为相同的，除非从说明书中明确地得出或隐含地得出例如其他形式。
图1以立体视图示出根据一般实施方式的用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的示例性的且示意性的半桥10。半桥10包括多个半导体开关元件24，这些半导体开关元件被浇注料12遮盖并因此在图1中不可见。半桥10包括基板26，该基板同样被浇注料12遮盖并且半导体开关元件24布置在该基板上。此外，半桥10包括多个功率端子14、16、18和多个信号端子20。功率端子14、16、18和信号端子20由扁平导体框架形成、优选冲压而成。信号端子20这样地电连接到半导体开关元件24，使得可以藉由信号端子20来切换半导体开关元件24。功率端子14、16、18这样地电连接到半导体开关元件24，使得半导体开关元件24允许或中断功率端子14、16、18之间的电功率传输。
信号端子20和功率端子14、16、18布置在基板26的第一表面上，其中，第一表面平行于浇注料12的顶侧121延伸。功率端子14、16、18和信号端子20各自具有在导体框架中形成的外部端子接触部(或外部区段)142、162、182、202，该外部端子接触部从与第一表面正交的第二表面、从浇注料12侧面延伸出来。外部端子接触部142、162、182、202分别具有垂直于第一表面的端部。例如，通过以下方式来产生相应的端部，即：使得外部端子接触部142、162、182、202在用浇注料12浇注之后在垂直于第一表面的方向上弯曲。以这种方式，可以从半桥外部、尤其是从上方与功率端子14、16、18和信号端子20电接触。
图2以示意性的分解视图示出了图1中的半桥10。示出了半导体开关元件24，该半导体开关元件被嵌入在模块化的层系统中。模块化的层系统包括半导体开关元件24插入其中的接触部平面22，以及用于与半导体开关元件24进行内部接触的金属化部。基板26例如是DCB基板并且包括两个金属层262、266和在它们之间布置的绝缘层264。附加地，还示出了功率端子14、16、18和信号端子20。金属化部优选包括三个部件：在接触部平面22的背离基板26的顶侧上的第一金属叠层、在接触部平面22的朝向基板26的底侧上的第二金属叠层、以及在第一金属叠层与第二金属叠层之间延伸的一个或多个竖直接触部。更优选地，金属化部的第二金属叠层由朝向接触部平面22的上金属层262形成。接触部平面22例如是绝缘平面，该绝缘平面与第一金属叠层和竖直接触部一起形成电路板。优选地，第一金属叠层和第二金属叠层以及竖直接触部在将半导体开关元件24嵌入层系统之前就已经预先制造好了。为了进行嵌入，可以首先将半导体开关元件24插入接触部平面22中，然后使接触部平面22(例如借助于焊接)与基板26的上金属层进行连接。替代地，为了进行嵌入，可以首先将半导体开关元件24安置到基板26的上金属层上，然后将接触部平面22与基板26的上金属层进行连接。在将功率端子14、16、18和信号端子20安置到模块化的层系统的顶侧之后，将以这种方式产生的模块化设计的层系统与功率端子14、16、18和信号端子20一起进行浇注。在图6至图11示出的具体实施方式中更详细地阐述半桥的根据本发明的制造方法。
图3示意性地且示例性地以侧视图示出了根据另一实施方式的半桥10'。半桥10'与图1中的半桥10类似地形成，而与其不同之处仅在于功率端子14、16、18在基板26的第一表面上的布置。如在图3中可以看出的，浇注料12在底侧借助于烧结层134与冷却体13相连接以散发来自半桥10'中的半导体开关元件24和其他电子器件的热量。冷却体中示例性地布置有具有多个引脚的针翅结构132，在这些引脚之间形成用于使冷却剂(例如，水-乙二醇)流过的冷却通道。在浇注料12的顶侧安置有多个汇流排。第一汇流排28与第一功率端子14的外部端子接触部142(优选DC负端子)电连接。第二汇流排30与第二功率端子16的外部端子接触部162(优选DC正端子)电连接。第三汇流条32与第三功率端子18的外部端子接触部182(优选AC端子或相端子)电连接。更优选地，在第一汇流排28与第二汇流排30之间布置有绝缘叠层以保证两个汇流排28、30之间的电势差。以此方式，这两个汇流排28、30可以以安全的方式彼此紧邻布置，从而保持空气距离和爬电距离，并且同时减少半桥10'的换向单元的漏电感。
第一汇流排28与电能供应装置(例如锂电池或燃料电池系统)的正极相连接，并且第二汇流排30与电能供应装置的负极相连接。第三汇流排32优选藉由汇流条系统与电驱动器、尤其是与电机相连接，以便将AC功率输出到电机的绕组。
图4示意性地且示例性地示出了用于逆变器的功率模块40，该功率模块包括三个根据本发明的半桥10a、10b、10c。每个半桥10a、10b、10c被配属给多相输出电流(交流电流)的三个电流相之一。为了共同电连接这三个半桥10a-c的第一功率端子14，第一汇流排28作为共用汇流排与这些第一功率端子14连接。为了共同电连接这三个半桥10a-c的第二功率端子16，第二汇流排28作为共用汇流排与这些第二功率端子16连接。给每个半桥10a-c配属自己的第三汇流排32，该第三汇流排与相应半桥10a-c的第三(AC)功率端子18电连接。
图5示意性地且示例性地示出了用于逆变器的另外的功率模块50，该另外的功率模块包括六个根据本发明的半桥10aa、10ab、10ba、10bb、10ca、10cb。这六个半桥10aa、10ab、10ba、10bb、10ca、10cb被分为三组，每组各有两个半桥10aa和10ab、10ba和10bb、10ca和10cb。第一组半桥10aa、10ab被配属给第一电流相。第二组半桥10ba、10bb被配属给第二电流相。第三组半桥10ca、10cb被配属给第三电流相。与图4的实施方式类似地，汇流排28、30、32a-c布置在功率模块50中。
图6至图8和图9至图11分别示出了根据本发明的半桥10、10'的具体实施方式。为了更清楚起见，在这些实施方式中未示出浇注料。
图6至图8示出了半桥100的第一具体实施方式。与图1和图2的一般实施方式类似地，半桥100包括基板126、多个嵌入的半导体开关元件124、多个功率端子114、116、118以及多个信号端子120。基板126在此示例性地是DCB基板，其具有：朝向半导体开关元件124布置的第一金属层1262，背离半导体开关元件124的、用于连接冷却体(此处未示出)的第二金属层，以及绝缘层1264，该绝缘层布置在第一金属层1262与第二金属层之间。半导体开关元件124嵌入在包括接触部平面122和金属化部的、模块化的层系统中。接触部平面122布置在基板126的顶侧。如图7中的剖视图(沿图6中的剖面线A-A)中更详细地示出的，金属化部示例性地包括背离基板126的第一金属叠层1252、朝向基板126的第二金属叠层1256、以及在第一金属叠层1252与第二金属叠层1256之间竖直延伸的多个竖直接触部1254a-c。第二金属叠层1256由第一金属层1262形成。如图8中的立体视图示出的，第一金属层1262具有三个预先结构化区域，由这些预先结构化区域形成了第二金属叠层1256。各个区域在空间上彼此分离，以确保它们之间的电绝缘。这里，接触部平面122与第一金属叠层1252和竖直接触部1254a-c一起形成电路板。首先在接触部平面或电路板的内部预先制造竖直接触部1254a-c，然后将半导体开关元件124嵌入接触部平面122或电路板中。半导体开关元件124的嵌入可以以两种方式进行。一方面，半导体开关元件124可以首先从下方(即朝向基板126的一侧)被引入接触部平面122或电路板上为此而设的位置(优选凹部)中，然后将接触部平面122或电路板安置到已经预先结构化的基板126的第一金属层1252上。另一方面，可以将半导体开关元件124首先定位在已经预先结构化的基板126的第一金属层1252上，然后将接触部平面122或电路板安置在基板126的第一金属层1252上，尤其其方式为使得半导体开关元件124被引入电路板124的为此而设的位置(优选凹部)中。金属化部的第一金属叠层1252可以在接触部平面122被安置到基板126之前已经被形成在接触部平面122的顶侧上。
如图7的剖视图中更详细地示出的，第一金属叠层1252a-b包括两个岛区域1252a、1252b，这些岛区域相对于第一表面(平行于图1中的浇注料12的顶侧121)位于接触部平面122内。第三功率端子118藉由(第三)内部端子接触部119与第一岛区域1252a电连接。第一功率端子114藉由(第一)内部端子接触部115与第二岛区域1252b电连接。
此外，第一岛区域1252a与第二竖直接触部1254b电连接，该第二竖直接触部从第二金属叠层1256的中心区域1256b延伸直至第一金属叠层1252。中间区域1256b与第一半导体开关元件124直接电接触和热接触。第二竖直接触部1254b在接触部平面122中具有竖直区段，该竖直区段经由水平区段过渡为两个分支，其中，第一岛区域1252a与这些分支之一电连接。用于操作第一半导体开关元件124的栅电极的第一驱动器部件34被放置在接触部平面122的顶侧，从而使得该第一驱动器部件与第二竖直接触部1254b的另一个分支电连接。以此方式，在第二金属叠层1256的中心区域1256b与第三功率端子118和第一驱动器部件34之间建立电连接。
第二岛区域1252b与第三竖直接触部1254c电连接，该第三竖直接触部从第二金属叠层1256的第二边缘区域1256c延伸直至第一金属叠层1252。第二边缘区域1256c与第二半导体开关元件124直接电接触和热接触。第三竖直接触部1254c在接触部平面122中具有竖直区段，该竖直区段经由水平区段过渡到另一竖直区段。除了第一功率端子114之外，用于操作第二半导体开关元件124的栅电极的第二驱动器部件34还藉由第二岛区域1252b与第三竖直接触部1254c电连接。以此方式，在第二金属叠层1256的第二边缘区域1256c与第一功率端子114和第二驱动器部件34之间建立电连接。
第二金属叠层1256还具有第一边缘区域1256a，该第一边缘区域(与第二边缘区域1256c一样)水平地延伸超出接触部平面122的轮廓。第一边缘区域1256a与第一竖直接触部1254a电连接，该第一竖直接触部从第一边缘区域1256a竖直地延伸至电路板122的内部并过渡到水平区段，该水平区段与第二竖直接触部和第三竖直接触部1254b-c的水平区段布置在相同的高度上。在第一竖直接触部和第二竖直接触部1254a-b的水平区段(一方面)与第二金属叠层1256的中心区域1256b(另一方面)之间，将第一半导体开关元件124嵌入接触部平面122中。在第二竖直接触部1254b的水平区段与第二金属叠层1256的第二边缘区域1256c之间，将第二半导体开关元件124嵌入接触部平面122中。
如图6中的立体视图示意性示出的，第一功率端子114各自电连接至第一金属叠层1252的第二岛区域。第二功率端子116电连接至第二金属叠层1256的第一边缘区域1256a。第三功率端子118藉由在这两个驱动器部件34之间水平延伸的内部端子接触部119电连接至第一金属叠层1252的第一岛区域。信号端子120各自藉由内部端子接触部电连接至第一金属叠层1252的另一岛区域。第一金属叠层1252的岛区域彼此电绝缘。
图9至图11示出了半桥200的第二具体实施方式。与图6至图8中的第一具体实施方式类似地，半桥200包括基板226、多个嵌入的半导体开关元件224、多个功率端子214、216、218以及多个信号端子220。基板226与基板126类似地包括第一金属层2262、第二金属层和绝缘层2264，该绝缘层布置在第一金属层2262与第二金属层之间。半导体开关元件224在此还嵌入在包括接触部平面222和金属化部的模块化的层系统中。接触部平面222布置在基板226的顶侧。如图10中的剖视图(沿图9中的剖面线B-B)中更详细地示出的，与图6至图8中示出的实施方式类似地，金属化部包括第一金属叠层2252、第二金属叠层2256以及多个竖直接触部2254a-b。接触部平面222与第一金属叠层2252和竖直接触部2254a-b一起形成电路板。第二金属叠层2256由第一金属层2262形成。如图11中的立体视图示出的，第一金属层2262具有两个预先结构化区域，由这些预先结构化区域形成了第二金属叠层2256。各个区域在空间上彼此分离，以确保它们之间的电绝缘。首先在接触部平面222的内部预先制造竖直接触部2254a-c，然后将半导体开关元件224嵌入接触部平面222中。半导体开关元件224的嵌入可以与图6至图8中的实施方式类似地以两种方式进行。
如图10中的剖视图中更详细地示出的，第一金属叠层2252包括两个岛区域2252a、2252b，这些岛区域位于接触部平面222内并且彼此电绝缘。第二功率端子216藉由(第二)内部端子接触部217与第一岛区域2252a电连接。第一功率端子214藉由(第一)内部端子接触部215与第二岛区域2252b电连接。
此外，第一岛区域2252a与第一竖直接触部2254a电连接，该第一竖直接触部在接触部平面222内竖直地延伸直至第一金属叠层1252a-b。第二竖直接触部2254b从第二金属叠层2256的第一边缘区域2256a竖直地延伸直至接触部平面222的顶侧。第二竖直接触部2254b在接触部平面222中具有竖直区段，该竖直区段经由水平区段过渡到另一竖直区段并与第一驱动器部件34电连接。以此方式，在第二金属叠层2256的第一边缘区域2256b与第一驱动器部件34之间建立电连接。第一边缘区域2256a与第一半导体开关元件224直接电接触和热接触。
第二岛区域2252b与第三竖直接触部2254c电连接，该第三竖直接触部从第二金属叠层2256的第二边缘区域2256b延伸直至第一金属叠层2252。第二边缘区域2256b与第二半导体开关元件224直接电接触和热接触。该实施方式中的第三竖直接触部2254c被设计成与图6至图8中示出的实施方式类似的。
第一边缘区域2256a具有水平延伸超出接触部平面222的轮廓的边缘区段。第三功率端子218藉由第三内部端子接触部219电连接到第二金属叠层2256的第一边缘区域2256a。在第二竖直接触部2254b的水平区段与第二金属叠层2256的第一边缘区域2256a之间，将第一半导体开关元件224嵌入接触部平面222中。在第二竖直接触部和第三竖直接触部2254b-c的水平区段(一方面)与第二金属叠层2256的第二边缘区域2256b(另一方面)之间，将第二半导体开关元件224嵌入接触部平面222中。
如图9中的立体视图示意性示出的，第一功率端子214各自电连接至第一金属叠层2252的第二岛区域。第二功率端子116各自电连接到第一金属叠层2252的第一边缘区域。第三功率端子218藉由内部端子接触部219电连接到第二金属叠层2256的第一边缘区域。信号端子220各自藉由内部端子接触部电连接到第一金属叠层2252的另一岛区域。
图6至图8和图9至图11中示出的具体实施方式是示例性的并且不限制本发明的主题。尤其，在竖直接触部中可以形成有多个竖直地彼此间隔开的水平区段。

Claims (10)

1.一种用于制造用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥(10)的方法，所述半桥(10)包括基板、半导体开关元件(24)、功率端子(14，16，18)和信号端子(20)，其中，由扁平导体框架形成、优选冲压成所述功率端子(14，16，18)和所述信号端子(20)，
其中，将所述信号端子(20)电连接到所述半导体开关元件(24)以使得能够藉由所述信号端子(20)来切换所述半导体开关元件(24)，并且其中，将所述功率端子(14，16，18)电连接到所述半导体开关元件(24)以使得所述半导体开关元件(24)允许或者中断所述功率端子(14，16，18)之间的电功率传输，
其中，将所述半导体开关元件(24)嵌入在模块化设计的层系统中，所述层系统包括接触部平面(22)和用于接触所述半导体开关元件(24)的金属化部，
其中，将所述信号端子(20)和所述功率端子(14，16，18)布置在所述基板的第一表面上，其中，用浇注料(12)对模块化的所述层系统、所述信号端子(20)和所述功率端子(14，16，18)进行浇注，
其中，所述功率端子(14，16，18)和/或所述信号端子(20)的在所述导体框架中形成的外部区段各自从与所述第一表面正交的第二表面、从所述浇注料(12)延伸出来，其中，所述外部区段分别具有与所述第一表面垂直的端部。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属化部具有背离所述基板(26)的第一金属叠层和朝向所述基板(26)的第二金属叠层，其中，将所述半导体开关元件(24)布置在所述第一金属叠层与所述第二金属叠层之间，从而使得所述半导体开关元件(24)与第一金属叠层电连接，其中，使所述第二金属叠层由所述基板(26)的朝向所述层系统的金属层形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属化部包括在所述第一金属叠层与所述第二金属叠层之间形成的一个或多个竖直接触部，在所述接触部平面(22)上预先制造所述竖直接触部，然后将所述半导体开关元件(24)嵌入接触部平面(22)中。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二金属叠层的一个或多个边缘区域平行于所述第一表面延伸超出所述接触部平面(22)的边缘，其中，所述功率端子(14，16，18)和/或所述信号端子(20)中的至少一者与所述边缘区域电连接。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述第一金属叠层具有相对于所述第一表面布置在所述接触部平面内的一个或多个岛区域，其中，所述功率端子(14，16，18)和/或所述信号端子(20)中的至少一者和/或至少一个栅极驱动器部件(34)与所述岛区域电连接。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，将所述半导体开关元件(24)嵌入到所述接触部平面(22)中，然后将所述接触部平面(22)连接到所述基板(26)的朝向所述层系统的金属层(262)。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中，将所述半导体开关元件(24)连接到所述基板(26)的朝向所述层系统的金属层(262)，然后将所述接触部平面(22)连接到所述基板(26)的该金属层(262)，其方式为使得所述半导体开关元件(24)嵌入所述接触部平面(22)中。
8.一种用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥(10)，所述半桥(10)包括基板、半导体开关元件(24)、功率端子(14，16，18)和信号端子(20)，其中，所述功率端子(14，16，18)和所述信号端子(20)由扁平导体框架形成、优选冲压而成，
其中，所述信号端子(20)电连接到半导体开关元件(24)以使得能够藉由所述信号端子(20)来切换半导体开关元件(24)，并且其中，所述功率端子(14，16，18)电连接到所述半导体开关元件(24)以使得所述半导体开关元件(24)允许或者中断所述功率端子(14，16，18)之间的电功率传输，
其中，所述半导体开关元件(24)嵌入在模块化设计的层系统中，所述层系统包括接触部平面(22)和用于接触所述半导体开关元件(24)的金属化部，
其中，所述信号端子(20)和所述功率端子(14，16，18)布置在所述基板的第一表面上，其中，所述模块化的层系统、所述信号端子(20)和所述功率端子(14，16，18)是用浇注料(12)浇注的，
其中，所述功率端子(14，16，18)和/或所述信号端子(20)的在所述导体框架中形成的外部区段各自从与所述第一表面正交的第二表面、从所述浇注料(12)延伸出来，其中，所述外部区段分别具有与所述第一表面垂直的端部。
9.一种用于逆变器的功率模块，所述功率模块包括至少三个根据权利要求8所述的半桥(10)。
10.一种用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的逆变器，所述逆变器包括根据权利要求9所述的功率模块。
CN202111316054.5A 2020-11-09 2021-11-08 制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器 Pending CN114551259A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020214045.6A DE102020214045A1 (de) 2020-11-09 2020-11-09 Halbbrücke für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, Leistungsmodul für einen Inverter und Inverter
DE102020214045.6 2020-11-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114551259A true CN114551259A (zh) 2022-05-27

Family

ID=81256125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111316054.5A Pending CN114551259A (zh) 2020-11-09 2021-11-08 制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220149752A1 (zh)
CN (1) CN114551259A (zh)
DE (1) DE102020214045A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220109376A1 (en) * 2020-10-01 2022-04-07 Zf Friedrichshafen Ag Half-bridge for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle, power module for an inverter and inverter
DE102020216318A1 (de) * 2020-12-18 2022-06-23 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs
DE102022211620A1 (de) 2022-11-03 2024-05-08 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul mit Oberseitenkontaktierung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7443014B2 (en) 2005-10-25 2008-10-28 Infineon Technologies Ag Electronic module and method of assembling the same
DE102006008632B4 (de) 2006-02-21 2007-11-15 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015012915B4 (de) 2015-10-06 2020-10-15 Audi Ag Anordnung von Halbleiterelementen auf einem Halbleitermodul für ein Leistungsmodul oder entsprechendes Verfahren
DE102019220010A1 (de) 2019-12-18 2021-06-24 Zf Friedrichshafen Ag Halbbrückenmodul eines Traktionsinverters einer Leistungselektronik eines Elektrofahrzeugs oder Hybridfahrzeugs
DE102020205420A1 (de) 2020-04-29 2021-11-04 Zf Friedrichshafen Ag Halbbrückenmodul für einen Inverter eines elektrischen Antriebs eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs und Inverter für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs

Also Published As

Publication number Publication date
DE102020214045A1 (de) 2022-05-12
US20220149752A1 (en) 2022-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10892218B2 (en) Semiconductor device
US11909327B2 (en) Half-bridge module for an inverter of an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle and an inverter for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle
EP4036967B1 (en) Semiconductor module
EP3555914B1 (en) Power semiconductor module with low gate path inductance
KR101522089B1 (ko) 반도체 장치
CN114551259A (zh) 制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器
CN111480231B (zh) 电力转换装置
CN110178304B (zh) 半导体装置
US10027094B2 (en) Power module, power converter and drive arrangement with a power module
US11101241B2 (en) Semiconductor device having terminals and semiconductor elements electrically connected to a respective side surface of the terminals
US20220311349A1 (en) Power module for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle, inverter comprising such a power module
CN112582356A (zh) 半导体器件
US20210313296A1 (en) Half-bridge module for an inverter of an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle and an inverter for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle
US11431254B2 (en) Switching element unit and switching element module for use in an inverter circuit
US20220109376A1 (en) Half-bridge for an electric drive of an electric vehicle or a hybrid vehicle, power module for an inverter and inverter
US20220263425A1 (en) Electric circuit device
JP2023037354A (ja) 半導体装置
CN116344469A (zh) 功率半导体模块
CN116471741A (zh) 堆叠模块布置装置
CN112447612A (zh) 多芯片封装
CN115380377A (zh) 半导体模块

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination