CN114538788B - 一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法 - Google Patents
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- 238000004146 energy storage Methods 0.000 title claims abstract description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 25
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 43
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 30
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 30
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 28
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- AOPCKOPZYFFEDA-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);dinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O AOPCKOPZYFFEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 23
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 23
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 22
- QGUAJWGNOXCYJF-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QGUAJWGNOXCYJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 22
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 1-(1-adamantyl)-3-aminothiourea Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(NC(=S)NN)C3 XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims description 15
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 6
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 4
- XZUAPPXGIFNDRA-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diamine;hydrate Chemical compound O.NCCN XZUAPPXGIFNDRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 4
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011232 storage material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005562 fading Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 124
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 62
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012621 metal-organic framework Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001212 derivatisation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013154 zeolitic imidazolate framework-8 Substances 0.000 description 1
- MFLKDEMTKSVIBK-UHFFFAOYSA-N zinc;2-methylimidazol-3-ide Chemical compound [Zn+2].CC1=NC=C[N-]1.CC1=NC=C[N-]1 MFLKDEMTKSVIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
- C01G53/04—Oxides; Hydroxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
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- C25B1/01—Products
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25F3/02—Etching
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
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- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,它属于电致变色和储能材料技术领域,具体涉及一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜及其制备方法。本发明的目的是要解决现有电致变色储能薄膜孔结构单一、光学调制范围小、容量低和循环稳定性差的问题。方法:一、制备ZnO NRs薄膜;二、制备ZnO NTs薄膜;三、制备ZnO@ZIF‑8薄膜;四、制备ZnO@Ni/Co‑LDH薄膜。本发明制备的ZnO@Ni/Co‑LDH薄膜的光学调制范围高达56.0%,着色、褪色时间分别为0.7s和2.7s,并且在10000圈大电流(1.6mA/cm2)恒流充放电循环测试中,电容保持率高达72.1%。
Description
技术领域
本发明属于电致变色和储能材料技术领域,具体涉及一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜及其制备方法。
背景技术
随着智能化科技的快速发展,能源的高效利用日益重要。电致变色技术可以低能耗实现对太阳光的高效控制,在智能隐私、航天科技以及军事伪装等领域有着重要应用。将电致变色技术引入超级电容器中,可使双功能电致变色储能设备以交互模式运行。当施加外电压或电流时,电致变色超级电容器材料进行可逆的氧化还原反应,其光学属性(透过率、吸收率、发射率)发生可逆转变,同时实现能量的高效回收利用。然而,现有的电致变色储能薄膜存在孔结构单一、光学调制范围小、容量低和循环稳定性差等问题,阻碍了其实际应用。
层状双金属氢氧化物(LDH)具有独特的二维超分子层状结构,在催化、吸附和储能领域被广泛研究。然而,还未有研究将其应用在电致变色领域中。
发明内容
本发明的目的是要解决现有电致变色储能薄膜孔结构单一、光学调制范围小、容量低和循环稳定性差的问题,而提供一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法。
一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,是按以下步骤完成的:
一、制备ZnO NRs薄膜:
①、以去离子水为溶剂,以六水合硝酸锌和六亚甲基四胺为溶质分别配制六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液;
②、将六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液等体积混合,作为电解液,并通过水浴加热至70℃~80℃,采用双电极体系,以透明导电基底为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电沉积,沉积结束后将工作电极取出,清洗,烘干,得到ZnO NRs薄膜;
二、制备ZnO NTs薄膜:
以乙二胺水溶液为电解液,通过水浴加热至70℃~80℃,采用双电极体系,以ZnONRs薄膜为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电蚀刻,蚀刻结束后将工作电极取出,清洗,烘干,得到ZnO NTs薄膜;
三、制备ZnO@ZIF-8薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液作为溶剂,以2-甲基咪唑为溶质,配制2-甲基咪唑溶液;
②、将2-甲基咪唑溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO NTs薄膜浸入到2-甲基咪唑溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃~80℃,在70℃~80℃下进行水热反应,得到反应产物;对反应产物进行清洗,烘干,得到ZnO@ZIF-8薄膜;
四、制备ZnO@Ni/Co-LDH薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液为溶剂,以六水合硝酸镍和六水合硝酸钴为溶质,配制六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液;
②、将六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO@ZIF-8薄膜浸入到六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃~80℃,在70℃~80℃下进行水热反应,得到反应产物;对反应产物进行清洗,烘干,得到ZnO@Ni/Co-LDH薄膜,即为层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜。
本发明的原理:
一、本发明以金属有机框架为前驱体制备的LDH具有多种孔道结构、比表面积大、孔隙率高和活性位点多等优点;同时,镍基和钴基材料具有十分优异的电化学性能,为高性能电致变色储能材料的设计制备提供了新的可能性;本发明通过对LDH元素组成和纳微结构的合理设计,获得容量高、光学调制范围大、响应速度快以及循环稳定性好的高性能电致变色超级电容器薄膜,对电致变色储能材料的实际应用,具有十分重要的意义;
二、本发明通过模板法和金属有机框架衍生相结合的方法,在透明导电基底上原位生长具有三维网状结构的高性能电致变色超级电容器薄膜;所述的薄膜是以氧化锌纳米管为模板,ZIF-8金属有机框架为前驱体,在透明导电基底上通过原位衍生生长获得。
本发明的优点:
一、本发明通过以ZnO NTs为模板和金属有机框架为前驱体制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜具有优异的电致变色和能量储存性能;ZnO@Ni/Co-LDH具有三维多孔网状结构,拥有非常大的比表面积和充分暴露的氧化还原反应位点;同时,过渡金属元素镍和钴的掺入使其具有优异的电化学性能,镍可提高其储能容量和光学调制范围,而钴有助于薄膜的循环稳定性和可逆性;
二、在电解液中对ZnO@Ni/Co-LDH薄膜施加恒流充放电测试,薄膜表现出典型的法拉第行为,氧化还原反应可逆性好;ZnO@Ni/Co-LDH薄膜具有高的质量电容1014.3F·g-1(0.1mA/cm2),在大电流(1.6mA/cm2)下电容保持率高达77.6%;在施加0-0.5V电压时,薄膜颜色在淡黄色和深褐色之间可逆转变;在350-1000nm波长范围内,具有较大的透过率变化;特别是在550nm波长处,ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的光学调制范围高达56.0%,着色、褪色时间分别为0.7s和2.7s,并且在10000圈大电流(1.6mA/cm2)恒流充放电循环测试中,电容保持率高达72.1%。
本发明可获得一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜。
附图说明
图1为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的表面扫描电镜照片;
图2为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的截面扫描电镜照片;
图3为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在0.1mA/cm2、0.2mA/cm2、0.4mA/cm2、0.8mA/cm2和1.6mA/cm2电流密度下的恒流充放电曲线,图中曲线1的电流密度为0.1mA/cm2,曲线2的电流密度为0.2mA/cm2,曲线3的电流密度为0.4mA/cm2,曲线4的电流密度为0.8mA/cm2,曲线5的电流密度为1.6mA/cm2;
图4为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在不同电流密度下的质量电容及库伦效率曲线;
图5为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在350-1000nm波长范围内的制备态、褪色态(0V)和着色态(0.5V)透过率曲线及对应的光学照片,图中1为制备态,2为褪色态,3为着色态;
图6为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的计时电流曲线及在550nm波长处的原位透过率变化曲线,阶跃电压为0V和0.5V,阶跃时间为20s,图中曲线1为550nm,曲线2为0V~0.5V;
图7为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在1.6mA/cm2电流密度下,10000圈恒流充放电测试,插图为前5圈和后5圈的恒流充放电曲线。
具体实施方式
以下实施例进一步说明本发明的内容,但不应理解为对本发明的限制。在不背离本发明实质的情况下,对本发明方法、步骤或条件所作的修改和替换,均属于本发明的范围。
具体实施方式一:本实施方式一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,是按以下步骤完成的:
一、制备ZnO NRs薄膜:
①、以去离子水为溶剂,以六水合硝酸锌和六亚甲基四胺为溶质分别配制六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液;
②、将六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液等体积混合,作为电解液,并通过水浴加热至70℃~80℃,采用双电极体系,以透明导电基底为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电沉积,沉积结束后将工作电极取出,清洗,烘干,得到ZnO NRs薄膜;
二、制备ZnO NTs薄膜:
以乙二胺水溶液为电解液,通过水浴加热至70℃~80℃,采用双电极体系,以ZnONRs薄膜为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电蚀刻,蚀刻结束后将工作电极取出,清洗,烘干,得到ZnO NTs薄膜;
三、制备ZnO@ZIF-8薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液作为溶剂,以2-甲基咪唑为溶质,配制2-甲基咪唑溶液;
②、将2-甲基咪唑溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO NTs薄膜浸入到2-甲基咪唑溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃~80℃,在70℃~80℃下进行水热反应,得到反应产物;对反应产物进行清洗,烘干,得到ZnO@ZIF-8薄膜;
四、制备ZnO@Ni/Co-LDH薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液为溶剂,以六水合硝酸镍和六水合硝酸钴为溶质,配制六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液;
②、将六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO@ZIF-8薄膜浸入到六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃~80℃,在70℃~80℃下进行水热反应,得到反应产物;对反应产物进行清洗,烘干,得到ZnO@Ni/Co-LDH薄膜,即为层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同点是:步骤一①中所述的六水合硝酸锌溶液与六亚甲基四胺溶液为等摩尔浓度,浓度为4mmol/L~5mmol/L;步骤一②中所述的透明导电基底为ITO或FTO。其它步骤与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二之一不同点是:步骤一②中所述的沉积的电流密度为0.1mA/cm2~0.3mA/cm2,沉积的时间为1600s~1800s;步骤一②中沉积结束后将工作电极取出,依次使用去离子水和无水乙醇清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO NRs薄膜。其它步骤与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同点是:步骤二中所述的恒流阴极电蚀刻的电流密度为1.0μA/cm2~1.5μA/cm2,电蚀刻的时间为1000s~1200s。其它步骤与具体实施方式一至三相同。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同点是:步骤二中所述的乙二胺水溶液的浓度为0.02mol/L~0.03mol/L;步骤二中蚀刻结束后将工作电极取出,依次使用去离子水和无水乙醇清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO NTs薄膜。其它步骤与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同点是:步骤三①中所述的溶剂中N,N-二甲基甲酰胺与去离子水的体积比为(2~3):1;步骤三①中所述的2-甲基咪唑溶液中溶质的质量与溶剂的体积比为(0.1g~0.2g):(32mL~36mL)。其它步骤与具体实施方式一至五相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同点是:步骤三②中所述的水热反应的时间为20h~24h;步骤三②中依次使用去离子水和无水乙醇对反应产物进行清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO@ZIF-8薄膜。其它步骤与具体实施方式一至六相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同点是:步骤四①中所述的溶剂中N,N-二甲基甲酰胺与去离子水的体积比为1:(2~3);步骤四①中所述的溶质中六水合硝酸镍与六水合硝酸钴的摩尔比为1:1;步骤四①中所述的六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中六水合硝酸镍的物质的量与溶剂的体积比为(0.068mmol~0.078mmol):(32mL~36mL)。其它步骤与具体实施方式一至七相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同点是:步骤四②中所述的水热反应的时间为20h~24h;步骤四②中依次使用去离子水和无水乙醇对反应产物进行清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO@Ni/Co-LDH薄膜。其它步骤与具体实施方式一至八相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同点是:以ZnO@Ni/Co-LDH薄膜为工作电极,以Ag/AgCl为参比电极,以铂片为对电极,以1mol/LKOH溶液为电解液,分别采用恒流充放电测试和阶跃电压测试,结果表明,在测试过程中,ZnO@Ni/Co-LDH薄膜颜色在浅黄色到深褐色再到浅黄色的可逆转变,并伴随能量的储存和释放;
所述的采用恒流充放电测试的测试参数为:窗口电压选择0~0.5V,测试电流密度分别选择0.1mA/cm2、0.2mA/cm2、0.4mA/cm2、0.8mA/cm2及1.6mA/cm2,充放电次数10次;
所述的阶跃电压测试的测试参数为:低电压0V和高电压0.5V,阶跃时间设置20s,阶跃电压圈数10次。其它步骤与具体实施方式一至九相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果:
实施例1:一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,是按以下步骤完成的:
一、制备ZnO NRs薄膜:
①、以去离子水为溶剂,以六水合硝酸锌和六亚甲基四胺为溶质分别配制六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液;
步骤一①中所述的六水合硝酸锌溶液与六亚甲基四胺溶液为等摩尔浓度,浓度为5mmol/L;
②、将六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液等体积混合,作为电解液,并通过水浴加热至70℃,采用双电极体系,以透明导电基底为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电沉积,沉积结束后将工作电极取出,依次使用去离子水和无水乙醇清洗,再在50℃下烘干12h,得到ZnO NRs薄膜;
步骤一②中所述的透明导电基底为FTO;
步骤一②中所述的沉积的电流密度为0.25mA/cm2,沉积的时间为1800s;
二、制备ZnO NTs薄膜:
以乙二胺水溶液为电解液,通过水浴加热至70℃,采用双电极体系,以ZnONRs薄膜为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电蚀刻,蚀刻结束后将工作电极取出,依次使用去离子水和无水乙醇清洗,再在50℃下烘干12h,得到ZnO NTs薄膜;
步骤二中所述的恒流阴极电蚀刻的电流密度为1.4μA/cm2,电蚀刻的时间为1200s;
步骤二中所述的乙二胺水溶液的浓度为0.03mol/L;
三、制备ZnO@ZIF-8薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液作为溶剂,以2-甲基咪唑为溶质,配制2-甲基咪唑溶液;
步骤三①中所述的溶剂中N,N-二甲基甲酰胺与去离子水的体积比为2:1;
步骤三①中所述的2-甲基咪唑溶液中溶质的质量与溶剂的体积比为0.1g:32mL;
②、将2-甲基咪唑溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO NTs薄膜浸入到2-甲基咪唑溶液中,将水热反应釜密封后升温至80℃,在80℃下进行水热反应24h,得到反应产物;依次使用去离子水和无水乙醇对反应产物进行清洗,再在50℃下烘干12h,得到ZnO@ZIF-8薄膜;
四、制备ZnO@Ni/Co-LDH薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液为溶剂,以六水合硝酸镍和六水合硝酸钴为溶质,配制六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液;
步骤四①中所述的溶剂中N,N-二甲基甲酰胺与去离子水的体积比为1:2;
步骤四①中所述的溶质中六水合硝酸镍与六水合硝酸钴的摩尔比为1:1;
步骤四①中所述的六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中六水合硝酸镍的物质的量与溶剂的体积比为0.068mmol:32mL;
②、将六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO@ZIF-8薄膜浸入到六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃,在70℃下进行水热反应20h~24h,得到反应产物;依次使用去离子水和无水乙醇对反应产物进行清洗,再在50℃下烘干12h,得到ZnO@Ni/Co-LDH薄膜,即为层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜。
图1为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的表面扫描电镜照片。
从图1可知,本发明在透明导电基底上,制备了三维多孔结构薄膜,具有大的比表面积,克服生长在一维基底层薄膜低比表面积的缺陷,为高性能电致变色储能提供结构基础。
图2为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的截面扫描电镜照片;
从图2可知,ZnO@Ni/Co-LDH薄膜厚度在720nm,生长在导电基底FTO层。
图3是以ZnO@Ni/Co-LDH薄膜为工作电极,Ag/AgCl为参比电极及铂片电极做对电极,在1mol/L KOH电解液中,采用三电极测试方式,对薄膜施加0.1mA/cm2、0.2mA/cm2、0.4mA/cm2、0.8mA/cm2及1.6mA/cm2不同电流密度,测试得到恒流充放电曲线。
图3为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在0.1mA/cm2、0.2mA/cm2、0.4mA/cm2、0.8mA/cm2和1.6mA/cm2电流密度下的恒流充放电曲线,图中曲线1的电流密度为0.1mA/cm2,曲线2的电流密度为0.2mA/cm2,曲线3的电流密度为0.4mA/cm2,曲线4的电流密度为0.8mA/cm2,曲线5的电流密度为1.6mA/cm2。
从图3可知,不同电流密度的充放电曲线,都有着明显的充放电平台,表明发生氧化还原反应。并且在0.1mA/cm2低电流密度依然保持对称,证明薄膜具有良好的可逆性。
图4是通过图3数据,计算不同电流密度下的质量比电容和库伦效率得到;
图4为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在不同电流密度下的质量电容及库伦效率曲线。
从图4可知,在0.1mA/cm2电流密度下质量电容达到1014.3F/g,在1.6mA/cm2的高电流密度下,仍然保持77.6%,其库伦效率都大于90%,说明薄膜材料有着优异的储能性能和良好的倍率性能。
图5是以ZnO@Ni/Co-LDH薄膜为工作电极,Ag/AgCl为参比电极及铂片电极为对电极,在1mol/L KOH电解液中,采用三电极测试方式,对薄膜不加电压、施加0V电压和0.5V电压,通过与紫外-可见光谱联用,得到制备态、褪色态和着色态光谱以及各状态的光学照片。
图5为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在350-1000nm波长范围内的制备态、褪色态(0V)和着色态(0.5V)透过率曲线及对应的光学照片,图中1为制备态,2为褪色态,3为着色态。
从图5可知,初始薄膜呈现透明态,在350-1000nm波长下呈现大的透过率;当施加0.5V电压,薄膜变为深棕色,光谱透过率降低,有效阻挡350-1000波长的光;施加0V电压,薄膜变为淡黄色,透过率变大。并且在不断施加电压过程中薄膜能从淡黄色到深棕色转换,具有良好的光学可逆性。
图6是以ZnO@Ni/Co-LDH薄膜为工作电极,Ag/AgCl为参比电极及铂片电极为对电极,在1mol/L KOH电解液中,采用三电极测试方式,对薄膜施加0V和0.5V阶跃电压,阶跃时间为20s并连接紫外-可见光谱得到在λ=550nm下的透过率改变曲线。
图6为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜的计时电流曲线及在550nm波长处的原位透过率变化曲线,阶跃电压为0V和0.5V,阶跃时间为20s,图中曲线1为550nm,曲线2为0V~0.5V。
从图6可知,ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在550nm处呈现出55.2%的优异的光学调制(ΔT=73.6%-18.4%)。此外薄膜具有快速响应时间,着色和褪色切换时间分别为0.7s和2.7s。
图7是以ZnO@Ni/Co-LDH薄膜为工作电极,Ag/AgCl为参比电极及铂片电极为对电极,在1mol/L KOH电解液中,采用三电极测试方式,薄膜在1.6mA/cm2电流密度下,进行10000圈恒电流充放电过程,计算得到比电容衰减和每个阶段库伦效率。
图7为实施例1制备的ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在1.6mA/cm2电流密度下,10000圈恒流充放电测试,插图为前5圈和后5圈的恒流充放电曲线。
从图7可知,ZnO@Ni/Co-LDH薄膜在1M KOH电解液进行10000次恒流充放电循环测试,在1.6mA·cm-2电流密度下,经过10000次恒流充放电循环后,电容保持率高达72.1%,在整个循环过程中,其库伦效率基本保持在99%左右。
Claims (10)
1.一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法是按以下步骤完成的:
一、制备ZnO NRs薄膜:
①、以去离子水为溶剂,以六水合硝酸锌和六亚甲基四胺为溶质分别配制六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液;
②、将六水合硝酸锌溶液和六亚甲基四胺溶液等体积混合,作为电解液,并通过水浴加热至70℃~80℃,采用双电极体系,以透明导电基底为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电沉积,沉积结束后将工作电极取出,清洗,烘干,得到ZnO NRs薄膜;
二、制备ZnO NTs薄膜:
以乙二胺水溶液为电解液,通过水浴加热至70℃~80℃,采用双电极体系,以ZnONRs薄膜为工作电极,铂片为对电极进行恒流阴极电蚀刻,蚀刻结束后将工作电极取出,清洗,烘干,得到ZnO NTs薄膜;
三、制备ZnO@ZIF-8薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液作为溶剂,以2-甲基咪唑为溶质,配制2-甲基咪唑溶液;
②、将2-甲基咪唑溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO NTs薄膜浸入到2-甲基咪唑溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃~80℃,在70℃~80℃下进行水热反应,得到反应产物;对反应产物进行清洗,烘干,得到ZnO@ZIF-8薄膜;
四、制备ZnO@Ni/Co-LDH薄膜:
①、以N,N-二甲基甲酰胺和去离子水的混合溶液为溶剂,以六水合硝酸镍和六水合硝酸钴为溶质,配制六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液;
②、将六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液转移到水热反应釜中,再将ZnO@ZIF-8薄膜浸入到六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中,将水热反应釜密封后升温至70℃~80℃,在70℃~80℃下进行水热反应,得到反应产物;对反应产物进行清洗,烘干,得到ZnO@Ni/Co-LDH薄膜,即为层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤一①中所述的六水合硝酸锌溶液与六亚甲基四胺溶液为等摩尔浓度,浓度为4mmol/L~5mmol/L;步骤一②中所述的透明导电基底为ITO或FTO。
3.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤一②中所述的沉积的电流密度为0.1mA/cm2~0.3mA/cm2,沉积的时间为1600s~1800s;步骤一②中沉积结束后将工作电极取出,依次使用去离子水和无水乙醇清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO NRs薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中所述的恒流阴极电蚀刻的电流密度为1.0μA/cm2~1.5μA/cm2,电蚀刻的时间为1000s~1200s。
5.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤二中所述的乙二胺水溶液的浓度为0.02mol/L~0.03mol/L;步骤二中蚀刻结束后将工作电极取出,依次使用去离子水和无水乙醇清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO NTs薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤三①中所述的溶剂中N,N-二甲基甲酰胺与去离子水的体积比为(2~3):1;步骤三①中所述的2-甲基咪唑溶液中溶质的质量与溶剂的体积比为(0.1g~0.2g):(32mL~36mL)。
7.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤三②中所述的水热反应的时间为20h~24h;步骤三②中依次使用去离子水和无水乙醇对反应产物进行清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO@ZIF-8薄膜。
8.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤四①中所述的溶剂中N,N-二甲基甲酰胺与去离子水的体积比为1:(2~3);步骤四①中所述的溶质中六水合硝酸镍与六水合硝酸钴的摩尔比为1:1;步骤四①中所述的六水合硝酸镍/六水合硝酸钴混合溶液中六水合硝酸镍的物质的量与溶剂的体积比为(0.068mmol~0.078mmol):(32mL~36mL)。
9.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于步骤四②中所述的水热反应的时间为20h~24h;步骤四②中依次使用去离子水和无水乙醇对反应产物进行清洗,再在50℃~60℃下烘干12h~16h,得到ZnO@Ni/Co-LDH薄膜。
10.根据权利要求1所述的一种层状双金属氢氧化物电致变色储能薄膜的制备方法,其特征在于以ZnO@Ni/Co-LDH薄膜为工作电极,以Ag/AgCl为参比电极,以铂片为对电极,以1mol/LKOH溶液为电解液,分别采用恒流充放电测试和阶跃电压测试,结果表明,在测试过程中,ZnO@Ni/Co-LDH薄膜颜色在浅黄色到深褐色再到浅黄色的可逆转变,并伴随能量的储存和释放;
所述的采用恒流充放电测试的测试参数为:窗口电压选择0~0.5V,测试电流密度分别选择0.1mA/cm2、0.2mA/cm2、0.4mA/cm2、0.8mA/cm2及1.6mA/cm2,充放电次数10次;
所述的阶跃电压测试的测试参数为:低电压0V和高电压0.5V,阶跃时间设置20s,阶跃电压圈数10次。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114538788A CN114538788A (zh) | 2022-05-27 |
CN114538788B true CN114538788B (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=81663225
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN114538788A (zh) | 2022-05-27 |
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