CN114530530A - 红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法 - Google Patents
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 8
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 16
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 2
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明提供一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。本发明能够简化外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且使布拉格反射镜综合了布拉格反射镜结构的反射作用及N‑Cladding结构的复合发光提供电子的作用，能够提高二极管的发光亮度。
Description
技术领域
本发明涉及芯片领域，特别是涉及一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法。
背景技术
红黄GaAs LED正装正极性芯片是一种市场普及率高的LED芯片，目前市场占有率较高的4mil～5mil红黄GaAs LED正装正极性芯片亮度通常在120mcd-160mcd之间。
LED芯片的外延需要进行多层生长，目前的红黄GaAs LED正装正极性芯片的外延结构中包含N型覆盖层，而N型覆盖层的存在不仅使得外延结构及外延加工工艺不够简化，还会由于加大了光子到布拉格反射镜的行程从而影响了布拉格反射镜对光的反射，进而影响到LED的发光亮度。
发明内容
本发明的目的在于提出一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，旨在解决背景技术中记载的技术问题。
本发明提出一种红黄GaAs二极管的外延结构，所述外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；
其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。
另外，根据本发明提供的红黄GaAs二极管的外延结构，还可以具有如下附加的技术特征：
进一步地，所述布拉格反射镜包括n对布拉格反射镜子层，其中，所述布拉格反射镜生长顺序上的前a对布拉格反射镜子层作为基层，Si掺杂浓度为0，第a+1至第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而渐进式递增。
进一步地，第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第一预设浓度，第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第二预设浓度，所述第二预设浓度大于所述第一预设浓度。
进一步地，所述第一预设浓度为1e15cm-3，所述第二预设浓度为3e18cm-3。
进一步地，n为30，a为1。
进一步地，每对所述布拉格反射镜均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层。
本发明还提出一种红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，用于制备上述技术方案中的红黄GaAs二极管的外延结构，所述制备方法包括：
提供一衬底并在所述衬底上生长一布拉格反射镜；
在所述布拉格反射镜上生长一N型限制层；
在所述N型限制层上生长一多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长一P型限制层；
在所述P型限制层上生长一P型覆盖层；
及在所述P型覆盖层上生长一电流扩展层；
其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。
进一步地，所述在所述衬底上生长一布拉格反射镜的步骤具体包括：
在所述衬底上依次生长第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层且生长过程中不进行Si掺杂，所述第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层；
在所述第a对布拉格反射镜子层上依次生长第a+1对布拉格反射镜子层至第n对布拉格反射镜子层且生长过程中进行Si掺杂，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随布拉格反射镜子层对数的递增而渐进式递增。
进一步地，所述第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为1e15cm-3，所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为3e18cm-3。
与现有技术相比，采用本实施例当中所述的红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，有益效果在于：布拉格反射镜生长时通过渐进式递增Si掺杂使布拉格反射镜结构中的载流子浓度逐渐升高，由于传统的红黄GaAs二极管外延结构中的N型覆盖层就是有着高浓度载流子及可提供电子的一个层结构，因此，对布拉格反射镜进行渐进式Si掺杂能够使布拉格反射镜具有N型覆盖层的功能，从而简化了外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且由于布拉格反射镜一方面既可作为布拉格反射镜结构起到布拉格反射镜反射作用，另一方面又可起到N型覆盖层的功效为芯片复合发光提供电子，使得原本光子需要穿过N型覆盖层才能达到布拉格反射镜以被布拉格反射镜反射转变为光子直接在布拉格反射镜中，缩短了光子的行程，减少光损耗，提高发光亮度，且由于N型覆盖层的减少，便没有了N型覆盖层对光子的吸收，使得自发辐射升高，增加复合效率，再次提高发光亮度。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明传统的红黄GaAs二极管的外延结构的结构示意图；
图2为本发明第一实施例当中红黄GaAs二极管的外延结构的结构示意图；
图3为本发明第二实施例当中红黄GaAs二极管的外延结构制备方法的流程示意图。
附图标记说明：
10、衬底，20、布拉格反射镜，30、N型限制层，40、多量子阱层，50、P型限制层，60、P型覆盖层，70、电流扩展层。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
实施例1
如图1所示，图1为传统的红黄GaAs二极管的外延结构，其外延结构包括布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflection，简称DBR层)、N型覆盖层(N-Cladding层)、N型限制层(N-Confine层)、多量子阱层(Multiple Quantum Well，简称MQW层)、P型限制层(P-Confine层)、P型覆盖层(P-Cladding层)及电流扩展层，N型覆盖层的存在不仅使得外延结构及外延加工工艺不够简化，还会由于加大了光子到布拉格反射镜的行程从而影响了布拉格反射镜对光的反射，进而影响到LED的发光亮度。
如图2所示，本发明的实施例提供一种红黄GaAs二极管的外延结构，所述外延结构包括：衬底10及在所述衬底10上依次向上生长的布拉格反射镜20、N型限制层30、多量子阱层40、P型限制层50、P型覆盖层60及电流扩展层70；
本发明实施例中，所述N型限制层30为AlGaInP层，所述多量子阱层40包括交替生长的GaInP层和AlGaInP层，所述P型限制层50为AlGaInP层，所述P型覆盖层60为AlInP层，所述电流扩展层70为GaP层。
其中，所述布拉格反射镜20为周期性结构，对所述布拉格反射镜20进行Si掺杂且所述布拉格反射镜20中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜20结构的生长周期递增而递增，以使所述布拉格反射镜20包含了N型覆盖层的功能。
所述布拉格反射镜20包括n对布拉格反射镜子层，每对所述布拉格反射镜20均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，其中，所述布拉格反射镜20生长顺序上的前a对布拉格反射镜子层作为基层，Si掺杂浓度为0，第a+1至第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而渐进式递增，其中，n为30，a为1。
第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第一预设浓度，第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第二预设浓度，所述第二预设浓度大于所述第一预设浓度，其中，所述第一预设浓度为1e15cm-3，所述第二预设浓度为3e18cm-3。
所述布拉格反射镜20的Si掺杂浓度递增的过程中，是由较低浓度递增至较高浓度，而较高浓度的Si掺能够很好的提高所述布拉格反射镜20中的载流子迁移率，使得外延PN结复合效率上升，进而保证了在外延结构及生长流程简化的同时芯片获得更高的亮度。
综上，布拉格反射镜生长时通过渐进式递增Si掺杂使布拉格反射镜结构中的载流子浓度逐渐升高，由于传统的红黄GaAs二极管外延结构中的N型覆盖层就是有着高浓度载流子及可提供电子的一个层结构，因此，对布拉格反射镜进行渐进式Si掺杂能够使布拉格反射镜具有N型覆盖层的功能，从而简化了外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且由于布拉格反射镜一方面既可作为布拉格反射镜结构起到布拉格反射镜反射作用，另一方面又可起到N型覆盖层的功效为芯片复合发光提供电子，使得原本光子需要穿过N型覆盖层才能达到布拉格反射镜以被布拉格反射镜反射转变为光子直接在布拉格反射镜中，缩短了光子的行程，减少光损耗，提高发光亮度，且由于N型覆盖层的减少，便没有了N型覆盖层对光子的吸收，使得自发辐射升高，增加复合效率，再次提高发光亮度。
实施例2
请参考图3，本发明的第二实施例提供了一种红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，用于制备上述第一实施例当中的红黄GaAs二极管的外延结构，所述制备方法包括步骤S10-S60：
S10，提供一衬底并在所述衬底上生长一布拉格反射镜；
S20，在所述布拉格反射镜上生长一N型限制层；
S30，在所述N型限制层上生长一多量子阱层；
S40，在所述多量子阱层上生长一P型限制层；
S50，在所述P型限制层上生长一P型覆盖层；
S60，在所述P型覆盖层上生长一电流扩展层；
本发明实施例中，所述N型限制层为AlGaInP层，所述多量子阱层包括交替生长的GaInP层和AlGaInP层，所述P型限制层为AlGaInP层，所述P型覆盖层为AlInP层，所述电流扩展层为GaP层。
其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。
所述布拉格反射镜包括n对布拉格反射镜子层，每对所述布拉格反射镜均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，其中，所述布拉格反射镜生长顺序上的前a对布拉格反射镜子层作为基层，Si掺杂浓度为0，第a+1至第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而渐进式递增，其中，n为30，a为1。
第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第一预设浓度，第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第二预设浓度，所述第二预设浓度大于所述第一预设浓度，其中，所述第一预设浓度为1e15cm-3，所述第二预设浓度为3e18cm-3。
所述布拉格反射镜的Si掺杂浓度递增的过程中，是由较低浓度递增至较高浓度，而较高浓度的Si掺能够很好的提高所述布拉格反射镜中的载流子迁移率，使得外延PN结复合效率上升，进而保证了在外延结构及生长流程简化的同时芯片获得更高的亮度。
进一步的，所述在所述衬底上生长一布拉格反射镜的步骤具体包括：
在所述衬底上依次生长第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层且生长过程中不进行Si掺杂，所述第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层；
在所述第a对布拉格反射镜子层上依次生长第a+1对布拉格反射镜子层至第n对布拉格反射镜子层且生长过程中进行Si掺杂，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随布拉格反射镜子层对数的递增而渐进式递增，其中，所述第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为1e15cm-3，所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为3e18cm-3。
在具体实施工艺中，在所述衬底上生长第1对布拉格反射镜子层，Si掺杂浓度为0，所述第1对布拉格反射镜子层包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层；
在所述第1对布拉格反射镜子层上依次生长第2对布拉格反射镜子层至第30对布拉格反射镜子层且生长过程中进行Si掺杂，所述第2对布拉格反射镜子层至所述第30对布拉格反射镜子层均AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，第2对布拉格反射镜子层至第30对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随布拉格反射镜子层对数的递增从1e15cm-3递增至3e18cm-3，其中，所述第2对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为1e15cm-3，所述第30对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为3e18cm-3。
综上，在制备红黄GaAs二极管的外延结构时，布拉格反射镜生长时通过渐进式递增Si掺杂使布拉格反射镜结构中的载流子浓度逐渐升高，由于传统的红黄GaAs二极管外延结构中的N型覆盖层就是有着高浓度载流子及可提供电子的一个层结构，因此，对布拉格反射镜进行渐进式Si掺杂能够使布拉格反射镜具有N型覆盖层的功能，从而简化了外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且由于布拉格反射镜一方面既可作为布拉格反射镜结构起到布拉格反射镜反射作用，另一方面又可起到N型覆盖层的功效为芯片复合发光提供电子，使得原本光子需要穿过N型覆盖层才能达到布拉格反射镜以被布拉格反射镜反射转变为光子直接在布拉格反射镜中，缩短了光子的行程，减少光损耗，提高发光亮度，且由于N型覆盖层的减少，便没有了N型覆盖层对光子的吸收，使得自发辐射升高，增加复合效率，再次提高发光亮度。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；
其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。
2.根据权利要求1所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述布拉格反射镜包括n对布拉格反射镜子层，其中，所述布拉格反射镜生长顺序上的前a对布拉格反射镜子层作为基层，Si掺杂浓度为0，第a+1至第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而渐进式递增。
3.根据权利要求2所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第一预设浓度，第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第二预设浓度，所述第二预设浓度大于所述第一预设浓度。
4.根据权利要求3所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述第一预设浓度为1e15cm-3，所述第二预设浓度为3e18cm-3。
5.根据权利要求3所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，n为30，a为1。
6.根据权利要求2所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，每对所述布拉格反射镜均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层。
7.一种红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-6任一项所述的红黄GaAs二极管的外延结构，所述制备方法包括：
提供一衬底并在所述衬底上生长一布拉格反射镜；
在所述布拉格反射镜上生长一N型限制层；
在所述N型限制层上生长一多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长一P型限制层；
在所述P型限制层上生长一P型覆盖层；
及在所述P型覆盖层上生长一电流扩展层；
其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且所述布拉格反射镜中的Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期递增而渐进式递增，以使所述布拉格反射镜包含了N型覆盖层的功能。
8.根据权利要求7所述的红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长一布拉格反射镜的步骤具体包括：
在所述衬底上依次生长第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层且生长过程中不进行Si掺杂，所述第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层；
在所述第a对布拉格反射镜子层上依次生长第a+1对布拉格反射镜子层至第n对布拉格反射镜子层且生长过程中进行Si掺杂，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随布拉格反射镜子层对数的递增而渐进式递增。
9.根据权利要求8所述的红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，所述第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为1e15cm-3，所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为3e18cm-3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210158017.4A CN114530530B (zh) | 2022-02-21 | 2022-02-21 | 红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210158017.4A CN114530530B (zh) | 2022-02-21 | 2022-02-21 | 红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114530530A true CN114530530A (zh) | 2022-05-24 |
| CN114530530B CN114530530B (zh) | 2024-07-19 |
Family
ID=81624114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210158017.4A Active CN114530530B (zh) | 2022-02-21 | 2022-02-21 | 红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114530530B (zh) |
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