CN114521043A - 一种复合金属箔及线路板 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种复合金属箔及线路板，复合金属箔包括：介质层、第一电阻层和第一导电层，第一电阻层设置在介质层的一侧，介质层靠近第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的至少部分区域均形成第二凸起结构，第一导电层设置在第一电阻层远离介质层的一侧。第二凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

Description

一种复合金属箔及线路板

技术领域

本发明涉及复合金属箔技术领域，尤其涉及一种复合金属箔及线路板。

背景技术

随着无线通讯和电子设备的高速发展，电子设备朝着精密化、小型化和轻薄化演化，因此，要求电子设备内部的元器件的尺寸要尽可能的向小型化、轻薄化发展。

电子设备内部的电阻元件由之前的带针脚的插接电阻，到贴片电阻，再到埋入式电阻，逐渐向轻薄化发展。埋入式电阻的制备过程大致如下：将复合金属箔贴附电路板上，通过刻蚀工艺刻蚀出埋入式电阻。

埋入式电阻的应用终端电子产品内部的电路板上集成有众多埋入式电阻，而电路对静电高压相当敏感，当带静电的人或物体接触到这些埋入式电阻时，会产生静电释放，当静电高压冲击电路后，容易被静电高压击穿，从而使得埋入式电阻功能失效。

发明内容

本发明实施例的一个目的在于：提供复合金属箔，能够提高第一电阻层的载流量，进而提高第一电阻层的耐ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)性能，进而提高埋入式电阻的抗静电击穿能力。

本发明实施例的另一个目的在于：提供一种线路板，由本发明实施例提供的复合金属箔制备而成。

本发明实施例的再一个目的在于：提供一种线路板，包括本发明实施例提供的复合金属箔。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种复合金属箔，包括：介质层、第一电阻层和第一导电层；

所述第一电阻层设置在所述介质层的一侧；

所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的至少部分区域均形成第二凸起结构；

所述第一导电层设置在所述第一电阻层远离所述介质层的一侧。

可选的，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构。

可选的，所述介质层的至少部分区域设置有填料，使得所述介质层两侧的至少部分区域具有第一凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-30μm。

可选的，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于0.5％。

可选的，所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的全部区域设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的全部区域均形成有第二凸起结构。

可选的，所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的至少部分区域形成多个连续的凸起结构。

可选的，所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的全部区域设置有多个连续的第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的全部区域均形成多个连续的凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的全部区域均形成连续的第二凸起结构，以使所述第一电阻层形成连续的波浪起伏结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于20％。

可选的，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于50％。

可选的，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于200％。

可选的，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，所述第二电阻层位于所述介质层与所述第二导电层之间。

可选的，所述第一电阻层的材质包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

可选的，所述第一电阻层为单层结构或至少两层结构。

第二方面，本发明实施例还提供了一种线路板，包括本发明第一方面提供的复合金属箔。

本发明实施例提供的复合金属箔，包括介质层、第一电阻层和第一导电层，第一电阻层设置在介质层的一侧，介质层靠近第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使第一电阻层靠近介质层的一侧和远离介质层的一侧的至少部分区域均形成第二凸起结构，第一导电层设置在第一电阻层远离介质层的一侧。第二凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

附图说明

下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

图1A为本发明实施例提供的一种复合金属箔的结构示意图；

图1B为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图2A为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图2B为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图2C为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图4A为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图4B为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图5A为本发明实施例提供的一种复合金属箔的制备方法的流程图；

图5B为本发明实施例提供的在介质层的一侧的形成第一凸起结构的示意图；

图5C为本发明实施例提供的在介质层上形成第一电阻层的示意图；

图5D为本发明实施例提供的在第一电阻层上形成第一导电层的示意图。

具体实施方式

为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

图1A为本发明实施例提供的一种复合金属箔的结构示意图，图1B为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图1A和图1B所示，本实施例中，介质层110、第一电阻层120和第一导电层130。

具体的，介质层110可以是绝缘的基层，用于承载第一电阻层120。示例性的，介质层110的材料可以是具有一定柔性和缓冲作用的聚酰亚胺或树脂。介质层110靠近第一电阻层120的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构111，使得介质层110具有凹凸的表面。

第一电阻层120为复合金属箔的关键功能层，用于实现埋入式电阻的电阻功能。通常电阻120可以根据不同功能的需要而选用不同的材料，进而具有不同的电阻特性。

第一电阻层120的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，也可以是具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)，本发明实施例在此不做限定。第一电阻层120作为埋入式电阻中第一电阻层的前驱体，换句话说，埋入式电阻中的第一电阻层是通过刻蚀等工艺去除部分第一电阻层120而得到的。第一电阻层120的厚度范围为0.01μm-0.5μm。需要说明的是，本发明实施例中的高电阻率和低电阻率是针对第一电阻层本身而言的，并非针对第一导电层。

在本发明的一些实施例中，第一电阻层120为单层结构或至少两层结构。示例性的，单层结构可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成的单层结构，也可为镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金组成的单层结构。至少两层结构中的任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。第一电阻层120的厚度范围为0.01μm-0.5μm。

第一导电层130具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。在本发明其他实施例中，第一导电层130也可以是其他具有良好导电性能的非金属层，本发明实施例对第一导电层的材质不做限定，只要具有良好导电性能即可。第一导电层130的厚度范围为3μm-18μm。

第一电阻层120形成在介质层110的一侧，具体的，在本发明其中一实施例中，可预先制备介质层110，然后可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式将第一电阻层120形成在介质层110的一侧。由于介质层110靠近第一电阻层120的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构111，使得介质层110具有凹凸的表面，因此，在介质层110上形成的第一电阻层120会顺应形成凸起结构，使得形成的第一电阻层120的两侧均形成第二凸起结构121。

经发明人研究发现，埋入式电阻中第一电阻层的截面积会影响耐ESD性能。当第一电阻层的截面积越大，第一电阻层的载流量就越大，耐ESD性能也就越好。为了提高埋入式电阻的耐ESD性能，可以增大第一电阻层的截面积。

本发明实施例通过在第一电阻层120两侧的至少部分区域形成第二凸起结构121，使得第一电阻层120的具有粗糙的表面。第二凸起结构121的存在，增大了第一电阻层120的截面积，提高了第一电阻层120的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。

本发明实施例提供的复合金属箔，包括介质层、第一电阻层和第一导电层，第一电阻层设置在介质层的一侧，介质层靠近第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使第一电阻层的两侧的至少部分区域均形成第二凸起结构，第一导电层设置在第一电阻层远离介质层的一侧。第二凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

在本发明的一些实施例中，第一电阻层120的两侧的至少部分区域(设置有凸起结构的区域)的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。粗糙度Rz和粗糙度Sdr用于表征第一电阻层120表面的微观不平整度，具体的，通常将取样长度内五个最大的轮廓峰高的平均值与五个最大的轮廓谷深的平均值之和作为粗糙度Rz。粗糙度Sdr为定义区域的扩展面积(表面积)表示相对于定义区域的面积增大了多少，其中，完全平坦的表面的粗糙度Sdr为零。需要说明的是，在本发明实施例中，第一电阻层120两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层120两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本发明实施例在此不做限定。需要说明的是，本实施例及后续实施例中，粗糙度的测试标准为ISO25178标准。

进一步地，在本发明的一些实施例中，为了进一步提高第一电阻层的耐ESD性能，第一电阻层120两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层120两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

表1为对不同的粗糙度Rz的第一电阻层进行耐ESD测试得到的测试结果，测试方式为：在其他条件一定的情况下，采用正向的测试静电电压施加在具有一定粗糙度的第一电阻层上，施加三次，每次间隔时间10秒，然后采用反向的测试静电电压施加在第一电阻层上，施加三次，每次间隔时间10秒。逐步提高测试静电电压，将击穿第一电阻层的测试静电电压作为该第一电阻层的耐静电释放电压。

表1

如表1所示，不同的粗糙度Rz具有不同的耐静电释放电压，也就是说，通过在第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域设置凸起结构，调整第一电阻层的粗糙度Rz，可以提高第一电阻层的耐静电释放电压。

表2为对不同的粗糙度Sdr的第一电阻层进行耐ESD测试得到的测试结果，测试方式同前。

表2

Sdr(％)	耐静电释放电压(KV)
		0.5	0.53
10	0.76
		70	1.45
100	2.18
		500	3.07
1000	4.11
		8000	4.3

如表2所示，不同的粗糙度Sdr具有不同的耐静电释放电压，也就是说，通过在第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域设置凸起结构，调整第一电阻层的粗糙度Sdr，可以提高第一电阻层的耐静电释放电压。

本发明的实施例中，第二凸起结构121的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，例如，第二凸起结构121的形状可为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状、弧状中的一种或多种，本发明实施例在此不做限定。

为进一步提高第一电阻层120的耐ESD性能(也即，耐静电释放电压性能)，在第一电阻层120两侧的至少部分区域设置的第二凸起结构121是连续设置的。示例性的，如图1A所示，第二凸起结构121的形状为树枝状，同时第二凸起结构121在第一电阻层120的至少部分区域上连续分布；又或者如图1B所示，第二凸起结构121的形状为弧状，第二凸起结构121在第一电阻层120的至少部分区域连续分布，以在第一电阻层120两侧形成类似于“正弦线”形状的结构。此外，在本发明的另一些实施例中，第二凸起结构可以包括在第一电阻层两侧形成连续起伏表面，以及在起伏表面上形成的多个凸部，本发明实施例在此不做限定。另外，在本发明的又一些实施例中，第二凸起结构在第一电阻层两侧的至少部分区域也可是不连续分布的，本发明实施例在此不做限定。

在本发明的一些实施例中，介质层110的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)、改性聚酰亚胺、玻纤布、玻纤布复合材料、纸基板、复合基板、HDI板材、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙、二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯等，用于保护第一电阻层120，避免第一电阻层120受到来自外界的力而损伤。

在本发明的一些实施例中，介质层110的至少部分区域设置有填料，使得介质层110两侧的至少部分区域具有第一凸起结构111。介质层110远离第一电阻层120上的第一凸起结构111使得该表面更粗糙，当复合金属箔与电路板贴合后，能够与电路板贴合更紧密，避免复合金属箔与电路板剥离。

图2A为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，图2B为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，图2C为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图2A、图2B和图2C所示，本实施例中，复合金属箔包括介质层210、第一电阻层220和第一导电层230。

具体的，介质层210可以是绝缘的基层，用于承载第一电阻层220。第一电阻层220为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层220的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，或具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)。在本发明一具体实施例中，第一电阻层220的材料为镍铬合金。在本发明的一些实施例中，第一电阻层220可以为单层结构或至少两层结构。示例性的，单层结构可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成的单层结构，也可为镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金组成的单层结构。至少两层结构中的任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。第一导电层230具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。

第一电阻层形成在介质层的一侧，介质层靠近第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构。示例性的，介质层210靠近第一电阻层220的一侧的全部区域设置有第一凸起结构211，使得介质层210具有凹凸的表面，使得形成的第一电阻层220的两侧顺应形成第二凸起结构221。由于第一电阻层220两侧的整面均设置有第二凸起结构221，相对于部分区域设置第二凸起结构221，进一步增大了第一电阻层220的截面积，提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

具体的，第一电阻层220的两侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。需要说明的是，在本发明实施例中，第一电阻层220两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层220两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本发明实施例在此不做限定。优选的，第一电阻层220两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层220两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

本发明的实施例中，第二凸起结构的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本发明实施例在此不做限定。在一些示例中，第二凸起结构可以在第一电阻层两侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层两侧形成较规则的“正弦线”形状，又或者凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状、弧状中的一种或多种。

在本发明实施例中，如图2C所示，为更进一步提高第一电阻层220的耐ESD性能，在第一电阻层220两侧的全部区域设置的第二凸起结构221为连续设置的，也就是说在第一电阻层220的两个侧面连续的设置第二凸起结构221，以进一步提高第一电阻层220的截面积，提高第一电阻层220的耐ESD性能，进而提高埋入式电阻的抗静电击穿能力。

进一步地，若第二凸起结构221的粗糙度高度参数Rz设置的太高，则在应用时，第二凸起结构221易受到外力作用而断裂，进而影响第一电阻层220的耐ESD性能，因此，设置第一电阻层220的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，且第一电阻层220的粗糙度Sdr的范围为大于或等于20％。通过限定第一电阻层220的粗糙度高度参数Rz为0.1μm-10μm以及表面积相对于定义区域面积的增加量参数Sdr的范围为≥20％，以在第二凸起结构221一定的高度范围内，在第一电阻层220两侧的全部区域获得连续且紧密排列的第二凸起结构221(该全部区域连续且紧密排列的凸起结构类似于“绒毛”结构)，从而在粗糙度的高度参数Rz一定的情况下，也就是说，确保第二凸起结构221不会因受到外力作用而断裂的情况下，获得具有较大横截面的第一电阻层220，进而提高第一电阻层220的耐ESD性能，有效确保埋入式电阻具有较强的抗静电击穿能力。

优选地，第一电阻层220的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，且第一电阻层220的粗糙度Sdr的范围为大于或等于50％。通过限定第一电阻层220的粗糙度高度参数Rz为0.1μm-10μm以及表面积相对于定义区域面积的增加量参数Sdr的范围为≥50％，以在第二凸起结构221一定的高度范围内，在第一电阻层220两侧的全部区域获得连续且较紧密排列的第二凸起结构221，也就是说，获得比粗糙度Sdr的范围为≥20％更紧密排列的凸起结构，从而进一步增大第一电阻层的横截面，进一步提高第一电阻层的耐ESD性能，有效确保埋入式电阻具有较强的抗静电击穿能力。

更优选地，第一电阻层220的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，且第一电阻层220的粗糙度Sdr的范围为大于或等于200％，从而更进一步增大第一电阻层的横截面，更进一步提高第一电阻层的耐ESD性能，有效确保埋入式电阻具有优异的抗静电击穿能力。

介质层210的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)、改性聚酰亚胺、玻纤布、玻纤布复合材料、纸基板、复合基板、HDI板材、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙、二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯等，用于保护第一电阻层220，避免第一电阻层220受到来自外界的力而损伤。

在本发明的一些实施例中，介质层210的全部区域设置有填料，使得介质层210两侧的全部区域具有第一凸起结构211。介质层210远离第一电阻层220上的第一凸起结构211使得该表面更粗糙，当复合金属箔与电路板贴合后，能够与电路板贴合更紧密，避免复合金属箔与电路板剥离。

图3为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图3所示，本实施例中，复合金属箔包括介质层310、第一电阻层320和第一导电层330。

具体的，介质层310可以是绝缘的基层，用于承载第一电阻层320。第一电阻层320为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层320的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，或具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)。在本发明一具体实施例中，第一电阻层320的材料为镍铬合金。在本发明的一些实施例中，第一电阻层320可以为单层结构或至少两层结构。示例性的，单层结构可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成的单层结构，也可为镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金组成的单层结构。至少两层结构中的任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。第一导电层330具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。

第一电阻层形成在介质层的一侧，介质层靠近第一电阻层的一侧的全部区域设置有第一凸起结构。示例性的，介质层310靠近第一电阻层320的一侧的全部区域设置有连续的第一凸起结构311，使得介质层310具有连续的波浪起伏表面，进而使得形成的第一电阻层320的两侧的全部区域均形成有连续的第二凸起结构321，连续的第二凸起结构321使得第一电阻层320形成连续的波浪起伏结构。

具体的，第一电阻层320的两侧的的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。需要说明的是，在本发明实施例中，第一电阻层320两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层320两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本发明实施例在此不做限定。优选的，第一电阻层320两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层320两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

介质层310的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)、改性聚酰亚胺、玻纤布、玻纤布复合材料、纸基板、复合基板、HDI板材、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙、二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯等，用于保护第一电阻层320，避免第一电阻层320受到来自外界的力而损伤。

在本发明的一些实施例中，介质层310的全部区域设置有填料，使得介质层310两侧的全部区域具有第一凸起结构311。介质层310远离第一电阻层320上的第一凸起结构311使得该表面更粗糙，当复合金属箔与电路板贴合后，能够与电路板贴合更紧密，避免复合金属箔与电路板剥离。

进一步的，介质层远离第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，第二电阻层位于介质层与第二导电层之间。第二电阻层和第一电阻层的材料、用途均可以相同或不相同，同样的，第二导电层与第一导电层的材料、用途均可以相同或不相同。此外，第二电阻层的结构、参数与第一电阻的结构和参数可以相同，第二导电层的结构、参数与第一导电层的结构和参数也可以相同，在此就不再一一赘述。

图4A为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，图4B为本发明实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图4A和图4B所示，复合金属箔包括介质层410、第一电阻层420、第一导电层430、第二电阻层440和第二导电层450。第一电阻层420形成在介质层410的一侧，介质层410靠近第一电阻层420的一侧的全部区域设置有第一凸起结构411，使得介质层410具有凹凸的表面，使得形成的第一电阻层420的两侧顺应形成第二凸起结构421。第一导电层、第一电阻层和介质层的材料、第二凸起结构的形状以及第一电阻层两侧的粗糙度在前述实施例中已有详细记载，本发明实施例在此不再赘述。

第二电阻层440设置在介质层410远离第一电阻层420的一侧，第二导电层450设置在第二电阻层440远离介质层410的一侧。在本发明一具体实施例中，第二电阻层420和第一电阻层440的材料、用途均相同，同样的，第二导电层450与第一导电层410的材料、用途均相同。

第二电阻层440中的一侧或两侧可以是平整的表面，也可以如第一电阻层420类似，至少部分区域设置有凸起结构。示例性的，如图4A所示，第二电阻层440远离介质层410的一侧设置有为凸起结构；如图4B所示，第二电阻层440两侧的全部区域设置有凸起结构，凸起结构可以参考本发明前述实施例中记载的第一电阻层420上的凸起结构，本发明实施例在此不再赘述。

图5A为本发明实施例提供的一种复合金属箔的制备方法的流程图，如图5A所示，该方法包括：

S501、提供介质层。

具体的，介质层可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)、改性聚酰亚胺、玻纤布、玻纤布复合材料、纸基板、复合基板、HDI板材、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙、二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯等。

S502、在介质层的一侧的至少部分区域形成第一凸起结构。

具体的，可以通过物理打磨、化学腐蚀、喷丸和喷砂等方式在介质层的一侧的至少部分区域形成第一凸起结构。图5B为本发明实施例提供的在介质层的一侧的形成第一凸起结构的示意图，如图5B所示，在介质层510的一侧的全部区域形成第一凸起结构511。第一凸起结构的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本发明实施例在此不做限定。

具体的，在本发明另一实施例中，可在介质层510的全部区域设置有填料，使得介质层510两侧的全部区域具有第一凸起结构511。介质层510远离第一电阻层520上的第一凸起结构511使得该表面更粗糙，当复合金属箔与电路板贴合后，能够与电路板贴合更紧密，避免复合金属箔与电路板剥离。

S503、在介质层上形成有第一凸起结构的一侧形成第一电阻层。

具体的，第一电阻层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在介质层上形成第一凸起结构一侧。第一电阻层为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，也可以是具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)，本发明实施例在此不做限定。在本发明的一些实施例中，第一电阻层可以为单层结构或至少两层结构。任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

图5C为本发明实施例提供的在介质层上形成第一电阻层的示意图，如图5C所示，第一电阻层520形成在介质层510形成有第一凸起结构511的一侧。由于介质层510的一侧的全部区域形成第一凸起结构511，在该侧形成的第一电阻层的两侧会顺应形成第二凸起结构521。第二凸起结构的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本发明实施例在此不做限定。在一些示例中，第二凸起结构可以在第一电阻层的两侧均形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层两侧形成较规则的正弦线形状，又或者第二凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状、弧状中的一种或多种，又或者第二凸起结构使得第一电阻层形成连续的波浪起伏结构。

具体的，第一电阻层520的两侧的的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。需要说明的是，在本发明实施例中，第一电阻层420两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层420两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本发明实施例在此不做限定。优选的，第一电阻层520两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层520两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

S504、在第一电阻层远离介质层的一侧形成第一导电层。

具体的，第一导电层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在第一电阻层远离介质层的一侧。第一导电层可以具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。

图5D为本发明实施例提供的在第一电阻层上形成第一导电层的示意图，如图5D所示，第一导电层530形成在第一电阻层520远离介质层510的一侧。

进一步的，在介质层远离第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，第二电阻层位于介质层与第二导电层之间。第二电阻层和第一电阻层的材料、用途均可以相同或不相同，同样的，第二导电层与第一导电层的材料、用途均可以相同或不相同。

本发明实施例提供的复合金属箔的制备方法，包括：提供介质层，在介质层的一侧的至少部分区域形成第一凸起结构，在介质层上形成有第一凸起结构的一侧形成第一电阻层，在第一电阻层远离介质层的一侧形成第一导电层。通过上述方法，在第一电阻层两侧均形成若干第二凸起结构。第二凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量和耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的产品性能。

本发明实施例还提供了一种线路板，包括本发明上述任意实施例提供的复合金属箔。

本发明实施例提供的线路板，具有与本发明实施例提供的复合金属箔相应的功能和有益效果。

于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种复合金属箔，其特征在于，包括：介质层、第一电阻层和第一导电层；

所述第一电阻层设置在所述介质层的一侧；

所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的至少部分区域均形成第二凸起结构；

所述第一导电层设置在所述第一电阻层远离所述介质层的一侧。

2.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构。

3.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层的至少部分区域设置有填料，使得所述介质层两侧的至少部分区域具有第一凸起结构。

4.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-30μm。

5.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于0.5％。

6.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的全部区域设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的全部区域均形成有第二凸起结构。

7.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的至少部分区域形成多个连续的凸起结构。

8.根据权利要求7所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层靠近所述第一电阻层的一侧的全部区域设置有多个连续的第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的全部区域均形成多个连续的凸起结构。

9.根据权利要求7所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的全部区域均形成连续的第二凸起结构，以使所述第一电阻层形成连续的波浪起伏结构。

10.根据权利要求1-9任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于20％。

11.根据权利要求1-9任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于50％。

12.根据权利要求1-9任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述介质层的一侧和远离所述介质层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于200％。

13.根据权利要求1-9任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，所述第二电阻层位于所述介质层与所述第二导电层之间。

14.根据权利要求1-9任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层的材质包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

15.根据权利要求14所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层为单层结构或至少两层结构。

16.一种线路板，其特征在于，包括如权利要求1-15任一所述的复合金属箔。

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