CN214205944U - 一种复合金属箔及线路板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种复合金属箔及线路板，复合金属箔包括：第一导电层和第一电阻层，第一电阻层形成在第一导电层的一侧，第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域均设置有凸起结构。凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

Description

一种复合金属箔及线路板

技术领域

本实用新型涉及复合金属箔技术领域，尤其涉及一种复合金属箔及线路板。

背景技术

随着无线通讯和电子设备的高速发展，电子设备朝着精密化、小型化和轻薄化演化，因此，要求电子设备内部的元器件的尺寸要尽可能的向小型化、轻薄化发展。

电子设备内部的电阻元件由之前的带针脚的插接电阻，到贴片电阻，再到埋入式电阻，逐渐向轻薄化发展。埋入式电阻的制备过程大致如下：将复合金属箔贴附电路板上，通过刻蚀工艺刻蚀出埋入式电阻。

埋入式电阻的应用终端电子产品内部的电路板上集成有众多埋入式电阻，而电路对静电高压相当敏感，当带静电的人或物体接触到这些埋入式电阻时，会产生静电释放，当静电高压冲击电路后，容易被静电高压击穿，从而使得埋入式电阻功能失效。

实用新型内容

本实用新型实施例的一个目的在于：提供复合金属箔，能够提高第一电阻层的载流量，进而提高第一电阻层的耐ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)性能，进而提高埋入式电阻的抗静电击穿性能。

本实用新型实施例的再一个目的在于：提供一种线路板，包括本实用新型实施例提供的复合金属箔。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

第一方面，本实用新型实施例提供了一种复合金属箔，包括：第一导电层和第一电阻层；

所述第一电阻层设置在所述第一导电层的一侧；

所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域均设置有凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的全部区域均设置有凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的全部区域均设置有多个连续的凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围为大于或等于20％。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围为大于或等于50％。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围为大于或等于200％。

可选的，复合金属箔还包括至少一层介质层，所述介质层设置在所述第一电阻层远离所述第一导电层的一侧。

可选的，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，所述第二电阻层位于所述介质层与所述第二导电层之间。

可选的，所述第一导电层靠近所述第一电阻层的一侧的至少部分区域形成有凹凸表面，以使所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域均形成凸起结构。

可选的，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的全部区域均设置连续的凸起结构，以使所述第一电阻层形成连续的波浪起伏结构。

可选的，所述第一电阻层的材质包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或镍铬合金、镍磷合金或铬硅合金。

可选的，所述第一电阻层为单层结构或至少两层结构。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种线路板，包括本实用新型第一方面提供的复合金属箔。

本实用新型实施例提供的复合金属箔，包括第一导电层和第一电阻层，第一电阻层设置在第一导电层的一侧，第一电阻层靠近第一导电层的一侧及远离第一导电层的一侧的至少部分区域均设置有凸起结构。凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。

附图说明

下面根据附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

图1A为本实用新型实施例提供的一种复合金属箔的结构示意图；

图1B为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图2A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图2B为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图2C为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图4A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图4B为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；

图5A为本实用新型实施例提供的一种复合金属箔的制备方法的流程图；

图5B为本实用新型实施例提供的在载体层形成第一导电层的示意图；

图5C为本实用新型实施例提供的在第一导电层远离载体层的一侧形成凹凸表面的示意图；

图5D为本实用新型实施例提供的在第一导电层上形成第一电阻层的示意图；

图5E为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成介质层的示意图；

图6A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的制备方法的流程图；

图6B为本实用新型实施例提供的在载体层形成第一电阻层的示意图；

图6C为本实用新型实施例提供的在第一电阻层远离载体层的一侧形成凸起结构的示意图；

图6D为本实用新型实施例提供的在第一电阻层形成第一导电层的示意图；

图6E为本实用新型实施例提供的剥离载体后的示意图；

图6F为本实用新型实施例提供的在第一电阻层远离载体的一侧形成凸起结构的示意图；

图6G为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成介质层的示意图；

图7A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的制备方法的流程图；

图7B为本实用新型实施例提供的在载体层上形成第一电阻层的示意图；

图7C为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成第一导电层的示意图；

图7D为本实用新型实施例提供的剥离载体后的示意图；

图7E为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成介质层的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

图1A为本实用新型实施例提供的一种复合金属箔的结构示意图，图1B为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图1A和图1B所示，本实施例中，复合金属箔包括第一导电层110和第一电阻层120。

具体的，第一导电层110具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或金、银、铜、铝中至少两种的合金等。在本实用新型其他实施例中，第一导电层110也可以是其他具有良好导电性能的非金属层，本实用新型实施例对第一导电层的材质不做限定，只要具有良好导电性能即可。第一导电层110的厚度范围为2μm-18μm。

第一电阻层120为复合金属箔的关键功能层，用于实现埋入式电阻的电阻功能。通常第一电阻层120可以根据不同功能的需要而选用不同的材料，进而具有不同的电阻特性。第一电阻层120的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，也可以是具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)，本实用新型实施例在此不做限定。第一电阻层120作为埋入式电阻中第一电阻层的前驱体，换句话说，埋入式电阻中的第一电阻层是通过刻蚀等工艺去除部分第一电阻层120而得到的。第一电阻层120的厚度范围为0.01μm-0.2μm。需要说明的是，本实用新型实施例中的高电阻率和低电阻率是针对第一电阻层本身而言的，并非针对第一导电层。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层120为单层结构或至少两层结构。示例性的，单层结构可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成的单层结构，也可为镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金组成的单层结构。至少两层结构中的任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

第一电阻层120设置在第一导电层110的一侧，具体的，在本实用新型其中一实施例中，可预先制备第一导电层110，然后可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式将第一电阻层120形成在第一导电层110的一侧。在本实用新型另一实施例中，可以预先制备第一电阻层120，然后可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式将第一导电层110形成在第一电阻层120的一侧。本实用新型实施例对第一导电层110和第一电阻层120形成的顺序不做限定。

第一电阻层120靠近第一导电层的一侧及远离第一导电层的一侧的至少部分区域均设置有凸起结构121，使得第一电阻层120的两侧的至少部分区域均具有粗糙的表面。

经发明人研究发现，埋入式电阻中第一电阻层的截面积会影响耐ESD性能。当第一电阻层的截面积越大，第一电阻层的载流量就越大，耐ESD性能也就越好。为了提高埋入式电阻的耐ESD性能，可以增大第一电阻层的截面积。

本实用新型实施例通过在第一电阻层120的两侧的至少部分区域均形成若干凸起结构121，使得第一电阻层120的两侧的至少部分区域具有粗糙的表面。凸起结构121的存在，增大了第一电阻层120的截面积，提高了第一电阻层120的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

本实用新型实施例提供的复合金属箔，包括第一导电层和第一电阻层，第一电阻层设置在第一导电层的一侧，第一电阻层靠近第一导电层的一侧及远离第一导电层的一侧的至少部分区域均设置有凸起结构。凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。

在本实用新型实施例中，第一电阻层120的两侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。粗糙度Rz和粗糙度Sdr用于表征第一电阻层120表面的微观不平整度，具体的，通常将取样长度内五个最大的轮廓峰高的平均值与五个最大的轮廓谷深的平均值之和作为粗糙度Rz。粗糙度Sdr为定义区域的扩展面积(表面积)表示相对于定义区域的面积增大了多少，其中，完全平坦的表面的粗糙度Sdr为零。需要说明的是，在本实用新型实施例中，第一电阻层120两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层120两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本实用新型实施例在此不做限定。需要说明的是，本实施例及后续实施例中，粗糙度的测试标准为ISO25178标准。

进一步地，在本实用新型的一些实施例中，为了进一步提高第一电阻层的耐ESD性能，第一电阻层120两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层120两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

表1为对不同的粗糙度Rz的第一电阻层进行耐ESD测试得到测试结果，测试方式为：在其他条件一定的情况下，采用正向的测试静电电压施加在具有一定粗糙度的第一电阻层上，施加三次，每次间隔时间10秒，然后采用反向的测试静电电压施加在第一电阻层上，施加三次，每次间隔时间10秒。逐步提高测试静电电压，将击穿第一电阻层的测试静电电压作为该第一电阻层的耐静电释放电压。

表1

如表1所示，不同的粗糙度Rz具有不同的耐静电释放电压，也就是说，通过在第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域设置凸起结构，调整第一电阻层的粗糙度Rz，可以提高第一电阻层的耐静电释放电压。

表2为对具有不同的粗糙度Sdr的第一电阻层进行耐ESD测试得到的测试结果，测试方式同前。

表2

Sdr(％)	耐静电释放电压(KV)
		0.5	0.53
10	0.76
		70	1.45
100	2.18
		500	3.07
1000	4.11
		8000	4.3

如表2所示，不同的粗糙度Sdr具有不同的耐静电释放电压，也就是说，通过在第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域设置凸起结构，调整第一电阻层的粗糙度Sdr，可以提高第一电阻层的耐静电释放电压。

本实用新型的实施例中，凸起结构121的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，例如，凸起结构121的形状可为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状、弧状中的一种或多种，本实用新型实施例在此不做限定。

进一步地，为进一步提高第一电阻层120的耐ESD性能(也即，耐静电释放电压性能)，在第一电阻层120两侧的至少部分区域设置的凸起结构121是连续设置的。示例性的，如图1A所示，凸起结构121的形状为树枝状，同时凸起结构121在第一电阻层120的至少部分区域上连续分布；又或者如图1B所示，凸起结构121的形状为弧状，凸起结构121在第一电阻层120的至少部分区域连续分布，以在第一电阻层120两侧形成类似于“正弦线”形状的结构。此外，在本实用新型的另一些实施例中，凸起结构可以包括在第一电阻层两侧形成连续起伏表面，以及在起伏表面上形成的多个凸部，本实用新型实施例在此不做限定。另外，在本实用新型的又一些实施例中，凸起结构121在第一电阻层120两侧的至少部分区域也可是不连续分布的，本实用新型实施例在此不做限定。

在本实用新型的一些实施例中，如图1A和图1B所示，复合金属箔还可以包括至少一层介质层130，介质层130设置在第一电阻层120远离第一导电层110的一侧。介质层130的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)、改性聚酰亚胺、玻纤布、玻纤布复合材料、纸基板、复合基板、HDI板材、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙、二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯等，用于保护第一电阻层120，避免第一电阻层120受到来自外界的力而损伤。具体地，介质层130可以是单层结构也可以是至少两层结构，当是至少两层结构的时候，每一层的选用材质可以相同也可以不同。

进一步的，介质层可以为单层或至少两层，在本实用新型一具体实施例中，介质层130为两层结构，介质层330的两层结构均可以有同一种材料制备，例如聚酰亚胺，也可以由两种不同的材料制备，例如一层树脂胶，一层聚酰亚胺，但是，无论是哪一种结构，为了符合一些特定的要求，均可选择在靠近第一电阻层320的介质层内设置有填料，从而提高介质层与其相邻层的结合力，或者一些功能性填料，例如导热性填料，以能够将产生于电阻层上的热量通过导热性填料导出去，有效保证因静电冲击产生的热量能够快速导出，提高第一电阻层的耐ESD性能，进而有效提高埋入式电阻器件的抗静电击穿能力。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层120是在介质层130上形成的，可以在靠近第一电阻层120的子层的部分区域内设置填料，使得介质层130具有凹凸的表面，从而当第一电阻层120在该凹凸的表面形成时，第一电阻层120的两侧的至少部分区域可依据介质层130的凹凸表面形成凸起结构121。

具体的，填料使得介质层130靠近第一电阻层120的粗糙度的范围为0.1μm-30μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层120是在第一导电层110上形成的。可以预先对第一导电层110进行处理，在第一导电层110的表面的至少部分区域形成凹凸表面，从而第一电阻层120在该凹凸表面形成时，可依据该第一导电层110的凹凸表面在第一电阻层120的两侧的至少部分区域对应的形成凸起结构121。

图2A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，图2B为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，图2C为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图2A、图2B和图2C所示，本实施例中，复合金属箔包括第一导电层210和第一电阻层220。

具体的，第一导电层210具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或金、银、铜、铝中至少两种的合金等。第一电阻层220为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层220的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，或具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)。在本实用新型一具体实施例中，第一电阻层220的材料为镍铬合金。在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层220可以为单层结构或至少两层结构。示例性的，单层结构可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成的单层结构，也可为镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金组成的单层结构。至少两层结构中的任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

第一电阻层的两侧的全部区域均设置有凸起结构，示例性的，如图2A、图2B和图2C所示，第一电阻层的两侧的全部区域均设置有凸起结构221，使得第一电阻层220两侧均形成粗糙表面。由于第一电阻层220两侧的整面均设置有凸起结构221，相对于部分区域设置凸起结构221，进一步增大了第一电阻层220的截面积，提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

具体的，第一电阻层220的两侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。需要说明的是，在本实用新型实施例中，第一电阻层220两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层220两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本实用新型实施例在此不做限定。优选的，第一电阻层220两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层220两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

本实用新型的实施例中，凸起结构的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本实用新型实施例在此不做限定。在一些示例中，凸起结构可以在第一电阻层两侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层两侧形成较规则的“正弦线”形状，又或者凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状、弧状中的一种或多种。

在本实用新型实施例中，如图2C所示，为更进一步提高第一电阻层220的耐ESD性能，在第一电阻层220两侧的全部区域设置的凸起结构221为连续设置的，也就是说在第一电阻层220的两个侧面连续的设置凸起结构221，以进一步提高第一电阻层220的截面积，提高第一电阻层220的耐ESD性能，进而提高埋入式电阻的抗静电击穿能力。

进一步地，若凸起结构221的粗糙度高度参数Rz设置的太高，则在应用时，凸起结构221易受到外力作用而断裂，进而影响第一电阻层220的耐ESD性能，因此，设置第一电阻层220的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，且第一电阻层220的粗糙度Sdr的范围为大于或等于20％。通过限定第一电阻层220的粗糙度高度参数Rz为0.1μm-10μm以及表面积相对于定义区域面积的增加量参数Sdr的范围为≥20％，以在凸起结构221一定的高度范围内，在第一电阻层220两侧的全部区域获得连续且紧密排列的凸起结构221(该全部区域连续且紧密排列的凸起结构类似于“绒毛”结构)，从而在粗糙度的高度参数Rz一定的情况下，也就是说，确保凸起结构221不会因受到外力作用而断裂的情况下，获得具有较大横截面的第一电阻层220，进而提高第一电阻层220的耐ESD性能，有效确保埋入式电阻具有较强的抗静电击穿能力。

优选地，第一电阻层220的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，且第一电阻层220的粗糙度Sdr的范围为大于或等于50％。通过限定第一电阻层220的粗糙度高度参数Rz为0.1μm-10μm以及表面积相对于定义区域面积的增加量参数Sdr的范围为≥50％，以在凸起结构221一定的高度范围内，在第一电阻层220两侧的全部区域获得连续且较紧密排列的凸起结构221，也就是说，获得比粗糙度Sdr的范围为≥20％更紧密排列的凸起结构，从而进一步增大第一电阻层的横截面，进一步提高第一电阻层的耐ESD性能，有效确保埋入式电阻具有较强的抗静电击穿能力。

更优选地，第一电阻层220的粗糙度Rz的范围为0.1μm-10μm，且第一电阻层220的粗糙度Sdr的范围为大于或等于200％，从而更进一步增大第一电阻层的横截面，更进一步提高第一电阻层的耐ESD性能，有效确保埋入式电阻具有优异的抗静电击穿能力。

在本实用新型的一些实施例中，如图2A、图2B和图2C所示，复合金属箔还可以包括介质层230，介质层230设置在第一电阻层220远离第一导电层210的一侧。介质层230的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)等，用于保护第一电阻层220，避免第一电阻层220受到来自外界的力而损伤。

进一步的，介质层可以是单层或多层结构，在本实用新型一具体实施例中，介质层230为两层结构，介质层230的两层结构均可以有同一种材料制备，例如聚酰亚胺，也可以由两种不同的材料制备，例如一层树脂胶，一层聚酰亚胺，此外，为了符合一些特定的要求，均可选择在靠近第一电阻层220的介质层内设置有填料，从而提高介质层与其相邻层的结合力，或者一些功能性填料，例如导热性填料，以能够将产生于电阻层上的热量通过导热性填料导出去，有效保证因静电冲击产生的热量能够快速导出，提高第一电阻层的耐ESD性能，进而有效提高埋入式电阻器件的抗静电击穿能力。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层220是在介质层230上形成的，可以在靠近第一电阻层220的子层内设置填料，使得介质层230具有凹凸的表面，从而当第一电阻层220在该凹凸的表面形成时，可依据该介质层230的凹凸表面在第一电阻层220的两侧形成凸起结构221。

具体的，填料使得介质层230靠近第一电阻层220的粗糙度的范围为0.1μm-20μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层220是在第一导电层210上形成的。可以预先对第一导电层210进行处理，在第一导电层210的表面形成凹凸表面，从而当第一电阻层220在该凹凸表面形成时，可依据该第一导电层210的凹凸表面在第一电阻层220的两侧形成凸起结构221。

图3为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图3所示，本实施例中，复合金属箔包括第一导电层310和第一电阻层320。

具体的，第一导电层310具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。第一电阻层320为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层320的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，或具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)。在本实用新型一具体实施例中，第一电阻层320的材料为镍铬合金。在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层320可以为单层结构或至少两层结构。示例性的，单层结构可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成的单层结构，也可为镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金组成的单层结构。至少两层结构中的任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

第一电阻层的全部区域均设置有凸起结构，示例性的，如图3所示，第一电阻层的两侧的全部区域均设置有连续的凸起结构321，连续凸起结构321使得第一电阻层320形成连续的波浪起伏结构。由于第一电阻层320两侧的整面均设置有凸起结构321，相对于部分区域设置凸起结构321，进一步增大了第一电阻层320的截面积，提高了埋入式电阻的抗静电击穿能力。

具体的，第一电阻层320的两侧的的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。需要说明的是，在本实用新型实施例中，第一电阻层320两侧的粗糙度Rz可以相同，也可以不相同，第一电阻层320两侧的粗糙度Sdr可以相同，也可以不相同，本实用新型实施例在此不做限定。优选的，第一电阻层320两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层320两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

在本实用新型的一些实施例中，如图3所示，复合金属箔还可以包括介质层330，介质层330设置在第一电阻层320远离第一导电层310的一侧。介质层330的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)等，用于保护第一电阻层320，避免第一电阻层320受到来自外界的力而损伤。

进一步的，介质层可以为单层或至少两层，在本实用新型一具体实施例中，介质层330为两层结构，介质层330的两层结构均可以有同一种材料制备，例如聚酰亚胺，也可以由两种不同的材料制备，例如一层树脂胶，一层聚酰亚胺，但是，无论是哪一种结构，为了符合一些特定的要求，均可选择在靠近第一电阻层320的介质层内设置有填料，从而提高介质层与其相邻层的结合力，或者一些功能性填料，例如导热性填料，以能够将产生于电阻层上的热量通过导热性填料导出去，有效保证因静电冲击产生的热量能够快速导出，提高第一电阻层的耐ESD性能，进而有效提高埋入式电阻器件的抗静电击穿能力。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层320是在介质层330上形成的，可以在靠近第一电阻层320的子层内设置填料，使得介质层330具有波浪起伏的表面，从而使得第一电阻层320可依据介质层330的波浪起伏表面而形成波浪起伏结构。

具体的，填料使得介质层330靠近第一电阻层320的粗糙度的范围为0.1μm-20μm，粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％。

在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层320是在第一导电层310上形成的。可以预先对第一导电层310进行处理，在第一导电层310具有波浪起伏的表面，从而使得第一电阻层320可依据第一导电层310的波浪起伏表面而形成波浪起伏结构。

进一步的，介质层远离第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，第二电阻层位于介质层与第二导电层之间。第二电阻层和第一电阻层的材料、用途均可以相同或不相同，同样的，第二导电层与第一导电层的材料、用途均可以相同或不相同。此外，第二电阻层的结构、参数与第一电阻的结构和参数可以相同，第二导电层的结构、参数与第一导电层的结构和参数也可以相同，在此就不再一一赘述。

图4A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，图4B为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图，如图4A和图4B所示，复合金属箔包括第一导电层410、第一电阻层420、介质层430、第二电阻层440和第二导电层450。第一电阻层420设置在第一导电层410的一侧，第一电阻层420两侧的全部区域均设置有凸起结构421，使得第一电阻层420两侧的整面形成粗糙表面。介质层430设置在第一电阻层420远离第一导电层410的一侧，且覆盖凸起结构421。第一导电层、第一电阻层和介质层的材料、凸起结构的形状以及第一电阻层两侧的粗糙度在前述实施例中已有详细记载，本实用新型实施例在此不再赘述。

第二电阻层440设置在介质层430远离第一电阻层420的一侧，第二导电层450设置在第二电阻层440远离介质层430的一侧。在本实用新型一具体实施例中，第二电阻层420和第一电阻层440的材料、用途均相同，同样的，第二导电层450与第一导电层410的材料、用途均相同。

第二电阻层440中的一侧或两侧可以是平整的表面，也可以如第一电阻层420类似，至少部分区域设置有凸起结构。示例性的，如图4A所示，第二电阻层440两侧为平整的表面；如图4B所示，第二电阻层440两侧的全部区域设置有凸起结构451，凸起结构451可以参考本实用新型前述实施例中记载的第一电阻层420上的凸起结构，本实用新型实施例在此不再赘述。

图5A为本实用新型实施例提供的一种复合金属箔的制备方法的流程图，如图5A所示，该方法包括：

S501、提供载体层。

具体的，载体层可以是聚乙酰胺基板、树脂基板或玻璃基板，载体层应具有平整的表面，避免载体层的表面不平整影响后续形成在载体层上的第一导电层的粗糙度。

S502、在载体层的一侧形成第一导电层。

具体的，第一导电层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在载体层的一侧。第一导电层具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。

图5B为本实用新型实施例提供的在载体层形成第一导电层的示意图，如图5B所示，第一导电层510形成在载体层540的一侧。

在另一种实施例中，可以不采用载体层，直接选用成型的第一导电层。

S503、在第一导电层远离载体层的一侧的至少部分区域形成凹凸表面。

具体的，可以对第一导电层远离载体层的一侧进行粗化处理，经粗化处理后，在第一导电层远离载体层的一侧的至少部分区域形成凹凸表面。其中，对粗化处理的工艺包括但不限于化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺。

图5C为本实用新型实施例提供的在第一导电层远离载体层的一侧形成凹凸表面的示意图，如图5C所示，第一导电层510远离载体层540的一侧的全部区域形成凹凸表面。

需要说明的是，上述凹凸表面的凸起形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本实用新型实施例在此不做限定。在一些示例中，凸起表面可以在第一电阻层一侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层一侧形成较规则的正弦线形状，又或者凸起的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状、弧状中的一种或多种。

S504、在第一导电层远离载体层的一侧形成第一电阻层。

具体的，第一电阻层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在第一导电层远离载体层的一侧。第一电阻层为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，也可以是具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)，本实用新型实施例在此不做限定。在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层可以为单层结构或至少两层结构。任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

由于第一导电层已经形成有凹凸表面，因此以第一导电层为基底，在第一导电层上形成的第一电阻层会顺应形成凸起结构。其中，当第一导电层的一侧的全部区域形成凹凸表面，则第一电阻层的两侧的全部区域分布形成凸起结构，凸起结构包括使得第一电阻层形成连续的波浪起伏表面这一情况。

图5D为本实用新型实施例提供的在第一导电层上形成第一电阻层的示意图，如图5D所示，第一电阻层520形成在第一导电层510远离载体层540的一侧。第一导电层510远离载体层540的一侧形成凹凸表面，从而使得第一电阻层520两侧可依据该凹凸的表面形成凸起结构521，进而使得第一电阻层520两侧具有粗糙表面。本实用新型的实施例中，凸起结构521的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本实用新型实施例在此不做限定。在一些示例中，凸起结构可以在第一电阻层两侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层两侧形成较规则的正弦线形状，又或者凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种。

具体的，第一电阻层520两侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。优选的，第一电阻层520两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层520两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

进一步的，可以在第一电阻层远离第一导电层的一侧形成介质层。

具体的，介质层形成在第一电阻层远离第一导电层的一侧。介质层的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)等具有一定缓冲吸震功能材料，用于保护第一电阻层，避免第一电阻层受到来自外界的力而损伤。具体的，可以将介质层的前驱液通过喷涂或涂布等方式形成在第一电阻层远离第一导电层的一侧，得到介质层。

图5E为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成介质层的示意图，示例性的，如图5E所示，介质层530形成在第一电阻层520远离第一导电层510的一侧。

进一步的，介质层可以是单层结构也可以是至少两层结构。示例性的，介质层为两层结构，且介质层的两层结构均可以由同一种材料制备，例如聚酰亚胺，也可以由两种不同的材料制备，例如一层树脂胶，一层聚酰亚胺，此外，为了符合一些特定的要求，均可选择在靠近第一电阻层的那层介质层内设置填料从而提高介质层与其相邻层的结合力，或者一些功能性填料，例如导热性填料，以能够将产生于电阻层上的热量通过导热性填料导出去，有效保证因静电冲击产生的热量能够快速导出，提高第一电阻层的耐ESD性能，进而有效提高埋入式电阻器件的抗静电击穿能力。

进一步的，上述方法还包括：剥离载体层。

具体的，载体层与第一导电层之间应具有适当的剥离强度，使得载体层能够从第一导电层上剥离下来。

进一步的，介质层远离第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，第二电阻层位于介质层与第二导电层之间。第二电阻层和第一电阻层的材料、用途均可以相同或不相同，同样的，第二导电层与第一导电层的材料、用途均可以相同或不相同。

本实用新型实施例提供的复合金属箔的制备方法，包括：提供载体层，在载体层的一侧形成第一导电层，在第一导电层远离载体层的一侧的至少部分区域形成凹凸表面，在第一导电层远离载体层的一侧形成第一电阻层，以在第一电阻层两侧的至少部分区域形成凸起结构，在第一电阻层远离第一导电层的一侧形成介质层，最后剥离载体层。通过上述方法，在第一电阻层两侧均形成凸起结构。凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，进而提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。

图6A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的制备方法的流程图，如图6A所示，该方法包括：

S601、提供载体层。

具体的，载体层可以是聚乙酰胺基板、树脂基板或玻璃基板，载体层应具有平整的表面，避免载体层的表面不平整影响后续形成在载体层上的第一导电层的粗糙度。

S602、在载体层的一侧形成第一电阻层。

具体的，第一电阻层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在载体层的一侧。第一电阻层为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。通常电阻可以根据不同功能的需要而选用不同的材料，进而具有不同的电阻特性。例如，第一电阻层的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金，例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，或具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)，本实用新型实施例在此不做限定。在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层可以为单层结构或至少两层结构。任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

图6B为本实用新型实施例提供的在载体层形成第一电阻层的示意图，如图6B所示，第一电阻层620形成在载体层540的一侧。

S603、在第一电阻层远离载体层的一侧的至少部分区域形成凸起结构。

具体的，可以对第一电阻层远离载体层的一侧进行粗化处理，经粗化处理后，在第一电阻层远离载体层的一侧的至少部分区域形成凸起结构，使得第一电阻层远离载体层的一侧的至少部分区域具有粗糙表面。其中，粗化处理的工艺包括但不限于化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺。

图6C为本实用新型实施例提供的在第一电阻层远离载体层的一侧形成凸起结构的示意图，如图6C所示，经粗化处理后，第一电阻层620远离载体层540的一侧的全部区域形成凸起结构使得第一电阻层620远离载体层640的一侧具有粗糙表面。

本实用新型的实施例中，凸起结构的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本实用新型实施例在此不做限定。在一些示例中，凸起结构可以在第一电阻层一侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层一侧形成较规则的“正弦线”形状，又或者凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种。

具体的，第一电阻层620远离载体层640的一侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。优选的，第一电阻层620远离载体层640的一侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层620远离载体层640的一侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

S604、在第一电阻层远离载体层的一侧形成第一导电层。

具体的，第一导电层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在第一电阻层远离载体层的一侧。第一导电层可以具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。

图6D为本实用新型实施例提供的在第一电阻层形成第一导电层的示意图，如图6D所示，第一导电层610形成在第一电阻层620远离载体640的一侧。

S605、剥离载体层。

具体的，载体与第一电阻层之间应具有适当的剥离强度，使得载体能够从第一电阻层上剥离下来。

图6E为本实用新型实施例提供的剥离载体后的示意图，如图6E所示，剥离载体后，余下的层叠结构包括第一电阻层620和第一导电层610，第一电阻层620靠近第一导电层610的一侧形成凸起结构621。

S606、在第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域形成凸起结构。

具体的，可以对第一电阻层远离第一导电层的一侧进行粗化处理，经粗化处理后，在第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域形成凸起结构，使得第一电阻层远离第一导电层的一侧的至少部分区域具有粗糙表面。如此，在第一电阻层两侧均形成凸起结构。其中，粗化处理的工艺包括但不限于化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺。

图6F为本实用新型实施例提供的在第一电阻层远离载体的一侧形成凸起结构的示意图，如图6F所示，在第一电阻层620远离第一导电层610的一侧的全部区域形成凸起结构622，使得第一电阻层620远离载体层640的一侧具有粗糙表面。

本实用新型的实施例中，凸起结构的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本实用新型实施例在此不做限定。在一些示例中，凸起结构可以在第一电阻层一侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层一侧形成较规则的“正弦线”形状，又或者凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种。

具体的，第一电阻层620远离第一导电层610的一侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。优选的，第一电阻层620远离第一导电层610的一侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层620远离第一导电层610的一侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

进一步的，可以在第一电阻层远离第一导电层的一侧形成介质层。

具体的，介质层形成在第一电阻层远离第一导电层的一侧。介质层的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)等具有一定缓冲吸震功能材料，用于保护第一电阻层，避免第一电阻层受到来自外界的力而损伤。具体的，可以将介质层的前驱液通过喷涂或涂布等方式形成在第一电阻层远离第一导电层的一侧，得到介质层。

图6G为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成介质层的示意图，示例性的，如图6G所示，介质层630形成在第一电阻层620远离第一导电层610的一侧。

进一步的，介质层可以是单层结构也可以是至少两层结构。示例性的，介质层为两层结构，且介质层的两层结构均可以由同一种材料制备，例如聚酰亚胺，也可以由两种不同的材料制备，例如一层树脂胶，一层聚酰亚胺，但是，无论是哪一种结构，为了符合一些特定的要求，均可选择在靠近第一电阻层的那层介质层内设置填料从而提高介质层与其相邻层的结合力，或者一些功能性填料，例如导热性填料，以能够将产生于电阻层上的热量通过导热性填料导出去，有效保证因静电冲击产生的热量能够快速导出，提高第一电阻层的耐ESD性能，进而有效提高埋入式电阻器件的抗静电击穿能力。

进一步的，介质层远离第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，第二电阻层位于介质层与第二导电层之间。第二电阻层和第一电阻层的材料、用途均可以相同或不相同，同样的，第二导电层与第一导电层的材料、用途均可以相同或不相同。

图7A为本实用新型实施例提供的另一种复合金属箔的制备方法的流程图，如图7A所示，该方法包括：

S701、提供载体层，载体层的一侧表面具有粗糙表面。

具体的，载体层可以是聚乙酰胺基板、树脂基板或玻璃基板，载体层的一个侧面具有凹凸不平的粗糙表面。

S702、在载体层的粗糙表面形成第一电阻层。

具体的，第一电阻层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在载体层的粗糙表面上。第一电阻层为复合金属箔的关键功能层，用于实现复合金属箔的电阻功能。第一电阻层的材料可以包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或包括镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。例如，具有低电阻率的镍铬合金(NiCr)或镍磷合金(NiP)，也可以是具有高电阻率的铬硅合金(CrSi)，本实用新型实施例在此不做限定。在本实用新型的一些实施例中，第一电阻层可以为单层结构或至少两层结构。任一层可以是镍、铬、铂、钯、钛中的任意一种金属组成单质金属，也可以是镍、铬、铂、钯、钛、硅、磷、铝中至少两种组合的合金。

由于载体层已经形成有凹凸表面，因此以载体层为基底，而第一电阻层很薄，在载体层上形成的第一电阻层会顺应形成凸起结构。其中，当载体层的一侧的全部区域形成凹凸表面，则第一电阻层的两侧的全部区域分布形成凸起结构，凸起结构包括使得第一电阻层形成连续的波浪起伏表面这一情况。

图7B为本实用新型实施例提供的在载体层上形成第一电阻层的示意图，如图7B所示，第一电阻层720形成在载体层740的粗糙表面上。载体层740的一侧形成凹凸表面，第一电阻层720在该凹凸的表面形成时，由于第一电阻层720较薄，因此，第一电阻层720的两侧会形成凸起结构721，使得第一电阻层720两侧具有粗糙表面。本实用新型的实施例中，凸起结构721的形状根据实际需要可具有多样性，可为规则的或不规则的立体几何形状，本实用新型实施例在此不做限定。在一些示例中，凸起结构可以在第一电阻层两侧形成连续起伏表面，也可以是在第一电阻层两侧形成较规则的正弦线形状，又或者凸起结构的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种。示例性的，如图7B所示，载体层740的一侧包括若干连续的波浪起伏的表面，因此，得到的第一电阻层720包括若干连续的波浪起伏结构，使得第一电阻层的两侧均形成凸起结构521。

具体的，第一电阻层720两侧的粗糙度Rz的范围为大于或等于0.1μm，粗糙度Sdr的范围为大于或等于0.5％。优选的，第一电阻层720两侧的粗糙度Rz的范围为0.1μm-30μm，包括0.1μm和30μm，且第一电阻层720两侧的粗糙度Rz取值还可为1μm、5μm、8μm、9μm、10μm、15μm、20μm等。粗糙度Sdr的范围为0.5％-8000％，包括0.5％和8000％，且粗糙度Sdr的取值还可为1％、5％、12％、20％、50％、80％、100％、200％、500％、800％、1500％、2000％、2500％、3000％、3500％、4000％、4500％、5000％、5500％、6000％、6500％、7000％、7500％等。

S703、在第一电阻层远离载体层的一侧形成第一导电层。

具体的，第一导电层可以通过物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀等方式形成在第一电阻层远离载体的一侧。第一导电层可以具有良好导电性能，该金属层的材质可以是金、银、铜或铝，或其中至少两种的合金等。

图7C为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成第一导电层的示意图，如图7C所示，第一导电层710形成在第一电阻层720远离载体640的一侧。

进一步的，上述方法还包括：剥离载体层。

具体的，载体层与第一电阻层之间应具有适当的剥离强度，使得载体层能够从第一电阻层上剥离下来。

图7D为本实用新型实施例提供的剥离载体后的示意图，如图7D所示，剥离载体后，余下的层叠结构包括第一电阻层720和第一导电层710，第一电阻层720两侧均形成凸起结构721。

进一步的，可以在第一电阻层远离第一导电层的一侧形成介质层。

具体的，介质层形成在第一电阻层远离第一导电层的一侧。介质层的材质可以是树脂胶、聚酰亚胺(PI)等具有一定缓冲吸震功能材料，用于保护第一电阻层，避免第一电阻层受到来自外界的力而损伤。具体的，可以将介质层的前驱液通过喷涂或涂布等方式形成在第一电阻层远离第一导电层的一侧，得到介质层。

图7E为本实用新型实施例提供的在第一电阻层上形成介质层的示意图，示例性的，如图7E所示，介质层730形成在第一电阻层720远离第一导电层710的一侧。

进一步的，介质层可以是单层结构也可以是至少两层结构。示例性的，介质层为两层结构，且介质层的两层结构均可以由同一种材料制备，例如聚酰亚胺，也可以由两种不同的材料制备，例如一层树脂胶，一层聚酰亚胺，但是，无论是哪一种结构，为了符合一些特定的要求，均可选择在靠近第一电阻层的那层介质层内设置填料从而提高介质层与其相邻层的结合力，或者一些功能性填料，例如导热性填料，以能够将产生于电阻层上的热量通过导热性填料导出去，有效保证因静电冲击产生的热量能够快速导出，提高第一电阻层的耐ESD性能，进而有效提高埋入式电阻器件的抗静电击穿能力。

进一步的，介质层远离第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，第二电阻层位于介质层与第二导电层之间。第二电阻层和第一电阻层的材料、用途均可以相同或不相同，同样的，第二导电层与第一导电层的材料、用途均可以相同或不相同。

本实用新型实施例还提供了一种线路板，包括本实用新型上述任意实施例提供的复合金属箔。

本实用新型实施例提供的线路板，具有与本实用新型实施例提供的复合金属箔相应的功能和有益效果。

于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种复合金属箔，其特征在于，包括：第一导电层和第一电阻层；

所述第一电阻层设置在所述第一导电层的一侧；

所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域均设置有凸起结构。

2.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-30μm。

3.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于0.5％。

4.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的全部区域均设置有凸起结构。

5.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的凸起结构。

6.根据权利要求5所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的全部区域均设置有多个连续的凸起结构。

7.根据权利要求1或4或5或6所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于20％。

8.根据权利要求1或4或5或6所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于50％。

9.根据权利要求1或4或5或6所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm-10μm，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于200％。

10.根据权利要求1-6任一所述的复合金属箔，其特征在于，还包括至少一层介质层，所述介质层设置在所述第一电阻层远离所述第一导电层的一侧。

11.根据权利要求10所述的复合金属箔，其特征在于，所述介质层远离所述第一电阻层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，所述第二电阻层位于所述介质层与所述第二导电层之间。

12.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一导电层靠近所述第一电阻层的一侧的至少部分区域形成有凹凸表面，以使所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧的至少部分区域均形成所述凸起结构。

13.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述第一导电层的一侧及远离所述第一导电层的一侧全部区域均设置连续的凸起结构，以使所述第一电阻层形成连续的波浪起伏结构。

14.根据权利要求1-6任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层的材质为镍、铬、铂、钯、钛、镍铬合金、镍磷合金或铬硅合金。

15.根据权利要求14所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层为单层结构或至少两层结构。

16.一种线路板，其特征在于，包括如权利要求1-15任一所述的复合金属箔。

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