CN114520250A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114520250A
CN114520250A CN202111176937.0A CN202111176937A CN114520250A CN 114520250 A CN114520250 A CN 114520250A CN 202111176937 A CN202111176937 A CN 202111176937A CN 114520250 A CN114520250 A CN 114520250A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
conductive layer
display device
scan line
line pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111176937.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李基准
梁泰勳
李大荣
李仙花
表基贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114520250A publication Critical patent/CN114520250A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0267—Details of drivers for scan electrodes, other than drivers for liquid crystal, plasma or OLED displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2354/00—Aspects of interface with display user
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括基底和设置在基底上的像素层。像素层包括具有开口的电路元件层。电路元件层包括第一半导体层和第一导电层，第一导电层包括第一扫描线图案和发射控制线。第二导电层设置在第一导电层上，并且包括第一初始化线、第二扫描线图案和第三扫描线图案。第二半导体层设置在第二导电层上。第三导电层设置在第二半导体层上并且包括第四扫描线图案和第五扫描线图案。第一初始化线包括均在第一方向上延伸的第一部分和第二部分以及设置在第一部分与第二部分之间的第三部分。第三部分相对于第一方向倾斜地延伸。

Description

显示装置
本申请要求于2020年11月16日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0152879号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
给出的发明构思涉及一种显示装置。
背景技术
随着诸如智能电话或平板个人计算机(PC)的显示装置在越来越多种领域中使用，利用用户指纹等的生物识别信息认证方法已经越来越多地使用。指纹传感器可以嵌入显示装置中或附着到显示装置以提供指纹感测功能。
光敏型指纹传感器可以包括光源和光学传感器。光学传感器可以通过接收由用户的指纹产生的反射光来获取指纹信息。
同时，显示装置可以包括开口(诸如针孔)，开口(诸如针孔)用于控制由用户的指纹产生的反射光，使得反射光到达光学传感器。开口可以形成在其中设置有电路元件和线的电路元件层中，以使显示装置的厚度最小化。
然而，为了保持指纹感测功能的可靠性，需要确保开口的宽度(例如，面积)处于某一最小水平以上。
发明内容
给出的发明构思的实施例提供了一种充分地确保形成在电路元件层中的开口的宽度(例如，面积)的显示装置。
根据给出的发明构思的实施例，显示装置包括基底。像素层设置在基底上。像素层包括具有开口的电路元件层。电路元件层包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，第一导电层包括第一扫描线图案和发射控制线；第二导电层，设置在第一导电层上，第二导电层包括传输第一初始化电压的第一初始化线、第二扫描线图案和第三扫描线图案；第二半导体层，设置在第二导电层上；以及第三导电层，设置在第二半导体层上，第三导电层包括第四扫描线图案和第五扫描线图案。第一初始化线包括均基本上在第一方向上延伸的第一部分和第二部分以及直接设置在第一部分与第二部分之间并且相对于第一方向倾斜地延伸的第三部分。
在实施例中，第一部分、第二部分和第三部分可以一体地形成。
在实施例中，第二扫描线图案和第三扫描线图案可以在第一方向上延伸。
在实施例中，第一初始化线、第三扫描线图案和第二扫描线图案可以在与第一方向不同的第二方向上顺序地设置。
在实施例中，第一部分与第三扫描线图案之间的间隔可以比第二部分与第三扫描线图案之间的间隔小。
在实施例中，第二导电层还可以包括在第二方向上与第二扫描线图案间隔开的第一电力线。
在实施例中，第四扫描线图案和第五扫描线图案可以在第一方向上延伸，并且第五扫描线图案可以在第二方向上与第四扫描线图案间隔开。
在实施例中，第二扫描线图案和第四扫描线图案可以彼此叠置，并且可以被配置为传输相同的扫描信号。
在实施例中，第三扫描线图案和第五扫描线图案可以彼此叠置，并且可以传输相同的扫描信号。
在实施例中，第一扫描线图案和发射控制线可以形成为在第一方向上延伸，并且发射控制线可以在与第一方向不同的第二方向上与第一扫描线图案间隔开。
在实施例中，第一导电层还可以包括设置为与第一扫描线图案和发射控制线间隔开的岛电极，第二导电层还可以包括形成为在第一方向上延伸并且被配置为传输驱动电压的第一电力线，并且岛电极和第一电力线可以彼此叠置。
在实施例中，电路元件层还可以包括第四导电层，第四导电层设置在第三导电层上并且包括用于传输第二初始化电压的第二初始化线，并且第二初始化线可以形成为在第一方向上延伸并且可以包括在与第一方向不同的第二方向上突出的突起。
在实施例中，第二初始化线可以与第一部分叠置。
在实施例中，电路元件层还可以包括第五导电层，第五导电层设置在第四导电层上并且包括用于传输数据信号的数据线和用于传输驱动电压的第二电力线。
在实施例中，数据线和第二电力线可以在第二方向上延伸，并且可以在第一方向上彼此间隔开。
在实施例中，第一初始化线、第二初始化线、数据线和第二电力线可以不设置在开口中。
在实施例中，第一半导体层可以包括多晶硅半导体，并且第二半导体层可以包括氧化物半导体。
在实施例中，像素层还可以包括设置在电路元件层上的发光元件层。
在实施例中，显示装置还可以包括传感器层，传感器层包括光学传感器，其中，基底设置在传感器层上。
在实施例中，光学传感器可以被配置为通过检测从像素层发射并由用户的手指反射的光来检测用户的指纹。
根据给出的发明构思的实施例，显示装置包括具有基底的显示面板，基底包括显示区域和感测区域，显示区域包括多个像素，感测区域限定在显示区域的至少一局部部分中。像素层设置在显示区域中。像素层包括具有开口的电路元件层，开口具有由第一方向上的第一宽度和与第一方向交叉的第二方向上的第二宽度限定的第一区域。传感器层在感测区域中设置在显示面板上。传感器层包括被配置为感测用户指纹的光学传感器。电路元件层包括多个半导体层和多个导电层。多个导电层包括第一导电层和设置在第一导电层上的第二导电层，第一导电层包括传输第一初始化电压的第一初始化线。第二导电层包括电力线和数据线，电力线和数据线两者基本上在第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开第一距离。第一距离限定开口的第一宽度。第一初始化线包括均基本上在第一方向上延伸的第一部分和第二部分以及直接设置在第一部分与第二部分之间并且相对于第一方向和第二方向倾斜地延伸的第三部分。第一部分限定开口的第二宽度。第一区域具有允许由用户的手指反射的光透射通过开口的尺寸。
附图说明
图1和图2是示出根据给出的发明构思的实施例的显示装置的平面图。
图3A至图3E是示出根据给出的发明构思的实施例的像素和光学传感器的布置结构的平面图。
图4是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图5是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图6是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图7是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的剖视图。
图8是示出根据给出的发明构思的实施例的像素的电路图。
图9A至图9J是示出根据给出的发明构思的实施例的图8的像素的堆叠结构的布局图。
具体实施方式
虽然给出的发明构思涵盖各种修改和实施例，但是其某些实施例将在附图中通过示例的方式描述并示出。然而，应当理解的是，给出的发明构思不限于所公开的特定实施例，相反，给出的发明构思覆盖落入给出的发明构思的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
在描述附图时，同样的附图标记用于同样的元件。在附图中，为了清楚起见，可以夸大结构的尺寸。尽管这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅出于将一个元件与另一元件区分开的目的。例如，在不脱离给出的发明构思的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件，并且类似地，第一元件也可以被称为第二元件。除非另有说明，否则单数形式的表达是指包括多个元件。
将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或其变型或者“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
另外，在其中某个部件“连接”到其他部件的实施例中，其不仅可以包括该部件“直接连接”到所述其他部件的实施例，还可以包括其中该部件“连接”到所述其他部件且另一元件置于其间的实施例。
另外，当层、膜、区域或板被称为“在”另一层、另一膜、另一区域或另一板“上”或“下面”时，该层、该膜、该区域或该板可以“直接”或“间接”在所述另一层、所述另一膜、所述另一区域或所述另一板上，或者也可以存在一个或更多个中间层。当层、膜、区域或板被称为“直接在”另一元件(诸如另一层、另一膜、另一区域或另一板)“上”或“直接在”另一元件(诸如另一层、另一膜、另一区域或另一板)“下面”时，可以不存在中间元件。此外，在给出的发明构思中，当层、膜、区域、板等的一部分形成在另一部分上时，形成该部分所沿的方向不仅限于向上方向，并且包括横向方向或向下方向。相反，将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的元件被称为“在”另一元件“之下”时，该层、膜、区域或板可以直接在所述另一元件之下，或者也可以存在中间元件。
在下文中，将参照附图更详细地描述给出的发明构思的实施例。
图1和图2是示出根据给出的发明构思的实施例的显示装置的示意性平面图。更具体地，图1和图2是示出设置在根据给出的发明构思的实施例的显示装置1中的显示面板10和用于驱动显示面板10的驱动电路20的示意性平面图。为方便起见，在图1和图2中，分开地示出了显示面板10和驱动电路20。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，驱动电路20的全部或局部部分可以一体地实现在显示面板10中。
参照图1和图2的实施例，显示装置1可以包括显示面板10和用于驱动显示面板10的驱动电路20。
显示面板10可以包括显示区域AA和非显示区域NA。显示区域AA可以是其中设置有多个像素PX的区域，并且可以被称为有效区域。在实施例中，像素PX中的每个可以包括一个或更多个发光元件。显示装置1可以通过响应于从外部源输入的图像数据而驱动像素PX来在显示区域AA中显示图像。在实施例中，显示区域AA可以与由第一方向轴(例如，在第一方向DR1上延伸的轴)和第二方向轴(例如，在第二方向DR2上延伸的轴)限定的平面平行。虽然图1的实施例将第二方向DR2示出为与第一方向DR1垂直的不同方向，但是给出的发明构思的实施例不限于此，第二方向DR2可以与第一方向DR1以各种不同的角度交叉。作为显示装置1的厚度方向的与显示表面垂直的方向可以被定义为第三方向DR3。在实施例中，第三方向DR3可以与第一方向DR1和第二方向DR2垂直。
可以在第三方向DR3上区分下面将描述的显示装置1的每个构件或单元的前表面(例如，上表面)和后表面(例如，下表面)。然而，图1的实施例中示出的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3仅仅是示例，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以是相对概念，并且在一些实施例中可以是其他方向。
在给出的发明构思的各种实施例中，显示区域AA可以包括感测区域SA。感测区域SA可以包括设置在显示区域AA中的像素PX的至少一局部部分。
如图1的实施例中所示，显示区域AA的至少一局部部分可以包括感测区域SA。然而，如图2的实施例中所示，感测区域SA可以限定在整个显示区域AA中。
图1示出了其中仅一个感测区域SA形成在显示区域AA中的实施例。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，可以在显示区域AA中形成规则或不规则布置的多个感测区域SA。在该实施例中，多个感测区域SA可以具有相同的或不同的面积和形状。
另外，图1示出了其中感测区域SA形成在显示区域AA的至少一局部部分中的实施例。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，显示区域AA和感测区域SA可以设置为仅部分地彼此叠置。
非显示区域NA可以是设置在显示区域AA周围的区域，并且可以被称为非有效区域。根据给出的发明构思的实施例，非显示区域NA可以统称为显示面板10的除了显示区域AA之外的剩余区域。
在实施例中，非显示区域NA可以包括线区域、垫(pad，或称为“焊盘”)区域和各种虚设区域。
在实施例中，显示装置1还可以包括设置在感测区域SA中的多个光学传感器PHS。光学传感器PHS可以检测从光源发射的并被用户的手指反射的光，并且可以分析反射光以检测用户的指纹。在下文中，将利用其中光学传感器PHS用于检测指纹的示例来描述给出的发明构思。然而，光学传感器PHS可以用作触摸传感器、扫描仪等以执行各种其他功能。
在给出的发明构思的实施例中，光学传感器PHS可以设置在感测区域SA中。在该实施例中，光学传感器PHS可以与设置在感测区域SA中的像素PX的至少一局部部分或整个部分叠置，或者可以设置在像素PX周围。例如，光学传感器PHS的至少一局部部分或整个部分可以设置在像素PX之间。将参照图3A至图3E的实施例详细地描述光学传感器PHS与像素PX之间的布置关系。
当光学传感器PHS与像素PX相邻地设置时，光学传感器PHS可以使用设置在感测区域SA中或感测区域SA周围的至少一个像素PX中的发光元件作为光源。在该实施例中，光学传感器PHS可以与感测区域SA的像素PX(诸如设置在像素PX中的发光元件)一起构成光敏型指纹传感器。如上所述，当使用像素PX作为光源而没有单独的外部光源来构成嵌入有指纹传感器的显示装置时，可以减小光敏型指纹传感器和具有光敏型指纹传感器的显示装置的模块厚度，并且可以降低制造成本。
在实施例中，光学传感器PHS可以设置在显示面板10的两个表面之中的与其上显示图像的第二表面(诸如前表面)相对的第一表面(诸如后表面)上。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，光学传感器PHS可以设置在显示面板10的两个表面之中的其上显示图像的第二表面上。
驱动电路20可以驱动显示面板10。例如，在实施例中，驱动电路20可以将与图像数据对应的数据信号输出到显示面板10，或者可以输出用于光学传感器PHS的驱动信号并接收从光学传感器PHS接收的感测信号。接收感测信号的驱动电路20可以使用感测信号来检测用户的指纹的形状。
如图1的实施例中所示，驱动电路20可以包括面板驱动器21和指纹检测器22。为方便起见，在图1和图2中，分开地示出了面板驱动器21和指纹检测器22。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，指纹检测器22的至少一局部部分可以与面板驱动器21成一体，或者指纹检测器22可以操作为与面板驱动器21互相配合。
面板驱动器21可以通过顺序地扫描显示区域AA的像素PX来将与图像数据对应的数据信号供应到像素PX。因此，显示面板10可以显示与图像数据对应的图像。
在实施例中，面板驱动器21的组件中的至少一局部部分可以直接形成在显示面板10中。
在实施例中，面板驱动器21可以将用于感测指纹的驱动信号供应到像素PX。驱动信号可以供应到像素PX使得像素PX发光，以提供用于光学传感器PHS的光源。在该实施例中，可以将用于感测指纹的驱动信号供应到设置在显示面板10内的特定区域中的像素PX，诸如设置在感测区域SA中的像素PX。
用于感测指纹的驱动信号可以由指纹检测器22提供。指纹检测器22可以将用于驱动光学传感器PHS的驱动信号传输到光学传感器PHS，并且可以基于从光学传感器PHS接收的感测信号来检测用户指纹。
图3A至图3E是示出根据给出的发明构思的实施例的像素与光学传感器的布置结构的平面图。图3A至图3E示出了设置在感测区域SA中的至少一个像素PX和至少一个光学传感器PHS之间的相对尺寸、分辨率和布置关系的不同的实施例。
参照图3A的实施例，光学传感器PHS可以以与感测区域SA中的像素PX的分辨率(密度)相同的分辨率(密度)设置。例如，与像素PX的数量相同的数量的光学传感器PHS可以设置在感测区域SA中。在该实施例中，像素PX和光学传感器PHS的对形成一对一的对应关系。在图3A的实施例中，像素PX和光学传感器PHS被示出为设置为(例如，在第三方向DR3上)彼此叠置。然而，在实施例中，像素PX和光学传感器PHS可以设置为使得光学传感器PHS的至少一局部部分不与像素PX叠置，或者光学传感器PHS的至少一局部部分与像素PX仅部分地叠置。
在图3A的实施例中，光学传感器PHS被示出为具有比像素PX的尺寸小的尺寸(例如，在第一方向DR1和第二方向DR2上限定的平面中的面积)。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，光学传感器PHS可以具有大于或等于像素PX的尺寸的尺寸。图3C和图3D中示出了这样的实施例。
参照图3B至图3E的实施例，光学传感器PHS可以以比感测区域SA中的像素PX的分辨率低的分辨率设置。例如，可以在感测区域SA中设置比像素PX的数量小的数量的光学传感器PHS。图3B至图3E示出了其中每四个像素PX设置一个光学传感器PHS的示例。然而，给出的发明构思的实施例不限于此，与像素PX相比的低密度光学传感器PHS的数量可以变化。
在图3B和图3E的实施例中，光学传感器PHS可以具有比像素PX的尺寸小的尺寸。然而，如图3C和图3D的实施例中所示，光学传感器PHS可以具有比像素PX的尺寸大的尺寸。
当光学传感器PHS以比像素PX的分辨率低的分辨率设置时，光学传感器PHS的至少一局部部分可以设置为与像素PX叠置。例如，如图3B和图3C的实施例中所示，光学传感器PHS中的全部可以与像素PX的至少一局部部分或整个部分叠置。
如图3D的实施例中所示，光学传感器PHS可以设置在像素PX之间以与像素PX部分地叠置。在图3D的实施例中，光学传感器PHS可以具有比像素PX的尺寸大的尺寸。例如，光学传感器PHS可以具有足以覆盖至少一个像素PX的尺寸。
如图3E的实施例中所示，光学传感器PHS可以(例如，在第三方向DR3上)不与像素PX叠置。在图3E的实施例中，光学传感器PHS仅布置在像素PX之间，并且具有比像素PX的尺寸小的尺寸，以不与像素PX叠置。
然而，给出的发明构思的实施例不限于此，像素PX与光学传感器PHS之间的布置结构可以不同于上述像素PX与光学传感器PHS之间的布置结构。例如，感测区域SA中的像素PX和光学传感器PHS的形状、布置、相对尺寸、数量、分辨率等可以在给出的发明构思的范围内进行各种修改。例如，与图3A至图3E中示出的实施例不同，感测区域SA中的光学传感器PHS可以以比像素PX的分辨率(密度)高的分辨率(密度)设置。例如，比像素PX的数量大的数量的光学传感器PHS可以设置在感测区域SA中。
另外，在一些实施例中，像素PX和光学传感器PHS可以以图3A至图3E的实施例中的一个或更多个组合的形式设置。
另外，尽管图3A至图3E的实施例示出了其中光学传感器PHS规则地布置在感测区域SA中的示例，但是给出的发明构思不限于此，在其他实施例中，光学传感器PHS可以不规则地布置在感测区域SA中。
图4是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的示意性剖视图。具体地，图4是示出图1和图2的实施例中示出的显示装置1的感测区域SA的剖视图。
参照图1、图2和图4，根据给出的发明构思的实施例的显示装置1的感测区域SA可以包括显示面板10和设置在显示面板10的第一表面(例如，下表面)上的传感器层PSL。另外，显示装置1可以包括基底SUB以及在第三方向DR3上顺序地设置在基底SUB的第二表面(例如，上表面)上的电路元件层BPL、发光元件层LDL、第一保护层PTL1、第一粘合层ADL1和窗WIN。另外，显示装置1还可以包括在与第三方向DR3相反的方向上顺序地设置在基底SUB与传感器层PSL之间的第二粘合层ADL2和第二保护层PTL2。电路元件层BPL和发光元件层LDL可以构成像素层。
在实施例中，基底SUB可以是显示面板10的基体基底，并且可以是基本上透明的透光基底。基底SUB可以是包括玻璃或钢化玻璃的刚性基底或由塑料制成的柔性基底。然而，给出的发明构思的实施例不限于此，基底SUB可以由各种材料制成。
如图1和图2的实施例中所示，基底SUB可以包括显示区域AA和非显示区域NA。另外，显示区域AA可以包括其中设置和/或形成有像素PX的多个像素区域PXA。
电路元件层BPL设置在基底SUB上并且可以包括至少一个导电层。例如，电路元件层BPL可以包括构成像素PX的像素电路的多个电路元件以及用于供应驱动像素PX的各种电力和信号的线。在该实施例中，电路元件层BPL可以包括诸如至少一个晶体管和电容器的各种电路元件以及用于形成连接到各种电路元件的线的多个导电层。另外，电路元件层BPL可以包括设置在多个导电层之间的至少一个绝缘层。另外，电路元件层BPL可以包括设置在基底SUB的非显示区域NA中的线部分，以供应与连接到像素PX的线对应的电力和信号。
电路元件层BPL可以包括形成在感测区域SA中的多个开口OP。开口OP可以在平面图中被限定为其中未设置电路元件层BPL中包括的电路元件和线的部分。这将参照图9A至图9J的实施例进行详细地描述。
发光元件层LDL可以(例如，在第三方向DR3上)设置在电路元件层BPL上。发光元件层LDL可以包括通过接触孔等连接到电路元件层BPL的电路元件和/或线的多个发光元件LD。在实施例中，多个发光元件LD中的至少一个可以设置在每个像素区域PXA中。
在实施例中，发光元件LD可以发射具有不同颜色的光。例如，在实施例中，发光元件LD可以包括发射红色光的红色发光元件、发射绿色光的绿色发光元件和发射蓝色光的蓝色发光元件。在实施例中，发光元件LD可以包括发射黄色光的黄色发光元件、发射青色光的青色发光元件和发射品红色光的品红色发光元件。然而，给出的发明构思的实施例不限于此，发光元件LD可以发射相同颜色的光或具有发射不同颜色的光的各种其他布置。
在实施例中，发光元件LD可以是有机发光二极管。另外，可以选择诸如微型发光二极管(微型LED)或量子点发光二极管的无机发光二极管作为发光元件LD。另外，发光元件LD可以是由有机材料和无机材料组合制成的元件。
在实施例中，像素PX可以包括单个发光元件LD。在实施例中，像素PX可以包括串联、并联或串并联连接的多个发光元件LD。
在显示装置1的实施例中，像素PX的发光元件LD用作指纹传感器的光源。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，根据给出的发明构思的实施例的显示装置1可以包括用于检测指纹的单独的光源。
第一保护层PTL1可以设置在发光元件层LDL上，以覆盖显示区域AA。在实施例中，第一保护层PTL1可以包括诸如薄膜封装(TFE)层或封装基底的密封构件，并且除了密封构件之外还可以包括保护膜。因此，第一保护层PTL1可以防止或最小化外部湿气或氧渗透到显示面板10中通过的路径的形成。
第一粘合层ADL1可以(例如，在第三方向DR3上)设置在第一保护层PTL1与窗WIN之间，以将第一保护层PTL1和窗WIN结合。在实施例中，第一粘合层ADL1可以包括诸如光学透明粘合剂(OCA)的透明粘合剂，并且可以包括各种粘合材料。
在实施例中，窗WIN可以是设置在包括显示面板10的显示装置1的模块的顶部处的保护构件，并且可以是基本上透明的透光基底。在实施例中，窗WIN可以具有选自于玻璃基底、塑料膜和塑料基底的多层结构。窗WIN可以包括刚性基底或柔性基底。然而，给出的发明构思的实施例不限于此，窗WIN的材料可以是各种透明的透光材料。
第二保护层PTL2可以设置在基底SUB的第一表面(例如，下表面)上。第二保护层PTL2可以通过第二粘合层ADL2结合到基底SUB。
第二粘合层ADL2可以将基底SUB和第二保护层PTL2牢固地结合(例如，附着)。在实施例中，第二粘合层ADL2可以包括诸如OCA的透明粘合剂。第二粘合层ADL2可以包括压敏粘合剂(PSA)，压敏粘合剂包括在施加用于结合到粘合剂表面的压力时活化的粘合材料。在其中第二粘合层ADL2包括PSA的实施例中，第二粘合层ADL2可以仅通过压力附着到粘合剂表面，而无需进行单独的热处理或室温下的UV处理。
在实施例中，第二粘合层ADL2可以包括吸收特定光的材料或阻挡特定光的材料。作为示例，第二粘合层ADL2可以包括吸收具有高能量密度的红外光的红外光吸收材料，或者可以包括阻挡红外光的红外光阻挡材料。
在实施例中，红外光吸收材料可以包括包含氧化锑锡(ATO)、氧化铟锡(ITO)、氧化钨的无机氧化物、炭黑或诸如银(Ag)的金属。无机氧化物可以选择性地透射可见区域中的光并吸收红外光。另外，在实施例中，红外光吸收材料可以包括有机染料。
在实施例中，红外光阻挡材料可以是从硼酸盐(酯)混合物、碳酸盐(酯)混合物、氧化铝混合物、硝酸盐(酯)混合物、亚硝酸盐(酯)混合物中选择的至少一种。例如，红外光阻挡材料可以是从硼酸锂、硼酸钾、硼酸镁、硼酸钙、硼酸锶、硼酸钡、硼酸钠(例如，Na2B4Ox)、硬硼钙石、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸钙(例如，方解石)、白云石和菱镁矿中选择的至少一种化合物。另外，红外光阻挡材料可以是选自于一种或更多种染料的至少一种化合物，所述染料选自于镍二硫酚类染料、二硫酚类金属配位化合物、花青类染料、方酸鎓(squarylium)类染料、克酮酸(croconium)类染料、二亚铵类染料、有机铵(aminium)类染料、铵(ammonium)类染料、酞菁类染料、萘酞菁类染料、铝类染料、蒽醌类染料、萘醌类染料、聚合物缩合偶氮基吡咯类染料、聚甲炔类树脂和卟啉类树脂。
当用户的手放置(或定位)在显示装置1的显示表面(例如，其上显示图像的表面)上或附近时，显示装置1可以执行使用下面将描述的光学传感器PHS检测用户的指纹的功能。当在检测用户的指纹的同时外部光进入显示装置1时，外部光中的可见光区域中的光被用户的手阻挡。然而，红外光会穿过用户的手并且会入射在光学传感器PHS上。入射在光学传感器PHS上的红外光会充当噪声，从而降低由用户的手反射的光的检测精度。
在上述给出的发明构思的实施例中，当第二粘合层ADL2包括红外光吸收材料和/或红外光阻挡材料时，即使当外部光中的红外光穿过用户的手时，红外光也可以被第二粘合层ADL2吸收和/或阻挡，以防止红外光入射在光学传感器PHS上，从而提高指纹识别精度。
第二保护层PTL2可以阻挡外部氧和湿气的引入，并且可以以单层或多层的形式设置。在实施例中，第二保护层PTL2以膜形式形成，使得可以进一步确保显示面板10的柔性。在实施例中，第二保护层PTL2可以通过包括诸如OCA的透明粘合剂的另一粘合层结合到传感器层PSL。
在实施例中，还可以在第二保护层PTL2下面设置可选的阻光膜。可选的光阻挡膜可以阻挡特定频率区域中的光(诸如引入到显示装置1中的外部光的红外光)，以防止对应的光入射在传感器层PSL的光学传感器PHS上。虽然可选的光阻挡膜可以设置在第二保护层PTL2下面，但是给出的发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，可选的光阻挡膜可以设置在显示装置1的任何层上，只要可选的光阻挡膜仅设置在传感器层PSL上即可。
另外，当阻挡红外光的组件包括在显示面板10中时，可以省略可选的光阻挡膜。例如，如上所述，当第二粘合层ADL2包括红外光吸收材料和/或红外光阻挡材料时，可以省略可选的光阻挡膜。在实施例中，当在显示装置1中设置单独的可选的光阻挡膜时，上述第二粘合层ADL2可以不包括红外光吸收材料和/或红外光阻挡材料。
光阻挡层PHL可以设置在发光元件层LDL与传感器层PSL之间。例如，如图4的实施例中所示，光阻挡层PHL可以(例如，在第三方向DR3上)设置在基底SUB与电路元件层BPL之间。如图4的实施例中所示，光阻挡层PHL可以包括多个针孔PIH。光阻挡层PHL可以阻挡从外部入射的光的一部分(例如，从手指反射并通过电路元件层BPL中的开口OP入射的反射光的一部分)，从而仅允许光的延伸通过针孔PIH的剩余部分到达下层。
需要充分确保开口OP的尺寸，以使反射光通过针孔PIH到达下层。
针孔PIH的宽度(例如，直径)可以形成为具有使得满足一定角度范围内的视场(也称为“视角”)(FOV)θ的光穿过每个针孔PIH的尺寸。
在实施例中，针孔PIH的宽度(例如，直径)可以具有反射光的波长的大致10倍或更大的尺寸。例如，在实施例中，针孔PIH可以具有在反射光的波长的约4μm至约5μm或更大的范围内的尺寸，以防止光衍射。另外，针孔PIH的宽度可以具有足以防止图像模糊且更清楚地检测指纹形状的尺寸。例如，在实施例中，针孔PIH可以具有约20μm或更小的宽度。然而，发明构思的实施例不限于此，针孔PIH的宽度可以根据反射光的波段和/或模块的每个层的厚度而变化。
可以考虑电路元件层BPL与传感器层PSL之间的距离和反射光的波长范围来设定相邻的针孔PIH之间的间隔(例如，间距)。例如，在实施例中，可以根据电路元件层BPL与传感器层PSL之间的间隔以及视角θ来确定相邻的针孔PIH之间的间隔。因此，可以防止由光学传感器PHS观察到的图像彼此叠置，从而防止指纹图像的模糊现象。
在图4的实施例中，光阻挡层PHL被示出为设置在显示面板10中。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，光阻挡层PHL可以设置在显示面板10与传感器层PSL之间。
传感器层PSL可以附着到显示面板10的另一表面(例如，下表面)，以与显示面板10的至少一个区域叠置。传感器层PSL可以设置为至少在显示区域AA中与显示面板10叠置。传感器层PSL可以包括以预定分辨率和/或间隔分布的多个光学传感器PHS。在实施例中，光学传感器PHS之间的间隔可以相对密集，使得从将要被观察的对象(例如，手指的特定区域(诸如指纹区域))反射的反射光可以入射在至少两个相邻的光学传感器PHS上。
传感器层PSL的光学传感器PHS可以输出与通过针孔PIH接收的反射光对应的电信号作为感测信号。根据反射光束是由用户的手指的指纹的谷还是脊产生，由光学传感器PHS接收的反射光束可以具有不同的光学特性，诸如频率、波长、尺寸等。因此，光学传感器PHS可以输出具有与反射光的光学特性对应的不同的电特性的感测信号。由光学传感器PHS输出的感测信号可以被转换为原始图像并用于识别用户的指纹。
图5是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的示意性剖视图。图6是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的示意性剖视图。图7是根据给出的发明构思的实施例的显示装置的示意性剖视图。在图5至图7的实施例中，为了便于说明，将省略与上述实施例的组件相似或等同的组件的详细描述。
参照图5的实施例，电路元件层BPL可以包括形成在感测区域SA中的多个透光孔LTH(例如，开口)。透光孔LTH可以是电路元件层BPL的其中未设置电路元件和线的区域。如图5的实施例中所示，电路元件层BPL可以用作光阻挡层PHL。例如，透光孔LTH可以用作如图4的实施例中所示的针孔PIH。
如图5的实施例中所示，当使用形成在电路元件层BPL中的多个透光孔LTH形成针孔PIH而不单独地提供光阻挡层PHL时，能够通过避免单独提供光阻挡层PHL来减小显示装置1的厚度，降低制造成本并提高工艺效率。
参照图6和图7的实施例，电路元件层BPL可以包括多个透光孔LTH。包括多个针孔PIH的光阻挡层PHL可以设置在基底SUB与电路元件层BPL之间。每个透光孔LTH和每个针孔PIH可设置为彼此至少部分地叠置。
在给出的发明构思的实施例中，透光孔LTH和针孔PIH可以具有基本上相同的尺寸或不同的尺寸。例如，如图6的实施例中所示，透光孔LTH可以具有比针孔PIH的宽度(例如，直径)小的宽度(例如，直径)。例如，在实施例中，针孔PIH和透光孔LTH可以具有在约5μm至约20μm的范围内的宽度(例如，直径)，并且透光孔LTH可以具有比针孔PIH的宽度(例如，直径)小的宽度(例如，直径)。
在其中透光孔LTH具有比针孔PIH的尺寸小的尺寸的实施例中，电路元件层BPL可以用作被配置为控制光的路径(例如，被配置为将反射光的FOVθ限制在预定角度范围内)的光控制层LBL，并且光阻挡层PHL可以执行光阻挡功能。
例如，如图7的实施例中所示，透光孔LTH可以具有比针孔PIH的宽度(例如，直径)大的宽度(例如，直径)。例如，在实施例中，透光孔LTH和针孔PIH可以具有在约5μm至约20μm的范围内的宽度(例如，直径)，并且针孔PIH可以具有比透光孔LTH的宽度(例如，直径)小的宽度(例如，直径)。在该实施例中，电路元件层BPL可以执行光阻挡功能，并且光阻挡层PHL可以用作被配置为控制光的路径的光控制层LBL。
图8是示出根据给出的发明构思的实施例的像素的电路图。
参照图8的实施例，像素PX可以包括发光元件LD、第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。
发光元件LD的第一电极(例如，阳极或阴极)可以连接到第六晶体管T6，发光元件LD的第二电极(例如，阴极或阳极)可以接收第二驱动电压VSS。发光元件LD可以响应于从第一晶体管T1供应的电流量以预定亮度产生光。
如先前说明的，发光元件LD可以是有机发光二极管、无机发光二极管或由有机材料和无机材料组合制成的元件。在图5的实施例中，像素PX被示出为包括单个发光元件LD。然而，在其他实施例中，像素PX可以包括多个发光元件。多个发光元件可以串联连接、并联连接或串并联连接。
在实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以形成为多晶硅半导体晶体管。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均可以包括通过低温多晶硅(LTPS)工艺形成的多晶硅半导体层作为有源层(沟道)。另外，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7是P型晶体管(例如，P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管)。因此，用于使第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7导通的栅极导通电压可以具有逻辑低电平。
由于多晶硅半导体晶体管具有快速响应速度，所以多晶硅半导体晶体管可以应用于需要快速开关的开关元件。
在实施例中，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以形成为氧化物半导体晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以是N型氧化物半导体晶体管(例如，N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管)，并且均可以包括氧化物半导体层作为有源层。因此，用于使第三晶体管T3和第四晶体管T4导通的栅极导通电压可以具有逻辑高电平。
在实施例中，可以对氧化物半导体晶体管执行低温工艺，并且与多晶硅半导体晶体管相比，氧化物半导体晶体管可以具有相对低的电荷迁移率。例如，氧化物半导体晶体管可以具有提高的截止电流特性。因此，在其中第三晶体管T3和第四晶体管T4形成为氧化物半导体晶体管的实施例中，可以使来自于第二节点N2的漏电流最小化，从而可以提高显示质量。
同时，形成为多晶硅半导体晶体管的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以具有其中其栅电极形成在半导体层上的顶栅结构。
在实施例中，形成为氧化物半导体晶体管的第三晶体管T3和第四晶体管T4可以具有其中其栅电极形成在半导体层上和下方的双栅极结构。
第一晶体管T1(诸如驱动晶体管)的第一电极E11可以连接到第一节点N1，第一晶体管T1的第二电极E12可以连接到第二节点N2。第一晶体管T1的栅电极G1可以连接到第三节点N3。第一晶体管T1可以响应于第三节点N3的电压来控制流到发光元件LD的电流量。在实施例中，第一驱动电压VDD可以设定为比第二驱动电压VSS高的电压。
如图8的实施例中所示，第二晶体管T2可以连接在第一节点N1与供应有数据信号DATA的数据线710之间。例如，第二晶体管T2的第一电极E21可以连接到数据线710，第二晶体管T2的第二电极E22可以连接到第一节点N1。第二晶体管T2的栅电极G2可以连接到第一扫描线220_1。当第一扫描信号SCAN1供应到第一扫描线220_1时，第二晶体管T2可以导通，以将数据线710和第一节点N1电连接。
如图8的实施例中所示，第三晶体管T3可以连接在第二节点N2与第三节点N3之间。例如，第三晶体管T3的第一电极E31可以连接到第一晶体管T1的栅电极G1，第三晶体管T3的第二电极E32可以连接到第一晶体管T1的第二电极E12。第三晶体管T3的栅电极G3可以连接到第二扫描线330或510。当第二扫描信号SCAN2供应到第二扫描线330或510时，第三晶体管T3可以导通，以将第一晶体管T1的第二电极E12和栅电极G1电连接。当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管的形式连接。
在实施例中，第三晶体管T3的栅电极G3可以具有双栅结构，并且可以包括下栅电极G3a(图9C)和上栅电极G3b(图9E)，下栅电极G3a设置在半导体层下方并连接到用于传输第二扫描信号SCAN2的第二扫描线330，上栅电极G3b设置在半导体层上并连接到用于传输第二扫描信号SCAN2的第二扫描线510。
如图8的实施例中所示，第四晶体管T4可以连接在第三节点N3与用于传输第一初始化电压Vint1的第一初始化线320之间。例如，第四晶体管T4的第一电极E41可以连接到第三节点N3，第四晶体管T4的第二电极E42可以连接到第一初始化线320。第四晶体管T4的栅电极G4可以连接到第三扫描线340或520。当第三扫描信号SCAN3供应到第三扫描线340或520时，第四晶体管T4可以导通，以将第一初始化电压Vint1供应到第三节点N3。在实施例中，第一初始化电压Vint1可以设定为比供应到数据线710的数据信号DATA的电压低的电压。因此，可以通过导通第四晶体管T4使第一晶体管T1的栅极电压初始化为第一初始化电压Vint1。
在实施例中，第四晶体管T4的栅电极G4可以具有双栅结构，并且可以包括下栅电极G4a(图9C)和上栅电极G4b(图9E)，下栅电极G4a设置在半导体层下方并连接到用于传输第三扫描信号SCAN3的第三扫描线340，上栅电极G4b设置在半导体层上并连接到用于传输第三扫描信号SCAN3的第三扫描线520。
如图8的实施例中所示，第五晶体管T5可以连接在用于传输第一驱动电压VDD的电力线310或720与第一晶体管T1的第一电极E11之间。例如，如图8的实施例中所示，第五晶体管T5的第一电极E51可以连接到电力线310或720，第五晶体管T5的第二电极E52可以连接到第一晶体管T1的第一电极E11。第五晶体管T5的栅电极G5可以连接到发射控制线230。在实施例中，当发射控制信号EM供应到发射控制线230时，第五晶体管T5导通，并且在其他情况下截止。
如图8的实施例中所示，第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1的第二电极E12与发光元件LD的第一电极(诸如第四节点N4)之间。例如，第六晶体管T6的第一电极E61可以连接到第一晶体管T1的第二电极E12，第六晶体管T6的第二电极E62可以连接到第四节点N4。第六晶体管T6的栅电极G6可以连接到发射控制线230。第六晶体管T6可以与第五晶体管T5基本上相同地被控制。
如图8的实施例中所示，第七晶体管T7可以连接在发光元件LD的第一电极(诸如第四节点N4)与用于传输第二初始化电压Vint2的第二初始化线610之间。例如，第七晶体管T7的第一电极E71可以连接到第二初始化线610，第七晶体管T7的第二电极E72可以连接到第四节点N4。第七晶体管T7的栅电极G7可以连接到第四扫描线220_2。当第四扫描信号SCAN4供应到第四扫描线220_2时，第七晶体管T7可以导通，以将第二初始化电压Vint2供应到发光元件LD的第一电极。
在实施例中，第四扫描线220_2可以与下一行中的第一扫描线220_1是同一扫描线。例如，供应到第四扫描线220_2的第四扫描信号SCAN4可以与供应到下一行的第一扫描线220_1的第一扫描信号SCAN1是同一信号。
当第二初始化电压Vint2供应到发光元件LD的第一电极时，发光元件LD的寄生电容器可以放电。当寄生电容器中充有的残留电压被放电(被去除)时，可以防止意外的微光发射。因此，可以提高像素PX的黑色显示能力。
如图8的实施例中所示，存储电容器Cst可以连接在电力线310或720与第三节点N3之间。例如，存储电容器Cst的第二电极C2可以连接到电力线310或720，存储电容器Cst的第一电极C1可以连接到第三节点N3。存储电容器Cst可以存储施加到第三节点N3的电压。
图9A至图9J是示出根据给出的发明构思的实施例的图8的像素的堆叠结构的布局图。在下文中，除非另有定义，否则表述“叠置”是指组件在平面图中(诸如在作为基底SUB的厚度方向的第三方向DR3上)彼此叠置。
参照图8和图9A至图9J的实施例，像素PX可以设置在像素区域PXA中。像素PX可以包括图9A至图9J中示出的第一半导体层100、第一导电层200、第二导电层300、第二半导体层400、第三导电层500、第四导电层600和第五导电层700。绝缘层GI1、GI2、IL1、IL2、IL3和IL4可以置于第一半导体层100和第二半导体层400与第一导电层200、第二导电层300、第三导电层500、第四导电层600和第五导电层700之间。在实施例中，绝缘层GI1、GI2、IL1、IL2、IL3和IL4可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，绝缘层GI1、GI2、IL1、IL2、IL3和IL4可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等。
在实施例中，像素PX可以包括参照图4的实施例描述的开口OP。开口OP可以形成在像素区域PXA的至少一局部部分中。开口OP可以定义为其中未设置电路元件(诸如第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst)以及线220、230、310、320、330、340、510、520、610、710和720的区域。
如参照图4的实施例所描述的，形成在像素PX(或图4的电路元件层BPL)中的开口OP应当具有足够的宽度，使得反射光(例如，从用户的手指反射的光)可以穿过开口OP。然而，在图8的像素PX的实施例中，由于像素区域PXA中的电路元件(诸如第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst)以及线220、230、310、320、330、340、510、520、610、710和720以相对大的数量设置，因此，为了确保开口OP的宽度，像素区域PXA应当相对宽或者应当去除电路元件和/或线220、230、310、320、330、340、510、520、610、710和720中的一些。然而，当像素区域PXA形成得宽时，可以设置在有限的显示区域AA中的像素区域PXA的数量减少，从而导致分辨率降低。另外，当电路元件和/或线220、230、310、320、330、340、510、520、610、710和720中的一些被去除时，显示装置1的显示质量可能会劣化。
因此，包括在根据给出的发明构思的实施例的像素PX(或图4的电路元件层BPL)中的第二导电层300的第一初始化线320可以在像素区域PXA中设置为在一个方向(诸如第一方向DR1)上延伸，并且可以包括在相对于所述一个方向的倾斜方向上延伸的弯曲部。由于第一初始化线320的弯曲部，可以充分地确保形成在像素PX中的开口OP的宽度。在下文中，将参照图9A至图9I的实施例详细地描述像素PX中包括的堆叠的第一半导体层100、第一导电层200、第二导电层300、第二半导体层400、第三导电层500、第四导电层600和第五导电层700的结构。
参照图8和图9A的实施例，第一半导体层100可以在基底SUB上设置在像素区域PXA中，并且可以包括第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170。在实施例中，第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170可以分别构成第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。为了便于描述，半导体图案是其中形成在第一半导体层100中的半导体材料被随机分成多个部分的图案。例如，半导体图案可以是第一半导体层100的半导体材料的局部区域。
在实施例中，第一半导体层100的第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170设置在同一层上，并且可以包括相同的材料。例如，在实施例中，第一半导体层100的第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅晶化而形成。晶化方法的示例可以包括快速热退火(RTA)方法、固相晶化(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导晶化(MIC)方法、金属诱导横向晶化(MILC)方法和顺序横向固化(SLS)方法。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，第一半导体层100的第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅等。
第一半导体层100的第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170可以彼此连接，并且可以以各种形状弯曲(例如，在不同的方向上延伸)。在实施例中，第七晶体管T7的第七半导体图案170可以连接到前一行中的第六晶体管T6的第六半导体图案160。例如，图9A的实施例中示出的第七半导体图案170可以构成包括在前一行的像素PX中的第七晶体管T7。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的第一半导体图案110、第二半导体图案120、第五半导体图案150、第六半导体图案160和第七半导体图案170均可以包括沟道区以及设置在沟道区的两侧处的源区和漏区。在实施例中，在半导体图案中，可以对沟道区执行首次掺杂，并且可以使用栅电极作为掩模对源区和漏区执行二次掺杂。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。例如，在实施例中，可以省略首次掺杂。
第一晶体管T1的第一半导体图案110可以包括第一电极E11(例如，源极电极或源区)、第二电极E12(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E11与第二电极E12之间的沟道区A1。
由于第一半导体图案110弯曲，因此沟道区A1可以形成为伸长的，从而加宽了施加到将在下面描述的栅电极G1的栅极电压的驱动范围。然而，第一半导体图案110的形状不限于图9A中示出的形状。例如，第一半导体图案的形状可以是各种不同的形状，诸如“E”、
Figure BDA0003295957130000211
“S”、“M”、“W”等。
第二晶体管T2的第二半导体图案120可以包括第一电极E21(例如，源电极或源区)、第二电极E22(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E21与第二电极E22之间的沟道区A2。
如图9A的实施例中所示，第二半导体图案120可以设置为基本上在第二方向DR2上延伸，并且第二半导体图案120的第二电极E22可以连接到第一半导体图案110的第一电极E11。
第五晶体管T5的第五半导体图案150可以包括第一电极E51(例如，源电极或源区)、第二电极E52(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E51与第二电极E52之间的沟道区A5。
第五半导体图案150可以设置为基本上在第二方向DR2上延伸，并且第五半导体图案150的第二电极E52可以连接到第一半导体图案110的第一电极E11。
第六晶体管T6的第六半导体图案160可以包括第一电极E61(例如，源电极或源区)、第二电极E62(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E61与第二电极E62之间的沟道区A6。
第六半导体图案160可以具有其局部部分基本上在第一方向DR1上延伸并且其剩余部分基本上在第二方向DR2上延伸的弯曲形状。第六半导体图案160的第一电极E61可以连接到第一半导体图案110的第二电极E12。
第七晶体管T7的第七半导体图案170可以包括第一电极E71(例如，源电极或源区)、第二电极E72(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E71与第二电极E72之间的沟道区A7。
第七半导体图案170可以设置为基本上在第二方向DR2上延伸，并且第七半导体图案170的第二电极E72可以连接到前一行中的第六晶体管T6的第二电极E62。
进一步参照图9B的实施例，第一导电层200可以设置在第一半导体层100上。第一栅极绝缘层GI1可以设置在第一半导体层100与第一导电层200之间。在实施例中，第一栅极绝缘层GI1可以覆盖第一半导体层100，并且第一导电层200可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。
如图9B的实施例中所示，第一导电层200可以包括岛电极210、第一扫描线220(例如，第一扫描线图案)和发射控制线230。岛电极210、第一扫描线220和发射控制线230可以设置在同一层上，并且可以包括相同的材料。在实施例中，岛电极210、第一扫描线220和发射控制线230可以包括选自于钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等的至少一种，并且可以形成为单层或多层。
岛电极210可以设置为与第一半导体图案110的沟道区A1叠置，并且可以形成第一晶体管T1的栅电极G1。
另外，岛电极210也可以形成存储电容器Cst的第一电极C1。例如，存储电容器Cst的第一电极C1和第一晶体管T1的栅电极G1一体地形成。
岛电极210可以是岛型。例如，如图9B的实施例中所示，岛电极210可以与相邻的像素PX分离，并且可以形成为大致正方形形状。
第一扫描线220可以传输第一扫描信号SCAN1，并且可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸。
在实施例中，第一扫描线220的局部部分可以形成第二晶体管T2的栅电极G2，并且第一扫描线220的另一部分可以形成第七晶体管T7的栅电极G7。第二晶体管T2的栅电极G2可以与第二晶体管T2的第二半导体图案120的沟道区A2叠置，并且第七晶体管T7的栅电极G7可以与第七晶体管T7的第七半导体图案170的沟道区A7叠置。
由于图9A的实施例中示出的第七半导体图案170与前一行的像素PX中包括的第七晶体管T7对应，因此第一扫描线220的另一部分可以形成前一行中的第七晶体管T7的栅电极G7。例如，如参照图8的实施例描述的，第一扫描线220_1可以与前一行中的第四扫描线220_2(见图8)是同一扫描线，并且供应到第一扫描线220_1的第一扫描信号SCAN1可以与供应到前一行的第四扫描信号SCAN4(见图8)是同一信号。
发射控制线230可以传输发射控制信号EM，并且可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸。
发射控制线230的局部部分可以构成第五晶体管T5的栅电极G5，发射控制线230的另一局部部分可以构成第六晶体管T6的栅电极G6。第五晶体管T5的栅电极G5可以与第五晶体管T5的第五半导体图案150的沟道区A5叠置，第六晶体管T6的栅电极G6可以与第六晶体管T6的第六半导体图案160的沟道区A6叠置。
如图9B的实施例中所示，第一扫描线220和发射控制线230可以在第二方向DR2上彼此间隔开。另外，岛电极210可以设置为与第一扫描线220和发射控制线230间隔开。例如，岛电极210可以在第二方向DR2上设置在第一扫描线220与发射控制线230之间，并且可以与第一扫描线220和发射控制线230两者分离。
进一步参照图9C的实施例，第二导电层300可以设置在第一导电层200上。第一绝缘层IL1可以设置在第一导电层200与第二导电层300之间。在实施例中，第一绝缘层IL1可以覆盖第一导电层200，并且第二导电层300可以设置在第一绝缘层IL1上。
如图9C的实施例中所示，第二导电层300可以包括第一电力线310、第一初始化线320、第二扫描线330(例如，第二扫描线图案)和第三扫描线340(例如，第三扫描线图案)。在实施例中，第一电力线310、第一初始化线320、第二扫描线330和第三扫描线340可以设置在同一层上并且可以包括相同的材料。例如，在实施例中，第一电力线310、第一初始化线320、第二扫描线330和第三扫描线340可以包括选自于钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等的至少一种，并且可以形成为单层或多层。
如图9C的实施例中所示，第一电力线310可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸，并且可以传输第一驱动电压VDD。第一电力线310可以与第一导电层200的岛电极210叠置。
第一电力线310的至少一局部部分可以形成存储电容器Cst的第二电极C2。例如，存储电容器Cst可以由通过第一绝缘层IL1彼此间隔开的第一电极C1和第二电极C2形成，第一绝缘层IL1置于第一导电层200与第二导电层300之间。在实施例中，置于第一导电层200与第二导电层300之间的第一绝缘层IL1可以充当存储电容器Cst的电介质。
存储电容器Cst的第二电极C2可以具有开口SOP。在实施例中，开口SOP可以通过去除第二电极C2的在与使存储电容器Cst的第一电极C1的一部分暴露的接触孔对应的位置处的部分来形成，并且可以具有单个闭合线形状。例如，如图9C的实施例中所示，开口SOP可以具有正方形形状。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。
第二扫描线330可以传输第二扫描信号SCAN2，并且可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸。第二扫描线330可以设置为与包括在下面将描述的第二半导体层400中的第三半导体图案430的沟道区A3的至少一局部区域叠置。
第二扫描线330的局部部分可以形成第三晶体管T3的下栅电极G3a。第三晶体管T3的下栅电极G3a可以与第三半导体图案430的沟道区A3叠置。
如图9C的实施例中所示，第三扫描线340可以传输第三扫描信号SCAN3，并且可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸。然而，在实施例中，第三扫描线340可以包括相对于第一方向DR1倾斜地延伸并且设置在第三扫描线340的基本上在第一方向DR1上延伸的两个直线部分之间的局部部分。第三扫描线340可以设置为与包括在下面将描述的第二半导体层400中的第四半导体图案440的沟道区A4的至少一局部区域叠置。
第三扫描线340的局部部分可以构成第四晶体管T4的下栅电极G4a。第四晶体管T4的下栅电极G4a可以与第四半导体图案440的沟道区A4叠置。
如图9C的实施例中所示，第一初始化线320可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸，并且可以传输第一初始化电压Vint1。
在实施例中，第一初始化线320可以包括设置为在直线方向上延伸的第一直线部分321(例如，第一部分)和第二直线部分323(例如，第二部分)。例如，如图9C的实施例中所示，第一直线部分321和第二直线部分323可以基本上在第一方向DR1上延伸。第一初始化线320还可以包括设置在第一直线部分321与第二直线部分323之间(例如，直接设置在第一直线部分321与第二直线部分323之间)并且相对于第一方向DR1倾斜地延伸的弯曲部分322(例如，第三部分)。例如，如图9C的实施例中所示，弯曲部分322在第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向上延伸，并且第二直线部分323设置为(例如，在第二方向DR2上)比第一直线部分321高。在实施例中，第一直线部分321、第二直线部分323和弯曲部分322可以一体地形成为第一初始化线320。
第一直线部分321和第二直线部分323两者都可以设置为基本上在第一方向DR1上延伸，并且第一直线部分321与第三扫描线340之间的间隔(例如，元件间隔开的距离)(例如，第二方向DR2上的间隔)可以比第二直线部分323与第三扫描线340之间的间隔(例如，第二方向DR2上的间隔)小。例如，如图9C的实施例中所示，由于第一直线部分321形成得比第二直线部分323靠近第三扫描线340，因此可以充分地确保下面将描述的开口OP在第二方向DR2上的第一宽度W1。
在实施例中，第一初始化线320、第三扫描线340、第二扫描线330和第一电力线310可以基本上在第二方向DR2上顺序地布置。
进一步参照图9D的实施例，第二半导体层400可以设置在第二导电层300上。第二绝缘层IL2可以设置在第二导电层300与第二半导体层400之间。在实施例中，第二绝缘层IL2可以覆盖第二导电层300，并且第二半导体层400可以设置在第二绝缘层IL2上。
第二半导体层400可以包括第三半导体图案430和第四半导体图案440。第三半导体图案430和第四半导体图案440可以分别构成第三晶体管T3和第四晶体管T4。为了便于描述，半导体图案是其中形成在第二半导体层400中的半导体材料被随机分成多个部分的图案。例如，半导体图案可以是第二半导体层400的半导体材料的局部区域。
第二半导体层400的第三半导体图案430和第四半导体图案440设置在同一层上，并且可以包括相同的材料。例如，在实施例中，第二半导体层400的半导体图案430和440可以包括氧化物半导体。
第二半导体层400的第三半导体图案430和第四半导体图案440可以彼此连接。
第三晶体管T3的第三半导体图案430和第四晶体管T4的第四半导体图案440均可以包括沟道区以及在沟道区的两侧处的源区和漏区。例如，在实施例中，源区和漏区可以是其中载流子浓度通过等离子体处理而增大的区域。源区和漏区可以通过调整氧化物半导体的载流子浓度而形成为具有导电性。例如，可以通过使用氢(H)类气体、氟(F)类气体或其组合对氧化物半导体进行等离子体处理以增大载流子浓度来形成源区和漏区。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。
第三晶体管T3的第三半导体图案430可以包括第一电极E31(例如，源电极或源区)、第二电极E32(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E31与第二电极E32之间的沟道区A3。
第三半导体图案430可以设置为在第二方向DR2上延伸。
第四晶体管T4的第四半导体图案440可以包括第一电极E41(例如，源电极或源区)、第二电极E42(例如，漏电极或漏区)以及第一电极E41与第二电极E42之间的沟道区A4。
如图9D的实施例中所示，第四半导体图案440可以设置为基本上在第二方向DR2上延伸。第四半导体图案440的第一电极E41可以连接到第三半导体图案430的第一电极E31。
进一步参照图9E的实施例，第三导电层500可以设置在第二半导体层400上。第二栅极绝缘层GI2可以设置在第二半导体层400与第三导电层500之间。在实施例中，第二栅极绝缘层GI2可以覆盖第二半导体层400，并且第三导电层500可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。
如图9E的实施例中所示，第三导电层500可以包括第二扫描线510(例如，第四扫描线图案)和第三扫描线520(例如，第五扫描线图案)。第二扫描线510和第三扫描线520可以设置在同一层上，并且可以包括相同的材料。例如，在实施例中，第二扫描线510和第三扫描线520可以包括选自于钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等的至少一种，并且可以形成为单层或多层。
如图9E的实施例中所示，第二扫描线510可以与第二导电层300的第二扫描线330一起传输第二扫描信号SCAN2，并且可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸。第三导电层500的第二扫描线510可以与第二导电层300的第二扫描线330叠置。
第二扫描线510的局部部分可以构成第三晶体管T3的上栅电极G3b。第三晶体管T3的上栅电极G3b可以与第三半导体图案430的沟道区A3叠置。
第三扫描线520可以传输第三扫描信号SCAN3，并且可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸。第三导电层500的第三扫描线520可以与第二导电层300的第三扫描线340叠置。
第三扫描线520的局部部分可以构成第四晶体管T4的上栅电极G4b。第四晶体管T4的上栅电极G4b可以与包括在第二半导体层400中的第四半导体图案440的沟道区A4叠置。
如图9E的实施例中所示，第二扫描线510和第三扫描线520可以基本上在第二方向DR2上彼此间隔开。
进一步参照图9F和图9G的实施例，图9F示出了使图9A至图9E的实施例中示出的第一半导体层100、第一导电层200、第二导电层300、第二半导体层400和第三导电层500的至少部分暴露的第一接触孔CNT1至第十一接触孔CNT11。另外，图9G示出了设置在其中形成有第一接触孔CNT1至第十一接触孔CNT11的第一半导体层100、第一导电层200、第二导电层300、第二半导体层400和第三导电层500上的第四导电层600。
第一接触孔CNT1至第十一接触孔CNT11可以穿过置于第一半导体层100、第一导电层200、第二导电层300、第二半导体层400和第三导电层500之间的绝缘层GI1、GI2、IL1、IL2和IL3中的至少一者，以使第一半导体层100、第一导电层200、第二导电层300、第二半导体层400和第三导电层500的局部部分暴露。
在实施例中，第三绝缘层IL3可以设置在第三导电层500与第四导电层600之间。第三绝缘层IL3可以覆盖第三导电层500，并且第四导电层600可以设置在第三绝缘层IL3上。
第四导电层600可以包括第二初始化线610以及第一连接电极620、第二连接电极630、第三连接电极640、第四连接电极650、第五连接电极660和第六连接电极670。第二初始化线610以及第一连接电极620、第二连接电极630、第三连接电极640、第四连接电极650、第五连接电极660和第六连接电极670可以设置在同一层上并且可以包括相同的材料。例如，在实施例中，第二初始化线610以及第一连接电极620、第二连接电极630、第三连接电极640、第四连接电极650、第五连接电极660和第六连接电极670可以由诸如金属或导电氧化物的具有高导电性的材料制成。例如，第二初始化线610以及第一连接电极620、第二连接电极630、第三连接电极640、第四连接电极650、第五连接电极660和第六连接电极670可以形成为包括选自于钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等的至少一种的单层或多层。在实施例中，第二初始化线610以及第一连接电极620、第二连接电极630、第三连接电极640、第四连接电极650、第五连接电极660和第六连接电极670形成为其中顺序地设置有钛、铝和钛的三层(Ti/Al/Ti)。
可以形成使第一晶体管T1的栅电极G1的一部分和存储电容器Cst的第一电极C1的一部分暴露的第一接触孔CNT1，并且可以形成使第三晶体管T3的第一电极E31的一部分暴露的第九接触孔CNT9。第四导电层600的第一连接电极620可以通过第一接触孔CNT1连接到第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极C1，并且第一连接电极620可以通过第九接触孔CNT9连接到第三晶体管T3的第一电极E31。
因此，第一晶体管T1的栅电极G1和第三晶体管T3的第一电极E31可以通过第一连接电极620桥接。
另外，可以形成使第一晶体管T1的第二电极E12的一部分暴露的第二接触孔CNT2，并且可以形成使第三晶体管T3的第二电极E32的一部分暴露的第八接触孔CNT8。第四导电层600的第二连接电极630可以通过第二接触孔CNT2连接到第一晶体管T1的第二电极E12，并且第二连接电极630可通过第八接触孔CNT8连接到第三晶体管T3的第二电极E32。
因此，第一晶体管T1的第二电极E12和第三晶体管T3的第二电极E32可以通过第二连接电极630桥接。
另外，可以形成使第二晶体管T2的第一电极E21的一部分暴露的第三接触孔CNT3。第四导电层600的第三连接电极640可以通过第三接触孔CNT3连接到第二晶体管T2的第一电极E21。
另外，可以形成使第一电力线310的一部分暴露的第四接触孔CNT4，并且可以形成使第五晶体管T5的第一电极E51的一部分暴露的第五接触孔CNT5。第四导电层600的第四连接电极650可以通过第四接触孔CNT4连接到第一电力线310，并且第四连接电极650可以通过第五接触孔CNT5连接到第五晶体管T5的第一电极E51。
因此，第五晶体管T5的第一电极E51和第一电力线310可以通过第四连接电极650桥接。
另外，可以形成使第六晶体管T6的第二电极E62的一部分暴露的第六接触孔CNT6。第四导电层600的第五连接电极660可以通过第六接触孔CNT6连接到第六晶体管T6的第二电极E62。
如图9G的实施例中所示，第二初始化线610可以形成为基本上在第一方向DR1上延伸，并且可以包括在第二方向DR2上突出的突起。突起可以与第七晶体管T7的第一电极E71叠置。
可以形成使第七晶体管T7的第一电极E71的一部分暴露的第七接触孔CNT7。第四导电层600的第二初始化线610可以通过第七接触孔CNT7连接到第七晶体管T7的第一电极E71。第二初始化线610可以传输第二初始化电压Vint2。
在实施例中，第二初始化线610可以与第一初始化线320的第一直线部分321叠置。第二初始化线610可以设置为使得在第二初始化线610的与第一初始化线320的第一直线部分321叠置的部分处充分地确保开口OP在第二方向DR2上的第一宽度W1。
另外，可以形成使第一初始化线320的一部分暴露的第十接触孔CNT10，并且可以形成使第四晶体管T4的第二电极E42的一部分暴露的第十一接触孔CNT11。第四导电层600的第六连接电极670可以通过第十接触孔CNT10连接到第一初始化线320，并且第六连接电极670可以通过第十一接触孔CNT11连接到第四晶体管T4的第二电极E42。因此，第一初始化线320和第四晶体管T4的第二电极E42可以通过第六连接电极670桥接。
进一步参照图9H和图9I，图9H示出了使图9G的实施例中示出的第四导电层600的部分暴露的第一通孔VIA1、第二通孔VIA2和第三通孔VIA3。另外，图9I示出了设置在其中形成有第一通孔VIA1、第二通孔VIA2和第三通孔VIA3的第四导电层600上的第五导电层700。在实施例中，第一通孔VIA1、第二通孔VIA2和第三通孔VIA3可以穿过置于第四导电层600与第五导电层700之间的第四绝缘层IL4，以使第四导电层600的部分暴露。
第四绝缘层IL4可以设置在第四导电层600与第五导电层700之间。在实施例中，第四绝缘层IL4可以覆盖第四导电层600，并且第五导电层700可以设置在第四绝缘层IL4上。
如图9I的实施例中所示，第五导电层700可以包括数据线710、第二电力线720和桥电极730。数据线710、第二电力线720和桥电极730可以设置在同一层上，并且可以包括相同的材料。例如，在实施例中，数据线710、第二电力线720和桥电极730可以包括诸如金属或导电氧化物的具有高导电性的材料。例如，在实施例中，数据线710、第二电力线720和桥电极730可以形成为包括选自于钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等的至少一种的单层或多层。
如图9I的实施例中所示，数据线710和第二电力线720可以形成为基本上在第二方向DR2上延伸，并且桥电极730可以以岛型形成。例如，桥电极730可以形成为与相邻的像素PX分离。
在实施例中，数据线710和第二电力线720可以(例如，在第一方向DR1上)彼此间隔开，使得充分确保开口OP在第一方向DR1上的第二宽度W2(例如，在第一方向DR1上的长度)。
数据线710可以传输数据信号DATA，第二电力线720可以与第一电力线310一起传输第一驱动电压VDD。
如图9H的实施例中所示，可以形成使第四导电层600的第三连接电极640的至少一部分暴露的第一通孔VIA1。第三连接电极640可以通过第一通孔VIA1连接到数据线710。
因此，第二晶体管T2的连接到第三连接电极640的第一电极E21可以连接到数据线710。
另外，如图9H的实施例中所示，可以形成使第四导电层600的第四连接电极650的至少一部分暴露的第二通孔VIA2。第四连接电极650可以通过第二通孔VIA2连接到第二电力线720。
因此，第五晶体管T5的连接到第四连接电极650的第一电极E51可以连接到第二电力线720。
同时，由于第一电力线310与第二电力线720之间的连接关系，用于传输第一驱动电压VDD的电力线可以以网格结构设置。
另外，如图9H的实施例中所示，可以形成使第四导电层600的第五连接电极660的至少一部分暴露的第三通孔VIA3。第五连接电极660可以通过第三通孔VIA3连接到桥电极730。
因此，第六晶体管T6的连接到第五连接电极660的第二电极E62可以连接到桥电极730。
同时，桥电极730和发光元件LD的第一电极(例如，阳极或阴极)可以通过使桥电极730的一部分暴露的通孔连接。因此，第六晶体管T6的第二电极E62可以连接到发光元件LD的第一电极。
参照图9J，图9J示出了由于包括在像素PX中的诸如第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst的电路元件与线220、230、310、320、330、340、510、520、610、710和720之间的布置关系而引起的开口OP。
图9J示出了设置于在第一方向DR1上相邻的像素区域PXA中的电路元件和线。在给出的发明构思的实施例中，布置于在第一方向DR1上相邻的像素区域PXA中的电路元件和线可以以对称结构设置。
如上所述，开口OP在第二方向DR2上的第一宽度W1可以由第一初始化线320和第二初始化线610限定，第一初始化线320包括在第一方向DR1上延伸的第一直线部分321和第二直线部分323以及从第一方向DR1以预定角度弯曲的弯曲部分322，第二初始化线610设置为与第一初始化线320叠置。第二初始化线610也可以与第一初始化线320的第一直线部分321叠置。例如，在实施例中，第一宽度W1可以是约4.37μm。
另外，开口OP在第一方向DR1上的第二宽度W2可以由在第二方向DR2上延伸并且设置为彼此间隔开的数据线710和第二电力线720限定。例如，在实施例中，第二宽度W2可以是约5.7μm。
因此，确保开口OP的第一宽度W1和第二宽度W2以充分确保开口OP的面积，从而提高指纹传感器的指纹感测功能的可靠性。例如，在实施例中，开口OP的面积可以是约24.91μm2。然而，给出的发明构思的实施例不限于此。
包括在根据给出的发明构思的实施例的显示装置的像素中的第一初始化线可以设置为在像素区域中在一个方向上延伸，并且可以包括以相对于所述一个方向的倾斜线弯曲的弯曲部分。由于第一初始化线设置在像素区域中，因此可以充分确保形成在像素的电路元件层中的开口(例如，针孔)的最小宽度(例如，面积)，以使反射光通过其到达下层。
然而，给出的发明构思的效果不限于上述效果，而是可以在不脱离给出的发明构思的精神和范围的情况下进行各种修改。
尽管已经描述了给出的发明构思的实施例，但是给出的发明构思也可以用于各种其他组合、修改和环境中。例如，可以改变或修改给出的发明构思，并且给出的发明构思的实施例不限于所公开的实施例。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；以及
像素层，设置在所述基底上，所述像素层包括具有开口的电路元件层，
其中，所述电路元件层包括：第一半导体层；第一导电层，设置在所述第一半导体层上，所述第一导电层包括第一扫描线图案和发射控制线；第二导电层，设置在所述第一导电层上，所述第二导电层包括传输第一初始化电压的第一初始化线、第二扫描线图案和第三扫描线图案；第二半导体层，设置在所述第二导电层上；以及第三导电层，设置在所述第二半导体层上，所述第三导电层包括第四扫描线图案和第五扫描线图案，并且
其中，所述第一初始化线包括均在第一方向上延伸的第一部分和第二部分以及直接设置在所述第一部分与所述第二部分之间并且相对于所述第一方向倾斜地延伸的第三部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分一体地形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二扫描线图案和所述第三扫描线图案在所述第一方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一初始化线、所述第三扫描线图案和所述第二扫描线图案在与所述第一方向交叉的第二方向上顺序地布置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一部分与所述第三扫描线图案之间的间隔比所述第二部分与所述第三扫描线图案之间的间隔小。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二导电层还包括在所述第二方向上与所述第二扫描线图案间隔开的第一电力线。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中：
所述第四扫描线图案和所述第五扫描线图案在所述第一方向上延伸；并且
所述第五扫描线图案在所述第二方向上与所述第四扫描线图案间隔开。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二扫描线图案和所述第四扫描线图案在所述基底的厚度方向上彼此叠置，所述第二扫描线图案和所述第四扫描线图案被配置为传输相同的扫描信号。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三扫描线图案和所述第五扫描线图案在所述基底的厚度方向上彼此叠置，所述第三扫描线图案和所述第五扫描线图案被配置为传输相同的扫描信号。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一扫描线图案和所述发射控制线在所述第一方向上延伸；并且
所述发射控制线在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一扫描线图案间隔开。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一导电层还包括与所述第一扫描线图案和所述发射控制线两者间隔开的岛电极；
所述第二导电层还包括第一电力线，所述第一电力线在所述第一方向上延伸并且被配置为传输驱动电压；并且
所述岛电极和所述第一电力线在所述基底的厚度方向上彼此叠置。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述电路元件层还包括设置在所述第三导电层上的第四导电层，所述第四导电层包括传输第二初始化电压的第二初始化线；并且
所述第二初始化线在所述第一方向上延伸，并且包括在与所述第一方向交叉的第二方向上突出的突起。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二初始化线在所述基底的厚度方向上与所述第一部分叠置。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述电路元件层还包括设置在所述第四导电层上的第五导电层，所述第五导电层包括传输数据信号的数据线和传输驱动电压的第二电力线。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述数据线和所述第二电力线在所述第二方向上延伸，并且在所述第一方向上彼此间隔开。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一初始化线、所述第二初始化线、所述数据线和所述第二电力线不设置在所述开口中。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一半导体层包括多晶硅半导体；并且
所述第二半导体层包括氧化物半导体。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素层还包括设置在所述电路元件层上的发光元件层。
19.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括：
传感器层，包括光学传感器；并且
所述基底设置在所述传感器层上，
其中，所述光学传感器被配置为通过检测从所述像素层发射并由用户的手指反射的光来检测用户指纹。
20.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，具有基底，所述基底包括显示区域和感测区域，所述显示区域包括多个像素，所述感测区域限定在所述显示区域的至少一局部部分中；
像素层，设置在所述显示区域中，所述像素层包括具有开口的电路元件层，所述开口具有由第一方向上的第一宽度和与所述第一方向交叉的第二方向上的第二宽度限定的第一区域；
传感器层，在所述感测区域中设置在所述显示面板上，所述传感器层包括被配置为感测用户指纹的光学传感器，
其中，所述电路元件层包括多个半导体层和多个导电层，所述多个导电层包括第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述第一导电层包括传输第一初始化电压的第一初始化线；
所述第二导电层包括电力线和数据线，所述电力线和所述数据线两者在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开第一距离，其中，所述第一距离限定所述开口的所述第一宽度；并且
所述第一初始化线包括均在所述第一方向上延伸的第一部分和第二部分以及直接设置在所述第一部分与所述第二部分之间并且相对于所述第一方向和所述第二方向倾斜地延伸的第三部分，所述第一部分限定所述开口的所述第二宽度，并且
其中，所述第一区域具有允许由用户的手指反射的光透射通过所述开口的尺寸。
CN202111176937.0A 2020-11-16 2021-10-09 显示装置 Pending CN114520250A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0152879 2020-11-16
KR1020200152879A KR20220067582A (ko) 2020-11-16 2020-11-16 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114520250A true CN114520250A (zh) 2022-05-20

Family

ID=81587624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111176937.0A Pending CN114520250A (zh) 2020-11-16 2021-10-09 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11694469B2 (zh)
KR (1) KR20220067582A (zh)
CN (1) CN114520250A (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108806578B (zh) * 2018-06-08 2021-04-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102643092B1 (ko) 2018-10-02 2024-03-06 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 구비한 표시 장치
KR20210152101A (ko) * 2020-06-05 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220067582A (ko) 2022-05-25
US20220156477A1 (en) 2022-05-19
US11694469B2 (en) 2023-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102602670B1 (ko) 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치
KR102412232B1 (ko) 터치센서를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법
KR102580167B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160093184A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20150079265A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20210014393A1 (en) Light emitting device, exposure system, imaging display device, imaging device, electronic device, and lighting device
CN113517317A (zh) 显示面板以及具有其的显示装置
KR20220065139A (ko) 디스플레이 장치
WO2021254049A1 (zh) 显示基板和显示装置
KR20220056301A (ko) 표시 장치
KR20220033558A (ko) 전자 장치
CN114520250A (zh) 显示装置
CN115942831A (zh) 显示装置
KR20230048213A (ko) 표시 장치
KR20230058200A (ko) 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치 및 표시 패널 제조 방법
KR20210128554A (ko) 표시 패널 및 표시 장치
US12010899B1 (en) Display apparatus having a light-emitting device and an optical lens
WO2024103316A1 (zh) 显示面板及终端设备
EP4227780A1 (en) Display device
US20240237475A9 (en) Display device
US20230207764A1 (en) Display device and method for manufacturing same
KR20230151585A (ko) 표시 장치
KR20230061618A (ko) 표시 장치
KR20230142061A (ko) 표시 장치
KR20240055919A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination