CN114520167A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114520167A
CN114520167A CN202111374572.2A CN202111374572A CN114520167A CN 114520167 A CN114520167 A CN 114520167A CN 202111374572 A CN202111374572 A CN 202111374572A CN 114520167 A CN114520167 A CN 114520167A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
protection window
window
cleaning
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111374572.2A
Other languages
English (en)
Inventor
全镇弘
韩圭完
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114520167A publication Critical patent/CN114520167A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：第一腔室，在该第一腔室中执行对基板的蚀刻工艺；腔室窗，布置在第一腔室的一个表面上；激光模块，布置在第一腔室的外部，并通过腔室窗向基板照射激光束，以执行蚀刻工艺；第一保护窗，位于基板和腔室窗之间；第二腔室，布置在第一腔室的一侧；传送部，将第一保护窗从第一腔室传送到第二腔室；以及清洗模块，布置在第二腔室的内部，并对传送到第二腔室的第一保护窗执行清洗工艺。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。更具体地，本发明涉及一种向下式基板激光蚀刻装置。
背景技术
平板显示装置由于其重量轻、厚度薄等特性而被用作替代阴极射线管显示装置的显示装置。这种平板显示装置的代表性示例包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
显示装置的制造工艺，与半导体类似，使用物理或化学等多种方法。例如，显示装置的制造工艺可以包括使用激光的基板蚀刻工艺。与其它方法相比，使用激光的基板蚀刻工艺的结构简单，可以减少工艺时间，因此被广泛使用。
另外，在使用激光的向下式基板蚀刻工艺中，可以使用保护窗来防止在基板上产生并落下的微粒污染腔室窗。此时，如果在保护窗上积载了一定量以上的微粒，则需要更换或清洗保护窗。因此，由于需要打开真空腔室以更换或清洗保护窗，所以蚀刻工艺可能会停止直到腔室再次达到真空状态，从而降低了基板的处理效率。
发明内容
解决的技术问题
本发明的一个目的在于提供一种提升基板处理效率的基板处理装置。
本发明的另一目的在于提供一种提升基板处理效率的基板处理方法。
然而，本发明并不局限于上述目的，而是在不脱离本发明的思想及领域的范围内，可以进行多种扩展。
解决方法
为实现如上所述本发明的一个目的，根据本发明示例性实施例的基板处理装置可以包括：第一腔室，在所述第一腔室内部执行对基板的蚀刻工艺；腔室窗，布置在所述第一腔室的一个表面上；激光模块，布置在所述第一腔室的外部，并通过所述腔室窗向所述基板照射激光束，以执行所述蚀刻工艺；第一保护窗，位于所述基板与所述腔室窗之间；第二腔室，布置在所述第一腔室的一侧；传送部，用于将所述第一保护窗从所述第一腔室传送到所述第二腔室；以及清洗模块，布置在所述第二腔室的内部，并对传送到所述第二腔室的所述第一保护窗执行清洗工艺。
在一实施例中，穿过所述腔室窗的所述激光束可以穿过所述第一保护窗照射到所述基板。通过所述激光束在所述基板上产生的微粒可以下落并积载到所述第一保护窗的一个表面上。所述清洗模块可以将清洗剂提供到所述第一保护窗的所述一个表面上。
在一实施例中，所述清洗剂可以包括可升华固体颗粒。
在一实施例中，所述传送部可以将经执行所述清洗工艺的所述第一保护窗从所述第二腔室传送到所述第一腔室。
在一实施例中，所述第一腔室的内部可以在进行所述蚀刻工艺时处于真空状态。所述第二腔室的内部可以在进行所述清洗工艺时处于大气压状态。
在一实施例中，所述基板处理装置还可以包括：清洗检测部，布置在所述第二腔室的内部，并检测所述第一保护窗的清洗状态。
在一实施例中，所述基板处理装置还可以包括：第三腔室，布置在所述第一腔室和所述第二腔室之间，并反复维持真空状态和大气压状态。所述传送部可以将所述第一保护窗从所述第一腔室经由所述第三腔室传送到所述第二腔室。
在一实施例中，所述基板处理装置还可以包括：第二保护窗，当所述第一保护窗位于所述第一腔室内部时，所述第二保护窗位于所述第二腔室内部。在所述第一腔室内部使用所述第一保护窗执行对所述基板的所述蚀刻工艺期间，可以在所述第二腔室内部执行对所述第二保护窗的清洗工艺。
在一实施例中，当所述第一保护窗从所述第一腔室经由所述第三腔室被传送到所述第二腔室时，所述传送部可以将所述第二保护窗从所述第二腔室传送到所述第三腔室。
在一实施例中，所述基板处理装置还可以包括：第三保护窗，当所述第一保护窗位于所述第一腔室内部时，所述第三保护窗位于所述第三腔室内部。当所述第一保护窗从所述第一腔室经由所述第三腔室被传送到所述第二腔室时，所述传送部可以将所述第三保护窗从所述第三腔室传送到所述第一腔室。
有益效果
根据本发明的实施例，可以在第一腔室内部使用保护窗执行对基板的蚀刻工艺，且上述保护窗可能根据蚀刻工艺而被污染。被污染的保护窗可以通过传送部被传送到第二腔室，并且可以在第二腔室的内部被清洗。然后，已完成清洗的保护窗可以再次被传送到第一腔室，并且在第一腔室中可以使用该保护窗再次执行对基板的蚀刻工艺。由此，可以在不向外打开第一腔室的情况下，在基板处理装置内自主清洗被污染的上述保护窗，从而提升基板处理效率。
另外，根据本发明的实施例，在第一腔室内部使用第一保护窗对基板执行蚀刻工艺期间，可以在第二腔室内部清洗第二保护窗。当经蚀刻工艺污染的第一保护窗从第一腔室被传送到第二腔室时，传送部可以将已完成清洗的第二保护窗传送到第一腔室。由此，可以最小化在第一腔室内部中止蚀刻工艺以准备处于清洗状态的保护窗的时间，从而能够进一步提升基板处理效率。
附图说明
图1是示出根据本发明一实施例的基板处理装置的截面图。
图2是示出图1的基板处理装置的内部的平面图。
图3a至图3h是用于说明根据本发明一实施例的基板处理方法的截面图。
图4a至图4e是用于说明根据本发明另一实施例的基板处理方法的截面图。
附图标记的说明
10：基板处理装置 SUB：基板
CH1、CH2、CH3：第一腔室、第二腔室和第三腔室
CW1、CW2：第一腔室窗和第二腔室窗
LM：激光模块 PW：保护窗
100：污染检测部 200：传送部
CM：清洗模块 300：清洗检测部
310：光源部 320：测量部
具体实施方式
以下，将参照附图更详细描述本发明的实施例。对于附图中的相同的构成要件，将使用相同或相似的附图标记。
图1是示出根据本发明一实施例的基板处理装置的截面图，且图2是示出图1的基板处理装置的内部的平面图。
参照图1和图2，根据本发明一实施例的基板处理装置10可以包括第一腔室CH1、载具CR、激光模块LM、第一腔室窗CW1和第二腔室窗CW2、保护窗PW、污染检测部100、传送部200、第二腔室CH2、清洗模块CM、清洗检测部300和第三腔室CH3。
第一腔室CH1可以是在其内部执行对基板SUB的蚀刻工艺的空间。第一腔室CH1的内部在对基板SUB进行蚀刻工艺时可以处于真空状态。例如，第一腔室CH1的内部可以通过真空泵和真空阀(未图示)维持真空状态。
基板SUB是基板处理装置10的处理对象，并且可以适用任何类型的基板，诸如使用包括有机发光层的有机发光二极管的有机发光显示装置、使用超小型发光二极管的超小型发光二极管显示装置、使用包括量子点发光层的量子点发光二极管的量子点发光显示装置、或者使用包括无机半导体的无机发光元件的无机发光显示装置等。
第一闸阀G1可布置在第一腔室CH1的一侧。基板SUB可以通过第一闸阀G1从外部提供到第一腔室CH1的内部。即，第一闸阀G1可提供能够使基板SUB进出的路径。
载具CR可以布置在第一腔室CH1的内部。载具CR可以起到吸附基板SUB并移动基板SUB的作用，并且可以包括用于吸附基板SUB的静电吸盘(未图示)等。
激光模块LM可布置在第一腔室CH1的外部。例如，激光模块LM可以布置在第一腔室CH1的下部。激光模块LM可以向基板SUB(例如，向上侧)照射激光束L，以蚀刻基板SUB。从激光模块LM照射的激光束L可以穿过第一腔室窗CW1和保护窗PW照射到基板SUB的一个表面(例如，底表面)上，从而可以对基板SUB执行蚀刻工艺。根据待蚀刻的基板SUB的宽度等，激光模块LM可以设置为一个或两个以上。虽然未在附图中示出，但是激光模块LM可以包括激光单元、透镜、反射镜、扩束器、滤波器或扫描器等。
第一腔室窗CW1可以布置在第一腔室CH1的一个表面上。例如，第一腔室窗CW1可以布置在第一腔室CH1的与激光模块LM相邻的一个表面(例如，底表面)上。第一腔室窗CW1可以由透明材料(例如，石英等)制成，该透明材料能够透射从激光模块LM照射的激光束L。从布置在第一腔室CH1的外部的激光模块LM照射的激光束L可以通过第一腔室窗CW1进入第一腔室CH1的内部。
第一腔室窗CW1可以布置在激光模块LM与载具CR(或基板SUB)之间。即，第一腔室窗CW1可以布置为与激光模块LM和载具CR(或基板SUB)重叠。
保护窗PW可以布置在第一腔室CH1的内部，并且可以位于载具CR(或基板SUB)与第一腔室窗CW1之间。即，保护窗PW可以布置为与第一腔室窗CW1和载具CR(或基板SUB)重叠。例如，保护窗PW可以布置在第一腔室窗CW1的上部和载具CR(或基板SUB)的下部。
保护窗PW可以由透明材料制成，该透明材料能够透射通过第一腔室窗CW1进入第一腔室CH1内部的激光束L。因此，穿过第一腔室窗CW1的激光束L可以进一步穿过保护窗PW照射到基板SUB的上述一个表面(例如，底表面)上。例如，保护窗PW可以由与第一腔室窗CW1相同的材料制成。
保护窗PW可以在透射激光束L的同时，能够防止随着对基板SUB执行蚀刻工艺而在基板SUB上产生的微粒P污染第一腔室窗CW1。即，通过激光束L在基板SUB上产生的微粒P可以下落并积载到保护窗PW的一个表面(例如，上表面)上，而不是第一腔室窗CW1上。因此，可以防止激光束L的折射或透射率由于第一腔室窗CW1上的微粒P而降低，从而可以提高基板SUB的处理质量。另外，不需要更换或清洗第一腔室窗CW1，或为此而打开第一腔室CH1的周期会变长，因此可以提升基板处理装置10的处理效率。
在示例性实施方式中，保护窗PW可以设置为一个或两个以上。例如，当待蚀刻的基板SUB具有大面积时，如图2所示，可以设置具有相对小面积的多个保护窗PW。作为另一示例，也可以设置具有相对大面积的一个保护窗PW，以对应于基板SUB的面积。
在一实施例中，位于第一腔室CH1内部的保护窗PW可以通过第一保护窗移动模块(未示出)在预定范围内(例如，在覆盖第一腔室窗CW1的范围内)左右移动。如果在激光模块LM和保护窗PW被固定的状态下对基板SUB执行蚀刻工艺，则微粒P可以仅集中下落并积载到保护窗PW的上表面上的特定区域中。第一保护窗移动模块可以通过左右移动保护窗PW而使微粒P均匀地积载到保护窗PW的上表面上的左右区域整体上。因此，可以延长保护窗PW的更换周期或清洗周期，从而可以提升基板处理装置10的处理效率。
第二腔室窗CW2可以布置在第一腔室CH1的另一表面(例如，上表面)。即，第二腔室窗CW2可以布置在第一腔室CH1的上述另一表面上，以与第一腔室窗CW1相对。第二腔室窗CW2可以布置在保护窗PW和污染检测部100之间。第二腔室窗CW2可以由能够透射从激光模块LM照射的激光束L的透明材料制成。例如，第二腔室窗CW2可以由与第一腔室窗CW1相同的材料制成。
污染检测部100可布置在第一腔室CH1的外部，并检测保护窗PW的污染状态。例如，污染检测部100可布置在第一腔室CH1的上部。污染检测部100可以与激光模块LM、第一腔室窗CW1、保护窗PW和第二腔室窗CW2重叠。
为了使污染检测部100检测保护窗PW的污染状态，从激光模块LM照射的激光束L可以穿过第一腔室窗CW1、保护窗PW和第二腔室窗CW2到达布置在第一腔室CH1外部的污染检测部100。污染检测部100可以通过测量穿过保护窗PW的激光束L的折射率或透射率等来检测保护窗PW的污染状态。在这种情况下，载具CR和基板SUB可以不位于激光束L的路径上。即，污染检测部100对于保护窗PW的污染状态的检测可以在载具CR和基板SUB处于不与保护窗PW重叠的位置处时执行。
传送部200可以将保护窗PW从第一腔室CH1传送到第二腔室CH2，或者可以将保护窗PW从第二腔室CH2传送到第一腔室CH1。例如，传送部200可以将被污染检测部100检测为被污染的保护窗PW从第一腔室CH1经由第三腔室CH3传送到第二腔室CH2。此外，传送部200可以将由清洗检测部300检测为已完成清洗的保护窗PW从第二腔室CH2经由第三腔室CH3传送到第一腔室CH1。
例如，传送部200可以使用机器人传送或载物台传送等方式在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3之间传送保护窗PW。在图1中，示出了传送部200布置在第一腔室CH1内部，但这是示例性的，且本发明不限于此。例如，传送部200可以布置在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3中的每一个中，或者也可以横跨第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3而布置。
第二腔室CH2可布置在第一腔室CH1的一侧(例如，右侧)。第二腔室CH2可以是在其内部执行对保护窗PW的清洗工艺的空间。第二腔室CH2的内部在对保护窗PW进行清洗工艺时可以处于大气压状态。
清洗模块CM可以布置在第二腔室CH2的内部。清洗模块CM可以布置在第二腔室CH2内部，并且可以对保护窗PW执行清洗工艺。即，清洗模块CM可以对通过传送部200从第一腔室CH1传送到第二腔室CH2的处于污染状态(即，上表面上积载有微粒P的状态)的保护窗PW执行清洗工艺。
清洗模块CM可以将清洗剂C提供到保护窗PW的积载有微粒P的一个表面(例如，上表面)上。例如，清洗剂C可以包括诸如氮气、氩气、空气等的非反应性气体或诸如干冰等的可升华固体颗粒。当使用诸如干冰等的可升华固体颗粒作为清洗剂C时，布置在保护窗PW上的清洗剂C在去除作为异物的微粒P之后升华，从而防止或减少残留物的产生或保护窗PW的损坏等。虽然未在附图中示出，但是清洗模块CM可包括用于喷射清洗剂C的喷嘴、用于存储清洗剂C的存储部、用于吸入去除的微粒P的吸入部等。
在示例性实施方式中，清洗模块CM可设置为一个或两个以上。例如，如图2所示，当设置有多个具有相对小面积的保护窗PW时，清洗模块CM可以设置为多个，以对应于每个保护窗PW。作为另一示例，也可以设置为由一个清洗模块CM将清洗剂C同时提供到多个保护窗PW上。
例如，清洗模块CM可以在预定范围内左右移动。在示例性实施方式中，当待清洗的保护窗PW被固定时，随着清洗模块CM左右移动，可以在保护窗PW的上表面上的左右区域整体上提供清洗剂C。因此，可以对保护窗PW的整个上表面去除微粒P。作为另一示例，也可以将清洗模块CM固定，并且使位于第二腔室CH2内部的保护窗PW通过第二保护窗移动模块(未示出)在预定范围内左右移动。
清洗检测部300可布置在第二腔室CH2内部，并检测保护窗PW的清洗状态。在一实施例中，清洗检测部300可以包括光源部310和测量部320。
光源部310可以布置在位于第二腔室CH2中的保护窗PW的一侧(例如，下侧)，并且可以向保护窗PW照射第一光。例如，第一光可以是紫外激光、可见光激光、红外激光、准分子激光等。
测量部320布置在位于第二腔室CH2内部的保护窗PW的另一侧(例如，上侧)，并通过使用第一光和由第一光穿过保护窗PW而成的第二光来测量保护窗PW的透射率，从而检测保护窗PW的清洗状态。例如，测量部320可包括光接收部和计算部。光接收部可以接收从光源部310照射的第一光穿过保护窗PW而成的第二光。例如，光接收部可以是能够测量光的量并将其转换为电信号的光传感器。计算部可以基于从光源部310照射的第一光和由光接收部接收的第二光来计算保护窗PW的透射率，从而检测保护窗PW的清洗状态。
例如，清洗检测部300可以在预定范围内左右移动。在示例性实施例中，当待检测清洗状态的保护窗PW被固定时，清洗检测部300可以左右移动，以检测保护窗PW的上表面上的左右整体的清洗状态。作为另一示例，如上所述，当位于第二腔室CH2内部的保护窗PW通过第二保护窗移动模块在预定范围内左右移动时，清洗检测部300也可以被固定。
第三腔室CH3可以布置在第一腔室CH1和第二腔室CH2之间。第三腔室CH3可以是反复维持真空状态和大气压状态的空间，以在处于真空状态的第一腔室CH1和处于大气压状态的第二腔室CH2之间有效地传送保护窗PW。例如，第三腔室CH3的尺寸可以小于第二腔室CH2的尺寸。
第二闸阀G2可布置在第一腔室CH1和第三腔室CH3之间，且第三闸阀G3可布置在第二腔室CH2和第三腔室CH3之间。保护窗PW可以通过第二闸阀G2和第三闸阀G3在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3之间传送。此外，第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3中的每一个的内部可以通过第二闸阀G2和第三闸阀G3而维持真空状态或大气压状态。
可选地，也可以省略第三腔室CH3和第三闸阀G3。即，第二闸阀G2可以布置在第一腔室CH1和第二腔室CH2之间。在这种情况下，为了在处于真空状态的第一腔室CH1和处于大气压状态的第二腔室CH2之间传送保护窗PW，可以将第二腔室CH2的内部转换为真空状态，然后打开第二闸阀G2以传送保护窗PW。
根据本发明一实施例的基板处理装置10，可以在第一腔室CH1内部使用保护窗PW执行对基板SUB的蚀刻工艺，而通过蚀刻工艺，保护窗PW可能会被污染。可以通过传送部200将被污染的保护窗PW传送到第二腔室CH2，并且可以在第二腔室CH2内部进行清洗。然后，将已完成清洗的保护窗PW再次传送到第一腔室CH1，并使用该保护窗PW在第一腔室CH1的内部再次执行对基板SUB的蚀刻工艺。由此，可以在不打开第一腔室CH1的情况下，在基板处理装置10内自主清洗被污染的保护窗PW，从而提升基板处理装置10的处理效率。
在示例性实施方式中，保护窗PW可以同时布置在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3中的每一个中。例如，当第一保护窗PW1(见图4a)位于第一腔室CH1的内部时，第二保护窗PW2(见图4a)位于第二腔室CH2的内部，且第三保护窗PW3(见图4a)位于第三腔室CH3的内部。例如，第二保护窗PW2可以处于被污染状态，且第三保护窗PW3可以处于已完成清洗的状态。在第一腔室CH1的内部使用第一保护窗PW1执行对基板SUB的蚀刻工艺期间，可以在第二腔室CH2的内部通过清洗模块CM执行对第二保护窗PW2的清洗工艺。即，在第一保护窗PW1在第一腔室CH1内部通过蚀刻工艺而被污染期间，可以在第二腔室CH2内部通过上述清洗工艺清洗第二保护窗PW2。当传送部200将通过蚀刻工艺而被污染的第一保护窗PW1从第一腔室CH1经由第三腔室CH3传送到第二腔室CH2以对其进行清洗时，传送部200可以将第三保护窗PW3从第三腔室CH3传送到第一腔室CH1，并且可以将第二保护窗PW2从第二腔室CH2传送到第三腔室CH3。在这种情况下，第二保护窗PW2和第三保护窗PW3中的每一个都可以处于已完成清洗的状态。在这种情况下，通过最小化在第一腔室CH1内部中止蚀刻工艺的时间，可以进一步提升基板处理装置10的处理效率。这将在后面参照图4a至图4e详细描述。
图3a至图3h是用于说明根据本发明一实施例的基板处理方法的截面图。
参照图3a，可以准备包括第一腔室CH1、激光模块LM以及第二腔室CH2的基板处理装置10。第一腔室CH1可以包括第一腔室窗CW1和第二腔室窗CW2。激光模块LM可以布置在第一腔室CH1的外部(例如，下部)。第二腔室CH2可以布置在第一腔室CH1的一侧(例如，右侧)，并可以包括清洗模块CM。
保护窗PW可以布置在第一腔室CH1内部以与第一腔室窗CW1重叠。保护窗PW可以布置在载具CR(或基板SUB)与第一腔室窗CW1之间。第一腔室窗CW1和保护窗PW可以由能够透射从激光模块LM照射的激光束L的透明材料(例如，石英等)制成。
基板SUB可布置在第一腔室CH1内部。例如，基板SUB可以被载具CR吸附并左右移动。
可以通过使用激光模块LM向基板SUB照射激光束L来蚀刻基板SUB。从激光模块LM照射的激光束L可以穿过第一腔室窗CW1和保护窗PW照射到基板SUB的一个表面(例如，底表面)上，从而蚀刻基板SUB的上述一个表面。
当基板SUB被激光束L蚀刻时，从基板SUB产生的微粒P可以下落并积载到保护窗PW的一个表面(例如，上表面)上。随着对基板SUB执行蚀刻工艺，当积载在保护窗PW的一个表面上的微粒P的量增加时，由于微粒P导致激光束L的折射或激光束L的透射率降低，可能会使针对基板SUB的蚀刻工艺的质量劣化。
参照图3b，可以使用布置在第一腔室CH1的外部(例如，上部)的污染检测部100来检测保护窗PW的污染状态。例如，污染检测部100可以根据预先设定的检测周期自动检测保护窗PW的污染。污染检测部100的检测周期可以考虑蚀刻工艺时间和基板SUB的蚀刻次数等而不同地设定。
为了使污染检测部100检测保护窗PW的污染状态，从激光模块LM照射的激光束L可以穿过第一腔室窗CW1、保护窗PW以及第二腔室窗CW2到达布置在第一腔室CH1的外部的污染检测部100。污染检测部100可以通过测量穿过保护窗PW的激光束L的折射率或透射率等来检测保护窗PW的污染状态。
当污染检测部100检测保护窗PW的污染状态时，载具CR和基板SUB可以不位于激光束L的路径上。
在一实施例中，污染检测部100的检测周期可以与基板SUB的更换周期一致。即，可以在基板SUB的蚀刻结束时执行检测保护窗PW的污染状态的步骤。即，检测保护窗PW的污染状态的步骤可以在基板SUB被移出到第一腔室CH1的外部的状态下执行。然而，这仅是示例，且本发明不限于此。例如，根据污染检测部100的检测周期，载具CR和基板SUB可以在第一腔室CH1内部向左或向右移动，使得载具CR和基板SUB不位于激光束L的路径上。
参照图3c至图3e，可以通过传送部200将保护窗PW从第一腔室CH1传送到第二腔室CH2。例如，传送部200可基于由污染检测部100检测到的保护窗PW的污染状态，将保护窗PW从第一腔室CH1传送到第二腔室CH2。即，当保护窗PW的污染状态达到预先设定的阈值时，传送部200可以将保护窗PW传送到第二腔室CH2以清洗保护窗PW。可选地，当省略污染检测部100时，传送部200也可以根据预先设定的传送周期将保护窗PW从第一腔室CH1传送到第二腔室CH2。
参照图3c和3d，传送部200可以首先将保护窗PW从第一腔室CH1传送到布置在第一腔室CH1和第二腔室CH2之间的第三腔室CH3。例如，由于第一腔室CH1的内部处于真空状态，因此可以将第三腔室CH3的内部设定为真空状态，然后打开第二闸阀G2以将保护窗PW从第一腔室CH1传送到第三腔室CH3。
接着，参照图3d和图3e，在关闭第二闸阀G2之后，可以将第三腔室CH3的内部转换为大气压状态。然后，可以打开第三闸阀G3以将保护窗PW从第三腔室CH3传送到第二腔室CH2。
例如，第三腔室CH3的尺寸可以小于第二腔室CH2的尺寸。即，可以通过将第二腔室CH2的内部维持在大气压状态的同时，将尺寸相对小的第三腔室CH3的内部转换为真空或大气压状态，而不是将尺寸相对大的第二腔室CH2的内部转换为真空或大气压状态，从而能够缩短转换腔室内部状态所需的时间。因此，可以在处于真空状态的第一腔室CH1和处于大气压状态的第二腔室CH2之间有效地传送保护窗PW。
可选地，当省略第三腔室CH3和第三闸阀G3时，传送部200可将保护窗PW从第一腔室CH1直接传送到第二腔室CH2。在这种情况下，由于第一腔室CH1的内部处于真空状态，因此可以将第二腔室CH2的内部转换为真空状态，然后打开第二闸阀G2以将保护窗PW从第一腔室CH1传送到第二腔室CH2。然后，在关闭第二闸阀G2之后，可以再次将第二腔室CH2的内部转换为大气压状态。
接着，可以使用清洗模块CM来清洗位于第二腔室CH2内部的保护窗PW。即，可以通过传送部200将在第一腔室CH1内部被污染的保护窗PW(即，积载有微粒P的保护窗PW)传送到第二腔室CH2，并且可以通过清洗模块CM在第二腔室CH2内部进行清洗。清洗模块CM可以将清洗剂C提供到保护窗PW的积载有微粒P的一个表面(例如，上表面)上。例如，清洗剂C可以包括诸如氮气、氩气、空气等的非反应性气体或诸如干冰等的可升华固体颗粒。
接着，可以使用布置在第二腔室CH2内部的清洗检测部300来检测保护窗PW的清洗状态。在一实施例中，清洗检测部300可以包括布置在保护窗PW的一侧的光源部310和布置在保护窗PW的另一侧的测量部320。例如，保护窗PW的清洗状态可以由测量部320检测，测量部320使用从光源部310照射的第一光和由第一光穿过保护窗PW而成的第二光来计算保护窗PW的透射率。
在一实施例中，可以与清洗保护窗PW的步骤同时执行检测保护窗PW的清洗状态的步骤。例如，清洗模块CM和清洗检测部300可以被固定，并且位于第二腔室CH2内部的保护窗PW可以通过第二保护窗移动模块在预定范围内左右移动。例如，在通过第二保护窗移动模块将保护窗PW从左侧向右侧移动的同时，可以从保护窗PW的上表面的右侧区域沿着左侧方向顺序地提供清洗剂C。此时，当清洗检测部300位于清洗模块CM的右侧并被固定时，清洗检测部300可以从保护窗PW的提供有清洗剂C的右侧区域沿着左侧方向顺序地检测清洗状态。作为另一示例，也可以在第二腔室CH2内部固定保护窗PW的位置，并且使清洗模块CM和清洗检测部300左右移动，以执行清洗工艺和清洗状态检测。
参照图3e至图3g，可以使用传送部200将保护窗PW从第二腔室CH2传送到第一腔室CH1。例如，传送部200可基于由清洗检测部300检测到的保护窗PW的清洗状态将保护窗PW从第二腔室CH2传送到第一腔室CH1。即，当保护窗PW的清洗状态达到预先设定的阈值时，传送部200可以将保护窗PW再次传送到第一腔室CH1。可选地，当省略清洗检测部300时，传送部200也可以根据预先设定的传送周期将保护窗PW从第二腔室CH2传送到第一腔室CH1。
参照图3e和图3f，传送部200可以首先将保护窗PW从第二腔室CH2传送到第三腔室CH3。例如，第三腔室CH3的内部可以维持大气压状态。因此，可以打开第三闸阀G3以将保护窗PW从第二腔室CH2传送到第三腔室CH3。
接着，参照图3f和图3g，在关闭第三闸阀G3之后，可以将第三腔室CH3的内部转换为真空状态。然后，可以打开第二闸阀G2以将保护窗PW从第三腔室CH3传送到第一腔室CH1。
接着，如图3h所示，可以将传送到第一腔室CH1的保护窗PW定位到基板SUB与第一腔室窗CW1之间。然后，可以通过使用激光模块LM向基板SUB照射激光束L来蚀刻基板SUB。
根据本发明一实施例的基板处理方法，在第一腔室CH1的内部使用保护窗PW执行对基板SUB的蚀刻工艺，而通过蚀刻工艺，保护窗PW可能会被污染。可以通过传送部200将被污染的保护窗PW传送到第二腔室CH2，并且可以在第二腔室CH2内部进行清洗。然后，可以将已完成清洗的保护窗PW再次传送到第一腔室CH1，并使用该保护窗PW在第一腔室CH1的内部再次执行对基板SUB的蚀刻工艺。由此，可以在不打开第一腔室CH1的情况下，在基板处理装置10内自主清洗被污染的保护窗PW，从而提升基板处理方法的处理效率。
图4a至图4e是用于说明根据本发明另一实施例的基板处理方法的截面图。在参照图4a至图4e说明的根据另一实施例的基板处理方法中，对于与参照图3a至图3h说明的根据一实施例的基板处理方法的结构相同的结构，将以相同的附图标记表示，并省略或简化重复说明。
参照图4a，根据另一实施例的基板处理方法与图3a至图3h的实施例的不同之处在于，保护窗PW同时布置在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3中的每一个中。
例如，当第一保护窗PW1位于第一腔室CH1的内部时，第二保护窗PW2位于第二腔室CH2的内部，且第三保护窗PW3位于第三腔室CH3的内部。例如，第一保护窗PW1和第三保护窗PW3分别可以处于未被污染的状态(即，已完成清洗的状态)，并且第二保护窗PW2可以处于被污染的状态。即，可以是如下状态：第一保护窗PW1和第三保护窗PW3的上表面上未积载有微粒P，而第二保护窗PW2的上表面上积载有微粒P。
在第一保护窗PW1布置在基板SUB与第一腔室窗CW1之间的状态下，可以通过使用激光模块LM向基板SUB照射激光束L来蚀刻基板SUB。即，可以在第一腔室CH1的内部使用第一保护窗PW1执行对基板SUB的蚀刻工艺。从激光模块LM照射的激光束L可以穿过第一腔室窗CW1和第一保护窗PW1照射到基板SUB的底表面上，从而可以蚀刻基板SUB的底表面。
如图4a所示，当基板SUB的下表面通过激光束L被蚀刻时，从基板SUB产生的微粒P可以下落并积载到第一保护窗PW1的上表面上。
另外，如图4a所示，可以使用清洗模块CM清洗布置在第二腔室CH2内部的第二保护窗PW2。即，可以在第二腔室CH2内部执行对第二保护窗PW2的清洗工艺。清洗模块CM可以将清洗剂C提供到第二保护窗PW2的积载有微粒P的上表面上。
例如，在第二腔室CH2内部执行的清洗第二保护窗PW2的步骤可以与在第一腔室CH1内部执行的使用第一保护窗PW1来蚀刻基板SUB的步骤同时执行。即，在第一腔室CH1的内部使用第一保护窗PW1执行对基板SUB的蚀刻工艺期间，可以在第二腔室CH2的内部通过清洗模块CM执行对第二保护窗PW2的清洗工艺。换言之，在第一保护窗PW1在第一腔室CH1内部通过蚀刻工艺而被污染期间，可以在第二腔室CH2内部清洗第二保护窗PW2。这里，可以同时执行使用第一保护窗PW1来蚀刻基板SUB的步骤(下文中，称为第一步骤)和清洗第二保护窗PW2的步骤(下文中，称为第二步骤)，这可以意味着第一步骤的至少一部分与第二步骤的至少一部分在时间上重叠。即，第一步骤的开始时间和结束时间也可以与第二步骤的开始时间和结束时间彼此不一致。例如，第一步骤可以在第二步骤之前开始，且第二步骤可以在第一步骤之前结束。例如，第一步骤所需的时间可以长于第二步骤所需的时间。
参照图4b，可通过布置在第一腔室CH1的上部的污染检测部100来检测第一保护窗PW1的污染状态。例如，污染检测部100可以根据预先设定的检测周期自动检测保护窗PW的污染。
可以通过布置在第二腔室CH2内部的清洗检测部300来检测第二保护窗PW2的清洗状态。例如，检测第二保护窗PW2的清洗状态的步骤可以与清洗第二保护窗PW2的步骤同时执行。作为另一示例，检测第二保护窗PW2的清洗状态的步骤也可以与检测第一保护窗PW1的污染状态的步骤同时执行。
参照图4c和图4e，可以使用传送部200在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3之间传送第一保护窗PW1、第二保护窗PW2和第三保护窗PW3。例如，传送部200可以基于由污染检测部100检测到的第一保护窗PW1的污染状态和由清洗检测部300检测到的第二保护窗PW2的清洗状态，在第一腔室CH1、第二腔室CH2和第三腔室CH3之间传送第一保护窗PW1、第二保护窗PW2和第三保护窗PW3。
参照图4c和图4d，传送部200可以首先将第一保护窗PW1从第一腔室CH1传送到第三腔室CH3，然后将第三保护窗PW3从第三腔室CH3传送到第一腔室CH1。即，可以彼此交换位于第一腔室CH1中的处于污染状态的第一保护窗PW1和位于第三腔室CH3中的处于清洗状态的第三保护窗PW3。例如，由于第一腔室CH1的内部处于真空状态，因此可以将第三腔室CH3的内部设定为真空状态，然后打开第二闸阀G2，以将第一保护窗PW1和第三保护窗PW3彼此交换。
接着，参照图4d和图4e，在关闭第二闸阀G2之后，可以将第三腔室CH3的内部转换为大气压状态。然后，打开第三闸阀G3，以将第一保护窗PW1从第三腔室CH3传送到第二腔室CH2，并将第二保护窗PW2从第二腔室CH2传送到第三腔室CH3。即，可以彼此交换位于第三腔室CH3中的处于污染状态的第一保护窗PW1和位于第二腔室CH2中的处于清洗状态的第二保护窗PW2。
参照图4e，在将第三保护窗PW3传送到第一腔室CH1之后(即，在关闭第二闸阀G2之后)，可以在第一腔室CH1内部使用第三保护窗PW3执行对基板SUB的蚀刻工艺。即，通过传送部200从第三腔室CH3传送到第一腔室CH1的处于清洗状态的第三保护窗PW3可以布置在第一腔室窗CW1与基板SUB之间。此外，可以通过使用激光模块LM将激光束L照射到基板SUB上来蚀刻基板SUB。
在将第一保护窗PW1传送到第二腔室CH2之后，可以在第二腔室CH2内部使用清洗模块CM执行对第一保护窗PW1的清洗工艺。例如，在第二腔室CH2内部执行的清洗第一保护窗PW1的步骤可以与在第一腔室CH1内部执行的使用第三保护窗PW3来蚀刻基板SUB的步骤同时执行。根据上述另一实施例的基板处理方法可以重复多个循环来执行。
根据本发明另一实施例的基板处理方法，在第一腔室CH1的内部使用第一保护窗PW1执行对基板SUB的蚀刻工艺期间，可以在第二腔室CH2的内部通过清洗模块CM清洗第二保护窗PW2。即，在第一保护窗PW1在第一腔室CH1内部通过蚀刻工艺被污染期间，可以在第二腔室CH2内部清洗在先前循环中被污染的第二保护窗PW2。当传送部200将通过蚀刻工艺而被污染的第一保护窗PW1从第一腔室CH1经由第三腔室CH3传送到第二腔室CH2以清洗第一保护窗PW1时，传送部200可以将已完成清洗的第三保护窗PW3从第三腔室CH3传送到第一腔室CH1，并且可以将第二保护窗PW2从第二腔室CH2传送到第三腔室CH3。因此，可以最小化在第一腔室CH1内部中止对基板SUB的蚀刻工艺以准备处于清洗状态的保护窗PW的时间，从而能够进一步提升基板处理装置10的处理效率。
在示例性实施方式中，也可以使用第一保护窗PW1和第二保护窗PW2，而省略第三保护窗PW3。在这种情况下，当通过在第一腔室CH1中对基板SUB的蚀刻工艺而污染的第一保护窗PW1被传送到第二腔室CH2时，可以将在第二腔室CH2中清洗的第二保护窗PW2传送到第一腔室CH1。例如，第二保护窗PW2的清洗可以在第一保护窗PW1被污染到阈值以上之前完成。在这种情况下，可以将处于完成清洗状态的第二保护窗PW2传送到第三腔室CH3的内部，并且可以将第三腔室CH3的内部转换为真空状态。此外，当第一保护窗PW1的污染状态达到阈值以上时，可以打开第二闸阀G2，从而交换处于污染状态的第一保护窗PW1和处于清洗状态的第二保护窗PW2。由此，可以最小化在第一腔室CH1内部中止对基板SUB的蚀刻工艺以准备处于清洗状态的保护窗PW的时间，从而能够进一步提升基板处理效率。
工业可用性
本发明可适用于各种基板处理装置。例如，本发明可适用于用于制造计算机、笔记本计算机、蜂窝电话、智能电话、智能板、PMP、PDA、MP3播放器等所包含的显示装置的基板蚀刻装置。
以上参照本发明的示例性实施例进行了说明，但本领域技术人员应当理解，在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想及领域的范围内，可以对本发明进行各种修改及变更。

Claims (10)

1.基板处理装置，包括：
第一腔室，在所述第一腔室内部执行对基板的蚀刻工艺；
腔室窗，布置在所述第一腔室的一个表面上；
激光模块，布置在所述第一腔室的外部，并通过所述腔室窗向所述基板照射激光束，以执行所述蚀刻工艺；
第一保护窗，位于所述基板与所述腔室窗之间；
第二腔室，布置在所述第一腔室的一侧；
传送部，用于将所述第一保护窗从所述第一腔室传送到所述第二腔室；以及
清洗模块，布置在所述第二腔室的内部，并对传送到所述第二腔室的所述第一保护窗执行清洗工艺。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
穿过所述腔室窗的所述激光束穿过所述第一保护窗照射到所述基板，
通过所述激光束在所述基板上产生的微粒下落并积载到所述第一保护窗的一个表面上，以及
所述清洗模块将清洗剂提供到所述第一保护窗的所述一个表面上。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述清洗剂包括可升华固体颗粒。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述传送部将经执行所述清洗工艺的所述第一保护窗从所述第二腔室传送到所述第一腔室。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述第一腔室的内部在进行所述蚀刻工艺时处于真空状态，以及
所述第二腔室的内部在进行所述清洗工艺时处于大气压状态。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：
清洗检测部，布置在所述第二腔室的内部，并检测所述第一保护窗的清洗状态。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：
第三腔室，布置在所述第一腔室和所述第二腔室之间，并反复维持真空状态和大气压状态，
其中，所述传送部将所述第一保护窗从所述第一腔室经由所述第三腔室传送到所述第二腔室。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，还包括：
第二保护窗，当所述第一保护窗位于所述第一腔室内部时，所述第二保护窗位于所述第二腔室内部，
其中，在所述第一腔室内部使用所述第一保护窗执行对所述基板的所述蚀刻工艺期间，在所述第二腔室内部执行对所述第二保护窗的清洗工艺。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，当所述第一保护窗从所述第一腔室经由所述第三腔室被传送到所述第二腔室时，所述传送部将所述第二保护窗从所述第二腔室传送到所述第三腔室。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，还包括：
第三保护窗，当所述第一保护窗位于所述第一腔室内部时，所述第三保护窗位于所述第三腔室内部，
其中，当所述第一保护窗从所述第一腔室经由所述第三腔室被传送到所述第二腔室时，所述传送部将所述第三保护窗从所述第三腔室传送到所述第一腔室。
CN202111374572.2A 2020-11-20 2021-11-17 基板处理装置 Pending CN114520167A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0156813 2020-11-20
KR1020200156813A KR20220070128A (ko) 2020-11-20 2020-11-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114520167A true CN114520167A (zh) 2022-05-20

Family

ID=81596693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111374572.2A Pending CN114520167A (zh) 2020-11-20 2021-11-17 基板处理装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20220070128A (zh)
CN (1) CN114520167A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220070128A (ko) 2022-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0175072B1 (ko) 세정장치 및 세정방법
US6734388B2 (en) Dry surface cleaning apparatus
US7986395B2 (en) Immersion lithography apparatus and methods
KR20170054427A (ko) 로드 포트 및 로드 포트의 분위기 치환 방법
US20090019722A1 (en) Apparatus and method for removing organic contamination adsorbed onto substrate, and apparatus and method for measuring thickness of thin film formed on substrate
KR101740480B1 (ko) 티칭 방법, 그리고 이를 이용한 기판 처리 장치
US8654325B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium having program for executing the substrate processing method stored therein
KR20210143412A (ko) 레티클 포드의 세정 방법 및 세정 시스템
KR20180098618A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2007013054A (ja) 投影露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
CN114520167A (zh) 基板处理装置
KR100653719B1 (ko) 웨이퍼 하면의 파티클을 감지하는 웨이퍼 처리 방법 및 장치
KR102683731B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102522960B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101895410B1 (ko) 기판처리장치
KR101789582B1 (ko) 하향식 기판 레이저 에칭 장치
TW201841693A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20080092049A (ko) 카세트 클리닝 장치 및 방법
KR102228058B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 상태 검출 방법
JPWO2002052345A1 (ja) マスク浄化方法及び装置、並びにデバイス製造システム
KR20030063219A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2002246361A (ja) 液処理装置および液処理方法
KR20140050863A (ko) 기판처리장치
KR102233465B1 (ko) 기판반송유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
US20240100853A1 (en) Liquid discharge apparatus, substrate processing apparatus and article manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination