CN114513902B - 一种金手指引线的蚀刻方法及具有金手指的pcb - Google Patents

Abstract

本申请是关于一种金手指引线的蚀刻方法及具有金手指的PCB。该蚀刻方法包括：对镀金PCB进行前置处理；前置处理中不包含磨板步骤；对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜；对压膜后的镀金PCB依次进行曝光和显影，使得镀金PCB的非引线区域被至少两层干膜覆盖；对显影后的镀金PCB进行蚀刻，去除金手指引线。本方案避免了金手指表面因磨板处理受损氧化发黑；并利用后续的再次压膜增强第一层干膜与金手指表面的粘合度，利用多层干膜补偿金手指边缘位置镀金层与第一层干膜之间的厚度差，同时修补破损的第一层干膜，保证金手指表面完好以及干膜的粘合度及完整度，从而保证金手指引线蚀刻时，金手指表面受到完整保护不发黑。

Description

一种金手指引线的蚀刻方法及具有金手指的PCB

技术领域

本申请涉及PCB技术领域，尤其涉及一种金手指引线的蚀刻方法及具有金手指的PCB。

背景技术

金手指是由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指由于需要频繁插拔，所以对金的厚度和硬度有工艺要求，为了满足这个要求，金手指的区域通常用镀金的方式去加工。由于金手指的镀层厚度只有几十微米，所以极易磨损。

相关技术中，利用镀金工艺对金手指进行加工时，要有电流通过，金手指引线从金手指的前端引出去，直通PCB板边，用于导通电流，完成镀镍和金。镀金完成以后，金手指引线就无用了，尤其是长短金手指的引线，通常情况下工厂要去除金手指引线，要用二次蚀刻工艺，在第一次把线路蚀刻好后，用干膜或蓝胶盖住线路以及金手指部分，只露出金手指引线的部分，通过化学药水蚀刻引线。

但二次蚀刻时，蚀刻药剂往往易与金面反应，对金面造成破坏，导致金手指引线蚀刻去除后，金手指表面发黑或者漏镍，使得其与空气长期接触后，金手指表面会形成氧化层同时还会有灰尘的附着，引起接触面电阻率升高导致接触不良。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种金手指引线的蚀刻方法，该蚀刻方法能够令金手指引线蚀刻过程中，金手指表面受到完整保护，不会因受损氧化和/或与药剂反应而发黑。

本申请第一方面提供一种金手指引线的蚀刻方法，包括：

对镀金PCB进行前置处理；所述镀金PCB为具有金手指的PCB；所述前置处理中包含去除粉尘处理；

对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜；

对压膜后的镀金PCB依次进行曝光和显影，使得所述镀金PCB的非引线区域被至少两层干膜覆盖；

对显影后的镀金PCB进行蚀刻，使得所述金手指引线被蚀刻去除；

所述对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜中，第一次压膜的压膜压力小于或等于第二次压膜的压膜压力。

在一种实施方式中，所述对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜中，压膜压力的取值范围为3-8kg/ cm²；压膜速度的取值范围为1.5-3m/min。

在一种实施方式中，所述对压膜后的镀金PCB依次进行曝光和显影，包括：

对压膜后的镀金PCB进行曝光；

蚀刻引线的镀金PCB在曝光后使用正片显影；

所述对显影后的镀金PCB进行蚀刻，包括：

对正片显影后的镀金PCB进行碱性蚀刻。

在一种实施方式中，所述对正片显影后的镀金PCB进行碱性蚀刻，包括：

利用碱性药剂对所述金手指引线进行蚀刻，并在蚀刻后不进行退锡，并按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜。

在一种实施方式中，所述按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜，包括：

对所述非引线区域依次进行脱膜、水洗和烘干。

在一种实施方式中，所述按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜中，退膜时长最短不低于90s。

在一种实施方式中，所述对显影后的镀金PCB进行蚀刻中，采用喷淋式或泼溅式的蚀刻方式。

在一种实施方式中，所述对显影后的镀金PCB进行蚀刻之后，还包括：

对所述镀金PCB进行自动光学检测，筛除存在异常情况的镀金PCB；所述异常情况包括：金手指表面发黑。

本申请第二方面提供一种具有金手指的PCB，其特征在于，所述PCB上的金手指引线通过如上任一项所述的金手指引线的蚀刻方法蚀刻去除。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请提供的金手指引线的蚀刻方法与传统的PCB生产过程不同，在对手指引线进行蚀刻之前的前置处理中，不对镀金PCB进行磨板处理，从而避免磨板过程中金手指表面磨花、产生划痕，进而降低金手指表面因受损氧化发黑的概率；并在简化了磨板步骤的情况中，对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜处理，由于相较于打磨后的镀金PCB，未经过磨板处理的镀金PCB板面较为光滑，板面附着力较差，且由于金手指位置的镀金层厚度在50μm以上，而一层干膜厚度为40μm，金手指边缘与干膜层之间存在一定的厚度差，因此，压膜时容易出现缝隙或位于金手指边缘位置的干膜出现破损，继而使得蚀刻时所用药剂与金手指表面发生反应，导致金手指表面发黑或者漏镍；通常而言，金手指位置的镀金层厚度在50μm以上，而单层干膜厚度为40μm，第一次压膜时，金手指区域与其周围板面之间存在至少50μm的厚度差，参见图4，图中金手指位置上的铜箔401依次电镀镍层402和金层403后，金手指位置与板面之间存在高度差ΔH，第一次压膜时，若压膜压力不足，则金手指周围板面与第一层干膜404之间易产生缝隙，致使压膜不紧；若压膜压力过大，则由于50μm厚度差的存在，金手指边缘处的干膜拉伸过度，产生破损；而通过第二次压膜，可以对第一层干膜404进行二次加压，因此，即使第一层干膜404的压膜压力设置偏小，也可以通过第二次压膜进行压紧，至少两次压膜处理中，后续的再次压膜能够对首次贴覆的干膜再一次压紧，不仅增强了第一层干膜与金手指表面的粘合度，还能通过二次压膜的干膜厚度补偿金手指边缘位置镀金层与第一层干膜之间的厚度差，同时第二层干膜还会对金手指边缘位置上破损的第一层干膜进行修补，以保证金手指表面在维持表面完好的情况下，能够与完整的干膜牢固贴合，从而保证金手指引线被蚀刻去除时，金手指表面受到完整保护，不会因受损氧化和/或与药剂反应而发黑。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

通过结合附图对本申请示例性实施方式进行更详细的描述，本申请的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本申请示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1是本申请实施例示出的金手指引线的蚀刻方法的流程示意图；

图2是本申请实施例示出的金手指引线的蚀刻方法的另一流程示意图；

图3是本申请实施例示出的金手指引线的碱性蚀刻方法的流程示意图；

图4是本申请实施例示出的金手指位置的示意图；

图5是本申请实施例示出的金手指引线的局部放大图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请的优选实施方式。虽然附图中显示了本申请的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本申请更加透彻和完整，并且能够将本申请的范围完整地传达给本领域的技术人员。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

实施例一

通常情况下工厂采用二次蚀刻工艺去除金手指引线，在第一次把线路蚀刻好后，用干膜或蓝胶盖住线路以及金手指部分，只露出金手指引线的部分，通过化学药水蚀刻引线。

但二次蚀刻时，蚀刻药剂往往易与金面反应，对金面造成破坏，导致金手指引线蚀刻去除后，金手指表面发黑或者漏镍，使得其与空气长期接触后，金手指表面会形成氧化层同时还会有灰尘的附着，引起接触面电阻率升高导致接触不良。

针对上述问题，本申请实施例提供一种金手指引线的蚀刻方法，能够令金手指引线蚀刻过程中，金手指表面受到完整保护，不会因受损氧化和/或与药剂反应而发黑。

以下结合附图详细描述本申请实施例的技术方案。

图1是本申请实施例示出的金手指引线的蚀刻方法的流程示意图。

参见图1，所述金手指引线的蚀刻方法，包括：

101、对镀金PCB进行前置处理；

在本申请实施例中，所述镀金PCB指的是具有金手指的PCB；在PCB上电镀得到金手指后，在蚀刻金手指引线之前，需对镀金PCB进行前置处理，其中包含去除粉尘处理且不包含磨板步骤。

由于电镀完金手指的PCB板面上会残留有电镀粉尘，对金手指引线进行二次蚀刻时，需要在PCB板面上压膜，而残留的电镀粉尘会影响压膜效果进而影响二次蚀刻的效果，因此，在执行二次蚀刻之前，需要对电镀金手指后的PCB进行前置处理，能够去除电镀粉尘，具体地，包括对镀金PCB进行水洗步骤。

在传统的PCB生产过程中，电镀形成金手指后，通过磨板步骤以物理方法把铜箔表面的氧化层去除干净，进而获得一个微观上呈粗糙状的表面，以便于后续镀层或涂覆时能够结合得更可靠，同时也通过磨板步骤去除孔位边缘的披锋毛刺，平整板面。

但是，磨板去除铜箔表面氧化层的同时也会对金手指的金面造成损伤，尤其是由于磨痕太重出现的漏镍现象，对于金手指的使用寿命会造成影响。

102、对镀金PCB进行至少两次压膜；

在本申请实施例中，完成镀金PCB板面上的粉尘清洁后，对镀金PCB进行压膜，使得板面上至少覆盖有两层干膜；由于步骤101中取消了磨板步骤，因此，金手指边缘位置的披锋毛刺可能会对干膜的完整性造成破坏，而通过后续的再次压膜对第一层干膜进行修补以及厚度补偿，能够避免金手指边缘位置破损情况的出现，进一步阻止蚀刻药剂渗入金手指区域，对金手指表面造成腐蚀。

以两次压膜为例：

PCB生产中使用的干膜一共为三层，中间一层蓝膜，上下外层是白膜，压膜时，蓝膜和一层白膜覆在板面上，另一层白膜需褪掉，因此，步骤102中，依次对镀金PCB进行压膜、撕膜和压膜。

通常而言，金手指位置的镀金层厚度在50μm以上，而单层干膜厚度为40μm，第一次压膜时，金手指区域与其周围板面之间存在至少50μm的厚度差，参见图4，图中金手指位置上的铜箔401依次电镀镍层402和金层403后，金手指位置与板面之间存在高度差ΔH，第一次压膜时，若压膜压力不足，则金手指周围板面与第一层干膜404之间易产生缝隙，致使压膜不紧；若压膜压力过大，则由于50μm厚度差的存在，金手指边缘处的干膜拉伸过度，产生破损；而通过第二次压膜，可以对第一层干膜404进行二次加压，因此，即使第一层干膜404的压膜压力设置偏小，也可以通过第二次压膜进行压紧，因此，在实际应用过程中，可以设置第一次压膜的压膜压力小于或等于第二次压膜的压膜压力；而由于第一层干膜的存在，第二次压膜时，金手指区域与其周围板面之间的厚度差缩小了40μm，第二层干膜在金手指边缘位置不易破损，从而对金手指形成完整保护。

由于实际生产中，压膜速度过快和压膜压力过小都会导致干膜和PCB板面的粘合度差，而压膜速度过慢和压膜压力过大容易导致干膜起皱、干膜部分位置变薄或干膜因干透而附着力减低的问题，因此，在本申请实施例中，控制压膜时的压膜压力位于3-8kg/cm²的范围内；控制压膜速度位于1.5-3m/min的取值范围内。

103、对镀金PCB依次进行曝光和显影；

在本申请实施例中，曝光使得上述步骤102中的干膜固化，并通过显影去除覆盖金手指引线上的干膜，以使得金手指引线外露，而非引线区域受到干膜保护，不被蚀刻药剂所腐蚀。

在本申请实施例中，参见图5，非引线区域指的是镀金PCB板面上除金手指引线外的板面区域，包括线路区域以及金手指区域；压膜后，所述镀金PCB中，除金手指引线外的区域被至少两层干膜覆盖，而金手指引线则外露于空气中。

104、对镀金PCB进行蚀刻。

在本申请实施例中，由于非引线区域受到干膜保护，因此，蚀刻过程中，蚀刻药剂仅对外露的金手指引线发生反应，使得金手指引线被蚀刻去除。

当金属表面被蚀刻到一定深度后，裸露的两侧出现新的金属面，这时蚀刻药剂除了向垂直方向还会向两侧进行蚀刻，随着蚀刻深度的增加，两侧金属面的蚀刻的面积也在加大，形成严重侧蚀，因此，在本申请实施例中，采用喷淋式或泼溅式的蚀刻方式以减轻侧蚀。

使用喷淋蚀刻时，采用下喷方向，即喷头朝上，蚀刻药剂喷向板面后即刻落下，溶液交换的速度快，不断有新溶液喷向板面，减少了侧蚀的机会，侧蚀影响较小；

利用泼溅式的蚀刻方式把蚀刻药剂泼在被蚀刻物体表面进行蚀刻也能够减少蚀刻药剂停留在板面的时间，从而减轻侧蚀。

本申请提供的金手指引线的蚀刻方法与传统的PCB生产过程不同，在对手指引线进行蚀刻之前的前置处理中，不对镀金PCB进行磨板处理，从而避免磨板过程中金手指表面磨花、产生划痕，进而降低金手指表面因受损氧化发黑的概率；并在简化了磨板步骤的情况中，对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜处理，由于相较于打磨后的镀金PCB，未经过磨板处理的镀金PCB板面较为光滑，板面附着力较差，且由于金手指位置的镀金层厚度在50μm以上，而一层干膜厚度为40μm，金手指边缘与干膜层之间存在一定的厚度差，因此，压膜时容易出现缝隙或位于金手指边缘位置的干膜出现破损，继而使得蚀刻时所用药剂与金手指表面发生反应，导致金手指表面发黑或者漏镍；而至少两次压膜处理中，后续的再次压膜能够对首次贴覆的干膜再一次压紧，不仅增强了第一层干膜与金手指表面的粘合度，还能通过二次压膜的干膜厚度补偿金手指边缘位置镀金层与第一层干膜之间的厚度差，同时第二层干膜还会对金手指边缘位置上破损的第一层干膜进行修补，以保证金手指表面在维持表面完好的情况下，能够与完整的干膜牢固贴合，从而保证金手指引线被蚀刻去除时，金手指表面受到完整保护，不会因受损氧化和/或与药剂反应而发黑。

实施例二

由于与碱性蚀刻药剂相比，酸性蚀刻药剂更易于与金面发生反应，因此，相较于碱性蚀刻，酸性蚀刻更容易对金手指表面造成损伤，从而导致金手指引线蚀刻后金手指表面发黑。

基于上述原因，本申请实施例对上述实施例一所示出的金手指引线的蚀刻方法中的显影步骤和蚀刻步骤进行了设计。

以下结合附图详细描述本申请实施例的技术方案。

图2是本申请实施例示出的金手指引线的蚀刻方法的另一流程示意图。

参见图2，本申请提供的金手指引线的蚀刻方法，包括：

201、对镀金PCB进行前置处理后进行至少两次压膜；

在本申请实施例中，上述步骤201的具体实施方式已经在实施例一中进行了详细的说明，此处不再赘述。

202、对压膜后的镀金PCB进行曝光；

在本申请实施例中线路曝光的过程是在镀金PCB板面上贴上感光干膜后，将其与菲林放在一起用紫外线曝光，受到紫外线照射的感光干膜会发生聚合反应而固化，固化后的感光干膜能在显影时抵抗弱碱溶液的冲刷，而未感光的部分会在显影时冲掉，进而成功将菲林上的图形转移到镀金PCB上。

203、蚀刻引线的镀金PCB在曝光后使用正片显影；

在实际生产中，负片显影所采用的菲林中，金手指引线区域对应的部分呈黑色或棕色，因此不感光固化；而非引线区域对应的部分呈透明，使得曝光后非引线区域的干膜固化，利用酸性蚀刻药剂冲洗后金手指引线被蚀刻去除，非引线区域得以完整保留。

而正片显影若以所采用的菲林来看，非引线区域对应的部分呈黑色或棕色的，而金手指引线区域对应的部分则为透明，金手指引线区域上的干膜感光固化，显影后非引线区域上的干膜被去除露出镀金PCB板面，然后对露出的镀金PCB板面镀锡铅，该镀锡铅的过程也被称为图形电镀，由于碱性蚀刻药剂不与锡铅反应，因此，碱性蚀刻后，金手指引线区域被蚀刻去除。

由于实际生产过程中，碱性蚀刻药剂与酸性蚀刻药剂相比，其对金面的攻击性较低，因此，使用碱性蚀刻更能保护金手指表面不发黑。而相应地，利用锡铅不与碱性蚀刻药剂发生反应的特性，在步骤203中采用正片显影完成对非引线区域的覆膜保护。

进一步地，由于步骤201中进行了多次压膜，因此，正片显影过程中，对退膜药剂的浓度限制降低，单层干膜情况下，干膜在浓度过高的退膜药剂作用下脱落过快，使得退膜过程中对金手指侧面的金属易受到攻击；而多次压膜后，干膜与板面附着力增强，能够承受较高浓度的退膜药剂的作用，进而放宽了对退膜药剂的限制与要求。

204、对正片显影后的镀金PCB进行碱性蚀刻。

在实际生产中，碱性蚀刻是在碱性条件下用化学药剂去除图形中不需要的金属层，由于其使用的碱性蚀刻药剂不易与铅、锡、镍和金等金属发生反应，因此，碱性蚀刻适用于以镀铅、镀纯锡、镀锡铅、镀镍和镀金等作为抗蚀层的蚀刻工艺。

需要说明的是，本申请实施例对于采用的碱性蚀刻药剂没有严格的要求，在实际应用过程中，可以采用有机褪膜碱等弱碱溶液进行蚀刻，在传统的碱性蚀刻工艺中，还可以采用氢氧化钠溶液作为碱性蚀刻药剂，但是由于氢氧化钠呈强碱性，相较于有机褪膜碱等弱碱溶液，对锡铅层的攻击性强，因此，采用氢氧化钠溶液作为碱性蚀刻药剂时，需要控制蚀刻时长在一定时长范围内，防止强碱对抗蚀层造成破坏。

进一步地，利用碱性蚀刻药剂去除金手指引线后，将镀金PCB水洗后送入退锡缸退锡以及送入退膜段退膜，令金手指外露；具体包括：将镀金PCB放入退锡药剂中，待锡铅层退除后水洗冲净残留的退锡药剂；以及利用退膜药剂去掉镀金PCB上的固化后的干膜。

本申请实施例中的金手指引线的蚀刻方法采用了正片显影配合碱性蚀刻的方式，去除金手指引线，由于碱性蚀刻药剂对金、锡和铅的攻击性较酸性蚀刻药剂更弱，因此，通过正片显影中图形电镀的锡铅层保护金手指的金面，在利用金面不易与碱性蚀刻药剂反应的特性进行金手指表面保护的前提下，用锡铅层作为抗蚀层对金手指进行双重保护，大幅降低了金手指引线蚀刻后，金手指表面发黑的概率。

实施例三

基于上述实施例二所示出的金手指引线的蚀刻方法，本申请实施例对其中的步骤204进行了设计。

以下结合附图详细描述本申请实施例的技术方案。

图3是本申请实施例示出的金手指引线的碱性蚀刻方法的流程示意图。

参见图3，本申请提供的金手指引线的碱性蚀刻方法，包括：

301、利用碱性药剂对所述金手指引线进行蚀刻；

在本申请实施例中，步骤301的具体实施方式已经在上述实施例二的步骤204中进行了详细的说明，此处不再赘述。

302、蚀刻后不进行退锡并按照负片蚀刻线程对非引线区域进行退膜。

传统的碱性蚀刻工艺中，利用碱性蚀刻药剂完成蚀刻后，往往要对PCB进行退锡和退膜，其中，示例性的退锡过程如下：首先将需要处理的镀金PCB放入退锡缸浸于退锡药剂中，在25℃至40℃的条件下退除锡铅层，以退尽为止，当锡铅层退除后，将镀金PCB从退锡药剂中取出，用水冲洗干净，然后投入到退膜药剂中浸泡20s至60s把镀金PCB板面上固化后的干膜去除，最后用水冲洗镀金PCB至无药剂残留。

但是，上述过程中，退锡药剂对金面有攻击性，退锡过程易对金手指表面造成腐蚀，导致金手指表面发黑。

针对上述退锡处理带来的问题，本申请实施例在步骤302中不执行退锡步骤，且按照负片蚀刻线程对镀金PCB的非引线区域进行退膜。

其中，按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜，包括：对所述非引线区域依次进行脱膜、水洗和烘干。负片蚀刻线程中的烘干步骤能够 烘干残留在镀金PCB板面上的液体，进一步地有效防止液体残留导致的金属氧化。

需要说明的是，由于在对金手指引线进行蚀刻之前，对镀金PCB进行了至少两次的压膜，使得负片蚀刻线程中的退膜过程所面对的干膜厚度比传统的退膜过程中的干膜厚度更厚，因此，为了防止退膜不净造成线路断路，可以提高退膜药剂的浓度或增加退膜时长。优选地，所述按照负片蚀刻线程对镀金PCB的非引线区域进行退膜的过程中，退膜时长最短不低于90s。

进一步地，完成金手指引线的蚀刻之后，还可以对镀金PCB进行自动光学检测，筛除存在异常情况的镀金PCB；其中，异常情况包括但不限于：金手指表面发黑。

本申请实施例提供了一种金手指引线的碱性蚀刻方法，其与传统的碱性蚀刻线程相比，在利用碱性蚀刻药剂对金手指引线蚀刻去除后，不进行退锡，且按照负片蚀刻线程对镀金PCB的非引线区域进行退膜，进而避免退锡药剂对金手指表面产生腐蚀，导致金手指表面受损氧化发黑，而利用负片蚀刻线程的退膜段进行退膜，利用该线程中的烘干步骤，去除残留在板面上的液体，进一步防止金手指表面氧化。

实施例四

与前述蚀刻方法实施例相对应，本申请还提供了具有金手指的PCB及相应的实施例。

所述具有金手指的PCB上的金手指引线通过如上任一项实施例所述的金手指引线的蚀刻方法蚀刻去除。

关于上述实施例中的蚀刻方法，其中各个步骤执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不再做详细阐述说明。

上文中已经参考附图详细描述了本申请的方案。在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。另外，可以理解，本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减， 本申请实施例装置中的模块可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的系统和方法的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标记的功能也可以以不同于附图中所标记的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

以上已经描述了本申请的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (9)

1.一种金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，包括：

对镀金PCB进行前置处理；所述镀金PCB为具有金手指的PCB；所述前置处理中包含去除粉尘处理且不包含磨板步骤；

对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜；

对压膜后的镀金PCB依次进行曝光和显影，使得所述镀金PCB的非引线区域被至少两层干膜覆盖；

对显影后的镀金PCB进行蚀刻，使得所述金手指引线被蚀刻去除；

所述对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜中，第一次压膜的压膜压力小于第二次压膜的压膜压力。

2.根据权利要求1所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，

所述对前置处理后的镀金PCB进行至少两次压膜中，压膜压力的取值范围为3-8kg/cm²；压膜速度的取值范围为1.5-3m/min。

3.根据权利要求1所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，

所述对压膜后的镀金PCB依次进行曝光和显影，包括：

对压膜后的镀金PCB进行曝光；

蚀刻引线的镀金PCB在曝光后使用正片显影；

所述对显影后的镀金PCB进行蚀刻，包括：

对正片显影后的镀金PCB进行碱性蚀刻。

4.根据权利要求3所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，所述对正片显影后的镀金PCB进行碱性蚀刻，包括：

利用碱性药剂对所述金手指引线进行蚀刻，并在蚀刻后不进行退锡，并按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜。

5.根据权利要求4所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，所述按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜，包括：

对所述非引线区域依次进行脱膜、水洗和烘干。

6.根据权利要求4所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，

所述按照负片蚀刻线程对所述非引线区域进行退膜中，退膜时长最短不低于90s。

7.根据权利要求1所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，所述对显影后的镀金PCB进行蚀刻中，采用喷淋式或泼溅式的蚀刻方式。

8.根据权利要求1所述的金手指引线的蚀刻方法，其特征在于，所述对显影后的镀金PCB进行蚀刻之后，还包括：

对所述镀金PCB进行自动光学检测，筛除存在异常情况的镀金PCB；所述异常情况包括：金手指表面发黑。

9.一种具有金手指的PCB，其特征在于，所述PCB上的金手指引线通过如权利要求1-8中任一项所述的金手指引线的蚀刻方法蚀刻去除。

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