CN114508879A - 半导体制冷设备的制冷控制方法 - Google Patents

半导体制冷设备的制冷控制方法 Download PDF

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CN114508879A CN202011281124.3A CN202011281124A CN114508879A CN 114508879 A CN114508879 A CN 114508879A CN 202011281124 A CN202011281124 A CN 202011281124A CN 114508879 A CN114508879 A CN 114508879A
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Abstract

本发明揭示了一种半导体制冷设备的制冷控制方法，包括以下步骤：采集半导体模块的冷端温度Tc；通过半导体模块的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th；获取设定温度与半导体模块的冷端温度Tc的温差△T；判断△T与预设的禁止阈值的大小；判断Th与预设的禁止温度的大小；在△T大于禁止阈值或Th大于禁止温度时，停止对半导体模块供电；在△T大于等于禁止阈值且Th小于等于禁止温度时，根据△T的值对半导体模块执行预设的供电步骤。本发明可以防止半导体模块的供电电压过高，影响间室内部温度调整，防止间室内部温度过低，而且可以防止半导体模块热端温度过高影响制冷效率，造成能源浪费，也会避免半导体模块因热端温度过高而损坏。

Description

半导体制冷设备的制冷控制方法
技术领域
本发明涉及制冷设备领域，特别涉及一种半导体制冷设备的制冷控制方法。
背景技术
半导体制冷设备是通过半导体模块进行制冷的设备。半导体制冷设备一般包括半导体模块、电源模块、制冷风机、热端风机，电源向半导体模块供电。当半导体模块通电时，其一侧为温度较高的热端，另一端为温度较低的冷端。热端风机用于对半导体模块的热端进行散热。制冷风机则用于将半导体模块冷端的冷量运送至半导体制冷设备的间室内，实现制冷。
目前的半导体制冷设备中，如果半导体模块的供电电压高，会影响间室内部的温度控制，特别是当半导体模块的热端散热不足的时候，过高的供电电压往往会使半导体模块的热端温度快速上升，严重影响制冷效率，甚至会导致半导体模块损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体制冷设备的制冷控制方法，可防止半导体制冷设备半导体模块的供电电压过高。
为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种半导体制冷设备的制冷控制方法，包括以下步骤：
采集半导体模块的冷端温度Tc；
通过半导体模块的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th，所述
Figure BDA0002780734600000021
其中，U为采集冷端温度时半导体模块的实际电压，I为采集冷端温度时半导体模块的实际电流，R为半导体模块的电阻，α为塞贝克系数；
获取设定温度与半导体模块的冷端温度Tc的温差△T；
判断△T与预设的禁止阈值的大小；
判断Th与预设的禁止温度的大小；
在△T大于禁止阈值或Th大于禁止温度时，停止对半导体模块供电；
在△T大于等于禁止阈值且Th小于等于禁止温度时，根据△T的值对半导体模块执行预设的供电步骤。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述供电步骤包括：当所述△T在预设的温差上限△Tu和预设的温差下限△Td之间时，使半导体模块的供电电压Up＝k|△T|+b，其中，温差下限△Td＜温差上限△Tu＜禁止阈值，k和b为预设的参数。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述供电步骤还包括：
根据△T的值确定k和b的大小；
当所述△T在预设的温差下限△Td和预设的第一温差阈值△T1之间时，k＝kh，b＝bh；
当所述△T在预设的第一温差阈值△T1和预设的第二温差阈值△T2之间时，k＝km，b＝bm；
当所述△T在预设的第二温差阈值△T2和预设的温差上限△Tu之间时，k＝kl，b＝bl；
其中，温差下限△Td＜第一温差阈值△T1＜第二温差阈值△T2＜温差上限△Tu；kl＜km＜kh；bl＜bm＜bh。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述供电步骤还包括：
当△T小于温差下限△Td时，使半导体模块的供电电压Up＝Umax；当△T大于温差上限△Tu且小于等于禁止阈值时，使半导体模块的供电电压Up＝Ulow，其中，Umax为制冷量最大时的电压，Ulow为最小电压。
作为本发明一实施方式的进一步改进所述b小于Umax且大于Ulow；所述k小于
Figure BDA0002780734600000031
且大于等于0。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：根据△T和Th的值确定制冷风机的转速。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述“根据△T和T的值确定制冷风机的转速”包括：
当Th小于等于禁止温度且△T小于温差下限△Td时，使制冷风机转速N＝Nmax；
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，使制冷风机转速N＝N0+k*n*|△T|，其中，N0和n为预设的参数值；
当Th小于等于禁止温度且△T大于温差上限△Tu、小于等于禁止阈值时，使制冷风机转速N＝N0；
当Th大于禁止温度或△T小于禁止阈值时，使制冷风机转速N＝0。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，获取制冷风机的实际转速；
若制冷风机实际转速小于N0+k*n*|△T|，使N＝N0+k*n*|△T|+N补偿。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：
根据△T和Th的值确定热端风机的转速。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述“根据△T和Th的值确定热端风机的转速”包括：
当Th小于等于禁止温度且△T小于温差下限△Td时，使热端风机转速S＝Smax；
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，使热端风机转速S＝S0+k*s*(Th-T0)，其中，S0、s和T0为预设的参数值；
当Th小于等于禁止温度且△T大于温差上限△Tu、小于等于禁止阈值时，使热端风机转速S＝S0；
当Th大于禁止温度或△T小于禁止阈值时，使热端风机转速S＝0。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法在“在△T小于预设的禁止阈值时，停止对半导体模块供电”后，还包括：
再次采集半导体模块的冷端温度Tc；
获取半导体模块的设定温度与再次采集的冷端温度的温差△T；
判断再次获取的△T与预设的温差上限△Tu的大小，其中，所述温差上限△Tu小于所述禁止阈值；
在再次获取的△T大于温差上限△Tu时，停止对半导体模块供电；
在再次获取的△T小于等于温差上限△Tu时，根据再次获取的△T值对半导体模块执行预设的供电步骤。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法在“在Th大于禁止温度时，停止对半导体模块供电”后，还包括：
再次采集半导体模块的冷端温度Tc；
获取半导体模块的设定温度与再次采集的冷端温度的温差△T；
通过再次采集的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th，所述
Figure BDA0002780734600000041
判断再次计算的Th与预设的温度上限的大小，其中，所述温度上限小于所述禁止温度；
在再次计算的Th大于温度上限时，停止对半导体模块供电；
在再次计算的Th小于等于温度上限时，根据再次获取的△T值对半导体模块执行预设的供电步骤。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明通过半导体模块设定温度与冷端温度的温差以及热端温度决定是否半导体模块是否供电，在温差过大或热端温度过高的情况下，停止对半导体模块供电，可以防止半导体模块的供电电压过高，影响间室内部温度调整，防止间室内部温度过低。而且可以防止半导体模块热端温度过高影响制冷效率，造成能源浪费，也会防止半导体模块因为热端温度过高损坏。
本发明仅需要检测半导体模块的冷端温度，即可得到设定温度与冷端温度的温差以及热端温度，不需要再通过额外的温度感应装置检测热端的温度，使半导体制冷设备的结构简化。
附图说明
图1是本发明一实施方式半导体制冷设备的制冷控制方法的流程图；
图2是半导体模块的供电电压与制冷效率及制冷量关系的示意性曲线图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
在本发明的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分扩大，因此，仅用于图示本发明的主题的基本结构。
本发明提供了一种半导体制冷设备的制冷控制方法，包括以下步骤：
S10：采集半导体模块的冷端温度Tc。
半导体模块的一端为热端，另一端为冷端，冷端置于半导体制冷设备的间室内。在本发明中，可以通过在间室内部设置温度感应装置，从而获取半导体模块的冷端温度。
S20：通过半导体模块的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th，所述
Figure BDA0002780734600000051
其中，U为采集冷端温度时半导体模块的实际电压，I为采集冷端温度时半导体模块的实际电流，R为半导体模块的电阻，α为塞贝克系数。
塞贝克效应是指半导体由于温度差异引起的电压差的热电现象。当半导体片的热端和冷端存在温差时，半导体片内部存在基于塞贝克效应的温差电动势△U。在采集冷端温度时，半导体模块的实际电压U＝IR+△U，其中△U为塞贝克系数α乘以热端温度Th与冷端温度Tc的温差，因此U＝IR+α(Th-Tc)，进一步推导得到
Figure BDA0002780734600000061
本发明基于塞贝克效应根据冷端温度计算得到热端温度，不需要在半导体模块的热端设置温度感应装置，因此简化了结构。由于半导体模块的热端结构紧凑，不需要在热端设置温度感应装置也降低了设计压力。其中，塞贝克系数α的值和可以通过塞贝克系数的测量装置测量得到，为现有技术，本发明不对其做详细描述。
S30：获取设定温度与半导体模块的冷端温度Tc的温差△T。半导体模块的设定温度为间室内的物品储藏的最适温度，通过获取设定温度与冷端温度Tc的温差△T，以确定半导体模块的冷端温度过高还是过低。
S40：判断△T与预设的禁止阈值的大小。
S41：在△T大于禁止阈值时，停止对半导体模块供电。
当△T大于禁止阈值时，表明Tc的值过低，远小于设定温度，因此需要对半导体模块停止供电，以使半导体模块停止工作，从而使半导体模块的冷端温度逐渐自动升高。
S50：判断Th与预设的禁止温度的大小。
S51：在Th大于禁止温度时，停止对半导体模块供电。
当Th大于禁止温度时，表明半导体模块的热端温度过高，严重影响半导体模块的制冷效率，并且半导体模块存在损坏的可能。因此需要对半导体模块停止供电，以使半导体模块停止工作，从而使半导体模块的热端温度逐渐降低。
S60：在△T大于等于禁止阈值且Th小于等于禁止温度时，根据△T的值对半导体模块执行预设的供电步骤。
需要说明的是，本发明不对S20和S30的顺序做具体限定，可以先执行S30、再执行S20，也可以同时执行S20和S30。
在本发明中，对步骤S40和S50的顺序不做限定。可以先执行S50，根据S50的结果判定半导体模块是否停止供电，然后再执行S40，根据S40的结果判定半导体模块是否停止供电。也可以同时执行S40和S50，根据S40和S50的结果判定半导体模块是否停止供电。
在本发明的一实施方式中，所述半导体制冷设备的制冷控制方法在S41后，还包括：
S411：再次采集半导体模块的冷端温度Tc。
S412：获取半导体模块的设定温度与再次采集的冷端温度的温差△T。
S413：判断再次获取的△T与预设的温差上限△Tu的大小，其中，所述温差上限△Tu小于所述禁止阈值。
S414：在再次获取的△T大于温差上限△Tu时，停止对半导体模块供电；
S415：在再次获取的△T小于等于温差上限△Tu时，根据再次获取的△T值对半导体模块执行预设的供电步骤。
在执行S41，停止对半导体模块供电一段时间后，半导体模块的冷端逐渐升温，需要根据半导体模块的冷端温度确定半导体模块是否开始工作。如果按照第一次依据△T与禁止阈值的大小确定半导体模块是否开始工作，由于半导体模块的冷端未完全升温，半导体模块的冷端极易迅速降温，使△T大于禁止阈值，因此会导致半导体模块在工作、停机之间反复切换，从而陷入死循环。
因此，在本发明的一实施方式中，通过判断再次获取的△T与预设的温差上限△Tu的大小确定半导体模块是否开始工作，且温差上限△Tu小于禁止阈值，从而避免半导体模块在工作、停机之间反复切换。
在本发明的一实施方式中，所述方法在S51后，还包括：
S511：再次采集半导体模块的冷端温度Tc；
S512：获取半导体模块的设定温度与再次采集的冷端温度的温差△T；
S513：通过再次采集的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th，所述
Figure BDA0002780734600000071
S514：判断再次计算的Th与预设的温度上限的大小，其中，所述温度上限小于所述禁止温度；
S515：在再次计算的Th大于温度上限时，停止对半导体模块供电；
S516：在再次计算的Th小于等于温度上限时，根据再次获取的△T值对半导体模块执行预设的供电步骤。
在执行S51，停止对半导体模块供电一段时间后，半导体模块的热端温度逐渐降低，需要根据半导体模块的热端温度确定半导体模块是否开始工作。如果按照第一次依据热端温度与禁止温度的大小确定半导体模块开始工作时，由于半导体模块的热端未完全降温，半导体模块的热端极易迅速升温，使热端温度大于禁止温度，因此会导致半导体模块在工作、停机之间反复切换，从而陷入死循环。
因此，在本发明的一实施方式中，通过判断再次计算的Th与预设的温度上限的大小确定半导体模块是否开始工作，且述温度上限小于禁止温度，从而避免半导体模块在工作、停机之间反复切换。
在本发明的一实施方式中，所述供电步骤包括：
当△T在预设的温差上限△Tu和预设的温差下限△Td之间时，使半导体模块的供电电压Up＝k|△T|+b，其中，温差下限△Td＜温差上限△Tu＜禁止阈值，k和b为预设的参数。
△T在温差上限和温差下限之间时，通过Up＝k|△T|+b确定供电电压的大小，控制实时、精确、节能。
当△T小于温差下限△Td时，使半导体模块的供电电压Up＝Umax。
△T小于温差下限△Td时，表明冷端的温度过高，需要确保半导体模块可以提供最大的供冷量，以使半导体模块的冷端迅速降温。
当△T大于温差上限△Tu且小于等于禁止阈值时，使半导体模块的供电电压Up＝Ulow。
△T大于温差上限△Tu且小于等于禁止阈值，表明冷端的温度较低，保证半导体维持一定的制冷量即可，并且保证此时半导体模块的制冷效率高，以降低能耗。
图2是半导体模块的供电电压与制冷效率及制冷量关系的示意性曲线图，Umax为制冷量最大时的电压，Ulow为制冷效率最大时的电压。Up的取值范围在Umax和Ulow之间。
进一步的，当△T在预设的温差上限△Tu和预设的温差下限△Td之间时，所述供电步骤还包括：
根据△T的值确定k和b的大小。
具体地，当所述△T在预设的温差下限△Td和预设的第一温差阈值△T1之间时，k＝kh，b＝bh。
当所述△T在预设的第一温差阈值△T1和预设的第二温差阈值△T2之间时，k＝km，b＝bm。
当所述△T在预设的第二温差阈值△T2和预设的温差上限△Tu之间时，k＝kl，b＝bl。
其中，温差下限△Td＜第一温差阈值△T1＜第二温差阈值△T2＜温差上限△Tu；kl＜km＜kh；bl＜bm＜bh。
其中，b小于Umax且大于Ulow；k小于
Figure BDA0002780734600000091
且大于等于0。
通过△T值的大小确定k和b的大小，可以更加精确地根据半导体模块冷端的温度调整半导体模块的供电电压，以适应不同温差区间对制冷量和制冷效率的需求。
本发明的一实施方式将第二温差阈值△T2取0，也即当△T＝△T2时，半导体模块的冷端温度与设定温度相同。
进一步的，当△T在温差下限△Td和第一温差阈值△T1之间时，Umax＞Up≥Uhigh。若依据Up＝k|△T|+b计算得到Up大于Umax，则使Up＝Umax，若计算得到Up小于Uhigh，则使Up＝Uhigh。
当△T在第一温差阈值△T1和第二温差阈值△T2之间时，Uhigh＞Up≥Umiddle。若依据Up＝k|△T|+b计算得到Up大于Uhigh，则使Up＝Uhigh，若计算得到Up小于Umiddle，则使Up＝Umiddle。
当△T在第二温差阈值△T2和温差上限△Tu之间时，Umiddle＞Up≥Ulow。若依据Up＝k|△T|+b计算得到Up大于Umiddle，则使Up＝Umiddle，若计算得到Up小于Ulow，则使Up＝Ulow。
通过上述技术方案，使供电电压的控制更加精确，避免△T在不同范围时依据Up＝k|△T|+b计算出现供电电压交叉的情形发生。例如，当△T在第一温差阈值△T1和第二温差阈值△T2之间，和△T在第二温差阈值△T2和温差上限△Tu之间两种情况下，由于△T2为0，存在△T在这两个范围依据Up＝k|△T|+b得到的Up相同的情况。因此，本发明通过对△T在不同范围时进一步限定供电电压Up的范围，避免上述情形发生。
在本发明的一实施方式中，所述半导体制冷设备的制冷控制方法还包括：S70：根据△T和Th的值确定制冷风机的转速。
制冷风机的作用是将半导体模块冷端的冷量输送至间室内，制冷风机的转速越快，冷量的输送效果越好。根据△T和Th的值同时确定制冷风机的转速，可精确根据制冷效果的需求对制冷风机转速进行控制。
具体的，当Th大于禁止温度或△T小于禁止阈值时，由于此时按照供电步骤，半导体模块停止工作，半导体模块的冷端不需要进行制冷，因此使制冷风机转速N＝0。
当Th小于等于禁止温度且△T小于温差下限△Td时，使制冷风机转速N＝Nmax。其中，Nmax为制冷风机的最大转速。
△T小于温差下限△Td表明冷端的温度较高，制冷效果不足，需要进行降温，并通过使制冷风机的转速达到最大值以提升制冷效果。
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，使制冷风机转速N＝N0+k*n*|△T|，其中，N0和n为预设的参数值。
N0为供电电压为b时使△T＝0的制冷风机转速值。n为预设的制冷风机转速变化参量。当△T在不同范围时，供电电压的变化率不同，即△T范围不同k的取值不同，而本发明的制冷风机转速与k的值相关联，使制冷风机转速的变化率与供电电压的变化率相适应，制冷风机转速的控制更加精准。
进一步的，当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，获取制冷风机的实际转速，若制冷风机实际转速小于N0+k*n*|△T|，即获取的反馈信号表示制冷风机受装载影响实际转速达不到预设转速，需要对制冷风机的转速进行补偿，使N＝N0+k*n*|△T|+N补偿。
当Th小于等于禁止温度且△T大于温差上限△Tu、小于等于禁止阈值时，使制冷风机转速N＝N0，由于此时半导体模块的供电电压较低，保持制冷风机低速运转即可。
在本发明的一实施方式中，所述半导体制冷设备的制冷控制方法还包括：
S80：根据△T和Th的值确定热端风机的转速。
热端风机的作用是给半导体模块的热端进行散热，防止半导体模块的热端温度过高导致制冷效率下降或半导体模块损坏。根据△T和Th的值同时确定热端风机的转速，可精确根据散热效果的需求对制冷风机转速进行控制。
具体的，当Th大于禁止温度或△T小于禁止阈值时，由于此时按照供电步骤，半导体模块停止工作，半导体模块的热端会自动降温，不需要通过热端风机散热，因此使热端风机转速S＝0。
当Th小于等于禁止温度且△T小于温差下限△Td时，使热端风机转速S＝Smax。其中，Smax为热端风机的最大转速。
在△T小于温差下限△Td时，半导体模块的供电电压高，其热端容易升温，因此需要使热端风机达到最大值以提供最大的散热效果。
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，使热端风机转速S＝S0+k*s*(Th-T0)，其中，S0、s和T0为预设的参数值。
T0为预设的热端温度，其取值范围在0到禁止温度之间。S0为供电电压为b时维持热端温度为T0时的热端风机转速。S为预设的热端风机转速变化参量。当△T在不同范围时，供电电压的变化率不同，即△T范围不同k的取值不同，而本发明的热端风机转速与k的值相关联，使热端风机转速的变化率与供电电压的变化率相适应，热端风机转速的控制更加精准。
当Th小于等于禁止温度且△T大于温差上限△Tu、小于等于禁止阈值时，使热端风机转速S＝S0，由于此时半导体模块的供电电压较低，保持热端风机低速运转即可。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
采集半导体模块的冷端温度Tc；
通过半导体模块的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th，所述
Figure FDA0002780734590000011
其中，U为采集冷端温度时半导体模块的实际电压，I为采集冷端温度时半导体模块的实际电流，R为半导体模块的电阻，α为塞贝克系数；
获取设定温度与半导体模块的冷端温度Tc的温差△T；
判断△T与预设的禁止阈值的大小；
判断Th与预设的禁止温度的大小；
在△T大于禁止阈值或Th大于禁止温度时，停止对半导体模块供电；
在△T大于等于禁止阈值且Th小于等于禁止温度时，根据△T的值对半导体模块执行预设的供电步骤。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述供电步骤包括：当所述△T在预设的温差上限△Tu和预设的温差下限△Td之间时，使半导体模块的供电电压Up＝k|△T|+b，其中，温差下限△Td＜温差上限△Tu＜禁止阈值，k和b为预设的参数。
3.根据权利要求2所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述供电步骤还包括：
根据△T的值确定k和b的大小；
当所述△T在预设的温差下限△Td和预设的第一温差阈值△T1之间时，k＝kh，b＝bh；
当所述△T在预设的第一温差阈值△T1和预设的第二温差阈值△T2之间时，k＝km，b＝bm；
当所述△T在预设的第二温差阈值△T2和预设的温差上限△Tu之间时，k＝kl，b＝bl；
其中，温差下限△Td＜第一温差阈值△T1＜第二温差阈值△T2＜温差上限△Tu；kl＜km＜kh；bl＜bm＜bh。
4.根据权利要求2或3所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述供电步骤还包括：
当△T小于温差下限△Td时，使半导体模块的供电电压Up＝Umax；当△T大于温差上限△Tu且小于等于禁止阈值时，使半导体模块的供电电压Up＝Ulow，其中，Umax为制冷量最大时的电压，Ulow为制冷效率最大时的电压；
所述b小于Umax且大于Ulow；
所述k小于
Figure FDA0002780734590000021
且大于等于0。
5.根据权利要求4所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述方法还包括：根据△T和Th的值确定制冷风机的转速。
6.根据权利要求5所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述“根据△T和T的值确定制冷风机的转速”包括：
当Th小于等于禁止温度且△T小于温差下限△Td时，使制冷风机转速N＝Nmax；
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，使制冷风机转速N＝N0+k*n*|△T|，其中，N0和n为预设的参数值；
当Th小于等于禁止温度且△T大于温差上限△Tu、小于等于禁止阈值时，使制冷风机转速N＝N0；
当Th大于禁止温度或△T小于禁止阈值时，使制冷风机转速N＝0。
7.根据权利要求6所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，获取制冷风机的实际转速；
若制冷风机实际转速小于N0+k*n*|△T|，使N＝N0+k*n*|△T|+N补偿。
8.根据权利要求4所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据△T和Th的值确定热端风机的转速。
9.根据权利要求8所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述“根据△T和Th的值确定热端风机的转速”包括：
当Th小于等于禁止温度且△T小于温差下限△Td时，使热端风机转速S＝Smax；
当Th小于等于禁止温度且△T在所述温差上限△Tu和所述温差下限△Td之间时，使热端风机转速S＝S0+k*s*(Th-T0)，其中，S0、s和T0为预设的参数值；
当Th小于等于禁止温度且△T大于温差上限△Tu、小于等于禁止阈值时，使热端风机转速S＝S0；
当Th大于禁止温度或△T小于禁止阈值时，使热端风机转速S＝0。
10.根据权利要求2所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述方法在“在△T大于禁止阈值时，停止对半导体模块供电”后，还包括：
再次采集半导体模块的冷端温度Tc；
获取半导体模块的设定温度与再次采集的冷端温度的温差△T；
判断再次获取的△T与预设的温差上限△Tu的大小，其中，所述温差上限△Tu小于所述禁止阈值；
在再次获取的△T大于温差上限△Tu时，停止对半导体模块供电；
在再次获取的△T小于等于温差上限△Tu时，根据再次获取的△T值对半导体模块执行预设的供电步骤。
11.根据权利要求2或10所述的半导体制冷设备的制冷控制方法，其特征在于，所述方法在“在Th大于禁止温度时，停止对半导体模块供电”后，还包括：
再次采集半导体模块的冷端温度Tc；
获取半导体模块的设定温度与再次采集的冷端温度的温差△T；
通过再次采集的冷端温度Tc计算半导体模块的热端温度Th，所述
Figure FDA0002780734590000031
判断再次计算的Th与预设的温度上限的大小，其中，所述温度上限小于所述禁止温度；
在再次计算的Th大于温度上限时，停止对半导体模块供电；
在再次计算的Th小于等于温度上限时，根据再次获取的△T值对半导体模块执行预设的供电步骤。
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