CN114487524A - 检查装置和探针的研磨方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供检查装置和探针的研磨方法。检查装置用于对检查对象基片进行检查，包括：检查用载置台；输送机构；载置研磨用基片的研磨用载置台，研磨用基片用于对在检查时与基片接触的探针进行研磨、且具有可由输送机构输送的形状和大小；使检查用载置台移动以相对于探针进退的第1进退机构；和使研磨用载置台移动以相对于探针进退的第2进退机构，研磨用载置台是在检查用载置台以外另外设置的，检查用载置台的退避区域与研磨用载置台的退避区域在俯视时位于将探针夹在中间的相反侧的位置，第2进退机构构成为：使得研磨用基片中的与该研磨用基片的退避区域侧相反的一侧在俯视时能够与探针重叠，而该研磨用基片的退避区域侧在俯视时不能与探针重叠。

Description

检查装置和探针的研磨方法

技术领域

本发明涉及检查装置和探针的研磨方法。

背景技术

专利文献1公开了一种探测器，其包括用于载置基片的载置台和与载置台相对的探针卡，探针卡具有向上述被载置的基片突出的多个探针。该探测器具有用于对多个探针的针尖进行研磨的针尖研磨装置，针尖研磨装置具有用于与上述针尖接触的针尖接触部和用于支承针尖接触部的支承部，在针尖接触部的与上述针尖接触的部分设置有用于对上述针尖进行研磨的针尖研磨面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-138888号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术，能够在抑制装置的大型化的同时，不使生产率降低地使用能够由输送检查对象基片的输送机构输送的研磨用基片对探针进行研磨。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式提供一种检查装置，其为用于对检查对象基片进行检查的检查装置，其特征在于，包括：用于载置所述检查对象基片的检查用载置台；至少能够输送所述检查对象基片的输送机构；用于载置研磨用基片的研磨用载置台，所述研磨用基片是用于对在检查时与基片接触的探针进行研磨的部件、并且具有能够由所述输送机构输送的形状和大小；第1进退机构，其用于使所述检查用载置台移动，以使所述检查用载置台相对于所述探针进退；和第2进退机构，其用于使所述研磨用载置台移动，以使所述研磨用载置台相对于所述探针进退，所述研磨用载置台是在所述检查用载置台以外另外设置的，所述检查用载置台的退避区域与所述研磨用载置台的退避区域，在俯视时位于将所述探针夹在中间的相反侧的位置，所述第2进退机构构成为：使得被载置在所述研磨用载置台上的所述研磨用基片中的与该研磨用基片的退避区域侧相反的一侧在俯视时能够与所述探针重叠，而该研磨用基片的退避区域侧在俯视时不能与所述探针重叠。

发明效果

采用本发明，能够在抑制装置的大型化的同时，不使生产率降低地使用能够由输送检查对象基片的输送机构输送的研磨用基片对探针进行研磨。

附图说明

图1是表示本实施方式的检查装置的构成的概略的立体图。

图2是表示本实施方式的检查装置的构成的概略的纵截面图。

图3是表示收纳室和装载器内置的构成要素的平面图。

图4是对研磨用晶片进行说明的平面图。

图5是移动机构的说明图。

图6是表示研磨用载置台的另一个例子的截面图。

附图标记说明

1检查装置，3b输送机构，10检查用载置台，20移动机构，40研磨用载置台，K研磨用晶片，P1探针，T1退避区域，T2退避区域，W检查对象晶片。

具体实施方式

在半导体器件(下面称为“器件”)的制造工艺中，在半导体晶片(下面，称为“晶片”)等基片上同时形成大量的器件。对于所形成的器件，要进行电特性等的检查，分出良品和不良品。器件的检查例如在被分割为各器件之前的基片的状态下，使用检查装置进行。

在被称为探测器等的检查装置中，设置有用于载置形成有半导体器件的基片的载置台、用于输送基片的输送机构，另外，安装有具有多个探针的探针卡。在检查时，在检查装置中，通过使载置台和探针卡相对移动，使半导体器件的电极焊盘或焊锡凸点与探针位置对准地接触。在如上所述使它们接触的状态下，从检测器(tester)经由探针对半导体器件供给电信号。然后，基于检测器经由探针从半导体器件接收到的电信号，判断该半导体器件是否为不良品。

在反复进行如上所述的检查时，电极焊盘等的表面的氧化物会附着在探针的针尖上，或者探针的针尖会摩损，因此，进行该针尖的研磨(参照专利文献1)。

但是，在专利文献1的检查装置中，没有设置用于输送设置有针尖研磨面且被支承部支承的针尖接触部的机构，因此，该检查装置在针尖接触部的自动更换方面有改善的余地。另外，当另外设置用于输送针尖接触部的机构时，虽然能够进行自动更换，但是检查装置会变得大型化。

另外，考虑了下述的方案：使针尖研磨部件的形状和大小为能够由用于输送检查对象基片的输送机构进行输送的形状和大小，具体而言，为与检查对象基片相同的形状和大小，将该针尖研磨部件即研磨用基片代替检查对象基片载置在载置台上，用于探针的针尖的研磨。在该方案中，虽然能够自动更换针尖研磨部件，但是，为了进行研磨，需要将检查对象基片从载置台取下，因此，检查的生产率降低。

为了避免该检查的生产率的降低，可考虑在用于载置检查对象基片的载置台以外，另外设置用于载置研磨用基片的载置台的方案。但是，在该方案中，在利用研磨用基片进行研磨时需要使检查对象基片及其载置台退避的空间，因此，在只是简单地另外设置用于载置研磨用基片的载置台的情况下，检查装置所占的空间量会增加上述空间的量。

因此，本发明的技术能够在抑制装置的大型化的同时，不使生产率降低地使用能够由输送检查对象基片的输送机构输送的研磨用基片对探针进行研磨。

下面，参照附图对本实施方式的检查装置和探针的研磨方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能构成的要素，通过标注相同的附图标记来省略重复说明。

首先，对本实施方式的检查装置的构成进行说明。图1和图2分别是表示本实施方式的检查装置1的构成的概略的立体图和纵截面图。

图3是表示后述的收纳室和装载器(loader)内置的构成要素的平面图。

图4是对后述的研磨用晶片进行说明的平面图。图5是后述的移动机构的说明图。

检查装置1是对作为检查对象基片的检查对象晶片W进行检查的装置，具体而言，是对形成在检查对象晶片W上的器件(未图示)的电特性进行检查的装置。在检查对象晶片W上形成有n个(n为2以上的自然数)即多个器件，检查装置1在一次检查中同时对m个(m为小于n的自然数)器件进行检查。另外，检查对象晶片W例如形成为直径300mm的圆板状。

如图1和图2所示，检查装置1包括：用于在检查时收纳检查对象晶片W的收纳室2；与收纳室2相邻地配置的装载器3；和以覆盖收纳室2的上方的方式配置的检测器4。

如图2所示，收纳室2是内部中空的壳体，在其内部具有用于载置检查对象晶片W的检查用载置台10。检查用载置台10能够对检查对象晶片W进行吸附保持，使得检查对象晶片W相对于该检查用载置台10的位置不偏移。另外，在检查用载置台10设置有用于调节被载置在该检查用载置台10上的检查对象晶片W的温度的温度调节机构。上述温度调节机构包括通过对检查用载置台10进行加热来对被载置在该检查用载置台10上的检查对象晶片W进行加热的加热机构(例如电阻加热器)、和通过对检查用载置台10进行冷却来对被载置在该检查用载置台10上的检查对象晶片W进行冷却的冷却机构(例如流动冷却用的制冷剂的流路)中的至少任一者。

另外，在收纳室2的内部设置有移动机构20。移动机构20能够使检查用载置台10移动，具体而言，能够使检查用载置台10在水平方向和铅垂方向上移动。能够利用该移动机构20，调整后述的探针卡P与检查对象晶片W的相对位置从而使检查对象晶片W的表面的电极与探针卡P的探针P1接触。另外，能够利用移动机构20，使检查用载置台10相对于后述的探针P1进退，在利用后述的研磨用晶片K进行探针P1的研磨时，能够使检查用载置台10和被载置在其上的检查对象晶片W退避至在俯视时与探针P1隔开间隔的退避区域T1(参照图3)。

移动机构20例如从下方起依次具有X载置台21和Y载置台22。

X载置台21能够沿着设置在收纳室2的底壁上的在图中X方向(装置宽度方向)上延伸的导轨21a移动。Y载置台22能够沿着设置在X载置台21上的在图中Y方向(装置进深方向)上延伸的导轨22a移动。

对X载置台21和Y载置台22例如设置有滚珠丝杠(未图示)。通过调节由组合有编码器的电动机(未图示)进行的上述滚珠丝杠的旋转量，能够调整X载置台21的X方向的位置和Y载置台22的Y方向的位置。

另外，移动机构20例如在Y载置台22上具有Z载置台23。

Z载置台23经由可在图中Z方向(铅垂方向)上伸缩的伸缩轴23a设置在Y载置台22上，由此，Z载置台23可升降。对伸缩轴23a，例如设置有组合有编码器的电动机，通过调节上述电动机的旋转量，能够调整伸缩轴23a的长度，从而调整Z载置台23的Z方向的位置。

在Z载置台23上经由旋转机构24支承有检查用载置台10。

旋转机构24是用于使检查用载置台10绕铅垂轴旋转的机构，例如具有组合有编码器的电动机，通过调节上述电动机的旋转量，能够调整被载置在检查用载置台10上的检查对象晶片W的朝向。

利用上述的X载置台21、Y载置台22、Z载置台23，能够使检查用载置台10在X方向、Y方向、Z方向上移动。另外，利用旋转机构24，能够如上所述调整被载置在检查用载置台10上的检查对象晶片W的朝向。

在收纳室2中的检查用载置台10的上方，配置有探针卡P。探针卡P具有在对形成在检查对象晶片W上的器件进行电特性检查时与该器件的电极电接触的探针P1。探针P1在俯视时设置在探针卡P的中央部的探针配置区域Pa(参照图3)。

另外，探针卡P经由接口30与检测器4连接。各探针P1在电特性检查时与形成在检查对象晶片W上的各器件的电极接触，将来自检测器4的电功率经由接口30供给至器件，并且，将来自器件的信号经由接口30传递至检测器4。

如图3所示，装载器3包括：能够收纳多个检查对象晶片W的收纳部3a；用于输送检查对象晶片W的输送机构3b；和用于调整检查对象晶片W的朝向的预对准机构3c。

收纳部3a具体而言用于收纳作为收纳多个检查对象晶片W的输送容器的FOUP(未图示)。收纳部3a设置在操作者容易操作的跟前侧(图中的Y方向负侧)。

输送机构3b能够从收纳部3a内的FOUP取出检查对象晶片W，并将其送入到收纳室2。另外，输送机构3b能够将器件的电特性检查结束了的检查对象晶片W从收纳室2送出，并将其返回到收纳部3a内的FOUP。

预对准机构3c具有用于使检查对象晶片W绕铅垂轴旋转的旋转载置台3d、用于检测检查对象晶片W的缺口的受光发光部(未图示)等。

检测器4具有再现用于搭载器件的主板的电路结构的一部分的检测板(未图示)。检测板与基于来自形成在检查对象晶片W上的器件的信号来判断该器件的良否的检测器计算机(未图示)连接。在检测器4中，通过更换上述检测板，能够再现多种主板的电路结构。

在检查装置1中，在进行形成在检查对象晶片W上的器件的电特性的检查时，上述检测器计算机向经由各探针P1与器件连接的上述检测板发送数据。然后，检测器计算机基于来自该检测板的电信号来判断发送来的数据是否由该检测板正确地进行了处理。

另外，如图2所示，在检查装置1的收纳室2的内部，在检查用载置台10以外另外设置有用于载置作为研磨用基片的研磨用晶片K的研磨用载置台40。研磨用载置台40能够对研磨用晶片K进行吸附保持，使得研磨用晶片K相对于该研磨用载置台40的位置不偏移。

研磨用晶片K是用于对探针P1(具体而言，是其针尖)进行研磨的部件，具有能够由输送机构3b(参照图3)输送的大小和形状。具体而言，研磨用晶片K，例如如图4所示，与检查对象晶片W同样为圆板状的部件，其直径为大约150mm～300mm。此外，从检查装置1所占的空间量的观点出发，优选研磨用晶片K的直径小，但是，当研磨用晶片K的直径小于150mm时，无法利用现有的输送机构3b的输送臂来保持研磨用晶片K。另外，研磨用晶片K例如可以通过在圆板状的部件的表面粘贴研磨片(lapping sheet)来制作。

研磨用晶片K可以与检查对象晶片W同样具有缺口K1。此外，在下面的说明中，将研磨用晶片K在俯视时分成2部分时的缺口K1侧的区域称为第1区域R1，将另一区域称为第2区域R2。

通过使用这样的研磨用晶片K，能够使用输送机构3b，而不使用操作者的手，自动更换研磨用晶片K。

此外，研磨用载置台40与研磨用晶片K的形状相对应地形成为圆柱形状，其在俯视时的直径比研磨用晶片K的直径稍大。

另外，设置在图2的收纳室2的内部的移动机构20不仅能够使检查用载置台10移动，而且也能够使研磨用载置台40移动。具体而言，移动机构20能够使研磨用载置台40与检查用载置台10一起在水平方向上移动，另外，能够使研磨用载置台40与检查用载置台10独立地在铅垂方向上移动。利用该移动机构20，能够使探针卡P的探针P1与被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K接触。另外，利用移动机构20，能够使研磨用载置台40相对于探针P1进退，在进行被载置在检查用载置台10上的检查对象晶片W的检查时，能够使研磨用载置台40和被载置在其上的研磨用晶片K移动至在俯视时与探针P1隔开间隔的退避区域T2(参照图3)。

即，移动机构20兼具下述两者：用于使检查用载置台10移动以使其相对于探针P1进退的第1进退机构；和用于使研磨用载置台40移动以使其相对于探针P1进退的第2进退机构。

研磨用载置台40与检查用载置台10同样可通过X载置台21、Y载置台22在X方向和Y方向上移动。即，研磨用载置台40和检查用载置台10共用作为水平方向的X方向和Y方向上的移动机构。

移动机构20为了使研磨用载置台40能够在Z方向上移动，例如在Y载置台22上具有Z载置台25。

Z载置台25经由可在图中Z方向(铅垂方向)上伸缩的伸缩轴25a设置在Y载置台22上，由此，Z载置台25可升降。对伸缩轴25a，例如设置有组合有编码器的电动机，通过调节上述电动机的旋转量，能够调整伸缩轴25a的长度，从而调整Z载置台25的Z方向的位置。

在Z载置台25上，经由旋转机构26支承有研磨用载置台40。旋转机构26是用于使研磨用载置台40绕铅垂轴旋转的机构，例如具有组合有编码器的电动机，通过调节上述电动机的旋转量，能够调整被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的朝向。

另外，在检查装置1中，如图3所示，在装载器3中设置有能够收纳多个研磨用晶片K的收纳部3e。收纳部3e设置在装载器3的里侧(图中的Y方向正侧)。

被收纳在收纳部3e中的研磨用晶片K可由输送机构3b取出，送入到收纳室2，并载置在研磨用载置台40上。

另外，在需要更换收纳室2内的研磨用晶片K的情况下，该研磨用晶片K由输送机构3b送出，返回到收纳部3e，并且，收纳部3e内新的研磨用晶片K由输送机构3b送入到收纳室2。

另外，检查装置1具有控制部100。控制部100例如由包括CPU和存储器等的计算机构成，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有用于控制检查装置1的各种处理的程序。此外，上述程序也可以是存储在计算机可读取的非暂时性存储介质中，从该存储介质安装到控制部100。程序的一部分或全部可以由专用硬件(电路板)实现。

在如上述那样构成的检查装置1中，如图3所示，由移动机构20实现的检查用载置台10的退避区域T1与由移动机构20实现的研磨用晶片K的退避区域T2，在俯视时位于将探针配置区域Pa夹在中间的相反侧的位置。而且，在检查装置1中，被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K中的作为该研磨用晶片K的退避区域侧的里侧不能用于探针P1的研磨，仅作为相反侧的跟前侧(图中的Y方向负侧)能够用于探针P1的研磨。换言之，移动机构20构成为满足下述的条件。

(移动机构20满足的条件)

能够使被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K中的跟前侧(图5中的Y方向负侧)，如图5中的实线所示的那样在俯视时与探针配置区域Pa(即，探针P1)重叠，而不能使里侧(图5中的Y方向正侧)如双点划线所示的那样在俯视时与探针配置区域Pa重叠。

具体而言，移动机构20和收纳室2在构造上以满足上述的条件的方式受到限制，例如，移动机构20的导轨22a相对于Y载置台22的长度和配置位置等以满足上述的条件的方式设定。

在此，考虑与本实施方式不同的、下述的比较方式。比较方式是指下述方式：移动机构20构成为，使得被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的里侧(图5中的Y方向正侧)也如双点划线所示的那样在俯视时能够与探针配置区域Pa重叠。

在本实施方式中，与上述比较方式相比，在研磨时研磨用载置台40向跟前侧(图5中的Y方向负侧)移动的距离少，因此，能够缩短研磨时的从位于退避区域T1的检查用载置台10至探针P1的俯视时的距离。因此，在本实施方式中，能够使检查用载置台10的退避区域T1即检查用载置台10的移动范围狭窄。因此，在本实施方式中，能够抑制检查装置1的大型化。在比较方式中，装置大型化这一点，从图5中双点划线所示的检查用载置台10等没有被收纳在收纳室2中也可看出。

另外，在如本实施方式那样仅被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的跟前侧(图5等中的Y方向负侧)用于探针P1的研磨的情况下，如果采用下述方式，则能够将研磨用晶片K的整个面不浪费地用于研磨。

如果利用旋转机构26使研磨用载置台40旋转，以调整被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的朝向，那么在本实施方式中，也能够将研磨用晶片K的整个面不浪费地用于研磨。具体而言，在成为跟前侧(图5等中的Y方向负侧)的研磨用晶片K的第1区域R1的整个面被用于研磨后，使研磨用载置台40旋转以使研磨用晶片K旋转半圈，由此能够使未使用的研磨用晶片K的第2区域R2成为跟前侧(图5等中的Y方向负侧)以用于研磨。

接下来，对使用检查装置1的检查处理的一个例子进行说明。

在检查处理中，首先，由输送机构3b从装载器3的收纳部3a内的FOUP取出检查对象晶片W，并将其送入收纳室2。然后，被输送机构3b保持的检查对象晶片W借助于在检查用载置台10中设置的多个升降销(未图示)，被交接到检查用载置台10。即，检查对象晶片W被载置在检查用载置台10上。

接着，利用摄像机(未图示)来确认检查用载置台10和探针P1的准确的位置。然后，利用移动机构20使检查用载置台10移动，设置在检查用载置台10的上方的探针P1与检查对象晶片W的作为检查对象的器件的电极接触。

然后，对探针P1输入检查用的信号。由此，开始作为检查对象的器件的电特性检查。当电特性检查结束时，使检查用载置台10移动，对检查对象晶片W的作为下一个检查对象的器件进行同样的检查。

以后，反复进行载置检查对象晶片W的工序以后的工序，直至形成在检查对象晶片W上的所有器件的电特性检查结束，当所有器件的电特性检查结束时，以与送入时相反的顺序，将检查对象晶片W从收纳室2送出，使其返回到装载器3的收纳部3a内的FOUP。

接下来，对使用检查装置1的探针P1的研磨处理的一个例子进行说明。

(载置)

首先，将研磨用晶片K载置在研磨用载置台40上。具体而言，由输送机构3b从装载器3的收纳部3e取出研磨用晶片K，并将其送入收纳室2。然后，被输送机构3b保持的研磨用晶片K借助于在研磨用载置台40中设置的多个升降销(未图示)被交接到研磨用载置台40。

(检查和研磨用载置台40的退避)

然后，进行上述的检查处理。此时，利用移动机构20，使研磨用载置台40移动至退避区域T2以使其避开探针P1。

(研磨)

例如，在上述的检查处理期间，在探针P1与检查对象晶片W上的电极之间无法获得电连接等、探针P1产生异常时，将器件的电特性检查中断，以下述方式进行探针P1的研磨。即，利用移动机构20使检查用载置台10移动至退避区域T1以使其避开探针P1，并且利用移动机构20使研磨用载置台40移动，利用被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的跟前侧(图5等中的Y方向负侧)的期望的部分对探针P1进行研磨。由研磨用晶片K进行的探针P1的研磨，通过使研磨用载置台40过驱动，即，通过使研磨用载置台40从研磨用晶片K与探针P1接触的位置上升规定的距离来进行。此外，在探针P1研磨前，利用摄像机(未图示)确认探针P1的准确的位置。也可以利用摄像机(未图示)确认研磨用载置台40的准确的位置。在该研磨中使用了研磨用晶片K的哪一个部分的信息，被存储在控制部100的存储部(未图示)中。

此外，在研磨时，不需要将检查对象晶片W从检查用载置台10取下。

另外，当研磨结束时，再次开始被中断的器件的电特性检查。

(跟前侧整个面利用判断)

接着，控制部100判断成为被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的跟前侧(图5等中的Y方向负侧)的区域的整个面是否已被用于研磨。

(里侧利用判断)

另外，在判断为被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的跟前侧的区域的整个面已被用于研磨的情况下，控制部100判断成为该晶片K的里侧(图5等中的Y方向正侧)的区域是否已被用于研磨。

(旋转)

当成为里侧的区域没有被用于研磨时，利用旋转机构26使研磨用载置台40旋转，以调整被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的朝向，具体而言，例如使上述研磨用晶片K旋转半圈。已使该研磨用晶片K旋转的信息，被存储在控制部100的存储部(未图示)中，可用于上述的里侧利用判断工序中的判断。

(更换)

在里侧利用判断工序的结果是，判断为成为被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的里侧的区域也已被用于研磨的情况下，进行研磨用晶片K的更换。具体而言，将要更换的研磨用晶片K以与送入时相反的顺序，从收纳室2送出，并返回到装载器3的收纳部3e。然后，由输送机构3b从装载器3的收纳部3e取出新的研磨用晶片K，并将其载置在收纳室2内的研磨用载置台40上。该研磨用晶片K的更换例如在进行检查对象晶片W的更换的时刻进行。

如上所述在本实施方式中，能够由用于输送检查对象晶片W的输送机构3b来输送研磨用晶片K，因此，使用能够自动更换的研磨用晶片K对探针P1进行研磨。

另外，在本实施方式中，用于载置研磨用晶片K的研磨用载置台40是在用于载置检查对象晶片W的检查用载置台10以外另外设置的。因此，不需要为了使用研磨用晶片K的探针P1的研磨，而将检查对象晶片W从检查用载置台10取下，因此，即使自动更换研磨用晶片K，检查的生产率也不会降低。

而且，在本实施方式中，移动机构20构成为：使得被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K中的跟前侧(图5等中的Y方向负侧)在俯视时能够与探针P1重叠，而里侧(图5等中的Y方向正侧)在俯视时不能与探针P1重叠。因此，即使在检查用载置台10以外另外设置研磨用载置台40，也能够抑制检查装置1所占的空间量的增加。

因此，根据本实施方式，能够在抑制装置的大型化的同时，不使检查的生产率降低地使用能够由输送检查对象晶片W的输送机构3b输送的研磨用晶片K对探针P1进行研磨。

另外，即使采用本实施方式的构成，如果利用旋转机构26使研磨用载置台40旋转，以调整被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的朝向，那么也能够将研磨用晶片K的整个面不浪费地有效地用于研磨。

此外，也可以不是利用旋转机构26使研磨用载置台40旋转，以调整被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的朝向，而是采用下述方式。即，也可以是利用作为调整机构的预对准机构3c，对被载置在研磨用载置台40上的研磨用晶片K的朝向进行调整。具体而言，在成为跟前侧(图中的Y方向负侧)的研磨用晶片K的第1区域R1的整个面已被用于研磨后，由输送机构3b将该研磨用晶片K从研磨用载置台40输送至预对准机构3c。然后，利用预对准机构3c使研磨用晶片K旋转半圈，之后，由输送机构3b使该研磨用晶片K返回到研磨用载置台40，将该研磨用晶片K以未使用的第2区域R2成为跟前侧的状态载置在研磨用载置台40上。由此，也能够将研磨用晶片K的整个面不浪费地用于研磨。

图6是表示研磨用载置台的另一个例子的截面图。

图6的研磨用载置台40具有：顶板200；和作为温度调节机构的冷却单元210和加热单元220。研磨用载置台40隔着热绝缘部件300被载置在移动机构20(参照图2等)上。

顶板200是用于载置研磨用晶片K的部件，例如形成为圆板状。在顶板200上设置有1个或多个温度传感器(未图示)。

冷却单元210是通过对顶板200进行冷却，来对被载置在顶板200上的研磨用晶片K进行冷却的部件。该冷却单元210设置在顶板200与加热单元220之间。

此外，冷却单元210的构成没有特别限定，只要能够对顶板200进行冷却，就能够采用任意的构成。作为一个例子，冷却单元210中可以形成有在内部流动制冷剂的制冷剂流路(未图示)。

加热单元220是通过对顶板200进行加热，来对被载置在顶板200上的研磨用晶片K进行加热的部件。加热单元220隔着冷却单元210与顶板200相对地配置。

此外，加热单元220的构成没有特别限定，只要能够对顶板200进行加热，就能够采用任意的构成。作为一个例子，加热单元220可以具有电阻加热器。

图6的研磨用载置台40能够利用冷却单元210和加热单元220进行被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的温度调节。具体而言，图6的研磨用载置台40能够利用冷却单元210和加热单元220将被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的温度调节为被载置在检查用载置台10上的检查对象晶片W的、检查时的设定温度。

如上述那样进行温度调节的理由如下所述。

检查时的检查对象晶片W的设置温度有时与室温(例如25℃)相比成为高温或者低温。

在检查时的检查对象晶片W的设定温度为高温的情况下，探针卡P例如在检查时，经由探针P1被高温的检查对象晶片W加热，有时会以中央部向下方突出的方式翘曲。在该情况下，如果研磨用载置台40和被载置在其上的研磨用晶片K为常温，那么在检查时等成为高温的探针卡P，在由研磨用晶片K进行的探针P1的研磨中，经由探针P1被常温的研磨用晶片K冷却，翘曲被消除。其结果是，存在下述情况：研磨用晶片K与探针P1的研磨时的接触压力与期望的值相比降低，无法充分地研磨探针P1，无法使用研磨后的探针P1适当地进行电检查。

另外，在检查时的检查对象晶片W的设定温度为低温的情况下，探针卡P例如在检查时，经由探针P1被低温的检查对象晶片W冷却，有时以中央部向上方突出的方式翘曲。在该情况下，如果研磨用载置台40和被载置在其上的研磨用晶片K为常温，那么在检查时等成为低温的探针卡P，在由研磨用晶片K进行的探针P1的研磨中，经由探针P1被常温的研磨用晶片K加热，翘曲被消除。其结果是，存在下述情况：研磨用晶片K与探针P1的研磨时的接触压力与期望的值相比增加，即，会过度地研磨探针P1，使探针卡P的寿命缩短。

在图6的研磨用载置台40中，利用冷却单元210和加热单元220，如上述那样进行被载置在该研磨用载置台40上的研磨用晶片K的温度调节，因此，能够使在检查时等成为高温或者低温的探针卡P的、由研磨用晶片K进行的研磨中的热变动为最小限度。因此，能够适当地研磨探针P1，因此，不会缩短探针卡P的寿命，而且，能够使用研磨后的探针P1适当地进行电检查。

此外，可以省略冷却单元210和加热单元220中的任一者。例如，当仅在高温下进行电特性检查的情况下，可以省略冷却单元210。

本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，可以以各种形式省略、替换、变更。

Claims (6)

1.一种检查装置，其为用于对检查对象基片进行检查的检查装置，其特征在于，包括：

用于载置所述检查对象基片的检查用载置台；

至少能够输送所述检查对象基片的输送机构；

用于载置研磨用基片的研磨用载置台，所述研磨用基片是用于对在检查时与基片接触的探针进行研磨的部件、并且具有能够由所述输送机构输送的形状和大小；

第1进退机构，其用于使所述检查用载置台移动，以使所述检查用载置台相对于所述探针进退；和

第2进退机构，其用于使所述研磨用载置台移动，以使所述研磨用载置台相对于所述探针进退，

所述研磨用载置台是在所述检查用载置台以外另外设置的，

所述检查用载置台的退避区域与所述研磨用载置台的退避区域，在俯视时位于将所述探针夹在中间的相反侧的位置，

所述第2进退机构构成为：使得被载置在所述研磨用载置台上的所述研磨用基片中的与该研磨用基片的退避区域侧相反的一侧在俯视时能够与所述探针重叠，而该研磨用基片的退避区域侧在俯视时不能与所述探针重叠。

2.如权利要求1所述的检查装置，其特征在于：

还包括用于使所述研磨用载置台旋转的旋转机构。

3.如权利要求1或2所述的检查装置，其特征在于：

还包括用于对被载置在所述研磨用载置台上的所述研磨用基片的朝向进行调整的调整机构。

4.如权利要求1～3中任一项所述的检查装置，其特征在于：

所述研磨用载置台具有用于进行被载置在该研磨用载置台上的所述研磨用基片的温度调节的温度调节机构。

5.如权利要求4所述的检查装置，其特征在于：

所述温度调节机构能够将被载置在所述研磨用载置台上的所述研磨用基片的温度调节为被载置在所述检查用载置台上的所述检查对象基片的检查时的设定温度。

6.一种探针的研磨方法，其用于对与检查对象基片接触的探针进行研磨，所述探针的研磨方法的特征在于，包括：

将研磨用基片载置在研磨用载置台上的工序，其中，所述研磨用基片是用于对所述探针进行研磨的部件、并且具有能够由用于输送所述检查对象基片的输送机构输送的形状和大小，所述研磨用载置台是在用于载置所述检查对象基片的检查用载置台以外另外设置的；和

使所述检查用载置台移动至该检查用载置台的退避区域，以使该检查用载置台避开所述探针，并且使所述研磨用载置台移动，利用被载置在所述研磨用载置台上的所述研磨用基片的、与该研磨用基片的退避位置侧相反的一侧的部分，对所述探针进行研磨的工序，其中，所述检查用载置台的退避区域与所述研磨用载置台的退避区域位于将所述探针夹在中间的相反侧的位置，

所述探针的研磨方法还包括：

使所述研磨用载置台旋转以调整被载置在该研磨用载置台上的研磨用基片的朝向的工序，或者，

对于被载置在所述研磨用载置台上的所述研磨用基片，在调整其朝向后，使其返回到所述研磨用载置台上的工序。

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