CN114481309A - 一种匀流板、进气装置及外延设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种匀流板，用于外延设备的进气装置，包含：匀流板主体，包括相对的第一平面以及第二平面；多个第一台阶和多个第二台阶，多个所述第一台阶设置于所述第一平面，多个所述第二台阶设置于所述第二平面；所述多个第一台阶分别与所述多个第二台阶位置对应；多组通孔，每一组通孔对应设置于一个第一台阶，所述通孔依序穿设所述第一台阶、匀流板主体、第二台阶，用于在所述外延设备的工艺期间提供通过所述匀流板的气体通道；多个所述第一台阶、多个所述第二台阶分别嵌入进气焊件、进气插入件内，用于减小匀流板与进气焊件、进气插入件之间的间隙，防止匀流板的振动。

Description

一种匀流板、进气装置及外延设备

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，特别涉及一种匀流板、进气装置及外延设备。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中一种应用广泛的外延技术。具体方法是将混合均匀的工艺气体输送至反应室，经过化学反应获得生长原子并沉积在基片(或称晶圆)上，生长出单晶层。在外延生长过程中，为了保证外延层厚度的均匀性，需要严格控制反应室内的气流场。通过基片的工艺气体的混合气流要尽可能地均匀一致，以保证外延层在基片的不同区域实现均匀生长。

现有外延设备的进气装置，采用平板型的匀流板将工艺气体均匀地输入反应室。匀流板通常采用耐腐蚀的石英材质，因此具有硬脆的特点，匀流板与进气装置的其他部件之间为硬接触。且为防止匀流板破碎，不能够向匀流板施加过大压力使其与其他部件的接触面完全贴合。

由于工艺气体具有腐蚀性且进气装置内存在较高的温度，为保证输入反应室的工艺气体的高洁净度，无法在进气装置内使用各类柔性密封件(常见的密封件如密封圈，会被工艺气体腐蚀而产生颗粒物，颗粒物最终进入反应室会沉积在外延层内，导致工艺失败)。因此，匀流板和与其接触的部件之间难以避免的存在间隙。

为了保证基片上沉积的外延层厚度的均一性，需要精确控制基片上不同区域的工艺气体的流量，现有技术会将进气装置划分为多个区域从而实现多区控气，然而由于上述的匀流板和与其接触的部件之间的间隙的存在，导致各个区域之间出现串气现象，因此无法精确控制各个区域工艺气体的流量，而且工艺气体容易在这些间隙处产生不期望的沉积物，又由于间隙的存在，导致匀流板在工艺期间会在气流波动的带动下产生振动，从而不期望的沉积物在振动下脱落，产生颗粒物，进一步影响工艺的质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种匀流板、进气装置及外延设备，本发明的进气装置具有多个互不连通的区域，通过进气装置的各个区域向基片上各个对应区域输入对应流量的工艺气体，实现精确控制基片上不同区域的工艺气体流量，保证了外延层在基片的不同区域实现均匀生长。本发明的匀流板与进气焊件、进气插入件的接触面之间无间隙，那么进气装置的各区域之间不会串气，且匀流板不会振动，在匀流板与进气焊件、进气插入件之间不容易产生沉积物，因此保证了各区域之间气体流量稳定、精确地控制，且有效减少了因沉积物脱落进入反应室内造成的颗粒污染，显著提高了工艺质量。

为了达到上述目的，本发明提供一种匀流板，用于外延设备的进气装置，所述进气装置包括进气焊件、进气插入件，及设置在进气焊件、进气插入件之间的匀流板，所述匀流板包含：

匀流板主体，包括相对的第一平面以及第二平面；

多个第一台阶和多个第二台阶，多个所述第一台阶设置于所述第一平面，多个所述第二台阶设置于所述第二平面；所述多个第一台阶分别与所述多个第二台阶位置对应；

多组通孔，每一组通孔对应设置于一个第一台阶，所述通孔依序穿设所述第一台阶、匀流板主体、第二台阶，用于在所述外延设备的工艺期间提供通过所述匀流板的气体通道；

多个所述第一台阶、多个所述第二台阶分别嵌入进气焊件、进气插入件内，用于减小匀流板与进气焊件、进气插入件之间的间隙，防止匀流板的振动。

可选的，匀流板主体具有一字型结构，多个第一台阶沿匀流板主体的长度方向分布，相邻的第一台阶之间设有间隔；多个第二台阶沿匀流板的长度方向分布，相邻的第二台阶之间设有间隔。

可选的，沿匀流板主体的长度方向，多个第一台阶的长度相同或不同。

可选，匀流板主体的拐角为圆角。

可选的，第一台阶为圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶中的任一种，第二台阶为圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶中的任一种。

可选的，沿垂直于第一平面的方向，第一台阶的厚度为1mm～1cm，第二台阶的厚度为1mm～1cm。

可选的，同一组所述通孔均匀分布；不同组的所述通孔之间具有相同或不同的分布密度。

可选的，所述通孔的横截面为圆形，通孔的中心轴垂直于第一平面。

可选的，不同组的所述通孔的孔径相同或者不同。

可选的，所述匀流板的材料为石英或不锈钢。

本发明还提供一种进气装置，用于外延设备，所述进气装置包含：进气焊件，进气插入件，以及如本发明所述的匀流板；

所述进气焊件设置在进气插入件第一端，进气焊件朝向进气插入件的第一表面设有连通外部工艺气体源的多个第一凹槽；

进气插入件，其内部设有与多个第一凹槽位置分别对应的多个第一通道；

所述匀流板设置在进气焊件与进气插入件之间；匀流板的多个第一台阶分别嵌入设置在多个第一凹槽内，第一台阶的外型面匹配第一凹槽的内型面；匀流板的多个第二台阶分别嵌入设置在多个第一通道内，第二台阶的外型面匹配第一通道的内型面；匀流板的各组通孔分别连通对应的第一凹槽及第一通道。

可选的，所述匀流板主体的第一平面贴合所述第一表面；匀流板主体的第二平面贴合进气插入件第一端的端面。

可选的，所述进气插入件内部设有多个隔板，通过所述多个隔板将进气插入件内部空间分隔为多个第一通道。

可选的，所述隔板垂直于匀流板主体的第二平面。

本发明还提供一种外延设备，包含：

反应室和如本发明所述的进气装置；所述进气装置与所述反应室连接，用于向反应室输送工艺气体。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1)本发明通过在匀流板两侧分别设置多个第一台阶、多个第二台阶(多个第二台阶分别与多个第一台阶位置对应)，多个第一台阶嵌入在进气焊件内，多个第二台阶嵌入在进气插入件内，多个通孔穿设第一、第二台阶连通对应的进气焊件及进气插入件，由于匀流板与进气焊件、进气插入件之间的间隙减小了，使得本发明的进气装置具有多个互不连通的气体流动区域，所以进气装置各个区域之间不会出现串气、混流现象引起气流场的改变(严重时会导致基片外延层的厚度趋势发生突变)；因而本发明能够精确控制基片上不同区域工艺气体的流量，保证基片各区域上沉积的外延层厚度的均一性；

2)本发明的匀流板与进气焊件、进气插入件之间无间隙，在匀流板与进气焊件、进气插入件之间不容易产生沉积物，有效减少了因该沉积物脱落进入反应室内造成的颗粒污染，显著提高了工艺质量；

3)本发明通过第一台阶与第一凹槽配合、第二台阶与第一通道配合，使匀流板与进气焊件、进气插入件的配合位置固定，避免匀流板因振动引起其位置变动，防止匀流板因位置变动在其与进气焊件、进气插入件的接触面之间产生间隙，进一步保证进气装置各气体流动区域的工艺气体在进入反应室之前不会发生混流、串气；

4)本发明不需要挤压匀流板和与匀流板接触的其他部件，即可实现进气装置内各区域之间无混流、串气现象，本发明能够有效避免匀流板受力过大破碎，提高了匀流板的使用寿命；同时通过第一台阶、第二台阶增加了匀流板的厚度，因此本发明的匀流板具有更高的机械强度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：

图1为现有技术的一种外延设备示意图；

图2为进气装置内的工艺气体分区域进入反应室的俯视图；

图3为实施例中，本发明匀流板的立体图；

图4为实施例中，本发明匀流板的正视图；

图5为实施例中，本发明匀流板的俯视图截面图；

图6为本发明的进气装置示意图；

图7为本发明进气装置的俯视图截面图；

图8为本发明的外延设备示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

另外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1是现有技术中的一种外延设备10的横截面示意图，该外延设备10包含反应室120、进气装置113和排气管路106。

所述反应室120用于使薄膜沉积及/或生长于基片104(例如硅半导体晶片)上。反应室120由侧壁118、上石英穹顶116和下石英穹顶108围封而成。上石英穹顶116、下石英穹顶108可以是平坦的或者具有大致为圆顶的形状。所述进气装置113设置在反应室120的一端，所述排气管路106设置在反应室120的与进气装置113相对的另一端。

反应室120还包括设置在侧壁118内侧的上衬套100及下衬套112，用于防止工艺气体与反应室的侧壁118的内表面(其通常由例如不锈钢的金属材料制造)之间的反应。上衬套100及下衬套112可由例如石英等的非反应性材料制造。

在操作中，由各种反应气体、载体气体混合得到的工艺气体通过进气装置113而流入到反应室120中。然后，工艺气体在基片表面上方流动，实现将膜沉积在基片104表面上，最后，工艺气体通过排气管路106从反应室120流出。

基片104由反应室120内的承载盘105支撑。承载盘105连接到旋转支撑轴109，通过外部的电机(图中未示出)驱动所述旋转支撑轴109旋转及上下移动，进而带动承载盘105、基片104一体化的绕旋转支撑轴109的中心轴旋转或带动承载盘105上下移动，承载盘105的旋转可以使工艺气体更加均匀的沉积在基片104表面上形成外延层。支撑管支架110用于支撑销轴111，销轴111可以在传输基片104时支撑所述基片104。

预热环115环绕设置在承载盘105的外围与反应室的衬套100、112之间，用于在流入反应室120内的工艺气体与基片104接触之前，加热所述工艺气体。反应室120的下衬套112上设有支撑件117，用于支撑所述预热环115。如图1所示，本发明的实施例中，所述支撑件117可以是沿下衬套112的周向方向，设置在下衬套112的内侧壁上的环形台阶或多个凸起。

预热环115围绕承载盘105设置，预热环115与承载盘105之间还存在一个间隙，以允许承载盘105旋转。基片104放置在承载盘105上，且基片104的直径小于承载盘105的直径。在引入的工艺气体通过预热环115及承载盘105时，通过热传递使预热环115及承载盘105的热量传递到引入的工艺气体。因此，引入的工艺气体可在接触基片104之前被预热环115、承载盘105预热。

外延设备10还包括红外加热灯组101，所述红外加热灯组101设置在反应室120上方和下方，所述红外加热灯组101可用于将热提供到反应室120，使预热环115及承载盘105维持高于环境的温度，通过一控制器(图中未示出)基于红外测温仪102获取的温度对红外加热灯组101的功率进行控制。图1中红外加热灯组101的形状、布置方式仅作为示例，不应作为本发明的限制。为了保证反应室内的温度均匀，或为了实现对反应室内局部区域的温控，本发明还可以使用长度不同的直线形加热灯、或者非直线形的异形加热灯，多个加热灯还可以分组布置成灯阵列。

如图1所示，外延设备10的进气装置113包含进气焊件1131、匀流板1132和进气插入件1133。进气插入件1133嵌入设置在侧壁118的进气孔内，进气插入件1133朝向反应室120的一端抵接上衬套100、下衬套112。进气焊件1131固定安装在侧壁118的外表面。匀流板1132设置在进气焊件1131和进气插入件1133之间，且匀流板1132上开有多个连通进气焊件1131、进气插入件1133内部空间的通孔。

进气装置具有多个互不连通的区域，每一组通孔对应设置于一个区域内。具体的，进气焊件1131的内部空间被划分为多个第一分区，进气插入件1133的内部空间被划分为多个第二分区，多个第一分区分别对应多个第二分区，一个第一分区和与其位置对应的一个第二分区构成了一个独立的区域，工艺气体进入第一分区后，再通过匀流板1132的不同组通孔分别进入对应的第二分区，最终进入反应室120。通过匀流板1132的一组通孔将自第一分区流入第二分区的工艺气体分成多路小气流，使得第二分区内的工艺气体进一步匀质化，显著提高了基片表面气流场的均匀性。

多个进气管路114分别用于向多个第一分区分别输入工艺气体，并在进气管路114上设有流量控制装置(图中未示出)，例如现有技术中常用的质量流量控制器(MFC)，以控制各进气管路内工艺气体的流量，最终实现控制基片各区域外延层的厚度。

如图2所示，本实施例中进气焊件1131的内部空间被划分为三个第一分区，分别为第一分区A、第一分区B、第一分区C。进气插入件1133的内部空间被划分为三个第二分区，分别为第二分区A′(对应第一分区A)、第二分区B′(对应第一分区B)、第二分区C′(对应第一分区C)。基片104相应的被虚拟划分为边缘区域A″、中间区域B″、边缘区域C″。第一分区的划分数量仅作为示例，不作为本发明的限制。通过控制输入第一分区A、第一分区B、第一分区C的工艺气体流量，实现控制基片的边缘区域A″、中间区域B″、边缘区域C″的工艺气体流量。

在外延生长过程中，为保证外延层厚度的均匀性，需要严格控制反应室内120的气流场，以实现外延层在基片104的不同区域实现均匀生长。然而，由于石英材质的匀流板1132具有硬脆的特点，为防止匀流板1132因挤压破碎，不能够向匀流板1132施加过大压力使其与进气焊件1131、进气插入件1133的接触面完全贴合，又由于密封圈会被腐蚀，进而掉落污染物进入反应室，因此也不使用密封圈。因此，匀流板1132与进气焊件1131、进气插入件1133之间(图2中虚圈处所示)无法避免的具有一定间隙。且匀流板1132很容易因机台振动和热胀冷缩等原因引起其位置的变动，这会进一步增加上述间隙。间隙过大时，容易造成多个第一分区、第二分区内的工艺气体串气的现象，例如：分区A的气体进入分区B，分区B′的气体进入分区C′，从而无法精确控制基片104上区域A″、区域B″、区域C″上工艺气体的流量，且振动会导致沉积在间隙的沉积物脱落进入反应室，这些都会引起反应室内气流场的改变，影响基片104加工的成品率。

本发明提供一种匀流板2132，用于外延设备的进气装置，如图3至图5所示，所述匀流板2132包含：匀流板主体2132a、多个第一台阶2132c和多个第二台阶2132f、多组通孔2132d。

所述匀流板主体2132a具有一字型结构，其包括相对的第一平面2132b以及第二平面2132e。本实施例中，匀流板2132的材料为石英或不锈钢。为便于匀流板2132的加工，增加匀流板2132抗外力的强度，本发明中匀流板主体2132a的拐角为圆角，且圆角在碰撞和振动时不会掉落颗粒物污染反应室。

所述多个第一台阶2132c设置于所述第一平面2132b，并沿匀流板主体2132a的长度方向分布，相邻的第一台阶2132c之间设有间隔。所述多个第二台阶2132f设置于所述第二平面2132e，并沿匀流板主体2132a的长度方向分布，相邻的第二台阶2132f之间设有间隔。多个第一台阶2132c分别与多个第二台阶2132f位置对应。为便于加工第一台阶2132c、第二台阶2132f，并增加第一台阶2132c、第二台阶2132f的机械强度，本实施例中第一台阶2132c为圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶中的任一种，第二台阶2132f为圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶中的任一种。同样，圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶不具有直角的拐角，可以防止碰撞和振动时掉落颗粒物污染反应室，同时通过第一台阶2132c、第二台阶2132f增加了匀流板2132对应部位的厚度，因此本发明的匀流板2132具有更高的机械强度。

图3至图5中的匀流板2132包含3个第一台阶2132c和3个第二台阶2132f，此仅作为示例，第一台阶2132c的个数可以根据实际需要设置，台阶的个数和区域的个数对应。

根据基片104上各区域虚拟的大小划分，沿匀流板主体2132a的长度方向，多个第一台阶2132c的长度相同或不同，即：各第一台阶2132c的长度根据基片104上对应的各区域的虚拟大小的划分确定。图3至图5中，中间第一台阶2132c的长度大于其两侧第一台阶2132c的长度。

本实施例中，如图5所示，沿垂直于第一平面2132b的方向，第一台阶2132c的厚度h1为1mm～1cm，第二台阶2132f的厚度h2为1mm～1cm。第一台阶2132c的厚度是第一台阶2132c的台阶面到第一平面2132b的距离；第二台阶2132f的厚度是第二台阶2132f的台阶面到第二平面2132e的距离。

如图3至图5所示，每一组通孔2132d对应设置于一个第一台阶2132c，所述通孔2132d依序穿设所述第一台阶2132c、匀流板主体2132a、第二台阶2132f，用于在所述外延设备的工艺期间提供通过所述匀流板2132的气体通道。为降低通孔2132d的机加工难度、防止匀流板2132因钻孔破碎，本实施例中的通孔2132d可以是圆形、圆角矩形通孔。

为保证工艺气体通过匀流板2132后具有较佳的匀质性、均一性，同一组通孔2132d均匀分布。不同组的通孔2132d之间具有相同或不同的分布密度，通过控制每组通孔2132d的分布密度，实现控制通过每组通孔2132d后的工艺气体的流量。本实施例中，通孔2132d的横截面为圆形，通孔2132d的中心轴垂直于第一平面2132b。不同组通孔2132d的孔径相同或者不同。通过控制通孔2132d的孔径，实现控制通过该通孔2132d后的工艺气体的流量。举例来说，以图2为例，基片104在工艺过程中，会在承载盘105的带动下旋转，假设以图2中方位为准，基片104沿顺时针旋转，由于旋转导致工艺气体集中在区域C″，而区域A″的工艺气体密度减小，这时可以通过增加对应分区A′的一组通孔的通孔分布密度和/或孔径大小来增加区域A″的工艺气体流量，同时或单独，调节对应分区C′的一组通孔的通孔分布密度和/或孔径大小也是可以的，最终改善这一问题；因此，总的来说可以通过调节不同组通孔的分布密度和/或孔径，可以改善工艺气体在基片上分布的不均匀性。

本发明还提供一种进气装置213，用于外延设备，如图6所示，所述进气装置213包含：进气焊件2131，进气插入件2133，以及如本发明所述的匀流板2132。

如图6所示，所述进气焊件2131设置在进气插入件2133的第一端，进气焊件2131朝向进气插入件2133的第一表面设有连通外部工艺气体源的多个第一凹槽2131a。多个进气管路分别用于向所述多个第一凹槽2131a分别输入工艺气体。通过在各进气管路上设置流量控制装置(图中未示出)，控制工艺气体的输送流量。

如图6所示，所述进气插入件2133的内部设有多个隔板2133b，通过所述多个隔板2133b将进气插入件内部空间分隔为多个第一通道2133c。所述多个第一通道2133c分别与多个第一凹槽2131a位置对应。在本发明的实施例中，所述隔板2133b垂直于匀流板主体2132a的第二平面2132e。

所述匀流板2132设置在进气焊件2131与进气插入件2133之间。如图7所示，匀流板2132的多个第一台阶2132c分别嵌入设置在多个第一凹槽2131a内，第一台阶2132c的外型面匹配第一凹槽2131a的内型面，且匀流板主体2132a的第一平面2132b贴合进气焊件2131的所述第一表面。匀流板2132的多个第二台阶2132f分别嵌入设置在多个第一通道2133c内，第二台阶2132f的外型面匹配第一通道2133c的内型面，且匀流板主体2132a的第二平面2132e贴合进气插入件2133第一端的端面。匀流板2132的各组通孔2132d分别连通对应的第一凹槽2131a及第一通道2133c。

第一通道2133c与对应的一组通孔2132d、第一凹槽2131a形成进气装置213内的一个气体流动区域。通过本发明，消除了匀流板2132与进气焊件2131、进气插入件2133之间的间隙，使得本发明的进气装置213具有多个互不连通的气体流动区域。由于进气装置213的各气体流动区域之间不会出现串气、混流，因而本发明能够精确控制基片上不同区域工艺气体的流量，保证基片各区域上沉积的外延层厚度的均一性。

进一步的，本发明通过第一台阶2132c与第一凹槽2131a配合、第二台阶2132f与第一通道2133c配合，使匀流板2132与进气焊件2131、进气插入件2133的配合位置固定，避免匀流板2132因振动引起其位置变动，防止匀流板2132因位置变动在其与进气焊件2131、进气插入件2133的接触面之间产生间隙，进一步保证进气装置213各气体流动区域的工艺气体在进入反应室之前不会发生混流、串气。由于不需要挤压匀流板2132和与匀流板2132接触的其他部件，即可实现本发明进气装置内的各气体流动区域之间互不连通，因此本发明能够有效避免匀流板2132受力过大破碎，提高了进气装置213的使用寿命。

另外，由于本发明的匀流板2132与进气焊件2131、进气插入件2133之间无间隙，在匀流板2132与进气焊件2131、进气插入件2133之间不容易产生沉积物，有效减少了因该沉积物脱落进入反应室内造成的颗粒污染，显著提高了基片沉积工艺质量。

本发明还提供一种外延设备20，如图8所示，包含：

反应室120和如本发明所述的进气装置213；所述进气装置213与所述反应室120连接，用于向反应室120输送工艺气体。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种匀流板，用于外延设备的进气装置，所述进气装置包括进气焊件、进气插入件，及设置在进气焊件、进气插入件之间的匀流板，其特征在于，包含：

匀流板主体，包括相对的第一平面以及第二平面；

多个第一台阶和多个第二台阶，多个所述第一台阶设置于所述第一平面，多个所述第二台阶设置于所述第二平面；所述多个第一台阶分别与所述多个第二台阶位置对应；

多组通孔，每一组通孔对应设置于一个第一台阶，所述通孔依序穿设所述第一台阶、匀流板主体、第二台阶，用于在所述外延设备的工艺期间提供通过所述匀流板的气体通道；

多个所述第一台阶、多个所述第二台阶分别嵌入进气焊件、进气插入件内，用于减小匀流板与进气焊件、进气插入件之间的间隙，防止匀流板的振动。

2.如权利要求1所述匀流板，其特征在于，匀流板主体具有一字型结构，多个第一台阶沿匀流板主体的长度方向分布，相邻的第一台阶之间设有间隔；多个第二台阶沿匀流板的长度方向分布，相邻的第二台阶之间设有间隔。

3.如权利要求2所述匀流板，其特征在于，沿匀流板主体的长度方向，多个第一台阶的长度相同或不同。

4.如权利要求2所述匀流板，其特征在于，匀流板主体的拐角为圆角。

5.如权利要求2所述匀流板，其特征在于，第一台阶为圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶中的任一种，第二台阶为圆角矩形台阶、圆形台阶、椭圆形台阶中的任一种。

6.如权利要求1所述匀流板，其特征在于，沿垂直于第一平面的方向，第一台阶的厚度为1mm～1cm，第二台阶的厚度为1mm～1cm。

7.如权利要求1所述匀流板，其特征在于，同一组所述通孔均匀分布；不同组的所述通孔之间具有相同或不同的分布密度。

8.如权利要求1所述匀流板，其特征在于，所述通孔的横截面为圆形，通孔的中心轴垂直于第一平面。

9.如权利要求8所述匀流板，其特征在于，不同组的所述通孔的孔径相同或者不同。

10.如权利要求1所述匀流板，其特征在于，所述匀流板的材料为石英或不锈钢。

11.一种进气装置，用于外延设备，其特征在于，包含：进气焊件，进气插入件，以及如权利要求1至10任一所述的匀流板；

所述进气焊件设置在进气插入件第一端，进气焊件朝向进气插入件的第一表面设有连通外部工艺气体源的多个第一凹槽；

进气插入件，其内部设有与多个第一凹槽位置分别对应的多个第一通道；

所述匀流板设置在进气焊件与进气插入件之间；匀流板的多个第一台阶分别嵌入设置在多个第一凹槽内，第一台阶的外型面匹配第一凹槽的内型面；匀流板的多个第二台阶分别嵌入设置在多个第一通道内，第二台阶的外型面匹配第一通道的内型面；匀流板的各组通孔分别连通对应的第一凹槽及第一通道。

12.如权利要求11所述的进气装置，其特征在于，所述匀流板主体的第一平面贴合所述第一表面；匀流板主体的第二平面贴合进气插入件第一端的端面。

13.如权利要求11所述的进气装置，其特征在于，所述进气插入件内部设有多个隔板，通过所述多个隔板将进气插入件内部空间分隔为多个第一通道。

14.如权利要求13所述的进气装置，其特征在于，所述隔板垂直于匀流板主体的第二平面。

15.一种外延设备，其特征在于，包含：

反应室和如权利要求11至14任一所述的进气装置；所述进气装置与所述反应室连接，用于向反应室输送工艺气体。

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