CN114446648A - 介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包含：钛酸钡(BaTiO3)；以及基于100mol的钛酸钡，0.6mol至0.9mol的钙(Ca)和0.5mol至2.0mol的镁(Mg)。

Description

介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器
本申请要求于2020年11月03日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0145461号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器。
背景技术
多层电容器是使用介电材料的电子组件。最近，根据其中设置多层电容器的电子产品的趋势，已要求多层电容器小型化和高度集成。
为了使多层电容器小型化和高度集成，需要减薄构成多层电容器的介电层和内电极。
然而，当介电层减薄时，在施加相同电压的条件下施加到介电层的电场的强度增大，使得多层电容器的耐受电压可能降低，多层电容器的可靠性可能劣化，并且多层电容器的直流(DC)偏置特性可能劣化。
发明内容
本公开的一方面可提供一种介电组合物和包含所述介电组合物的多层电容器，所述介电组合物即使形成具有低厚度的介电层也能够显著减少多层电容器的耐受电压降低、可靠性劣化和直流(DC)偏置特性劣化。
根据本公开的一方面，一种介电组合物可包含：钛酸钡(BaTiO3)；基于100mol的钛酸钡，0.6mol至0.9mol的钙(Ca)和0.5mol至2.0mol的镁(Mg)。
所述介电组合物还可包含镝(Dy)和铽(Tb)。
根据本公开的另一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上以便连接到所述内电极，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，每个介电晶粒包含钛酸钡(BaTiO3)和基于100mol的钛酸钡的0.6mol至0.9mol的钙(Ca)和0.5mol至2.0mol的镁(Mg)。
所述介电层的平均厚度可以是0.4μm或更小。
所述介电晶粒中的每个介电晶粒可具有150nm或更小的尺寸。
在所述介电层中在所述介电层的堆叠方向上可设置有四层或更多层介电晶粒。
所述主体可包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面和所述第二表面并连接到所述第三表面和所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面，并且所述内电极可包括分别暴露于所述主体的所述第三表面和所述第四表面的第一内电极和第二内电极。
所述外电极可包括：一对连接部，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及一对带部，从一对所述连接部分别延伸到所述主体的所述第一表面。
所述主体可包括：有效区，包括所述第一内电极和所述第二内电极；以及上盖和下盖，分别设置在所述有效区的上表面和下表面上。
附图说明
根据以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的示意性立体图；
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图3是示出根据本公开中的示例性实施例的主体的介电层和内电极的结构的分解立体图；
图4是示出介电层基于100mol的钛酸钡(BT)包含1.0mol的镁(Mg)的多层电容器的电阻随时间的变化程度的曲线图；
图5是示出介电层基于100mol的BT包含2.5mol的Mg的多层电容器的电阻随时间的变化程度的曲线图；
图6是示出介电层不含钙(Ca)的多层电容器的主体的截面图；
图7是示出介电层基于100mol的BT包含0.3mol的Ca的多层电容器的主体的截面图；
图8是示出介电层基于100mol的BT包含0.6mol的Ca的多层电容器的主体的截面图；
图9是示出介电层基于100mol的BT包含0.9mol的Ca的多层电容器的主体的截面图；
图10是示出介电层基于100mol的BT包含1.2mol的Ca的多层电容器的主体的截面图；以及
图11是分别示出根据图6至图10的多层电容器的晶粒尺寸的变化程度的示图。
具体实施方式
在下文中，现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
本公开涉及介电组合物，并且在下文中还将描述包含根据本公开中的示例性实施例的介电组合物的多层电容器。
在下文中，将限定多层电容器的方向，以便清楚地描述本公开中的示例性实施例。图中的X方向、Y方向和Z方向分别指主体110的长度方向、宽度方向和厚度方向。
另外，在本示例性实施例中，Z方向可用作与堆叠介电层111的堆叠方向相同的概念。
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的示意性立体图，图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图，并且图3是示出根据本公开中的示例性实施例的主体的介电层和内电极的结构的分解立体图。
参照图1至图3，根据本示例性实施例的多层电容器100可包括主体110以及第一外电极131和第二外电极132，主体110包括多个介电层111以及第一内电极121和第二内电极122。
主体110可通过在Z方向上堆叠之后烧结多个介电层111来形成，并且主体110的相邻介电层111可彼此一体化，使得它们之间的边界在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下不容易显而易见。
在这种情况下，主体110可具有基本上直平行六面体形状，但不限于此。
另外，主体110的形状和尺寸以及堆叠介电层111的数量不限于本示例性实施例的附图中所示的形状和尺寸以及数量。
在本示例性实施例中，为了便于解释，主体110的第一表面1和第二表面2是指主体110的在Z方向上彼此相对的相对表面，主体110的第三表面3和第四表面4是指主体110的连接到第一表面1和第二表面2并且在X方向上彼此相对的相对表面，并且主体110的第五表面5和第六表面6是指主体110的连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在Y方向上彼此相对的相对表面。
在本示例性实施例中，多层电容器100的安装表面可以是主体110的第一表面1。
包含在这样的主体110中的介电层111可包含介电组合物。
在这种情况下，介电层111的平均厚度可以是0.4μm或更小。
另外，包括在介电层111中的每个介电晶粒可具有150nm或更小的尺寸。
随着介电晶粒的尺寸在上述范围内减小，即使介电层111以0.4μm或更小的小厚度形成，在介电层111中在Z方向(堆叠方向)上也可设置有四层或更多层介电晶粒。
另外，主体110可包括有效区115、上盖112和下盖113，有效区115对形成多层电容器的电容有贡献，上盖112和下盖113分别形成为有效区115的在Z方向上的上表面和下表面上的上边缘部和下边缘部。
上盖112和下盖113可利用与有效区115的介电层111的材料相同的材料形成，并且除了上盖112和下盖113不包括内电极之外，上盖112和下盖113可具有与有效区115的介电层111的构造相同的构造。
在这种情况下，上盖112和下盖113可通过分别在有效区115的在Z方向上的上表面和下表面上堆叠单个介电层或两个介电层或更多个介电层来形成。
上盖112和下盖113可主要用于防止第一内电极121和第二内电极122被物理或化学应力损坏。
作为具有不同极性的电极的第一内电极121和第二内电极122可在Z方向上交替地设置，各个介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121的一端和第二内电极122的一端可分别通过主体110的第三表面3和第四表面4暴露。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111彼此电绝缘。
另外，通过主体110的第三表面3和第四表面4交替暴露的第一内电极121的端部和第二内电极122的端部可分别电连接到第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131和第二外电极132分别设置在主体110的第三表面3和第四表面4上。
根据如上所述的构造，当将预定电压施加到第一外电极131和第二外电极132时，电荷可在第一内电极121和第二内电极122之间积聚。
在这种情况下，多层电容器100的电容可与有效区115中的第一内电极121和第二内电极122的在Z方向上彼此叠置的面积成比例。
向其提供呈不同极性的电压的第一外电极131和第二外电极132可分别设置在主体110的在X方向上的相对端部上，并且可电连接到分别通过主体110的第三表面3和第四表面4暴露的第一内电极121的端部和第二内电极122的端部，以构成电容器电路。
第一外电极131可包括第一连接部131a和第一带部131b。
第一连接部131a可形成在主体110的第三表面3上并且连接到第一内电极121的暴露部分，并且第一带部131b可从第一连接部131a延伸到主体110的第一表面1(主体110的安装表面)的一部分。
在这种情况下，第一带部131b可还延伸到主体110的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分以及主体110的第二表面2的一部分，以便提高固定强度等。
第二外电极132可包括第二连接部132a和第二带部132b。
第二连接部132a可形成在主体110的第四表面4上并且连接到第二内电极122的暴露部分，并且第二带部132b可从第二连接部132a延伸到主体110的第一表面1(主体110的安装表面)的一部分。
在这种情况下，第二带部132b可还延伸到主体110的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分以及主体110的第二表面2的一部分，以便提高固定强度等。
另外，如果需要，第一外电极131可包括形成在主体110的第三表面3上的导电层以及形成在导电层上的镀层，第二外电极132可包括形成在主体110的第四表面4上的导电层以及形成在导电层上的镀层。
在这种情况下，镀层可包括形成在导电层上的镍(Ni)镀层和形成在镍(Ni)镀层上的锡(Sn)镀层。
另外，在本示例性实施例中，包括在主体110中的介电层111可包含抗还原的介电组合物，并且抗还原的介电组合物可还包含各种氧化物和碳酸盐添加剂。
在下文中将更具体地描述根据本公开中的示例性实施例的介电组合物。
根据本示例性实施例的介电组合物可包含钛酸钡BaTiO3(BT)作为介电组合物的主要组分。
此外，基于100mol的钛酸钡，根据本示例性实施例的介电组合物可包含0.6mol至0.9mol的钙(Ca)和0.5mol至2.0mol的镁(Mg)。
钙(Ca)可用于减小介电层的晶粒尺寸和晶粒尺寸分散(尺寸分布程度)。
在这种情况下，当基于100mol的BT，Ca含量小于0.6mol时，可能发生介电层内部的孔增多的问题。
另外，当基于100mol的BT，Ca含量超过0.9mol时，晶粒尺寸可能再次变大，并且晶粒尺寸分散度也可能增大。
作为受体的镁(Mg)可用于促进介电层的致密并且可在晶界处偏析(segregate)以抑制晶界的移动，从而抑制介电晶粒的晶粒生长。
当均匀控制介电晶粒的晶粒生长时，不仅可提高多层电容器的耐受电压和可靠性，而且可改善多层电容器的直流(DC)偏置特性。
在这种情况下，当基于100mol的BT，Mg含量小于0.5mol时，晶粒生长抑制效果可能不足。
此外，如反应式1所示，镁(Mg)可在被溶在Ti位时充当受体，并且当介电组合物中Mg的含量增加时，介电组合物的介电常数因此可相对降低。因此，基于100mol的BT，Mg的含量的上限值可以为2.0mol。
<反应式1>
Figure BDA0003183843890000061
图4是示出当介电组合物中包含的Mg含量基于100mol的钛酸钡为1.0mol时，多层电容器的电阻随时间变化的曲线图，图5是示出当介电组合物中包含的Mg的含量基于100mol的钛酸钡为2.5mol时，多层电容器的电阻随时间变化的曲线图。
在这种情况下，使用S-IR(stepIR)装置测量电阻。在一个多层电容器的两个外电极被利用弹簧形成的夹具夹持之后，在严格条件下连续测量每个片的电阻。
在这种情况下，在将温度保持在130℃并且通过施加每介电层厚度5V的电压以诸如5V/μm、10V/μm、15V/μm等方式增加电压的同时测量电阻。在这种情况下，每个电压的保持时间为300秒。
如图4所示，当Mg的含量适当(即，基于100mol的BT，Mg的含量为2.0mol或更少)时，可减少多层电容器的绝缘电阻(IR)的劣化，而如图5所示，当Mg的含量过量时，可能无法适当地防止绝缘电阻的劣化。
绝缘电阻的劣化可能导致多层电容器的耐受电压降低。因此，在本示例性实施例中，基于100mol的BT，介电组合物可包含0.5mol至2.0mol范围内的Mg以防止绝缘电阻的劣化。结果，可防止多层电容器的耐受电压降低。
此外，根据本示例性实施例的介电组合物可还包含镝(Dy)和铽(Tb)。可以以氧化物或碳酸盐的形式包含作为稀土元素的镝(Dy)和铽(Tb)。在这种情况下，氧化物或碳酸盐的形式没有特别限制。
Dy和Tb可溶解在BT的晶格中以用作施主，从而用于提高多层电容器的可靠性。
此外，Dy和Tb可具有+3或更高的化合价，并且可用于抑制由于向介电组合物中添加受体元素(诸如Al或Mg)而产生氧空位或降低氧空位的浓度。
当发生氧空位缺陷的极化时，负区域中的氧空位缺陷的浓度可能增大，并且当氧空位缺陷的浓度超过预定水平时，可能产生n型半导体区域，并且绝缘电阻(IR)可能由于这种n型半导体区域的增大而劣化。
在本示例性实施例中，Dy和Tb可抑制氧空位的产生或降低氧空位的浓度以抑制介电层的IR的劣化，从而提高多层电容器的可靠性。
在这种情况下，在介电组合物中，基于100mol的BT，Dy的含量可以是0.8mol至2.0mol，并且基于100mol的BT，Tb的含量可以是0.001mol至0.2mol。
当Dy的含量基于100mol的BT超过2.0mol或Tb的含量基于100mol的BT超过0.2mol时，电介质可变成n型半导体，使得可能不能够实现作为介电层所需的电阻。
在多层电容器中，随着介电层的厚度进一步减小，在施加相同电压的条件下施加到介电层的电场强度可能增加，使得DC偏置特性可能劣化。
因此，为了实现有效的DC偏置，构成介电层的晶粒的尺寸需要减小，另外，晶粒尺寸的均匀性需要变高，以便防止由于烧损(burnt)而发生可靠性缺陷。也就是说，介电层可优选地实现均匀非晶粒生长体系(uniform non-grain growth system)，非晶粒生长体系可意味着在烧结时抑制晶粒生长。
作为实现上述均匀非晶粒生长体系的方法，本发明提供一种增加电介质中Ba与Ti的比率的方法。
通常，BaTiO3基体材料中Ba与Ti的摩尔比可对介电特性具有很大影响。
当Ti含量高时，由于在相对高的温度下在晶界处形成液相，因此可能发生异常晶粒生长。
另一方面，当Ba含量高时，异常晶粒生长可显著减少，从而可引起均匀的晶粒生长，但是可能出现诸如由于致密度降低而导致的耐湿可靠性劣化的问题。
根据本示例性实施例，介电层可利用包含钛酸钡(BaTiO3)和基于100mol的钛酸钡(BaTiO3)的0.6mol至0.9mol钙(Ca)和0.5mol至2mol镁(Mg)的介电晶粒形成，使得可改善烧结介电层时液相的润湿，并且介电层可实现均匀非晶粒生长体系。
因此，即使介电层的平均厚度为0.4μm或更小，根据外部环境的变化的主体的介电层的介电常数的变化也可显著减小，从而可防止耐受电压的降低和DC偏置特性的劣化。
介电层中的一个介电层的厚度可指该一个介电层的设置在内电极之间的部分的平均厚度。介电层的平均厚度可通过扫描电子显微镜(SEM)(放大10000倍)在多层主体的沿长度-厚度(L-T)方向截取的截面上进行图像扫描来测量。介电层的平均厚度可通过以下方法来获取：在扫描图像中，在介电层的在长度方向(L方向)上的50个位置(该50个位置以相等的间隔定位)处测量介电层的厚度，然后对测量的厚度的取平均值。可在电容形成部(是指第一内电极和第二内电极叠置的区域)上确定以相等间隔定位的50个位置。另外，在对5至10个介电层执行平均值测量的情况下，每个介电层的平均厚度可更一般化。介电层的厚度可通过除了上述方法之外的方法测量，其包括本领域技术人员理解的方法。
另外，根据本示例性实施例，尽管实现了均匀非晶粒生长体系，但是可不降低致密度，并且因此可解决诸如耐湿可靠性缺陷的问题。
在本示例性实施例中，基于100mol的BaTiO3，介电组合物可包含0.6mol至0.9mol的Ca。
在这种情况下，Ca可以是与BaTiO3中的Ba等效的元素，并且可容易地进行Ca对Ba的A位取代。因此，假设Ca溶在晶格中，Ca可诱导均匀的晶粒生长，同时防止当Ba含量高时发生的致密度降低。
此外，即使不产生Ca对Ba的A位取代，参与改善液相的润湿的元素Ca也可有助于改善致密度。
此外，在实现如上所述的均匀非晶粒生长体系的同时，可抑制诸如多层电容器的耐受电压降低和可靠性劣化的副作用。
诸如畴(domain)和偶极子(dipole)的概念可用于解释诸如BaTiO3的铁电材料的介电特性。基本上，铁电材料中存在具有极化方向的偶极子，极化方向一致的偶极子形成被称为畴的区域。
当晶粒的晶粒生长被抑制时，晶粒中的畴可以以小尺寸形成，畴中的偶极子可被DC电场约束为在一个方向上排列，并且在偶极子处于这种排列状态时，具有小尺寸的畴中的偶极子比起在粗晶粒(coarse grain)中形成的具有大尺寸的畴中的偶极子，可以更容易通过交流(AC)电场发生畴变(domain switching)。
根据本示例性实施例，介电层的晶粒尺寸可由于如上所述的作用而减小。因此，可解决诸如耐受电压降低和可靠性劣化的问题，并且可降低由于DC偏置引起的有效电容变化率。
在这种情况下，介电层111的每个介电晶粒可具有150nm或更小的尺寸。介电晶粒的尺寸可通过以下方式来测量：使用SEM在片的中央取2至3个点并用Zootos程序测量介电晶粒的尺寸。Zootos可自动测量介电晶粒的长轴/短轴，然后计算介电晶粒的平均尺寸。介电晶粒的尺寸可通过除上述方法之外的方法测量，其包括本领域技术人员理解的方法。
另外，当如上所述减小介电晶粒的尺寸时，在至少一个介电层中在Z方向(堆叠方向)上可设置有四层或更多层介电晶粒。
在下文中，将通过发明示例和比较示例更详细地描述本公开。然而，发明示例和比较示例是为了帮助具体理解本公开，并且本公开的范围不受发明示例和比较示例的限制。
用于实验的多层电容器的制造工艺如下。
首先，可使用具有约80nm的平均晶粒尺寸的BT作为介电组合物的基体材料。
另外，#1是主体的介电层不含Ca的情况，#2是主体的介电层基于100mol的基体材料包含0.3mol的Ca的情况，#3是主体的介电层基于100mol的基体材料包含0.6mol的Ca的情况，#4是主体的介电层基于100mol的基体材料包含0.9mol的Ca的情况，#5是主体的介电层基于100mol的基体材料包含1.2mol的Ca的情况。
此外，在本实验中，在#1至#5中，准备基体材料和Ca，使用氧化锆球作为混合和分散介质并使用乙醇和甲苯作为溶剂将基体材料和Ca与分散剂混合，对基体材料和Ca球磨约20小时，然后将其与粘合剂混合以实现介电片的强度，从而制备浆料。
接下来，使用小刮刀型涂布机，使用如上所述制备的浆料制造厚度为0.7μm或更小的片材。
接下来，将内电极印刷在制造的片材上，将片材分别堆叠为上盖和下盖，以制造层叠体，并通过压制工艺制造棒体(bar)。
然后，使用切割器将棒体切割成X方向上的长度为0.6mm且Y方向上的宽度为0.3mm的片。
接下来，将所述片在400℃的空气气氛下进行烧制以除去粘合剂，在0.1％或更低的氢气(H2)浓度和约1200℃或更低的条件下进行烧结，然后在0.03％的氢气浓度下再氧化。
此后，使用导电膏执行封端工艺和电极烧结以完成多层电容器。
另外，对于每种样品，如图6至图10所示测量多层电容器的介电层的致密度。
图6是示出介电层不含Ca的多层电容器的主体的截面图，图7是示出介电层基于100mol的BT包含0.3mol的Ca的多层电容器的主体的截面图，图8是示出介电层基于100mol的BT包含0.6mol的Ca的多层电容器的主体的截面图，图9是示出介电层基于100mol的BT包含0.9mol的Ca的多层电容器的主体的截面图，图10是示出介电层基于100mol的BT包含1.2mol的Ca的多层电容器的主体的截面图，以及图11是分别示出根据图6至图10的多层电容器的晶粒尺寸的变化程度的示图。
参照图6至图11，可以看出，在Ca含量为0.6mol的#3的情况下和Ca含量为0.9mol的#4的情况下，晶粒均匀地生长，使得平均晶粒尺寸分别为127nm和124nm的小尺寸，并且晶粒尺寸分散度也降低，使得介电层的致密度高。另外，在#3和#4的情况下，在介电层中确认的孔的数量不大。
另一方面，可以看出，在介电层不含Ca的#1的情况下，进行了晶粒的异常晶粒生长，使得平均晶粒尺寸为220nm的大尺寸，并且晶粒尺寸分散度也大。
可以看出，在Ca含量超过0.9mol的#5的情况下，不能适当地进行晶粒的均匀晶粒生长，使得晶粒尺寸为186nm，大于#3和#4的晶粒尺寸，并且与#3和#4相比，晶粒尺寸分散度也增大。
此外，在Ca的含量为0.3mol的#2的情况下，晶粒尺寸分散度小，并且平均晶粒尺寸为141nm，小于#1的晶粒尺寸，但是在介电层内确认有大量的孔，并且难以将这种结构视为可适合于构成多层电容器的主体的精细结构。
因此，可以看出，就介电层而言，基于100mol钛酸钡的Ca含量为0.6mol至0.9mol，能够使介电层的致密度优异并且具有能够适合于构成多层电容器的主体的精细结构。
如上所述，根据本公开中的示例性实施例，可实现均匀非晶粒生长体系，使得即使介电层以小厚度形成，也可显著减少多层电容器的耐受电压降低、可靠性劣化和DC偏置特性劣化。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和改变。

Claims (13)

1.一种介电组合物，包含：
钛酸钡；以及
基于100mol的钛酸钡，0.6mol至0.9mol的钙和0.5mol至2.0mol的镁。
2.根据权利要求1所述的介电组合物，所述介电组合物还包含镝和铽。
3.根据权利要求2所述的介电组合物，其中，以氧化物或碳酸盐的形式包含镝和铽。
4.根据权利要求2所述的介电组合物，其中，基于100mol的钛酸钡，镝的含量为0.8mol至2.0mol。
5.根据权利要求2所述的介电组合物，其中，基于100mol的钛酸钡，铽的含量为0.001mol至0.2mol。
6.一种多层电容器，包括：
主体，包括介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上以便连接到所述内电极，
其中，所述介电层包括多个介电晶粒，每个介电晶粒包含钛酸钡以及基于100mol的钛酸钡的0.6mol至0.9mol的钙和0.5mol至2.0mol的镁。
7.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述介电晶粒还包含镝和铽。
8.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小。
9.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述介电晶粒中的每个介电晶粒具有150nm或更小的尺寸。
10.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，在所述介电层中在所述介电层堆叠的方向上设置有四层或更多层介电晶粒。
11.根据权利要求6所述的多层电容器，其中，所述主体包括彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面和所述第二表面且连接到所述第三表面和所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面，并且
所述内电极包括分别暴露于所述主体的所述第三表面和所述第四表面的第一内电极和第二内电极。
12.根据权利要求11所述的多层电容器，其中，所述外电极包括：
一对连接部，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及
一对带部，从一对所述连接部分别延伸到所述主体的所述第一表面。
13.根据权利要求11所述的多层电容器，其中，所述主体包括：
有效区，包括所述第一内电极和所述第二内电极；以及
上盖和下盖，分别设置在所述有效区的上表面和下表面上。
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