CN114432957A - 可调混合装置、控制装置、可调混合系统和可调混合方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种可调混合装置、控制装置、可调混合系统和可调混合方法,涉及半导体制造技术领域,以提高温度变化的实时性。所述可调混合装置包括:混合单元和至少两个供液单元,至少两个供液单元均与混合单元连通。至少两个供液单元以不同的流量和/或不同的温度向混合单元供应溶液,以在混合单元中获得具有预设温度的混合溶液。本发明还提供一种控制装置、可调混合系统和可调混合方法。上述可调混合系统包括控制装置,可调混合装置和温度传感器。所述可调混合方法应用于上述可调混合系统。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种可调混合装置、控制装置、可调混合系统和可调混合方法。
背景技术
在半导体制造过程中,需要实时改变处理剂(清洗剂或刻蚀剂)的温度,以利用具有适宜温度的处理剂对半导体器件进行清洗或刻蚀等处理。
现有技术中,通常采用温度调整装置根据实际需要,改变处理剂的温度,但是上述温度调整装置在调整处理剂的温度时候,存在温度改变实时性差的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可调混合装置、控制装置、可调混合系统和可调混合方法,提高温度变化的实时性。
为了实现上述目的,本发明提供一种可调混合装置。该可调混合装置包括:混合单元和至少两个供液单元,至少两个供液单元均与混合单元连通。至少两个供液单元以不同的流量和/或不同的温度向混合单元供应溶液,以在混合单元中获得具有预设温度的混合溶液。
与现有技术相比,本发明提供的可调混合装置中,至少两个供液单元分别与混合单元连通,并且至少两个供液单元可以提供不同温度的溶液,将不同温度的溶液在混合单元中混合,以获得具有一定温度的的混合溶液。
上述可调混合装置可以在保证至少两个供液单元中提供的溶液的温度不变的情况下,通过控制至少两个供液单元向混合单元提供的溶液的流量,实时调整在混合单元中获得的混合溶液的温度,以达到预设温度。基于此,将可调混合装置应用在半导体器件的清洗或刻蚀时,可以根据待清洗或刻蚀的半导体器件的实际需求,实时调整用于清洗或刻蚀半导体器件所需的处理剂的温度。此时,在提高混合溶液达到预设温度的效率的情况下,不仅可以提高半导体器件的处理效率,还可以优化获得的半导体器件的质量。
本发明还提供一种控制装置。该控制装置包括:通信单元,通信单元用于向可调混合装置所包括的至少两个供液单元发送流量控制信号,至少两个供液单元用于根据流量控制信号向可调混合装置所包括的混合单元提供溶液,至少两个供液单元向混合单元供应的溶液的流量和/或温度不同。
与现有技术相比,本发明提供的控制装置中,通信单元可以向可调混合装置所包括的至少两个供液单元发送流量控制信号。通过上述流量控制信号控制供液单元提供给混合单元的溶液的流量。
在保证至少两个供液单元中提供的溶液的温度不变的情况下,通过通信单元发送的至少两个流量控制信号,分别控制至少两个供液单元提供的溶液的流量,实时调整混合单元中混合溶液的温度,以快速达到预设温度。利用本发明提供的控制装置可以实时调整至少两个供液单元提供的溶液的流量。也就是说,在保证至少两个供液单元中溶液流量调整无延时的情况下,可以提高在混合单元中形成的混合溶液达到预设温度的效率。
本发明还提供一种可调混合系统。该可调混合系统包括控制装置,以及分别与控制装置通信连接的可调混合装置和温度传感器;
可调混合装置为上述技术方案所述的可调混合装置;
控制装置为上述技术方案所述的控制装置;
温度传感器用于采集可调混合装置所包括的混合单元内混合溶液的温度。
与现有技术相比,本发明提供的可调混合系统的有益效果与上述技术方案所述的可调混合装置和控制装置的有益效果相同,此处不做赘述。
本发明还提供一种可调混合方法。该可调混合方法包括上述技术方案所述的可调混合系统。该可调混合方法包括:
获取至少两个供液单元中的溶液的温度。
控制至少两个供液单元以不同的流量和/或不同的温度向混合单元供应溶液,以在混合单元中获得具有预设温度的混合溶液。
与现有技术相比,本发明提供的可调混合方法的有益效果与上述技术方案所述的可调混合系统的有益效果相同,此处不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1示出了现有技术中处理剂温度调整装置的结构示意图;
图2示出了本发明实施例提供的一种可调混合装置的框架示意图;
图3示出了本发明实施例提供的一种可调混合装置的结构示意图;
图4示出了本发明实施例提供的一种控制装置的结构示意图;
图5示出了本发明实施例提供的一种可调混合系统的框架示意图;
图6示出了本发明实施例提供的一种可调混合系统的结构示意图;
附图标记:
10为供液单元,101为溶液输出管路,102为溶液供给装置,103为动力装置,104为流量计,105为支路,106为温度调整装置,107为过滤器;11为流量调节件;12为第一供液单元,121为第一溶液输出管路,122为第一流量调节件,123为第一溶液供给装置,124为第一动力装置,125为第一流量计,126为第一支路,127为第一温度调整装置,128为第一过滤器;13为第二供液单元,131为第二溶液输出管路,132为第二流量调节件,133为第二溶液供给装置,134为第二动力装置,135为第二流量计,136为第二支路,137为第二温度调整装置,138为第二过滤器;14为混合单元;20为通信单元,21为处理单元,22为温度传感器。
具体实施方式
以下,将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本公开的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知单元和技术的描述,以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种单元示意图。这些图并非是按比例绘制的,其中为了清楚表达的目的,放大了某些细节,并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的,实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差,并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中,当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时,该层/元件可以直接位于该另一层/元件上,或者它们之间可以存在居中层/元件。另外,如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”,那么当调转朝向时,该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
近年来,随着半导体器件的小型化和高度集成化,应用于清洗或刻蚀工艺的处理剂的温度对半导体器件的清洗或刻蚀效果的影响越来越突出。图1示出了现有技术中处理剂温度调整装置的结构示意图。如图1所示,该处理剂温度调整装置包括供液单元10和流量调节件11。供液单元10包括溶液输出管路101和溶液供给装置102,以及设置在溶液输出管路101上且与溶液供给装置102连通的动力装置103、过滤器107、温度调整装置106和流量计104。供液单元10还包括一个连通溶液输出管路101和溶液供给装置102的支路105,以使供液单元10形成一个循环装置。流量调节件11设置在溶液输出管路101的输出端,用于控制从溶液供给装置102中输出的溶液的流量。
在制造半导体器件时,需要不同温度的处理剂对半导体器件进行清洗或刻蚀处理,通常采用将常温或具有一定初始温度的处理剂放置在供液单元10中,之后通过温度调整装置106中与供液单元10连接的温度调整装置106,对供液单元10中的处理剂进行加热,使其达到实际处理所需要的温度。
但是,当需要不同温度的处理剂时,就需要重新设定温度调整装置106的升温参数或降温参数,等待温度调整装置106将处理剂的温度升高或降低到需要的预设温度。由于温度调整装置106的升温或降温需要一定的时间,不能实时改变处理剂的温度。并且在实际工艺过程中,有些工艺需要在不同的温度之间进行切换,此时需要频繁的设定温度调整装置106的升温参数或降温参数,并且等待温度调整装置106的升温或降温也需要耗费很多时间,降低了工作效率,不能对半导体器件进行高效的处理。
为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种可调混合装置、控制装置、可调混合系统和可调混合方法。为了方便描述,下文仅描述本发明实施例提供的可调混合装置与现有技术中的可调混合装置的不同之处,其它未描述的结构,可以参考现有技术的描述。当然,本领域技术人员也可以在下文基础上结合本发明实施例的描述,对现有其它可调混合装置进行改进。
图2示出了本发明实施例提供的一种可调混合装置的框架示意图。如图2所示,该可调混合装置包括:混合单元14和至少两个供液单元,至少两个供液单元均与混合单元14连通。至少两个供液单元以不同的流量和/或不同的温度向混合单元14供应溶液,以在混合单元14中获得具有预设温度的混合溶液。
上述可调混合装置可以在保证至少两个供液单元中提供的溶液的温度不变的情况下,通过控制至少两个供液单元向混合单元14提供的溶液的流量,实时调整在混合单元14中获得的混合溶液的温度,以达到预设温度,实现了混合溶液温度的实时变化。并且上述可调混合装置不需要重新设定温度调整装置106的升温参数或降温参数,仅通过改变至少两个供液单元中供应的溶液的流量,就可以随时获得实际工艺需要的处理剂的温度,不用等待温度调整装置106的升温或降温时间。可以将上述可调混合装置应用在半导体器件的清洗或刻蚀中,此时可以根据待清洗或刻蚀的半导体器件的实际需求,实时调整用于清洗或刻蚀半导体器件所需的处理剂的温度。在提高混合溶液达到预设温度的效率的情况下,不仅可以提高半导体器件的处理效率,还可以优化获得的半导体器件的质量。
作为一种可能的实现方式,上述可调混合装置中为混合单元14提供溶液的供液单元10的数量可以根据实际情况设定。下面举例说明,应理解以下描述仅用于解释,不作为限定。在本发明实施例中,上述可调混合装置可以包括两个供液单元,分别是第一供液单元12和第二供液单元13。
在一种示例中,每一供液单元所具有的溶液输出管路上可以均设置流量调节件,流量调节件用于调整向混合单元14供应的溶液的流量。每一供液单元可以均包括:用于容纳溶液的溶液供给装置,以及设置在供液单元所具有的溶液输出管路上的动力装置、温度调整装置和流量计。其中,每一供液单元向混合单元14供应的溶液的流量比例可以均为a,0≤a≤100%。每一供液单元向混合单元14供应的溶液的温度可以均为T,20℃≤T≤180℃。
示例性的,图3示出了本发明实施例提供的一种可调混合装置的结构示意图。如图3所示,上述第一供液单元12所具有的第一溶液输出管路121上设置第一流量调节件122,第一流量调节件122用于调整向混合单元14供应的第一溶液的第一流量。
第一供液单元12还包括:用于容纳第一溶液的第一溶液供给装置123,以及设置在第一供液单元12所具有的第一溶液输出管路121上的第一动力装置124、第一温度调整装置127和第一流量计125。
在一种示例中,如图3所示,上述第一供液单元12中的第一溶液供给装置123中容纳有第一溶液,此时第一溶液可以是常温的,也可以是具有一定初始温度的第一溶液。应理解,只要不影响正常工作使用,第一溶液供给装置123中的第一溶液的温度可以根据实际情况进行设置。上述第一动力装置124可以是泵。第一温度调整装置127可以既具有升温功能又具有降温的功能。通过第一溶液输出管路121,第一溶液供给装置123分别与第一动力装置124、第一温度调整装置127和第一流量计125串连。
如图3所示,在实际工艺过程中,若容纳在第一溶液供给装置123中的第一溶液的温度低于第一温度T1,此时启动第一温度调整装置127,使第一溶液的温度升高到第一温度T1。上述第一温度T1的取值范围可以为20℃≤T1≤180℃。同理,若容纳在第一溶液供给装置123中的第一溶液的温度高于第一温度T1,此时启动第一温度调整装置127,使第一溶液的温度降低到第一温度T1。在本发明实施例中,第一温度T1可以为20℃、100℃或180℃。
如图2和图3所示,上述第一溶液输出管路121的一端与混合单元14连通,在第一溶液输出管路121上具有一个第一支路126。第一支路126的一端与第一溶液输出管路121连接,第一支路126的另一端与第一溶液供给装置123连接。此时,第一溶液输出管路121、第一支路126、第一溶液供给装置123、第一动力装置124、第一温度调整装置127和第一流量计125形成一个循环装置,由于第一温度调整装置127也可以对第一溶液输出管路121和第一支路126中的处理剂进行加热,有利于第一溶液供给装置123中的处理剂的温度保持恒定。同时由于形成的是循环装置,还可以保证处理剂的浓度均匀。当然,若要第一溶液供给装置123中的处理剂的温度保持恒定,也可以采用在第一溶液输出管路121、第一支路126和第一溶液供给装置123上设置保温套,只要符合实际要求即可,在此不在展开描述。
如图3所示,上述第一供液单元12还可以包括第一过滤器128,此时第一溶液供给装置123分别与第一动力装置124、第一过滤器128、第一温度调整装置127和第一流量计125串连。在实际工艺过程中,从混合单元14喷出的处理剂一般可以回收重复利用。示例的,从混合单元14的喷嘴喷出的处理剂,喷洒至衬底表面进行工艺处理后,可以将使用过的处理剂回收,通过第一过滤器128以及其它相配合的结构过滤处理剂中的颗粒,保证处理剂的干净清洁,便于后期重复利用,节省了成本。
上述第二供液单元13所具有的第二溶液输出管路131上设置第二流量调节件132,第二流量调节件132用于调整向混合单元14供应的第二溶液的第二流量。第二供液单元13还包括:用于容纳第二溶液的第二溶液供给装置133,以及设置在第二供液单元13所具有的第二溶液输出管路131上的第二动力装置134、第二温度调整装置137、第二流量计135和第二支路136。
作为一种可能的实现方式,上述第二供液单元13还可以包括第二过滤器138,此时第二溶液供给装置133分别与第二动力装置134、第二过滤器138、第二温度调整装置137和第二流量计135串连。
上述第一供液单元12和第二供液单元13的设置可以完全一样,也可以不完全一样,可以根据实际情况进行设置,满足实际需要即可。在本发明实施例中,第一供液单元12和第二供液单元13的设置完全一样,在此不在展开描述,具体结构参见第一供液单元12的设置方式。在本发明实施例中,第二温度T2可以为20℃、90℃或180℃。
如图2和图3所示,由于上述可调混合装置中,混合溶液温度改变的方式,是在保证第一溶液的第一温度T1和第二溶液的第二温度T2不变的情况下,通过控制第一供液单元12提供的第一溶液的第一流量,第二供液单元13提供的第二溶液的第二流量实现的。上述第一溶液的第一流量比例可以为a1,此时a1的范围可以是:0≤a1≤100%。第二溶液的第二流量比例可以为a2,此时a2的范围可以是:0≤a2≤100%。根据实际工艺需要的处理剂的温度,实时调整第一溶液的第一流量和第二溶液的第二流量,使混合溶液的温度升高或降低以达到实际需要的温度。
图4示出了本发明实施例提供的一种控制装置的结构示意图。如图4所示,本发明实施例还提供一种控制装置。该控制装置包括:通信单元20。
如图4所示,上述通信单元20可以用于向可调混合装置所包括的至少两个供液单元发送流量控制信号。至少两个供液单元用于根据流量控制信号向可调混合装置所包括的混合单元14提供溶液,至少两个供液单元向所述混合单元14供应的溶液的流量和/或温度不同。
示例性的,如图4所示,上述通信单元20用于向可调混合装置所包括的第一供液单元12发送第一流量控制信号。第一供液单元12用于根据第一流量控制信号向可调混合装置所包括的混合单元14提供第一溶液,第一溶液具有第一流量和第一温度T1。上述通信单元20用于向可调混合装置所包括的第二供液单元13发送第二流量控制信号。第二供液单元13用于根据第二流量控制信号向可调混合装置所包括的混合单元14提供第二溶液,第二溶液具有第二流量和第二温度T2,第二温度T2与第一温度T1不同。
在保证第一溶液的第一温度T1和第二溶液的第一温度T2不变的情况下,可以通过通信单元20发送的第一流量控制信号和第二流量控制信号,分别控制第一供液单元12提供的第一溶液的第一流量,以及第二供液单元13提供的第二溶液的第二流量,以实时调整混合单元14中混合溶液的温度,以快速达到预设温度。利用本发明实施例提供的控制装置可以实时调整第一供液单元12提供的第一溶液的第一流量,以及第二供液单元13提供的第二溶液的第二流量。也就是说,在保证第一流量和第二流量的调整无延时的情况下,可以提高在混合单元14中形成的混合溶液达到预设温度的效率。通过上述控制装置中的通信单元20发送的流量控制信号,间接的对混合溶液的温度进行控制,使其可以实时变化,满足了实际工艺中对处理剂温度的需要,可以更好的对半导体器件进行清洗或刻蚀等工艺处理,提高了工作效率和半导体器件的质量。
如图4所示,上述通信单元20还用于接收温度传感器(图4中未示出)发送的混合单元14中的混合溶液的当前温度。
在本发明实施例中,温度传感器一端与混合单元14连接,另一端与控制装置连接。温度传感器可以采集混合单元14中的混合溶液的当前温度,之后温度传感器可以将混合溶液当前温度的相关数据传输给控制装置中的通信单元20。
上述控制装置还包括处理单元21。处理单元21用于根据混合溶液的当前温度和预设温度的温度差生成流量控制信号。
在一种示例中,如图4所示,处理单元21用于根据混合溶液的当前温度和预设温度的温度差生成第一流量控制信号和第二流量控制信号。
在实际使用过程中,通信单元20将接收到的混合溶液的当前温度,以及实际工艺需要的预设温度都传输给处理单元21,处理单元21计算混合溶液的当前温度和预设温度之间的温度差。之后处理单元21根据计算获得的温度差生成控制第一供液单元12的第一流量控制信号,控制第二供液单元13的第二流量控制信号。上述第一流量控制信号和第二流量控制信号均通过通信单元20发出。上述通信单元20或处理单元21可以是手机、电脑或控制器CPU等。
图5示出了本发明实施例提供的一种可调混合系统的框架示意图。图6示出了本发明实施例提供的一种可调混合系统的结构示意图。如图5和图6所示,本发明实施例还提供了一种可调混合系统。该可调混合系统包括控制装置,以及分别与控制装置通信连接的可调混合装置和温度传感器22。可调混合装置可以为上述技术方案所述的可调混合装置。控制装置可以为上述技术方案所述的控制装置。温度传感器22可以用于采集可调混合装置所包括的混合单元14内混合溶液的温度。
与现有技术相比,本发明提供的可调混合系统的有益效果与上述技术方案所述的可调混合装置和控制装置的有益效果相同,此处不做赘述。
本发明实施例还提供了一种可调混合方法。应用上述可调混合系统。如图1至图6所示,该可调混合方法包括:
步骤101:通过可调混合装置获取至少两个供液单元中的溶液的温度。
示例性的,通过可调混合装置获取第一供液单元12中的第一溶液的第一温度T1,以及第二供液单元13中的第二溶液的第二温度T2。
由于第一温度T1的取值范围为20℃≤T1≤180℃,第二温度T2的取值范围为20℃≤T2≤180℃。在本发明实施例中,可调混合装置获取到第一温度T1为20℃,第二温度T2为180℃。
步骤102:控制装置控制至少两个供液单元以不同的流量和/或不同的温度向混合单元供应溶液,以在混合单元中获得具有预设温度的混合溶液。
示例性的,控制装置控制第一供液单元12向混合单元14提供的第一溶液的第一流量,控制第二供液单元13向混合单元14提供的第二溶液的第二流量,以在混合单元14中获得具有预设温度的混合溶液。
由此可见,本发明实施例提供的可调混合方法能够实现,在不重新设定温度调整装置的升温参数或降温参数的情况下,仅通过改变第一溶液和第二溶液的流量,就可以随时获得实际工艺需要的处理剂的温度,不用等待温度调整装置的升温或降温时间,提高了工作效率,同时可以更好的对半导体器件进行清洗、刻蚀等工艺处理,提高了半导体器件的质量。
在一种示例中,控制装置控制至少两个供液单元以不同的流量和/或不同的温度向混合单元供应溶液,以在混合单元中获得具有预设温度的混合溶液包括:
步骤1021:温度传感器22获取混合单元14中混合溶液的当前温度。
在本发明实施例中,温度传感器22可以采集混合单元14中混合溶液当前温度的相关数据,之后传输给控制装置,控制装置中的处理单元21通过计算混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,判断当前温度是否符合实际需要。
步骤1022:控制装置根据混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,分别控制向混合单元14提供的溶液的至少两个供液单元的流量。
示例性的,控制装置可以根据混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,分别控制向混合单元14提供的第一溶液的第一流量和第二溶液的第二流量。
若上述温度传感器22采集到的混合单元14中混合溶液的当前温度不符合实际需要,控制装置中的处理单元21根据温度差,生成控制第一供液单元12的第一流量控制信号,控制第二供液单元13的第二流量控制信号。之后通信单元20分别向可调混合装置所包括的第一供液单元12发送第一流量控制信号,控制第一溶液具有第一流量,向可调混合装置所包括的第二供液单元13发送第二流量控制信号,控制第二溶液具有第二流量。
当第一供液单元12中的第一溶液的第一温度T1为20℃,第二供液单元13中的第二溶液的第二温度T2为180℃时,若混合单元14中混合溶液的预设温度为100℃。此时,调整第一供液单元12所具有的第一溶液输出管路121上设置的第一流量调节件122的开关,使20℃的第一溶液的第一流量比例为70%。调整第二供液单元13所具有的第二溶液输出管路131上设置的第二流量调节件132的开关,使180℃的第二溶液的第二流量比例为32%。流量比例为70%的温度为20℃的第一溶液和流量比例为32%的温度为180℃的第二溶液,在混合单元14中混合,形成具有预设温度100℃的混合溶液。应理解,上述预设温度是根据实际工艺情况进行设定。第一供液单元12中的第一溶液和第二供液单元13中的第二溶液可以是浓度相同,成分相同的仅温度不同的处理剂。由于处理剂的温度会影响化学反应速率,一般情况下,处理剂的温度越高反应越快。因为工艺原因,硅片每片之间或同一片内无法做到完全一致,表面总会有些高低起伏,存在一定误差。如果可以将硅片上“高的”地方多去掉一些,“低的”地方少去掉一些,就可以让硅片表面更平整均匀,片间片内的情况更加一致,此时获得的硅片的质量更好(注:上述“高的”和“低的”是相对于概念,是相对于硅片上高的地方和低的地方来说)。此时就需要处理剂的温度实时可调,以便于对不同的区域使用不同的温度,在不同的温度下处理剂具有不同的反应速率,以此达到想要的效果。这样处理不仅可以提高腐蚀比率,还能使半导体器件(例如硅片)的表面更加均匀,一致性好。
在一种示例中,根据混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,分别控制向混合单元14提供的溶液的至少两个供液单元的流量包括以下步骤:
示例性的,在本发明实施例中,当至少两个供液单元为第一供液单元12和第二供液单元13时,控制装置根据混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,分别控制向混合单元14提供的第一溶液的第一流量和第二溶液的第二流量包括:
当混合溶液的当前温度大于预设温度时,调整向混合单元14提供的使混合溶液的当前温度升高的第一溶液或第二溶液的第一当前流量比例,以获得第一目标流量比例,此时,0≤第一目标流量比例≤第一当前流量比例。并调整向混合单元14提供的使混合溶液的当前温度降低的第一溶液或第二溶液的第二当前流量比例,以获得第二目标流量比例,此时,第二当前流量比例≤第二目标流量比例。
示例的,若第一溶液可以使当前温度降低,第二溶液可以使当前温度升高,即第一溶液的第一温度为20℃,第二溶液的第二温度为180℃。并且当第一溶液的第一当前流量比例为70%,第二溶液的第二当前流量比例为32%时,混合溶液的当前温度为100℃。
若想要预设温度为60℃,此时,第一溶液的第一当前流量比例可以增大到第一目标流量比例,也可以保持不变。第二溶液的第二当前流量比例可以降低到第二目标流量比例,也可以保持不变。
例如:第一种:第一流量控制信号可以控制第一溶液的第一当前流量比例增大到85%,第二流量控制信号可以控制第二溶液的第二当前流量比例降低到15%,以使混合溶液的温度从100℃降低到预设温度60℃。
第二种:第一流量控制信号可以控制第一溶液的第一当前流量比例增大到95%,第二流量控制信号可以控制第二溶液的第二当前流量比例不变为32%,以使混合溶液的温度从100℃降低到预设温度60℃。
第三种:第一流量控制信号可以控制第一溶液的第一当前流量比例不变为70%,第二流量控制信号可以控制第二溶液的第二当前流量比例降低到5%,以使混合溶液的温度从100℃降低到预设温度60℃。
当混合溶液的当前温度小于预设温度时,调整向混合单元14提供的使混合溶液的当前温度升高的第一溶液或第二溶液的第三当前流量比例,以获得第三目标流量比例,此时,第三当前流量比例≤第三目标流量比例。并调整向混合单元14提供的使混合溶液的当前温度降低的第一溶液或第二溶液的第四当前流量比例,以获得第四目标流量比例,此时,0≤第四目标流量比例≤第四当前流量比例。
示例的,若第一溶液可以使当前温度降低,第二溶液可以使当前温度升高,即第一溶液的第一温度为20℃,第二溶液的第二温度为180℃。并且当第一溶液的第三当前流量比例为75%,第二溶液的第四当前流量比例为22%时,混合溶液的当前温度为70℃。
若想要预设温度为120℃,此时,第一溶液的第三当前流量比例可以降低到第三目标流量比例,也可以保持不变。第二溶液的第四当前流量比例可以增大到第四目标流量比例,也可以保持不变。
例如:第一种:第一流量控制信号可以控制第一溶液的第三当前流量比例降低到60%,第二流量控制信号可以控制第二溶液的第四当前流量比例增大到42%,以使混合溶液的温度从70℃增加到预设温度120℃。
第二种:第一流量控制信号可以控制第一溶液的第三当前流量比例降低到45%,第二流量控制信号可以是控制第二溶液的第四当前流量比例不变为22%,以使混合溶液的温度从70℃增加到预设温度120℃。
第三种:第一流量控制信号可以是控制第一溶液的第三当前流量比例不变为75%,第二流量控制信号可以控制第二溶液的第四当前流量比例增大到50%,以使混合溶液的温度从70℃增加到预设温度120℃。
当混合溶液的当前温度等于预设温度时,分别控制向混合单元14提供的第一溶液和第二溶液的第五当前流量比例保持不变。
示例的,若第一溶液可以使当前温度降低,第二溶液可以使当前温度升高,即第一溶液的第一温度为20℃,第二溶液的第二温度为180℃。并且当第一溶液的第五当前流量比例为75%,第二溶液的第五当前流量比例为22%时,混合溶液的当前温度为70℃。
若想要预设温度保持不变依旧为70℃,此时,第一流量控制信号可以控制向混合单元14提供的第一溶液的第五当前流量比例保持不变,第二流量控制信号可以控制向混合单元14提供的第二溶液的第五当前流量比例保持不变。
当然,根据第一溶液的第一温度T1和第二溶液的第二温度T2的不同,混合单元14中混合溶液当前温度以及预设温度的不同,对第一溶液的第一流量比例的控制,第二溶液的第二流量比例的控制可以根据实际情况进行设置。
为了精简本发明并帮助理解各个发明方面中的一个或多个,在对本发明的示例性实施例的描述中,本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而,并不应将该本发明的方法解释成反映如下意图:即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说,如相应的权利要求书所反映的那样,其发明点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术间题。因此,遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式,其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是,这些实施例仅仅是为了说明的目的,而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围,本领域技术人员可以做出多种替代和修改,这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。
Claims (11)
1.一种可调混合装置,其特征在于,包括混合单元和至少两个供液单元,至少两个所述供液单元均与所述混合单元连通;
至少两个所述供液单元以不同的流量和/或不同的温度向所述混合单元供应溶液,以在所述混合单元中获得具有预设温度的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的可调混合装置,其特征在于,每一所述供液单元所具有的溶液输出管路上均设置流量调节件,所述流量调节件用于调整向所述混合单元供应的所述溶液的流量。
3.根据权利要求1所述的可调混合装置,其特征在于,每一所述供液单元向所述混合单元供应的溶液的流量比例均为a,0≤a≤100%。
4.根据权利要求1所述的可调混合装置,其特征在于,每一所述供液单元向所述混合单元供应的溶液的温度均为T,20℃≤T≤180℃。
5.根据权利要求1所述的可调混合装置,其特征在于,每一所述供液单元均包括:
溶液供给装置,用于容纳所述溶液;
以及设置在所述供液单元所具有的溶液输出管路上的动力装置、温度调整装置和流量计。
6.一种控制装置,其特征在于,包括:
通信单元,所述通信单元用于向可调混合装置所包括的至少两个供液单元发送流量控制信号;至少两个所述供液单元用于根据所述流量控制信号向所述可调混合装置所包括的混合单元提供溶液,至少两个所述供液单元向所述混合单元供应的溶液的流量和/或温度不同。
7.根据权利要求6所述的控制装置,其特征在于,所述通信单元还用于接收温度传感器发送的所述混合单元中的所述混合溶液的当前温度;
所述控制装置还包括处理单元,所述处理单元用于根据所述混合溶液的当前温度和预设温度的温度差生成所述流量控制信号。
8.一种可调混合系统,其特征在于,包括控制装置,以及分别与所述控制装置通信连接的可调混合装置和温度传感器;
所述可调混合装置为权利要求1至5任一项所述的可调混合装置;
所述控制装置为权利要求6或7所述的控制装置;
所述温度传感器用于采集所述可调混合装置所包括的混合单元内混合溶液的温度。
9.一种可调混合方法,其特征在于,应用于权利要求8所述的可调混合系统;所述可调混合方法包括:
获取至少两个所述供液单元中的溶液的温度;
控制至少两个所述供液单元以不同的流量和/或不同的温度向所述混合单元供应溶液,以在所述混合单元中获得具有预设温度的混合溶液。
10.根据权利要求9所述的可调混合方法,其特征在于,所述控制至少两个所述供液单元以不同的流量和/或不同的温度向所述混合单元供应溶液,以在所述混合单元中获得具有预设温度的混合溶液包括:
获取所述混合单元中所述混合溶液的当前温度;
根据所述混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,分别控制向所述混合单元提供的所述溶液的至少两个供液单元的流量。
11.根据权利要求10所述的可调混合方法,其特征在于,所述根据所述混合溶液的当前温度和预设温度的温度差,分别控制向所述混合单元提供的所述溶液的至少两个所述供液单元的流量包括:
当所述混合溶液的当前温度大于所述预设温度时,调整向所述混合单元提供的使所述混合溶液的当前温度升高的所述溶液的第一当前流量比例,以获得第一目标流量比例,0≤第一目标流量比例≤第一当前流量比例;调整向所述混合单元提供的使所述混合溶液的当前温度降低的所述溶液的第二当前流量比例,以获得第二目标流量比例,第二当前流量比例≤第二目标流量比例;
当所述混合溶液的当前温度小于所述预设温度时,调整向所述混合单元提供的使所述混合溶液的当前温度升高的所述溶液的第三当前流量比例,以获得第三目标流量比例,第三当前流量比例≤第三目标流量比例;调整向所述混合单元提供的使所述混合溶液的当前温度降低的所述溶液的第四当前流量比例,以获得第四目标流量比例,0≤第四目标流量比例≤第四当前流量比例;
当所述混合溶液的当前温度等于所述预设温度时,分别控制向所述混合单元提供的所述溶液的第五当前流量比例保持不变。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
CN105992915A (zh) * | 2014-02-12 | 2016-10-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 热水和冷水混合装置 |
CN107890786A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-10 | 上海格拉曼国际消防装备有限公司 | 一种多液体在线高精度混合系统 |
WO2018089658A1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Mks Instruments, Inc. | Systems and method for generating a conductive liquid comprising deionized water with ammonia gas dissolved therein |
CN108662785A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-16 | 芜湖美的厨卫电器制造有限公司 | 热水器系统及其控制方法 |
CN111214972A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 药液配比方法及药液配比装置 |
-
2020
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105992915A (zh) * | 2014-02-12 | 2016-10-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 热水和冷水混合装置 |
WO2018089658A1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Mks Instruments, Inc. | Systems and method for generating a conductive liquid comprising deionized water with ammonia gas dissolved therein |
CN108662785A (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-16 | 芜湖美的厨卫电器制造有限公司 | 热水器系统及其控制方法 |
CN107890786A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-10 | 上海格拉曼国际消防装备有限公司 | 一种多液体在线高精度混合系统 |
CN111214972A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 药液配比方法及药液配比装置 |
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