CN114381254A - 量子点复合物、其制备方法、包括其的显示器件和电子器件、和量子点 - Google Patents

量子点复合物、其制备方法、包括其的显示器件和电子器件、和量子点 Download PDF

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Abstract

本发明涉及量子点复合物、其制备方法、包括其的显示器件和电子器件、和量子点。量子点复合物，其包括基体；和分散在所述基体中的多个量子点和氧化钛颗粒，其中所述量子点包括锌、碲、和硒，所述量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，和在所述量子点复合物中，碲相对于钛的重量比大于或等于约1.5:1且小于或等于约10:1。

Description

量子点复合物、其制备方法、包括其的显示器件和电子器件、 和量子点
对相关申请的交叉引用
本申请要求2020年10月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No.10-2020-0134707的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其内容 全部通过引用引入本文中。
技术领域
公开了量子点复合物和包括其的器件(设备)。
背景技术
与块体(本体)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，带隙能量和 熔点)可通过改变所述纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也 称为量子点)为具有在若干纳米范围内的尺寸的结晶材料。由于半导体纳米 晶体颗粒具有相对小的尺寸，所述纳米晶体颗粒具有大的每单位体积的表面 积，并且由此，所述颗粒呈现出量子限制效应并且将具有与相同化学组成的 块体材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源的能量例如光或者施加的电 流，并且在驰豫例如返回至基态时，所述量子点发射与所述量子点的带隙能 量对应的光能。
发明内容
实施方式提供能够实现例如呈现改善的光学性质(例如，发光效率)和稳 定性(例如，氧化稳定性)的不含镉的量子点。
实施方式提供制造上述不含镉的量子点的方法。
实施方式提供包括所述不含镉的量子点的量子点复合物。
实施方式提供包括上述不含镉的量子点的器件例如显示器件。
在实施方式中，量子点复合物包括基体和分散在所述基体中的多个量子 点和氧化钛颗粒(下文中，也称作氧化钛细颗粒)，其中所述量子点包括锌、 碲、和硒，其中所述量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，和其中在所述量 子点复合物中，碲相对于钛的重量比大于或等于约1.5:1且小于或等于约 10:1。
量子点(例如，所述量子点的至少一个)可具有芯-壳结构。所述芯-壳结 构可包括：芯，其包括包含锌、硒、和碲的第一半导体纳米晶体；和半导体 纳米晶体壳，其设置在所述芯上并且包括不同于所述第一半导体纳米晶体的 锌硫属化物。
所述量子点复合物可显示例如呈现大于或等于约85％、大于或等于约 86％、大于或等于约87％、大于或等于约88％、大于或等于约90％且小于或 等于约100％、小于或等于约95％、或者小于或等于约94％的对于蓝色光(例 如，约450纳米(nm)-约460nm的波长或者约450nm的波长的蓝色光)的吸 收。
所述基体可包括有机溶剂、单体、交联聚合物、线型聚合物、或其组合。
所述量子点和所述氧化钛细颗粒可在所述基体中混合(例如，互混)。
在所述量子点复合物中，碲相对于钛的重量比可大于或等于约1.8:1、大 于或等于约2:1、或者大于或等于约2.5:1。
在所述量子点复合物中，锌相对于钛的重量比可大于或等于约4:1、或 者大于或等于约5:1；小于或等于约11.4:1；或其组合。
在所述量子点复合物中，碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约 0.1:1。
所述量子点复合物可不包括磷化铟、磷化铟锌、或其组合。
所述量子点可包含包括ZnSeTe的第一半导体纳米晶体和不同于所述第 一半导体纳米晶体的锌硫属化物。
所述锌硫属化物可包括硒、硫、或其组合。
在所述量子点复合物中，无机材料的量可大于或等于约30重量百分比 (重量％)，基于所述量子点复合物的总重量。
所述量子点复合物可以基于所述量子点复合物的总重量的大于或等于 约1.5重量％的量包括碲。
所述氧化钛细颗粒的平均尺寸(例如，直径)可大于或等于约100nm。
所述氧化钛细颗粒的平均尺寸可小于或等于约500nm。
所述量子点复合物可以基于所述量子点复合物的总重量的大于或等于 约1重量％的量包括钛。
所述量子点复合物可配置成发射绿色光，并且所述绿色光的最大发光峰 可具有小于或等于约40nm的半宽度。
所述量子点复合物可对于约450nm的蓝色光显示例如呈现大于或等于 约90％的吸收。
在实施方式中，发光膜包括配置成发射第一种光的第一段，并且所述第 一段包括上述量子点复合物。
所述发光膜可进一步包括配置成发射第二种光的第二段。
在实施方式中，显示器件包括光发射元件，并且所述光发射元件包括上 述量子点复合物或上述发光膜。
在实施方式中，电子器件可包括：具有彼此相对的表面的第一电极和第 二电极；以及设置在所述第一和第二电极之间的包括所述量子点复合物的活 性层。
在实施方式中，多个量子点包括锌、硒、和碲，其中所述多个量子点不 包括镉、铅、汞、或其组合，在所述多个量子点中，碲相对于硒的摩尔比大 于或等于约0.15:1，所述多个量子点配置成发射绿色光，并且在热重分析中， 所述多个量子点显示在大于或等于约500℃且小于或等于约600℃的温度下 的大于或等于约60重量％的剩余质量，基于所述多个量子点的总重量。
所述量子点具有芯-壳结构，并且所述芯-壳结构包含包括第一半导体纳 米晶体的芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述第一半导体纳 米晶体包括锌、碲、和硒，并且所述半导体纳米晶体壳包括不同于所述第一 半导体纳米晶体的锌硫属化物。
在热重分析中，所述量子点可显示例如呈现大于或等于约300℃的5％ 重量损失温度。
所述量子点可包括有机配体(例如，结合在其表面上)。所述有机配体可 包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RH2PO、R2HPO、R3PO、RH2P、 R2HP、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH、聚合物型 有机配体、或其组合，其中R和R'相同或不同，并且独立地为取代或未取代 的C1-C40脂族烃基团或者取代或未取代的C6-C40芳族烃基团、或其组合。
所述绿色光或所述量子点的最大发光峰波长可大于或等于约525nm。
所述量子点的最大发光峰可具有小于或等于约40nm的半宽度。
所述量子点的量子效率(或量子产率)可大于或等于约50％。
在实施方式中，制备量子点复合物的方法包括：将包括锌、硒、和碲的 量子点，分散剂，和溶剂组合以制备量子点分散体；将所述量子点分散体与 氧化钛颗粒、光引发剂、以及可聚合单体混合以形成组合物；和使所述组合 物暴露于光以使所述可聚合单体聚合，形成包括所述量子点和氧化钛颗粒的 基体，和制备所述量子点复合物，其中在所述量子点复合物中，碲相对于钛 的重量比大于或等于约1.5:1且小于或等于约10:1。
根据实施方式，提供以相对高水平的量子效率和相对窄的半宽度发射期 望波长(例如，绿色光或者大于约470nm的波长的光)的光的不含镉的量子 点。实施方式的量子点也可应用于以下，例如用在以下中：生物标识(生物 传感器、生物成像)、光电探测器、太阳能电池、混杂复合物等。
附图说明
通过参照附图进一步详细地描述其示例性实施方式，本公开内容的以上 和其它优点和特征将变得更明晰，其中：
图1A示意性地表示使用组合物制造量子点复合物图案的过程的实施方 式。
图1B示意性地表示使用墨组合物制造量子点复合物图案的过程。
图2为显示器件的实施方式的分解图。
图3A为显示器件的实施方式的示意性横截面图。
图3B为显示器件的实施方式的示意性横截面图。
图4为显示器件的实施方式的示意性横截面图。
图5A为发光器件的实施方式的示意性横截面图。
图5B为发光器件的实施方式的示意性横截面图。
图5C为发光器件的实施方式的示意性横截面图。
图6为重量(百分比(％))和微分(Deriv.)重量(百分比/摄氏度(％/℃))对温 度(℃)的图，其显示对于实施例1的量子点的热重分析的结果。
图7为重量(％))和微分重量(％/℃))对温度(℃)的图，其显示对于对比例 2的量子点的热重分析的结果。
图8为蓝色光吸收比(以“％”表示)对Te与Ti的重量比(Te:Ti)的图， 其显示在实验实施例1的量子点复合物中，根据碲相对于钛的重量比的蓝色 光吸收比的变化。
具体实施方式
参照以下实例实施方式以及其附图，本公开内容的优点和特性、以及其 实现方法将变得明晰。然而，实施方式不应被解释为限于本文中阐述的实施 方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是彻底和完整的，并且将 本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
除非另有定义，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术和科学术语) 可以具有本领域普通知识的人员通常理解的含义使用。将进一步理解，术语， 例如在常用字典中定义的那些，应被解释为其含义与它们在相关领域的背景 中的含义一致，并且不可理想化地或夸大地解释，除非清楚地定义。本文中 使用的术语仅出于描述具体实施方式的目的且不意图为限制性的。
如本文中使用的，单数形式“一种(个)(不定冠词)(a，an)”和“所述(该)” 意图包括复数形式，包括“至少一个(种)”，除非内容清楚地另有说明。“至 少一个(种)”不应被解释为限制“一个(种)”。“或”意味着“和/或”。如 本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部 组合。将进一步理解，术语“包含”或“包括”当用在本说明书中时，表明 存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除 存在或添加一种或多种另外的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、 和/或其集合。
在附图中，为了清楚，放大层、膜、面板、区域等的厚度。在说明书中， 相同的附图标记始终表示相同的元件。将理解，当一个元件例如层、膜、区 域、或基板被称为“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件 上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另外的元件 “上”时，不存在中间元件。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描 述各种元件、组分、区域、层和/或段，但这些元件、组分、区域、层和/或 段不应被这些术语限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或段 区别于另外的元件、组分、区域、层或段。因此，在不背离本文中的教导的 情况下，下面讨论的“第一元件”、“组分”、“区域”、“层”或“段” 可称为第二元件、组分、区域、层或段。
如本文中使用的“约”包括所陈述的值且意味着在如由本领域普通技术 人员考虑到所讨论的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的限 制)而确定的对于具体值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意味着相 对于所陈述的值在一种或多种标准偏差内，或者在±10％或±5％内。
在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实 施方式。这样，将预料到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图的形状的 偏差。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所图示的区 域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，图示或描 述为平坦的区域可典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，图示的尖锐 的角可为圆化的。因此，图中图示的区域在本质上是示意性的，并且它们的 形状不意图说明区域的精确形状且不意图限制本权利要求的范围。
如本文中使用的，当未另外提供定义时，“取代(的)”可指的是化合物 或基团的氢被如下的取代基代替：C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、 C6-C30芳基、C7-C30烷基芳基、C1-C30烷氧基、C1-C30杂烷基、C3-C30 杂烷基芳基、C3-C30环烷基、C3-C15环烯基、C6-C30环炔基、C2-C30杂 环烷基、卤素(-F、-Cl、-Br、或-I)、羟基(-OH)、硝基(-NO2)、氰基(-CN)、 氨基(-NRR'，其中R和R'独立地为氢或C1-C6烷基)、叠氮基(-N3)、脒基 (-C(＝NH)NH2)、肼基(-NHNH2)、腙基(＝N(NH2))、醛基(-C(＝O)H)、氨基甲酰 基(-C(O)NH2)、硫醇基(-SH)、酯基(-C(＝O)OR，其中R为C1-C6烷基或C6-C12 芳基)、羧基(-COOH)或其盐(-C(＝O)OM，其中M为有机或无机阳离子)、磺 酸基团(-SO3H)或其盐(-SO3M，其中M为有机或无机阳离子)、磷酸基团 (-PO3H2)或其盐(-PO3MH或-PO3M2，其中M为有机或无机阳离子)、或其组 合。
如本文中使用的，烃基团指的是包括碳和氢(或者由碳和氢构成)的基团 (例如，烷基、烯基、炔基、或芳基)。烃基团可为通过从烷烃、烯烃、炔烃、 或芳烃除去氢原子(或者例如，至少一个氢原子)而形成的具有1(或更大)的化 合价的基团。在烃基团中，亚甲基、例如至少一个亚甲基可被氧部分、羰基 部分、酯部分、-NH-、或其组合代替。
如本文中使用的，“芳族”指的是包含具有离域π电子的不饱和环状基 团、例如至少一个具有离域π电子的不饱和环状基团的有机化合物或基团。 该术语涵盖烃芳族化合物和杂芳族化合物。
如本文中使用的，“烷基”指的是线型或支化的饱和单价烃基团(甲基、 乙基、己基等)。
如本文中使用的，“烯基”指的是具有碳-碳双键的线型或支化的单价 烃基团。
如本文中使用的，“炔基”指的是具有碳-碳三键的线型或支化的单价 烃基团。
如本文中使用的，“芳基”指的是通过从芳族烃除去氢、例如至少一个 氢而形成的基团(例如，苯基或萘基)。
如本文中使用的，“杂”指的是包括如下的一个或多个(例如，1-3个) 杂原子：N、O、S、Si、P、或其组合。
如本文中使用的，“(甲基)丙烯酰基”指的是丙烯酰基、甲基丙烯酰基、 或其组合。
如本文中使用的，“族”指的是周期表的族。
如本文中使用的，“III族”可指IIIA族和IIIB族，并且III族金属的实 例可为In、Ga、Tl、或其组合，但是不限于此。
如本文中使用的，“V族”可包括氮、磷、砷、锑、铋、或其组合，但 是不限于此。
如本文中使用的，“VI族”可包括硫、硒、碲、或其组合，但是不限 于此。
如本文中使用的，术语“平均”(例如，量子点的平均尺寸)可为均值或 中值。在实施方式中，平均可为“均值”平均。
在实施方式中，量子效率(或量子产率)可为从纳米结构体(例如，量子点) 或其群发射的光子相对于被纳米结构体(例如，量子点)或其群吸收的光子的 比率例如相对量。在实施方式中，量子效率可通过任何合适的方法测定。量 子效率(或量子产率)可在溶液状态或者固体状态中(如在复合物中)测量。量 子效率可通过绝对方法和相对方法测量。
在绝对方法中，量子产率可通过经由使用积分球检测所有样品荧光而测 定。在相对方法中，可将标准样品(例如，标准染料)的荧光强度与未知样品 的荧光强度比较以计算该未知样品的量子产率。取决于光致发光波长，可使 用香豆素153、香豆素545、若丹明101内盐、蒽、和若丹明6G作为标准染 料，但是不限于此。
通过使用商购可获得的设备(例如，来自Hitachi Co.Ltd或Hamamatsu Co. Ltd)和参照由制造商提供的说明手册，可容易地且可再现地测定量子产率 (QY)。
半宽度(FWHM)和最大发光峰波长可通过由分光光度计(或荧光分光光 度计)获得的(光致)发光光谱测定。
如本文中使用的，表述“不包括镉(或其它有害重金属)”可指如下情况： 其中镉(或者被认为有害的另外的重金属)各自的浓度可为小于或等于约100 按重量计的重量百万分率(ppmw)、小于或等于约50ppmw、小于或等于约 10ppmw、小于或等于约1ppmw、小于或等于约0.1ppmw、小于或等于约 0.01ppmw、或者为约零。在实施方式中，可基本上不存在镉(或者其它重金 属)，或者如果存在的话，镉(或其它重金属)的量可小于或等于所给分析工具 (例如，电感耦合等离子体原子发射光谱法)的检测极限或者作为其杂质水平。
半导体纳米颗粒(例如，量子点)可吸收来自激发源(例如，提供入射光的 光源或者彼此面对的电极)的能量，并且可发射与所述量子点的带隙能量对 应的光。所述量子点的带隙能量可随着所述量子点的尺寸、组成、或其组合 而变化。半导体纳米晶体可用作多种领域例如显示器件、能量器件、或生物 发光器件中的发光材料。
具有相对提高的发光性质的量子点可包括有毒的重金属例如镉(Cd)、铅 (Pb)、汞(Hg)、或其组合。有毒的重金属例如镉可导致环境问题、健康问题、 或其组合，并且在许多国家中是根据有害物质限制指令(RoHS)受限的元素之 一。因此，(当应用于发光器件例如电致或光致发光器件、例如用在其中时) 在期望的波长下具有改善的发光特性的环境友好的量子点的开发可为期望 的。基于磷化铟的量子点可应用于实际器件、例如用在其中。基于ZnSeTe 的量子点具有在绿色光发射区域中实现高的色纯度的潜力。然而，本发明人 已经发现，可难以将基于ZnSeTe的量子点的发光效率提高至对于其应用而 言的期望水平。
利用量子点的光致发光性质的显示器件可包括发射约450nm的波长的 光的光源，但是本发明人还已经发现，对于不含镉的量子点将对于蓝色光的 吸收提高至期望水平(例如，大于或等于约90％)可为困难的。因此，改善不 含镉的量子点的吸收性质和发光性质可为期望的，但是仍然是有挑战性的任 务，因为量子点的吸收可与多种因素有关，例如涉及多种因素。
在实施方式中，包括基于锌硫属化物的量子点(例如包括ZnSe1-xTex合金 芯的量子点)的量子点复合物具有如本文中叙述的特征，呈现期望水平的发 光性质和改善的对于蓝色光的吸收并且有助于环境友好的显示器件的开发。
在实施方式中，所述量子点复合物包括基体以及分散在所述基体中的量 子点和金属氧化物细颗粒(或氧化钛细颗粒)。所述量子点包括锌、硒、和碲。 所述量子点可具有芯-壳结构。所述芯-壳结构可包含包括第一半导体纳米晶 体的芯和包括锌硫属化物(例如，其不同于所述第一半导体纳米晶体)的半导 体纳米晶体壳。所述量子点可不包括镉、铅、汞、或其组合。
在所述量子点复合物中，(例如，如通过电感耦合原子发射光谱法测量 的)，碲相对于钛(或者包括在金属氧化物细颗粒中的主要金属，下文中，将 针对钛提供说明，但是其细节可应用于所述主要金属)的重量比(重量％:重量 ％)可大于或等于约1.5:1、大于或等于约1.6:1、大于或等于约1.7:1、大于或 等于约1.8:1、大于或等于约1.9:1、大于或等于约2:1、大于或等于约2.1:1、 大于或等于约2.2:1、大于或等于约2.3:1、大于或等于约2.4:1、或者大于或 等于约2.5:1。在所述量子点复合物中，碲相对于钛的重量比可小于或等于约10:1、小于或等于约9:1、小于或等于约8:1、小于或等于约7:1、小于或等 于约6:1、小于或等于约5:1、小于或等于约4:1、或者小于或等于约3:1。所 述量子点复合物可呈现改善水平的对于蓝色光(例如，具有约450nm的波长) 的吸收。
所述量子点和所述氧化钛细颗粒可在所述基体中彼此混合、例如互混， 和在实施方式中，无规地(随机地)分布在其中。
所述量子点(例如，所述芯)可包括预定量的碲。如本文中使用的，所述 量子点中包括的组分的量可通过使用合适的分析工具(例如，电感耦合等离 子体原子发射光谱法(ICP-AES)、X射线光电子能谱法(XPS)、离子色谱法、 透射电子显微镜能量色散X射线光谱法(TEM-EDS)等)测定。
所述量子点或所述芯可包括包含锌、硒、和碲的合金化的或者掺杂的纳 米晶体材料。在所述芯或所述量子点中，碲的量可大于或等于硒。在实施方 式的量子点复合物中，芯或所述芯中包括的第一半导体纳米晶体可包括 ZnSe1-xTex(其中x大于或等于约0.1、大于或等于约0.2、大于或等于约0.3、 大于或等于约0.4、大于或等于约0.5、大于或等于约0.51、大于或等于约0.52、 大于或等于约0.53、大于或等于约0.54、大于或等于约0.55、大于或等于约 0.56、大于或等于约0.57、大于或等于约0.58、大于或等于约0.59、大于或 等于约0.6、大于或等于约0.61、大于或等于约0.62、大于或等于约0.63、 大于或等于约0.64、大于或等于约0.65、大于或等于约0.66、大于或等于约 0.67、大于或等于约0.68、大于或等于约0.69、大于或等于约0.70、大于或 等于约0.71、大于或等于约0.72、大于或等于约0.73、大于或等于约0.74、 或者大于或等于约0.75且小于或等于约0.9、小于或等于约0.89、小于或等 于约0.88、小于或等于约0.87、小于或等于约0.86、小于或等于约0.85、小于或等于约0.84、小于或等于约0.83、小于或等于约0.82、小于或等于约0.8、 小于或等于约0.75、小于或等于约0.74、小于或等于约0.73、小于或等于约 0.72、小于或等于约0.71、小于或等于约0.70、小于或等于约0.69、小于或 等于约0.68、小于或等于约0.67、小于或等于约0.66、小于或等于约0.65、 小于或等于约0.6、小于或等于约0.5、小于或等于约0.4、小于或等于约0.3、 或者小于或等于约0.2)。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，碲相 对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.15:1、大于或 等于约0.2:1、大于或等于约0.25:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.35:1、 大于或等于约0.4:1、大于或等于约0.45:1、大于或等于约0.5:1、大于或等 于约0.55:1、大于或等于约0.6:1、大于或等于约0.65:1、大于或等于约0.7:1、 大于或等于约0.75:1、大于或等于约0.8:1、大于或等于约0.85:1、大于或等 于约0.9:1、大于或等于约0.93:1、大于或等于约0.95:1、大于或等于约1:1、 大于或等于约1.1:1、大于或等于约1.2:1、大于或等于约1.3:1、大于或等于 约1.4:1、大于或等于约1.5:1、大于或等于约1.6:1、大于或等于约1.7:1、大 于或等于约1.8:1、大于或等于约1.9:1、大于或等于约2:1、大于或等于约 2.1:1、大于或等于约2.2:1、大于或等于约2.3:1、大于或等于约2.4:1、大于 或等于约2.5:1、大于或等于约2.6:1、大于或等于约2.7:1、大于或等于约2.8:1、 大于或等于约2.9:1、或者大于或等于约3:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，碲相 对于硒的摩尔比(Te:Se)可小于或等于约4:1、小于或等于约3.9:1、小于或等 于约3.8:1、小于或等于约3.7:1、小于或等于约3.6:1、小于或等于约3.5:1、 小于或等于约3.4:1、小于或等于约3.3:1、小于或等于约3.2:1、小于或等于 约3.1:1、小于或等于约3:1、小于或等于约2.9:1、小于或等于约2.8:1、小 于或等于约2.7:1、小于或等于约2.6:1、小于或等于约2.5:1、小于或等于约2.4:1、小于或等于约2.3:1、小于或等于约2.2:1、小于或等于约2.1:1、小于 或等于约2.0:1、小于或等于约1.9:1、小于或等于约1.8:1、小于或等于约1.7:1、 小于或等于约1.6:1、小于或等于约1.5:1、小于或等于约1.4:1、小于或等于 约1.3:1、小于或等于约1.2:1、小于或等于约1.1:1、小于或等于约1:1、或 者小于或等于约0.9:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，碲相 对于锌的摩尔比(Te:Zn)可大于约0.03:1、大于或等于约0.04:1、大于或等于 约0.045:1、大于或等于约0.05:1、大于或等于约0.06:1、大于或等于约0.09:1、 大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.15:1、大于或等于约0.2:1、大于或等 于约0.25:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.35:1、大于或等于约0.4:1、 或者大于或等于约0.43:1。在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描 述的量子点中)，碲相对于锌的摩尔比(Te:Zn)可为，例如如通过电感耦合等 离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测量的，小于约1:1、小于或等于约0.9:1、 小于或等于约0.8:1、小于或等于约0.7:1、小于或等于约0.6:1、小于或等于 约0.5:1、小于或等于约0.45:1、小于或等于约0.4:1、小于或等于约0.35:1、 小于或等于约0.3:1、小于或等于约0.25:1、小于或等于约0.2:1、小于或等 于约0.15:1、或者小于或等于约0.1:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，锌相 对于碲的摩尔比(Zn:Te)可大于或等于约0.5:1、大于或等于约1:1、大于或等 于约2:1、大于或等于约3:1、大于或等于约4:1、大于或等于约5:1、大于或 等于约6:1、大于或等于约7:1、大于或等于约8:1、大于或等于约9:1、大于 或等于约10:1、或者大于或等于约15:1。锌相对于碲的摩尔比(Zn:Te)可小于 或等于约40:1、小于或等于约35:1、小于或等于约30:1、小于或等于约25:1、 小于或等于约20:1、小于或等于约17:1、小于或等于约15:1、小于或等于约 10:1、小于或等于约9:1、小于或等于约8.5:1、小于或等于约8:1、小于或等 于约7.5:1、小于或等于约7:1、小于或等于约6.5:1、小于或等于约6:1、小 于或等于约5.5:1、小于或等于约4.5:1、小于或等于约4:1、小于或等于约 3.5:1、小于或等于约3:1、小于或等于约2.5:1、小于或等于约2.4:1、小于或 等于约2.3:1、或者小于或等于约2.25:1。
在实施方式的量子点复合物中，所述量子点可进一步包括硫，和在实施 方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，硫相对于锌的摩 尔比可大于或等于约0.005:1、大于或等于约0.01:1、大于或等于约0.015:1、 大于或等于约0.02:1、大于或等于约0.025:1、大于或等于约0.03:1、大于或 等于约0.035:1、大于或等于约0.04:1、大于或等于约0.045:1、大于或等于 约0.05:1、大于或等于约0.06:1、大于或等于约0.07:1、大于或等于约0.08:1、 大于或等于约0.09:1、大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.15:1、大于或等 于约0.2:1、大于或等于约0.25:1、大于或等于约0.3:1、或者大于或等于约 0.35:1且小于或等于约0.95:1、小于或等于约0.9:1、小于或等于约0.85:1、 小于或等于约0.8:1、小于或等于约0.75:1、小于或等于约0.7:1、小于或等 于约0.65:1、小于或等于约0.6:1、小于或等于约0.5:1、小于或等于约0.4:1、 或者小于或等于约0.3:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，硫相 对于碲的摩尔比可大于0:1、大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.2:1、大于 或等于约0.3:1、大于或等于约0.4:1、大于或等于约0.5:1、大于或等于约1:1、 大于或等于约3:1、大于或等于约5:1、大于或等于约6:1、大于或等于约7:1、 大于或等于约9:1、或者大于或等于约10:1且小于或等于约20:1、小于或等 于约18:1、小于或等于约16:1、小于或等于约14:1、小于或等于约12:1、小 于或等于约10:1、小于或等于约6:1、小于或等于约5:1、小于或等于约4.5:1、小于或等于约4:1、小于或等于约3.5:1、小于或等于约3:1、小于或等于约 2.5:1、小于或等于约2:1、小于或等于约1.5:1、小于或等于约1:1、小于或 等于约0.9:1、小于或等于约0.8:1、小于或等于约0.7:1、小于或等于约0.6:1、 小于或等于约0.5:1、或者小于或等于约0.4:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，硒相 对于碲的摩尔比(Se/Te)可大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.15:1、大于或 等于约0.2:1、大于或等于约0.25:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.35:1、 大于或等于约0.4:1、大于或等于约0.5:1、大于或等于约0.55:1、大于或等 于约0.6:1、大于或等于约0.65:1、大于或等于约0.7:1、大于或等于约0.75:1、 大于或等于约0.8:1、大于或等于约0.85:1、大于或等于约0.9:1、大于或等 于约0.95:1、大于或等于约1:1、大于或等于约1.5:1、大于或等于约2:1、大 于或等于约2.5:1、大于或等于约3:1、大于或等于约3.5:1、大于或等于约 4:1、大于或等于约4.5:1、大于或等于约5:1、或者大于或等于约5.5:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，硒相 对于碲的摩尔比(Se/Te)可小于或等于约7:1、小于或等于约6.5:1、小于或等 于约6:1、小于或等于约5.5:1、小于或等于约5:1、小于或等于约4.5:1、小 于或等于约4:1、小于或等于约3.5:1、小于或等于约3:1、小于或等于约2.5:1、 小于或等于约2:1、小于或等于约1.5:1、小于或等于约1:1、小于或等于约 0.9:1、小于或等于约0.8:1、小于或等于约0.7:1、小于或等于约0.6:1、小于 或等于约0.5:1、或者小于或等于约0.45:1。
在实施方式的量子点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，硫与 硒之和相对于碲的摩尔比可大于或等于约2:1、大于或等于约3:1、大于或等 于约4:1、大于或等于约5:1、大于或等于约6:1、大于或等于约7:1、大于或 等于约8:1、大于或等于约9:1、或者大于或等于约10:1。在实施方式的量子 点复合物中(或者在如本文中描述的量子点中)，硫与硒之和相对于碲的摩尔 比可小于或等于约20:1、小于或等于约19:1、小于或等于约18:1、小于或等 于约17:1、小于或等于约16:1、小于或等于约15:1、小于或等于约14:1、小 于或等于约13:1、小于或等于约12:1、小于或等于约11:1、或者小于或等于 约10:1、小于或等于约9:1、小于或等于约8:1、小于或等于约7:1、小于或 等于约6:1、小于或等于约5:1、小于或等于约4:1、小于或等于约3:1、或者 小于或等于约2:1。
在实施方式中，所述量子点可不包括锰、铜、或其组合，例如在所述芯 中或者在所述壳中。在实施方式中，所述量子点或所述量子点复合物可不包 括III-V族化合物。所述III-V族化合物可包括磷化铟、磷化铟锌、磷化镓、 或其组合。
在实施方式中，所述量子点或所述量子点复合物可进一步包括(例如在 所述芯中或者在所述壳中)铝、锂、或其组合。在实施方式的量子点或量子 点复合物中，如果存在的话，铝、锂、或其组合相对于碲的摩尔比可大于或 等于约0.005:1、大于或等于约0.009:1、大于或等于约0.01:1、大于或等于 约0.02:1、大于或等于约0.03:1、大于或等于约0.04:1、大于或等于约0.05:1、 大于或等于约0.06:1、大于或等于约0.07:1、大于或等于约0.08:1、大于或 等于约0.09:1、大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.11:1、大于或等于约 0.12:1、大于或等于约0.13:1、大于或等于约0.14:1、大于或等于约0.15:1、 大于或等于约0.16:1、大于或等于约0.17:1、大于或等于约0.18:1、大于或 等于约0.19:1、大于或等于约0.2:1、大于或等于约0.21:1、大于或等于约0.22:1、大于或等于约0.23:1、大于或等于约0.24:1、大于或等于约0.25:1、 大于或等于约0.26:1、大于或等于约0.27:1、大于或等于约0.28:1、大于或 等于约0.29:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.31:1、大于或等于约 0.32:1、大于或等于约0.33:1、大于或等于约0.34:1、大于或等于约0.35:1、 大于或等于约0.36:1、大于或等于约0.37:1、大于或等于约0.38:1、大于或 等于约0.39:1、大于或等于约0.4:1、大于或等于约0.41:1、大于或等于约 0.42:1、大于或等于约0.43:1、大于或等于约0.44:1、大于或等于约0.45:1、 大于或等于约0.46:1、大于或等于约0.47:1、大于或等于约0.48:1、大于或 等于约0.49:1、或者大于或等于约0.50:1。在实施方式的量子点或量子点复 合物中，如果存在的话，铝、锂、或其组合相对于碲的摩尔比可小于或等于 约1.5:1、小于或等于约1:1、小于或等于约0.9:1、小于或等于约0.85:1、小 于或等于约0.8:1、小于或等于约0.75:1、小于或等于约0.7:1、小于或等于 约0.65:1、小于或等于约0.6:1、或者小于或等于约0.55:1。
在实施方式中，量子点复合物中包括的量子点可包括半导体纳米晶体 壳。所述半导体纳米晶体壳可包括：锌；以及硒、硫、或其组合。所述半导 体纳米晶体壳可包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、或其组合。
所述壳可为包括多个层的多层壳。在所述壳的所述多个层中，相邻的层 可包括不同的半导体材料。所述多层壳可包括设置在(例如，直接设置在)所 述芯上的第一壳层和设置在所述第一壳层上(例如，直接设置在所述第一壳 层上)或在所述第一壳层上方的第二壳层。所述第一壳层可包括第二半导体 纳米晶体。所述第二壳层可包括具有与所述第二半导体纳米晶体不同的组成 的第三半导体纳米晶体。所述第二壳层可为所述量子点的最外层。所述第二 半导体纳米晶体可包括锌、硒、和任选地硫。所述第二半导体纳米晶体可包括或可不包括硫。所述第三半导体纳米晶体可包括锌和硫。所述第三半导体 纳米晶体可不包括硒。
在实施方式中，所述第一壳层可包括ZnSe、ZnSeS、ZnS、或其组合。 所述第二壳层可包括ZnS或者可由ZnS构成。在实施方式的量子点复合物 中，所述量子点可包括ZnSeTe芯、设置在所述芯上的包括ZnSe的第一壳层、 以及包括ZnS并且设置在所述第一壳层上的第二壳层。
壳厚度或者多层壳中的各壳层的厚度可适当地选择。所述壳层(例如， 所述第一壳层、所述第二壳层、和如果存在的第三壳层)的厚度可各自独立 地为大于或等于约1个单层(ML)、例如大于或等于约2个ML、大于或等于 约3个ML、大于或等于约4个ML、大于或等于约5个ML且小于或等于 约10个ML例如小于或等于约9个ML、小于或等于约8个ML、小于或等于约7个ML、小于或等于约6个ML、或者小于或等于约5个ML。所述多 层壳中的各壳层的厚度可考虑最终量子点的期望组成而选择。
在实施方式中，所述壳或者在所述多层壳中的壳层的每一个可包括具有 在半径的方向、例如从所述量子点的芯朝着最外表面的径向上变化的组成的 梯度合金。在实施方式中，所述半导体纳米晶体壳中的硫的量可朝着所述量 子点的表面增加。例如，在所述壳中，硫的量可在远离所述芯的方向上、例 如在从所述量子点的芯朝着最外表面的径向上增加。
所述量子点(或其群)可具有如下的(平均)颗粒尺寸：大于或等于约2nm、 大于或等于约3nm、大于或等于约4nm、大于或等于约5nm、大于或等于 约6nm、大于或等于约7nm、大于或等于约7.5nm、大于或等于约8nm、 大于或等于约8.5nm、大于或等于约9nm、大于或等于约9.5nm、或者大 于或等于约10nm。
所述不含镉的量子点(或其群)的尺寸(或平均尺寸)可小于或等于约50 nm、小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约35nm、小 于或等于约30nm、小于或等于约25nm、小于或等于约24nm、小于或等 于约23nm、小于或等于约22nm、小于或等于约21nm、小于或等于约20nm、 小于或等于约19nm、小于或等于约18nm、小于或等于约17nm、小于或 等于约16nm、小于或等于约15nm、小于或等于约14nm、小于或等于约 13nm、小于或等于约12nm、小于或等于约11nm、小于或等于约10nm、 小于或等于约9nm、小于或等于约8nm、小于或等于约7.5nm、小于或等 于约7nm、小于或等于约6.5nm、小于或等于约6nm、或者小于或等于约 5.5nm。
在实施方式中，所述量子点(或所述金属氧化物细颗粒)的尺寸可指的是 由电子显微镜法分析的二维图像获得的直径或等效直径(例如，假设为圆的 情况下)。在实施方式中，“尺寸”可指的是单个量子点的尺寸或者多个量 子点或者量子点群的(例如，均值或中值)平均。所述量子点的尺寸可通过使 用(透射)电子显微镜法分析的结果(例如，图像)和任何合适的图像分析计算 机程序(例如，Image J)测定。
在实施方式的量子点中，所述芯的尺寸(或平均尺寸)可大于或等于约1 nm、例如大于或等于约2nm、大于或等于约2.5nm、大于或等于约3nm、 大于或等于约3.5nm、大于或等于约4nm、或者大于或等于约4.5nm。所 述芯的尺寸(或平均尺寸)可小于或等于约7nm、小于或等于约6nm、小于或 等于约5nm、小于或等于约4nm、小于或等于约3nm、或者小于或等于约2nm。
在实施方式中，所述量子点复合物或者其中包括的量子点与基于Zn、 Se、和Te的其它量子点相比可显示例如呈现相对提高的量子效率。在实施 方式中，所述量子点或所述量子点复合物可显示例如呈现大于或等于约 40％、大于或等于约45％、大于或等于约50％、大于或等于约55％、大于或 等于约60％、或者大于或等于约65％的量子效率(或量子产率)。在实施方式 中，所述量子点或所述量子点复合物可显示例如呈现小于或等于约100％的 量子效率(或量子产率)。量子效率(或量子产率)可为从其发射的光子(例如作 为光发射)相对于被纳米结构体(例如，量子点)或其群吸收的光子的比率。可 对于量子点分散体或量子点聚合物复合物使用合适的工具例如QE-2100(由 Otsuka Electronics Co.，Ltd.制造)测量量子效率，但是不限于此。
在实施方式中，所述量子点复合物或所述量子点可具有在如下波长区域 中的最大发光(例如，光致发光)峰：大于或等于约450nm、大于或等于约455 nm、大于或等于约460nm、大于或等于约465nm、大于或等于约470nm、 大于或等于约471nm、大于或等于约472nm、大于或等于约473nm、大于 或等于约474nm、大于或等于约475nm、大于或等于约476nm、大于或等 于约477nm、大于或等于约478nm、大于或等于约479nm、大于或等于约480nm、大于或等于约485nm、大于或等于约490nm、大于或等于约495nm、 大于或等于约500nm、大于或等于约505nm、大于或等于约510nm、大于 或等于约515nm、或者大于或等于约520nm。所述量子点复合物或所述量 子点可具有在如下波长区域中的最大发光(例如，光致发光)峰：小于或等于 约600nm、小于或等于约590nm、小于或等于约580nm、小于或等于约570 nm、小于或等于约560nm、小于或等于约550nm、小于或等于约540nm、 或者小于或等于约535nm。在实施方式中，所述量子点或所述量子点复合物 可发射绿色光。所述绿色光可具有在上述范围内、例如约500nm-约560nm (例如，约515nm-约535nm、约520nm-约540nm、或者约525nm-约550nm) 的最大发光峰波长。
在实施方式中，所述量子点复合物或所述量子点可呈现如下的半宽度： 小于或等于约50nm、小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或 等于约39nm、小于或等于约38nm、小于或等于约37nm、小于或等于约 36nm、小于或等于约35nm、小于或等于约34nm、小于或等于约33nm、 小于或等于约32nm、小于或等于约31nm、小于或等于约30nm、小于或 等于约29nm、小于或等于约28nm、小于或等于约27nm、小于或等于约 26nm、或者小于或等于约25nm。在实施方式中，所述量子点复合物或所 述量子点可呈现大于或等于约1nm、大于或等于约5nm、大于或等于约10 nm、或者大于或等于约20nm的半宽度。
在实施方式中，所述量子点可包括有机配体，例如在其表面上。所述有 机配体可包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RH2PO、R2HPO、R3PO、 RH2P、R2HP、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH、聚 合物型有机配体、或其组合，其中R和R'相同或不同，并且独立地为取代或 未取代的C1-C40(例如，C3-C30或C6-C24)取代或未取代的脂族烃基团(例 如，烷基、烯基、或炔基)或者取代或未取代的C6-C40芳族烃基团、或其组 合。可使用两种或更多种不同的有机配体。
所述有机配体可配位至、例如结合至所述量子点的表面，帮助纳米晶体 良好地分散在溶液中。所述有机配体的实例可包括甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、 丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇、 或苄硫醇；甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、戊基胺、己基胺、辛基胺、 十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺； 甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、 十八烷酸、油酸、或苯甲酸；膦例如取代或未取代的甲基膦(例如，三甲基 膦、甲基二苯基膦等)、取代或未取代的乙基膦(例如，三乙基膦、乙基二苯 基膦等)、取代或未取代的丙基膦、取代或未取代的丁基膦、取代或未取代 的戊基膦、或者取代或未取代的辛基膦(例如，三辛基膦(TOP))；膦氧化物例 如取代或未取代的甲基膦氧化物(例如，三甲基膦氧化物、甲基二苯基膦氧 化物等)、取代或未取代的乙基膦氧化物(例如，三乙基膦氧化物、乙基二苯 基膦氧化物等)、取代或未取代的丙基膦氧化物、取代或未取代的丁基膦氧 化物、或者取代或未取代的辛基膦氧化物(例如，三辛基膦氧化物(TOPO))； 二苯基膦、二苯基膦氧化物、三苯基膦、或三苯基膦氧化物；单或二(C5-C20 烷基)次膦酸例如单或二己基次膦酸、单或二辛基次膦酸、单或二(十二烷基) 次膦酸、单或二(十四烷基)次膦酸、单或二(十六烷基)次膦酸、单或二(十八 烷基)次膦酸、或其组合；C5-C20烷基次膦酸、C5-C20烷基膦酸例如己基膦 酸、辛基膦酸、十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、十八烷基膦 酸、或其组合；或其组合等，但是不限于此。可使用两种或更多种不同的有 机配体化合物。
在实施方式中，所述有机配体化合物可为RCOOH和胺(例如，RNH2、 R2NH、R3N、或其组合)的组合。在实施方式中，所述有机配体可不包括具 有硫醇部分和氨基、羧酸基团、或其组合的有机化合物。
在实施方式中，所述有机配体可不包括具有硫醇部分和氨基、羧酸、或 其组合的多官能有机化合物。在实施方式中，所述有机配体可不包括谷胱甘 肽化合物。所述量子点可为不溶于水的。所述量子点可分散在乙酸环己酯 (CHA)中。在实施方式中，当以预定浓度(例如，约23重量％)分散在CHA 中时，所述量子点可显示例如呈现大于或等于约0.9、大于或等于约0.95、 大于或等于约1、大于或等于约1.1、大于或等于约1.2、或者大于或等于约1.3的光密度(光学密度，OD)。
在实施方式中，制造上述不含镉的量子点的方法包括：
制备包括包含锌、碲、和硒的第一半导体纳米晶体的芯，例如通过使锌 前体、硒前体、和碲前体在芯形成温度下反应；
在第三有机溶剂中，在所述芯颗粒和第三有机配体的存在下，
使锌前体去与硒前体、硫前体、或其组合的非金属前体在壳形成温度下 反应以在所述芯的表面上形成包括锌、和硒、硫、或其组合的半导体纳米晶 体壳。
所述芯的制备可包括：制备在第一有机溶剂中包括锌前体和第一有机配 体的锌前体有机溶液；和在将所述锌前体有机溶液在所述芯形成温度下加热 时，向其添加硒前体、碲前体、氢化物化合物、和第二有机配体例如至少一 种第二有机配体。
所述芯形成温度可大于或等于约250℃、大于或等于约260℃、大于或 等于约270℃、大于或等于约280℃、大于或等于约290℃、或者大于或等 于约300℃。所述芯形成温度可大于或等于约280℃。用于所述芯形成的反 应温度可小于或等于约350℃、例如小于或等于约340℃、小于或等于约 330℃、小于或等于约320℃、或者小于或等于约310℃。用于所述芯形成的 反应时间没有特别限制并且可适当地选择。
用于所述壳形成的反应温度可在如下的任何合适范围内适当地选择：大 于或等于约200℃、例如大于或等于约210℃、大于或等于约220℃、大于 或等于约230℃、大于或等于约240℃、大于或等于约250℃、大于或等于 约260℃、大于或等于约270℃、大于或等于约280℃、或者大于或等于约 290℃且小于或等于约340℃、例如小于或等于约325℃、或者小于或等于约 310℃。用于所述壳形成的反应时间可根据期望的壳组成适当地选择。
用于所述芯形成的反应时间和/或用于所述壳形成的反应时间可为大于 或等于约5秒、大于或等于约10秒、大于或等于约20秒、大于或等于约30 秒、大于或等于约1分钟、大于或等于约5分钟、大于或等于约10分钟、 大于或等于约20分钟、大于或等于约30分钟、大于或等于约40分钟、大 于或等于约50分钟、大于或等于约1小时、大于或等于3小时、小于或等 于约5小时、小于或等于约3小时、小于或等于约2小时、小于或等于约1 小时、小于或等于约30分钟、小于或等于约20分钟、小于或等于约10分 钟、小于或等于约5分钟、或者小于或等于约1分钟。
所述量子点的组成以及所述芯和所述壳的细节与本文中阐述的相同。在 所述壳形成之前，可将所合成的芯从反应体系分离，例如通过使用非溶剂。 在此可详细地说明使用非溶剂的分离。
在实施方式中，在所述芯合成期间使用的碲前体可包括分散在第二有机 溶剂中的碲，并且所述碲前体中碲的浓度可大于约0.1摩尔/升(摩尔浓度 (M))、例如大于或等于约0.5M、大于或等于约1M、大于或等于约1.5M、 大于或等于约2M、或者大于或等于约2.5M。碲的浓度可小于或等于约10 M、小于或等于约5M、或者小于或等于约4M。在实施方式中，以上述范 围的浓度使用所述碲前体可有助于增强所述碲前体的反应性，提供所述芯的 改善品质。
在实施方式中，在合成所述芯时，在添加至所述锌前体有机溶液之前， 可将所述硒前体、所述碲前体、所述金属氢化物化合物、和所述第二有机配 体在小于约80℃、例如小于或等于约75℃、小于或等于约70℃、小于或等 于约65℃、小于或等于约60℃、小于或等于约55℃、小于或等于约50℃、 或者小于或等于约45℃的温度下混合以形成单一原液。所述温度可为大于或 等于约10℃、大于或等于约20℃、或者为约室温。
所述第二有机配体可为脂族有机胺化合物或其组合。
所述金属氢化物化合物可包括锂、铝、或其组合。所述金属氢化物化合 物可包括氢化铝化合物、氢化锂化合物、或其组合。所述金属氢化物化合物 可包括有机金属氢化物化合物(例如，具有烃基团、例如至少一个烃基团(例 如，C1-C18烷基、C2-C18烯基、或C2-C18炔基)或C6-C40芳族烃基团、 或其组合)、无机金属氢化物化合物、或其组合。所述金属氢化物化合物可 包括：烷基锂氢化物；化二烷基锂硼氢化物；氢化铝锂化合物，或其组合。
所述金属氢化物的量没有特别限制并且可适当地选择。按照1摩尔的碲， 所述金属氢化物的量可为大于或等于约0.01摩尔、大于或等于约0.05摩尔、 大于或等于约0.1摩尔、大于或等于约0.5摩尔、或者大于或等于约1摩尔。 按照1摩尔的碲，所述金属氢化物的量可为小于或等于约10摩尔、小于或 等于约5摩尔、或者小于或等于约3摩尔。
在所述芯的制备期间，引入到反应体系中的碲相对于硒的摩尔比(Te:Se) 可大于约0.25:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.4:1、大于或等于约 0.5:1、大于或等于约0.7:1、大于或等于约0.9:1、大于或等于约1:1、大于或 等于约1.1:1、大于或等于约1.2:1、大于或等于约1.3:1、大于或等于约1.4:1、 大于或等于约1.5:1、大于或等于约1.6:1、大于或等于约1.7:1、大于或等于 约1.8:1、大于或等于约1.9:1、大于或等于约2:1、或者大于或等于约2.5:1。
在所述芯的制备期间，引入到反应体系中的碲相对于硒的摩尔比(Te:Se) 可小于或等于约10:1、小于或等于约9:1、小于或等于约8:1、小于或等于约 7:1、小于或等于约6:1、小于或等于约5:1、小于或等于约4:1、小于或等于 约3:1、小于或等于约2:1、或者小于或等于约1.5:1。
在所述芯的制备期间，锌相对于碲的摩尔比可考虑期望的组成、前体等 适当地选择。根据实施方式，在所述芯的制备期间，相对于1摩尔的碲而言 锌的量可为大于或等于约1摩尔、大于或等于约2摩尔、大于或等于约3摩 尔、大于或等于约4摩尔、或者大于或等于约5摩尔。根据实施方式，在所 述芯的制备期间，相对于1摩尔的碲而言锌的量可为小于或等于约20摩尔、 小于或等于约15摩尔、小于或等于约10摩尔、小于或等于约9摩尔、小于 或等于约8摩尔、小于或等于约7摩尔、小于或等于约6摩尔、小于或等于 约5摩尔、小于或等于约4摩尔、小于或等于约3摩尔、或者小于或等于约 2摩尔。
在实施方式中，所述壳的形成可包括：将有机配体在有机溶剂中在预定 温度下(例如，在大于或等于约100℃、例如大于或等于约120℃的温度下) 在真空下加热(或真空处理)，将反应体系的气氛改变成惰性气体，和将其在 预定的反应温度下加热。可将所述芯和非金属壳前体(例如，硫和硒前体)添 加到(加热的)反应体系中以进行反应。考虑期望的壳组成，在反应期间可将 所述壳前体同时或顺序地注入。
可形成具有期望组成(例如，梯度组成或多层组成)的壳。
在实施方式中，锌前体可与硒前体反应以形成包括锌和硒的第一壳层， 然后与硫前体反应以形成包括锌和硫的第二壳层。在实施方式中，所述半导 体纳米晶体壳形成可包括使所述锌前体与所述硒前体以及所述硫前体反应。
在上述方法中，所述锌前体可包括Zn粉末、ZnO、烷基化Zn化合物(例 如，C2-C30烷基(例如，二烷基)锌，例如二甲基锌、二乙基锌)、Zn醇盐(例 如，乙醇锌)、羧酸Zn(例如，乙酸锌或脂族羧酸锌，例如，长链脂族羧酸锌 例如油酸锌)、硝酸Zn、高氯酸Zn、硫酸Zn、乙酰丙酮Zn、卤化Zn(例如， 氯化锌)、氰化Zn、氢氧化Zn、碳酸锌、过氧化锌、或其组合。所述锌前体 的实例可包括二甲基锌、二乙基锌、乙酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、 氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌、 硫酸锌、或其组合。
所述硒前体可包括硒-三辛基膦(Se-TOP)、硒-三丁基膦(Se-TBP)、硒-三 苯基膦(Se-TPP)、硒-二苯基膦(Se-DPP)、或其组合，但是不限于此。
所述碲前体可包括碲-三辛基膦(Te-TOP)、碲-三丁基膦(Te-TBP)、碲-三 苯基膦(Te-TPP)、碲-二苯基膦(Te-DPP)、或其组合，但是不限于此。
所述硫前体可包括己硫醇、辛硫醇、癸硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、 巯基丙基硅烷、硫-三辛基膦(S-TOP)、硫-三丁基膦(S-TBP)、硫-三苯基膦 (S-TPP)、硫-三辛基胺(S-TOA)、硫-十八碳烯(S-ODE)、双(三甲基甲硅烷基) 硫醚、双(三甲基甲硅烷基甲基)硫醚、硫化铵、硫化钠、或其组合。
(第一至第三)有机溶剂或者用于所述芯形成、壳形成或其组合的有机溶 剂可包括C6-C22伯胺例如十六烷基胺，C6-C22仲胺例如二辛基胺，C6-C40 叔胺例如三辛基胺，含氮的杂环化合物例如吡啶，C6-C40烯烃例如十八碳 烯，C6-C40脂族烃例如十六烷、十八烷、或角鲨烷，被C6-C30烷基取代的 芳族烃例如苯基十二烷、苯基十四烷、或苯基十六烷，被C6-C22烷基、例 如至少一个(例如，1、2、或3个)C6-C22烷基取代的伯、仲、或叔膦(例如， 三辛基膦)，被C6-C22烷基、例如至少一个(例如，1、2、或3个)C6-C22 烷基取代的膦氧化物(例如，三辛基膦氧化物)，C12-C22芳族醚例如苯基醚 或苄基醚，或其组合。
本发明人已经发现，在ZnSeTe芯上形成锌硫属化物壳期间使用具有可 聚合部分的试剂(反应物)可导致在所得颗粒中的急剧增加量的有机物(换句 话说，急剧减少量的无机物，当在颗粒的TGA分析中测定时)。本发明人还 已经发现，急剧增加量的有机物可显著地限制在复合物中实际包括的光发射 体(即，量子点)的量。同时，除了量子点之外，对于其期望的发光性质，所 述复合物可进一步包括预定量的TiO2细颗粒，且在所述复合物中，钛的量 可代表TiO2细颗粒的量且碲的量可代表实施方式的量子点的实际量。
根据本发明人的研究，量子点和TiO2细颗粒的总量可由于它们的可分 散性而为受限的，且因此，在所述情况下，如果期望的发光性质的复合物包 括包含急剧增加量的有机物的量子点，所述复合物中碲对钛的比例可大于或 等于约1.1:1。
令人惊讶地，本发明人已经发现，通过使在量子点的合成期间的具有可 聚合部分(例如，碳-碳双键)的试剂(反应物)的使用最小化(或基本上避免其使 用或不使用)，所得量子点可在它们的TGA分析中呈现出大大增加的残留物 量(即，无机物量或剩余质量)，表明它们以相对受限或减少的量包括有机物。 本发明还已经发现，采用实施方式的这样的量子点制备量子点聚合物复合物 可带来所述复合物的光学或发光性质的显著改善(例如，增加的吸收比)。
在实施方式中，所述壳形成可使用具有相对高的温度并且不包括碳-碳 双键或可聚合部分的有机溶剂进行。在实施方式中，所述壳形成可使用不具 有任何碳-碳双键的有机配体进行。用于所述壳形成的有机溶剂可为不具有 碳-碳双键的有机溶剂，三烷基膦化合物，或三辛基胺。使用上述有机溶剂 可有助于减少附着至所述量子点的表面的有机物质，由此所述量子点可显示 例如呈现提高的无机含量(内容物)比率。
所述第一有机配体、所述第二有机配体、和所述第三有机配体的至少两 种或者全部可各自相同。所述第一有机配体、所述第二有机配体、和所述第 三有机配体的至少两种或者全部可各自不同。所述第一和所述第二有机配体 和所述第三有机配体的细节与本文中关于有机配体所阐述的相同。
在实施方式中，所述第一有机配体可包括(具有脂族烃基团的)脂肪酸或 其组合，并且所述第二有机配体可包括有机胺、芳族膦化合物、或其组合。 所述有机胺可包括具有一个脂族烃基团或一个芳族烃基团的伯胺。所述伯胺 可包括RNH2，其中R为脂族烃基团或芳族烃基团。
所述脂族烃基团的碳数可为大于或等于约5、大于或等于约10、大于或 等于约15、大于或等于约16、大于或等于约17、大于或等于约18、大于或 等于约19、或者大于或等于约20；小于或等于约50、小于或等于约40、或 者小于或等于约30；或其组合。所述脂族烃基团可包括烷基、烯基、炔基、 或其组合。所述芳族烃基团可为C6-40芳基。
所述第一有机配体和所述第二有机配体的量可考虑所述有机配体的类 型和所述前体的类型而选择。相对于1摩尔的所述锌前体，所述第一有机配 体的量(或者所述第二配体的量或者所述第三配体的量)可为大于或等于约 0.1摩尔、大于或等于约0.2摩尔、大于或等于约0.3摩尔、大于或等于约0.4 摩尔、大于或等于约0.5摩尔、大于或等于约0.6摩尔、大于或等于约0.7 摩尔、大于或等于约0.8摩尔、大于或等于约0.9摩尔、大于或等于约1摩尔、大于或等于约2摩尔、大于或等于约3摩尔、大于或等于约4摩尔、或 者大于或等于约5摩尔。相对于1摩尔的所述锌前体，所述第一有机配体的 量(或者所述第二配体的量或者所述第三配体的量)可为小于或等于约20摩 尔、小于或等于约19摩尔、小于或等于约18摩尔、小于或等于约17摩尔、 小于或等于约16摩尔、小于或等于约15摩尔、小于或等于约14摩尔、小于或等于约13摩尔、小于或等于约12摩尔、小于或等于约10摩尔、小于 或等于约9摩尔、小于或等于约8摩尔、小于或等于约7摩尔、小于或等于 约6摩尔、小于或等于约5摩尔、小于或等于约4摩尔、小于或等于约3摩 尔、小于或等于约2摩尔、或者小于或等于约1摩尔。
所述第一有机配体和所述第二有机配体之间的摩尔比(所述第一有机配 体:所述第二有机配体)可为1:约0.1或更大、1:约0.5或更大、1:约0.9或更 大、或1:约1或更大；1:约10或更小；1:约5或更小、1:约2.5或更小、或 者1:约1.5或更小；或其组合。
在实施方式中，可将所述硒前体、所述碲前体、所述金属氢化物化合物 以混合状态任选地与所述有机配体一起注入所述锌前体有机溶液中。在实施 方式中，可将所述硒前体、所述碲前体、和所述金属氢化物化合物顺序地注 入所述锌前体有机溶液中。
在用于所述芯形成的反应体系中和在用于所述壳形成的反应体系中，各 前体的量和其浓度可考虑所述芯和所述壳的期望组成、芯和壳前体之间的反 应性等而选择。在实施方式中，考虑最终量子点的期望组成(例如，元素例 如Zn、S、Se、Te、或其组合之间的比率)，可控制前体之间的比率。最终 量子点的组成可通过合适的分析工具例如电感耦合等离子体原子发射光谱 法测定。
在所述芯的形成之后、在所述壳的形成之后、或其组合，将非溶剂添加 至反应产物，并且与配体化合物配位、例如结合至配体化合物的纳米晶体颗 粒可被分离。所述非溶剂可为与所述芯形成反应、壳形成反应、或其组合中 使用的溶剂混溶并且不能够将所产生的纳米晶体分散在其中的极性溶剂。所 述非溶剂可考虑反应中使用的溶剂而选择，并且可为例如丙酮、乙醇、丁醇、 异丙醇、乙二醇、水、四氢呋喃(THF)、二甲亚砜(DMSO)、二乙基醚、甲醛、 乙醛、具有与上述非溶剂类似溶度参数的溶剂、或其组合。所述纳米晶体颗 粒的分离可涉及离心、沉降、层析法、或蒸馏。如果期望，可将分离的纳米 晶体颗粒添加至洗涤(或分散)溶剂并且洗涤(或分散)。所述洗涤(或分散)溶剂 的类型没有特别限制，并且可使用具有与所述配体的溶度参数类似的溶度参 数的溶剂，并且其实例可包括己烷、庚烷、辛烷、氯仿、甲苯、苯等。
在实施方式中，所述有机配体可不包括具有硫醇部分和氨基、羧酸、或 其组合的多官能有机化合物。在实施方式中，所述有机配体可不包括谷胱甘 肽化合物。
所述量子点可为不溶于水的。当分散在水中时，所述量子点可显示例如 呈现如通过动态光散射(DLS)分析测定的大于或等于约300nm、大于或等于 约400nm、大于或等于约500nm、或者大于或等于约900nm的平均颗粒尺 寸。
当分散在有机溶剂(例如甲苯、辛烷等)中时，所述量子点可配置成形成 具有如通过DLS分析测定的小于或等于约500nm、小于或等于约400nm、 小于或等于约300nm、小于或等于约200nm、小于或等于约100nm、或者 小于或等于约90nm的平均颗粒尺寸的有机溶液。所述有机溶剂的实例在本 文中描述。
实施方式的复合物中包括的量子点可配置成具有相对降低量的有机材 料。在实施方式中，所述复合物中包括的量子点可具有提高量的无机材料。 不希望受任何理论制约，在实施方式的复合物中包括的量子点中可具有提高 量的无机材料(其与所述复合物的发射直接相关)，由此实施方式的复合物可 显示例如呈现提高水平的光吸收。所述提高水平的光吸收可抑制所述器件中 的蓝色光混合，并且因此包括所述复合物的器件的颜色再现性可提高并且期 望光的光电转换效率也可提高，改善所述器件的亮度。
在所述量子点复合物中，所述无机物质的量(或总量)(例如，锌、碲、硒、 硫、和钛之和)可为，例如如通过电感耦合等离子体原子发射光谱法测定的， 大于或等于约13.83重量％、大于或等于约20重量％、大于或等于约25重 量％、大于或等于约30重量％、大于或等于约31重量％、或者大于或等于 约32重量％。在实施方式中，所述无机材料的量可为，例如如通过电感耦 合等离子体原子发射光谱法测定的，约20重量％-约100重量％、约25重量％-约90重量％、约30重量％-约80重量％、约31重量％-约70重量％、约 32重量％-约60重量％、或其组合。
在实施方式的量子点复合物中，锌相对于钛的重量比可大于或等于约 4:1、大于或等于约5:1、大于或等于约6:1、大于或等于约7:1、或者大于或 等于约7.5:1。在实施方式的量子点复合物中，锌相对于钛的重量比可小于或 等于约11.4:1、小于或等于约11:1、小于或等于约10.5:1、小于或等于约10:1、 或者小于或等于约9:1。在所述量子点复合物中，碲的量可大于1.46重量％、 大于或等于约1.5重量％、大于或等于约2重量％、大于或等于约2.5重量％、 大于或等于约3重量％、大于或等于约3.5重量％、或者大于或等于约4重量％。碲的量可为约1.5重量％-约30重量％、约2重量％-约25重量％、约 2.5重量％-约20重量％、约3重量％-约17重量％、约3.5重量％-约15重量 ％、约4重量％-约14重量％、或者约5重量％-约10重量％。
在所述量子点复合物中，钛的量可大于或等于约1重量％、大于或等于 约1.5重量％、或者大于或等于约2重量％、或者大于或等于约5重量％，基 于所述量子点复合物的总重量。在所述量子点复合物中，钛的量可小于或等 于约25重量％、小于或等于约20重量％、小于或等于约15重量％、小于或 等于约10重量％、或者小于或等于约5重量％。
各成分的量可通过电感耦合等离子体原子发射光谱法测定。
实施方式的量子点复合物中包括的量子点可显示例如呈现如下的在大 于或等于约500℃且小于或等于约600℃的温度下的残留物(例如，剩余质 量)：大于或等于约60重量％、大于或等于约65重量％、大于或等于约70 重量％、或者大于或等于约75重量％，如以热重分析测定的。在实施方式中， 所述残留物(例如，剩余质量)可为约60重量％-约100重量％、约65重量％- 约90重量％、约70重量％-约85重量％、或者约75重量％-约80重量％。实施方式的(量子点复合物中包括的)量子点可显示例如呈现大于或等于约 300℃、大于或等于约310℃、大于或等于约320℃、大于或等于约330℃、 大于或等于约340℃、大于或等于约350℃、大于或等于约360℃、大于或 等于约370℃、大于或等于约380℃、大于或等于约390℃、或者大于或等 于约400℃的5％重量损失温度。
实施方式的(量子点复合物中包括的)量子点可显示例如呈现约300℃-约 600℃或者约320℃-约500℃的5％重量损失温度。
对于蓝色光(例如，约450nm-约460nm的波长或者约450nm的波长的 蓝色光)，实施方式的量子点复合物可显示例如呈现大于或等于约88％、大 于或等于约89％、大于或等于约90％、大于或等于约91％、大于或等于约 92％、或者大于或等于约93％的吸收。
所述量子点复合物对蓝色光的吸收可通过使用积分球测量。为了测量蓝 色光吸收，测量光源的蓝色光的光量(B)，然后将所给QD复合物置于积分球 中，将来自光源的光照射至所述复合物，并且分别测量从所述复合物发射的 转换光(例如，绿色光或红色光)的量(A)和通过所述复合物的蓝色光的光量 (B')。由测量的值，如下计算光电转换率和蓝色光吸收比：
光电转换率(QE)＝A/B
蓝色光吸收比＝(B-B')/B。
所述量子点复合物可由包括本文中阐述的量子点的组合物制备。在实施 方式中，量子点组合物包括：上述(例如，多个)量子点；和任选地单体。所 述组合物可进一步包括有机溶剂、液体媒介物(载剂)、或其组合，分散剂，(热 或光)引发剂或其组合。所述分散剂可将所述量子点分散在所述组合物中。 所述分散剂可包括含有羧酸基团的化合物(例如，单体或聚合物)。所述组合 物可为光敏组合物。
所述组合物中的量子点的细节如本文中描述的。所述组合物(或者如本 文中描述的复合物)中量子点的量可考虑所述组合物(或所述复合物)的组分 和期望的最终用途(例如，光致发光滤色器等)而适当地调节。在实施方式中， 基于所述组合物的总重量或总固含量，所述量子点的量可大于或等于约1重 量百分比(重量％)、例如大于或等于约2重量％、大于或等于约3重量％、大 于或等于约4重量％、大于或等于约5重量％、大于或等于约6重量％、大 于或等于约7重量％、大于或等于约8重量％、大于或等于约9重量％、大 于或等于约10重量％、大于或等于约15重量％、大于或等于约20重量％、 大于或等于约25重量％、大于或等于约30重量％、大于或等于约35重量％、 或者大于或等于约40重量％。基于所述组合物的总重量或总固含量，所述 量子点的量可小于或等于约70重量％、例如小于或等于约65重量％、小于 或等于约60重量％、小于或等于约55重量％、或者小于或等于约50重量％。相对于所述组合物的总固含量的组分的重量百分比可代表将在下文中描述 的复合物中的组分的含量。
在根据实施方式的组合物中，所述分散剂可保证所述量子点的分散。在 实施方式中，所述分散剂可为粘合剂(或粘合剂聚合物)。所述粘合剂可包括 有机化合物(例如，单体或聚合物)，其任选地包括羧酸基团(例如，在重复单 元中)。所述粘合剂可为绝缘聚合物。
包括羧酸基团的有机化合物可包括包含如下的单体混合物的共聚物：包 括羧酸基团和碳-碳双键的第一单体，包括碳-碳双键和疏水性部分并且不包 括羧酸基团的第二单体，和任选地，包括碳-碳双键和亲水性部分并且不包 括羧酸基团的第三单体；
含有多个芳族环的聚合物(下文中，卡多(cardo)粘结剂)，其具有骨架结 构并且包含羧酸基团(-COOH)，在所述骨架结构中，两个芳族环结合至作为 主链中的另一环状部分的构成原子的季碳原子；或
其组合。
所述分散剂可包括所述第一单体、所述第二单体、所述第三单体、或其 组合。
在所述组合物中，基于所述组合物的总重量或总固含量，所述分散剂(或 所述粘合剂聚合物)的量可大于或等于约0.5重量％、例如大于或等于约1重 量％、大于或等于约5重量％、大于或等于约10重量％、大于或等于约15 重量％、或者大于或等于约20重量％，但是不限于此。基于所述组合物的总 重量或总固含量，所述分散剂(或所述粘合剂聚合物)的量可小于或等于约55 重量％、例如小于或等于约45重量％、小于或等于约35重量％、小于或等 于约33重量％、或者小于或等于约30重量％。
所述组合物可包括包含碳-碳双键的可聚合(例如，可光聚合)单体(下文 中，可称为“单体”)。所述单体可包括(例如，可光聚合的)基于(甲基)丙烯 酰基的(即含有(甲基)丙烯酰基的)单体。所述单体可为绝缘聚合物的前体。
基于所述组合物的总重量或总固含量，所述单体的量可大于或等于约 0.5重量％、例如大于或等于约1重量％、大于或等于约2重量％、大于或等 于约5重量％、或者大于或等于约10重量％。基于所述组合物的总重量或总 固含量，所述单体的量可小于或等于约30重量％、例如小于或等于约28重 量％、小于或等于约25重量％、小于或等于约23重量％、小于或等于约20 重量％、小于或等于约18重量％、小于或等于约17重量％、小于或等于约 16重量％、或者小于或等于约15重量％。
所述组合物中包括的(光)引发剂为引发所述组合物中的上述单体的(光) 聚合的化合物。引发剂为通过在温和的条件下(例如，通过热或光)产生自由 基化学物质而加速自由基反应(例如，单体的自由基聚合)的化合物。所述引 发剂可为热引发剂或光引发剂。所述引发剂没有特别限制且可适当地选择。
在所述组合物中，所述引发剂的量可考虑所述可聚合单体的类型和量而 适当地选择。在实施方式中，基于所述组合物的总重量(或固含量的总重量)， 所述引发剂的量可大于或等于约0.01重量％、例如大于或等于约1重量％且 小于或等于约10重量％、例如小于或等于约9重量％、小于或等于约8重量 ％、小于或等于约7重量％、小于或等于约6重量％、或者小于或等于约5 重量％，但是不限于此。
所述组合物(或者在本文中描述的复合物)可进一步包括具有硫醇基团、 例如至少一个硫醇基团(例如，在末端处)的(多或单官能)硫醇化合物、金属 氧化物细颗粒(或氧化钛细颗粒)、或其组合。
所述金属氧化物细颗粒可包括TiO2、SiO2、BaTiO3、Ba2TiO4、ZnO、或 其组合。所述金属氧化物细颗粒可包括氧化钛细颗粒、氧化硅(二氧化硅)细 颗粒、氧化钡钛细颗粒、氧化锌细颗粒、或其组合。在所述组合物中，基于 所述组合物的总重量(或固含量)，所述金属氧化物细颗粒的量可大于或等于 约1重量％、大于或等于约5重量％、或者大于或等于约10重量％且小于或 等于约50重量％、小于或等于约40重量％、小于或等于约30重量％、小于 或等于约25重量％、小于或等于约20重量％、小于或等于约15重量％、小 于或等于约10重量％、或者小于或等于约5重量％。所述金属氧化物细颗粒 可为非发射性的(例如，不发射光)。所述金属氧化物可包括金属或准金属的 氧化物。
所述金属氧化物细颗粒可具有适当选择的直径而没有特别限制。所述金 属氧化物细颗粒的直径可大于或等于约100nm例如大于或等于约150nm、 或者大于或等于约200nm且小于或等于约1000nm或者小于或等于约800 nm。
多硫醇化合物可为二硫醇化合物、三硫醇化合物、四硫醇化合物、或其 组合。例如，所述硫醇化合物可为乙二醇二-3-巯基丙酸酯、乙二醇二巯基乙 酸酯、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四 醇四(2-巯基乙酸酯)、1,6-己二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,2-乙二硫醇、包括1-10 个乙二醇重复单元的聚乙二醇二硫醇、或其组合。
基于所述组合物的总重量或总含量，所述硫醇化合物的量可小于或等于 约50重量％、小于或等于约40重量％、小于或等于约30重量％、小于或等 于约20重量％、小于或等于约10重量％、小于或等于约9重量％、小于或 等于约8重量％、小于或等于约7重量％、小于或等于约6重量％、或者小 于或等于约5重量％。基于所述组合物的总重量或总固含量，所述硫醇化合 物的量可大于或等于约0.1重量％、例如大于或等于约0.5重量％、大于或等于约1重量％、大于或等于约5重量％、大于或等于约10重量％、大于或等 于约15重量％、大于或等于约20重量％、或者大于或等于约25重量％。
在所述组合物(或所述复合物)中，基于所述组合物的总重量或总固含量， 所述金属氧化物或氧化钛(细颗粒)的量可大于或等于约1重量％、大于或等 于约5重量％、大于或等于约10重量％、大于或等于约15重量％、大于或 等于约17重量％、大于或等于约19重量％、大于或等于约20重量％、大于 或等于约25重量％、或者大于或等于约30重量％、大于或等于约35重量％ 且小于或等于约50重量％、小于或等于约40重量％、小于或等于约30重量 ％、小于或等于约25重量％、小于或等于约20重量％、小于或等于约15重 量％、小于或等于约10重量％、或者小于或等于约5重量％。
所述组合物可进一步包括有机溶剂(或液体媒介物，下文中称为溶剂)。 可用的有机溶剂的类型没有特别限制。所述溶剂的实例可包括，但不限于： 3-乙氧基丙酸乙酯；乙二醇系列(类)例如乙二醇、一缩二乙二醇、或聚乙二 醇；二醇醚系列例如乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、一缩二乙二醇单甲 基醚、乙二醇二乙基醚、或一缩二乙二醇二甲基醚；二醇醚乙酸酯系列例如 乙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇单乙基醚乙酸酯、一缩二乙二醇单乙基醚乙 酸酯、或一缩二乙二醇单丁基醚乙酸酯；丙二醇系列例如丙二醇；丙二醇醚 系列例如丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁 基醚、丙二醇二甲基醚、一缩二丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、或一缩 二丙二醇二乙基醚；丙二醇醚乙酸酯系列例如丙二醇单甲基醚乙酸酯或一缩 二丙二醇单乙基醚乙酸酯；酰胺系列例如N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、 或二甲基乙酰胺；酮系列例如甲乙酮(MEK)、甲基异丁基酮(MIBK)、或环己 酮；石油产品例如甲苯、二甲苯、或溶剂石脑油；酯系列例如乙酸乙酯、乙 酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸环己酯、或乳酸乙酯；醚例如二乙基醚、二丙基醚、 或二丁基醚；氯仿，C1-C40脂族烃(例如，烷烃、烯烃、或炔烃)，卤素(例 如，氯)取代的C1-C40脂族烃(例如，二氯乙烷、三氯甲烷等)，C6-C40芳族 烃(例如，甲苯、二甲苯等)，卤素(例如，氯)取代的C6-C40芳族烃，或其组 合。
所述溶剂的类型和量可通过考虑上述主要组分(即，所述量子点、所述 分散剂、所述可光聚合单体、所述光引发剂、和如果使用的所述硫醇化合物)、 以及将在本文中描述的添加剂的类型和量而适当地选择。所述组合物可包括 除了期望量的固含量(非挥发性组分)之外的剩余量的溶剂。
所述组合物(例如，喷墨组合物)可具有大于或等于约4厘泊(cPs)、大于 或等于约5cPs、大于或等于约5.5cPs、大于或等于约6.0cPs、或者大于或 等于约7.0cPs的在25℃下的粘度。所述组合物(例如，喷墨组合物)可具有 小于或等于约12cPs、小于或等于约10cPs、或者小于或等于约9cPs的在 25℃下的粘度。
如果将所述组合物以喷墨工艺施加，所述组合物可在室温下排放到基板 上，并且可例如通过加热而形成量子点聚合物复合物或者量子点聚合物复合 物的图案。采用所公开的粘度，墨组合物可具有大于或等于约21毫牛顿/米 (mN/m)、大于或等于约22mN/m、大于或等于约23mN/m、大于或等于约 24mN/m、大于或等于约25mN/m、大于或等于约26mN/m、大于或等于约 27mN/m、大于或等于约28mN/m、大于或等于约29mN/m、大于或等于约 30mN/m、或者大于或等于约31mN/m且小于或等于约40mN/m、小于或等 于约39mN/m、小于或等于约38mN/m、小于或等于约37mN/m、小于或等 于约36mN/m、小于或等于约35mN/m、小于或等于约34mN/m、小于或等 于约33mN/m、或者小于或等于约32mN/m的在23℃下的表面张力。所述 墨组合物的表面张力可小于或等于约31mN/m、小于或等于约30mN/m、小 于或等于约29mN/m、或者小于或等于约28mN/m。
在实施方式中，所述组合物可进一步包括添加剂，例如包括在光刻胶组 合物或墨组合物中的添加剂。除了上述组分之外，所述添加剂可包括光扩散 剂(光漫射剂)、流平剂、或偶联剂。所述添加剂的细节可参见如在例如 US-2017-0052444-A1中描述的添加剂。
根据实施方式的组合物可通过包括如下的方法制备：制备包括上述量子 点、分散剂、和溶剂的量子点分散体；和将所述量子点分散体与所述引发剂、 所述可聚合单体(例如，基于丙烯酰基的单体)、任选地所述硫醇化合物、任 选地所述金属氧化物细颗粒、以及任选地上述添加剂混合。上述组分各自可 顺序地或同时地混合，但是混合次序没有特别限制。
根据实施方式的组合物可用于提供量子点复合物图案(例如，图案化的 量子点聚合物复合物)。所述组合物可通过(例如，自由基)聚合而提供量子点 聚合物复合物。根据实施方式的组合物可为可应用于光刻方法的包括量子点 的光刻胶组合物。根据实施方式的组合物可为可通过印刷(例如，液滴排放 方法例如喷墨印刷)而提供图案的墨组合物。
所述量子点(聚合物)复合物包括：基体(例如，聚合物基体)；以及分散 在所述基体中的上述量子点和所述金属氧化物细颗粒(例如，氧化钛细颗粒)。 所述(聚合物)基体可包括线型聚合物、交联聚合物、或其组合。所述交联聚 合物可包括硫醇烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨酯、交联环氧树 脂、交联乙烯基聚合物、交联有机硅树脂、或其组合。所述线型聚合物可包 括得自碳-碳不饱和键(例如，碳-碳双键)的重复单元。所述重复单元可包括 羧酸基团。所述线型聚合物可包括亚乙基重复单元。
所述基体可包括分散剂(例如，包括羧酸基团的粘合剂单体或聚合物)、 具有碳-碳双键(例如至少一个、例如至少两个、至少三个、至少四个、或至 少五个)的可聚合单体的聚合产物(例如，绝缘聚合物)、任选地所述可聚合单 体和硫醇化合物(例如，具有至少两个硫醇基团的多硫醇化合物，例如在其 末端处)的聚合产物、或其组合。
所述交联聚合物可包括硫醇烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、或其组合。 在实施方式中，所述交联聚合物可为所述可聚合单体和任选地(例如，在其 末端处)具有至少两个硫醇基团的多硫醇化合物的聚合产物。所述量子点、 所述分散剂、或所述粘合剂聚合物、所述可聚合单体、和所述多硫醇化合物 可与本文中描述的相同。
所述量子点复合物(或者如本文中描述的其图案)的膜可具有例如如下厚 度：小于或等于约30微米(μm)、例如小于或等于约25μm、小于或等于约 20μm、小于或等于约15μm、小于或等于约10μm、小于或等于约8μm、 或者小于或等于约7μm且大于或等于约2μm、例如大于或等于约3μm、大 于或等于约3.5μm、大于或等于约4μm、大于或等于约5μm、或者大于或等于约6μm。
在实施方式中，所述量子点复合物的图案化的膜可包括配置成发射预定 的光的重复段、例如至少一个(种)重复段。在实施方式中，所述重复段可包 括配置成发射第一种光的第一段。所述重复段可进一步包括发射具有与所述 第一种光不同的波长的第二种光的第二段。所述第一段、所述第二段、或其 组合可包括上述量子点(聚合物)复合物。
所述第一种光或所述第二种光可为具有在约600nm和约650nm之间 (例如，约620nm-约650nm)的最大光致发光峰波长的红色光、或者具有在 约500nm和约550nm之间(例如，约510nm-约540nm)的最大光致发光峰 波长的绿色光。所述图案化的膜可进一步包括可透过或发射不同于所述第一 种光和所述第二种光的第三种光(例如，蓝色光)的第三段。所述第三种光可 包括激发光。所述第三种光(或所述激发光)可包括具有范围约380nm-约480nm的最大峰波长的蓝色光和任选地绿色光。
在实施方式中，图案化的量子点复合物膜可通过使用光刻胶组合物的方 法制造。所述方法可包括：
在基板上形成组合物的膜(S1)；
任选地将所述膜预烘烤(S2)；
使所述膜的所选区域暴露于光(例如，小于或等于约400nm的波长) (S3)；和
将曝光的膜用碱性显影溶液显影以获得包括所述量子点-聚合物复合物 的图案(S4)。
参照图1A说明形成图案的非限制性方法。
可将所述组合物在基板上以旋涂、狭缝涂布等合适方法涂布至具有预定 厚度(S1)。可任选地将所形成的膜预烘烤(PRB)(S2)。所述预烘烤可通过选择 温度、时间、气氛等合适的条件进行。
将所形成的(或者任选地经预烘烤的)膜可在具有预定图案的掩模(例如， 光掩模)(参见图1A)下暴露于具有预定波长的光(S3)。所述光的波长和强度 可通过考虑所述引发剂(例如，光引发剂)、所述引发剂(例如，光引发剂)的 量、所述量子点、所述量子点等的量而选择。在图1A中，BM为对于黑色 矩阵的缩写。
将曝光的膜可用碱性显影溶液处理(例如，浸渍或喷射)以溶解未曝光的 区域和获得期望的图案(S4)。可任选地将所获得的图案后烘烤(POB)，例如， 在约150℃-约230℃下后烘烤(POB)预定的时间(例如，大于或等于约10分 钟或者大于或等于约20分钟)，以改善所述图案的抗裂性和耐溶剂性(S5)。
在其中所述量子点-聚合物复合物图案具有多个重复段的实施方式中， 可通过如下获得具有期望的图案的量子点-聚合物复合物：制备包括用于形 成各重复段的具有期望的光致发光性质(光致发光峰波长等)的量子点(例如， 发射红色光的量子点，发射绿色光的量子点，或任选地，发射蓝色光的量子 点)的多种组合物，并且关于各组合物合适的次数(例如，两次或更多次或者 三次或更多次)地重复图案的形成(S6)。例如，所述量子点-聚合物复合物可 具有包括至少两个(种)重复颜色段(例如，RGB段)的图案，例如以包括至少 两个(种)重复颜色段(例如，RGB段)的图案提供。所述量子点-聚合物复合物 图案可用作显示器件中的光致发光型滤色器。
量子点复合物图案可通过使用配置成经由喷墨方式形成图案的墨组合 物形成。参照图1B，所述方法包括：制备墨组合物；获得基板，其包括图 案，例如通过库bank(库，触排)形成的电极和任选地像素区域的图案；将墨 组合物沉积在所述基板(或所述像素区域)上以形成第一量子点层(或第一重 复段)；和将墨组合物沉积在所述基板(或所述像素区域)上以形成第二量子点 层(或第二重复段)。所述第一量子点层和第二量子点层的形成可同时或顺序 地进行。
所述墨组合物的沉积可使用合适的液滴排放系统例如喷墨印刷机或喷 嘴印刷系统(例如，具有墨储器和印刷头例如至少一个印刷头)进行。可将所 沉积的墨组合物加热以除去溶剂和任选地以进行聚合，且由此提供(第一或 第二)量子点层。所述方法可以相对简单的方式在相对短的时间段内提供高 度精确的量子点-聚合物复合物膜或图案。
可将上述量子点或所述量子点复合物(图案)包括在电子器件中。这样的 电子器件可包括显示器件、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、量 子点LED、传感器、太阳能电池、成像传感器、光电探测器、或液晶显示器， 但是不限于此。可将上述量子点包括在电子装置中。这样的电子装置可包括 便携式(手持)终端设备、监控器、笔记本个人电脑(PC)、电视机、电子显示 器、照相机、汽车等，但是不限于此。所述电子装置可为包括包含量子点的 显示器件(或发光器件)的便携式终端设备、监控器、笔记本PC、或电视机。 所述电子装置可为包括包含量子点的图像传感器的照相机或便携式终端设 备。所述电子装置可为包括包含量子点的光电探测器的照相机或车辆。
所述器件(显示器件或发光器件)可进一步包括发光的元件、例如发光元 件，和任选地光源。所述发光的元件可包括发光层。所述发光的元件可进一 步包括基板，并且所述发光层可设置在所述基板的一个表面上。所述发光层 可包括所述量子点复合物的膜或图案化的膜。所述光源可配置成向所述发光 的元件提供入射光。所述入射光可具有在如下范围内的光致发光峰波长：大 于或等于约440nm、例如大于或等于约450nm且小于或等于约500nm、例 如小于或等于约480nm、小于或等于约470nm、或者小于或等于约460nm。
在实施方式中，所述发光的元件或所述发光层可包括所述量子点复合物 的片材。参照图2，光致发光型器件400包括背光单元和液晶面板，并且所 述背光单元可包括量子点聚合物复合物片材(QD片材)。例如，所述背光单 元可包括反射器、导光板(LGP)、光源(蓝色LED等)、量子点聚合物复合物 片材(QD片材)、和光学膜(棱镜、双倍增亮膜(DBEF)等)、等等。所述液晶面 板可设置在所述背光单元上，并且可具有在两个偏振器(Pol)之间包括薄膜晶 体管(TFT)、液晶(LC)、和滤色器的结构。所述量子点聚合物复合物片材(QD 片材)可包括通过吸收来自光源的光发射红色光的量子点和发射绿色光的量 子点。来自光源的蓝色光可通过所述量子点聚合物复合物片材，与从量子点 发射的红色光和绿色光组合并且被转化为白色光。所述白色光可通过所述液 晶面板中的滤色器被分离成蓝色光、绿色光、和红色光并且可在各像素中被 发射至外部。
在实施方式中，所述发光层可以量子点(或其复合物)图案化的膜的形式 设置在器件(发光器件或显示器件)的前表面(例如，光提取表面)上。所述图 案化的膜可包括配置成发射期望的光的重复段。所述重复段可包括第一段。 所述第一段可为发射红色光的段。所述重复段可包括第二段。所述第二段可 包括发射绿色光的段。所述重复段可包括第三段。所述第三段可为发射或透 射蓝色光的段。所述第一、第二、和第三段的细节如本文中描述的。
所述光源可为可向所述发光层提供入射光、发射激发光、或其组合的元 件。所述入射或激发光可包括蓝色光和任选地绿色光。所述光源可包括LED。 所述光源可包括有机LED(OLED)。在所述第一段和所述第二段的前表面(发 光表面)上，可设置阻挡(例如，反射或吸收)蓝色光(和任选地绿色光)的光学 元件、例如蓝色光(和任选地绿色光)阻挡层或第一滤光器(其将在本文中描 述)。当所述光源包括发射蓝色光的有机发光二极管和发射绿色光的有机发 光二极管时，可进一步在蓝色光透射通过其的第三段上设置除去绿色光的滤 波器。
所述光源可包括分别对应于所述第一段和所述第二段的多个发光单元， 并且所述发光单元可包括彼此面对的第一电极和第二电极以及在所述第一 电极和所述第二电极之间的(有机)电致发光层。所述电致发光层可包括有机 发光材料。例如，所述光源的各发光单元可包括构造成发射预定波长的光(例 如，蓝色光、绿色光、或其组合)的电致发光器件(例如，有机发光二极管 (OLED))。所述电致发光器件和所述有机发光二极管(OLED)的结构和材料没 有特别限制。
图3A为根据实施方式的显示器件的示意性横截面图，并且图3B为根 据实施方式的显示器件的示意性横截面图。参照图3A和3B，光源包括发射 蓝色(B)光(和任选地绿色光)的有机发光二极管(OLED)。所述有机发光二极 管(OLED)可包括形成于基板100上的至少两个像素电极90a、90b、90c，形 成于相邻的像素电极90a、90b、90c之间的像素限定层150a、150b，形成于 各像素电极90a、90b、90c上的有机发光层140a、140b、140c，和形成于有机发光层140a、140b、140c上的公共电极层130。可在所述有机发光二极管(OLED)下面设置薄膜晶体管和基板。所述OLED的像素区域可分别对应于 所述第一、第二、和第三段。
可在所述光源上设置包括量子点复合物图案170(例如，包括发射红色 光的量子点的第一段11或R、包括发射绿色光的量子点的第二段21或G、 和包括或不包括量子点、例如发射蓝色光的量子点的第三段31或B)和基板 240的层叠结构体。从所述光源发射的蓝色光进入所述第一段和第二段并且 可分别发射红色光和绿色光。从所述光源发射的蓝色光可通过所述第三段。 如期望时，可在量子点复合物层R和G与所述基板之间设置配置成阻挡激 发光的元件(第一滤光器160或激发光阻挡层)。当所述激发光包括蓝色光和 绿色光时，可将绿色光阻挡滤波器添加至所述第三段。将在本文中更详细地 描述所述第一滤光器或所述激发光阻挡层。
这样的(显示)器件可通过如下制造：单独地制造上述层叠结构体和LED 或OLED(例如，发射蓝色光)，然后将所述层叠结构体和LED或OLED组合。 所述(显示)器件可通过如下制造：直接在所述LED或OLED上形成所述量子 点复合物图案。
所述基板可为包括绝缘材料的基板。所述基板可包括：玻璃；多种聚合 物例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯，聚 碳酸酯，和聚丙烯酸酯；聚硅氧烷(例如，聚二甲基硅氧烷(PDMS))；无机材 料例如Al2O3或ZnO；或其组合，但是不限于此。所述基板的厚度可考虑基 板材料适当地选择，但是没有特别限制。所述基板可具有柔性。所述基板对 于从所述量子点发射的光可具有大于或等于约50％、大于或等于约60％、大 于或等于约70％、大于或等于约80％、或者大于或等于约90％的透射率。
在所述基板上形成包括薄膜晶体管等的线路层。所述线路层可进一步包 括栅极线、维持电压线、栅极绝缘层、数据线、源电极、漏电极、半导体、 保护层等。所述线路层的详细结构可取决于实施方式而变化。所述栅极线和 所述维持电压线彼此电隔离，且所述数据线被绝缘且与所述栅极线和所述维 持电压线交叉。所述栅电极、源电极、和漏电极分别形成所述薄膜晶体管的 控制端、输入端和输出端。所述漏电极电连接至将在本文中描述的像素电极。
所述像素电极可用作所述显示器件的电极(例如，阳极)。所述像素电极 可由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。所述像素电极 可由具有光阻挡性质的材料例如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、 钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、或钛(Ti)形成。所述像素电极可 具有如下的双层结构：其中所述透明导电材料和所述具有光阻挡性质的材料 顺序地层叠。
在两个相邻的像素电极之间，像素限定层(PDL)与所述像素电极的末端 重叠以将所述像素电极划分成像素单元。所述像素限定层为可电阻挡所述至 少两个像素电极的绝缘层。
所述像素限定层覆盖所述像素电极的上表面的一部分，并且所述像素电 极的未被所述像素限定层覆盖的剩余区域可提供开口。可在由所述开口限定 的区域中形成将在本文中描述的有机发光层。
所述有机发光层通过上述像素电极和所述像素限定层限定各像素区域。 换言之，一个像素区域可被限定为以与由所述像素限定层划分的一个像素电 极接触的一个有机发光单元层形成的区域。在根据实施方式的显示器件中， 所述有机发光层可被限定为第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域， 并且各像素区域通过所述像素限定层彼此间隔开，从而留下预定的间隔。
在实施方式中，所述有机发光层可发射属于可见光区域或者属于紫外 (UV)区域的第三种光。所述有机发光层的第一至第三像素区域各自可发射第 三种光。在实施方式中，所述第三种光可为在可见光区域中具有最高能量的 光，例如，可为蓝色光(和任选地绿色光)。当所述有机发光层的所有像素区 域被设计成发射相同的光时，所述有机发光层的各像素区域可全部由相同或 类似的材料形成，或者可显示例如呈现相同或类似的性质。因此，形成所述 有机发光层的工艺可被简化，并且所述显示器件可容易应用于大规模/大面积 工艺，例如，通过大规模/大面积工艺制造。然而，根据实施方式的有机发光 层不必限于此，而是所述有机发光层可被设计成发射至少两种不同的光，例 如至少两种不同颜色的光。
所述有机发光层在各像素区域中包括有机发光单元层，并且除了所述发 光层之外，各有机发光单元层可进一步包括辅助层(例如，空穴注入层、空 穴传输层、电子传输层等)。
所述公共电极可用作所述显示器件的阴极。所述公共电极可由透明导电 材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。所述公共电极可形成于所述 有机发光层上并且可与其集成。
在所述公共电极上可形成平坦化层或钝化层(未示出)。所述平坦化层可 包括用于保证与所述公共电极的电绝缘的(例如，透明)绝缘材料。
在实施方式中，所述显示器件可进一步包括下部基板、设置在所述下部 基板下面的偏振片、以及设置在所述层叠结构体和所述下部基板之间的液晶 层，并且在所述层叠结构体中，所述光致发光层(即，发光层)可设置成面对 所述液晶层。所述显示器件可进一步包括在所述液晶层和所述发光层之间的 偏振片。所述光源可进一步包括LED和如果期望的导光板。
参照附图描述根据实施方式的显示器件(例如，液晶显示器)的非限制性 实例。图4为显示根据实施方式的液晶显示器的示意性横截面图。参照图4， 实施方式的显示器件包括液晶面板200、设置在液晶面板200下面的偏振片 300、和设置在偏振片300下面的背光单元。
液晶面板200包括下部基板210、堆叠结构体、以及设置在所述堆叠结 构体和所述下部基板之间的液晶层220。所述堆叠结构体包括透明基板240、 第一滤光器层310、包括量子点(聚合物复合物)的图案的光致发光层230和 第二滤光器层311。
被称为阵列基板的下部基板210可为透明绝缘材料基板。所述基板与本 文中描述的相同。在下部基板210的上表面上提供线路板211。线路板211 可包括限定像素区域的多条栅极线(未示出)和数据线(未示出)、与栅极线和 数据线的交叉区域相邻地设置的薄膜晶体管、以及用于各像素区域的像素电 极，但是不限于此。这样的线路板的细节没有特别限制。
可在线路板211上提供液晶面板。液晶面板200可包括在液晶层220上 和下面的定向层221以使其中包括的液晶材料初始定向。所述液晶层和所述 定向层的细节(例如，液晶材料、定向层材料、形成液晶层的方法、液晶层 的厚度等)没有特别限制。
在下部基板210下面提供下部偏振片300。偏振片300的材料和结构没 有特别限制。可在偏振片300下面设置背光单元(例如，发射蓝色光)。可在 液晶层220和透明基板240之间提供上部光学元件或偏振片300，但是不限 于此。例如，上部偏振片可设置在液晶层220和光致发光层230之间。所述 偏振片可为液晶显示器件中使用的任何合适的偏振器。所述偏振片可为具有 小于或等于约200μm的厚度的TAC(三乙酰基纤维素)，但是不限于此。在实施方式中，所述上部光学元件可为控制折射率而没有偏振功能的涂层。
所述背光单元包括光源110。光源110可发射蓝色光或白色光。光源110 可包括蓝色LED、白色LED、白色OLED、或其组合，但是不限于此。
所述背光单元可进一步包括导光板120。在实施方式中，所述背光单元 可为边缘型照明设备。例如，所述背光单元可包括反射器(未示出)、提供在 所述反射器上并且向液晶面板200提供平面光源的导光板(未示出)、在所述 导光板上的光学片材、例如至少一种光学片材(未示出)例如扩散板、棱镜片 等、或其组合，但是不限于此。所述背光单元可不包括导光板。在实施方式 中，所述背光单元可为直接照明设备。例如，所述背光单元可具有反射器(未 示出)，并且可具有以规则的间隔设置在所述反射器上的多个荧光灯，或者 可具有多个发光二极管可设置在其上的LED运行基板、在其上的扩散板、 和任选地光学片材例如至少一种光学片材。这样的背光单元的细节(例如， 发光二极管、荧光灯、导光板、多种光学片材、和反射器的各部件)没有特 别限制。
在透明基板240下面提供黑色矩阵241，并且其具有开口且将所述下部 基板上的线路板的栅极线、数据线、和薄膜晶体管隐藏。例如，黑色矩阵241 可具有格子形状。光致发光层230提供在黑色矩阵241的开口中，并且具有 包括配置成发射第一种光(例如，红色光)的第一段(R)、配置成发射第二种光 (例如，绿色光)的第二段(G)、和配置成发射/透射例如蓝色光的第三段(B)的 量子点复合物图案。如果期望，光致发光层230可进一步包括第四段、例如 至少一个第四段。所述第四段可包括发射与从所述第一至第三段发射的光不 同的颜色的光(例如，青色、品红色、和黄色光)的量子点。
在光致发光层230中，可对应于形成于下部基板210上的像素区域重复 形成图案的段。透明公共电极231可提供在光致发光型滤色器层上。
配置成发射/透射蓝色光的第三段(B)可为不改变所述光源的发射光谱的 透明滤色器。从所述背光单元的蓝色光可以偏振状态进入并且可通过所述偏 振片和所述液晶层原样发射。如果期望，所述第三段可包括发射蓝色光的量 子点。
如本文中所述的，如果期望的话，实施方式的显示器件或发光器件可进 一步具有激发光阻挡层或第一滤光器层(下文中称为第一滤光器层)。所述第 一滤光器层可设置在所述第一段(R)和所述第二段(G)的底表面与所述基板 (例如，上部基板240)之间或者在所述基板的上表面上。第一滤光器层310 可为在与显示蓝色的像素区域(第三段)对应的区域中具有开口并且因此形成 于与第一和第二段对应的区域中的片材。所述第一滤光器层可在除了与所述 第三段重叠的位置之外的位置处并且与其整体地设置，如图3A、3B、和图 4中所示，但是不限于此。例如，可在与所述第一和第二段重叠的各位置处 留下空间地设置至少两个第一滤光器层。当所述光源包括绿色发光元件时， 可在所述第三段上设置绿色光阻挡层。
所述第一滤光器层可阻挡(例如，吸收)或基本上阻挡在可见光区域中的 具有例如预定的波长区域的光并且可透射其它波长区域中的光，并且例如， 所述第一滤光器层可阻挡蓝色光(或绿色光)并且可透射除了蓝色光(或绿色 光)之外的光。所述第一滤光器层可透射例如绿色光、红色光、和/或作为其 混合颜色的黄色光。所述第一滤光器层可透射蓝色光，阻挡绿色光，并且设 置在蓝色光发射像素上。
所述第一滤光器层可基本上阻挡激发光并且透射在期望波长范围内的 光。所述第一滤光器层对于在期望波长范围内的光的透射率可为大于或等于 约70％、大于或等于约80％、大于或等于约90％、或者为甚至约100％。
配置成选择性地透射红色光的第一滤光器层可设置在与红色光发射段 重叠的位置处，并且配置成选择性地透射绿色光的第一滤光器层可设置在与 绿色光发射段重叠的位置处。所述第一滤光器层可包括阻挡(例如，吸收)蓝 色光和红色光并且选择性地透射预定范围(例如，大于或等于约500nm、大 于或等于约510nm、或者大于或等于约515nm且小于或等于约550nm、小 于或等于约545nm、小于或等于约540nm、小于或等于约535nm、小于或等于约530nm、小于或等于约525nm、或者小于或等于约520nm)的光的第 一区域；阻挡(例如，吸收)蓝色光和绿色光并且选择性地透射预定范围(例如， 大于或等于约600nm、大于或等于约610nm、或者大于或等于约615nm且 小于或等于约650nm、小于或等于约645nm、小于或等于约640nm、小于 或等于约635nm、小于或等于约630nm、小于或等于约625nm、或者小于或等于约620nm)的光的第二区域；或其组合。当所述光源发射蓝色和绿色 混合光时，所述第一滤光器可进一步包括选择性地透射蓝色光并且截止或阻 挡绿色光的第三区域。
所述第一区域可设置在与发射绿色光的段重叠的位置处。所述第二区域 可设置在与发射红色光的段重叠的位置处。所述第三区域可设置在与发射蓝 色光的段重叠的位置处。
所述第一区域、所述第二区域、和任选地所述第三区域可为光学隔离的。 这样的第一滤光器层可有助于所述显示器件的色纯度的改善。
所述显示器件可进一步包括第二滤光器层(例如，红色/绿色或黄色光再 循环层)311，其设置在所述光致发光层和所述液晶层之间(例如，所述光致发 光层和所述上部偏振片例如偏振器之间)，透射第三种光(激发光)的至少一部 分，并且反射所述第一种光的部分例如至少一部分、所述第二种光的部分例 如至少一部分、或者所述第一种光和第二种光各自的部分例如至少一部分。 所述第一种光可为红色光，所述第二种光可为绿色光，并且所述第三种光可 为蓝色光。例如，所述第二滤光器层可仅透射在具有小于或等于约500nm的波长区域的蓝色光波长区域中的第三种光(B)，并且在大于约500nm的波 长区域中的光(其为绿色光(G)、黄色光、红色光(R)等)可不通过所述第二滤 光器层并且被反射。所反射的绿色光和红色光可通过所述第一和第二段并且 被发射至所述显示器件的外部。
所述第二滤光器层或所述第一滤光器层可作为具有相对平坦的表面的 集成的层形成。
所述第一滤光器层可包括包含吸收在待阻挡的波长中的光的染料、吸收 在待阻挡的波长中的光的颜料、或其组合的聚合物薄膜。所述第二滤光器层 和所述第一滤光器层可包括具有低的折射率的单层，并且可为例如具有小于 或等于约1.4、小于或等于约1.3、或者小于或等于约1.2的折射率的透明薄 膜。具有低的折射率的第二滤光器或第一滤光器层可为例如多孔氧化硅、多 孔有机材料、多孔有机/无机复合物、或其组合。
所述第一滤光器层或所述第二滤光器层可包括具有不同折射率的多个 层。所述第一滤光器层或所述第二滤光器层可通过将具有不同折射率的两个 层层叠而形成。例如，所述第一/第二滤光器层可通过交替地层叠具有高折射 率的材料和具有低折射率的材料而形成。
参照图5A，电子器件10包括彼此面对的第一电极11和第二电极15、 设置在第一电极11和第二电极15之间并且包括上述量子点的活性层13。
在实施方式中，包括所述量子点的所述电子器件可为电致发光器件。活 性层13的所述量子点可为如下的发光层：其中从第一电极11和第二电极15 注入的电子和空穴复合以形成激子，并且通过所形成激子的能量的恒定波长 的光可被发射。而且，包括所述量子点的所述电子器件可为光电探测器或太 阳能电池。例如，活性层13可为如下的光吸收层：其中所述量子点吸收外 部光子，并且将所述外部光子分离成电子和空穴以将电子和空穴提供至第一 电极11和第二电极15。
可在第一电极11和活性层13之间设置空穴辅助层12，以及可在第二电 极15和活性层13之间设置电子辅助层14。
电子器件10可进一步包括基板(未示出)。所述基板可设置在第一电极 11或第二电极15侧。所述基板可为包括绝缘材料的基板(例如，绝缘透明基 板)。此外，所述基板可包括玻璃，多种聚合物例如聚酯(例如，聚对苯二甲 酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN))、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、 聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等，无机材料例如聚硅氧烷(例如，PDMS)、Al2O3、 ZnO等，或其组合，或者可由硅晶片制成。此处，“透明(的)”可意指，一 定波长的光(例如，从所述量子点发射的光)通过其的透射率大于或等于约 85％、大于或等于约88％、大于或等于约90％、大于或等于约95％、大于或 等于约97％、或者大于或等于约99％。所述基板的厚度可考虑基板材料等适 当地选择，但是没有特别限制。所述透明基板可具有柔性。
第一电极11和第二电极15之一可为阳极并且另一个可为阴极。例如， 第一电极11可为阳极并且第二电极15可为阴极。
第一电极11可由导体例如金属、导电金属氧化物、或其组合制成。第 一电极11可例如由如下制成：金属例如镍、铂、钒、铬、铜、锌、和金或 其合金，导电金属氧化物例如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、 氧化铟锌(IZO)、或氟掺杂氧化锡，或者金属和氧化物的组合例如ZnO和Al、 或者SnO2和Sb，但是不限于此。第二电极15可由导体例如金属、导电金 属氧化物、导电聚合物、或其组合制成。第二电极15可例如由如下制成： 金属例如铝、镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、银、金、铂、锡、铅、 铯、和钡或其合金，多层结构材料例如LiF/Al、氧化锂(Li2O)/Al、8-羟基喹 啉锂(Liq)/Al、LiF/Ca、和BaF2/Ca，但是不限于此。所述导电金属氧化物与 本文中描述的相同。
第一电极11和第二电极的功函没有特别限制，并且可适当地选择。第 一电极11的功函可高于或低于第二电极15的功函。
第一电极11、第二电极15、或其组合可为光透射电极，并且所述光透 射电极可例如由如下制成：导电氧化物例如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化 铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或氟掺杂氧化锡、或者单层或多层的金属薄层。 当第一电极11和第二电极15之一为非光透射电极时，所述非光透射电极可 例如由不透明的导体例如铝(Al)、银(Ag)、或金(Au)制成。
所述第一电极、所述第二电极、或者所述第一和第二电极的厚度没有特 别限制，并且可考虑器件效率适当地选择。例如，所述电极的厚度可大于或 等于约5nm、例如大于或等于约50nm且小于或等于约100μm、例如小于 或等于约10μm、小于或等于约1μm、小于或等于约900nm、小于或等于 约500nm、或者小于或等于约100nm。
活性层13包括本文中描述的量子点。活性层13可包括单层或者多个单 层的量子点层。所述多个单层可为两个层或更多、三个层或更多、或者四个 层或更多且20个层或更少、10个层或更少、9个层或更少、8个层或更少、 7个层或更少、或者6个层或更少。活性层13可具有如下的厚度：大于或等 于约5nm、例如大于或等于约10nm、大于或等于约20nm、或者大于或等 于约30nm且小于或等于约200nm、例如小于或等于约150nm、小于或等 于约100nm、小于或等于约90nm、小于或等于约80nm、小于或等于约70 nm、小于或等于约60nm、或者小于或等于约50nm。活性层13可具有约 10nm-约150nm、约10nm-约100nm、或者约10nm-约50nm的厚度。
电子器件10可进一步包括空穴辅助层12。空穴辅助层12设置在第一电 极11和活性层13之间。空穴辅助层12可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输 层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、或其组合。空穴辅助层12可为单组分层或者 其中相邻的层包括不同组分的多层结构。
空穴辅助层12的最高占据分子轨道(HOMO)能级可具有如下HOMO能 级：其可与活性层13的HOMO能级匹配，以提升从空穴辅助层12向活性 层13转移的空穴的迁移率。例如，空穴辅助层12可包括靠近第一电极11 的空穴注入层和靠近活性层13的空穴传输层。
空穴辅助层12(例如，空穴传输层或空穴注入层)中包括的材料没有特别 限制,而是可例如包括聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺) (TFB)、多芳基胺(聚芳基胺)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚(3,4-亚乙基二氧 噻吩)(PEDOT)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚磺苯乙烯(PEDOT:PSS)、聚苯胺、 聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯 基-氨基]联苯(α-NPD)、4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、p型金属氧化物(例如，NiO、WO3、MoO3等)、 基于碳的材料例如石墨烯氧化物、或其组合，但是不限于此。
当使用电子阻挡层(EBL)时，所述电子阻挡层(EBL)可包括例如聚(3,4- 亚乙基二氧噻吩):聚(磺苯乙烯)(PEDOT:PSS)、聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基 苯基)-二苯基胺)(TFB)、多芳基胺(聚芳基胺)、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、 聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯 基-氨基]联苯(α-NPD)、m-MTDATA、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)、 或其组合，但是不限于此。
在所述空穴辅助层中，各层的厚度可适当地选择。例如，各层的厚度可 大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、或者大于 或等于约20nm且小于或等于约50nm、例如小于或等于约40nm、小于或 等于约35nm、或者小于或等于约30nm，但是不限于此。
电子辅助层14可设置在活性层13和第二电极15之间。电子辅助层14 可包括，例如，促进电子的注入的电子注入层(EIL)、促进电子传输的电子传 输层(ETL)、阻挡空穴移动的空穴阻挡层(HBL)、或其组合。例如，电子注入 层可设置在所述电子传输层和所述阴极之间。例如，所述空穴阻挡层(HBL) 可设置在所述活性层和所述电子传输(注入)层之间，但是不限于此。例如， 各层的厚度可大于或等于约1nm且小于或等于约500nm，但是不限于此。所述电子注入层可为通过气相沉积而形成的有机层，并且所述电子传输层可 包括无机氧化物纳米颗粒。
所述电子传输层(ETL)可包括例如1,4,5,8-萘-四羧酸二酐(NTCDA)、浴铜 灵(BCP)、三[3-(3-吡啶基)-
Figure BDA0003307794390000441
基]硼烷(3TPYMB)、LiF、三(8-羟基喹啉)铝 (Alq3)、三(8-羟基喹啉)镓(Gaq3)、三(8-羟基喹啉)铟(Inq3)、二(8-羟基喹啉)锌 (Znq2)、二(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(Zn(BTZ)2)、二(10-羟基苯并[h]喹啉) 铍(BeBq2)、8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹诺酮(ET204)、8-羟 基喹啉锂(Liq)、n型金属氧化物(例如，ZnO、HfO2等)、或其组合，但是不 限于此。
此外，所述电子传输层(ETL)可包括多个纳米颗粒。所述纳米颗粒可包 括包含锌的金属氧化物，例如，氧化锌、氧化锌镁、或其组合。所述金属氧 化物可包括Zn1-xMxO(其中，M为Mg、Ca、Zr、W、Li、Ti、Y、Al、或其 组合，且0≤x≤0.5)。在该化学式中，x可为大于或等于约0.01且小于或等 于约0.3、例如小于或等于约0.25、小于或等于约0.2、或者小于或等于约0.15。 所述活性层中包括的上述量子点的最低未占分子轨道(LUMO)的绝对值可小 于所述金属氧化物的LUMO的绝对值。所述纳米颗粒的平均尺寸可大于或 等于约1nm、例如大于或等于约1.5nm、大于或等于约2nm、大于或等于 约2.5nm、或者大于或等于约3nm且小于或等于约10nm、小于或等于约9 nm、小于或等于约8nm、小于或等于约7nm、小于或等于约6nm、或者小 于或等于约5nm。
所述空穴阻挡层(HBL)可包括，例如，1,4,5,8-萘-四羧酸二酐(NTCDA)、 浴铜灵(BCP)、三[3-(3-吡啶基)-
Figure BDA0003307794390000451
基]硼烷(3TPYMB)、LiF、Alq3、Gaq3、Inq3、 Znq2、Zn(BTZ)2、BeBq2、或其组合，但是不限于此。
电子辅助层14(例如，电子注入层、电子传输层、或空穴阻挡层)的各厚 度可大于或等于约5nm、大于或等于约6nm、大于或等于约7nm、大于或 等于约8nm、大于或等于约9nm、大于或等于约10nm、大于或等于约11nm、 大于或等于约12nm、大于或等于约13nm、大于或等于约14nm、大于或 等于约15nm、大于或等于约16nm、大于或等于约17nm、大于或等于约18nm、大于或等于约19nm、或者大于或等于约20nm且小于或等于约120 nm、小于或等于约110nm、小于或等于约100nm、小于或等于约90nm、 小于或等于约80nm、小于或等于约70nm、小于或等于约60nm、小于或 等于约50nm、小于或等于约40nm、小于或等于约30nm、或者小于或等 于约25nm，但是不限于此。
参照图5B，根据实施方式的器件可具有正常结构。电致发光器件200 可包括设置在透明基板100上的阳极10和面对阳极10的阴极50。阳极10 可包括基于金属氧化物的透明电极，并且面对阳极10的阴极50可包括具有 低功函的导电金属。例如，所述阳极可包括氧化铟锡(ITO，约4.6电子伏(eV)- 约5.1eV的功函)电极，并且阴极50可包括包含镁(Mg，约3.66eV的功函)、 铝(Al，约4.28eV的功函)、或其组合的电极。而且，可在阳极10和量子点活性层30之间设置空穴辅助层20。空穴辅助层20可包括空穴注入层、空穴 传输层、或其组合。所述空穴注入层可设置靠近阳极10并且所述空穴传输 层可设置靠近所述量子点活性层。而且，可在量子点活性层30和阴极50之 间设置电子辅助层40。电子辅助层40可包括电子注入层、电子传输层、或 其组合。所述电子注入层可设置靠近阴极50并且所述电子传输层可设置靠 近量子点活性层30。
参照图5C，根据实施方式的器件可具有倒置结构。倒置的电致发光器 件300可包括设置在透明基板100上的阴极50和面对阴极50的阳极10。阴 极50可包括基于金属氧化物的透明电极，并且面对阴极50的阳极10可包 括具有高功函的导电金属。例如，阴极50可为氧化铟锡(ITO，约4.6eV-5.1 eV的功函)电极，阳极10可为包括金(Au，约5.1eV的功函)、银(Ag，约4.26 的功函)、铝(Al，4.28eV的功函)、或其组合的电极。而且，可在量子点活 性层30和阴极50之间设置电子辅助层40。
电子辅助层40可包括电子注入层、电子传输层、或其组合。所述电子 注入层可设置靠近阴极50并且所述电子传输层可设置靠近量子点活性层 30。电子辅助层40可包括，例如，在所述电子传输层中的金属氧化物，例 如结晶氧化Zn或者n型掺杂的金属氧化物。而且，可在阳极10和量子点活 性层30之间设置空穴辅助层20。空穴辅助层20可包括空穴注入层、空穴传 输层、或其组合。所述空穴注入层可设置靠近阳极10，并且所述空穴传输层 可设置靠近量子点活性层30。所述空穴传输层可包括TFB、PVK、或其组 合，并且所述空穴注入层可包括MoO3或其它p型金属氧化物。
在所述电致发光器件中，活性层30中产生的一定波长的光通过所述光 透射电极和所述透明基板而发射至外部。例如，参照图5B或图5C，当将作 为光透射电极的基于金属氧化物的透明电极(例如，氧化铟锡(ITO))应用于阳 极10时，在所述活性层中形成的光通过阳极10和透明基板(100)而发射至外 部。参照图5B或图5C，当将作为光透射电极的基于金属氧化物的透明电极 (例如，氧化铟锡(ITO))应用于阴极50时，在所述活性层中形成的光通过阴 极50和透明基板100发射至外部。
上述电子器件可通过合适的方法制造。例如，所述电致发光器件可通过 如下制造：在其上形成电极的基板上形成空穴辅助层(或电子辅助层)，形成 包括量子点(例如，上述量子点的图案)的活性层，以及形成电子辅助层(或空 穴辅助层)和电极。所述电极、所述空穴辅助层、和所述电子辅助层可各自 独立地通过合适的方式形成，并且可例如通过气相沉积或涂布而形成，但是 没有特别限制。
下文中，参照实施例更详细地说明实施方式。然而，它们是本公开内容 的示例性实例，并且本公开内容不限于此。
实施例
分析方法
1.光致发光分析
使用Hitachi F-7000分光光度计获得所制造量子点的光致发光(PL)光谱。
2.紫外-可见(UV-Vis)光谱法分析和光密度的测量
(1)使用Agilent Cary 5000分光光度计进行UV-Vis光谱法分析。
(2)对于通过如下过程制备的分散体通过使用UV-Vis分光光度计在约 450nm的波长下测量光密度(强度(a.u.))：
向在壳形成反应后获得的粗溶液添加至少三倍体积的乙醇，和使所得产 物经历离心，并将由其收取的沉淀物在甲苯或己烷中再分散。再次地，向再 分散的溶液添加至少三倍体积的乙醇，然后使所得产物经历离心，并将由其 收取的沉淀物再次在乙酸环己酯(CHA)中分散以得到CHA分散体，然后将 其用100倍体积的CHA稀释(1/100稀释的分散体)。
3.电感耦合等离子体(ICP)分析
使用Shimadzu ICPS-8100进行电感耦合等离子体原子发射光谱法 (ICP-AES)分析。
4.蓝色光吸收和光电转换
使用积分球，测量光源的蓝色光的光量(B)，然后，对于放置在该积分 球中的所给QD复合物，将来自光源的蓝色光(450nm)照射至所述复合物， 并且测量从所述复合物发射的转换光(例如，绿色光或红色光)的量(A)和通过 所述复合物的蓝色光的量(B')。由测量的值，如下度量光电转换率和蓝色光 吸收比：
光电转换率(QE)＝A/B×100(％，以百分比表示)
蓝色光吸收比＝(B-B')/B×100(％，以百分比表示)。
5.热重分析
通过使用TGA Q5000 V3.17 Build 265进行热重分析(TGA)。
实施例1：
1.分别地将硒和碲分散在三辛基膦(TOP)中以获得0.4摩尔浓度(M) Se/TOP原液和0.5M Te/TOP原液。然后，制备包括如下的混合溶液：所述 Te/TOP原液、包括油胺的有机配体、和氢化铝锂。
在300毫升(mL)反应烧瓶中，将0.9毫摩尔(mmol)乙酸锌和油酸溶解在 十八碳烯中。将反应混合物(烧瓶)在真空下在120℃下加热。在120℃下1 小时之后，将烧瓶中的气氛置换为惰性气体，并且将反应烧瓶加热至300℃。
向加热的反应烧瓶注入所述Se/TOP原液和所述混合溶液以进行芯形成 反应，所述反应在10分钟内完成。
将反应混合物冷却至室温，然后添加丙酮以促进沉淀物的形成，将所述 沉淀物经由离心分离以提供ZnTeSe芯。然后将ZnTeSe芯分散在甲苯中。
2.将硫分散在三辛基膦(TOP)中以获得1摩尔浓度(M)S/TOP原液。在 300mL反应烧瓶中，将乙酸锌和棕榈酸溶解在三辛基胺中，然后将混合物 在真空下在120℃下加热1小时以获得锌前体。然后，将包括所述锌前体的 烧瓶中的气氛置换为惰性气氛，将烧瓶加热至250℃或更高。
向加热的反应体系添加所制备的ZnTeSe芯和所述Se/TOP原液以进行 在所述芯上用于形成ZnSe层(约3个单层(ML))的反应。然后，向反应体系 添加所述S/TOP原液和所述锌前体以进行反应，形成ZnS层(具有通过 ICP-AES确认的约0.1个ML的厚度)。
在反应完成之后，将反应体系冷却至室温，并且向其添加丙酮以产生沉 淀，经由离心从其收取ZnTeSe/ZnSe/ZnS量子点。将所获得的量子点分散在 有机溶剂(例如，氯仿、甲苯、或乙酸环己酯(CHA))中。
对于所获得的量子点，进行光致发光光谱法分析。证实，由此获得的量 子点以小于或等于40nm的半宽度和大于或等于60％的量子产率发射绿色 光。
对于所述量子点的CHA分散体，进行UV-Vis吸收光谱法分析，并且结 果示于表1中。所述量子点的尺寸为约4.9nm。
对于所获得的量子点，进行热重分析，并且结果示于图6中。在热降解 之后，所述量子点的TGA残留物为约71.5％，基于所述量子点的总重量。
3.将所制备量子点的氯仿溶液与作为甲基丙烯酸、甲基丙烯酸苄酯、甲 基丙烯酸羟乙酯、和苯乙烯的四元共聚物(酸值：130毫克(mg)KOH/克(mg KOH/g)，分子量：8,000g/mol，丙烯酸:甲基丙烯酸苄酯:甲基丙烯酸羟乙酯: 苯乙烯(摩尔比)＝61.5:12:16.3:10.2)的粘合剂聚合物的溶液(溶剂:丙二醇单 甲基醚乙酸酯，PGMEA，30重量百分比(重量％)的浓度)混合，以形成量子 点-粘合剂分散体。
向所制备的量子点-粘合剂分散体添加具有以下结构的六丙烯酸酯(作为 可光聚合单体)、乙二醇二-3-巯基丙酸酯(下文中，2T，作为多硫醇化合物)、 肟酯化合物(作为引发剂)、具有约200nm的平均尺寸的TiO2细颗粒、和 PGMEA(作为溶剂)以获得组合物。
Figure BDA0003307794390000491
其中
Figure BDA0003307794390000492
基于总固含量，所制备的组合物包括40重量％的量子点、12.5重量％的 所述粘合剂聚合物、25重量％的2T、12重量％的所述可光聚合单体、0.5重 量％的所述光引发剂、和10重量％的所述金属氧化物细颗粒。总固含量为约 25％。
将所获得的组合物在玻璃基板上以150转/分钟(rpm)旋涂5秒(s)以提供 膜。将所获得的膜在100℃下预烘烤(PRB)。将经预烘烤的膜在具有预定图 案(例如，方形点或条纹图案)的掩模下暴露于光(波长：365纳米(nm)，强度： 100毫焦，mJ)达1秒(s)(EXP)，并且用氢氧化钾水溶液(浓度：0.043重量％) 显影50秒以获得量子点聚合物复合物的图案。
将所获得的图案在氮气气氛下在180℃的温度下热处理30分钟(POB)。
对于所获得的复合物膜，进行光致发光光谱法分析、UV-Vis吸收光谱 法、和ICP分析，并且结果示于表2和表3中。
实施例2和实施例3：
1.以与实施例1中相同的方式制备量子点，除了如下之外：将ZnSe层 改变为2个ML(对于实施例2)和1个ML(对于实施例3)，并且调节硫前体 的量以获得如表1中所示的ZnS层的厚度。所述量子点的尺寸为约4.8nm(对 于实施例2)和约4.6nm(对于实施例3)。
对于所获得的量子点，进行光致发光光谱法分析。所述量子点以小于或 等于40nm的半宽度和大于或等于50％的量子产率发射绿色光。
对于所述量子点的CHA分散体，进行UV-Vis吸收光谱法分析，并且其 结果示于表1中。
对于所获得的量子点，进行热重分析。在热降解之后，所述量子点的 TGA残留物分别为约69％(对于实施例2)和72％(对于实施例3)，基于所述量 子点的总重量。
对于所获得的复合物膜，进行ICP分析。在实施例2和实施例3中制备 的量子点复合物中，锌、碲、硒、和钛的总量为约37重量％和约34重量％， 基于所述复合物的总重量，如通过电感耦合等离子体原子发射光谱法测定 的。
2.对于实施例2和实施例3，使用所述量子点氯仿分散体各自以与实施 例1中阐述的相同方式制备量子点复合物图案。对于所获得的复合物膜，进 行光致发光光谱法分析和UV-Vis吸收光谱法，并且其结果示于表2中。 对比例1：
在200毫升(mL)反应烧瓶中将乙酸铟和棕榈酸溶解于1-十八碳烯中，在 120℃下经历真空状态1小时。铟对棕榈酸的摩尔比为1:3。将烧瓶中的气氛 交换成N2。在将反应烧瓶加热至280℃之后，快速注入三(三甲基甲硅烷基) 膦(TMS3P)和三辛基膦(TOP)的混合溶液，并且反应进行预定时间(例如，约 20分钟)。然后将反应混合物快速冷却至室温，并且向其添加丙酮以产生纳 米晶体，然后将所述纳米晶体通过离心而分离并且分散在甲苯中以获得InP 芯纳米晶体的甲苯分散体。按照1摩尔的铟，TMS3P的量为约0.75摩尔。
分别将硒和硫分散在三辛基膦(TOP)中以获得Se/TOP原液和S/TOP原 液。
在200mL反应烧瓶中，将乙酸锌和油酸溶解于三辛基胺中，并且使溶 液在120℃下经历真空10分钟。将反应烧瓶中的气氛置换为N2。在将所得 溶液加热至约320℃时，向其注入所制备InP半导体纳米晶体的甲苯分散体 并且将所述Se/TOP原液、所述S/TOP原液、任选地以及乙酸锌经三小时注 入反应烧瓶中，并且反应进行。
向包括芯/多壳量子点的最终反应混合物添加过量乙醇，然后将其离心。 在离心之后，将上清液丢弃，并将沉淀物干燥且分散在氯仿中以获得 InP/ZnSe/ZnS量子点溶液(下文中，QD溶液)。
对于所述量子点的CHA分散体，进行UV-Vis吸收光谱法分析，并且其 结果示于表1中。
对于对比例1，使用所述量子点氯仿分散体以与实施例1中阐述的相同 方式制备量子点复合物图案。对于所获得的复合物膜，进行光致发光光谱法 分析和UV-Vis吸收光谱法，并且其结果示于表2中。
对比例2：
1.以与实施例1中相同的方式制备量子点，除了如下之外：在壳形成期 间使用十八碳烯作为有机溶剂并且将ZnSe层改变为1个ML。
对于所述量子点的CHA分散体，进行UV-Vis吸收光谱法分析，并且其 结果示于表1中。
对于所获得的量子点，进行热重分析，并且其结果示于图7中。在热降 解之后，所述量子点的TGA残留物为约15.8％，基于所述量子点的总重量。
2.使用所述量子点氯仿分散体以与实施例1中阐述的相同方式制备量 子点复合物图案。对于所获得的复合物膜，进行光致发光光谱法分析、UV-Vis 吸收光谱法、和ICP分析，并且其结果示于表2和表3中。
表1
Figure BDA0003307794390000511
结果显示，实施例的量子点呈现改善的光密度。
表2
Figure BDA0003307794390000512
Figure BDA0003307794390000521
结果显示，实施例的量子点呈现改善的吸收。
表3
Figure BDA0003307794390000522
实验实施例1
以与实施例1中相同的方式制备包括ZnTeSe/ZnSe/ZnS的量子点的量子 点复合物，除了如下之外：改变碲相对于钛的量(重量/重量)，并且对于所述 复合物各自测量蓝色光吸收。结果示于图8和表4中。
表4
Te/Ti(重量比,wt/wt) 吸收比％
0.15 53
0.22 54
0.39 62
0.81 78
0.86 72
1.76 86
2.39 92
2.44 92
2.78 93
2.89 94
3.01 92
图8和表4的结果证实，实施方式的量子点复合物可显示例如呈现改善 的蓝色光吸收。
虽然已经结合当前被认为是实践性实例实施方式的内容描述了本公开 内容，但是应理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，意图涵盖 包括在所附权利要求的精神和范围内的多种改变和等同布置。

Claims (21)

1.量子点复合物，包括
基体；和
分散在所述基体中的多个量子点和氧化钛颗粒，
其中所述量子点包括锌、硒、和碲，
其中所述量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，和
其中在所述量子点复合物中，碲相对于钛的重量比大于或等于1.5:1且小于或等于10:1。
2.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述基体包括有机溶剂、可聚合单体、交联聚合物、线型聚合物、或其组合。
3.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述量子点和所述氧化钛颗粒在所述基体中互混。
4.如权利要求1所述的量子点复合物，其中在所述量子点复合物中，锌相对于钛的重量比大于或等于4:1且小于或等于11.4:1。
5.如权利要求1所述的量子点复合物，其中在所述量子点复合物中，碲相对于硒的摩尔比大于或等于0.1:1。
6.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述量子点复合物不包括磷化铟、磷化铟锌、或其组合。
7.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述量子点包括包含锌、硒、和碲的第一半导体纳米晶体，和不同于所述第一半导体纳米晶体并且包括硒、硫、或其组合的锌硫属化物。
8.如权利要求1所述的量子点复合物，其中在所述量子点复合物中，锌、碲、硒、硫和钛的总量大于或等于30重量％，基于所述复合物的总重量，通过电感耦合等离子体原子发射光谱法测定。
9.如权利要求1所述的量子点复合物，其中在所述量子点复合物中，碲的量大于或等于1.5重量％，基于所述复合物的总重量。
10.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述氧化钛颗粒具有大于或等于100纳米且小于或等于500纳米的平均颗粒尺寸。
11.如权利要求1所述的量子点复合物，其中在所述量子点复合物中，钛的量大于或等于1重量％，基于所述量子点复合物的总重量。
12.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述量子点复合物配置成发射具有拥有小于或等于40纳米的半宽度的最大发光峰的绿色光。
13.如权利要求1所述的量子点复合物，其中所述量子点复合物具有大于或等于88％的对于蓝色光的吸收比。
14.显示器件，包括
发光元件、和任选地光源，
其中所述发光元件包括如权利要求1-13任一项所述的量子点复合物。
15.电子器件，包括
具有彼此相对的表面的第一电极和第二电极；以及
设置在所述第一电极和第二电极之间的包括如权利要求1-13任一项所述的量子点复合物的活性层。
16.量子点，包括锌、碲、和硒，
其中所述量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，
其中在所述量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于或等于0.15:1，
其中所述量子点配置成发射绿色光，和
其中在热重分析中，所述量子点显示在大于或等于500℃且小于或等于600℃的温度下的大于或等于60重量％的剩余质量，基于所述量子点的总重量。
17.如权利要求16所述的量子点，其中所述量子点呈现大于或等于300℃的5％重量损失温度。
18.如权利要求16所述的量子点，其中所述量子点包括有机配体，并且所述有机配体包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、RH2PO、R2HPO、R3PO、RH2P、R2HP、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH、聚合物型有机配体、或其组合，其中R和R'相同或不同，并且独立地为取代或未取代的C1-C40脂族烃基团或者取代或未取代的C6-C40芳族烃基团、或其组合。
19.如权利要求16所述的量子点，其中所述绿色光或所述量子点的最大发光峰波长大于或等于525纳米。
20.如权利要求16所述的量子点，其中所述量子点显示小于或等于40纳米的半宽度和大于或等于50％的量子产率。
21.制备如权利要求1-13任一项所述的量子点复合物的方法，所述方法包括
将包括锌、硒、和碲的量子点，分散剂和溶剂组合以制备量子点分散体；
将所述量子点分散体与氧化钛颗粒、光引发剂、以及可聚合单体混合以形成组合物；和
将所述组合物暴露于光以使所述可聚合单体聚合，形成包括所述量子点和氧化钛颗粒的基体，和制备所述量子点复合物。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240123468A (ko) * 2023-02-06 2024-08-14 삼성디스플레이 주식회사 양자점-함유 복합체, 이를 포함한 양자점 조성물 및 이를 포함한 전자 장치

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
ATE457373T1 (de) 2001-07-30 2010-02-15 Univ Arkansas Verfahren zur herstellung von kolloidale nanokristalle in nicht koordinierenden lösungsmitteln
US7192795B2 (en) 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
KR101165100B1 (ko) 2005-12-01 2012-07-12 삼성전자주식회사 다층구조 나노결정의 제조방법
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
KR100871961B1 (ko) 2007-04-17 2008-12-08 삼성전자주식회사 포스파이트 화합물을 이용한 인화 금속 나노결정의제조방법 및 나노 결정 코아의 패시베이션 방법
WO2009011922A1 (en) 2007-07-18 2009-01-22 Qd Vision, Inc. Quantum dot-based light sheets useful for solid-state lighting
KR101460155B1 (ko) 2008-01-15 2014-11-10 삼성전자주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정 디스플레이 장치
US20120113671A1 (en) 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
CN103228983A (zh) 2010-11-10 2013-07-31 纳米系统公司 量子点薄膜、照明器件及照明方法
KR101702000B1 (ko) 2011-10-21 2017-02-03 삼성전자 주식회사 반도체 나노결정-고분자 복합입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 복합체 필름 및 광전자 소자
KR20140032811A (ko) 2012-09-07 2014-03-17 삼성전자주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정 디스플레이 장치
KR101686713B1 (ko) * 2014-12-08 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
US10983433B2 (en) 2015-08-21 2021-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof, and quantum dot polymer composite prepared therefrom
US20180119007A1 (en) 2016-04-26 2018-05-03 Nanosys, Inc. Stable inp quantum dots with thick shell coating and method of producing the same
CA3021763A1 (en) 2016-04-26 2017-11-02 Nanosys, Inc. Stable inp quantum dots with thick shell coating and method of producing the same
KR102395049B1 (ko) 2017-10-25 2022-05-04 삼성전자주식회사 반도체 나노결정 입자 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는 소자
US10619096B2 (en) 2018-01-11 2020-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Population of quantum dots and a composition including the same
US10954440B2 (en) 2018-03-09 2021-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
US10851297B2 (en) 2018-07-10 2020-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition, patterned film, and electronic device including the same
EP3656833A1 (en) 2018-11-23 2020-05-27 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dots, compositions and composites including the same, and electronic device including the same
US11740495B2 (en) 2018-11-29 2023-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
CN109401754B (zh) 2018-12-04 2021-06-01 宁波纳鼎新材料科技有限公司 一种具有高蓝光吸收率的量子点及其制备方法
KR20200087715A (ko) 2019-01-11 2020-07-21 삼성전자주식회사 코어쉘 양자점 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102718274B1 (ko) * 2019-08-30 2024-10-15 삼성전자주식회사 양자점, 양자점의 제조 방법, 및 양자점을 포함하는 소자

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