CN114369876A - 一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法 - Google Patents

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唐宝国
张九勤
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    • C30B33/08—Etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

本发明公开了一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，涉及到喷淋方法的技术领域，包括：步骤1：将晶体放置于腔体内，将所述晶体夹持；步骤2：控制喷淋装置升降至起始位置；步骤3：通过主旋转电机驱动所述喷淋装置由所述起始位置移动至腔体位置；步骤4：所述主旋转电机释放信息给次旋转电机；步骤5：所述次旋转电机从所述腔体内侧位置至晶体外缘做往复运动，用于驱动所述喷淋装置。短行程摆幅的设计确保有效地喷淋位置对应于晶圆外缘；调整喷淋的角度调整，专门对应于晶圆的扫描喷淋在晶圆外缘相对位置与高度；可以自旋转的喷淋角度移动，微量超短行程的交错喷淋装置。

Description

一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法
技术领域
本发明涉及到喷淋方法的技术领域，尤其涉及到一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法。
背景技术
在进行晶圆清洗或是蚀刻反应通常对应不同形态或是微结构，尤其是晶圆叠层的状态下，需要进行阶梯化的清洗或是湿法工艺动作与单片式清洗动作以及对应的模组装置进行优化与调整，方可对应于阶梯化的晶圆微结构进行有效地清洗与湿法工艺执行成效。
而现有的多数只对晶体的上端进行喷淋，使得反应不均匀，使用很不方便。
发明内容
本发明的目的在于提供一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，用于解决上述技术问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，包括以下步骤：
步骤1：将晶体放置于腔体内，将所述晶体夹持；
步骤2：控制喷淋装置升降至起始位置；
步骤3：通过主旋转电机驱动所述喷淋装置由所述起始位置移动至腔体位置；
步骤4：所述主旋转电机释放信息给次旋转电机；
步骤5：所述次旋转电机从所述腔体内侧位置至晶体外缘做往复运动，用于驱动所述喷淋装置。
作为优选，所述主旋转电机与所述次旋转电机结合于同一集成旋转轴上。
作为优选，所述次旋转电机可对喷淋装置进行微量的摆荡。
作为优选，所述主旋转电机的工作流程及位置变化依次为：起始位置、腔体外侧相对位置、电机切换至所述腔体内侧相对位置以及晶体外缘。
作为优选，所述次旋转电机的位置变化由所述腔体内侧的相对位置至所述晶体外缘做往复运动。
作为优选，所述次旋转电机在所述腔体内侧的相对位置与所述晶体外缘来回摆动。
作为优选，所述主旋转电机与所述次旋转电机均连接控制器，所述控制器用于控制所述主旋转电机与所述次旋转电机。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本申请的实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法短行程摆幅的设计确保有效地喷淋位置对应于晶圆外缘；调整喷淋的角度调整，专门对应于晶圆的扫描喷淋在晶圆外缘相对位置与高度；可以自旋转的喷淋角度移动，微量超短行程的交错喷淋装置；晶圆的旋转升降与喷淋组件的超短程摆动可以良好的差比相位衔接，增加了清洗的效率；对应于晶圆旋转可以进行多段的旋转，搭配喷淋的短幅摆荡有效地集中喷淋位置。
附图说明
图1是本发明的实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1是本发明的实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法的流程图，请参见图1所示，示出了一种较佳的实施例，示出的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，包括：以下步骤：
步骤1：将晶体放置于腔体内，将晶体夹持；
步骤2：控制喷淋装置升降至起始位置；
步骤3：通过主旋转电机驱动喷淋装置由起始位置移动至腔体位置；
步骤4：主旋转电机释放信息给次旋转电机；
步骤5：次旋转电机从腔体内侧位置至晶体外缘做往复运动，用于驱动喷淋装置。
进一步，作为一种较佳的实施方式，将喷淋装置移动在腔体内侧与晶圆外缘接触的相位移动范围内需要进行微量的摆荡故需要额外的转动结构，额外的转动结构为两段式的转动机制,其配置两段式的旋转电机配置一为主旋转驱动电机二为短幅摆荡电机，并将主旋转驱动电机与短幅摆荡电机集中于一集成旋转轴上，主旋转驱动电机包括主旋转电机，短幅摆荡电机包括次旋转电机。主旋转电机与次旋转电机结合于同一集成旋转轴上。次旋转电机可对喷淋装置进行微量的摆荡。
进一步，作为一种较佳的实施方式，主旋转电机的工作流程及位置变化依次为：起始位置、腔体外侧相对位置、电机切换至腔体内侧相对位置以及晶体外缘。先由起始位置至腔体外侧相对位置，然后再到电机切换至腔体内侧相对位置，最后再到晶体外缘的位置。当到达晶圆位置之后，主旋转电机再回到起始位置。然后重复上述动作直至工作完成即可。
进一步，作为一种较佳的实施方式，次旋转电机的位置变化由腔体内侧的相对位置至晶体外缘做往复运动。次旋转电机在腔体内侧的相对位置与晶体外缘来回摆动。进行超短幅的管件扫描摆动机制确保晶圆阶梯下清洗工艺。短行程摆幅的设计确保有效地喷淋位置对应于晶圆外缘。
进一步，作为一种较佳的实施方式，主旋转电机与次旋转电机均连接控制器，控制器用于控制主旋转电机与次旋转电机。控制器用于控制主旋转电机以及及次旋转电机的旋转及运动。
在另一较佳的实施例中，还包括清洗腔体以及设于清洗腔体内的晶体承载平台，晶体放在晶体承载平台上并通过晶体承载平台控制晶体的旋转。而喷淋装置包括喷头以及与喷头连接的进液管，将喷头设置在晶体的边缘及清洗腔体之间，且喷头可以在清洗腔体与晶体的边缘之间进行微量摆荡，配合晶体的旋转可以互相调节喷淋仅在晶体外缘。其次，喷头可以呈倾斜设置，具体的倾斜角度可以根据需要进行选择，例如喷头的轴线与晶体中心法线的夹角为60-80°，能够将酸蚀刻液精确喷洒至晶体上的台阶结构的台阶面上。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将晶体放置于腔体内，将所述晶体夹持；
步骤2：控制喷淋装置升降至起始位置；
步骤3：通过主旋转电机驱动所述喷淋装置由所述起始位置移动至腔体位置；
步骤4：所述主旋转电机释放信息给次旋转电机；
步骤5：所述次旋转电机从所述腔体内侧位置至晶体外缘做往复运动，用于驱动所述喷淋装置。
2.如权利要求1所述的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，所述主旋转电机与所述次旋转电机结合于同一集成旋转轴上。
3.如权利要求1所述的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，所述次旋转电机可对喷淋装置进行微量的摆荡。
4.如权利要求1所述的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，所述主旋转电机的工作流程及位置变化依次为：起始位置、腔体外侧相对位置、电机切换至所述腔体内侧相对位置以及晶体外缘。
5.如权利要求1所述的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，所述次旋转电机的位置变化由所述腔体内侧的相对位置至所述晶体外缘做往复运动。
6.如权利要求1所述的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，所述次旋转电机在所述腔体内侧的相对位置与所述晶体外缘来回摆动。
7.如权利要求1所述的一种实现梯度结构的蚀刻反应的喷淋方法，其特征在于，所述主旋转电机与所述次旋转电机均连接控制器，所述控制器用于控制所述主旋转电机与所述次旋转电机。
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Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103506340A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 北京七星华创电子股份有限公司 一种喷淋装置
US20150209834A1 (en) * 2012-12-14 2015-07-30 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Swing spray device of cleaning apparatus and cleaning method
CN105006424A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 上海集成电路研发中心有限公司 单片式湿法清洗方法
CN108878319A (zh) * 2018-06-22 2018-11-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台
CN111045299A (zh) * 2020-01-02 2020-04-21 长江存储科技有限责任公司 一种显影洗边设备和显影洗边方法
CN111081585A (zh) * 2018-10-18 2020-04-28 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋装置及清洗设备
CN111696900A (zh) * 2020-06-29 2020-09-22 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种晶圆基板的清洗装置及方法
US20200411346A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing apparatus for semiconductor device
CN112735987A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 至微半导体(上海)有限公司 一种可将供酸效率化的单晶圆清洗设备
CN112786492A (zh) * 2020-12-30 2021-05-11 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种晶圆清洗用的喷射设备和晶圆清洗方法
CN113005455A (zh) * 2021-04-21 2021-06-22 昆山一鼎工业科技有限公司 在线往复式蚀刻喷淋装置
CN113327873A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 华海清科股份有限公司 一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
CN214254372U (zh) * 2021-04-09 2021-09-21 四川蜀汉智博科技有限公司 一种tft基板喷淋刻蚀装置
CN113703291A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 长春长光圆辰微电子技术有限公司 一种显影模块及显影方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103506340A (zh) * 2012-06-29 2014-01-15 北京七星华创电子股份有限公司 一种喷淋装置
US20150209834A1 (en) * 2012-12-14 2015-07-30 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. Swing spray device of cleaning apparatus and cleaning method
CN105006424A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 上海集成电路研发中心有限公司 单片式湿法清洗方法
CN108878319A (zh) * 2018-06-22 2018-11-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种旋转蚀刻装置及湿法刻蚀机台
CN111081585A (zh) * 2018-10-18 2020-04-28 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋装置及清洗设备
US20200411346A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing apparatus for semiconductor device
CN111045299A (zh) * 2020-01-02 2020-04-21 长江存储科技有限责任公司 一种显影洗边设备和显影洗边方法
CN111696900A (zh) * 2020-06-29 2020-09-22 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种晶圆基板的清洗装置及方法
CN112786492A (zh) * 2020-12-30 2021-05-11 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种晶圆清洗用的喷射设备和晶圆清洗方法
CN112735987A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 至微半导体(上海)有限公司 一种可将供酸效率化的单晶圆清洗设备
CN214254372U (zh) * 2021-04-09 2021-09-21 四川蜀汉智博科技有限公司 一种tft基板喷淋刻蚀装置
CN113005455A (zh) * 2021-04-21 2021-06-22 昆山一鼎工业科技有限公司 在线往复式蚀刻喷淋装置
CN113327873A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 华海清科股份有限公司 一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
CN113703291A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 长春长光圆辰微电子技术有限公司 一种显影模块及显影方法

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