CN114318230B - 在有机胶层上形成含银金属层的方法 - Google Patents

Abstract

一种在有机胶层上形成含银金属层的方法。该方法包括：在基板上提供有机胶层；以及在含氧环境下将含银金属作为靶材执行溅射工艺，以在所述有机胶层上形成含银金属层。在含氧环境下将所述含银金属作为靶材执行溅射工艺包括：在整个所述溅射工艺中持续通入氧气并且控制所述氧气的流量，使得所述有机胶层表面的有机物杂质与氧元素发生反应并从所述有机胶层表面脱离。本公开提供的方法可提高有机胶层的表面能，从而在几乎不影响溅射率的情况下有效改善有机胶层与含银金属层之间的附着力。

Description

在有机胶层上形成含银金属层的方法

技术领域

本公开的实施例涉及一种在有机胶层上形成含银金属层的方法。

背景技术

在诸如显示基板和触控基板的基板制备过程中，通常需要通过溅射、旋涂、印刷、蒸镀等工艺在衬底或膜层结构上提供金属膜层，随后由金属膜层通过例如图案化工艺形成诸如发光元件、触控元件、驱动元件、布线等的金属图案。

金属膜层与其承载物之间的附着力会影响后续图案化工艺的执行，并最终影响所形成的金属图案以及包含该金属图案的基板的性能。因此，如何提高金属膜层与其承载物之间的上述附着力已成为基板上金属图案制备工艺中亟待解决的问题。

发明内容

本公开的至少一个实施例提供了一种在有机胶层上形成含银金属层的方法，其可在不明显影响溅射率的情况下改善含银金属层与有机胶层之间的附着力，从而提高包含该含银金属层的基板的性能。

为实现上述目的，本公开的实施例采取以下技术方案。

本公开的实施例提供了一种在有机胶层上形成含银金属层的方法，包括：

在基板上提供有机胶层；以及

在含氧环境下将含银金属作为靶材执行溅射工艺，以在所述有机胶层上形成含银金属层，其中，

在含氧环境下将所述含银金属作为靶材执行溅射工艺包括：

在整个所述溅射工艺中持续通入氧气并且控制所述氧气的流量，使得所述有机胶层表面的有机物杂质与氧元素发生反应并从所述有机胶层表面脱离。

在一些示例中，所述氧气的流量被控制为大于0SCCM并且小于或等于10SCCM。

在一些示例中，所述氧气的流量被控制为大于或等于5SCCM并且小于或等于10SCCM。

在一些示例中，在所述溅射工艺中，同时通入氧气和惰性气体，且所述氧气的流量和所述惰性气体的流量被独立控制。

在一些示例中，所述有机胶层包括丙烯酸胶层，并且所述在基板上提供有机胶层包括：

在所述基板上涂覆液态有机胶材料；以及

通过紫外光(UV)照射而固化所述液态有机胶材料，以形成所述丙烯酸胶层。

在一些示例中，通过旋涂工艺在所述基板上涂覆液态有机胶材料。

在一些示例中，所述含银金属包括银钯铜合金。

在一些示例中，在所述基板上提供有机胶层之后并且在含氧环境下将所述含银金属作为靶材执行溅射工艺之前，还包括：

对所述有机胶层执行表面清洁处理。

在一些示例中，所述表面清洁处理包括大气等离子体处理。

在一些示例中，在所述有机胶层上形成所述含银金属层之后，还包括：

对所述基板执行烘焙处理。

在一些示例中，所述烘焙处理在80℃至110℃的温度范围内执行30-60分钟。

在一些示例中，所述基板为显示基板或触控基板。

根据本公开的实施例，通过在溅射工艺中通入惰性气体的过程中同时通入氧气，可以改善有机胶层与溅射形成的金属层之间的附着力，从而可以避免上述因有机胶层与其上的金属层之间的附着力差引起的一系列问题。一般情况下，在有机胶层基底上溅射沉积金属的过程中并不会引入氧气，因为氧气的引入有可能破坏有机胶层基底或者容易与要溅射沉积的金属发生反应。然而，根据本公开的实施例则通过在溅射过程中引入氧气，能够提高沉积金属与有机胶层基底之间的附着力，而不会影响或不会过多影响其他方面的性能。同时，通过控制氧气流量来抑制因氧含量可能带来的弊端，能够明显提高溅射形成的金属层在有机胶层上的附着力，而在很大程度上避免了其他方面性能的劣化。在本公开的实施例的一些示例中，有机胶层与所形成的含银金属层之间的附着力可在ISO 2409测试中达到级别1，并且在ASTM测试中达到等级4B。

附图说明

通过结合附图对本公开实施例进行更详细的描述，本公开的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

图1示出了一种含银金属图案的制备方法的流程图；

图2示出了本公开的实施例提供的一种在有机胶层上形成含银金属层的方法的示意图；

图3示出了本公开的实施例提供的一种在有机胶层上形成含银金属层的方法中使用的真空溅射设备的一个实例的示意图；以及

图4示出了本公开的实施例提供的一种在有机胶层上形成含银金属层的方法的原理示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

与蒸镀工艺相比，溅射工艺易于保证所制备的金属膜层的化学成分与靶材的成分相一致，这是因为不同元素在平衡蒸气压方面的差异较大、而在溅射产额方面的差别较小，并且溅射过程中靶物质处于固态、扩散能力较弱，上述溅射产额之间的差异造成的靶材表面成分的偏离可在随后的溅射过程中实现自动补偿。

在各种金属中，银具有对可见光的高反射性、较高的化学稳定性和较低的电阻率等特征，因此含银金属材料(例如，银浆材料、银合金材料、银复合材料等)被广泛应用于电子设备中基板上金属图案的制备，包括但不限于：发光元件中的反射电极(比如反射阴极)或半透半反膜层。薄膜晶体管中的栅极，纳米金属网格形式的触控电极，包括栅线、数据线等的布线结构，类似焊盘等的电触元件等。

图1示出了一种含银金属图案的制备方法。该方法主要包括：

S101，在基板上提供有机胶层；S102，在真空环境中使用含银金属作为靶材执行溅射工艺以在基板上形成含银金属层；以及S103，通过图案化工艺由含银金属层形成含银金属图案。

本申请的发明人发现，在图1所示的含银金属图案的制备方法的实施过程中，由于有机胶层本身就属于低表面能(难吸附)的膜层，而较之比如铝的金属，金属银不易沉积并粘附，这使得通过溅射工艺获得的含银金属膜层与作为其承载物的有机胶层之间的附着力较弱，进而容易在后续的构图工艺中部分地与有机胶层脱离而造成隆起等现象。上述问题不仅影响构图工艺的精确性，而且影响所形成的金属图案的可靠性以及包含该金属图案的各种功能基板(例如，显示基板或触控基板)的性能。因此，如何改善有机胶层材料、尤其是丙烯酸胶层与含银金属材料之间的附着力成为在诸如丙烯酸胶层上的有机胶层上制备含银金属层的重要研究方向。

进一步地，在研究中，本申请的发明人发现，改善有机胶层与含银金属材料之间的附着力的其中一种方案是提高有机胶层的表面能，材料的表面能越高，与其他材料的附着力越强。

本公开的至少一个实施例提供了一种在有机胶层上形成含银金属层的方法，可以改善有机胶层与含银金属膜层之间的附着力。

图2为根据本申请的实施例的一种在有机胶层上形成含银金属层的方法的流程图。如图2所示，该方法主要包括以下步骤S201-S202。

S201，在基板上提供有机胶层。

根据本公开的实施例，该基板可为玻璃基板、石英基板、硅基板等。本公开实施例对于基板的材料和类型没有特别限制。

在一些示例，该有机胶层可为丙烯酸胶层。

可选地，该丙烯酸胶层可经过紫外照射固化处理。例如，可先在基板上涂覆液态丙烯酸胶材料，然后通过紫外光(UV)照射而固化该液态丙烯酸材料以形成UV丙烯酸胶层。

例如，可通过旋涂工艺涂覆液态丙烯酸胶材料，但本公开的实施例不限于此，本领域技术人员可根据需要选择本领域已知的任意涂覆方法。

例如，可先在基板上涂覆液态丙烯酸胶材料，然后使用紫外光(UV)通过具有特定图案的掩模照射而固化该液态丙烯酸材料，以使得液态丙烯酸材料的特定部分固化而形成图案化的丙烯酸胶层。图案化的丙烯酸胶层可对应于期望形成的特定光学结构。例如，图案化的丙烯酸胶层可形成有诸如柱状透镜的结构以用于三维显示装置的分光光学元件。然而，本公开的实施例不限于此，本领域技术人员可根据实际使用需要选择或设计掩模的图案以形成不同结构的图案化丙烯酸胶层对应的不同功能的光学元件。

根据本公开的实施例，可选地，在步骤S201之前，可对例如丙烯酸胶层的有机胶层表面进行表面清洁处理以移除部分杂质。

例如，上述对有机胶层表面进行的表面清洁处理可以包括大气等离子体清洁处理。大气等离子体清洁处理工艺可以至少部分地去除丙烯酸胶层表面的杂质，从而能够改善后续形成的金属层与有机胶层之间的附着力。

S202，在包含氧气的环境中使用含银金属作为靶材执行溅射工艺，以在有机胶层上形成含银金属层。

根据本公开的实施例，上述步骤S202可包括：在整个溅射工艺中持续通入氧气并且控制氧气的流量，使得有机胶层表面的有机物杂质与氧元素发生反应并从所述有机胶层表面脱离。

需要说明的是，这里有机胶层表面的有机杂质与氧元素发生反应包括有机杂质与没有发生电离的氧原子和带有电荷的氧离子中的任何一种发生反应，本公开的实施例对此没有特别限制。

例如，充当靶材的该含银金属可为银或银合金。银合金例如可为铜银(Cu-Ag)合金、钼银(Mo-Ag)合金、银钯铜(Ag-Pd-Cu)合金等。

例如，可在真空溅射腔中执行上述溅射工艺，该真空溅射腔可为本领域已知技术中执行金属溅射工艺的任意现有溅射设备中的溅射腔，并且该溅射设备设有独立的氧气气室，以在供应常规的溅射用惰性气体之外、还可独立供应氧气并控制氧气的流量。然而，根据本公开的实施例并不限制于此，只要通入溅射腔室的惰性气体和氧气能够独立控制各自的流量即可。

图3示出了可用于实施本申请的实施例提供的方法中的上述溅射工艺的溅射设备的一个示例的示意图。

如图3所示，该真空溅射设备300可包括：溅射腔301、反应空间302、靶材极板3021、基板支撑板3022、氧气进气口303、惰性气体进气口304、排气口305和外接电源306。靶材极板3021和基板支撑板3022可彼此相对地设置在溅射腔301内，以在其间限定反应空间302。靶材极板3021例如作为电离反应中的阴极，其上可固定充当靶材的含银金属材料30210。基板支撑板3022例如作为电离反应中的阳极，其上可固定形成有有机胶层的基板30220作为溅射表面。

尽管未示出，本领域技术人员应理解的是，氧气进气口303和惰性气体进气口304分别连接有彼此独立的氧气气室和惰性气体气室，并且分别设置有气阀，以便于单独控制氧气的流量。例如，氧气和惰性气体的流量均可以独立控制，因此，根据本公开的实施例可以调节氧气和惰性气体之间的流量比率。

在此需要说明的是，尽管图3中示出了氧气进气口303和惰性气体进气口304分别位于溅射腔301的左侧和右侧，但本公开的实施例不限于此。例如，氧气进气口303和惰性气体进气口304也可分别位于溅射腔301右侧和左侧，或者上侧和下侧，等等，只要氧气和惰性气体分别来自独立的气室即可。同样地，尽管图3中示出了靶材极板3021和基板支撑板3022分别设置在溅射腔301的上侧和下侧，但本公开的实施例不限于此，例如靶材极板3021和基板支撑板3022也可分别设置在溅射腔301的下侧和上侧或者左侧和右侧，只要二者相对设置并限定反应空间302即可。

根据本公开的实施例，如图3所示，通过氧气进气口303和惰性气体进气口304分别向处于真空状态的溅射腔301提供氧气和惰性气体(例如氩气)；然后通过外接电源306分别向靶材极板3021和基板支撑板3022提供负电压和正电压以在反应空间302内产生电离效应。氧气和氩气在电离效应下分别转换为等离子态，氧气的等离子态包括气体分子、离子、电子以及电中性的原子或原子团(自由基)，氩气的等离子态包括氩离子。氧元素将与基板支撑板3022上有机胶层表面的有机物杂质发生反应并由此清除有机物杂质，而氩离子将撞击靶材极板3021上的靶材，使含银金属原子从靶材中脱出并最终沉积在有机胶层表面形成含银金属层。

在此过程中，由于氧成分持续与有机胶层表面的有机物杂质发生反应并不断清除有机物杂质，而有机胶层表面杂质越少则越光滑、表面能就越高，其与含银金属材料之间的附着力就越强，含银金属原子将更好地沉积在有机胶层上，所形成的含银金属层与有机胶层之间的附着力得到显著提升。

如图4所示，根据本公开的实施例，氧气在电离效应下生成的等离子态中的自由基、负一价离子和负二价离子的数量远大于正氧离子的数量，自由基和负价离子与作为阳极的基板支撑板上的有机胶层表面的有机物杂质发生反应，使有机物杂质以一氧化碳分子、二氧化碳分子等的形式与有机胶层脱离，并通过排气口305(参见图3)离开溅射腔，从而有效清除有机胶层表面的有机物杂质，提高有机胶层的表面能。而且，可通过气阀(未示出)等方式控制氧气流量，以在尽可能多地清除有机胶层表面的有机物杂质的同时、尽量减少氧气的等离子态中数量极少的正氧离子与阴极的靶材极板上的含银金属靶材发生反应并生成金属氧化物(例如，氧化银等)从而污染所形成的含银金属层表面的几率。

在一些实施例中，本公开提供的在有机胶层上形成含银金属层的方法可使得所形成的含银金属膜层与有机胶层之间的附着力在ISO 2409测试中达到级别1，并且在ASTM测试中达到等级4B。

下面将参照图3和表格1-2描述上述步骤S202中含氧环境下溅射工艺的示范性实施例，以使本领域技术人员更好地理解本公开实施例提供的在有机胶层上形成含银金属层的方法的实施方式和技术效果。在以下实施例的基础上，本领域技术人员可以容易地想到其他各种可行的实施方式。

在本公开的一实施例中，将提供有UV固化的丙烯酸胶层的基板(以下称为UV基材)固定于基板支撑板3022，并将银钯铜(APC)合金材料作为靶材固定于靶材极板3021；使用真空泵(未示出)、通过排气口305从溅射腔301抽取空气，使溅射腔301处于10Pa的真空状态下；通过外接电源向作为阳极的基板支撑板3022提供正电压，向作为阴极的靶材极板3021提供负电压，并且控制电源电压以提供9KW的溅射功率；在整个溅射过程中，分别通过氧气进气口303和惰性气体进气口304向溅射腔301提供氧气和氩气，并且通过气阀(未示出)控制氧气的流量。在溅射过程中，加热关闭。

表格1示出了在相同的基材、靶材、溅射功率和氩气流量下，金属层外观、金属层反射率和金属层附着力三个参数随溅射过程中不同氧气流量的变化。例如，金属层外观可以反映金属层表面的污染，例如，可以反映金属氧化物形成的多少；金属层反射率可以反映溅射效率，金属层的反射率越大，则表面溅射过程的溅射效率越高；金属层附着力则可以反映所形成的金属层与下方的有机胶层之间的附着力大小。例如，表格1中的“UV”表示UV型固化胶，例如，UV固化丙烯酸材料。

如表格1所示，在一些示例中，氧气流量被控制在约5SCCM，可观测到APC金属反射率为83％，相较于未通入氧气的情况(85％)略有下降(无明显影响，可忽略不计)，但所获得的APC金属层与UV基材之间的附着力稳定保持在3B，相较于未通入氧气情况下的0-3B的不稳定状态略有提升，并且APC金属层表面几乎无污染，即，几乎未形成金属氧化物，尤其是氧化银。

如表格1所示，在一些示例中，氧气流量被控制在约10SCCM，可观测到APC金属反射率为82％，相较于未通入氧气的情况(85％)和氧气流量为5SCCM的示例(83％)均略有下降(无明显影响，可忽略不计)，但所获得的APC金属层与UV基材之间的附着力提高至4B，相较于未通入氧气情况下的0-3B和氧气流量为5SCCM的示例下的稳定的3B均有显著提升，并且APC金属层表面几乎无污染，即，几乎未形成金属氧化物，尤其是氧化银。

如表格1所示，在一些示例中，氧气流量被控制在约15SCCM，尽管所获得的APC金属层与UV基材之间的附着力也达到了4B，与氧气流量为10SCCM的实施例持平，并且与未通入氧气的情况(0-3B)和氧气流量为5SCCM的示例(3B)相比有了显著提升，但可观测到APC金属反射率仅为52％，相较于未通入氧气的情况和氧气流量为5SCCM或10SCCM的示例均有了明显下降，严重影响了溅射率。另外，APC金属层表面有了轻微污染，即，形成了少量金属氧化物，尤其是氧化银。

如表格1所示，在一些示例中，氧气流量被控制在约20SCCM，尽管所获得的APC金属层与UV基材之间的附着力也达到了4B，与氧气流量为10SCCM的示例持平，并且与未通入氧气的情况(0-3B)和氧气流量为5SCCM的示例(3B)相比有了显著提升，但可观测到APC金属反射率仅为46％，相较于未通入氧气的情况和氧气流量为5SCCM或10SCCM的示例均有了明显下降，严重影响了溅射率。另外，APC金属层表面有了明显污染，即，形成了大量的金属氧化物，尤其是氧化银。

由此可见，根据本公开的实施例，在相同的基材、靶材、溅射功率和氩气流量下，当在溅射过程中通入氧气时，可以提高溅射所形成的金属层与有机胶层之间的附着力。并且，当氧气流量控制在小于或等于10SCCM的范围内时，几乎不影响溅射率并且几乎不在含银金属层表面生成金属氧化物污染物。尤其氧气流量控制在大于5SCCM并且小于或等于10SCCM的范围内，可在几乎不影响溅射率并且几乎不在含银金属层表面生成金属氧化物污染物的前提下，显著提高所获得的APC金属层与UV基材之间的附着力(在ASTM测试中达到4B级别)。然而，当氧气流量大于10SCCM时，尽管所获得的APC金属层与UV基材之间的附着力有了极大提升(在ASTM测试中达到4B级别)，但溅射率会显著下降，并且APC金属层表面会产生不同程度的污染，不利于最终形成的基板产品的性能。

表格1

表格2示出了在关闭靶材的情况下，不通入氧气和通入氧气两种情况下实验前后丙烯酸胶层的表面水滴角变化。水滴角也叫接触角，是评估固体材料表面自由能的方法之一。固体材料的水滴角或接触角越小，水滴在固体表面就可以越好地润湿；而固体材料的水滴角或接触角越大，水滴在固体表面无法很好地润湿。对于有机胶层上溅射形成金属层的工艺来说，如果作为基底的有机胶层的接触角越小，则意味有机胶层表面自由能越高，使得后续形成的金属层与有机胶层之间的附着力则越大。

如表格2所示，在未通入氧气的情况下，试验前表面水滴角为46°，试验后表面水滴角为43°，试验前后表面水滴角的变化仅为3°。而在氧气流量被控制在约10SCCM的实施例中，可观测到UV基材的表面能在溅射工艺前后有了明显提高，从试验前的46°变为试验后的28°，水滴角差异值达到了18°。因此，与未通入氧气的情况(差异值仅为3°)相比，通入氧气对于UV基板的表面自由能有了显著改善。

由此可见，根据本公开的实施例，当氧气流量被控制在约10SCCM时，UV基材的表面能得到了十分明显的改善，这使得在该条件下打开靶材之后含银金属材料与UV基材之间的附着力得到显著的提高(从3B提升到4B)。

另外，通过对水滴角的示例也可以知道，无论在溅射工艺之前进行的大气等离子体处理和在溅射过程中通入氧气，均可以对于丙烯酸胶层的表面自由能产生影响，从而能够从整体上提高有机胶层与其上形成的金属层之间的附着力。

表格2

应理解的是，以上实施例中涉及的基材、靶材、功率等均为示例性的，本公开的实施例不限于此，只要将氧气流量控制在10SCCM或以下即可。而且，应理解的是，为避免混淆或模糊本公开的实施例的技术方案，以上实施例中省略了部分工艺参数，例如氩气的流量等，其可由本领域技术人员根据具体需要进行相应的设计和选择，在此不做赘述。

根据本公开的一些实施例，在以上步骤S202之后，还可包括：S203，对所述基板执行烘焙处理。

例如，上述烘焙处理可在烘焙炉中进行，也可以直接在溅射腔中通过改变溅射腔室的温度进行。

表格3示出了一些实施例中在不同的烘焙温度和烘焙时间的情况下，有机胶层与金属层之间的附着力的变化。如表格3所示，在使用UV基材和APC金属靶材的实施例中，当烘焙处理在温度80℃或110℃下执行30分钟后，所形成的APC金属图形与UV基材之间的附着力可达到3-4B或4-5B，并且APC金属层表面几乎无氧化。烘焙温度过低、烘焙时间过短或者烘焙温度过高要么会影响附着力、要么会影响APC金属层外观。例如，同样是烘焙温度80℃，但执行时间仅为3分钟时，附着力仅为2-3B；当烘焙温度提升至150℃，即使同样执行30分钟，尽管附着力也可达到4-5B，APC金属层外观将会有轻微氧化。因此，在本公开的实施例中，通过将金属层形成在有机胶层上的结构在80℃至110℃的温度范围内进行烘焙，可以起到增强附着力的效果。例如，烘焙时间可以为约30-60分钟。

表格3

实验条件

基材

金属材料

烘烤温度

烘烤时间

附着力

外观

0

UV

APC

/

/

2-3B

无问题

1

UV

APC

80℃

3min

2-3B

无问题

2

UV

APC

80℃

30min

3-4B

无问题

3

UV

APC

110℃

30min

4-5B

无问题

4

UV

APC

150℃

30min

4-5B

5％氧化

根据本公开的实施例，通过在溅射工艺中通入惰性气体的过程中同时通入氧气，可以改善有机胶层与溅射形成的金属层之间的附着力，从而可以避免上述因有机胶层与其上的金属层之间的附着力差引起的一系列问题。一般情况下，在有机胶层基底上溅射沉积金属的过程中并不会引入氧气，因为氧气的引入有可能破坏有机胶层基底或者容易与要溅射沉积的金属发生反应。然而，根据本公开的实施例则通过在溅射过程中引入氧气，能够提高沉积金属与有机胶层基底之间的附着力，而不会影响或不会过多影响其他方面的性能。同时，通过控制氧气流量来抑制因氧含量可能带来的弊端，能够明显提高溅射形成的金属层在有机胶层上的附着力，而在很大程度上避免了其他方面性能的劣化。

本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

除非另有定义，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

以上是对本发明的说明，而不应被认为是对其的限制。尽管描述了本发明的若干示例性实施例，但本领域技术人员将容易地理解，在不背离本发明的新颖教学和优点的前提下可以对示例性实施例进行许多修改。因此，所有这些修改都意图包含在权利要求书所限定的本发明范围内。应当理解，上面是对本发明的说明，而不应被认为是限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改意图包含在所附权利要求书的范围内。本发明由权利要求书及其等效物限定。

Claims (12)

1.一种在有机胶层上形成含银金属层的方法，包括：

在基板上提供有机胶层；以及

在含氧环境下将含银金属作为靶材执行溅射工艺，以在所述有机胶层上形成含银金属层，其中，

在含氧环境中将所述含银金属作为靶材执行溅射工艺包括：

在整个所述溅射工艺中持续通入氧气并且控制所述氧气的流量，使得所述有机胶层表面的有机物杂质与氧元素发生反应并从所述有机胶层表面脱离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述氧气的流量被控制为大于0SCCM并且小于或等于10SCCM。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述氧气的流量被控制为大于或等于5SCCM并且小于或等于10SCCM。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在所述溅射工艺中，同时通入氧气和惰性气体，且所述氧气的流量和所述惰性气体的流量被独立控制。

5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述有机胶层包括丙烯酸胶层，并且所述在基板上提供有机胶层包括：

在所述基板上涂覆液态有机胶材料；以及

通过紫外光(UV)照射而固化所述液态有机胶材料，以形成所述丙烯酸胶层。

6.如权利要求5所述的方法，其中，通过旋涂工艺在所述基板上涂覆液态有机胶材料。

7.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述含银金属包括银钯铜合金。

8.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在所述基板上提供有机胶层之后并且在含氧环境下将所述含银金属作为靶材执行溅射工艺之前，还包括：

对所述有机胶层执行表面清洁处理。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述表面清洁处理包括大气等离子体处理。

10.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，在所述有机胶层上形成所述含银金属层之后，还包括：

对所述基板执行烘焙处理。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述烘焙处理在80℃至110℃的温度范围内执行30-60分钟。

12.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述基板为显示基板或触控基板。

Images