CN114316984B - 一种紫外多模响应荧光防伪标签 - Google Patents

一种紫外多模响应荧光防伪标签 Download PDF

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本发明属于无机发光材料领域,涉及一种紫外响应多模荧光防伪标签。一种紫外响应多模荧光防伪标签,防伪标签材料采用KSc3F10为形核剂,采用外延生长溶剂热法制备纳米晶材料。本发明的防伪标签的颜色变化特点易分辨却不易模仿。

Description

一种紫外多模响应荧光防伪标签
技术领域
本发明属于无机发光材料领域,涉及一种紫外响应多模荧光防伪标签。
背景技术
随着时代的进步与国际贸易的快速发展需求,高级别的防伪是抵制假冒伪劣产品的有效途径。荧光防伪标签是将特殊的荧光材料设计成图案或文字,在外界光源激发条件下,通过肉眼或者专业仪器进行识别。相比激光光源,紫外光源不仅安全,而且成本较低,能够在普通环境下规模化使用,因此紫外激发的发光材料是更适用于制作防伪标签。然而能够被紫外激发的材料体系非常多,其光学性能容易被模仿,不能提高防伪的等级。例如在紫外灯照射下,Ce/Mn,发射Mn2+的宽谱带绿光,共掺Ce/Eu呈现窄带红光。
通常情况下,共掺Ce/Tb呈现窄带绿光,是由于Ce3+到Tb3+的高效能量传递,Gd3+离子掺杂能够进一步提高Tb3+荧光效率。事实上,单掺Ce3+离子体系,在紫外激发条件下能够发射蓝光。
发明内容
本发明公开一种紫外响应多模荧光防伪标签,具体是以KSc3F10为形核剂,采用溶剂热法制备K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶,实现基于紫外激发条件下不同颜色调控的荧光防伪。
为实现上述目的,本发明所采取的技术方案是:
一种紫外响应多模荧光防伪标签,防伪标签材料采用KSc3F10为形核剂,采用外延生长溶剂热法制备纳米晶材料。
作为优选,掺杂Bi/Ce/Tb,在不同紫外波段条件下输出不同的颜色。
进一步的,通过掺杂Cs+离子改变晶体场环境,使 Ce3+离子5d能级发生劈裂,形成蓝光发射能级。
进一步的,通过掺杂Bi3+离子使晶格膨胀,降低365nm激发条件下Ce3+离子到Tb3+离子的能量传递效率,产生Ce3+离子强的蓝光发射,而254nm光子能量可以借助Tb3+离子的高能级来填充5D4能级,进而产生4f-4f绿光跃迁波段,形成254nm与365nm激发条件下的不同荧光性能。
进一步的,纳米晶在254nm紫外灯照射下呈绿光,在365nm紫外灯照射下呈蓝光,254nm紫外灯和365nm紫外灯同时照射时呈现蓝绿色。
作为优选,防伪标签材料的化学式是:K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb。
一种紫外响应多模荧光防伪标签的制备方法,依次包括如下步骤:
(1)按摩尔百分比将1毫摩尔硝酸钾,3毫摩尔硝酸钪,15毫摩尔氟化铵,10毫升水与30毫升油酸在150度保温12小时,用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到KSc3F10形核剂;
(2)按摩尔百分比将0.9毫摩尔硝酸钾,0.1毫摩尔乙酸铯,0.2-0.4毫摩尔硝酸铋,0.4-0.8毫摩尔硝酸铈,0.1-0.2毫摩尔硝酸铽,1.6-2.3毫摩尔硝酸钪,10毫升水与30毫升油酸在室温下搅拌30-40分钟,然后加入KSc3F10形核剂,继续搅拌40-60分钟,然后加入含有的12-18毫摩尔氟化铵的水溶液,在室温下搅拌40-60分钟,然后转移到水热釜中,在160-180度保温10-24小时,反应结束后用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶。
采用上述技术方案的一种紫外响应多模荧光防伪标签,采用KSc3F10为形核剂,采用外延生长溶剂热法制备纳米晶材料,通过三掺Bi/Ce/Tb,在不同紫外波段条件下能够输出不同的颜色。荧光防伪标签化学式是K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb,材料结构的主要创新点如下:其一,采用KSc3F10为形核剂,降低K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶的形核生长能垒,获得具有高结晶度的产物;其二,Cs+离子掺杂能够改变晶体场环境,导致Ce3+离子5d能级发生明显的劈裂,形成蓝光发射能级;其三,Bi3+离子掺杂使晶格膨胀,降低365nm激发条件下Ce3+离子到Tb3+离子的能量传递效率,产生Ce3+离子较强的蓝光发射,而254nm光子能量可以借助Tb3+离子的高能级来填充5D4能级,进而产生4f-4f绿光跃迁波段,最终形成254nm与365nm激发条件下的不同荧光性能。材料荧光性能的主要创新点如下:具体特点如下:其一、在254nm紫外灯照射下,材料因较强的Tb3+发光而呈现绿色;b、在365nm紫外灯照射下,材料因较强的Ce3+发光而呈现蓝色;c、在254nm与365nm紫外灯同时照射下,Ce3+与Tb3+同时发光,呈现蓝绿色。此外,本发明的制备方法简单、成本低、产量高,且产物的颜色变化特点易分辨却不易模仿,能够很好地应用于防伪标签。
附图说明
图1:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶的X射线衍射图。
图2:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶的扫描电子显微镜图。
图3:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶在254nm紫外灯激发条件下的发射光谱。
图4:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶在365nm紫外灯激发条件下的发射光谱。
图5:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶在365nm紫外灯激发条件下的荧光强度与Ce3+离子浓度的关系曲线。
图6:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶在365nm紫外灯激发条件下的荧光强度与Tb3+离子浓度的关系曲线。
图7:实施例K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶在254nm与365nm紫外灯同时激发条件下的荧光光谱。
图8:对比例KSc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶在365nm紫外灯激发条件下的发射光谱。
图9:对比例K0.9Cs0.1Sc3F10:Ce/Tb纳米晶在365nm紫外灯激发条件下的发射光谱。
具体实施方式
下面结合图1-9对本专利做进一步的说明。
实施例
一种紫外响应多模荧光防伪标签,化学式是K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb。
K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb的制备方法依次包括如下步骤:(1)将1毫摩尔硝酸钾,3毫摩尔硝酸钪,15毫摩尔氟化铵,10毫升水与30毫升油酸在150度保温12小时,用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到KSc3F10形核剂;(2)将0.9毫摩尔硝酸钾,0.1毫摩尔乙酸铯,0.3毫摩尔硝酸铋,0.6毫摩尔硝酸铈,0.15毫摩尔硝酸铽,1.85毫摩尔硝酸钪,10毫升水与30毫升油酸在室温下搅拌30分钟,然后加入KSc3F10形核剂,继续搅拌60分钟,然后加入含有的15毫摩尔氟化铵的水溶液,在室温下搅拌60分钟,然后转移到水热釜中,在180度保温16小时,反应结束后用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶。
按上述方法制得的K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶,粉末X射线衍射分析表明所合成的产物为纯立方相(图1),产物形状呈球形(图2);在254nm紫外灯激发条件下,纳米晶表现出较强的Tb3+发光(图3),对应于Tb3+离子的4f-4f跃迁;在365nm紫外灯激发条件下,纳米晶表现出较强的Ce3+发光(图4),对应于Ce3+离子的5d-4f跃迁;如图5所示,随着Ce3+离子掺杂浓度从0逐渐增加到20%(摩尔百分比),发光强度逐渐增强,主要是源于高敏化离子浓度提高了入射光的吸收效率,但是Ce3+离子掺杂浓度超过20%,其发光强度开始减弱,主要是源于过高的敏化离子浓度增大了无辐射交叉弛豫几率;如图6所示,随着Tb3+离子掺杂浓度从0逐渐增加到5%(摩尔百分比),发光强度逐渐增强,主要是源于高激活离子浓度提高了入射光的吸收效率,但是Tb3+离子掺杂浓度超过5%,其发光强度开始减弱,主要是源于过高的激活离子浓度增大了无辐射交叉弛豫几率;在254nm与365nm紫外灯同时激发条件下,Ce3+与Tb3+的发光均可以观测到(图7)。
这种不同波长激发条件下呈现不同颜色的发光原理如下:在254nm紫外激发条件下,通过Tb3+离子的高能级传递至5D4能级,进而产生4f-4f绿光跃迁波段,在365nm紫外激发条件下,其Ce:5d1能级位置低于Tb3+离子的高能级,无法实现能量传递,而其与Ce:5d2蓝光发射能级接近,可以发生高效的无辐射弛豫,从而发射蓝光。在254nm与365nm紫外同时激发条件下,上述两种过程均可发生,因为发射蓝绿光。
对比例1
对比例KSc3F10:Bi/Ce/Tb的制备方法与实施例相似,区别在于将步骤(2)中硝酸钾改为1毫摩尔,去掉0.1毫摩尔乙酸铯。
按上述方法制备KSc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶,与实施例的区别是基质晶格中没有掺杂Cs+离子。与实施例类似,在254nm紫外灯激发条件下,纳米晶表现出较明显的Tb3+离子绿光发射;然而在365nm紫外灯激发条件下,纳米晶仍然表现出较微弱的Tb3+离子绿光发射。这是因为在不掺杂Cs+离子条件下,Ce3+离子5d能级没有明显劈裂出蓝光发射能级,在254nm与365nm 光子能量均由Ce3+离子吸收后传递给Tb3+离子,产生绿光。这说明Cs+离子掺杂有利于基质晶格畸变,引起晶场环境的变化,从而导致Ce3+离子5d能级劈裂,形成蓝光能级,产生依赖于激发波长的颜色变化。
对比例2
对比例K0.9Cs0.1Sc3F10:Ce/Tb纳米晶11的制备方法与实施例相似,区别在于将步骤(2)中硝酸钪由1.85毫摩尔改为2.15,同时去掉0.3毫摩尔硝酸铋。
对比例K0.9Cs0.1Sc3F10:Ce/Tb纳米晶与实施例的区别在于,产物中没有掺杂Bi3+离子。与实施例类似,在254nm紫外灯激发条件下,纳米晶表现出较明显的Tb3+离子绿光发射;然而在365nm紫外灯激发条件下,纳米晶仍然表现出明显的Tb3+离子绿光发射。这是因为在不掺杂Bi3+离子条件下,虽然Ce3+离子5d能级能够明显劈裂出蓝光发射能级,但是与365nm紫外灯激发条件下,Ce3+离子到Tb3+离子能量传递效率仍然较高,所以依然呈现绿光。这说明Bi3+离子掺杂,能够使晶格膨胀,从而降低365nm紫外灯激发条件下,Ce3+离子到Tb3+离子的能量传递效率,使Ce3+离子通过自身的蓝光能级跃迁而产生蓝光,最终实现依赖于激发波长的颜色变化。
本发明的紫外响应多模荧光防伪标签,利用一种新的体系K0.9Cs0.1Sc3F10为基质,通过三掺Bi/Ce/Tb,在不同紫外波段条件下能够输出不同的颜色,用其墨水印刷成图案,能够实现高级别的荧光防伪。具体特点如下:a、在254nm紫外灯照射下,图案因较强的Tb3+发光而呈现明显的绿光;b、在365nm紫外灯照射下,图案因较强的Ce3+发光而呈现明显的蓝光;c、在254nm与365nm紫外灯同时照射下,Ce3+与Tb3+同时发光,图案呈现蓝绿色。因为紫外激发光源安全且便宜,图案的颜色易分辨却不易模仿,因而在荧光防伪领域具有很好的应用前景。

Claims (6)

1.一种紫外响应多模荧光防伪标签,其特征在于,防伪标签材料是以KSc3F10为形核剂,采用外延生长溶剂热法制备的纳米晶材料;防伪标签材料的化学式是:K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb。
2.根据权利要求1所述的一种紫外响应多模荧光防伪标签,其特征在于掺杂Bi/Ce/Tb,在不同紫外波段条件下输出不同的颜色。
3.根据权利要求2所述的一种紫外响应多模荧光防伪标签,其特征在于通过掺杂Cs+离子改变晶体场环境,使 Ce3+离子5d能级发生劈裂,形成蓝光发射能级。
4.根据权利要求2所述的一种紫外响应多模荧光防伪标签,其特征在于通过掺杂Bi3+离子使晶格膨胀,降低365nm激发条件下Ce3+离子到Tb3+离子的能量传递效率,产生Ce3+离子强的蓝光发射,而254nm光子能量借助Tb3+离子的高能级来填充5D4能级,进而产生4f-4f绿光跃迁波段,形成254nm与365nm激发条件下的不同荧光性能。
5.根据权利要求2所述的一种紫外响应多模荧光防伪标签,其特征在于纳米晶在254nm紫外灯照射下呈绿光,在365nm紫外灯照射下呈蓝光,254nm紫外灯和365nm紫外灯同时照射时呈现蓝绿色。
6.一种紫外响应多模荧光防伪标签的制备方法,其特征依次包括如下步骤:
(1)按摩尔百分比将1毫摩尔硝酸钾,3毫摩尔硝酸钪,15毫摩尔氟化铵,10毫升水与30毫升油酸在150度保温12小时,用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到KSc3F10形核剂;
(2)按摩尔百分比将0.9毫摩尔硝酸钾,0.1毫摩尔乙酸铯,0.2-0.4毫摩尔硝酸铋,0.4-0.8毫摩尔硝酸铈,0.1-0.2毫摩尔硝酸铽,1.6-2.3毫摩尔硝酸钪,10毫升水与30毫升油酸在室温下搅拌30-40分钟,然后加入KSc3F10形核剂,继续搅拌40-60分钟,然后加入含有的12-18毫摩尔氟化铵的水溶液,在室温下搅拌40-60分钟,然后转移到水热釜中,在160-180度保温10-24小时,反应结束后用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到K0.9Cs0.1Sc3F10:Bi/Ce/Tb纳米晶。
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