CN114283864A - 一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：检查存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将数据调整一致；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下；擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程，以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内；该方法有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

Description

一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体而言，涉及一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

传统情况下，对存储单元进行擦除的流程如图1所示，包括以下步骤：

步骤1：输入擦除命令；

步骤2：检查要进行擦除操作的区域内数据：

如果所检查区域里的数据都是1，进行轻编程2（soft program 2）流程，然后用擦除校验电压2（erase verify v2）去检查区域内数据是否全为1：如果是，擦除流程结束；如果不是，进入步骤4。

如果所检查区域里的数据存在0，标记需要进行擦除操作，进入步骤3；

步骤3：进行预编程（pre-program）操作，不进行编程校验，进入步骤4；

步骤4：发送擦除脉冲，擦除脉冲结束后进行轻编程1（soft program 1） 流程，

步骤5：用擦除校验电压1（erase verify v1）检查选中区域内的数据是否为全1：

如果不是，回到步骤4，同时擦除脉冲期间，施加在存储单元bulk 上电压增加0.2V；

如果是，进入步骤6；

步骤6：进行轻编程2（soft program 2）流程

步骤7：用擦除校验电压2（erase verify v2）检查选中区域内的数据是否为全1；

如果不是，回到步骤4，同时擦除脉冲期间，施加在存储单元bulk 上电压增加0.2V；

如果是，擦除流程结束。

该擦除流程进行到后期时，基本是重复执行擦除和轻编程操作，即在擦除和轻编程中跳变，其中，擦除的目的是减小存储单元的阈值电压，轻编程的目的是增大存储单元的阈值电压，主要是修正那些被过度擦除的存储单元。

重复执行擦除和轻编程操作可以将存储单元的阈值电压修正锁定在一定范围内；但是，该修正锁定过程过于简单，修正能力有限，需要长时间反复进行才能将存储单元修正锁定在一定范围内，导致擦除时间较长，影响芯片性能，而该范围也相对较大，导致存储单元的阈值电压一致性差。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，提高存储单元擦除后阈值电压的一致性。

第一方面，本申请提供了一种存储单元的擦除方法，用于擦除存储单元内数据，所述方法包括以下步骤：

检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致；

擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，所述第一调节电压小于读取电压；

擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，所述目标阈值电压的上限小于所述第一调节电压；

擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对所述操作区域进行后编程，以使所述操作区域的阈值电压在所述目标阈值电压范围内，所述第二调节电压小于所述目标阈值电压的上限。

本申请的一种存储单元的擦除方法将操作区域的阈值电压调节在目标阈值电压范围内，有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

所述的一种存储单元的擦除方法，其中，所述检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将数据调整一致的步骤包括：

检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，在所述操作区域内存在数据0时，对所述操作区域进行预编程以使所述操作区域内数据一致。

在该示例的一种存储单元的擦除方法中，该步骤能使操作区域内数据保持一致，利于后续进行整体调节。

所述的一种存储单元的擦除方法，其中，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下的步骤包括：

逐次递增电压地采用第一擦除电压对所述操作区域进行擦除，并利用所述第一调节电压作为擦除校验电压检查每次擦除后的所述操作区域内数据，直至所述操作区域内数据全部为数据1。

在该示例的一种存储单元的擦除方法中，逐次递增第一擦除电压的电压值能强化第一擦除电压的擦除能力，以更迅速、高效地将操作区域的阈值电压调节至第一调节电压以下。

所述的一种存储单元的擦除方法，其中，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下的步骤包括：

逐次递增电压地采用第二擦除电压对所述操作区域进行擦除，并利用所述目标阈值电压的上限作为擦除校验电压检查每次擦除后的所述操作区域内数据，直至所述操作区域内数据全部为数据1，所述第二擦除电压的起始值大于或等于第一擦除电压的终值。

在该示例的一种存储单元的擦除方法中，逐次递增第二擦除电压的电压值，能强化第二擦除电压的擦除能力，以更迅速、高效地将操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压的上限以下。

所述的一种存储单元的擦除方法，其中，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤包括：重复采用第二擦除电压的终值擦除所述操作区域，直至所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下。

所述的一种存储单元的擦除方法，其中，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤中若无法将所述操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下，或所述对所述操作区域进行后编程的步骤中无法将所述操作区域的阈值电压均编程至所述目标阈值电压的下限以上，标志所述操作区域擦除失败并退出擦除。

所述的一种存储单元的擦除方法，其中，所述第一调节电压与所述目标阈值电压的上限的差值大于或等于所述目标阈值电压的上限与所述第二调节电压的差值。

第二方面，本申请还提供了一种存储单元的擦除装置，用于擦除存储单元内数据，所述装置包括：

调整模块，用于检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致;

第一擦除模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，所述第一调节电压小于读取电压；

第二擦除模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，所述目标阈值电压的上限小于所述第一调节电压；

擦除及后编程模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对所述操作区域进行后编程，以使所述操作区域的阈值电压在所述目标阈值电压范围内，所述第二调节电压小于目标阈值电压的上限。

本申请的一种存储单元的擦除装置，利用第一擦除模块、第二擦除模块及擦除及后编程模块进行多个擦除操作，将存储单元中待擦除的操作区域的阈值电压调节至小于目标阈值电压上限的第二调节电压以下，然后通过擦除及后编程模块的后编程操作将该操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压下限以上，从而将该操作区域的阈值电压调节在目标阈值电压范围内，有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

第三方面，本申请还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。

第四方面，本申请还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。

由上可知，本申请提供了一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法利用多个擦除操作将存储单元中待擦除的操作区域的阈值电压调节至小于目标阈值电压上限的第二调节电压以下，然后通过后编程的方式将该操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压下限以上，从而将该操作区域的阈值电压调节在目标阈值电压范围内，有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

附图说明

图1为现有技术擦除方法的详细流程图。

图2为本申请实施例提供的一种存储单元的擦除方法的流程图。

图3为本申请实施例提供的一种存储单元的擦除方法的阈值电压分布变化情况图。

图4为本申请实施例提供的一种存储单元的擦除装置的结构示意图。

图5为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图1所示，现有技术的擦除方法，在擦除过程没有施加限制，单纯依赖擦除和轻编程反复跳变操作逐渐将存储单元的阈值电压调节在合适范围内，导致擦除过程需要过多地执行擦除和轻编程操作，影响了存储单元的擦除效率，也使得存储单元的阈值电压分布较为分散，即阈值电压的一致性差。

第一方面，请参照图2-3，图2-3是本申请一些实施例中的一种存储单元的擦除方法，用于擦除存储单元内数据，方法包括以下步骤：

S101、检查存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将数据调整一致；

具体地，待擦除的操作区域指需要擦除为由读取电压读取时数据全部为1的区域。

更具体地，储存单元为多个存储元的集合，操作区域包括存储单元中多个储存元，故包含了多个数据位。

更具体地，在检查操作区域的数据时，检查结果包括数据全为1、全为0以及1和0混合的情况。

更具体地，该步骤目的是将操作区域内数据调整至全写入或全擦除状态，使其内数据保持一致，利于后续处理步骤对整个待擦除的操作区域进行整体处理，同时防止该操作区域内因起始状态时存在数据混合而在擦除过程中出现过擦除现象。

更具体地，由于数据全为1为擦除操作的目标状态，因此，该步骤S101中，当操作区域内起始数据全为1时，无需额外对操作区域进行调整，值得一提的是，操作区域内数据全为1也可能存在阈值电压一致性差（分布较广）的问题，而本申请实施例的方法旨在调整存储单元的阈值电压的一致性，因此，即使操作区域内数据全为1也需要执行步骤S102-S104以优化操作区域的阈值电压的一致性。

更具体地，检查过程为逐步获取操作区域内数据的过程，且擦除操作的目标状态为数据全为1，因此，检查过程中出现数据0即表明该操作区域并非整体均处于擦除状态，需要将操作区域内数据进行调整。

更具体地，调整过程一般采用预编程的方式对操作区域进行写操作，使得操作区域内数据在读取电压检查下全部表现为0，避免操作区域中存在混合的数据0和1而在擦除处理中产生大量过擦除存储元的情况出现；故步骤S101，操作区域内数据出现0（为1和0混合或全为0）时，需要对数据进行编程调整，使其内数据一致。

S102、擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，第一调节电压小于读取电压；

具体地，擦除操作区域指对操作区域内所有存储元进行擦除操作，即施加预先设定的擦除电压使得存储元的阈值电压变小。

更具体地，在实际运行中，由于操作区域的阈值电压分布较广，单次擦除操作不一定能够将操作区域的阈值电压均擦除至第一调节电压以下，因此，步骤S102应当理解为能通过多次擦除的方式使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下。

S103、擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，目标阈值电压的上限小于第一调节电压；

具体地，目标阈值电压为一个电压范围，其具有上限边界和下限边界，本申请实施例的一种存储单元的擦除方法旨在将操作区域的阈值电压设置在该目标阈值电压的范围内，缩小操作区域的阈值电压分布，从而提高操作区域的阈值电压的一致性。

更具体地，本申请实施例第一调节电压相当于现有技术擦除方法中的擦除校验电压2，而该步骤中对阈值电压已在第一调节电压以下的操作区域继续进行擦除，使得操作区域的阈值电压进一步变小至目标阈值电压的上限以下。

更具体地，在实际运行中，由于操作区域的阈值电压分布较广，单次擦除操作不一定能够将操作区域的阈值电压均擦除至目标阈值电压的上限以下，因此，步骤S103应当理解为能通过多次擦除的方式使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下。

更具体地，采用步骤S102先将操作区域的阈值电压擦除至第一调节电压以下能使得步骤S103更顺利且精确地将操作区域的阈值电压擦除至目标阈值电压的上限以下。

S104、擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程，以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内，第二调节电压小于目标阈值电压的上限。

具体地，步骤S103结束后，操作区域中可能存在部分存储元的阈值电压低于目标阈值电压的下限，需要对该部分存储元进行调整，以使得操作区域内所有存储元的阈值电压均位于目标阈值电压的范围内。

具体地，后编程（post program）旨在修复那些操作区域中被过渡擦除的部分，即使得操作区域中阈值电压较小的存储元增大阈值电压，以将操作区域的阈值电压均调节至目标阈值电压下限以上；该后编程过程不可避免地会波及其余存储元，直接进行后编程会使较多存储元的阈值电压增大至目标阈值电压上限以上，因此，步骤S104需先对操作区域进行擦除，使得操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，使得后编程时操作区域中具有最大阈值电压的存储元具有一定电压可提升的余量值，该余量值为目标阈值电压的上限与第二调节电压的差值；在擦除操作完成后，再对操作区域进行后编程，阈值电压较低的存储元较为容易提升阈值电压，故本申请实施例的方法能快速地将操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压范围内。

更具体地，在实际运行中，由于操作区域的阈值电压分布较广，单次擦除操作不一定能够将操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下，因此，步骤S104应当理解为能通过多次擦除的方式使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下。

更具体地，由于操作区域的阈值电压分布较广，单次后编程操作不一定能够将操作区域的阈值电压均调节在目标阈值电压下限以上，因此，步骤S104应当理解为能通过多次后编程的方式使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压下限以上。

更具体地，由于操作区域的阈值电压分布较广，完成“擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程”的一个循环不一定能将操作区域的阈值电压缩小限制在目标阈值电压范围内，因此，步骤S104应当理解为能通过完成多次“擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程”，以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内。

更具体地，在别的实施例中，完成步骤S103时，可检查操作区域的阈值电压是否均在目标阈值电压下限之上，是则表明当前操作区域的阈值电压均在目标阈值电压范围内，能提前结束擦除操作。

本申请实施例的一种存储单元的擦除方法，利用多个擦除操作将存储单元中待擦除的操作区域的阈值电压调节至小于目标阈值电压上限的第二调节电压以下，然后通过后编程的方式将该操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压下限以上，从而将该操作区域的阈值电压调节在目标阈值电压范围内，有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

在一些优选的实施方式中，步骤S101包括：

检查存储单元中待擦除的操作区域的数据，在操作区域内存在数据0时，对操作区域进行预编程以使操作区域内数据一致。

具体地，检查存储单元中待擦除的操作区域的数据为采用读取电压进行检查；该步骤能使操作区域内数据保持一致，利于后续进行整体调节。

在一些优选的实施方式中，步骤102包括：

逐次递增电压地采用第一擦除电压对操作区域进行擦除，并利用第一调节电压作为擦除校验电压检查每次擦除后的操作区域内数据，直至操作区域内数据全部为数据1。

具体地，本申请实施例的方法中，事先设定一擦除电压，作为步骤S102中的第一擦除电压的起始值。

更具体地，该步骤采用第一调节电压作为擦除校验电压进行检查，当检查结果为操作区域内数据全部为数据1即表明操作区域内的阈值电压均在第一调节电压以外，由于该步骤包含擦除操作，且第一调节电压小于读取电压，可知操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下。

更具体地，由于步骤S102可能需要进行多次擦除操作才能使得操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下且由于存储元使用次数越多越难擦除，故步骤S102中，在重复执行擦除操作时，逐次递增第一擦除电压的电压值，从而强化第一擦除电压的擦除能力，以更迅速、高效地将操作区域的阈值电压调节至第一调节电压以下。

更具体地，步骤S102结束后，记录当前轮次擦除操作的第一擦除电压的电压值，即第一擦除电压的终值，该电压值能较为顺利、迅速地将操作区域的阈值电压擦除至第一调节电压以下。

在一些优选的实施方式中，第一擦除电压每次递增幅度为0.2-0.4V，在本申请实施例中，优选为0.3V。

在一些优选的实施方式中，步骤S103包括：

逐次递增电压地采用第二擦除电压对操作区域进行擦除，并利用目标阈值电压的上限作为擦除校验电压检查每次擦除后的操作区域内数据，直至操作区域内数据全部为数据1，第二擦除电压的起始值大于或等于第一擦除电压的终值。

具体地，第一擦除电压的终值，即为步骤S102结束时记录的第一擦除电压的电压值，在此基础上设定大于或等于第一擦除电压的终值的第二擦除电压，确保步骤S103能更高效地将操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压的上限以下。

更具体地，该步骤采用目标阈值电压的上限作为擦除校验电压进行检查，当检查结果为操作区域内数据全部为数据1即表明操作区域内的阈值电压均在目标阈值电压的上限以外，由于该步骤为包含擦除操作，且目标阈值电压的上限小于第一调节电压，可知操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下。

更具体地，由于步骤S103可能需要进行多次擦除操作才能使得操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下且由于存储元使用次数越多越难擦除，故步骤S103中，在重复执行擦除操作时，逐次递增第二擦除电压的电压值，从而强化第二擦除电压的擦除能力，以更迅速、高效地将操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压的上限以下。

更具体地，步骤S103结束后，记录当前轮次擦除操作的第二擦除电压的电压值，即第二擦除电压的终值，该电压值能较为顺利、迅速地将操作区域的阈值电压擦除至目标阈值电压的上限以下。

在一些优选的实施方式中，第一擦除电压每次的递增幅度大于或等于第二擦除电压每次的递增幅度。

具体地，由于步骤S102进行的擦除操作可能是对预编程的操作区域进行擦除，使得操作区域完成步骤S102前后的阈值电压变化较大，因此，为了确保擦除效率并减少重复擦除的次数，第一擦除电压需要设置较大的递增幅度，而步骤S103进行的擦除操作是将工作区域的阈值电压从第一调节电压以下擦除至目标阈值电压的上限以下，阈值电压变化较小，因此，为了兼顾擦除效率、减少重复擦除的次数以及控制阈值电压分布精度，第二擦除电压可设置较小的递增幅度。

在一些优选的实施方式中，第二擦除电压每次递增幅度为0.05-0.2V，在本申请实施例中，优选为0.1V。

在一些优选的实施方式中，步骤S104中擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤包括：重复采用第二擦除电压的终值擦除操作区域，直至操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下。

具体地，步骤S104的擦除操作目的是减小操作区域中具有较大阈值电压的存储元的阈值电压，使其具有可提升的余量值，为避免操作区域中具有较小阈值电压的存储元在擦除过程中产生过擦除现象（阈值电压小于0），该步骤采用第二擦除电压的终值对操作区域进行擦除，使得操作区域的阈值电压稳定调节至第二调节电压以下。

在一些优选的实施方式中，擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤中若无法将操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下，或对操作区域进行后编程的步骤中无法将操作区域的阈值电压均编程至目标阈值电压的下限以上，标志操作区域擦除失败并退出擦除。

具体地，存储单元中的存储元具有擦写次数限制，当存储元擦写次数达到上限时则无法继续进行擦写，会使得操作区域的阈值电压永远无法调节至目标阈值范围内，即出现“擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤中若无法将操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下”或“对操作区域进行后编程的步骤中无法将操作区域的阈值电压均编程至目标阈值电压的下限以上”情况，出现此类情况时，需要结束擦除操作，即标志操作区域擦除失败并退出擦除，避免擦除过程产生死循环。

更具体地，通过在步骤S104擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下之后，检查存储单元擦除次数是否达到上限以判断是否无法将操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下。

更具体地，通过在步骤S104对操作区域进行后编程之后，检查存储单元擦除次数是否达到上限以判断是否无法将操作区域的阈值电压均编程至目标阈值电压的下限以上。

在一些优选的实施方式中，第一调节电压与目标阈值电压的上限的差值大于或等于目标阈值电压的上限与第二调节电压的差值。

具体地，第一调节电压与目标阈值电压的上限的差值主要根据目标阈值电压范围进行设计，故设计较大的前者差值可有效提高阈值电压的一致性，但需考虑整个方法中需要达到该目标阈值电压范围用到的擦除次数，目标阈值电压的上限与第二调节电压的差值主要用于设置电压可提升的余量值，故无需设置较大的差值。

在一些优选的实施方式中，步骤S102包括：逐次递增电压地采用第一擦除电压对操作区域进行擦除，每次擦除后对操作区域进行第一后编程，并利用第一调节电压作为擦除校验电压检查每次擦除后的操作区域内数据，直至操作区域内数据全部为数据1。

具体地，在步骤S102中增加第一后编程环节能增大操作区域中具有较小阈值电压的存储元的阈值电压，避免后续擦除过程导致这些存储元出现过擦除现象。

在一些优选的实施方式中，步骤S103包括：逐次递增电压地采用第二擦除电压对操作区域进行擦除，每次擦除后对操作区域进行第二后编程，并利用目标阈值电压的上限作为擦除校验电压检查每次擦除后的操作区域内数据，直至操作区域内数据全部为数据1，第二擦除电压的起始值为第一擦除电压的终值。

具体地，在步骤S103中增加第二后编程环节能增大操作区域中具有较小阈值电压的存储元的阈值电压，避免后续擦除过程导致这些存储元出现过擦除现象。

实施例1

该实施例的方法包括以下步骤：

S201、选中待擦除的操作区域，输入擦除命令；

S202、利用读取电压检查操作区域内的数据是否全为1，是则执行步骤S204，否则执行步骤S203；

S203、对操作区域进行预编程操作；

S204、利用擦除电压对操作区域进行擦除操作；

S205、利用第一调节电压V1检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S207，否则执行步骤S206；

S206、将上一次的擦除电压增大0.3V，返回步骤S204；

S207、将上一次的擦除电压增大0.1V，利用该擦除电压对操作区域进行擦除操作；

S208、利用目标阈值电压的上限Vt检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S209，否则执行步骤S207；

S209、利用上一次的擦除电压对操作区域进行擦除操作；

S210、利用第二调节电压V2检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S212，否则执行步骤S211；

S211、检查存储单元擦除次数是否达到最大值，是则标志擦除失败，退出擦除流程，否则执行步骤S209；

S212、利用目标阈值电压的下限Vt’检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S218，否则执行步骤S213；

S213、对操作区域进行后编程操作；

S214、利用目标阈值电压的下限Vt’检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S216，否则执行步骤S215；

S215、检查存储单元擦除次数是否达到最大值，是则标志擦除失败，退出擦除流程，否则执行步骤S213；

S216、利用目标阈值电压的上限Vt检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S218，否则执行步骤S217；

S217、检查存储单元擦除次数是否达到最大值，是则标志擦除失败，退出擦除流程，否则执行步骤S209；

S218、擦除结束。

上述擦除方法能将操作区域的阈值电压顺利调节在Vt’与Vt之间。

实施例2

该实施例的方法包括以下步骤：

S301、选中待擦除的操作区域，输入擦除命令；

S302、利用读取电压检查操作区域内的数据是否全为1，是则执行步骤S304，否则执行步骤S303；

S303、对操作区域进行预编程操作；

S304、利用擦除电压对操作区域进行擦除操作，对操作区域进行第一后编程操作；

S305、利用第一调节电压V1检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S307，否则执行步骤S306；

S306、将上一次的擦除电压增大0.3V，返回步骤S304；

S307、将上一次的擦除电压增大0.1V，利用该擦除电压对操作区域进行擦除操作，对操作区域进行第二后编程操作；

S308、利用目标阈值电压的上限Vt检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S309，否则执行步骤S307；

S309、利用上一次的擦除电压对操作区域进行擦除操作，对操作区域再进行第一后编程操作；

S310、利用第二调节电压V2检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S312，否则执行步骤S311；

S311、检查存储单元擦除次数是否达到最大值，是则标志擦除失败，退出擦除流程，否则执行步骤S309；

S312、利用目标阈值电压的下限Vt’检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S318，否则执行步骤S313；

S313、对操作区域进行后编程操作；

S314、利用目标阈值电压的下限Vt’检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S316，否则执行步骤S315；

S315、检查存储单元擦除次数是否达到最大值，是则标志擦除失败，退出擦除流程，否则执行步骤S313；

S316、利用目标阈值电压的上限Vt检查操作区域内数据是否全为1，是则执行步骤S318，否则执行步骤S317；

S317、检查存储单元擦除次数是否达到最大值，是则标志擦除失败，退出擦除流程，否则执行步骤S309；

S318、擦除结束。

上述擦除方法能将操作区域的阈值电压顺利调节在Vt’与Vt之间。

第二方面，请参照图4，图4是本申请一些实施例中提供的一种存储单元的擦除装置，用于擦除存储单元内数据，装置包括：

调整模块201，用于检查存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将数据调整一致;

第一擦除模块202，用于擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，第一调节电压小于读取电压；

第二擦除模块203，用于擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，目标阈值电压的上限小于第一调节电压；

擦除及后编程模块204，用于擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对操作区域进行后编程，以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内，第二调节电压小于目标阈值电压的上限。

本申请实施例的一种存储单元的擦除装置，利用第一擦除模块202、第二擦除模块203及擦除及后编程模块204进行多个擦除操作，将存储单元中待擦除的操作区域的阈值电压调节至小于目标阈值电压上限的第二调节电压以下，然后通过擦除及后编程模块204的后编程操作将该操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压下限以上，从而将该操作区域的阈值电压调节在目标阈值电压范围内，有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

在一些优选的实施方式中，采用该存储单元的擦除装置执行上述第一方面的存储单元的擦除方法。

第三方面，请参照图5，图5为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备3，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。

第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

综上，本申请实施例提供了一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法利用多个擦除操作将存储单元中待擦除的操作区域的阈值电压调节至小于目标阈值电压上限的第二调节电压以下，然后通过后编程的方式将该操作区域的阈值电压调节至目标阈值电压下限以上，从而将该操作区域的阈值电压调节在目标阈值电压范围内，有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域，从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性，并提高了存储单元的擦除效率，有利于该存储单元后续进行写、擦操作。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种存储单元的擦除方法，用于擦除存储单元内数据，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致；

擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，所述第一调节电压小于读取电压；

擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，所述目标阈值电压的上限小于所述第一调节电压；

擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对所述操作区域进行后编程，以使所述操作区域的阈值电压在所述目标阈值电压范围内，所述第二调节电压小于所述目标阈值电压的上限。

2.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致的步骤包括：

检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，在所述操作区域内存在数据0时，对所述操作区域进行预编程以使所述操作区域内数据一致。

3.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下的步骤包括：

逐次递增电压地采用第一擦除电压对所述操作区域进行擦除，并利用所述第一调节电压作为擦除校验电压检查每次擦除后的所述操作区域内数据，直至所述操作区域内数据全部为数据1。

4.根据权利要求3所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下的步骤包括：

逐次递增电压地采用第二擦除电压对所述操作区域进行擦除，并利用所述目标阈值电压的上限作为擦除校验电压检查每次擦除后的所述操作区域内数据，直至所述操作区域内数据全部为数据1，所述第二擦除电压的起始值大于或等于第一擦除电压的终值。

5.根据权利要求4所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤包括：重复采用第二擦除电压的终值擦除所述操作区域，直至所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下。

6.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下的步骤中若无法将所述操作区域的阈值电压均擦除至第二调节电压以下，或所述对所述操作区域进行后编程的步骤中无法将所述操作区域的阈值电压均编程至所述目标阈值电压的下限以上，标志所述操作区域擦除失败并退出擦除。

7.根据权利要求1所述的一种存储单元的擦除方法，其特征在于，所述第一调节电压与所述目标阈值电压的上限的差值大于或等于所述目标阈值电压的上限与所述第二调节电压的差值。

8.一种存储单元的擦除装置，用于擦除存储单元内数据，其特征在于，所述装置包括：

调整模块，用于检查所述存储单元中待擦除的操作区域的数据，并将所述数据调整一致;

第一擦除模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下，所述第一调节电压小于读取电压；

第二擦除模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下，所述目标阈值电压的上限小于所述第一调节电压；

擦除及后编程模块，用于擦除所述操作区域使所述操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下，并对所述操作区域进行后编程，以使所述操作区域的阈值电压在所述目标阈值电压范围内，所述第二调节电压小于所述目标阈值电压的上限。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一所述方法中的步骤。

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