CN114267648A - 半导体存储装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的一实施方式提供能够谋求散热性的提高的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具有壳体、第1基板模块、多个散热板及1个以上的连接部。第1基板模块包括第1基板和1个以上的第1电子部件。第1基板模块容纳在壳体内。多个散热板在壳体内在第1基板的厚度方向上与第1基板模块相面对的位置沿厚度方向配置。1个以上的连接部与第1基板模块及多个散热板相接。

Description

半导体存储装置
本申请享受以日本专利申请2020-155472号(申请日：2020年9月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体存储装置。
背景技术
半导体存储装置具备壳体、容纳于壳体的基板及安装于基板的半导体存储器部件。半导体存储装置被期待着散热性的提高。
发明内容
本发明的一实施方式所要解决的课题在于，提供一种能够谋求散热性的提高的半导体存储装置。
一实施方式的半导体存储装置具有壳体、第1基板模块、多个散热板及1个以上的连接部。第1基板模块包括第1基板和1个以上的第1电子部件。第1基板模块容纳于壳体内。多个散热板在壳体内在第1基板的厚度方向上与第1基板模块相面对的位置沿厚度方向配置。1个以上的连接部与第1基板模块及多个散热板相接。
附图说明
图1是示出第1实施方式的半导体存储装置的外观的一例的立体图。
图2是沿着图1的II-II线的剖视图。
图3是第1实施方式的基体侧基板模块的仰视图。
图4是第1实施方式的基体侧基板模块的俯视图。
图5是第1实施方式的罩侧基板模块的仰视图。
图6是第1实施方式的罩侧基板模块的俯视图。
图7是示出拆卸了第1实施方式的罩的状态的半导体存储装置的立体剖视图。
图8是沿着图7的VIII-VIII线的剖视图。
图9是第2实施方式的半导体存储装置的剖视图。
图10是第2实施方式的基板模块的仰视图。
图11是第2实施方式的基板模块的俯视图。
标号说明
1…半导体存储装置
2…壳体
3…基体侧基板模块(第2基板模块)
4…罩侧基板模块(第1基板模块)
15…第2主壁(第1壁)
18a…第1侧壁(第2壁)
18b…第2侧壁(第2壁)
22…第1连通孔(连通孔)
23…第2连通孔(连通孔)
30…主基板(第2基板)
33…NAND(第2电子部件)
40…子基板(第1基板)
42…NAND(第1电子基板)
43…电容器(安装部件)
50…内板(散热板)
50A…第1板(散热板)
50B…第2板(散热板)
51…连接部
72…罩侧缓冲部(热传导性构件)
75…第1间隔件(间隔件)
76…第2间隔件(间隔件)
77…紧固连结销(保持部)
100…半导体存储装置
101…基板模块(第1基板模块)
110…基板(第1基板)
具体实施方式
以下，参照附图来说明实施方式的半导体存储装置。此外，在以下的说明中，对具有同一或类似的功能的结构标注同一标号。并且，存在省略这些结构的重复的说明的情况。在本说明书中，“平行”包括“大致平行”的情况。在本说明书中，“正交”包括“大致正交”的情况。在本说明书中，“相面对”意味着2个构件的至少一部分互相重叠。在本说明书中，“连接”不仅包括2个构件在中间什么也不夹设而相邻的情况，也包括在2个构件之间夹设别的构件的情况。另外，“相接”意味着在2个构件之间什么也不夹设而相邻。
首先，对X方向、Y方向及Z方向进行定义。X方向及Y方向是沿着后述的子基板40的第1面40a的方向中的互相交叉的方向(参照图2)。X方向是+X方向和-X方向的统称。+X方向是从后述的壳体2的第2侧壁18b朝向第1侧壁18a的方向(参照图2)。以下，将+X方向为了方便而称作“+X”。-X方向是与+X相反的方向。以下，将-X方向为了方便而称作“-X”。在不区分+X和-X的情况下，简称作“X方向”。X方向是“第1方向”的一例。Y方向是+Y方向和-Y方向的统称。+Y方向是从后述的DRAM32A朝向控制器31的方向(参照图3)。以下，将+Y方向为了方便而称作“+Y”。-Y方向是与+Y相反的方向。以下，将-Y方向为了方便而称作“-Y”。在不区分+Y和-Y的情况下，简称作“Y方向”。Y方向是“第2方向”的一例。Z方向是与X方向及Y方向交叉的方向。Z方向是+Z方向和-Z方向的统称。+Z方向是从后述的基体侧基板模块3朝向罩侧基板模块4的方向(参照图2)。以下，将+Z方向为了方便而称作“+Z”。-Z方向是与+Z相反的方向。以下，将-Z方向为了方便而称作“-Z”。在不区分+Z和-Z的情况下，简称作“Z方向”。Z方向是后述的主基板30、子基板40及基板110各自的厚度方向。
(第1实施方式)
本实施方式的半导体存储装置1是例如SSD(Solid State Drive：固态驱动器)这样的存储装置。半导体存储装置1例如向服务器装置、个人计算机等信息处理装置安装。半导体存储装置1作为信息处理装置的存储区域来利用。在本实施方式中，将安装半导体存储装置1的信息处理装置称作主机装置。
半导体存储装置1例如具备壳体2、基体侧基板模块3、罩侧基板模块4及散热模块5。罩侧基板模块4是第1基板模块的一例。散热模块5相对于罩侧基板模块4位于+Z侧。
接着，对壳体2进行详细说明。图1是示出第1实施方式的半导体存储装置1的外观的一例的立体图。
壳体2构成半导体存储装置1的外廓。壳体2例如是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方向的箱状。壳体2例如为金属制。壳体2也可以由多个构件构成。
壳体2具有基体11和罩12。壳体2通过基体11和罩12在Z方向上被组合而形成。基体11及罩12由紧固连结构件17紧固连结。紧固连结构件17例如是螺纹件。
基体11是朝向罩12开口的箱型。即，基体11是+Z开放的碗状。基体11具备第1主壁13和第1周壁14。第1主壁13是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方向的矩形形状。第1主壁13在基体11中最靠-Z侧。第1主壁13具有4个端部。第1主壁13的4个端部即为+X侧、-X侧、+Y侧及-Y侧的端部。第1周壁14从第1主壁13的除了-X侧的端部之外的3个端部分别向+Z侧(罩12侧)延伸。即，第1周壁14从第1主壁13的+X侧的端部、第1主壁13的+Y侧的端部及第1主壁13的-Y侧的端部的各自向+Z侧延伸。
罩12是朝向基体11开口的箱型。即，罩12是-Z开放的碗状。罩12具备第2主壁15和第2周壁16。第2主壁15是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方向的矩形形状。第2主壁15是“第1壁”的一例。第2主壁15在罩12中最靠+Z侧。第2主壁15与第1主壁13在Z方向上相面对。第2主壁15具有4个端部。第2主壁15的4个端部即为+X侧、-X侧、+Y侧及-Y侧的端部。第2周壁16从第2主壁15的4个端部分别向-Z侧延伸。
接着，对壳体2的结构进一步进行详细说明。图2是沿着图1的II-II线的剖视图。
基体11的第1周壁14及罩12的第2周壁16构成壳体2的周壁18。将周壁18中的+X侧称作第1侧壁18a。第1侧壁18a是沿着Y方向及Z方向的板状。第1侧壁18a由第1部分14a及第2部分16a构成。第1部分14a在第1周壁14中相对于第1主壁13位于+X侧。第2部分16a在第2周壁16中相对于第2主壁15位于+X侧。在第1侧壁18a形成有多个第1连通孔22。将周壁18中的-X侧称作第2侧壁18b。第2侧壁18b是沿着Y方向及Z方向的板状。第2侧壁18b由第2周壁16中的相对于第2主壁15位于-X侧的第3部分16b构成。第3部分16b在第2周壁16中相对于第2主壁15位于-X侧。在第2侧壁18b形成有多个第2连通孔23。第1侧壁18a及第2侧壁18b的各自是第2壁的一例。
第1连通孔22是将第1侧壁18a在X方向上贯通的通气孔。第1连通孔22使壳体2的内外连通。更详细而言，第1连通孔22形成于第1侧壁18a的第2部分16a。多个第1连通孔22在第1侧壁18a中在Y方向及Z方向上隔开间隔而形成。
第2连通孔23是将第2侧壁18b在X方向上贯通的通气孔。第2连通孔23使壳体2的内外连通。更详细而言，第2连通孔23形成于第2侧壁18b的第3部分16b。多个第2连通孔23在第2侧壁18b中在Y方向及Z方向上隔开间隔而形成。
第1连通孔22及第2连通孔23可以是，任一者作为吸气孔发挥功能，任一者作为排气孔发挥功能。例如，在半导体存储装置1被放置于风从+X侧向-X侧流动的环境的情况下，壳体2的外部的空气从第1连通孔22向壳体2的内部流入，从第2连通孔23向壳体2的外部排出。在半导体存储装置1被放置于风从+X侧向-X侧流动的环境的情况下，壳体2的外部的空气从第2连通孔23向壳体2的内部流入，从第1连通孔22向壳体2的外部排出。以下，对半导体存储装置1被放置于风从+X侧向-X侧流动的环境的情况进行说明。
而且，在第2侧壁18b形成有连接口25。更详细而言，连接口25形成于第2侧壁18b中的构成第1周壁14的部分。连接口25是比第1连通孔22及第2连通孔23大的开口部。连接口25位于比第2连通孔23靠-Z侧处。连接口25是使后述的外部连接器34向壳体2的外部露出的开口部。
接着，对基体侧基板模块3进行详细说明。图3是第1实施方式的基体侧基板模块3的仰视图。图4是第1实施方式的基体侧基板模块3的俯视图。
基体侧基板模块3是电子电路安装基板。基体侧基板模块3是第2基板模块的一例。基体侧基板模块3相对于罩侧基板模块4位于-Z侧。
基体侧基板模块3具备主基板30、控制器31、多个DRAM(Dynamic Random AccessMemory：动态随机存取存储器)32、多个NAND型闪速存储器(NAND)33、外部连接器34及内部连接器35。
主基板30是基板。主基板30例如是印制布线基板。主基板30是第2基板的一例。主基板30是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方向的板状。在主基板30能够安装任意的数量的电子部件。主基板30配置于壳体2内。主基板30通过螺钉等而固定于基体11。主基板30具备第1面30a和第2面30b。第1面30a是与第1主壁13相面对的面。第1面30a是-Z侧的面。第2面30b位于与第1面30a相反的一侧。第2面30b是与罩侧基板模块4相面对的面。第2面30b是+Z侧的面。
控制器31是SoC(System ON a Chip：片上系统)。控制器31是第2电子部件的一例。控制器31统括地控制半导体存储装置1。控制器31与DRAM32及NAND33相比发热量大。在图3所示的例子中，控制器31安装于主基板30的第1面30a的中央部。控制器31在X方向上位于1个以上的NAND33与外部连接器34之间。
DRAM32是数据缓冲器。DRAM32是易失性的半导体存储器。DRAM32是第2电子部件的另一例。DRAM32是半导体存储器部件的一例。在DRAM32中暂时地保存从主机装置接收到的写入数据和/或从NAND33读出的读出数据。在DRAM32中，存在DRAM32A和DRAM32B这2个种类。DRAM32A安装于第1面30a。DRAM32B安装于第2面30b。
NAND33是非易失性的半导体存储器芯片。NAND33是第2电子部件的另一例。NAND33是半导体存储器部件的另一例。在多个NAND33中，存在NAND33A和NAND33B这2个种类。NAND33A安装于第1面30a。NAND33B安装于第2面30b。
外部连接器34将半导体存储装置1和主机装置连接。外部连接器34形成于主基板30中的-X侧。如图2所示，外部连接器34在基体侧基板模块3容纳于壳体2内的状态下，通过连接口25而向壳体2的外部露出。外部连接器34具有多个连接端子。多个连接端子在Y方向上排列。多个连接端子在主基板30的第1面30a及第2面30b露出。
内部连接器35是所谓的基板间连接器(B to B连接器)。内部连接器35例如安装于主基板30的第2面30b的中央部。内部连接器35具有与后述的内部连接器41连接的多个连接端子。
如图2所示，基体侧基板模块3经由多个基体侧缓冲部38而与第1主壁13相接。基体侧缓冲部38是所谓的TIM(Thermal Interface Material：热界面材料)。基体侧缓冲部38具有缓冲功能和散热功能(热传导功能)。基体侧缓冲部38也可以被称作“热传导性构件”。基体侧缓冲部38由热传导性优异且弹性比控制器31、DRAM32及NAND33优异的材料(例如，树脂材料等)形成。基体侧缓冲部38例如由热传导率比主基板30及子基板40高的材料形成。基体侧缓冲部38形成为以Z方向为厚度方向的片材状。基体侧缓冲部38夹设于控制器31与第1主壁13之间、DRAM32A与第1主壁13之间、NAND33A与第1主壁13之间及其他的各种电子部件与第1主壁13之间。基体侧缓冲部38例如可以是润滑脂、粘接材料等。控制器31、DRAM32A及NAND33A分别经由基体侧缓冲部38而与第1主壁13热连接。基体侧缓冲部38也可以夹设于主基板30的第1面30a与第1主壁13之间，将主基板30的第1面30a与第1主壁13热连接。
接着，对罩侧基板模块4进行详细说明。图5是罩侧基板模块4的仰视图。
罩侧基板模块4是电子电路安装基板。罩侧基板模块4例如具备子基板40、内部连接器41、多个NAND42及多个电容器43。
子基板40是基板(例如印制布线基板)。子基板40是第1基板的一例。子基板40是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方向的板状。在子基板40能够安装任意的数量的电子部件。子基板40配置于壳体2内。子基板40与主基板30平行地配置。子基板40通过螺钉等而固定于基体11。在子基板40中的+X侧的端部形成有缺口部49。缺口部49将子基板40在Z方向上贯通，并且向+X侧开放。子基板40具备第1面40a和第2面40b。第1面40a是与基体侧基板模块3相面对的面。第1面40a是-Z侧的面。第2面40b是与第2主壁15相面对的面。第2面40b位于与第1面40a相反的一侧。第2面40b是+Z侧的面。
内部连接器41是与基体侧基板模块3的内部连接器35连接的连接器。内部连接器41具有多个连接端子。内部连接器41例如安装于子基板40的第1面40a的中央部。
NAND42是非易失性的半导体存储器。NAND42是半导体存储器部件的另一例。在NAND42中，存在NAND42A和NAND42B这2个种类。NAND42A安装于子基板40的第1面40a。NAND42B安装于子基板40的第2面40b。
电容器43是承担电源备用功能的电容器。电容器43是安装部件的一例。电容器43例如是氧化铝电解电容器或导电性高分子钽固体电解电容器等。例如，电容器43在来自主机装置的电力供给被意外地切断的情况下，对控制器31、DRAM32、NAND33及NAND42供给电力。例如，电容器43在直到暂时地存储于DRAM32的数据向NAND33或NAND42存储为止的期间，向控制器31、DRAM32、NAND33及NAND42供给电力。电容器43是以X方向为轴向的圆柱状。电容器43的Z方向的厚度比NAND42的Z方向的厚度大。例如，电容器43的Z方向的厚度为NAND42的Z方向的厚度的2倍以上。如图6所示，电容器43使用多个。多个电容器43以容纳于子基板40的缺口部49内的状态安装于子基板40。多个电容器43在缺口部49内在Y方向上排列。如图7所示，在Y方向上相邻的2个电容器43之间的间隙随着从中央部朝向+Z侧或-Z侧而逐渐变宽。如图2所示，电容器43相对于子基板40向Z方向的两侧突出。例如，电容器43相对于子基板40的第1面40a向-Z侧的突出量H1比电容器43相对于子基板40的第2面40b向+Z侧的突出量H2小。例如，电容器43相对于子基板40的第2面40b的突出量H2比NAND42B相对于子基板40的第2面40b的突出量H3大。NAND42B的突出量H3是NAND42B的Z方向的厚度。例如，电容器43的突出量H2为NAND42B的突出量H3的2倍以上。例如，电容器43的突出量H2比主基板30的第1面30a与第1主壁13之间的Z方向的间隙大。罩侧基板模块4的电容器43的-Z侧的端部相对于基体侧基板模块3的NAND33B在Z方向上分离。
接着，对散热模块5进行详细说明。散热模块5将在罩侧基板模块4中产生的热散发。如图2所示，散热模块5在壳体2内配置于第2主壁15与子基板40之间。散热模块5在相对于电容器43向-X侧偏移的位置处，将罩侧基板模块4从+Z侧覆盖。散热模块5至少与罩侧基板模块4相接即可，也可以与壳体2分离。散热模块5例如也可以配置于基体侧基板模块3与罩侧基板模块4之间。散热模块5还可以配置于基体侧基板模块3与基体11之间。
散热模块5例如具备多个内板50和多个连接部51。内板50例如是2张。连接部51例如是7个。以下，对内板50及连接部51进行详细说明。
对内板50进行详细说明。内板50是散热器(heat sink)。内板50是散热板的一例。内板50使在基体侧基板模块3中产生的热散发。内板50是以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向、以Z方向为厚度方向的板状。内板50与子基板40及第2主壁15平行。多个内板50在Z方向上隔开间隙而配置。多个内板50之间的Z方向的间隙比主基板30与第1主壁13之间的Z方向的间隙小。多个内板50之间的Z方向的间隙比主基板30与子基板40之间的Z方向的间隙小。内板50至少具有将全部的NAND42B从+Z侧覆盖的大小。例如，内板50的X方向的长度为主基板30的X方向的长度的1/2以上。内板50的X方向的长度为子基板40的X方向的长度的1/2以上。例如，内板50的Y方向的长度为主基板30的Y方向的长度的1/2以上。内板50的Y方向的长度为子基板40的Y方向的长度的1/2以上。内板50由热传导性比主基板30及子基板40优异的材料形成。热传导性优异的材料例如是铝、铜等金属材料。内板50的最小厚度比主基板30及子基板40的最小厚度薄。内板50位于电容器43的高度范围内。即，多个内板50中的最靠+Z侧的内板50(后述的第1板50A)的+Z侧的面位于比电容器43的+Z侧的端靠-Z侧处。因此，多个内板50在X方向上与电容器43重叠。此外，内板50的厚度、张数、布局等能够任意设定。只要是内板50和NAND42B经由连接部51而连接的结构即可，例如内板50也可以是一张。
多个内板50包括第1板50A和第2板50B。第1板50A和第2板50B互相平行。
第1板50A是多个内板50中的最靠+Z侧的内板50。第1板50A与第2主壁15相面对。第1板50A与第2主壁15之间的Z方向的间隙比主基板30与第1主壁13之间的Z方向的间隙小。第1板50A与第2主壁15之间的Z方向的间隙比主基板30与子基板40之间的Z方向的间隙小。
第2板50B是多个内板50中的最靠-Z侧的内板50。第2板50B与罩侧基板模块4相面对。第2板50B与NAND42B之间的Z方向的间隙比主基板30与第1主壁13之间的Z方向的间隙小。第2板50B与NAND42B之间的Z方向的间隙比主基板30与子基板40之间的Z方向的间隙小。在第2板50B中的与内部连接器41互相重叠的区域形成有鼓出部55。鼓出部55相对于第2板50B的其他部分而朝向子基板40鼓出。
接着，对连接部51进行详细说明。图7是示出拆卸了罩12的状态的半导体存储装置1的立体剖视图。
连接部51是将散热模块5和壳体2连接的构件。连接部51与罩侧基板模块4、内板50及第2主壁15相接。连接部51使在罩侧基板模块4中产生的热向多个内板50及第2主壁15移动。连接部51配置于与NAND42B在Z方向上重叠的位置。连接部51夹设于NAND42B与第2主壁15之间。连接部51的X方向及Y方向的尺寸比对应的NAND42的X方向及Y方向的尺寸小。相邻的连接部51之间的间隙供空气流动。
连接部51具备紧固连结部71和罩侧缓冲部72。紧固连结部71是连结多个内板50和第2主壁15的构件。紧固连结部71也可以与子基板40相接。罩侧缓冲部72是夹设于紧固连结部71与罩侧基板模块4之间的缓冲构件。罩侧缓冲部72与紧固连结部71及NAND42B相接。罩侧缓冲部72使热从NAND42B向紧固连结部71移动。
接着，对紧固连结部71的详情进行详细说明。在此，首先对用于供紧固连结部71贯通第2主壁15、第1板50A及第2板50B的贯通孔即主壁贯通孔80、第1贯通孔81及第2贯通孔82进行说明。如图8所示，主壁贯通孔80形成于第2主壁15。主壁贯通孔80将第2主壁15在Z方向上贯通。主壁贯通孔80在X方向及Y方向上隔开间隔而排列。在第2主壁15中的主壁贯通孔80的周围也可以形成有凹陷部85。在图8的例子中，主壁贯通孔80在凹陷部85的底面处开口。第1贯通孔81形成于第1板50A。第1贯通孔81将第1板50A在Z方向上贯通。第1贯通孔81在X方向及Y方向上隔开间隔而排列。第2贯通孔82形成于第2板50B。第2贯通孔82将第2板50B在Z方向上贯通。第2贯通孔82在X方向及Y方向上隔开间隔而排列。多个主壁贯通孔80、第1贯通孔81及第2贯通孔82中的对应的主壁贯通孔80、第1贯通孔81及第2贯通孔82在从Z方向观察时互相重叠。
紧固连结部71具备第1间隔件75、第2间隔件76及紧固连结销77。第1间隔件75及第2间隔件76是间隔件的一例。紧固连结销77是保持部的一例。
第1间隔件75是在第2主壁15与第1板50A之间确保间隙的间隔件。第1间隔件75是以Z方向为轴向的筒状。第1间隔件75由热传导性优异的材料形成。热传导性优异的材料例如是铝、铜等金属材料。第1间隔件75由热传导率比主基板30及子基板40高的材料形成。第1间隔件75夹设于第1板50A与第2主壁15之间。第1间隔件75与第1板50A及第2主壁15分别相接。如图7所示，第1间隔件75的外径比NAND42的X方向的最大尺寸小。第1间隔件75的外径比NAND42的Y方向的最大尺寸小。在第1间隔件75形成有将第1间隔件75在Z方向上贯通的第1通过孔75a。第1通过孔75a与第1贯通孔81及主壁贯通孔80连通。
第2间隔件76是在第1板50A与第2板50B之间确保间隙的间隔件。第2间隔件76是以Z方向为轴向的筒状。第2间隔件76由热传导性优异的材料形成。热传导性优异的材料例如是铝、铜等金属材料。第2间隔件76由热传导率比主基板30及子基板40高的材料形成。第2间隔件76在第1板50A与第2板50B之间与第1间隔件75同轴地配置。第2间隔件76夹设于第1板50A与第2板50B之间。第2间隔件76与第1板50A及第2板50B分别相接。在第2间隔件76形成有将第2间隔件76在Z方向上贯通的第2通过孔76a。第2间隔件76的第2通过孔76a与第1贯通孔81及第2贯通孔82连通。如图7所示，第2间隔件76的外径与第1间隔件75的外径相等。
紧固连结销77是所谓的铆接销。紧固连结销77由热传导性优异的材料形成。热传导性优异的材料例如是铝、铜等金属材料。紧固连结销77由热传导率比主基板30及子基板40高的材料形成。
紧固连结销77具有头部77a及轴部77b。头部77a是紧固连结销77的+Z侧的端部。头部77a从轴部77b呈凸缘状地伸出。头部77a的一部分与第2主壁15、第1间隔件75及第2间隔件76在Z方向上相面对。头部77a从相对于第2主壁15而与第1间隔件75相反的一侧与第2主壁15相接。头部77a配置于凹陷部85内。轴部77b在主壁贯通孔83、第1通过孔75a、第1贯通孔81、第2贯通孔82及第2通过孔76a内在Z方向上贯通。
在轴部77b的前端部形成有铆接部77c。铆接部77c是紧固连结销77的-Z侧的端部。铆接部77c通过在轴部77b插通于主壁贯通孔83、第1通过孔75a、第1贯通孔81、第2贯通孔82及第2通过孔76a内后，轴部77b的-Z侧的端部以被向外周侧扩张的方式塑性变形而形成。铆接部77c从第2贯通孔82的开口缘伸出。铆接部77c的一部分(从第2贯通孔82的开口缘伸出的部分)与头部77a、第2主壁15、第1间隔件75及第2间隔件76在Z方向上相面对。铆接部77c从相对于第2板50B而与第2间隔件76相反的一侧与第2板50B相接。
由此，第2主壁15及各内板50以在第1板50A与第2主壁15之间以及相邻的2个内板50之间空出了间隙的状态夹持于头部77a与铆接部77c之间。多个内板50之间的间隙优选与第1连通孔22及第2连通孔23的至少任一者、在Y方向上相邻的多个电容器43之间的间隙在X方向上互相重叠。第1板50A与第2主壁15之间的间隙优选与第1连通孔22及第2连通孔23的至少任一者、在Y方向上相邻的多个电容器43之间的间隙在X方向上互相重叠。第2板50B与子基板40之间的间隙优选与第1连通孔22及第2连通孔23的至少任一者、在Y方向上相邻的多个电容器43之间的间隙在X方向上互相重叠。此外，紧固连结销77也可以以头部77a位于-Z侧且铆接部77c位于+Z侧的状态被组装。
接着，对罩侧缓冲部72的详情进行说明。罩侧缓冲部72是具有缓冲功能及热传导功能的构件。罩侧缓冲部72是所谓的TIM(Thermal Interface Material：热界面材料)。罩侧缓冲部72是以Z方向为厚度方向的片材状。罩侧缓冲部72由热传导性优异且弹性比第1间隔件75、第2间隔件76、主基板30及子基板40优异的树脂材料形成。罩侧缓冲部72例如由热传导率比主基板30及子基板40高的材料形成。罩侧缓冲部72可以是润滑脂、粘接材料等。罩侧缓冲部72是热传导性构件的一例。
罩侧缓冲部72存在第1缓冲部72A和第2缓冲部72B这2个种类。
第1缓冲部72A是位于第2板50B与NAND42B之间的罩侧缓冲部72。如图8所示，第1缓冲部72A夹设于紧固连结销77的铆接部77c与NAND42B之间。第1缓冲部72A与紧固连结销77的铆接部77c及NAND42B相接。第1缓冲部72A也可以以夹设于第2板50B与NAND42B之间的状态与第2板50B及NAND42B相接。
第2缓冲部72B是位于子基板40与鼓出部55之间的罩侧缓冲部72。第2缓冲部72B与鼓出部55及子基板40相接。鼓出部55与子基板40中的与内部连接器41在Z方向上重叠的部分隔着第2缓冲部72B相面对。鼓出部55抑制罩侧基板模块4相对于基体侧基板模块3向+Z侧的位移。基体侧基板模块3的内部连接器35与罩侧基板模块4的内部连接器41的连接被确保。
接着，对半导体存储装置1的作用进行说明。
在NAND42A或42B中产生的热的一部分通过第1缓冲部72A及紧固连结部71而向多个内板50及罩12传递。由此，在NAND42A或42B中产生的热被高效地散发。另外，罩侧基板模块4的温度上升被抑制。
另外，相对于半导体存储装置1例如从+X侧向-X侧流动的空气通过第1连通孔22而向壳体2内流入。流入到壳体2内的空气通过电容器43的周围而到达散热模块5。通过电容器43的周围的空气流过在Y方向上相邻的电容器43间的间隙中的位于+Z侧的部分。
到达了散热模块5的空气通过在Z方向上相邻的多个内板50之间的间隙、第1板50A与第2主壁15之间的间隙及第2板50B与子基板40之间的间隙而向-X侧流动。由此，热从散热模块5散发。通过了散热模块5的空气通过第2连通孔23而从壳体2排出。
此外，在基体侧基板模块3中产生的热经由基体侧缓冲部38而向基体11传递、经由内部连接器35而向罩侧基板模块4传递。传递到罩侧基板模块4的热的一部分通过如上述那样经由罩侧缓冲部72向多个内板50及罩12传递而被散发。
接着，对本实施方式的结构的效果进行说明。
本实施方式的半导体存储装置1在壳体2内在Z方向上与罩侧基板模块4相面对的位置具备在Z方向上配置的多个内板50和与罩侧基板模块4及多个内板50相接的连接部51。根据该结构，能够将在罩侧基板模块4中产生的热的一部分通过连接部51而向多个内板50传递。由此，与没有内板50的结构相比，能够提高散热性。另外，能够抑制罩侧基板模块4的温度上升。
在本实施方式的半导体存储装置1中，连接部51与作为半导体存储装置1的主要的发热源的NAND42B相接。根据该结构，在NAND42B中产生的热容易经由连接部51而向多个内板50传递。由此，能够将在罩侧基板模块4中产生的热高效地散发。另外，散热性提高。
在本实施方式中，多个连接部51与多个NAND42B分别相接。根据该结构，能够将各在NAND42B中产生的热通过各连接部51而向多个内板50高效地传递。由此，散热性提高。
在本实施方式中，连接部51与壳体2(第2主壁15)相接。根据该结构，在连接部51中传递的热的一部分向壳体2传递后，从壳体2散发。由此，散热性提高。
在本实施方式中，内板50配置于罩侧基板模块4与第2主壁15之间。根据该结构，容易将传递到内板50的热向第2主壁15传递。由此，能够抑制在壳体2内产生的热在壳体2内滞留。
在本实施方式中，内板50配置于与电容器43在X方向上重叠的位置。由此，能够提高小型且散热性优异的半导体存储装置。
在本实施方式中，在壳体2的第1侧壁18a形成有使壳体2的内外连通的第1连通孔22。根据该结构，通过在例如通过第1连通孔22而流入到壳体2内的空气与散热模块5之间进行热交换，能够将散热模块5的热有效地散发。
在本实施方式中，连接部51(紧固连结部71)在X方向及Y方向上互相隔开间隔而配置。根据该结构，能够将在罩侧基板模块4中产生的热向内板50传递。由此，散热性提高。
在本实施方式中，连接部51具备夹设于在Z方向上相邻的2个内板50之间的第2间隔件76。根据该结构，能够确保在Z方向上相邻的2个内板50的间隔。由此，能够使空气向在Z方向上相邻的2个内板50之间流通。另外，能够确保散热模块5的表面积。
在本实施方式中，紧固连结销77将内板50、第1间隔件75及第2间隔件76一并保持。根据该结构，散热模块5由紧固连结销77一体地组装。因而，容易在半导体存储装置1组装散热模块5。
在本实施方式的半导体存储装置1中，散热模块5通过紧固连结销77而固定于壳体2。根据该结构，能够通过紧固连结销77而向壳体2散发热。另外，也能够通过散热模块5来加强壳体2。
在本实施方式中，在第2板50B与NAND42之间夹设缓冲部72。根据该结构，能够提高耐冲击性。另外，能够吸收部件公差。
在本实施方式中，NAND42B与第1主壁13之间的最小距离D1比NAND33A与第2主壁15之间的最小距离D2大。根据该结构，能够确保散热模块5的配置空间。
(第2实施方式)
图9是第2实施方式的半导体存储装置100的剖视图。如图9所示，第2实施方式的半导体存储装置100具备壳体2、基板模块101及散热模块120。在第2实施方式的半导体存储装置100中，在取代基体侧基板模块3及罩侧基板模块4而使用基板模块101这一点上与上述的第1实施方式不同。在第2实施方式的半导体存储装置100中，基板模块101在壳体2内位于比Z方向的中央部靠-Z侧(基体11侧)处。
图10是基板模块101的仰视图。如图10所示，基板模块101是电子电路安装基板。基板模块101例如具备基板110、控制器31、多个DRAM32、多个NAND33、外部连接器34及电容器43。基板模块101是第1基板模块的一例。
基板110例如是印制布线基板。基板110是“第1基板”的一例。基板110在从Z方向观察时是以X方向为长边方向且以Y方向为短边方向的矩形形状。如图9所示，基板110以Z方向为厚度方向而配置于壳体2内。基板110与第1主壁13及第2主壁15平行地配置。基板110通过螺钉等而固定于基体11。基板110具备第1面110a和第2面110b。第1面110a是与第1主壁13相面对的面。第2面110b位于与第1面110a相反的一侧。第2面110b是与散热模块120相面对的面。
如图10所示，控制器31在基板110的第1面110a上相对于基板110的中央部安装于-X侧。多个DRAM32A在第1面110a上在X方向上隔开间隔而排列。相对于基板110的中央部位于-Y侧(参照图11)。多个DRAM32B在第2面110b上在X方向上隔开间隔而排列。
多个NAND33A在第1面110a上在X方向及Y方向上隔开间隔而排列。多个NAND33B在第2面110b上在X方向及Y方向上隔开间隔而排列。多个NAND33B是“第1电子部件”的一例。
图11是基板模块101的俯视图。如图11所示，多个电容器43在基板110的第2面110b的外周部分处在X方向及Y方向上排列。各电容器43的一部分在从Z方向观察时与NAND33B互相重叠。
散热模块120是散热构件。散热模块120具有将例如在基板模块101中产生的热的一部分散发的功能。如图9所示，散热模块120具备多个内板50和多个连接部51。例如，多个内板50包括在Z方向上隔开间隔而配置的3张内板50。在各内板50的+X侧的端部形成有退避部121。退避部121是用于避免内板50与电容器43的干涉的缺口部。换言之，各内板50的一部分与电容器43的-X侧的端部相比位于+X侧。各连接部51具备紧固连结部71及缓冲部72。多个连接部51在X方向及Y方向上隔开间隔而排列。连接部51经由缓冲部72而与DRAM32B、NAND33B及基板110相接。
在本实施方式的半导体存储装置100中，基板模块101在壳体2内仅容纳有1个。由此，容易在壳体2内确保散热模块的配置空间。因而，能够谋求散热性的进一步提高。
根据以上说明的至少一个实施方式，具有壳体、第1基板模块、多个散热板及1个以上的连接部。第1基板模块包括第1基板和1个以上的第1电子部件。第1基板模块容纳于壳体内。多个散热板在壳体内在第1基板的厚度方向上与第1基板模块相面对的位置沿厚度方向配置多个。1个以上的连接部与第1基板模块及多个散热板相接。根据该结构，能够谋求散热性的提高。
实施方式是例示，发明的范围不限定于它们。

Claims (14)

1.一种半导体存储装置，具备：
壳体；
第1基板模块，包括第1基板和安装于所述第1基板的1个以上的第1电子部件，容纳在所述壳体内；
多个散热板，在所述壳体内在所述第1基板的厚度方向上与所述第1基板模块相面对的位置沿所述厚度方向配置；及
1个以上的连接部，与所述第1基板模块及所述多个散热板相接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部与所述1个以上的第1电子部件相接。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部包括多个连接部，
所述1个以上的第1电子部件包括多个第1电子部件，
所述多个连接部与所述多个第1电子部件分别相接。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部与所述壳体相接。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，
所述壳体具备在所述厚度方向上与所述第1基板模块相面对的第1壁，
所述多个散热板配置于所述第1基板与所述第1壁之间。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，
所述第1基板模块具备在安装于所述第1基板的状态下在所述厚度方向上从所述第1基板向所述第1壁侧的突出量比所述1个以上的第1电子部件大的安装部件，
所述散热板在从所述厚度方向观察时与所述安装部件错开的位置处配置于所述厚度方向上的所述安装部件的突出高度的范围内。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，
在所述壳体中的朝向与所述厚度方向交叉的第1方向的第2壁形成有使所述壳体的内外连通的连通孔。
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部包括多个连接部，
所述多个连接部在所述第1方向及在从所述厚度方向观察时与所述第1方向交叉的第2方向上分别排列。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部具备夹设于在所述厚度方向上相邻的所述多个散热板彼此之间的间隔件。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部具备贯通所述多个散热板及所述间隔件并将所述多个散热板及所述间隔件一并保持的保持部。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，
所述保持部固定于所述壳体。
12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，
所述1个以上的连接部具备热传导性构件，所述热传导性构件夹设于所述多个散热板中的在所述厚度方向上最靠所述第1基板模块侧配置的散热板与所述第1基板模块之间并且弹性比所述间隔件优异。
13.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，
在所述壳体内，在相对于所述第1基板模块在所述厚度方向上与所述多个散热板相反的一侧容纳有第2基板模块，所述第2基板模块包括第2基板和安装于所述第2基板的第2电子部件，
在所述厚度方向上，所述1个以上的第1电子部件与所述壳体的最小距离比所述第2电子部件与所述壳体的最小距离大。
14.一种半导体存储装置，具备：
壳体；
第1基板模块，包括第1基板和安装于所述第1基板的1个以上的第1电子部件，容纳在所述壳体内；
1个以上的散热板，在所述壳体内在所述第1基板的厚度方向上与所述第1基板模块相面对；及
连接部，与所述1个以上的第1电子部件及所述1个以上的散热板相接。
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