JP2024043083A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】一実施形態は、放熱性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、筐体と、基板と、第１半導体部品と、コンデンサと、第１整流板とを備える。前記基板は、前記筐体に収容されている。前記第１半導体部品は、前記基板に実装されている。前記コンデンサは、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合に、前記基板とは反対側から前記第１半導体部品と重なる部分を含み、前記基板に実装されている。前記第１整流板は、前記筐体内を流れる空気の少なくとも一部を前記コンデンサと前記基板との間の隙間に向けて案内する。【選択図】図６

Description

本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。

筐体と、筐体に収容された基板と、基板に実装された半導体部品と、基板に実装されたコンデンサとを備えた半導体記憶装置が知られている。

特開２０２２－０４９３２７号公報

一実施形態は、放熱性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。

実施形態の半導体記憶装置は、筐体と、基板と、第１半導体部品と、コンデンサと、第１整流板とを備える。前記基板は、前記筐体に収容されている。前記第１半導体部品は、前記基板に実装されている。前記コンデンサは、前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合に、前記基板とは反対側から前記第１半導体部品と重なる部分を含み、前記基板に実装されている。前記第１整流板は、前記筐体内を流れる空気の少なくとも一部を前記コンデンサと前記基板との間の隙間に向けて案内する。

実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。 実施形態の筐体の内部を示す斜視図。 実施形態の基板ユニットを示す図。 第１実施形態のインナープレートを説明するための斜視図。 図１中に示された半導体記憶装置のＦ５－Ｆ５線に沿う斜視断面図。 図１中に示された半導体記憶装置のＦ６－Ｆ６線に沿う断面図。 図１中に示された半導体記憶装置のＦ７－Ｆ７線に沿う断面図。 実施形態の半導体記憶装置の第２利用態様を示す断面図。 実施形態の半導体記憶装置の第２利用態様を示す断面図。

以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本出願で「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合も含み得る。本出願で「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続も含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続される場合に限定されず、別の部材を間に介在させて対象物と接続される場合も含み得る。本出願で「整流」とは、空気の流れを整えることに限定されず、空気の流れを案内する（例えば誘導する）ことを広く意味する。このため、本出願で言う「整流板」とは、「空気案内部」または「空気案内板」と適宜読み替えられてよい。本出願で「重なる」とは、互いに一部同士が重なる場合なども含み得る。

以下の説明で用いる＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向について定義する。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、筐体１０の第１主壁１１（図１参照）と平行な方向である。＋Ｘ方向は、筐体１０の第２端部１０ｂから第１端部１０ａに向かう方向である（図１参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、筐体１０の第４端部１０ｄから第３端部１０ｃに向かう方向である（図１参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。

＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、基板２１（図２参照）の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、基板２１から筐体１０の第１主壁１１に向かう方向である（図６参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。以下では説明の便宜上、＋Ｚ方向を「上」、－Ｚ方向を「下」、Ｚ方向における位置を「高さ位置」と称する場合がある。ただし、これら表現は、重力方向を規定するものではない。Ｚ方向は、「第１方向」の一例である。Ｘ方向は、「第２方向」の一例である。Ｙ方向は、「第２方向」の別の一例であるとともに、Ｘ方向が第２方向である場合における「第３方向」の一例である。

（実施形態）
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図８を参照し、実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のようなストレージデバイスである。半導体記憶装置１は、例えば、サーバまたはパーソナルコンピュータのような情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。

図１は、半導体記憶装置１を示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えば、筐体１０、基板ユニット２０（図２参照）、インナープレート４０（図２参照）、および複数の固定部材６１を有する。

＜２．筐体＞
まず、筐体１０について説明する。
筐体１０は、半導体記憶装置１の外郭を形成する部材である。筐体１０は、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に沿う扁平な箱状である。筐体１０は、例えば金属製である。筐体１０は、筐体１０の長手方向（Ｘ方向）に分かれた一対の端部として、第１端部１０ａと、第２端部１０ｂとを有する。第１端部１０ａは、＋Ｘ方向側の端部である。第２端部１０ｂは、－Ｘ方向側の端部である。筐体１０は、筐体１０の短手方向（Ｙ方向）に分かれた一対の端部として、第３端部１０ｃと、第４端部１０ｄとを有する。第３端部１０ｃは、＋Ｙ方向側の端部である。第４端部１０ｄは、－Ｙ方向側の端部である。また、筐体１０は、半導体記憶装置１の外郭を形成する壁として、第１主壁１１、第２主壁１２、第１側壁１３、第２側壁１４、第３側壁１５、および第４側壁１６を有する。

（第１主壁）
第１主壁１１は、筐体１０の＋Ｚ方向側の端部に位置し、Ｘ方向およびＹ方向に沿う壁である。第１主壁１１は、第１から第４の側壁１３，１４，１５，１６の各々と比べて大きな面積を有する。

第１主壁１１は、例えば、１つ以上（例えば複数）の開口１１ａと、封止部材１１ｂとを有する。開口１１ａは、第１主壁１１をＺ方向に貫通している。開口１１ａは、Ｚ方向から見た場合、後述するコンデンサ２６（図２参照）と重なる位置に配置されている。開口１１ａには、コンデンサ２６の上端部が挿入される（図７参照）。これにより、大きなコンデンサ２６を搭載した半導体記憶装置１の薄型化が可能になる。封止部材１１ｂは、+Ｚ方向側から第１主壁１１の表面に取り付けられ、開口１１ａを覆う。

第１主壁１１は、１つ以上（例えば複数）の突起１１ｐを有する。突起１１ｐは、第１主壁１１から筐体１０の内部に向いて－Ｚ方向に突出している。突起１１ｐは、例えば、後述するインナープレート４０の貫通穴４３ｈ，４４ｈ，４６ｈに係合してカシメにより固定される。

（第２主壁）
第２主壁１２は、筐体１０の－Ｚ方向側の端部に位置し、Ｘ方向およびＹ方向に沿う壁である。第２主壁１２は、第１から第４の側壁１３，１４，１５，１６の各々と比べて大きな面積を有する。後述する基板ユニット２０およびインナープレート４０は、Ｚ方向において、第１主壁１１と第２主壁１２との間に配置される。

（第１から第４の側壁）
第１側壁１３、第２側壁１４、第３側壁１５、および第４側壁１６の各々は、Ｚ方向に沿う壁であり、第１主壁１１の端部と第２主壁１２の端部との間に延びている。

第１側壁１３は、筐体１０の第１端部１０ａに位置し、Ｙ方向およびＺ方向に沿う壁である。第１側壁１３は、複数の通気孔１３ｈを有する。通気孔１３ｈは、第１側壁１３をＸ方向に貫通し、Ｘ方向に開口している。複数の通気孔１３ｈは、Ｙ方向およびＺ方向に並べて配置されている。例えば、複数の通気孔１３ｈは、第１列Ｒ１に配置された複数の通気孔１３ｈａと、第２列Ｒ２に配置された複数の通気孔１３ｈｂとを含む。第１列Ｒ１および第２列Ｒ２の各々は、Ｙ方向に沿う列である。第１列Ｒ１では、３つ以上の通気孔１３ｈａがＹ方向に並べて配置されている。第２列Ｒ２は、第１列Ｒ１の－Ｚ方向側に配置されている。第２列Ｒ２では、３つ以上の通気孔１３ｈｂがＹ方向に並べて配置されている。

第２側壁１４は、筐体１０の第２端部１０ｂに位置し、Ｙ方向およびＺ方向に沿う壁である。第２側壁１４は、複数の通気孔１４ｈを有する。通気孔１４ｈは、第２側壁１４をＸ方向に貫通し、Ｘ方向に開口している。複数の通気孔１４ｈは、Ｙ方向およびＺ方向に並べて配置されている。例えば、複数の通気孔１４ｈは、第３列Ｒ３に配置された複数の通気孔１４ｈａと、第４列Ｒ４に配置された複数の通気孔１４ｈｂとを含む。第３列Ｒ３および第４列Ｒ４の各々は、Ｙ方向に沿う列である。第３列Ｒ３では、３つ以上の通気孔１４ｈａがＹ方向に並べて配置されている。第４列Ｒ４は、第３列Ｒ３の－Ｚ方向側に配置されている。第４列Ｒ４では、３つ以上の通気孔１４ｈｂがＹ方向に並べて配置されている。

第３側壁１５は、筐体１０の第３端部１０ｃに位置し、Ｘ方向およびＺ方向に沿う壁である。第３側壁１５は、第１側壁１３の＋Ｙ方向側の端部と第２側壁１４の＋Ｙ方向側の端部との間をＸ方向に延びて、第１側壁１３と第２側壁１４とを接続している。

第４側壁１６は、筐体１０の第４端部１０ｄに位置し、Ｘ方向およびＺ方向に沿う壁である。第４側壁１６は、第１側壁１３の－Ｙ方向側の端部と第２側壁１４の－Ｙ方向側の端部との間をＸ方向に延びて、第１側壁１３と第２側壁１４とを接続している。

（筐体のベースおよびカバー）
本実施形態では、筐体１０は、ベース１８とカバー１９とを含み、ベース１８とカバー１９とが組み合わされることで形成されている。ベース１８は、例えば、第２主壁１２の全部と、第１から第４の側壁１３，１４，１５，１６の各々の一部とを含む。カバー１９は、例えば、第１主壁１１の全部と、第１から第４の側壁１３，１４，１５，１６の各々の別の一部とを含む。ベース１８およびカバー１９は、固定部材６１によって互いに固定されている。ベース１８およびカバー１９は、例えば、金属製である。ベース１８は、「第１筐体部材」の一例である。カバー１９は、「第２筐体部材」の一例である。

図２は、筐体１０の内部を示す斜視図である。本実施形態では、筐体１０には、基板ユニット２０およびインナープレート４０が収容されている。インナープレート４０は、例えば、基板ユニット２０に含まれる基板２１と、筐体１０のカバー１９との間に配置される（図６参照）。

＜３．基板ユニット＞
次に、基板ユニット２０について説明する。
図３は、基板ユニット２０を示す図である。基板ユニット２０は、例えば、基板２１、コネクタ２２、コントローラ２３、１つ以上のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２４、１つ以上（例えば複数）の半導体メモリ２５、および１つ以上（例えば複数）のコンデンサ２６を有する。

基板２１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部材である。基板２１は、プリント基板であり、絶縁基材と、絶縁基材に設けられた配線パターンとを有する。基板２１は、第１面Ｓ１と、第１面Ｓ１とは反対側に位置した第２面Ｓ２とを有する。第１面Ｓ１は、＋Ｚ方向側に向いた面である。第２面Ｓ２は、－Ｚ方向側に向いた面である。

基板２１は、基板２１の長手方向（Ｘ方向）に分かれた一対の端部として、第１端部２１ａと、第２端部２１ｂとを有する。第１端部２１ａは、＋Ｘ方向側の端部である。第２端部２１ｂは、－Ｘ方向側の端部である。基板２１は、基板２１の短手方向（Ｙ方向）に分かれた一対の端部として、第３端部２１ｃと、第４端部２１ｄとを有する。第３端部２１ｃは、＋Ｙ方向側の端部である。第４端部２１ｄは、－Ｙ方向側の端部である。

コネクタ２２は、ホスト装置と接続されるコネクタである。コネクタ２２は、ホスト装置と接続可能な複数の金属端子を有する。コネクタ２２は、基板２１の第２端部２１ｂに設けられている。

コントローラ２３は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。コントローラ２３は、例えば、ホスト装置と通信を行うホストインターフェース回路、複数のＤＲＡＭ２４を制御する制御回路、および複数の半導体メモリ２５を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（System on a Chip）を含む半導体パッケージである。

本実施形態では、コントローラ２３は、基板２１の第２面Ｓ２に実装されている。コントローラ２３と筐体１０の第２主壁１２との間には、熱伝導部材５１（例えば熱伝導シート）が設けられている（図６参照）。コントローラ２３は、熱伝導部材５１を介して、筐体１０の第２主壁１２に接続されている。コントローラ２３から発生する熱の一部は、熱伝導部材５１を介して筐体１０の第２主壁１２に伝わり、第２主壁１２から筐体１０の外部に放出される。

ＤＲＡＭ２４は、揮発にデータを記憶する半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＤＲＡＭ２４は、ホスト装置から受信した書き込みデータ、または半導体メモリ２５から読み出された読み出しデータなどが一時的に格納されるデータバッファとして用いられる。本実施形態では、ＤＲＡＭ２４は、基板２１の第１面Ｓ１に実装されている。ＤＲＡＭ２４に関する放熱構造については、後述する。

半導体メモリ２５は、不揮発にデータを記憶する半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。半導体メモリ２５は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。半導体メモリ２５は、「半導体部品」の一例である。ただし、「半導体部品」および「半導体メモリ」は、上記例に限定されず、ＮＯＲ型メモリや、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）、抵抗変化型メモリなど他の種類のメモリでもよい。また「半導体部品」は、半導体メモリに限定されず、ＰＭＩＣ（Power Management IC）のような電源回路部品、ＤＣ－ＤＣコンバータのような電力変換部品、またはその他の機能を持つ半導体部品でもよい。

本実施形態では、複数の半導体メモリ２５は、基板２１の第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とに分かれて実装されている。複数の半導体メモリ２５は、基板２１の第１面Ｓ１に実装された複数の半導体メモリ２５Ａと、基板２１の第２面Ｓ２に実装された複数の半導体メモリ２５Ｂとを含む。以下では、「半導体メモリ２５Ａ」と「半導体メモリ２５Ｂ」とを区別しない場合、単に「半導体メモリ２５」と称する。

本実施形態では、第１面Ｓ１に実装された複数の半導体メモリ２５Ａは、基板２１の第１端部２１ａに沿って並べて配置された３つの半導体メモリ２５Ａ１，２５Ａ２，２５Ａ３を含む。３つの半導体メモリ２５Ａ１，２５Ａ２，２５Ａ３は、－Ｙ方向に進むに従い、半導体メモリ２５Ａ１、半導体メモリ２５Ａ２、半導体メモリ２５Ａ３の順に配置されている。

本実施形態では、第２面Ｓ２に実装された半導体メモリ２５Ｂと筐体１０の第２主壁１２との間には、熱伝導部材５２（例えば熱伝導シート）が設けられている（図６参照）。半導体メモリ２５Ｂは、熱伝導部材５２を介して、筐体１０の第２主壁１２に接続されている。半導体メモリ２５Ｂから発生する熱の一部は、熱伝導部材５２を介して筐体１０の第２主壁１２に伝わり、第２主壁１２から筐体１０の外部に放出される。第１面Ｓ１に実装された半導体メモリ２５Ａに関する放熱構造については、後述する。

コンデンサ２６は、予期せぬ電力遮断時のデータ保護を目的とする電源バックアップ機能を担う。例えば、コンデンサ２６は、ホスト装置からの電力供給が予期せず遮断された場合、コントローラ２３、複数のＤＲＡＭ２４、および複数の半導体メモリ２５に電力を一定時間に亘り供給する。コンデンサ２６は、例えば電解コンデンサである。さらに言えば、コンデンサ２６は、例えばアルミ電解コンデンサである。ただし、コンデンサ２６は、上記例に限定されない。コンデンサ２６は、「電子部品」の一例である。

コンデンサ２６は、基板２１に実装されている。本実施形態では、複数のコンデンサ２６は、複数（例えば３つ）のコンデンサ２６Ｓと、複数（例えば３つ）のコンデンサ２６Ｔとを含む。複数のコンデンサ２６Ｓは、基板２１の第１端部２１ａに沿って並べて配置されている。すなわち、複数のコンデンサ２６Ｓは、Ｙ方向に並べて配置されている。一方で、複数のコンデンサ２６Ｔは、基板２１の第３端部２１ｃに沿って並べて配置されている。すなわち、複数のコンデンサ２６Ｔは、Ｘ方向に並べて配置されている。以下では、「コンデンサ２６Ｓ」と「コンデンサ２６Ｔ」とを区別しない場合、単に「コンデンサ２６」と称する。

＜４．コンデンサの実装構造＞
次に、コンデンサ２６の実装構造について説明する。コンデンサ２６は、例えば、部品本体３１と、２つのリード３２とを有する。

部品本体３１は、コンデンサ２６の主機能を担う部分である。例えば、部品本体３１は、直流電圧が印加されることで電荷を蓄積する部分である。部品本体３１は、例えば、電極となる金属、誘電体、および電解液を含む。部品本体３１は、例えば円柱状である。コンデンサ２６Ｓは、部品本体３１の中心軸ＣをＸ方向に沿わせて配置されている。一方で、コンデンサ２６Ｔは、部品本体３１の中心軸ＣをＹ方向に沿わせて配置されている。

本実施形態では、Ｚ方向から見た場合、部品本体３１は、基板２１とは反対側から半導体メモリ２５Ａと重なる部分３１ａ（以下「重なり部３１ａ」と称する）を有する。部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとを重ねて配置することで、基板２１に必要な実装面積を小さくすることができる。上述したように、本出願で「重なる」とは、互いに一部同士が重なる場合も含み得る。すなわち、「部品本体３１が半導体メモリ２５Ａと重なる」とは、部品本体３１の全体が半導体メモリ２５Ａと重なる場合に限定されず、部品本体３１の一部が半導体メモリ２５Ａと重なる場合を含み得る。

本実施形態では、コンデンサ２６と基板２１との間には、隙間Ｓが形成されている。隙間Ｓは、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間に形成された隙間ｇを含む。隙間ｇは、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１に実装された半導体メモリ２５Ａとの間に形成された隙間ｇａを含む。例えば、Ｚ方向における隙間ｇａの厚さＴ２は、Ｚ方向における半導体メモリ２５Ａの厚さ（実装高さ）Ｔ１よりも小さい。隙間Ｓは、「第１隙間」の一例である。隙間ｇは、「第２隙間」の一例である。隙間ｇａは、「第３隙間」の一例である。

リード３２は、電気接続用の端子である。リード３２は、部品本体３１からＸ方向またはＹ方向に突出するとともに、－Ｚ方向を向いて折れ曲がり、基板２１に接続されている。例えば、コンデンサ２６Ｓのリード３２は、部品本体３１からＸ方向に突出し、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１が重なる半導体メモリ２５よりも＋Ｘ方向側の位置で基板２１に接続されている。コンデンサ２６Ｔのリード３２は、部品本体３１からＹ方向に引き出され、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１が重なる半導体メモリ２５よりも＋Ｙ方向側の位置で基板２１に接続されている。

＜５．インナープレート＞
次に、インナープレート４０について説明する。
図４は、インナープレート４０を説明するための斜視図である。図４は、図２に示された構造からコンデンサ２６が取り除かれた図である。インナープレート４０は、例えば、筐体１０内で発生する熱を筐体１０の第１主壁１１に伝える熱伝導機能を有するとともに、筐体１０内を流れる空気を案内する整流機能を有する。なお、インナープレート４０は、熱伝導機能を有さずに、整流機能のみを有してもよい。

ここでは、筐体１０内を－Ｘ方向に空気（冷却風）が流れる場合における各構成の機能について説明する。筐体１０内を＋Ｘ方向に空気（冷却風）が流れる場合における各構成の機能については後述する。インナープレート４０は、例えば、第１整流部４１、第１カバー部４２、第２整流部４３、第３整流部４４、第２カバー部４５、および取付部４６を有する。インナープレート４０は、例えば金属製である。

（第１整流部）
第１整流部４１は、筐体１０内において空気の流れ方向を変える整流部である。本実施形態では、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓ（図６参照）に向けて案内する。例えば、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇ（図６参照）に向けて案内する。なお、本出願で「空気を隙間に向けて案内する」とは、隙間まで空気を直接案内する場合に限定されず、隙間の上流領域まで空気を案内することで、隙間の上流領域まで案内された空気がその後の自然な流れで隙間に流入する場合なども含み得る。本実施形態では、第１整流部４１は、インナープレート４０の一部として板状に形成されている。第１整流部４１は、「第１整流板」および「第１傾斜板」のそれぞれ一例である。第１整流部４１は、「第１整流板部」または「第１傾斜板部」と称されてもよい。

本実施形態では、第１整流部４１は、インナープレート４０の＋Ｘ方向側の端部に設けられている。第１整流部４１の少なくとも一部（例えば全部）は、Ｚ方向に対して傾斜している。第１整流部４１は、＋Ｚ方向側に進むに従い＋Ｘ方向側に位置するように、Ｚ方向およびＸ方向に対して傾斜している。言い換えると、第１整流部４１は、基板２１から離れるに従い通気孔１３ｈに近づくようにＺ方向およびＸ方向に対して傾斜している。本実施形態では、第１整流部４１は、３０°から６０°の間の任意の角度でＺ方向に対して傾斜している。

第１整流部４１は、例えば、インナープレート４０のＹ方向の全幅に亘り設けられている。例えば、第１整流部４１のＹ方向の幅Ｗ１（図４参照）は、筐体１０の第１側壁１３において最も＋Ｙ方向側の通気孔１３ｈの内面と、最も－Ｙ方向側の通気孔１３ｈの内面との間の最大距離Ｌ１（図１参照）よりも大きい。

図５は、図１中に示された半導体記憶装置１のＦ５－Ｆ５線に沿う斜視断面図である。図５に示すように、第１整流部４１は、Ｘ方向において、複数のコンデンサ２６と、筐体１０の第１側壁１３の複数の通気孔１３ｈとの間に配置されている。第１整流部４１は、Ｘ方向から見た場合、筐体１０の第１側壁１３の複数の通気孔１３ｈと重なる。本実施形態では、第１整流部４１は、Ｘ方向から見た場合、筐体１０の第１側壁１３に設けられた全ての通気孔１３ｈと重なる。

図６は、図１中に示された半導体記憶装置１のＦ６－Ｆ６線に沿う断面図である。第１整流部４１は、第１列Ｒ１に配置された通気孔１３ｈａの上端よりも上方の位置と、第２列Ｒ２に配置された通気孔１３ｈｂの下端よりも下方の位置とに亘る。別の観点では、第１整流部４１のＺ方向の寸法Ｗ２は、コンデンサ２６の部品本体３１の直径Ｄの半分以上である。本実施形態では、第１整流部４１の下端４１ｅ１は、Ｚ方向において、コンデンサ２６の部品本体３１の下端３１ｅと同じ高さに位置する。

本実施形態では、筐体１０の第１側壁１３の通気孔１３ｈから筐体１０内に流入する空気は、筐体１０の第１側壁１３とコンデンサ２６との間の空間で第１整流部４１にぶつかる。そして、流入した空気の流れ方向は、第１整流部４１に沿うように変わる。このことで、流入した空気は、斜め下方に向けて流れるようになる。これにより、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。

本実施形態では、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇは、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを含む。第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。例えば、第１整流部４１は、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａよりも上流側の位置で、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。

図６に示すように、第１整流部４１の一部（以下「第１部分４１ａ」と称する）は、Ｘ方向において、複数のコンデンサ２６Ｓと、筐体１０の第１側壁１３の複数の通気孔１３ｈとの間に配置されている。第１整流部４１の第１部分４１ａは、筐体１０内を流れる空気の一部を、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の一部を、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。

図７は、図１中に示された半導体記憶装置１のＦ７－Ｆ７線に沿う断面図である。本実施形態では、第１整流部４１の別の一部（以下「第２部分４１ｂ」と称する）は、Ｘ方向において、複数のコンデンサ２６Ｔと、筐体１０の第１側壁１３の複数の通気孔１３ｈとの間に配置されている。第１整流部４１の第２部分４１ｂは、筐体１０内を流れる空気の一部を、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第１整流部４１は、筐体１０内を流れる空気の一部を、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。

（第１カバー部）
図４に戻り、第１カバー部４２について説明する。第１カバー部４２は、筐体１０内において基板２１の近傍に空気の流路を形成する流路形成部である。本実施形態では、第１カバー部４２は、第１整流部４１によって基板２１に向けて案内された空気の少なくとも一部を、基板２１の近傍に沿って（例えば半導体メモリ２５Ａの表面に沿って）、－Ｘ方向に案内する。本実施形態では、第１カバー部４２は、インナープレート４０の一部として板状に形成されている。第１カバー部４２は、「第１カバー板」の一例である。第１カバー部４２は、「第１カバー板部」と称されてもよい。

本実施形態では、第１カバー部４２は、Ｚ方向から見た場合、基板２１と重なる。第１カバー部４２は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部である。第１カバー部４２は、第１整流部４１の－Ｘ方向側において、第１整流部４１と連続して設けられている。例えば、第１カバー部４２は、第１整流部４１の下端４１ｅ１の少なくとも一部から－Ｘ方向に延びている（図６、図７参照）。ここで、第１整流部４１は、複数の端として、例えば、下端４１ｅ１と、上端４１ｅ２とを有する。第１整流部４１の下端４１ｅ１は、第１整流部４１の複数の端のなかで基板２１に最も近い端である。第１整流部４１の下端４１ｅ１は、「第１端」の一例である。第１カバー部４２と基板２１との間には、第１整流部４１によって基板２１に向けて案内された空気の少なくとも一部が流れる流路Ｐが形成される（図６、図７参照）。

本実施形態では、第１カバー部４２は、Ｚ方向から見た場合、基板２１とは反対側から半導体メモリ２５Ａと重なる。これにより、第１カバー部４２と半導体メモリ２５Ａとの間に、第１整流部４１によって基板２１に向けて案内された空気の少なくとも一部が流れる流路Ｐａが形成される（図６、図７参照）。例えば、流路ＰａのＺ方向の厚さＴ３は、半導体メモリ２５のＺ方向の厚さ（実装高さ）Ｔ１よりも小さい（図６、図７参照）。

図４に示すように、第１カバー部４２は、Ｚ方向で見た場合に、コンデンサ２６（例えばコンデンサ２６Ｓ）と重なる領域を避け、コンデンサ２６（例えばコンデンサ２６Ｓ）の周囲の少なくとも一部に設けられている。本実施形態では、第１カバー部４２は、Ｚ方向から見た場合に、複数のコンデンサ２６Ｓよりも大きな抜き部４２ｆを有する。抜き部４２ｆは、第１カバー部４２とコンデンサ２６Ｓとの接触を避けるために、第１カバー部４２に設けられた開口部または切欠き部である。複数のコンデンサ２６Ｓが抜き部４２ｆに配置されることで、第１カバー部４２は、複数のコンデンサ２６Ｓの周囲の少なくとも一部に設けられる。本実施形態では、第１カバー部４２は、基板２１に対する配置高さ（すなわちＺ方向の高さ位置）がコンデンサ２６の一部と同じである。言い換えると、第１カバー部４２は、基板２１と平行な方向（すなわちＸ方向またはＹ方向）で、コンデンサ２６の一部と隣り合う。

本実施形態では、第１カバー部４２は、第１部分４２ａ、第２部分４２ｂ、および第３部分４２ｃを含む。

第１部分４２ａは、複数のコンデンサ２６Ｓに対して＋Ｙ方向側に位置する。第１部分４２ａは、第１整流部４１の第２部分４１ｂの下端４１ｅ１から－Ｘ方向に延びている。第１部分４２ａと基板２１との間には、第１整流部４１によって基板２１に向けて案内された空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６Ｔと半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する流路Ｐ１が形成される（図７参照）。流路Ｐ１は、流路Ｐの一例である。

第２部分４２ｂは、複数のコンデンサ２６Ｓに対して－Ｘ方向側に位置する。第２部分４２ｂは、後述する第２整流部４３の下端４３ｅ１（図５、図６参照）から＋Ｘ方向に延びている。第２部分４２ｂと基板２１との間には、第１整流部４１によって基板２１に向けて案内されてコンデンサ２６Ｓと半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを通過した空気の少なくとも一部を、基板２１の近傍に沿って下流側に案内する流路Ｐ２が形成される（図６参照）。流路Ｐ２は、流路Ｐの一例である。

図４に示すように、第２部分４２ｂは、Ｚ方向から見た場合、基板２１とは反対側から半導体メモリ２５Ａ２と重なる。本実施形態では、半導体メモリ２５Ａ２と第１カバー部４２の第２部分４２ｂとの間には、熱伝導部材５３（例えば熱伝導シート）が配置されている。半導体メモリ２５Ａ２は、熱伝導部材５３を介して、第１カバー部４２の第２部分４２ｂに接続されている。本実施形態では、インナープレート４０は、後述する固定構造により筐体１０の第１主壁１１に接続されている。このため、半導体メモリ２５Ａ２は、熱伝導部材５３およびインナープレート４０を介して、筐体１０の第１主壁１１に接続される。半導体メモリ２５Ａ２から発生する熱の一部は、熱伝導部材５３およびインナープレート４０を介して筐体１０の第１主壁１１に伝わり、第１主壁１１から筐体１０の外部に放出される。半導体メモリ２５Ａ２は、「第１半導体部品」の一例である。熱伝導部材５３は、「第１熱伝導部材」の一例である。なお、「第１半導体部品」は、半導体メモリ２５Ａ２に限定されず、半導体メモリ２５Ａ１または半導体メモリ２５Ａ３でもよく、コンデンサ２６Ｔの下側に配置される半導体メモリ２５Ａなどでもよい。

第３部分４２ｃは、複数のコンデンサ２６Ｓに対して－Ｙ方向側に位置する。第３部分４２ｃは、第１整流部４１とインナープレート４０の他の部分とを連結する連結部である。第３部分４２ｃは、Ｚ方向から見た場合、基板２１とは反対側から半導体メモリ２５Ａ３と重なる。

本実施形態では、半導体メモリ２５Ａ３と第１カバー部４２の第３部分４２ｃとの間には、熱伝導部材５４（例えば熱伝導シート）が配置されている。半導体メモリ２５Ａ３は、熱伝導部材５４を介して、第１カバー部４２の第３部分４２ｃに接続されている。半導体メモリ２５Ａ３は、熱伝導部材５４およびインナープレート４０を介して、筐体１０の第１主壁１１に接続される。半導体メモリ２５Ａ３から発生する熱の一部は、熱伝導部材５４およびインナープレート４０を介して筐体１０の第１主壁１１に伝わり、第１主壁１１から筐体１０の外部に放出される。半導体メモリ２５Ａ３は、「第２半導体部品」の一例である。熱伝導部材５４は、「第２熱伝導部材」の一例である。

（第２整流部）
第２整流部４３は、筐体１０内において空気の流れ方向を変える整流部である。本実施形態では、第２整流部４３は、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇを－Ｘ方向に流れた空気の一部（例えば、コンデンサ２６と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを流れた空気の一部）を、インナープレート４０の上方に解放する。この内容については詳しく後述する。本実施形態では、第２整流部４３は、インナープレート４０の一部として板状に形成されている。第２整流部４３は、「第２整流板」および「第２傾斜板」のそれぞれ一例である。第２整流部４３は、「第２整流板部」または「第２傾斜板部」と称されてもよい。

本実施形態では、第２整流部４３は、Ｘ方向において、コンデンサ２６Ｓに対して第１整流部４１とは反対側に位置する。例えば、第２整流部４３は、Ｘ方向において、コンデンサ２６Ｓに対して第１整流部４１の第１部分４１ａとは反対側に位置する。第２整流部４３は、傾斜部４３ａと、固定部４３ｂとを有する。

傾斜部４３ａは、Ｚ方向に対して、第１整流部４１とは反対側に傾斜している。傾斜部４３ａは、＋Ｚ方向側に進むに従い－Ｘ方向側に位置するように、Ｚ方向およびＸ方向に対して傾斜している。本実施形態では、傾斜部４３ａは、３０°から６０°の間の任意の角度でＺ方向に対して傾斜している。上述した第１カバー部４２の第２部分４２ｂは、第２整流部４３の下端４３ｅ１の少なくとも一部から－Ｘ方向に延びている。ここで、第２整流部４３は、複数の端として、例えば、下端４３ｅ１と、上端４３ｅ２とを有する。第２整流部４３の下端４３ｅ１は、傾斜部４３ａの下端であり、第２整流部４３のなかで基板２１に最も近い端である。第２整流部４３の下端４３ｅ１は、「第２端」の一例である。本実施形態では、第１カバー４２は、第１整流部４１の下端４１ｅ１の少なくとも一部と、第２整流部４３の下端４３ｅ１の少なくとも一部とを接続している。

固定部４３ｂは、傾斜部４３ａの上端から－Ｘ方向に延びている。固定部４３ｂは、例えば、貫通穴４３ｈを有する。貫通穴４３ｈは、固定部４３ｂをＺ方向に貫通している。貫通穴４３ｈには、筐体１０の第１主壁１１の突起１１ｐが挿入されてカシメにより固定される。これにより、固定部４３ｂと筐体１０とが接続される。

（第３整流部）
第３整流部４４は、筐体１０内において空気の流れ方向を変える整流部である。本実施形態では、第３整流部４４は、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇを－Ｘ方向に流れた空気の一部（例えば、コンデンサ２６と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを流れた空気の一部）を、インナープレート４０の上方に解放する。この内容については詳しく後述する。本実施形態では、第３整流部４４は、インナープレート４０の一部として板状に形成されている。第３整流部４４は、「第２整流板」および「第２傾斜板」のそれぞれ別の一例であるとともに、「第３整流板」および「第３傾斜板」のそれぞれの一例である。第３整流部４４は、「第３整流板部」または「第３傾斜板部」と称されてもよい。

本実施形態では、第３整流部４４は、Ｘ方向において、コンデンサ２６Ｔに対して第１整流部４１とは反対側に位置する。例えば、第３整流部４４は、Ｘ方向において、コンデンサ２６Ｔに対して第１整流部４１の第２部分４１ｂとは反対側に位置する。第３整流部４４は、傾斜部４４ａと、固定部４４ｂとを有する。

傾斜部４４ａは、Ｚ方向に対して、第１整流部４１とは反対側に傾斜している。傾斜部４４ａは、＋Ｚ方向側に進むに従い－Ｘ方向側に位置するように、Ｚ方向およびＸ方向に対して傾斜している。本実施形態では、傾斜部４４ａは、３０°から６０°の間の任意の角度でＺ方向に対して傾斜している。

固定部４４ｂは、傾斜部４４ａの上端から－Ｘ方向に延びている。固定部４４ｂは、例えば、貫通穴４４ｈを有する。貫通穴４４ｈは、固定部４４ｂをＺ方向に貫通している。貫通穴４４ｈには、筐体１０の第１主壁１１の突起１１ｐが挿入されてカシメにより固定される。これにより、固定部４４ｂと筐体１０とが接続される。

（第２カバー部）
第２カバー部４５は、筐体１０内において基板２１の近傍に空気の流路を形成する流路形成部である。本実施形態では、第２カバー部４５は、第１整流部４１によって基板２１に向けて案内された空気の少なくとも一部を、基板２１の近傍に沿って－Ｘ方向に案内する。本実施形態では、第２カバー部４５は、インナープレート４０の一部として板状に形成されている。第２カバー部４５は、「第２カバー板」の一例である。第２カバー部４５は、「第２カバー板部」と称されてもよい。

本実施形態では、第２カバー部４５は、Ｚ方向から見た場合、基板２１と重なる。第２カバー部４５は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板部である。第２カバー部４５は、Ｘ方向において、第２整流部４３および第３整流部４４に対してコンデンサ２６とは反対側に配置されている。第２カバー部４５と基板２１との間には、空気が流れる流路Ｑが形成される（図６、図７参照）。

図４に示すように、第２カバー部４５は、Ｚ方向から見た場合、基板２１とは反対側から複数のＤＲＡＭ２４と重なる。ＤＲＡＭ２４とインナープレート４０との間には、熱伝導部材５５（例えば熱伝導シート）が設けられている（図４参照）。ＤＲＡＭ２４は、熱伝導部材５５およびインナープレート４０を介して、筐体１０の第１主壁１１に接続されている。ＤＲＭＡ２４から発生する熱の一部は、熱伝導部材５５およびインナープレート４０を介して筐体１０の第１主壁１１に伝わり、第１主壁１１から筐体１０の外部に放出される。ＤＲＭＡ２４は、「第３半導体部品」および「第４半導体部品」のそれぞれ一例である。熱伝導部材５５は、「第３熱伝導部材」および「第４熱伝導部材」のそれぞれ一例である。

図４に示すように、第２カバー部４５は、第２カバー部４５の少なくとも一部と第２整流部４３との間に、筐体１０内の空気の一部がＺ方向に移動可能な空間Ｊ１を開けて配置される。これにより、コンデンサ２６Ｓと基板２１との間の隙間ｇを通過した空気の一部、および／または第１カバー部４２と基板２１との間の流路Ｐを通過した空気の一部は、空間Ｊ１を通じて第２カバー部４５の上方（＋Ｚ方向側）に移動可能である。本出願で「空気がＺ方向に移動可能」とは、Ｚ方向に一致して空気が移動可能（例えば真上に移動可能）である場合に限定されず、Ｚ方向に対して傾斜した方向に移動可能（例えば斜め上方向に移動可能）である場合も含み得る。

同様に、第２カバー部４５は、第２カバー部４５の少なくとも一部と第３整流部４４との間に、筐体１０内の空気の一部がＺ方向に移動可能な空間Ｊ２を開けて配置される。これにより、コンデンサ２６Ｔと基板２１との間の隙間ｇを通過した空気の一部は、空間Ｊ２を通じて第２カバー部４５の上方（＋Ｚ方向側）に移動可能である。

取付部４６は、インナープレート４０を筐体１０に固定するための部分である。取付部３６は、例えば、インナープレート４０の－Ｘ方向側の端部に設けられている。取付部４６は、例えば、一対の傾斜部４６ａ，４６ｂと、固定部４６ｃとを有する。

傾斜部４６ａ，４６ｂは、第２カバー部４５の端部に連続して設けられている。傾斜部４６ａ，４６ｂは、＋Ｚ方向側に進むに従い－Ｘ方向に位置するように、Ｚ方向に対して傾斜している。一対の傾斜部４６ａ，４６ｂは、Ｙ方向に離間して配置されている。

固定部４６ｃは、傾斜部４６ａ，４６ｂの上端から－Ｘ方向に延びている。固定部４６ｃは、例えば、貫通穴４６ｈを有する。貫通穴４６ｈは、固定部４６ｃをＺ方向に貫通している。貫通穴４６ｈには、筐体１０の第１主壁１１の突起１１ｐが挿入されてカシメにより固定される。これにより、固定部４６ｃと筐体１０とが接続される。

＜６．作用＞
次に、半導体記憶装置１の作用（第１利用態様における作用）について説明する。
まず図６を参照し、コンデンサ２６Ｓに関する空気の流れについて説明する。図６に示すように、冷却用の空気は、筐体１０の外部から筐体１０の第１側壁１３の通気孔１３ｈを通じて筐体１０内に流入する。筐体１０内に流入した空気の少なくとも一部は、第１整流部４１にぶつかる。そして、流入した空気の流れ方向は、第１整流部４１に沿うように変わる。このことで流入した空気は、第１整流部４１に沿って流れるようになる。第１整流部４１に沿って流れた空気は、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給される（矢印Ｄ１参照）。これにより、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１の下側を流れる空気の流量が増加する。したがって、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１の下方に位置する半導体メモリ２５Ａの冷却が促進される。例えば、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給された空気の一部は、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを流れる。このことで、半導体メモリ２５Ａの冷却が促進される。

コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇを流れた空気の一部は、第１カバー部４２と基板２１との間の流路Ｐを流れ、第２整流部４３に到達する。第２整流部４３に到達した空気の一部は、そのまま基板２１の近傍を流れる流れを維持し、第２カバー部４５と基板２１との間の流路Ｑを流れる（矢印Ｄ２参照）。これにより、第２カバー部４５の冷却が促進されるとともに、基板２１の第１面Ｓ１に実装された部品の冷却が促進される。

本実施形態では、第２整流部４３の少なくとも一部（例えば傾斜部４３ａ）は、Ｘ方向に対して傾斜している。第２整流部４３の少なくとも一部が傾斜している理由は、図８を参照して後述するように、筐体１０内を逆向きに空気が流れる場合（後述する第２利用態様）において、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給するためである。また、第２整流部４３の少なくとも一部が傾斜している理由は、上述した理由に代えて／加えて、インナープレート４０を筐体１０に固定するための固定部４３ｂを筐体１０の第１主壁１１の近くに配置するためである。

なお、第２整流部４３が傾斜している場合、次の作用も期待できる。すなわち、図６に示すように、第１カバー部４２と基板２１との間の流路Ｐからコンデンサ２６Ｓと基板２１との間の隙間ｇを流れて第２整流部４３に到達した空気の別の一部は、空間Ｊ１を通じて第２カバー部４５の上方に移動する。第２カバー部４５の上方に移動した空気は、第２カバー部４５の上面に沿って流れる（矢印Ｄ３参照）。これにより、第２カバー部４５の冷却が促進される。すなわち本実施形態では、第２整流部４３の下流側で空気の流れが２つに分かれ、第２カバー部４５が上下両側から冷却される。これにより、第２カバー部４５の放熱が効率的に行われる。ここで、第２整流部４３の少なくとも一部が傾斜している場合、空間Ｊ１を通じて第２カバー部４５の上方に移動する空気の流れに圧損が生じにくい。このため、第２カバー部４５の上下両側で良好な空気の流れが形成されやすくなる。このことで、インナープレート４０の冷却がさらに促進される。

第２カバー部４５を通過した空気は、筐体１０の第２側壁１４の通気孔１４ｈから筐体１０の外部に排出される。

次に図７を参照し、コンデンサ２６Ｔに関する空気の流れについて説明する。図７に示すように、冷却用の空気は、筐体１０の外部から筐体１０の第１側壁１３の通気孔１３ｈを通じて筐体１０内に流入する。筐体１０内に流入した空気の少なくとも一部の流れ方向は、第１整流部４１にぶつかることで第１整流部４１に沿って流れるように変化する。第１整流部４１に沿って流れた空気は、第１カバー部４２の第１部分４２ａによって案内され、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給される（矢印Ｄ４参照）。これにより、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１の下側を流れる空気の流量が増加する。これにより、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１の下方に位置する半導体メモリ２５Ａの冷却が促進される。例えば、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給された空気の一部は、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを流れることで、半導体メモリ２５Ａの冷却をさらに促進させる。

コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇを流れた空気の一部は、第３整流部４４に到達する。第３整流部４４に到達した空気の一部は、基板２１の近傍を流れ続け、第２カバー部４５と基板２１との間の流路Ｑを流れる（矢印Ｄ５参照）。これにより、第２カバー部４５の冷却が促進されるとともに、基板２１に実装された部品の冷却が促進される。

本実施形態では、第３整流部４４の少なくとも一部（例えば傾斜部４４ａ）は、Ｘ方向に対して傾斜している。第３整流部４４の少なくとも一部が傾斜している理由は、図９を参照して後述するように、筐体１０内を逆向きに空気が流れる場合（後述する第２利用態様）において、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給するためである。また、第３整流部４４の少なくとも一部が傾斜している理由は、上述した理由に代えて／加えて、および／または、インナープレート４０を筐体１０に固定するための固定部４４ｂを筐体１０の第１主壁１１の近くに配置するためである。

なお、第３整流部４４が傾斜している場合、次の作用も期待できる。すなわち、図７に示すように、第１カバー部４２と基板２１との間の流路Ｐからコンデンサ２６Ｔと基板２１との間の隙間ｇを流れて第３整流部４４に到達した空気の一部は、空間Ｊ２を通じて第２カバー部４５の上方に移動する。第２カバー部４５の上方に移動した空気は、第２カバー部４５の上面に沿って流れる。これにより、第２カバー部４５の冷却が促進される。すなわち本実施形態では、第３整流部４４の下流側で空気の流れが２つに分かれ、第２カバー部４５が上下両側から冷却される。これにより、第２カバー部４５の放熱が効率的に行われる。ここで、第３整流部４４の少なくとも一部がＺ方向に対して傾斜している場合、空間Ｊ２を通じて第２カバー部４５の上方に移動する空気の流れに圧損が生じにくい。このため、第２カバー部４５の上下両側で良好な空気の流れが形成されやすくなる。このことで、インナープレート４０の冷却がより促進される。

第２カバー部４５を通過した空気は、筐体１０の第２側壁１４の通気孔１４ｈから筐体１０の外部に排出される。

＜７．別の利用態様（第２利用態様）＞
図８および図９は、半導体記憶装置１の第２利用態様を示す断面図である。本実施形態の半導体記憶装置１は、上述したような－Ｘ方向に空気（冷却風）が流れる環境に代えて、図８に示すように＋Ｘ方向に空気（冷却風）が流れる環境でも使用可能である。

コンデンサ２６Ｓに関する空気の流れについて説明すると、図８に示すように、冷却用の空気は、筐体１０の外部から筐体１０の第２側壁１４の通気孔１４ｈを通じて筐体１０内に流入する。筐体１０内に流入した空気の少なくとも一部は、第２整流部４３にぶつかる。そして、流入した空気の流れ方向は、第２整流部４３に沿って流れるように変わる。第２整流部４３に沿って流れた空気は、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給される（矢印Ｄ１１参照）。これにより、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１の下側を流れる空気の流量が増加する。これにより、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１の下方に位置する半導体メモリ２５Ａの冷却が促進される。

本実施形態では、第２整流部４３は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに向けて案内する。例えば、第２整流部４３は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第２整流部４３は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。例えば、第２整流部４３は、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａよりも上流側の位置で、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第２整流部４３は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。例えば、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給された空気の一部は、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを流れることで、半導体メモリ２５Ａの冷却を促進させる。

本実施形態では、筐体１０内に流入した空気の別の一部は、第２カバー部４５と基板２１との間の流路Ｑを通って、コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに流入してもよい（矢印Ｄ１２参照）。コンデンサ２６Ｓの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇを通過した空気は、筐体１０の第１側壁１３の通気孔１３ｈから筐体１０の外部に排出される（矢印Ｄ１３参照）。

次に、コンデンサ２６Ｔに関する空気の流れについて説明すると、図９に示すように、筐体１０内に流入した空気の少なくとも一部は、第３整流部４４にぶつかる。そして、流入した空気の流れ方向は、第３整流部４４に沿って流れるように変わる。第３整流部４４に沿って流れた空気は、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給される（矢印Ｄ１４参照）。これにより、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１の下側を流れる空気の流量が増加する。これにより、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１の下方に位置する半導体メモリ２５Ａの冷却が促進される。

本実施形態では、第３整流部４４は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに向けて案内する。例えば、第３整流部４４は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第３整流部４４は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。例えば、第３整流部４４は、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａよりも上流側の位置で、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに向けて案内する。このことで、第２整流部４３は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部を、コンデンサ２６の部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａに向けて案内する。例えば、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに供給された空気の一部は、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と半導体メモリ２５Ａとの間の隙間ｇａを流れることで、半導体メモリ２５Ａの冷却を促進させる。

本実施形態では、筐体１０内に流入した空気の別の一部は、第２カバー部４５と基板２１との間の流路Ｑを通って、コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇに流入してもよい（矢印Ｄ１５）。コンデンサ２６Ｔの部品本体３１と基板２１との間の隙間ｇを通過した空気は、筐体１０の第１側壁１３の通気孔１３ｈから筐体１０の外部に排出される（矢印Ｄ１６）。

＜８．利点＞
比較例として、第１整流部４１が存在しない半導体記憶装置の内部構造について説明する。この構造では、コンデンサ２６と重ならない半導体メモリ２５については、必要な大きさの熱伝導部材を取り付けることができ、熱伝導部材、インナープレート、および筐体を介して良好な放熱を行うことができる。しかしながら、コンデンサ２６の下方に位置する半導体メモリ２５については、筐体への熱接続構造を確保することが難しく、十分な放熱を行うことが難しい場合がある。

そこで本実施形態では、半導体記憶装置１は、筐体１０内を流れる空気の少なくとも一部をコンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに向けて案内する第１整流部４１を有する。このような構成によれば、筐体１０内の空気が第１整流部４１によってコンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに向けて案内され、コンデンサ２６の下側を流れる空気の流量を増加する。これにより、コンデンサ２６の下方に位置する半導体メモリ２５の放熱を促進することができ、半導体記憶装置１の放熱性の向上を図ることができる。

本実施形態では、第１整流部４１の少なくとも一部は、Ｚ方向に対して傾斜している。このような構成によれば、第１整流部４１によってコンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに向けて多くの空気を案内することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、筐体１０は、Ｘ方向に開口した１つ以上の通気孔１３ｈを有する。第１整流部４１は、Ｘ方向においてコンデンサ２６と１つ以上の通気孔１３ｈとの間に配置され、Ｘ方向から見た場合に１つ以上の通気孔１３ｈと重なる。このような構成によれば、通気孔１３ｈから筐体１０内に流入する空気の少なくとも一部を、より確実にコンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに向けて案内することができる。これにより、半導体記憶装置１の放熱性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、半導体記憶装置１は、Ｚ方向から見た場合に基板２１と重なる第１カバー部４２を有する。第１カバー部４２は、第１整流部４１の下端４１ｅ１の少なくとも一部から基板２１と平行に延びている。このような構成によれば、第１整流部４１によって基板２１の近くに案内された空気を、基板２１の近傍に沿う流れとして下流側に案内することができる。これにより、基板２１の効率的な放熱を促進することができる。

本実施形態では、第１カバー部４２は、Ｚ方向から見た場合に、コンデンサ２６と重なる領域を避けて、コンデンサ２６の周囲の少なくとも一部に設けられている。このような構成によれば、コンデンサ２６と第１カバー部４２とが重なる構造と比べて、半導体記憶装置の小型化（例えば薄型化）を図ることができる。

本実施形態では、半導体記憶装置１は、Ｘ方向において、コンデンサ２６に対して第１整流部４１とは反対側に配置された第２整流部４３を備える。第２整流部４３の少なくとも一部は、Ｚ方向に対して第１整流部４１とは反対側に傾斜している。このような構成によれば、－Ｘ方向に空気が流れる環境でも、＋Ｘ方向に空気が流れる環境でも、コンデンサ２６と基板２１との間の隙間Ｓに空気を供給することができる。また、第２整流部４３の少なくとも一部がＸ方向に対して傾斜していると、インナープレート４０を筐体１０に固定するための固定部４３ｂを筐体１０の第１主壁１１の近くに配置させることができる。

本実施形態では、第１カバー部４２は、第１整流部４１の下端４１ｅ１の少なくとも一部と、第２整流部４３の下端４３ｅ１の少なくとも一部とを接続している。このような構成によれば、－Ｘ方向に空気が流れる環境でも、＋Ｘ方向に空気が流れる環境でも、第１整流部４１または第２整流部４３によって基板２１の近くに案内された空気を、基板２１に沿って流すことができる。これにより、基板２１の効率的な放熱を促進することができる。

本実施形態では、半導体記憶装置１は、Ｘ方向において第２整流部４３に対してコンデンサ２６とは反対側に配置され、Ｚ方向から見た場合に発熱部品（例えばＤＲＡＭ２４）と重なる第２カバー部４５を備える。第２カバー部４５は、第２カバー部４５の少なくとも一部と第２整流部４３との間に、筐体１０内の空気の一部がＺ方向に移動可能な空間Ｊ１を開けて配置されている。このような構成によれば、第２整流部４３に到達した空気の一部が空間Ｊ１を通って第２カバー部４５の上方を流れる。これにより、第２カバー部４５の冷却が促進される。その結果、第２カバー部４５の下方に位置する発熱部品（例えばＤＲＡＭ２４）の放熱をさらに促進することができる。

また、第２整流部４３の少なくとも一部（例えば傾斜部４３ａ）がＺ方向に対して傾斜している場合、空間Ｊ１を通じて第２カバー部４５の上方に移動する空気の流れに圧損が生じにくい。このため、第２整流部４３に隣接して空間Ｊ１が設けられることで、第２カバー部４５の上下両側で良好な空気の流れがより形成されやすくなる。

以上、１つの実施形態について説明したが、実施形態は上記例に限定されない。例えば、第１整流部４１、第２整流部４３、および第３整流部４４のうち１つ以上は、インナープレート４０に設けられることに代えて、筐体１０に設けられてもよく、基板２１に設けられてもよい。

以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、半導体記憶装置は、筐体内を流れる空気の少なくとも一部をコンデンサと基板との間の隙間に向けて案内する整流板を有する。このような構成によれば、半導体記憶装置の放熱性の向上を図ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１…半導体記憶装置、１０…筐体、２０…基板ユニット、２１…基板、２４…ＤＲＡＭ（第３半導体部品、第４半導体部品）、２５…半導体メモリ（半導体部品）、２５Ａ２…半導体メモリ（第１半導体部品）、２５Ａ３…半導体メモリ（第２半導体部品）、２６…コンデンサ、３１…部品本体、３２…リード、４０…インナープレート、４１…第１整流部（第１整流板、第１傾斜板）、４２…第１カバー部（第１カバー板）、４３…第２整流部（第２整流板、第２傾斜板）、４４…第３整流部、４５…第２カバー部（第２カバー板）、５３…熱伝導部材（第１熱伝導部材）、５４…熱伝導部材（第２熱伝導部材）、５５…熱伝導部材（第３熱伝導部材、第４熱伝導部材）。

Claims (18)

1. 筐体と、
   前記筐体に収容された基板と、
   前記基板に実装された第１半導体部品と、
   前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合に、前記基板とは反対側から前記第１半導体部品と重なる部分を含み、前記基板に実装されたコンデンサと、
   前記筐体内を流れる空気の少なくとも一部を前記コンデンサと前記基板との間の第１隙間に向けて案内する第１整流板と、
   を備えた半導体記憶装置。
2. 前記第１整流板の少なくとも一部は、前記第１方向に対して傾斜している、
   請求項１に記載の半導体記憶装置。
3. 前記筐体は、前記第１方向とは異なる第２方向に開口した１つ以上の通気孔を有し、
   前記第１整流板は、前記第２方向において前記コンデンサと前記１つ以上の通気孔との間に配置され、前記第２方向から見た場合に前記１つ以上の通気孔と重なる、
   請求項２に記載の半導体記憶装置。
4. 前記コンデンサは、前記第１方向とは異なる第２方向に中心軸が沿う円柱状の部品本体と、前記部品本体から突出して前記基板に接続されたリードとを有し、
   前記部品本体は、前記第１方向から見た場合に、前記基板とは反対側から前記第１半導体部品と重なり、
   前記第１整流板は、前記筐体内を流れる空気の少なくとも一部を前記部品本体と前記基板との間の第２隙間に向けて案内する、
   請求項２に記載の半導体記憶装置。
5. 前記第１方向から見た場合に前記基板と重なる第１カバー板をさらに備え、
   前記第１整流板は、複数の端を有し、
   前記複数の端は、前記第１方向で前記基板に最も近い第１端を含み、
   前記第１カバー板は、前記第１整流板の前記第１端の少なくとも一部から前記基板と平行に延びている、
   請求項２に記載の半導体記憶装置。
6. 前記第１カバー板は、前記第１方向から見た場合に、前記コンデンサと重なる領域を避けて、前記コンデンサの周囲の少なくとも一部に設けられている、
   請求項５に記載の半導体記憶装置。
7. 前記第１カバー板は、前記コンデンサよりも大きな開口部または切欠き部である抜き部を有し、前記抜き部に前記コンデンサが配置されることで、前記基板に対する配置高さが前記コンデンサの一部と同じである、
   請求項５に記載の半導体記憶装置。
8. 前記第１カバー板と前記第１半導体部品との間に配置された第１熱伝導部材をさらに備えた、
   請求項５に記載の半導体記憶装置。
9. 前記基板に実装された第２半導体部品をさらに備え、
   前記第１カバー板と前記第２半導体部品との間に配置された第２熱伝導部材をさらに備えた、
   請求項５に記載の半導体記憶装置。
10. 前記第１方向とは異なる第２方向において、前記コンデンサに対して前記第１整流板とは反対側に配置された第２整流板をさらに備え、
    前記第２整流板の少なくとも一部は、前記第１方向に対して前記第１整流板とは反対側に傾斜している、
    請求項２に記載の半導体記憶装置。
11. 前記第１方向から見た場合に前記基板と重なる第１カバー板をさらに備え、
    前記第１整流板は第１の複数の端を有し、前記第１の複数の端は前記第１方向で前記基板に最も近い第１端を含み、
    前記第２整流板は第２の複数の端を有し、前記第２の複数の端は前記第１方向で前記基板に最も近い第２端を含み、
    前記第１カバー板は、前記第１端の少なくとも一部と前記第２端の少なくとも一部とを接続している、
    請求項１０に記載の半導体記憶装置。
12. 前記基板に実装された第３半導体部品と、
    前記第２方向において前記第２整流板に対して前記コンデンサとは反対側に配置され、前記第１方向から見た場合に前記第３半導体部品と重なる第２カバー板と、
    前記第２カバー板と前記第３半導体部品との間に配置された第３熱伝導部材と、
    をさらに備え、
    前記第２カバー板は、前記第２カバー板の少なくとも一部と前記第２整流板との間に、前記筐体内の空気の一部が前記第１方向に移動可能な空間を開けて配置されている、
    請求項１０に記載の半導体記憶装置。
13. 前記基板に実装された第４半導体部品と、
    前記基板と前記筐体の内面との間に配置されたインナープレートと、
    前記インナープレートと前記第４半導体部品との間に配置された第４熱伝導部材と、
    をさらに備え、
    前記第１整流板は、前記インナープレートの一部として設けられている、
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
14. 前記コンデンサは、前記第１方向とは異なる第２方向に中心軸が沿う円柱状の部品本体と、前記部品本体から突出して前記基板に接続されたリードとを有し、
    前記第１隙間は、前記部品本体と前記第１半導体部品との間の第３隙間を含み、
    前記第１整流板は、前記筐体内を流れる空気の少なくとも一部を前記第３隙間に向けて案内する、
    請求項１に記載の半導体記憶装置。
15. 筐体と、
    前記筐体に収容された基板と、
    前記基板に実装された第１半導体部品と、
    前記基板の厚さ方向である第１方向から見た場合に、前記基板とは反対側から前記第１半導体部品と重なる部分を含み、前記基板に実装されたコンデンサと、
    前記筐体内に設けられた第１傾斜板と、
    を備え、
    前記筐体は、前記第１方向とは異なる第２方向に開口した１つ以上の通気孔を有し、
    前記第１傾斜板は、前記第２方向において前記コンデンサと前記１つ以上の通気孔との間に配置され、前記基板から離れるに従い前記１つ以上の通気孔に近づくように前記第１方向に対して傾斜している、
    半導体記憶装置。
16. 前記第２方向において、前記コンデンサに対して前記第１傾斜板とは反対側に位置した第２傾斜板をさらに備え、
    前記第２傾斜板は、前記第１方向に対して前記第１傾斜板とは反対側に傾斜している、
    請求項１５に記載の半導体記憶装置。
17. 前記第１方向から見た場合に前記基板と重なる第１カバー板をさらに備え、
    前記第１傾斜板は、複数の端を有し、
    前記複数の端は、前記第１方向で前記基板に最も近い第１端を含み、
    前記第１カバー板は、前記第１端の少なくとも一部から前記基板と平行に延びている、
    請求項１５に記載の半導体記憶装置。
18. 前記第１カバー板は、前記第１方向から見た場合に、前記コンデンサと重なる領域を避けて、前記コンデンサの周囲の少なくとも一部に設けられている、
    請求項１７に記載の半導体記憶装置。

Images