CN114258636A - 高频电路和通信装置 - Google Patents

Abstract

得到所希望的特性。高频电路(1)具备电感器(81)和开关(18)。电感器(81)具有第一端(811)和第二端(812)。开关(18)具有第一输入输出端子(181)、第二输入输出端子(182)、与电感器(81)的第一端(811)连接的第一切换端子(183)、以及与电感器(81)的第二端(812)连接的第二切换端子(184)。开关(18)能够切换第一状态和第二状态。在第一状态下，第一输入输出端子(181)与第一切换端子(183)连接，并且第二输入输出端子(182)与第二切换端子(184)连接。在第二状态下，第一输入输出端子(181)与第二切换端子(184)连接，并且第二输入输出端子(182)与第一切换端子(183)连接。

Description

高频电路和通信装置

技术领域

本发明一般涉及高频电路和通信装置，更详细地说，涉及具备电感器的高频电路以及具备该高频电路的通信装置。

背景技术

以往，公知有能够与多个频带对应的高频电路(例如参照专利文献1)。专利文献1所记载的高频电路具备输入侧阻抗匹配电路和输出侧阻抗匹配电路。输入侧阻抗匹配电路包含安装于安装基板的第一电感器。输出侧阻抗匹配电路包含安装于安装基板的第二电感器。

专利文献1：日本特开2019-68205号公报。

在专利文献1所记载的高频电路中，根据安装基板中的第一电感器与第二电感器的配置，有可能由于第一电感器与第二电感器耦合而无法得到所希望的特性。

发明内容

本发明的目的在于，提供能够得到所希望的特性的高频电路和通信装置。

本发明的一个技术方案的高频电路具备电感器和开关。上述电感器具有第一端和第二端。上述开关具有第一输入输出端子、第二输入输出端子、与上述电感器的上述第一端连接的第一切换端子、以及与上述电感器的上述第二端连接的第二切换端子。上述开关能够切换第一状态和第二状态。在上述第一状态下，上述第一输入输出端子与上述第一切换端子连接，并且上述第二输入输出端子与上述第二切换端子连接。在上述第二状态下，上述第一输入输出端子与上述第二切换端子连接，并且上述第二输入输出端子与上述第一切换端子连接。

本发明的一个技术方案的通信装置具备上述高频电路和信号处理电路。上述信号处理电路对来自天线端子的接收信号与针对上述天线端子的发送信号中的至少一方进行处理。

根据本发明的上述技术方案的高频电路和通信装置，能够得到所希望的特性。

附图说明

图1是具备实施方式1的高频电路的通信装置的电路结构图。

图2A是表示同上的高频电路的开关处于第一状态时的连接状态的图。图2B是表示同上的高频电路的开关处于第二状态时的连接状态的图。

图3A是表示同上的高频电路的开关处于第一状态时的连接状态的图。图3B是表示同上的高频电路的开关处于第二状态时的连接状态的图。

图4A是表示实施方式1的变形例1的高频电路的开关处于第一状态时的连接状态的图。图4B是表示同上的高频电路的开关处于第二状态时的连接状态的图。

图5是具备实施方式2的高频电路的通信装置的电路结构图。

图6A是表示同上的高频电路的开关处于第一状态时的连接状态的图。图6B是表示同上的高频电路的开关处于第二状态时的连接状态的图。

图7是具备实施方式3的高频电路的通信装置的电路结构图。

图8A是表示同上的高频电路的开关处于第一状态时的连接状态的图。图8B是表示同上的高频电路的开关处于第二状态时的连接状态的图。

图9是实施方式3的变形例1的高频电路的开关部分的电路结构图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式1～3的高频电路和通信装置进行说明。

(实施方式1)

(1)高频电路的结构

首先，参照图1对实施方式1的高频电路1的结构进行说明。

实施方式1的高频电路1例如用于通信装置100。通信装置100例如为智能电话这样的移动电话。此外，通信装置100并不局限于移动电话，例如也可以是智能手表这样的可佩戴终端。高频电路1例如能够对应于载波聚合(Carrier Aggregation)和双连接(DualConnectivity)。

高频电路1例如设置于按照LTE(Long Term Evolution：长期演进)等通信标准的多频带对应的通信装置100。高频电路1例如通过FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)对发送信号(发送用的高频信号)和接收信号(接收用的高频信号)分配不同的频率，能够实现全双工通信的双向传送。

高频电路1能够与外部基板(未图示)电连接。外部基板例如相当于移动电话或者通信机器的母基板。这里，高频电路1能够与外部基板电连接不仅包含高频电路1直接地安装于外部基板上的情况，还包含高频电路1间接地安装于外部基板上的情况。另外，高频电路1间接地安装于外部基板上的情况是指高频电路1安装于在外部基板上安装的其他高频电路上的情况等。

本实施方式的高频电路1具备电感器81和开关18。

电感器81具有第一端811和第二端812。开关18具有：作为第一输入输出端子的端子181、作为第二输入输出端子的端子182、作为第一切换端子的端子183、以及作为第二切换端子的端子184。端子183与电感器81的第一端811连接，端子184与电感器81的第二端812连接。作为第一输入输出端子的端子181例如为输入端子。作为第二输入输出端子的端子182例如为输出端子。

开关18能够切换第一状态和第二状态。在第一状态下，端子181与端子183连接，并且端子182与端子184连接(参照图2A)。另外，在第二状态下，端子181与端子184连接，并且端子182与端子183连接(参照图2B)。

另外，实施方式1的高频电路1还具备开关2、开关3以及开关4。开关2具有共用端子20、以及多个(在图1中为3个)选择端子21、22、23。开关3具有共用端子30和多个(在图1中为3个)选择端子31、32、33。开关4具有共用端子40和多个(在图1中为3个)选择端子41、42、43。在实施方式1的高频电路1中，开关3与开关18由一个芯片部件200构成。

另外，实施方式1的高频电路1还具备功率放大器5、低噪声放大器6以及低通滤波器9。功率放大器5放大针对天线端子T1的发送信号。低噪声放大器6放大来自天线端子T1的接收信号。低通滤波器9与天线端子T1电连接。

另外，实施方式1的高频电路1还具备多个(在图1中为3个)双工器10、11、12。双工器10具有发送用滤波器101和接收用滤波器102。双工器11具有发送用滤波器111和接收用滤波器112。双工器12具有发送用滤波器121和接收用滤波器122。

另外，实施方式1的高频电路1还具备输出匹配电路7、输入匹配电路8以及多个(在图1中为3个)匹配电路13、14、15。多个匹配电路13、14、15与多个双工器10、11、12一对一地对应。输出匹配电路7设置于功率放大器5的输出端子52与开关2的共用端子20之间的信号路径。输入匹配电路8设置于开关3的共用端子30与低噪声放大器6的输入端子61之间的信号路径。匹配电路13设置于双工器10与开关4的选择端子41之间的信号路径。匹配电路14设置于双工器11与开关4的选择端子42之间的信号路径。匹配电路15设置于双工器12与开关4的选择端子43之间的信号路径。

另外，实施方式1的高频电路1还具备天线端子T1、信号输入端子T2、以及信号输出端子T3。信号输入端子T2与功率放大器5的输入端子51连接。信号输出端子T3与低噪声放大器6的输出端子62连接。天线端子T1与低通滤波器9连接。

(2)高频电路的各结构要素

接下来，参照图1对实施方式1的高频电路1的各结构要素进行说明。

(2.1)双工器

双工器10具有发送用滤波器101和接收用滤波器102。

发送用滤波器101为使第一发送信号通过的第一通信带的发送用滤波器。发送用滤波器101具有输入端子和输出端子。发送用滤波器101的输入端子与开关2的选择端子21连接。发送用滤波器101的输出端子与开关4的选择端子41连接。

接收用滤波器102为使第一接收信号通过的第一通信带的接收用滤波器。接收用滤波器102具有输入端子和输出端子。接收用滤波器102的输入端子与开关4的选择端子41连接。接收用滤波器102的输出端子与开关3的端子(第一输入输出端子)31连接。

在高频电路1中，发送用滤波器101的输出端子和接收用滤波器102的输入端子与开关4的同一选择端子41连接。即，在高频电路1中，发送用滤波器101的输出端子与接收用滤波器102的输入端子被捆束为一个。

双工器11具有发送用滤波器111和接收用滤波器112。

发送用滤波器111为使第二发送信号通过的第二通信带的发送用滤波器。发送用滤波器111具有输入端子和输出端子。发送用滤波器111的输入端子与开关2的选择端子22连接。发送用滤波器111的输出端子与开关4的选择端子42连接。

接收用滤波器112为使第二接收信号通过的第二通信带的接收用滤波器。接收用滤波器112具有输入端子和输出端子。接收用滤波器112的输入端子与开关4的选择端子42连接。接收用滤波器112的输出端子与开关3的端子(第一输入输出端子)32连接。

在高频电路1中，发送用滤波器111的输出端子和接收用滤波器112的输入端子与开关4的同一选择端子42连接。即，在高频电路1中，发送用滤波器111的输出端子与接收用滤波器112的输入端子被捆束为一个。

双工器12具有发送用滤波器121和接收用滤波器122。

发送用滤波器121为使第三发送信号通过的第三通信带的发送用滤波器。发送用滤波器121具有输入端子和输出端子。发送用滤波器121的输入端子与开关2的选择端子23连接。发送用滤波器121的输出端子与开关4的选择端子43连接。

接收用滤波器122为使第三接收信号通过的第三通信带的接收用滤波器。接收用滤波器122具有输入端子和输出端子。接收用滤波器122的输入端子与开关4的选择端子43连接。接收用滤波器122的输出端子与开关3的端子(第一输入输出端子)33连接。

在高频电路1中，发送用滤波器121的输出端子和接收用滤波器122的输入端子与开关4的同一选择端子43连接。即，在高频电路1中，发送用滤波器121的输出端子与接收用滤波器122的输入端子被捆束为一个。

发送用滤波器101和接收用滤波器102的通过带域亦即第一通信带例如为Band8。发送用滤波器111和接收用滤波器112的通过带域亦即第二通信带例如为Bnad20。发送用滤波器121和接收用滤波器122的通过带域以亦即第三通信带例如为Bnad13。

(2.2)功率放大器

功率放大器5为放大第一发送信号、第二发送信号和第三发送信号的放大器。功率放大器5设置于将天线端子T1与信号输入端子T2连结的发送路径。更详细地说，功率放大器5设置在输出匹配电路7与信号输入端子T2之间。功率放大器5具有输入端子51和输出端子52。输入端子51经由信号输入端子T2与外部电路(例如信号处理电路16)连接。信号输入端子T2用于向高频电路1输入来自外部电路的高频信号(第一发送信号、第二发送信号和第三发送信号)的端子。输出端子52与输出匹配电路7的输入端(电感器71的第一端)连接。

功率放大器5例如由后述的信号处理电路16的RF信号处理电路161控制，但也可以由功率放大器控制器(未图示)控制。

(2.3)低噪声放大器

低噪声放大器6为以低噪音放大第一接收信号、第二接收信号和第三接收信号的放大器。低噪声放大器6设置于将天线端子T1与信号输出端子T3连结的接收路径。更详细地说，低噪声放大器6设置在开关3与信号输出端子T3之间。低噪声放大器6具有输入端子61和输出端子62。输入端子61与开关3的端子(第二输入输出端子)36连接。输出端子62经由信号输出端子T3与外部电路(例如信号处理电路16)连接。信号输出端子T3为用于从高频电路1输出针对外部电路的高频信号的端子。

低噪声放大器6例如由信号处理电路16的RF信号处理电路161控制。

(2.4)开关

开关2具有共用端子20和多个(在图1中为3个)选择端子21、22、23。开关2切换共用端子20与多个选择端子21、22、23的连接状态。更详细地说，开关2切换将共用端子20与选择端子21连接的状态、将共用端子20与选择端子22连接的状态、以及将共用端子20与选择端子23连接的状态。开关2例如能够由SP3T(Single Pole Triple Throw：单刀三掷)型的开关构成。

开关3具有共用端子30和多个(在图1中为3个)选择端子31、32、33。开关3切换共用端子30与多个选择端子31、32、33的连接状态。更详细地说，开关3切换将共用端子30与选择端子31连接的状态、将共用端子30与选择端子32连接的状态、以及将共用端子30与选择端子32连接的状态。开关3例如能够由SP3T型的开关构成。

开关18具有作为第一输入输出端子的端子181、作为第二输入输出端子的端子182、作为第一切换端子的端子183、以及作为第二切换端子的端子184。作为第一输入输出端子的端子181例如为输入端子。作为第二输入输出端子的端子182例如为输出端子。开关18切换端子181、182与端子183、184的连接状态。开关18例如能够由DPDT(Dual Pole DualThrow：双刀双掷)型的开关构成。

开关18能够切换第一状态和第二状态，以使得流过电感器81的电流的方向成为反向。在第一状态下，将作为第一输入输出端子的端子181与作为第一切换端子的端子183连接，并且将作为第二输入输出端子的端子182与作为第二切换端子的端子184连接(参照图2A和图3A)。另外，在第二状态下，将作为第一输入输出端子的端子181与作为第二切换端子的端子184连接，并且将作为第二输入输出端子的端子182与作为第一切换端子的端子183连接(参照图2B和图3B)。

在实施方式1的高频电路1中，用于切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关3、以及用于切换流过电感器81的电流的方向的开关18由一个芯片部件200实现。换言之，用于切换流过电感器81的电流的方向的开关18与用于切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关3为一体。这里所说的“一体”是指上述的两个开关3、18物理上为一体。

开关4具有共用端子40和多个(在图1中为3个)选择端子41、42、43。开关4切换共用端子40与多个选择端子41、42、43的连接状态。更详细地说，开关4切换将共用端子40与选择端子41连接的状态、将共用端子40与选择端子42连接的状态、以及将共用端子40与选择端子43连接的状态。开关4例如能够由SP3T型的开关构成。

开关2、3、4、18例如由信号处理电路16的RF信号处理电路161控制，但也可以由功率放大器控制器(未图示)控制。

(2.5)输出匹配电路

输出匹配电路7设置于功率放大器5的输出端子52与开关2的共用端子20之间的信号路径。输出匹配电路7为用于取得功率放大器5与发送用滤波器101、111、121的阻抗匹配的电路，该发送用滤波器101、111、121与开关2的选择端子21、22、23分别连接。输出匹配电路7包含多个(在图1中为2个)电感器71、72和多个(在图1中为3个)电容器73、74、75。

电感器71的第一端与功率放大器5的输出端子52连接，电感器71的第二端与电感器72的第一端连接。另外，电感器72的第二端与电容器75的第一端连接，电容器75的第二端与开关2的共用端子20连接。即，在实施方式1的高频电路1中，在功率放大器5的输出端子52与开关2的共用端子20之间，电感器71、72与电容器75串联地连接。

另外，电容器73连接在电感器71、72的连接点与接地之间，电容器74连接在电感器72和电容器75的连接点与接地之间。

(2.6)输入匹配电路

输入匹配电路8设置于开关3的共用端子30与低噪声放大器6的输入端子61之间的信号路径。输入匹配电路8为用于取得低噪声放大器6与接收用滤波器102、112、122的阻抗匹配的电路，该接收用滤波器102、112、122与开关3的端子31、32、33分别连接。输入匹配电路8包含多个(在图1中为2个)电感器81、82。

电感器81具有第一端811和第二端812。电感器81的第一端811与开关18的端子183(第一切换端子)连接，电感器81的第二端812与开关18的端子184(第二切换端子)连接。另外，电感器82连接在开关3的共用端子30与开关18的端子181之间的信号路径与接地之间。

(2.7)匹配电路

匹配电路13设置于双工器10与开关4之间的信号路径。匹配电路13为用于取得与天线端子T1连接的天线17与双工器10的阻抗匹配的电路。匹配电路13包含电感器131。电感器131连接在双工器10与开关4之间的信号路径与接地之间。

匹配电路14设置于双工器11与开关4之间的信号路径。匹配电路14为用于取得与天线端子T1连接的天线17与双工器11的阻抗匹配的电路。匹配电路14包含电感器141。电感器141连接在双工器11与开关4之间的信号路径与接地之间。

匹配电路15设置于双工器12与开关4之间的信号路径。匹配电路15为用于取得与天线端子T1连接的天线17与双工器12的阻抗匹配的电路。匹配电路15包含电感器151。电感器151连接在双工器12与开关4之间的信号路径与接地之间。

(2.8)低通滤波器

低通滤波器9设置于开关4与天线端子T1之间的信号路径。低通滤波器9包含电感器91和电容器92。

电感器91连接在开关4的共用端子40与天线端子T1之间。换言之，电感器91的第一端与开关4的共用端子40连接，电感器91的第二端与天线端子T1连接。

电容器92连接在开关4的共用端子40与天线端子T1之间。换言之，电容器92的第一端与开关4的共用端子40连接，电容器92的第二端与天线端子T1连接。

即，在实施方式1的高频电路1中，在开关4的共用端子40与天线端子T1之间，电感器91与电容器92并联地连接。

(3)通信装置的结构

接下来，参照图1对实施方式1的通信装置100的结构进行说明。

如图1所示，通信装置100具备高频电路1、信号处理电路16、以及天线17。

天线17与高频电路1的天线端子T1连接。天线17具有：利用电波放射从高频电路1输出的第一发送信号、第二发送信号和第三发送信号中的至少一个的发送功能；以及从外部接收第一接收信号、第二接收信号和第三接收信号中的至少一个来作为电波并向高频电路1输出的接收功能。

信号处理电路16包含RF信号处理电路161和基带信号处理电路162。信号处理电路16对第一发送信号、第二发送信号、第三发送信号、第一接收信号、第二接收信号和第三接收信号进行处理。

RF信号处理电路161例如为RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，进行针对高频信号的信号处理。RF信号处理电路161针对从基带信号处理电路162输出的高频信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号向高频电路1输出。

具体而言，RF信号处理电路161针对从基带信号处理电路162输出的第一发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的第一发送信号向高频电路1的第一发送路径输出。第一发送路径为将天线端子T1与信号输入端子T2连结的发送路径中的、通过双工器10的发送用滤波器101的路径。

另外，RF信号处理电路161针对从基带信号处理电路162输出的第二发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的第二发送信号向高频电路1的第二发送路径输出。第二发送路径为将天线端子T1与信号输入端子T2连结的发送路径中的、通过双工器11的发送用滤波器111的路径。

另外，RF信号处理电路161针对从基带信号处理电路162输出的第三发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的第三发送信号向高频电路1的第三发送路径输出。第三发送路径为将天线端子T1与信号输入端子T2连结的发送路径中的、通过双工器12的发送用滤波器121的路径。

另外，RF信号处理电路161针对从高频电路1输出的高频信号进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号向基带信号处理电路162输出。

具体而言，RF信号处理电路161针对从高频电路1的第一接收路径输出的第一接收信号进行信号处理，并将进行了信号处理的第一接收信号向基带信号处理电路162输出。第一接收路径为将天线端子T1与信号输出端子T3连结的接收路径中的、通过双工器10的接收用滤波器102的路径。

另外，RF信号处理电路161针对从高频电路1的第二接收路径输出的第二接收信号进行信号处理，并将进行了信号处理的第二接收信号向基带信号处理电路162输出。第二接收路径为将天线端子T1与信号输出端子T3连结的接收路径中的、通过双工器11的接收用滤波器112的路径。

另外，RF信号处理电路161针对从高频电路1的第三接收路径输出的第三接收信号进行信号处理，并将进行了信号处理的第三接收信号向基带信号处理电路162输出。第三接收路径为将天线端子T1与信号输出端子T3连结的接收路径中的、通过双工器12的接收用滤波器122的路径。

基带信号处理电路162例如为BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)，针对来自信号处理电路16的外部的发送信号进行规定的信号处理。由基带信号处理电路162处理后的接收信号例如作为用于图像显示的图像信号使用、或者作为用于通话的声音信号使用。

另外，RF信号处理电路161还具有作为控制部的功能，基于所使用的通信带(频带)，来控制高频电路1所具备的开关2、3、4、功率放大器5和低噪声放大器6。具体而言，RF信号处理电路161通过控制信号来控制开关2、3、4、功率放大器5和低噪声放大器6。此外，控制部也可以设置于RF信号处理电路161的外部，例如也可以设置于高频电路1或者基带信号处理电路162。

(4)高频电路的动作

(4.1)第一动作

接下来，参照图2A和图2B对实施方式1的高频电路1的第一动作进行说明。

在实施方式1的高频电路1中，例如，输入匹配电路8具有安装于安装基板(未图示)的电感器81。另外，在高频电路1中，例如，匹配电路13具有安装于安装基板的电感器131。根据输入匹配电路8的电感器81相对于匹配电路13的电感器131的位置和方向中的至少一方，电感器81与电感器131有可能磁耦合。由此，特别是，发送频带中的发送路径与接收路径之间的隔离降低，其结果是，发送信号泄漏到接收路径，有可能使接收灵敏度恶化。

在实施方式1的高频电路1中，为了解决上述课题，构成为如下。这里，以输入匹配电路8的电感器81与匹配电路13的电感器131之间的磁耦合为例进行说明，但关于输入匹配电路8的电感器81与匹配电路14的电感器141之间的磁耦合、以及输入匹配电路8的电感器81与匹配电路15的电感器151之间的磁耦合也同样。另外，这里，以开关3的共用端子30与选择端子31连接的情况为例进行说明，但共用端子30与选择端子32或者选择端子33连接的情况也同样。

在实施方式1的高频电路1中，根据开关的连接状态来切换流动的电流的方向的电感器为与低噪声放大器6的输入侧连接的电感器81。另外，在实施方式1的高频电路1中，有可能与上述电感器磁耦合的其他电感器为匹配电路13的电感器131、匹配电路14的电感器141、以及匹配电路15的电感器151。

在图2A中，开关18处于第一状态。在开关18处于第一状态的情况下，作为第一输入输出端子的端子181与作为第一切换端子的端子183连接，并且作为第二输入输出端子的端子182与作为第二切换端子的端子184连接。在该情况下，电流沿箭头A1的方向流过输入匹配电路8的电感器81。由此，在电感器81中产生与上述电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路13的电感器131中也流过电流，在电感器131中产生与该电流对应的方向的磁场。

这里，在电感器81中产生的磁场的方向与在电感器131中产生的磁场的方向相同的情况下，在电感器81中产生的磁场与在电感器131中产生的磁场相互加强，由此电感器81与电感器131磁耦合。由此，特别是，发送频带中的发送路径与接收路径之间的隔离降低，其结果是，发送信号泄漏到接收路径，使接收灵敏度恶化。

在该情况下，如图2B所示，通过使开关18处于第二状态，能够使流过电感器81的电流的方向成为反向。具体而言，在开关18中，将作为第一输入输出端子的端子181与作为第二切换端子的端子184连接，并且将作为第二输入输出端子的端子182与作为第一切换端子的端子183连接。由此，电流沿与箭头A1反向的箭头A2的方向流过输入匹配电路8的电感器81。而且，在电感器81中产生与上述电流对应的方向的磁场。

在该情况下，在电感器81中产生的磁场的方向与在电感器131中产生的磁场的方向为反向，通过相互抵消，能够抑制电感器81与电感器131的磁耦合。由此，特别是，能够抑制发送频带中的发送路径与接收路径之间的隔离的降低，其结果是，能够抑制发送中的接收灵敏度恶化。

此外，关于输入匹配电路8的电感器81与输出匹配电路7的电感器72的磁耦合、以及输入匹配电路8的电感器81与低通滤波器9的电感器91的磁耦合也同样，通过将开关18切换为第一状态或者第二状态，能够抑制电感器间的磁耦合。在该情况下，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为输入匹配电路8的电感器81，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为输出匹配电路7的电感器72和低通滤波器9的电感器91。

(4.2)第二动作

接下来，参照图3A和图3B对实施方式1的高频电路1的第二动作进行说明。

在实施方式1的高频电路1中，如上所述，相对于3个接收路径(第一接收路径、第二接收路径以及第三接收路径)设置有一个输入匹配电路8。因此，例如，根据输入匹配电路8的电感器81相对于匹配电路13的电感器131和匹配电路14的电感器141的位置和方向中的至少一方，电感器81与电感器131或者电感器141有可能磁耦合。

这里，以在第一接收路径与第二接收路径中改变流过电感器81的电流的方向的情况为例进行说明，但在第一接收路径与第三接收路径中改变流过电感器81的电流的方向的情况、以及在第二接收路径与第三接收路径中改变流过电感器81的电流的方向的情况也同样。

在图3A中，开关18处于第一状态。在开关18处于第一状态的情况下，将作为第一输入输出端子的端子181与作为第一切换端子的端子183连接，并且将作为第二输入输出端子的端子182与作为第二切换端子的端子184连接。在该情况下，电流沿箭头A1的方向流过输入匹配电路8的电感器81。由此，在电感器81中产生与上述电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路13的电感器131中也流过电流，在电感器131中产生与该电流对应的方向的磁场。

在该情况下，只要在输入匹配电路8的电感器81中产生的磁场的方向与在匹配电路13的电感器131中产生的磁场的向方向为反向，则在电感器81中产生的磁场与在电感器131中产生的磁场相互抵消，抑制电感器81与电感器131的磁接合。由此，特别是，能够抑制发送频带中的发送路径与接收路径之间的隔离的降低，其结果是，抑制发送信号泄漏到接收路径，在发送中也得到良好的接收灵敏度。

接下来，在经由第二接收路径接收第二接收信号时，将作为第一输入输出端子的端子181与作为第一切换端子的端子183连接的情况下，在输入匹配电路8的电感器81中流过箭头A1的方向的电流，在电感器81中产生与该电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路14的电感器141中也流过电流，在电感器141中产生与该电流对应的方向的磁场。

在该情况下，如果是在电感器81中产生的磁场与在电感器141中产生的磁场为相同的方向，电感器81与电感器141磁耦合的状况，则通过将开关18切换为第二状态，能够抑制电感器81与电感器141的磁耦合。具体而言，在开关18中，如图3B所示，将作为第一输入输出端子的端子181与作为第二切换端子的端子184连接，并且将作为第二输入输出端子的端子182与作为第一切换端子的端子183连接。由此，电流沿与箭头A1反向的箭头A2的方向流过输入匹配电路8的电感器81。而且，在电感器81中产生与上述电流对应的方向的磁场。

其结果是，在电感器81中产生的磁场的方向与在电感器141中产生的磁场的方向为反向，通过相互抵消，能够抑制电感器81与电感器141的磁耦合。由此，特别是，能够抑制发送频带中的发送路径与接收路径之间的隔离的降低，其结果是，抑制发送信号泄漏到接收路径，在发送中也得到良好的接收灵敏度。即，根据实施方式1的高频电路1，能够按每个通信带选择(切换)流过输入匹配电路8的电感器81的电流的方向、换言之在电感器81中产生的磁场的方向。另外，也可以不按每个通信带设置输入匹配电路8的电感器，能够将高频电路1小型化。

这里，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为输入匹配电路8的电感器81，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为匹配电路13的电感器131和匹配电路14的电感器141。

(5)变形例

以下，对实施方式1的变形例进行说明。

(5.1)变形例1

在实施方式1的高频电路1中，如图1所示，构成为改变在输入匹配电路8所包含的两个电感器81、82中的电感器81中流动的电流的方向。与此相对，也可以如图4A和图4B所示，构成为改变在输入匹配电路8所包含的两个电感器81、82中的电感器82中流动的电流的方向。以下，参照图4A和图4B对变形例1的高频电路1进行说明。此外，在变形例1的高频电路1中，对于与实施方式1的高频电路1相同的结构标注相同的附图标记而省略说明。

如图4A和图4B所示，变形例1的高频电路1具备开关3和开关18。在变形例1的高频电路1中，开关3与开关18由一个芯片部件200A构成。换言之，开关18与开关3为一体。

如图4A和图4B所示，开关3具有共用端子30和多个(在图4A中为3个)选择端子31、32、33。开关3切换共用端子30与多个选择端子31、32、33的连接状态。更详细地说，开关3切换将共用端子30与选择端子31连接的状态、将共用端子30与选择端子32连接的状态、以及将共用端子30与选择端子33连接的状态。开关3例如能够由SP3T型的开关构成。

开关18具有多个(在图4A中为4个)端子181、182、183、184。开关18能够切换第一状态和第二状态，以使得流过电感器82的电流的方向成为反向。在第一状态下，将端子181与端子183连接，并且将端子182与端子184连接(参照图4A)。在第二状态下，将端子181与端子184连接，并且将端子182与端子183连接。开关18例如能够由DPDT型的开关构成。

开关3的共用端子30与开关18的端子181连接。另外，共用端子30经由电感器81与低噪声放大器6的输入端子61连接。选择端子31与双工器10的接收用滤波器102的输出端子连接。选择端子32与双工器11的接收用滤波器112的输出端子连接。选择端子33与双工器12的接收用滤波器122的输出端子连接。

开关18的端子182与接地连接。开关18的端子183与输入匹配电路8的电感器82的第一端821连接，开关18的端子184与电感器82的第二端822连接。即，开关18的端子183、184与电感器82的两端分别连接。

在变形例1的高频电路1中，端子181为第一输入输出端子，例如为输入端子。另外，在高频电路1中，端子182为第二输入输出端子，例如为输出端子。并且，在高频电路1中，端子183为第一切换端子，端子184为第二切换端子。

接下来，参照图4A和图4B对高频电路1的动作进行说明。在开关18处于第一状态下，如图4A所示，将端子181与端子183连接，并且将端子182与端子184连接。由此，电流沿箭头A1的方向流过输入匹配电路8的电感器82。另一方面，在开关18处于第二状态下，如图4B所示，将端子181与端子184连接，并且将端子182与端子183连接。由此，电流沿箭头A2的方向流过输入匹配电路8的电感器82。即，根据变形例1的高频电路1，通过将开关18切换为第一状态或者第二状态，能够使流过电感器82的电流的方向成为反向。由此，关于在电感器82中产生的磁场的方向也能够成为反向。

在变形例1的高频电路1中，也是通过将开关18切换为第一状态或者第二状态，能够使在输入匹配电路8的电感器82中产生的磁场的方向成为反向。由此，能够抑制电感器82与其他电感器(例如匹配电路13的电感器131)的磁耦合。

另外，在变形例1的高频电路1中，通过将开关18切换为第一状态或者第二状态，能够按每个通信带切换在输入匹配电路8的电感器82中产生的磁场的方向。由此，与按每个通信带设置电感器的情况相比，能够将高频电路1小型化。

(5.2)变形例2

在实施方式1的高频电路1中，例如，在经由第一接收路径接收第一接收信号的情况下以及在经由第二接收路径发送第二接收信号的情况下，将开关18切换为第一状态或者第二状态。与此相对，例如也可以是在经由第一接收路径接收第一接收信号的情况下以及在经由第二发送路径发送第二发送信号的情况下，将开关18切换为第一状态或者第二状态。

在该情况下，例如通过载波聚合而同时发送和接收经由第一接收路径接收的第一接收信号与经由第二发送路径发送的第二发送信号。此外，在该情况下，例如也可以通过双连接而同时发送和接收第一接收信号与第二发送信号。

另外，此时，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为输入匹配电路8的电感器81(第一电感器)，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为与功率放大器5的输出侧连接的电感器72(第二电感器)。

在该情况下，也是通过将开关18切换为第一状态或者第二状态，能够抑制电感器72与电感器81之间的磁耦合。

(5.3)变形例3

在变形例1的高频电路1中，用于切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关3与用于切换流过电感器81的电流的方向的开关18为一体，但开关3与开关18也可以分体。

(实施方式2)

参照图5、图6A和图6B对实施方式2的高频电路1A和通信装置100A进行说明。

在实施方式2的高频电路1A中，在能够变更在与功率放大器5的输出侧连接的输出匹配电路7的电感器72中流动的电流的方向的方面，与实施方式1的高频电路1不同。此外，对于与实施方式1的高频电路1相同的结构标注相同的附图标记而省略说明。另外，在通信装置100A中，除了高频电路1A以外，与实施方式1的通信装置100相同，这里省略说明。

(1)高频电路的结构

首先，参照图5对实施方式2的高频电路1A的结构进行说明。

如图5所示，实施方式2的高频电路1A具备开关2、开关3、开关4、以及开关19。高频电路1A还具备功率放大器5、低噪声放大器6、以及低通滤波器9。另外，高频电路1A还具备多个(在图5中为3个)双工器10、11、12。另外，高频电路1A还具备输出匹配电路7、输入匹配电路8、以及多个(在图5中为3个)匹配电路13、14、15。在实施方式2的高频电路1A中，开关2与开关19由一个芯片部件300实现。换言之，用于改变流过电感器72的电流的方向的开关19与用于切换通信带相互不同的多个发送信号用的信号路径的开关2为一体。这里所说的“一体”是指上述的两个开关2、19物理上为一体。

如图5所示，开关2具有共用端子20和多个(在图5中为3个)选择端子21、22、23。开关2切换共用端子20与多个选择端子21、22、23的连接状态。更详细地说，开关2切换将共用端子20与选择端子21连接的状态、将共用端子20与选择端子22连接的状态、以及将共用端子20与选择端子23连接的状态。开关2例如能够由SP3T型的开关构成。

开关19具有多个(在图5中为4个)端子191、192、193、194。开关19能够切换第一状态和第二状态，以使得流过电感器72的电流的方向成为反向。在第一状态下，将端子191与端子193连接，并且将端子192与端子194连接(参照图6A)。在第二状态下，将端子191与端子194连接，并且将端子192与端子193连接(参照图6B)。开关19例如能够由DPDT型的开关构成。

开关2的共用端子20经由输出匹配电路7的电容器75与开关19的端子191连接。选择端子21与双工器10的发送用滤波器101的输入端子连接。选择端子22与双工器11的发送用滤波器111的输入端子连接。选择端子23与双工器12的发送用滤波器121的输入端子连接。

开关19的端子192经由输出匹配电路7的电感器71与功率放大器5的输出端子52连接。开关19的端子193与输出匹配电路7的电感器72的第一端721连接，开关19的端子194与电感器72的第二端722连接。即，开关19的端子193、194与电感器72的两端分别连接。并且，输出匹配电路7的电容器74连接在输出匹配电路7的电容器75与开关19的端子191之间的信号路径与接地之间。另外，输出匹配电路7的电容器73连接在输出匹配电路7的电感器71与开关19的端子192之间的信号路径与接地之间。

开关3具有共用端子30和多个(在图5中为3个)选择端子31、32、33。开关3切换共用端子30与多个选择端子31、32、33的连接状态。更详细地说，开关3切换将共用端子30与选择端子31连接的状态、将共用端子30与选择端子32连接的状态、以及将共用端子30与选择端子33连接的状态。开关3例如能够由SP3T型的开关构成。

共用端子30经由输入匹配电路8的电感器81与低噪声放大器6的输入端子61连接。选择端子31与双工器10的接收用滤波器102连接。选择端子32与双工器11的接收用滤波器112连接。选择端子33与双工器12的接收用滤波器122连接。

这里，在实施方式2的高频电路1A中，端子191为第一输入输出端子，例如为输出端子。另外，在高频电路1A中，端子192为第二输入输出端子，例如为输入端子。并且，在高频电路1A中，端子193为第一切换端子，端子194为第二切换端子。

(2)高频电路的动作

(2.1)第一动作

接下来，参照图6A和图6B对实施方式2的高频电路1A的动作进行说明。

在实施方式2的高频电路1A中，例如，输出匹配电路7具有安装于安装基板(未图示)的电感器72。另外，在高频电路1A中，例如，匹配电路13具有安装于安装基板的电感器131。例如，根据输出匹配电路7的电感器72相对于匹配电路13的电感器131的位置和方向中的至少一方，电感器72与电感器131有可能磁耦合。由此，特别是，接收频带中的发送路径与接收路径之间的隔离降低，其结果是，发送时的接收带噪声增大，有可能使发送中的接收灵敏度恶化。

在实施方式2的高频电路1A中，为了解决上述课题，构成为如下。这里，以输出匹配电路7的电感器72与匹配电路13的电感器131之间的磁耦合为例进行说明，但关于输出匹配电路7的电感器72与匹配电路14的电感器141之间的磁耦合、以及输出匹配电路7的电感器72与匹配电路15的电感器151之间的磁耦合也同样。另外，这里，以开关2的共用端子20与选择端子21连接的情况为例进行说明，但共用端子20与选择端子22或者选择端子23连接的情况也同样。

在实施方式2的高频电路1A中，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为与功率放大器5的输出侧连接的电感器72。另外，在实施方式2的高频电路1A中，有可能与上述电感器磁耦合的其他电感器为匹配电路13的电感器131、匹配电路14的电感器141、以及匹配电路15的电感器151。

在图6A中，开关19处于第一状态。在开关19处于第一状态的情况下，将作为第一输入输出端子的端子191与作为第一切换端子的端子193连接，并且将作为第二输入输出端子的端子192与作为第二切换端子的端子194连接。在该情况下，电流沿箭头B1的方向流过输出匹配电路7的电感器72。由此，在电感器72中产生与上述电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路13的电感器131中也流过电流，在电感器131中产生与该电流对应的方向的磁场。

这里，在电感器72中产生的磁场的方向与在电感器131中产生的磁场的方向相同的情况下，在电感器72中产生的磁场与在电感器131中产生的磁场相互加强，由此电感器72与电感器131磁耦合。由此，特别是，接收频带中的发送路径与接收路径之间的隔离降低，其结果是，发送时的接收带噪声增大，使发送中的接收灵敏度恶化。

在该情况下，如图6B所示，通过使开关19处于第二状态，能够使流过电感器72的电流的方向成为反向。具体而言，在开关19中，将作为第一输入输出端子的端子191与作为第二切换端子的端子194连接，并且将作为第二输入输出端子的端子192与作为第一切换端子的端子193连接。由此，电流沿与箭头B1反向的箭头B2的方向流过输出匹配电路7的电感器72。而且，在电感器72中产生与上述电流对应的方向的磁场。

在该情况下，在电感器72中产生的磁场的方向与在电感器131中产生的磁场的方向为反向，通过相互抵消，能够抑制电感器72与电感器131的磁耦合。由此，特别是，能够抑制接收频带中的发送路径与接收路径之间的隔离的降低，其结果是，能够抑制发送时的接收带噪声，抑制发送中的接收灵敏度的恶化。

此外，关于输出匹配电路7的电感器72与输入匹配电路8的电感器81的磁耦合、以及输出匹配电路7的电感器72与低通滤波器9的电感器91的磁耦合也同样，通过将开关19切换为第一状态或者第二状态，能够抑制电感器间的磁耦合。在该情况下，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为输出匹配电路7的电感器72，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为输入匹配电路8的电感器81和低通滤波器9的电感器91。

(2.2)第二动作

接下来，对实施方式2的高频电路1A的第二动作进行说明。

在实施方式2的高频电路1A中，如上所述，相对于3个发送路径(第一发送路径、第二发送路径以及第三发送路径)设置有一个输出匹配电路7。因此，例如，根据输出匹配电路7的电感器72相对于匹配电路13的电感器131和匹配电路14的电感器141的位置和方向中的至少一方，电感器72与电感器131或者电感器141有可能磁耦合。

这里，以在第一发送路径与第二发送路径中改变流过电感器72的电流的方向的情况为例进行说明，但在第一发送路径与第三发送路径中改变流过电感器72的电流的方向的情况、以及在第二发送路径与第三发送路径中改变流过电感器72的电流的方向的情况也同样。

在开关19处于第一状态的情况下，将作为第一输入输出端子的端子191与作为第一切换端子的端子193连接，并且将作为第二输入输出端子的端子192与作为第二切换端子的端子194连接。另外，在开关2中，共用端子20与选择端子21连接。在该情况下，电流沿箭头B1的方向流过输出匹配电路7的电感器72。由此，在电感器72中产生与上述电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路13的电感器131中也流过电流，在电感器131中产生与该电流对应的方向的磁场。

在该情况下，如果在输出匹配电路7的电感器72中产生的磁场的方向与在匹配电路13的电感器131中产生的磁场的方向为反向，则在电感器72中产生的磁场与在电感器131中产生的磁场相互抵消，抑制电感器72与电感器131的磁接合。由此，特别是，能够抑制接收频带中的发送路径与接收路径之间的隔离的降低，其结果是，能够抑制发送时的接收带噪声，抑制发送中的接收灵敏度的恶化。

接下来，在经由第二发送路径发送第二发送信号时，将作为第一输入输出端子的端子191与作为第一切换端子的端子193连接的情况下，在输出匹配电路7的电感器72中流过箭头B1的方向的电流，在电感器72中产生与该电流对应的方向的磁场。此时，在开关2中，共用端子20与选择端子22连接，因此在匹配电路14的电感器141中流过电流，在电感器141中产生与该电流对应的方向的磁场。

在该情况下，如果是在电感器72中产生的磁场与在电感器141中产生的磁场为相同的方向，电感器72与电感器141磁耦合的状况，则通过将开关19切换为第二状态，能够抑制电感器72与电感器141的磁耦合。具体而言，在开关19中，将作为第一输入输出端子的端子191与作为第二切换端子的端子194连接，并且将作为第二输入输出端子的端子192与作为第一切换端子的端子139连接。由此，电流沿与箭头B1反向的箭头B2的方向流过输出匹配电路7的电感器72。而且，在电感器72中产生与上述电流对应的方向的磁场。

其结果是，在电感器72中产生的磁场的方向与在电感器141中产生的磁场的方向为反向，通过相互抵消，能够抑制电感器72与电感器141的磁耦合。由此，特别是，能够抑制接收频带中的发送路径与接收路径之间的隔离的降低，其结果是，能够抑制发送时的接收带噪声，抑制发送中的接收灵敏度的恶化。即，根据实施方式2的高频电路1A，能够按每个通信带选择(切换)流过输出匹配电路7的电感器72的电流的方向、换言之在电感器72中产生的磁场的方向。另外，与按每个通信带设置电感器的情况相比，还能够将高频电路1A小型化。

这里，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为输出匹配电路7的电感器72，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为匹配电路13、14、15的电感器131、141、151。

(3)变形例

以下，对实施方式2的变形例进行说明。

(3.1)变形例1

在实施方式2的高频电路1A中，例如，在经由第一发送路径发送第一发送信号的情况下以及在经由第二发送路径发送第二发送信号的情况下，将开关19切换为第一状态或者第二状态。与此相对，例如也可以是，在经由第一发送路径发送第一发送信号的情况下以及在经由第二接收路径接收第二接收信号的情况下，将开关19切换为第一状态或者第二状态。

在该情况下，例如通过载波聚合而同时发送和接收经由第一发送路径发送的第一发送信号与经由第二接收路径接收的第二接收信号。此外，在该情况下，例如也可以通过双连接而同时发送和接收第一发送信号与第二接收信号。

另外，此时，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为与功率放大器5的输出侧连接的电感器72(第一电感器)，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为与低噪声放大器6的输入侧连接的电感器81(第二电感器)。

在该情况下也是，通过将开关19切换为第一状态或者第二状态，能够抑制电感器72与电感器81之间的磁耦合。

(3.2)变形例2

在实施方式2的高频电路1A中，用于切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关2与用于切换流过电感器72的电流的方向的开关19为一体，但开关2与开关19也可以分体。

(实施方式3)

参照图7、图8A和图8B对实施方式3的高频电路1B和通信装置100B进行说明。

在实施方式3的高频电路1B中，在能够变更在低通滤波器9所包含的电感器91中流动的电流的方向的方面，与实施方式1的高频电路1和实施方式2的高频电路1A不同。此外，对于与实施方式1的高频电路1和实施方式2的高频电路1A相同的结构标注相同的附图标记而省略说明。另外，在通信装置100B中，除了高频电路1B以外，与实施方式1的通信装置100相同，这里省略说明。

(1)高频电路的结构

首先，参照图7对实施方式3的高频电路1B进行说明。

如图7所示，实施方式3的高频电路1B具备开关2、开关3、以及开关4A。另外，高频电路1B还具备功率放大器5、低噪声放大器6、以及低通滤波器9。另外，高频电路1B还具备多个(在图7中为3个)双工器10、11、12。另外，高频电路1B还具备输出匹配电路7、输入匹配电路8、以及多个(在图5中为3个)匹配电路13、14、15。

开关4A具有作为第一输入输出端子的端子44、45、46、作为第二输入输出端子的端子49、作为第一切换端子的端子47、以及作为第二切换端子的端子48。作为第一输入输出端子的端子44、45、46例如为输入端子。作为第二输入输出端子的端子49例如为输出端子。开关4A切换端子47、48与端子44、45、46、49的连接状态。开关4A例如能够由DP4T(Dual PoleQuadruple Throw：双刀四掷)型的开关构成。

开关4A的端子44与双工器10连接。开关4A的端子45与双工器11连接。开关4A的端子46与双工器12连接。开关4A的端子47与低通滤波器9的电感器91的第一端911连接。开关4A的端子48与电感器91的第二端912连接。开关4A的端子49与天线端子T1连接。

开关4A能够切换第一状态和第二状态，以使得流过电感器91的电流的方向成为反向。在第一状态下，将作为第一输入输出端子的端子44、端子45或者端子46与作为第一切换端子的端子47连接，并且将作为第二输入输出端子的端子49与作为第二切换端子的端子48连接(参照图8A)。另外，在第二状态下，将作为第一输入输出端子的端子44、端子45或者端子46与作为第二切换端子的端子48连接，并且将作为第二输入输出端子的端子49与作为第一切换端子的端子47连接(参照图8B)。

即，在实施方式3的高频电路1B中，与天线端子T1电连接的开关以及用于切换流过电感器91的电流的方向的开关由一个开关4A实现。换言之，用于切换流过电感器91的电流的方向的开关和与天线端子T1电连接的开关为一体。这里所说的“一体”是指上述的两个开关在功能上以及物理上为一体。

(2)高频电路的动作

(2.1)第一动作

接下来，参照图8A和图8B对实施方式3的高频电路1B的第一动作进行说明。

在实施方式3的高频电路1B中，例如，低通滤波器9具有安装于安装基板(未图示)的电感器91。另外，在高频电路1B中，例如，输出匹配电路7具有安装于安装基板的电感器72。例如，根据低通滤波器9的电感器91相对于输出匹配电路7的电感器72的位置和方向中的至少一方，电感器72与电感器91有可能磁耦合。其结果是，经由天线17发送到外部的发送信号的高次谐波的衰减(抑制度)有可能降低。

在实施方式3的高频电路1B中，为了解决上述课题，构成为如下。这里，以低通滤波器9的电感器91与输出匹配电路7的电感器72之间的磁耦合为例进行说明，但关于低通滤波器9的电感器91与输入匹配电路8的电感器81之间的磁耦合也同样。另外，这里，以第一输入输出端子为端子44的情况为例进行说明，但第一输入输出端子为端子45或者端子46的情况也同样。

在实施方式3的高频电路1B中，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为低通滤波器9所包含的电感器91，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为输出匹配电路7的电感器72或者输入匹配电路8的电感器81。

在图8A中，开关4A处于第一状态。在开关4A处于第一状态的情况下，将作为第一输入输出端子的端子44与作为第一切换端子的端子47连接，并且将作为第二输入输出端子的端子49与作为第二切换端子的端子48连接。在该情况下，电流沿箭头C1的方向流过低通滤波器9的电感器91。由此，在电感器91中产生与上述电流对应的方向的磁场。此时，在输出匹配电路7的电感器72中也流过电流，在电感器72中产生与该电流对应的方向的磁场。

这里，在电感器91中产生的磁场的方向与在电感器72中产生的磁场的方向相同的情况下，在电感器91中产生的磁场与在电感器72中产生的磁场相互加强，由此电感器91与电感器72磁耦合。由此，经由天线17发送到外部的发送信号的高次谐波的衰减降低。

在该情况下，如图8B所示，通过使开关4A处于第二状态，能够使流过电感器91的电流的方向成为反向。具体而言，在开关4A中，将作为第一输入输出端子的端子44与作为第二切换端子的端子48连接，并且将作为第二输入输出端子的端子49与作为第一切换端子的端子47连接。由此，电流沿与箭头C1反向的箭头C2的方向流过低通滤波器9的电感器91。而且，在电感器91中产生与上述电流对应的方向的磁场。

在该情况下，在电感器91中产生的磁场的方向与在电感器72中产生的磁场的方向为反向，通过相互抵消，能够抑制电感器91与电感器72的磁耦合。由此，能够抑制经由天线17发送到外部的发送信号的高次谐波的衰减的降低。

(2.2)第二动作

接下来，对实施方式3的高频电路1B的第二动作进行说明。

在实施方式3的高频电路1B中，如上所述，相对于3个发送路径(第一发送路径、第二发送路径以及第三发送路径)设置有一个低通滤波器9。因此，例如，根据低通滤波器9的电感器91相对于匹配电路13的电感器131和匹配电路14的电感器141的位置和方向中的至少一方，电感器91与电感器131或者电感器141有可能磁耦合。

这里，以在第一发送路径与第二发送路径中改变流过电感器91的电流的方向的情况为例进行说明，但在第一发送路径与第三发送路径中改变流过电感器91的电流的方向的情况以及在第二发送路径与第三发送路径中改变流过电感器91的电流的方向的情况也同样。

在开关4A处于第一状态的情况下，将作为第一输入输出端子的端子44与作为第一切换端子的端子47连接，并且将作为第二输入输出端子的端子49与作为第二切换端子的端子48连接。在该情况下，电流沿箭头C1的方向流过低通滤波器9的电感器91。由此，在电感器91中产生与上述电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路13的电感器131中也流过电流，在电感器131中产生与该电流对应的方向的磁场。

在该情况下，如果在低通滤波器9的电感器91中产生的磁场的方向与在匹配电路13的电感器131中产生的磁场的方向为反向，则在电感器91中产生的磁场与在电感器131中产生的磁场相互抵消，抑制电感器91与电感器131的磁接合。由此，能够抑制经由天线17发送到外部的发送信号的高次谐波的衰减的降低。

接下来，在经由第二发送路径发送第二发送信号时，将作为第一输入输出端子的端子45与作为第一切换端子的端子47连接的情况下，在低通滤波器9的电感器91中流过箭头C1的方向的电流，在电感器91中产生与该电流对应的方向的磁场。此时，在匹配电路14的电感器141中也流过电流，在电感器141中产生与该电流对应的方向的磁场。

在该情况下，如果是在电感器91中产生的磁场与在电感器141中产生的磁场为相同的方向，电感器91与电感器141磁耦合的状况，则通过将开关4A切换为第二状态，能够抑制电感器91与电感器141的磁耦合。具体而言，在开关4A中，将作为第一输入输出端子的端子45与作为第二切换端子的端子48连接，并且将作为第二输入输出端子的端子49与作为第一切换端子的端子47连接。由此，电流沿与箭头C1反向的箭头C2的方向流过低通滤波器9的电感器91。而且，在电感器91中产生与上述电流对应的方向的磁场。

其结果是，在电感器91中产生的磁场的方向与在电感器141中产生的磁场的方向为反向，通过相互抵消，能够抑制电感器91与电感器141的磁耦合。由此，能够抑制经由天线17发送到外部的发送信号的高次谐波的衰减的降低。即，根据实施方式3的高频电路1B，能够按每个通信带选择(切换)流过低通滤波器9的电感器91的电流的方向、换言之在电感器91中产生的磁场的方向。另外，与按每个通信带设置电感器的情况相比，能够将高频电路1B小型化。

这里，通过开关来切换流过的电流的方向的电感器为低通滤波器9所包含的电感器91，有可能与该电感器磁耦合的其他电感器为匹配电路13、14、15的电感器131、141、151。

(3)变形例

以下，对实施方式3的变形例进行说明。

(3.1)变形例1

在实施方式3的高频电路1B中，如图7所示，用于切换通信带相互不同的多个接收信号用(或者发送信号用)的信号路径的开关与用于切换流过电感器91的电流的方向的开关由一个开关4A实现。

与此相对，也可以如图9所示，用于切换通信带相互不同的多个接收信号用(或者发送信号用)的信号路径的开关4与用于切换流过电感器91的电流的方向的开关50由一个芯片部件400实现。换言之，用于切换流过电感器91的电流的方向的开关50也可以与用于切换通信带相互不同的多个接收信号用(或者发送信号用)的信号路径的开关4为一体。这里所说的“一体”是指上述的两个开关(开关4和开关50)在物理上为一体。以下，参照图9对变形例1的高频电路1B进行说明。此外，在变形例1的高频电路1B中，对于与实施方式3的高频电路1B相同的结构标注相同的附图标记而省略说明。

在变形例1的高频电路1B中，如图9所示，取代开关4A，具备开关4和开关50。在变形例1的高频电路1B中，开关4与开关50由一个芯片部件400构成。换言之，开关50与开关4为一体。

如图9所示，开关4具有共用端子40和多个(在图9中为3个)选择端子41、42、43。开关4切换共用端子40与多个选择端子41、42、43的连接状态。更详细地说，开关4切换将共用端子40与选择端子41连接的状态、将共用端子40与选择端子42连接的状态、以及将共用端子40与选择端子43连接的状态。开关4例如能够由SP3T型的开关构成。

开关50具有多个(在图9中为4个)端子501、502、503、504。开关50能够切换第一状态和第二状态，以使得流过电感器91的电流的方向成为反向。在第一状态下，将端子501与端子503连接，并且将端子502与端子504连接(参照图9)。在第二状态下，将端子501与端子504连接，并且将端子502与端子503连接。开关50例如能够由DPDT型的开关构成。

开关4的共用端子40与开关50的端子501连接。选择端子41与双工器10的发送用滤波器101的输出端子和接收用滤波器102的输入端子连接。选择端子42与双工器11的发送用滤波器111的输出端子和接收用滤波器112的输入端子连接。选择端子43与双工器12的发送用滤波器121的输出端子和接收用滤波器122的输入端子连接。

开关50的端子502与天线端子T1连接。开关50的端子503与低通滤波器9的电感器91的第一端911连接，开关50的端子504与电感器91的第二端912连接。另外，开关50的端子503与低通滤波器9的电容器92的第一端连接，开关50的端子504与电容器92的第二端连接。即，在开关50的端子503与端子504之间，电感器91与电容器92并联地连接。

在变形例1的高频电路1B中，端子501为第一输入输出端子，例如为输入端子。另外，在高频电路1B中，端子502为第二输入输出端子，例如为输出端子。并且，在高频电路1B中，端子503为第一切换端子，端子504为第二切换端子。

在变形例1的高频电路1B中也是，通过在第一状态与第二状态之间切换开关50，能够使在低通滤波器9的电感器91中产生的磁场的方向成为反向。由此，能够抑制电感器91与其他电感器(例如输出匹配电路7的电感器72)的磁耦合。

另外，在变形例1的高频电路1B中，通过将开关50切换为第一状态或者第二状态，能够按每个通信带切换在低通滤波器9的电感器91中产生的磁场的方向。由此，与按每个通信带设置电感器的情况相比，能够将高频电路1B小型化。

(3.2)变形例2

在变形例1的高频电路1B中，用于切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关4与用于切换流过电感器91的电流的方向的开关50为一体，但开关4与开关50也可以分体。

(技术方案)

根据以上说明的实施方式等，公开以下的技术方案。

第一技术方案的高频电路(1；1A；1B)具备电感器(81；82；72；91)和开关(18；19；4A、50)。电感器(81；82；72；92)具有第一端(811；821；721；911)和第二端(812；822；722；912)。开关(18；19；4A、50)具有第一输入输出端子(181；191；44、45、46、501)、第二输入输出端子(182；192；49、502)、与电感器(81；82；72；91)的第一端(811；821；721；911)连接的第一切换端子(183；193；47、503)、以及与电感器(81；82；72；91)的第二端(812；722；912)连接的第二切换端子(184；194；48、504)。开关(18；19；4A、50)能够切换第一状态和第二状态。在第一状态下，将第一输入输出端子(181；191；44、45、46、501)与第一切换端子(183；193；47、503)连接，并且将第二输入输出端子(182；192；49、502)与第二切换端子(184；194；48、504)连接。在第二状态下，将第一输入输出端子(181；191；44、45、46、501)与第二切换端子(184；194；48、504)连接，并且将第二输入输出端子(182；192；49、502)与第一切换端子(183；193；47、503)连接。

根据该技术方案，能够得到所希望的特性。

根据第一技术方案，第二技术方案的高频电路(1A)还具备功率放大器(5)。功率放大器(5)放大针对天线端子(T1)的发送信号。电感器为与功率放大器(5)的输出侧连接的电感器(72)。

根据第一技术方案，第三技术方案的高频电路(1)还具备低噪声放大器(6)。低噪声放大器(6)放大来自天线端子(T1)的接收信号。电感器为与低噪声放大器(6)的输入侧连接的电感器(81；82)。

根据第一技术方案，第四技术方案的高频电路(1B)还具备低通滤波器(9)。低通滤波器(9)与天线端子(T1)电连接。电感器为低通滤波器(9)所包含的电感器(91)。

根据第一至第四技术方案中的任一技术方案，第五技术方案的高频电路(1；1A；1B)还具备电感器(81；82；72；91)以外的其他电感器(131、141、151、72、91；131、141、151、81、91；72、81)。

根据该技术方案，能够抑制电感器(81；82；72；91)与其他电感器(131、141、151、72、91；131、141、151、81、91；72、81)的磁耦合，其结果是，能够得到所希望的特性。

根据第一至第五技术方案中的任一技术方案，在第六技术方案的高频电路(1；1A；1B)中，开关(18；19；50)与切换通信带相互不同的多个发送信号用的信号路径的开关(2)、切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关(3)、或者与天线端子(T1)电连接的开关(4)为一体。

根据该技术方案，与将开关(2)、开关(3)或者开关(4)与开关(18；19；50)分体设置的情况相比，能够将高频电路(1；1A；1B)小型化。

根据第一至第六技术方案中的任一技术方案，第七技术方案的高频电路(1；1A)还具备功率放大器(5)、低噪声放大器(6)、以及其他电感器(72；81)。功率放大器(5)放大针对天线端子(T1)的发送信号。低噪声放大器(6)放大来自天线端子(T1)的接收信号。其他电感器(72；81)与电感器(81；72)不同。电感器(81；72)为与功率放大器(5)的输出侧连接的第一电感器(72)以及与低噪声放大器(6)的输入侧连接的第二电感器(81)中的一方。其他电感器(72；81)为第一电感器(72)和第二电感器(81)中的另一方。在高频电路(1)中，通过载波聚合或者双连接而同时发送和接收发送信号和接收信号。

根据该技术方案，在进行载波聚合或者双连接的情况下，也能够得到所希望的特性。

第八技术方案的通信装置(100；100A；100B)具备：第一至第七技术方案中的任一技术方案的高频电路(1；1A；1B)；以及信号处理电路(16)。信号处理电路(16)对来自天线端子(T1)的接收信号与针对天线端子(T1)的发送信号中的至少一方进行处理。

根据该技术方案，能够得到所希望的特性。

附图标记的说明

1、1A、1B…高频电路；2…开关；3、3A…开关；4、4A…开关；5…功率放大器；6…低噪声放大器；7…输出匹配电路；8…输入匹配电路；9…低通滤波器；10、11、12…双工器；13、14、15…匹配电路；16…信号处理电路；17…天线；18、19…开关；20…共用端子；21、22、23…选择端子；30…共用端子；31、32、33…选择端子；40…共用端子；41、42、43…选择端子；45、46、47、48、49…端子；50…开关；51…输入端子；52…输出端子；61…输入端子；62…输出端子；71、72…电感器；73、74、75…电容器；81、82…电感器；91…电感器；92…电容器；100、100A、100B…通信装置；101、111、121…发送用滤波器；102、112、122…接收用滤波器；131、141、151…电感器；161…RF信号处理电路；162…基带信号处理电路；181、182、183、184…端子；191、192、193、194…端子；721、811、911…第一端；722、812、912…第二端；A1、A2、B1、B2、C1、C2…电流的方向；T1…天线端子；T2…信号输入端子；T3…信号输出端子。

Claims (8)

1.一种高频电路，具备：

电感器，其具有第一端和第二端；以及

开关，具有第一输入输出端子、第二输入输出端子、与所述电感器的所述第一端连接的第一切换端子、以及与所述电感器的所述第二端连接的第二切换端子，该开关能够切换第一状态和第二状态，

在所述第一状态下，所述第一输入输出端子与所述第一切换端子连接，并且所述第二输入输出端子与所述第二切换端子连接，

在所述第二状态下，所述第一输入输出端子与所述第二切换端子连接，并且所述第二输入输出端子与所述第一切换端子连接。

2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

该高频电路还具备功率放大器，该功率放大器放大针对天线端子的发送信号，

所述电感器为与所述功率放大器的输出侧连接的电感器。

3.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

该高频电路还具备低噪声放大器，该低噪声放大器放大来自天线端子的接收信号，

所述电感器为与所述低噪声放大器的输入侧连接的电感器。

4.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

该高频电路还具备低通滤波器，该低通滤波器与天线端子电连接，

所述电感器为所述低通滤波器所包含的电感器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频电路，其中，

该高频电路还具备与所述电感器不同的其他电感器。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频电路，其中，

所述开关与切换通信带相互不同的多个发送信号用的信号路径的开关、切换通信带相互不同的多个接收信号用的信号路径的开关、或者与天线端子电连接的开关为一体。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的高频电路，其中，

该高频电路还具备：

功率放大器，其放大针对天线端子的发送信号；

低噪声放大器，其放大来自所述天线端子的接收信号；以及

与所述电感器不同的其他电感器，

所述电感器为与所述功率放大器的输出侧连接的第一电感器以及与所述低噪声放大器的输入侧连接的第二电感器中的一方，

所述其他电感器为所述第一电感器和所述第二电感器中的另一方，

通过载波聚合或者双连接而同时发送和接收所述发送信号与所述接收信号。

8.一种通信装置，具备：

权利要求1至7中任一项所述的高频电路；以及

信号处理电路，其对来自天线端子的接收信号与针对所述天线端子的发送信号中的至少一方进行处理。

Images