CN114203586A - 衬底清洗装置及衬底清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底清洗装置及衬底清洗方法。在第1高度位置，通过上侧保持装置保持衬底的外周端部。在比第1高度位置更靠下方的第2高度位置，通过下侧保持装置吸附保持衬底的下表面中央区域，并使衬底绕铅直轴旋转。在第1高度位置与第2高度位置之间，通过交接装置搬送衬底。使清洗具升降，以与通过上侧保持装置或下侧保持装置而保持的衬底的下表面接触，通过清洗具清洗衬底的下表面中央区域、或包围下表面中央区域的下表面外侧区域。若发生异常时，判定衬底位于第1高度位置，则利用气体喷出部向通过上侧保持装置而保持的衬底的下表面中央区域供给气体。

Description

衬底清洗装置及衬底清洗方法
技术领域
本发明涉及一种清洗衬底的衬底清洗装置及衬底清洗方法。
背景技术
为了对用于液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用衬底、半导体衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底或太阳电池用衬底等各种衬底进行各种处理，人们会使用衬底处理装置。为了清洗衬底，可使用衬底清洗装置。
日本专利第5904169号公报中记载的衬底清洗装置具备：2个吸附垫，保持晶圆的背面周缘部；旋转夹头，保持晶圆的背面中央部；及刷子，清洗晶圆的背面。2个吸附垫保持晶圆，并且横向移动。该状态下，利用刷子清洗晶圆的背面中央部。之后，旋转夹头从吸附垫接过晶圆，且旋转夹头一边保持晶圆的背面中央部一边旋转。该状态下，利用刷子清洗晶圆的背面周缘部。
发明内容
在衬底清洗装置中，发生异常的情况下，会先从衬底清洗装置回收衬底，再对异常进行处置。然而，在所述衬底清洗装置中，衬底会被搬送至多个位置，因此不易根据衬底的位置而得当地回收衬底。衬底未得当回收的情况下，旋转夹头等衬底清洗装置的构成要素会受到损伤。
本发明的目的在于，提供一种能在发生异常时得当地回收衬底的衬底清洗装置及衬底清洗方法。
(1)本发明的一形态的衬底清洗装置是清洗衬底的下表面的衬底清洗装置，包含：第1衬底保持部，在第1高度位置，保持衬底的外周端部；第2衬底保持部，在比第1高度位置更靠下方的第2高度位置，吸附保持衬底的下表面中央区域，并使衬底绕铅直轴旋转；衬底搬送部，在第1高度位置与第2高度位置之间搬送衬底；清洗具，清洗衬底的下表面中央区域、或包围下表面中央区域的下表面外侧区域；清洗具升降部，使清洗具升降，以能与由第1或第2衬底保持部保持的衬底的下表面接触；气体供给部，能朝向衬底的下表面吐出气体；衬底位置判定部，判定衬底的位置；及控制部，若衬底清洗装置发生异常时，通过衬底位置判定部判定衬底位于第1高度位置，则控制气体供给部，使其向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给气体。
该衬底清洗装置中，在第1高度位置与第1高度位置下方的第2高度位置之间，通过衬底搬送部搬送衬底。在第1高度位置，通过第1衬底保持部保持衬底的外周端部。在第2高度位置，通过第2衬底保持部吸附保持衬底的下表面中央区域，并使衬底绕铅直轴旋转。
清洗具通过清洗具升降部而升降，以能与由第1或第2衬底保持部保持的衬底的下表面接触。衬底的下表面中央区域、或包围下表面中央区域的下表面外侧区域由清洗具清洗。衬底的位置由衬底位置判定部判定。若衬底清洗装置发生异常时，通过衬底位置判定部判定衬底位于第1高度位置，则通过气体供给部向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给气体。
根据该构成，即便在衬底清洗装置发生异常时，由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域附着有液体成分，也会利用通过气体供给部而供给的气体来对衬底的下表面中央区域进行干燥。因此，即便衬底被搬送至第2高度位置并由第2衬底保持部吸附保持，液体成分也不会浸入第2衬底保持部的吸附部内。由此，得以防止第2衬底保持部受到损伤。结果，能在发生异常时从衬底清洗装置得当地回收衬底。
(2)衬底清洗装置也可还包含能朝向衬底的下表面供给处理液的处理液供给部，且若衬底清洗装置发生异常时，通过衬底位置判定部判定衬底位于第1高度位置，则控制部控制处理液供给部，使其向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给处理液，在处理液供给部结束处理液的供给后，控制气体供给部，使其向衬底的下表面中央区域供给气体。
该情况下，衬底清洗装置发生异常时，会通过处理液供给部向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面中央区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会通过气体供给部向衬底的下表面中央区域供给气体，因此即便衬底被搬送至第2高度位置并由第2衬底保持部吸附保持，液体成分也不会浸入第2衬底保持部的吸附部内。结果，能在发生异常时从衬底清洗装置更得当地回收衬底。
(3)控制部也可控制衬底搬送部，使其在第2高度位置，通过第2衬底保持部保持下表面中央区域被供给了气体的衬底，控制第2衬底保持部，使其一边保持衬底一边使衬底旋转，并且控制处理液供给部，使其向衬底的下表面外侧区域供给处理液，经过指定时间后，一边控制第2衬底保持部，使其维持衬底的旋转，一边控制处理液供给部，使其停止处理液的供给。
该情况下，会于在第2高度位置通过第2衬底保持部一边保持衬底一边使衬底旋转的状态下，通过处理液供给部向衬底的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会维持衬底的旋转，所以衬底的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置搬出衬底，液体成分也不会附着于搬出衬底的机构。由此，能在发生异常时从衬底清洗装置进一步得当地回收衬底。
(4)也可为：若衬底清洗装置发生异常时，通过衬底位置判定部判定衬底位于第2高度位置，则控制部控制第2衬底保持部，使其一边保持衬底一边使衬底旋转，并且控制处理液供给部，使其向衬底的下表面外侧区域供给处理液，经过指定时间后，一边控制第2衬底保持部，使其维持衬底的旋转，一边控制处理液供给部，使其停止处理液的供给。
根据该构成，若衬底清洗装置发生异常时，衬底正由第2衬底保持部吸附保持，则在通过第2衬底保持部一边保持衬底一边使衬底旋转的状态下，通过处理液供给部向衬底的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会维持衬底的旋转，所以衬底的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置搬出衬底，液体成分也不会附着于搬出衬底的机构。由此，能在发生异常时从衬底清洗装置得当地回收衬底。
(5)也可为：若衬底清洗装置发生异常时，通过衬底位置判定部判定衬底位于第1高度位置与第2高度位置之间，则控制部控制衬底搬送部，使其在第2高度位置，通过第2衬底保持部保持衬底，控制第2衬底保持部，使其一边保持衬底一边使衬底旋转，并且控制处理液供给部，使其向衬底的下表面外侧区域供给处理液，经过指定时间后，一边控制第2衬底保持部，使其维持衬底的旋转，一边控制处理液供给部，使其停止处理液的供给。
根据该构成，若衬底清洗装置发生异常时，衬底位于第1高度位置与第2高度位置之间，则将衬底通过衬底搬送部搬送至第2高度位置，使之由第2衬底保持部保持。之后，于在第2高度位置通过第2衬底保持部一边保持衬底一边使衬底旋转的状态下，通过处理液供给部向衬底的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会维持衬底的旋转，所以衬底的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置搬出衬底，液体成分也不会附着于搬出衬底的机构。由此，能在发生异常时从衬底清洗装置得当地回收衬底。
(6)本发明的另一形态的衬底清洗方法是通过衬底清洗装置清洗衬底的下表面的衬底清洗方法，包含如下步骤：在第1高度位置，通过第1衬底保持部保持衬底的外周端部；在比第1高度位置更靠下方的第2高度位置，通过第2衬底保持部吸附保持衬底的下表面中央区域，并使衬底绕铅直轴旋转；在第1高度位置与第2高度位置之间，通过衬底搬送部搬送衬底；使清洗具升降，以与由第1或第2衬底保持部保持的衬底的下表面接触；通过清洗具清洗衬底的下表面中央区域、或包围下表面中央区域的下表面外侧区域；判定衬底的位置；及若衬底清洗装置发生异常时，判定衬底位于第1高度位置，则通过气体供给部向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给气体。
根据该衬底清洗方法，即便在衬底清洗装置发生异常时，由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域附着有液体成分，也会利用通过气体供给部而供给的气体来对衬底的下表面中央区域进行干燥。因此，即便衬底被搬送至第2高度位置并由第2衬底保持部吸附保持，液体成分也不会浸入第2衬底保持部的吸附部内。由此，得以防止第2衬底保持部受到损伤。结果，能在发生异常时从衬底清洗装置得当地回收衬底。
(7)通过气体供给部向衬底的下表面中央区域供给气体的步骤也可包含如下动作：通过处理液供给部向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给处理液；及在处理液供给部结束处理液的供给后，通过气体供给部向衬底的下表面中央区域供给气体。
该情况下，衬底清洗装置发生异常时，会通过处理液供给部向由第1衬底保持部保持的衬底的下表面中央区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面中央区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会通过气体供给部向衬底的下表面中央区域供给气体，因此即便衬底被搬送至第2高度位置并由第2衬底保持部吸附保持，液体成分也不会浸入第2衬底保持部的吸附部内。结果，能在发生异常时从衬底清洗装置更得当地回收衬底。
(8)衬底清洗方法也可还包含如下步骤：在第2高度位置，通过第2衬底保持部保持下表面中央区域被供给了气体的衬底；使保持衬底的第2衬底保持部旋转；利用处理液供给部向通过第2衬底保持部而旋转的衬底的下表面外侧区域供给处理液；及自处理液供给部开始处理液的供给起经过指定时间后，一边维持通过第2衬底保持部而实现的衬底的旋转，一边使处理液供给部停止处理液的供给。
该情况下，会于在第2高度位置通过第2衬底保持部一边保持衬底一边使衬底旋转的状态下，通过处理液供给部向衬底的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会维持衬底的旋转，所以衬底的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置搬出衬底，液体成分也不会附着于搬出衬底的机构。由此，能在发生异常时从衬底清洗装置进一步得当地回收衬底。
(9)衬底清洗方法也可还包含如下步骤：若衬底清洗装置发生异常时，判定衬底位于第2高度位置，则使保持衬底的第2衬底保持部旋转；利用处理液供给部向通过第2衬底保持部而旋转的衬底的下表面外侧区域供给处理液；及自处理液供给部开始处理液的供给起经过指定时间后，一边维持通过第2衬底保持部而实现的衬底的旋转，一边使处理液供给部停止处理液的供给。
根据该构成，若衬底清洗装置发生异常时，衬底正由第2衬底保持部吸附保持，则在通过第2衬底保持部一边保持衬底一边使衬底旋转的状态下，通过处理液供给部向衬底的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会维持衬底的旋转，所以衬底的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置搬出衬底，液体成分也不会附着于搬出衬底的机构。由此，能在发生异常时从衬底清洗装置得当地回收衬底。
(10)衬底清洗方法也可还包含如下步骤：若衬底清洗装置发生异常时，判定衬底位于第1高度位置与第2高度位置之间，则通过衬底搬送部向第2高度位置搬送衬底；在第2高度位置，通过第2衬底保持部保持衬底；使保持衬底的第2衬底保持部旋转；利用处理液供给部向通过第2衬底保持部而旋转的衬底的下表面外侧区域供给处理液；及自处理液供给部开始处理液的供给起经过指定时间后，一边维持通过第2衬底保持部而实现的衬底的旋转，一边使处理液供给部停止处理液的供给。
根据该构成，若衬底清洗装置发生异常时，衬底位于第1高度位置与第2高度位置之间，则将衬底通过衬底搬送部搬送至第2高度位置，使之由第2衬底保持部保持。之后，于在第2高度位置通过第2衬底保持部一边保持衬底一边使衬底旋转的状态下，通过处理液供给部向衬底的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底去除。另外，处理液供给部的处理液供给结束后，会维持衬底的旋转，所以衬底的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置搬出衬底，液体成分也不会附着于搬出衬底的机构。由此，能在发生异常时从衬底清洗装置得当地回收衬底。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的衬底清洗装置的俯视示意图。
图2是表示图1的衬底清洗装置的内部构成的外观立体图。
图3是表示衬底清洗装置的控制系统的构成的框图。
图4是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图5是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图6是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图7是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图8是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图9是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图10是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图11是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图12是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图13是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图14是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图15是用来说明图1的衬底清洗装置的常规动作的示意图。
图16是表示由图3的控制装置推进的衬底回收处理的流程图。
图17是表示由图3的控制装置推进的衬底回收处理的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式的衬底清洗装置及衬底清洗方法进行说明。在以下的说明中，所谓衬底是指半导体衬底(晶圆)、液晶显示装置或有机EL(ElectroLuminescence)显示装置等FPD(Flat Panel Display)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底或太阳电池用衬底等。另外，本实施方式中，衬底的上表面是电路形成面(正面)，衬底的下表面是与电路形成面为相反侧的面(背面)。另外，本实施方式中，忽略凹口不计，衬底具有圆形形状。
(1)衬底处理装置的构成
图1是本发明的一实施方式的衬底清洗装置的俯视示意图。图2是表示图1的衬底清洗装置1的内部构成的外观立体图。在本实施方式的衬底清洗装置1中，为了明确位置关系，定义了相互正交的X方向、Y方向及Z方向。在图1及图2以后的指定图示中，X方向、Y方向及Z方向会酌情以箭头表示。X方向及Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅直方向。
如图1所示，衬底清洗装置1具备上侧保持装置10A、10B、下侧保持装置20、基座装置30、交接装置40、下表面清洗装置50、承杯装置60、上表面清洗装置70、端部清洗装置80及开关装置90。这些构成要素设置在单元框体2内。在图2中，单元框体2以虚线表示。
单元框体2具有矩形的底面部2a、及从底面部2a的4边向上方延伸的4个侧壁部2b、2c、2d、2e。侧壁部2b、2c相互对向，侧壁部2d、2e相互对向。在侧壁部2b的中央部形成有矩形的开口。该开口是衬底W的搬入搬出口2x，供向单元框体2内搬入衬底W时、及从中搬出衬底W时使用。在图2中，搬入搬出口2x以粗虚线表示。在以下的说明中，Y方向中，从单元框体2的内部通过搬入搬出口2x去往单元框体2的外侧的方向(从侧壁部2c朝向侧壁部2b的方向)称为前方，其相反方向(从侧壁部2b朝向侧壁部2c的方向)称为后方。
在侧壁部2b的形成有搬入搬出口2x的部分及其附近区域，设置有开关装置90。开关装置90包含：挡闸91，以能将搬入搬出口2x开关的方式构成；及挡闸驱动部92，驱动挡闸91。在图2中，挡闸91以粗的两点链线表示。挡闸驱动部92在向衬底清洗装置1内搬入衬底W时、及从中搬出衬底W时，以将搬入搬出口2x打开的方式驱动挡闸91。另外，挡闸驱动部92在衬底清洗装置1清洗衬底W时，以将搬入搬出口2x关闭的方式驱动挡闸91。
在底面部2a的中央部设置有基座装置30。基座装置30包含线性导轨31、可动基座32及基座驱动部33。线性导轨31包含2条轨道，俯视下沿Y方向从侧壁部2b附近延伸至侧壁部2c附近而设置。可动基座32是以能沿Y方向在线性导轨31的2条轨道上移动的方式设置。基座驱动部33例如包含脉冲马达，使可动基座32沿Y方向在线性导轨31上移动。
在可动基座32上，沿Y方向排列而设置有下侧保持装置20及下表面清洗装置50。下侧保持装置20包含吸附保持部21及吸附保持驱动部22。吸附保持部21为所谓的旋转夹头，具有能吸附保持衬底W下表面的圆形吸附面，以能绕沿上下方向延伸的轴(Z方向的轴)旋转的方式构成。在以下的说明中，通过吸附保持部21吸附保持衬底W时，衬底W的下表面中，应由吸附保持部21的吸附面吸附的区域称为下表面中央区域。而衬底W的下表面中，包围下表面中央区域的区域称为下表面外侧区域。
吸附保持驱动部22包含马达。吸附保持驱动部22的马达以旋转轴朝向上方突出的方式设置在可动基座32上。吸附保持部21安装在吸附保持驱动部22的旋转轴的上端部。另外，在吸附保持驱动部22的旋转轴上，形成有用来供吸附保持部21吸附保持衬底W的抽吸路径。该抽吸路径连接于未图示的吸气装置。吸附保持驱动部22使吸附保持部21绕所述旋转轴旋转。
在可动基座32上的下侧保持装置20附近，还设置有交接装置40。交接装置40包含多根(本例中为3根)支撑销41、销连结部件42及销升降驱动部43。销连结部件42是以俯视下包围吸附保持部21的方式形成，将多根支撑销41连结。多根支撑销41以通过销连结部件42而相互连结的状态，从销连结部件42向上方延伸一定长度。销升降驱动部43使销连结部件42在可动基座32上升降。由此，多根支撑销41相对于吸附保持部21而相对地升降。
下表面清洗装置50包含下表面刷51、2个喷液嘴52、气体喷出部53、升降支撑部54、移动支撑部55、下表面刷旋转驱动部55a、下表面刷升降驱动部55b及下表面刷移动驱动部55c。移动支撑部55是以能在可动基座32上的一定区域内相对于下侧保持装置20而沿Y方向移动的方式设置。如图2所示，在移动支撑部55上，可升降地设置有升降支撑部54。升降支撑部54具有在从吸附保持部21离开的方向(本例中为后方)上向斜下方倾斜的上表面54u。
如图1所示，下表面刷51具有能与衬底W的下表面接触的圆形清洗面。另外，下表面刷51以清洗面朝向上方且清洗面能绕通过该清洗面的中心沿上下方向延伸的轴旋转的方式，安装在升降支撑部54的上表面54u上。下表面刷51的清洗面的面积大于吸附保持部21的吸附面的面积。
2个喷液嘴52各自以位于下表面刷51附近且液体吐出口朝向上方的方式，安装在升降支撑部54的上表面54u上。在喷液嘴52上连接有下表面清洗液供给部56(图3)。下表面清洗液供给部56向喷液嘴52供给清洗液。喷液嘴52在通过下表面刷51清洗衬底W时，向衬底W的下表面吐出从下表面清洗液供给部56供给的清洗液。本实施方式中，使用纯水作为向喷液嘴52供给的清洗液。
气体喷出部53是具有沿一个方向延伸的气体喷出口的狭缝状气体喷射嘴。气体喷出部53以俯视下位于下表面刷51与吸附保持部21之间且气体喷射口朝向上方的方式，安装在升降支撑部54的上表面54u上。在气体喷出部53上连接有喷出气体供给部57(图3)。喷出气体供给部57向气体喷出部53供给气体。本实施方式中，使用氮气等惰性气体作为向气体喷出部53供给的气体。气体喷出部53在通过下表面刷51清洗衬底W时、及下述对衬底W的下表面进行干燥时，向衬底W的下表面喷射从喷出气体供给部57供给的气体。该情况下，下表面刷51与吸附保持部21之间会形成沿X方向延伸的带状气帘。
下表面刷旋转驱动部55a包含马达，在通过下表面刷51清洗衬底W时使下表面刷51旋转。下表面刷升降驱动部55b包含步进马达或汽缸，使升降支撑部54相对于移动支撑部55而升降。下表面刷移动驱动部55c包含马达，使移动支撑部55沿Y方向在可动基座32上移动。这里，下侧保持装置20在可动基座32上的位置是固定的。因此，通过下表面刷移动驱动部55c使移动支撑部55沿Y方向移动时，移动支撑部55要相对于下侧保持装置20而相对地移动。以下的说明中，在可动基座32上，下表面清洗装置50最靠近下侧保持装置20时所处的位置称为接近位置，在可动基座32上，下表面清洗装置50离下侧保持装置20最远时所处的位置称为隔离位置。
在底面部2a的中央部还设置有承杯装置60。承杯装置60包含承杯61及承杯驱动部62。承杯61是以俯视下包围下侧保持装置20及基座装置30且可升降的方式设置。在图2中，承杯61以虚线表示。承杯驱动部62根据下表面刷51所要清洗的是衬底W下表面的哪个部分，来使承杯61在下承杯位置与上承杯位置之间移动。下承杯位置是承杯61的上端部比由吸附保持部21吸附保持的衬底W更靠下方的高度位置。而上承杯位置是承杯61的上端部比吸附保持部21更靠上方的高度位置。
在比承杯61更靠上方的高度位置，以俯视下隔着基座装置30而对向的方式设置有一对上侧保持装置10A、10B。上侧保持装置10A包含下夹头11A、上夹头12A、下夹头驱动部13A及上夹头驱动部14A。上侧保持装置10B包含下夹头11B、上夹头12B、下夹头驱动部13B及上夹头驱动部14B。
下夹头11A、11B俯视下相对于通过吸附保持部21的中心沿Y方向(前后方向)延伸的铅直面而对称配置，以能在共通的水平面内沿X方向移动的方式设置。下夹头11A、11B各自具有2个支撑片，它们能从衬底W的下方支撑衬底W的下表面周缘部。下夹头驱动部13A、13B以下夹头11A、11B相互靠近、或下夹头11A、11B相互分离的方式，使下夹头11A、11B移动。
上夹头12A、12B与下夹头11A、11B同样地，俯视下相对于通过吸附保持部21的中心沿Y方向(前后方向)延伸的铅直面而对称配置，以能在共通的水平面内沿X方向移动的方式设置。上夹头12A、12B各自具有2个保持片，它们以抵接于衬底W的外周端部的2个部分，从而能保持衬底W的外周端部的方式构成。上夹头驱动部14A、14B以上夹头12A、12B相互靠近、或上夹头12A、12B相互分离的方式，使上夹头12A、12B移动。
在单元框体2内，设置有检测上侧保持装置10A、10B是否保持有衬底W的传感装置15。本例中，传感装置15安装在上侧保持装置10A上，但实施方式并不限定于此。传感装置15也可安装在上侧保持装置10B上，还可安装在上侧保持装置10A、10B两者上，或可与上侧保持装置10A、10B分别配置。
传感装置15例如为包含投光部与受光部的非接触式传感器。投光部出射光，受光部收受了从投光部出射的光的情况下，输出受光信号。投光部与受光部是以在上侧保持装置10A、10B保持有衬底W时，隔着衬底W相互对向的方式配置。该配置下，上侧保持装置10A、10B未保持衬底W时，从传感装置15输出受光信号。上侧保持装置10A、10B保持有衬底W时，不从传感装置15输出受光信号。
此外，也可以在上侧保持装置10A、10B保持有衬底W时，通过投光部而出射且被衬底W反射的光由受光部来收受的方式，配置投光部与受光部。该配置下，上侧保持装置10A、10B保持有衬底W时，从传感装置15输出受光信号。上侧保持装置10A、10B未保持衬底W时，不从传感装置15输出受光信号。另外，传感装置15也可为通过物理接触来检测衬底W的接触式传感器，而不是非接触式传感器。
如图1所示，在承杯61的一侧方，以俯视下位于上侧保持装置10B附近的方式，设置有上表面清洗装置70。上表面清洗装置70包含旋转支撑轴71、臂72、喷雾嘴73及上表面清洗驱动部74。
旋转支撑轴71在底面部2a上，以沿上下方向延伸，可升降且可旋转的方式，由上表面清洗驱动部74加以支撑。臂72如图2所示，以从旋转支撑轴71的上端部沿水平方向延伸的方式，设置在比上侧保持装置10B更靠上方的位置。在臂72的前端部安装有喷雾嘴73。
在喷雾嘴73上连接有上表面清洗流体供给部75(图3)。上表面清洗流体供给部75向喷雾嘴73供给清洗液及气体。本实施方式中，使用纯水作为向喷雾嘴73供给的清洗液，使用氮气等惰性气体作为向喷雾嘴73供给的气体。喷雾嘴73在清洗衬底W的上表面时，将从上表面清洗流体供给部75供给的清洗液与气体混合而生成混合流体，并将所生成的混合流体向下方喷射。
上表面清洗驱动部74包含1个或多个脉冲马达及汽缸等，使旋转支撑轴71升降，并且使旋转支撑轴71旋转。根据所述构成，通过使喷雾嘴73在由吸附保持部21吸附保持并加以旋转的衬底W的上表面上呈圆弧状移动，能清洗衬底W的整个上表面。
如图1所示，在承杯61的另一侧方，以俯视下位于上侧保持装置10A附近的方式，设置有端部清洗装置80。端部清洗装置80包含旋转支撑轴81、臂82、斜面刷83及斜面刷驱动部84。
旋转支撑轴81在底面部2a上，以沿上下方向延伸，可升降且可旋转的方式，由斜面刷驱动部84加以支撑。臂82如图2所示，以从旋转支撑轴81的上端部沿水平方向延伸的方式，设置在比上侧保持装置10A更靠上方的位置。在臂82的前端部，以朝向下方突出且能绕上下方向的轴旋转的方式设置有斜面刷83。
关于斜面刷83，上半部具有倒圆锥台形状，而下半部具有圆锥台形状。利用该斜面刷83，能以其外周面的上下方向上的中央部分来清洗衬底W的外周端部。
斜面刷驱动部84包含1个或多个脉冲马达及汽缸等，使旋转支撑轴81升降，并且使旋转支撑轴81旋转。根据所述构成，通过使斜面刷83的外周面的中央部分与由吸附保持部21吸附保持并加以旋转的衬底W的外周端部接触，能清洗衬底W的整个外周端部。
这里，斜面刷驱动部84还包含内置于臂82的马达。该马达使设置在臂82前端部的斜面刷83绕上下方向的轴旋转。因此，清洗衬底W的外周端部时，通过斜面刷83旋转，斜面刷83对衬底W的外周端部的清洗力提高。
图3是表示衬底清洗装置1的控制系统的构成的框图。图3的控制装置9包含CPU(中央计算处理器)、RAM(随机访问存储器)、ROM(只读存储器)及存储装置。RAM作为CPU的作业区域使用。ROM存储系统程序。存储装置存储用来使CPU执行下述常规动作的衬底清洗程序。衬底清洗程序包含用来使CPU执行下述回收动作的衬底回收程序。
如图3所示，控制装置9包含夹头控制部9A、吸附控制部9B、基座控制部9C、交接控制部9D、下表面清洗控制部9E、承杯控制部9F、上表面清洗控制部9G、斜面清洗控制部9H、搬入搬出控制部9I及衬底位置判定部9J，将它们作为功能部。通过CPU在RAM上执行存储装置中存储的衬底清洗程序，来实现控制装置9的功能部。也可通过电子电路等硬件来实现控制装置9的部分或全部功能部。
夹头控制部9A控制下夹头驱动部13A、13B及上夹头驱动部14A、14B，以接收向衬底清洗装置1搬入的衬底W，并在第1高度位置对其予以保持。吸附控制部9B控制吸附保持驱动部22，以在第1高度位置下方的第2高度位置，通过吸附保持部21吸附保持衬底W，并且使所吸附保持的衬底W旋转。吸附保持驱动部22在吸附保持部21吸附保持有衬底W时，输出表示衬底W被吸附保持的吸附信号。
基座控制部9C控制基座驱动部33，以使可动基座32相对于由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W而移动。交接控制部9D控制销升降驱动部43，以使衬底W在由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的第1高度位置与由吸附保持部21保持的衬底W的第2高度位置之间移动。
下表面清洗控制部9E控制下表面刷旋转驱动部55a、下表面刷升降驱动部55b、下表面刷移动驱动部55c、下表面清洗液供给部56及喷出气体供给部57，以清洗衬底W的下表面。承杯控制部9F控制承杯驱动部62，以使承杯61接住对由吸附保持部21吸附保持的衬底W进行清洗时从衬底W飞散的清洗液。
上表面清洗控制部9G控制上表面清洗驱动部74及上表面清洗流体供给部75，以清洗由吸附保持部21吸附保持的衬底W的上表面。斜面清洗控制部9H控制斜面刷驱动部84，以清洗由吸附保持部21吸附保持的衬底W的外周端部。搬入搬出控制部9I控制挡闸驱动部92，以在向衬底清洗装置1内搬入衬底W时、及从中搬出衬底W时，将单元框体2的搬入搬出口2x开关。
衬底位置判定部9J基于从传感装置15输出的受光信号、及从吸附保持驱动部22输出的吸附信号，来判定衬底W的位置。本例中，未从传感装置15输出受光信号的情况下，判定衬底W位于第1高度位置。从吸附保持驱动部22输出吸附信号的情况下，判定衬底W位于第2高度位置。既未判定出衬底W位于第1高度位置也未判定出其位于第2高度位置的情况下，判定衬底W位于第1高度位置与第2高度位置之间。
(2)衬底清洗装置的常规动作
图4～图15是用来说明图1的衬底清洗装置1的常规动作的示意图。在图4～图15各图中，上段示出了衬底清洗装置1的俯视图。另外，中段示出了沿着Y方向观察的下侧保持装置20及其周边部的侧视图，下段示出了沿着X方向观察的下侧保持装置20及其周边部的侧视图。中段的侧视图对应于图1的A-A线侧视图，下段的侧视图对应于图1的B-B线侧视图。此外，为了使衬底清洗装置1中的各构成要素的形状及动作状态容易理解，在上段的俯视图与中段及下段的侧视图之间，部分构成要素的扩大缩小率不同。另外，在图4～图15中，承杯61以两点链线表示，而衬底W的外形以粗的单点链线表示。
在向衬底清洗装置1搬入衬底W前的初始状态下，开关装置90的挡闸91是将搬入搬出口2x关闭的。另外，如图1所示，下夹头11A、11B维持着彼此的距离比衬底W的直径大得多的状态。而且，上夹头12A、12B也维持着彼此的距离比衬底W的直径大得多的状态。另外，基座装置30的可动基座32是以俯视下吸附保持部21的中心位于承杯61的中心的方式配置的。而且，在可动基座32上，下表面清洗装置50配置于接近位置。另外，下表面清洗装置50的升降支撑部54呈下表面刷51的清洗面(上端部)位于比吸附保持部21更靠下方的位置的状态。而且，交接装置40呈多根支撑销41位于比吸附保持部21更靠下方的位置的状态。进而，在承杯装置60中，承杯61位于下承杯位置。在以下的说明中，俯视下的承杯61的中心位置称为平面基准位置rp。另外，俯视下吸附保持部21的中心位于平面基准位置rp时底面部2a上的可动基座32的位置称为第1水平位置。
向衬底清洗装置1的单元框体2内搬入衬底W。具体来说，在即将搬入衬底W前，挡闸91将搬入搬出口2x打开。之后，如图4中粗实线的箭头a1所示，未图示的衬底搬送机器人的手(衬底保持部)RH通过搬入搬出口2x，向单元框体2内的大致中央的位置搬入衬底W。这时，由手RH保持的衬底W如图4所示，位于下夹头11A及上夹头12A与下夹头11B及上夹头12B之间。
接着，如图5中粗实线的箭头a2所示，下夹头11A、11B相互靠近，使下夹头11A、11B的多个支撑片位于衬底W的下表面周缘部的下方。该状态下，手RH下降，从搬入搬出口2x退出。由此，保持于手RH的衬底W的下表面周缘部的多个部分由下夹头11A、11B的多个支撑片加以支撑。手RH退出后，挡闸91将搬入搬出口2x关闭。
继而，如图6中粗实线的箭头a3所示，上夹头12A、12B相互靠近，使上夹头12A、12B的多个保持片抵接于衬底W的外周端部。通过上夹头12A、12B的多个保持片抵接于衬底W的外周端部的多个部分，被下夹头11A、11B支撑的衬底W进而由上夹头12A、12B加以保持。另外，如图6中粗实线的箭头a4所示，可动基座32从第1水平位置向前方移动，使吸附保持部21从平面基准位置rp偏移指定距离，并且使下表面刷51的中心位于平面基准位置rp。这里，位于底面部2a上的可动基座32的位置称为第2水平位置。
接着，如图7中粗实线的箭头a5所示，升降支撑部54上升，使下表面刷51的清洗面在第1高度位置与衬底W的下表面中央区域接触。另外，如图7中粗实线的箭头a6所示，下表面刷51绕上下方向的轴旋转(自转)。由此，附着于衬底W的下表面中央区域的污染物质被下表面刷51物理剥离。
在图7的下段，细节放大框内示出了下表面刷51与衬底W的下表面接触的部分的放大侧视图。如该细节放大框内所示，在下表面刷51与衬底W接触的状态下，喷液嘴52及气体喷出部53保持于与衬底W的下表面近接的位置。这时，喷液嘴52如空心的箭头a51所示，在下表面刷51附近的位置，朝向衬底W的下表面吐出清洗液。由此，从喷液嘴52供给至衬底W下表面的清洗液被导向下表面刷51与衬底W的接触部，从而通过清洗液将被下表面刷51从衬底W的背面去除的污染物质冲掉。如此，在下表面清洗装置50中，喷液嘴52和下表面刷51一起安装在升降支撑部54上。由此，能向下表面刷51的用来清洗衬底W下表面的部分高效供给清洗液。因此，清洗液的消耗量降低，并且清洗液的过度飞散得到抑制。
这里，升降支撑部54的上表面54u在从吸附保持部21离开的方向上向斜下方倾斜。该情况下，若包含污染物质的清洗液从衬底W的下表面滴落至升降支撑部54上，则会向从吸附保持部21离开的方向引导被上表面54u接住的清洗液。
另外，通过下表面刷51清洗衬底W的下表面时，气体喷出部53如图7的细节放大框内空心的箭头a52所示，在下表面刷51与吸附保持部21之间的位置，朝向衬底W的下表面喷射气体。本实施方式中，气体喷出部53以气体喷射口沿X方向延伸的方式，安装在升降支撑部54上。该情况下，从气体喷出部53向衬底W的下表面喷射气体时，下表面刷51与吸附保持部21之间会形成沿X方向延伸的带状气帘。由此，防止在通过下表面刷51清洗衬底W的下表面时，包含污染物质的清洗液朝向吸附保持部21飞散。因此，得以防止在通过下表面刷51清洗衬底W的下表面时，包含污染物质的清洗液附着于吸附保持部21，从而使吸附保持部21的吸附面保持清洁。
此外，在图7的例子中，气体喷出部53如空心的箭头a52所示，从气体喷出部53朝着下表面刷51向斜上方喷射气体，但本发明并不限定于此。气体喷出部53也可为从气体喷出部53朝向下表面刷51沿着Z方向而喷射气体。
接着，在图7的状态下，一旦衬底W的下表面中央区域的清洗完成，下表面刷51的旋转便会停止，且升降支撑部54下降，使下表面刷51的清洗面与衬底W分开指定距离。另外，从喷液嘴52向衬底W的清洗液吐出停止。这时，继续从气体喷出部53向衬底W喷射气体。
之后，如图8中粗实线的箭头a7所示，可动基座32向后方移动，使吸附保持部21位于平面基准位置rp。也就是说，可动基座32从第2水平位置移动至第1水平位置。这时，由于继续从气体喷出部53向衬底W喷射气体，所以衬底W的下表面中央区域得以被气帘依次干燥。
继而，如图9中粗实线的箭头a8所示，升降支撑部54下降，使下表面刷51的清洗面位于比吸附保持部21的吸附面(上端部)更靠下方的位置。另外，如图9中粗实线的箭头a9所示，上夹头12A、12B相互分离，使上夹头12A、12B的多个保持片与衬底W的外周端部分开。这时，衬底W成为被下夹头11A、11B支撑的状态。
之后，如图9中粗实线的箭头a10所示，销连结部件42上升，使多根支撑销41的上端部位于比下夹头11A、11B略靠上方的位置。由此，被下夹头11A、11B支撑的衬底W由多根支撑销41接收。
接着，如图10中粗实线的箭头a11所示，下夹头11A、11B相互分离。这时，下夹头11A、11B移动至俯视下不与由多根支撑销41支撑的衬底W重叠的位置。由此，上侧保持装置10A、10B均恢复成初始状态。
继而，如图11中粗实线的箭头a12所示，销连结部件42下降，使多根支撑销41的上端部位于比吸附保持部21更靠下方的位置。由此，支撑在多根支撑销41上的衬底W由吸附保持部21接收。该状态下，吸附保持部21吸附保持衬底W的下表面中央区域。在销连结部件42下降的同时、或销连结部件42下降完成后，如图11中粗实线的箭头a13所示，承杯61从下承杯位置上升至上承杯位置。
接着，如图12中粗实线的箭头a14所示，吸附保持部21绕上下方向的轴(吸附保持驱动部22的旋转轴的轴心)旋转。由此，吸附保持于吸附保持部21的衬底W以水平姿势旋转。
继而，上表面清洗装置70的旋转支撑轴71旋转，下降。由此，如图12中粗实线的箭头a15所示，喷雾嘴73移动至衬底W上方的位置，并以喷雾嘴73与衬底W之间的距离成为预先设定的距离的方式下降。该状态下，喷雾嘴73向衬底W的上表面喷射清洗液与气体的混合流体。另外，旋转支撑轴71旋转。由此，如图12中粗实线的箭头a16所示，喷雾嘴73在旋转的衬底W上方的位置移动。通过向衬底W的整个上表面喷射混合流体，衬底W的整个上表面得到清洗。
另外，通过喷雾嘴73清洗衬底W的上表面时，端部清洗装置80的旋转支撑轴81也旋转，下降。由此，如图12中粗实线的箭头a17所示，斜面刷83移动至衬底W的外周端部上方的位置。另外，以斜面刷83的外周面的中央部分与衬底W的外周端部接触的方式下降。该状态下，斜面刷83绕上下方向的轴旋转(自转)。由此，附着于衬底W的外周端部的污染物质被斜面刷83物理剥离。从衬底W的外周端部剥离的污染物质被从喷雾嘴73向衬底W喷射的身为混合流体的清洗液冲掉。
进而，通过喷雾嘴73清洗衬底W的上表面时，升降支撑部54上升，使下表面刷51的清洗面在第2高度位置与衬底W的下表面外侧区域接触。另外，如图12中粗实线的箭头a18所示，下表面刷51绕上下方向的轴旋转(自转)。进而，喷液嘴52朝向衬底W的下表面吐出清洗液，气体喷出部53朝向衬底W的下表面喷射气体。该状态下，进而如图12中粗实线的箭头a19所示，移动支撑部55在可动基座32上的接近位置与隔离位置之间进退动作。由此，由吸附保持部21吸附保持并加以旋转的衬底W的下表面外侧区域被下表面刷51遍及全域地加以清洗。
接着，一旦衬底W的上表面、外周端部及下表面外侧区域的清洗完成，从喷雾嘴73向衬底W的混合流体喷射便会停止。另外，如图13中粗实线的箭头a20所示，喷雾嘴73移动至承杯61的一侧方的位置(初始状态的位置)。另外，如图13中粗实线的箭头a21所示，斜面刷83移动至承杯61的另一侧方的位置(初始状态的位置)。进而，下表面刷51的旋转停止，且升降支撑部54下降，使下表面刷51的清洗面与衬底W分开指定距离。另外，从喷液嘴52向衬底W的清洗液吐出、及从气体喷出部53向衬底W的气体喷射停止。该状态下，通过吸附保持部21高速旋转，附着于衬底W的清洗液被甩掉，衬底W的整体得以干燥。
继而，如图14中粗实线的箭头a22所示，承杯61从上承杯位置下降至下承杯位置。另外，如图14中粗实线的箭头a23所示，下夹头11A、11B相互靠近至足以支撑新的衬底W的位置为止，以备将新的衬底W搬入单元框体2内。
最后，将衬底W从衬底清洗装置1的单元框体2内搬出。具体来说，在即将搬出衬底W前，挡闸91将搬入搬出口2x打开。之后，如图15中粗实线的箭头a24所示，未图示的衬底搬送机器人的手(衬底保持部)RH通过搬入搬出口2x进入单元框体2内。继而，手RH接过吸附保持部21上的衬底W，并从搬入搬出口2x退出。手RH退出后，挡闸91将搬入搬出口2x关闭。
(3)衬底清洗装置的回收动作
在所述衬底清洗装置1的常规动作中，衬底清洗装置1发生异常的情况下，会中止常规动作，并且通过衬底位置判定部9J来判定衬底W的位置。另外，执行用来从单元框体2回收衬底W的回收动作。衬底清洗装置1的回收动作根据通过衬底位置判定部9J所判定出的衬底W的位置而有所不同。
此外，在衬底清洗装置1，设置有未图示的1个以上漏液传感器。另外，在衬底清洗装置1，设置有未图示的编码器，用来检测马达或汽缸等致动器的驱动量。若任一漏液传感器检测到漏液，或致动器的控制驱动值(例如脉冲数)与未图示的编码器所检测到的致动器的驱动量不一致等，则判定衬底清洗装置1发生异常。
在衬底清洗装置1的回收动作中，若判定衬底W位于第1高度位置，则如图6所示，衬底W正由上侧保持装置10A、10B保持，并且可动基座32位于第2水平位置。该情况下，如图7所示，升降支撑部54上升，使下表面刷51的清洗面在第1高度位置与衬底W的下表面中央区域接触，由此喷液嘴52及气体喷出部53保持于与衬底W的下表面近接的位置。
该状态下，通过喷液嘴52向由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的下表面中央区域供给处理液。由此，清洗衬底W的下表面中央区域。这里，也可还通过下表面刷51清洗衬底W的下表面中央区域。喷液嘴52的处理液供给结束后，通过气体喷出部53向衬底W的下表面中央区域供给气体。接着，如图8所示，可动基座32移动至第1水平位置。这时，由于继续从气体喷出部53向衬底W喷射气体，所以衬底W的下表面中央区域得以被气帘依次干燥。
之后，如图9及图10所示，升降支撑部54下降。另外，通过多根支撑销41上升，被上侧保持装置10A、10B支撑的衬底W由多根支撑销41接收。接着，如图11所示，通过多根支撑销41下降，支撑在多根支撑销41上的衬底W由下侧保持装置20接收。由此，衬底W的下表面中央区域由下侧保持装置20吸附保持。另外，承杯61上升至上承杯位置。
继而，如图12所示，通过下侧保持装置20使衬底W旋转。另外，升降支撑部54上升，使下表面刷51的清洗面在第2高度位置与衬底W的下表面外侧区域接触。该状态下，通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液。由此，清洗衬底W的下表面外侧区域。这里，也可还通过下表面刷51清洗衬底W的下表面外侧区域。
经过指定时间后，一边维持通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转，一边使喷液嘴52停止处理液的供给。该情况下，附着于衬底W的清洗液会被甩掉，由此衬底W的整体得以干燥。衬底W干燥后，停止通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转。另外，如图13所示，升降支撑部54下降。进而，如图14所示，承杯61下降至下承杯位置。
之后，如图15所示，将搬入搬出口2x打开，而由衬底搬送机器人的手RH通过搬入搬出口2x将衬底W从单元框体2搬出。手RH退出后，通过挡闸91将搬入搬出口2x关闭，至此衬底清洗装置1的回收动作结束。
在衬底清洗装置1的回收动作中，若判定衬底W位于第2高度位置，则如图11所示，衬底W正由下侧保持装置20保持，并且可动基座32位于第1水平位置。另外，承杯61位于上承杯位置。该情况下，如图12所示，通过下侧保持装置20使衬底W旋转。另外，升降支撑部54上升，使下表面刷51的清洗面在第2高度位置与衬底W的下表面外侧区域接触。该状态下，通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液。由此，清洗衬底W的下表面外侧区域。这里，也可还通过下表面刷51清洗衬底W的下表面外侧区域。
经过指定时间后，一边维持通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转，一边使喷液嘴52停止处理液的供给。该情况下，附着于衬底W的清洗液会被甩掉，由此衬底W的整体得以干燥。衬底W干燥后，停止通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转。另外，如图13所示，升降支撑部54下降。另外，如图14所示，承杯61下降至下承杯位置。
之后，如图15所示，将搬入搬出口2x打开，而由衬底搬送机器人的手RH通过搬入搬出口2x将衬底W从单元框体2搬出。手RH退出后，通过挡闸91将搬入搬出口2x关闭，至此衬底清洗装置1的回收动作结束。
在衬底清洗装置1的回收动作中，若判定衬底W位于第1高度位置与第2高度位置之间，则如图10所示，衬底W正由多根支撑销41保持，并且可动基座32位于第1水平位置。该情况下，如图11所示，通过多根支撑销41下降，支撑在多根支撑销41上的衬底W由下侧保持装置20接收。由此，衬底W的下表面中央区域由下侧保持装置20吸附保持。另外，承杯61上升至上承杯位置。
继而，如图12所示，通过下侧保持装置20使衬底W旋转。另外，升降支撑部54上升，使下表面刷51的清洗面在第2高度位置与衬底W的下表面外侧区域接触。该状态下，通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液。由此，清洗衬底W的下表面外侧区域。这里，也可还通过下表面刷51清洗衬底W的下表面外侧区域。
经过指定时间后，一边维持通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转，一边使喷液嘴52停止处理液的供给。该情况下，附着于衬底W的清洗液会被甩掉，由此衬底W的整体得以干燥。衬底W干燥后，停止通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转。另外，如图13所示，升降支撑部54下降。另外，如图14所示，承杯61下降至下承杯位置。
之后，如图15所示，将搬入搬出口2x打开，而由衬底搬送机器人的手RH通过搬入搬出口2x将衬底W从单元框体2搬出。手RH退出后，通过挡闸91将搬入搬出口2x关闭，至此衬底清洗装置1的回收动作结束。
(4)衬底回收处理
图16及图17是表示由图3的控制装置9推进的衬底回收处理的流程图。图16及图17的衬底回收处理是通过控制装置9的CPU在RAM上执行存储装置中存储的衬底回收程序而进行的。衬底回收处理与使衬底清洗装置1执行图4～图15的常规动作的衬底清洗处理并行执行。下面，参照图3的控制装置9、以及图16及图17的流程图，对衬底回收处理进行说明。
首先，衬底位置判定部9J对衬底清洗装置1是否发生异常进行判定(步骤S1)。衬底清洗装置1未发生异常的情况下，待机，直到衬底清洗装置1发生异常为止。衬底清洗装置1发生异常的情况下，衬底位置判定部9J对衬底W是否位于第1高度位置进行判定(步骤S2)。这时，要停止衬底清洗处理。若衬底W位于第1高度位置，则下表面清洗控制部9E使升降支撑部54上升，以使下表面刷51的清洗面在第1高度位置与衬底W的下表面中央区域接触(步骤S3)。
接着，下表面清洗控制部9E通过喷液嘴52向由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的下表面中央区域供给处理液(步骤S4)。经过指定时间后，下表面清洗控制部9E使喷液嘴52停止处理液的供给(步骤S5)。另外，下表面清洗控制部9E通过气体喷出部53向衬底W的下表面中央区域供给气体(步骤S6)。
继而，基座控制部9C使可动基座32移动至第1水平位置(步骤S7)。之后，下表面清洗控制部9E使气体喷出部53停止气体的供给(步骤S8)。另外，下表面清洗控制部9E使升降支撑部54下降(步骤S9)。接着，交接控制部9D通过使多根支撑销41上升，然后再使之下降，而将衬底W从第1高度位置搬送至第2高度位置(步骤S10)。
继而，吸附控制部9B通过下侧保持装置20保持步骤S10中搬送来的衬底W(步骤S11)。另外，承杯控制部9F使承杯61上升至上承杯位置(步骤S12)。之后，吸附控制部9B通过下侧保持装置20使衬底W旋转(步骤S13)。接着，下表面清洗控制部9E使升降支撑部54上升，以使下表面刷51的清洗面在第2高度位置与衬底W的下表面外侧区域接触(步骤S14)。
继而，下表面清洗控制部9E通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液(步骤S15)。经过指定时间后，下表面清洗控制部9E使喷液嘴52停止处理液的供给(步骤S16)。该情况下，通过衬底W的旋转，衬底W的整体得以干燥。衬底W干燥后，下表面清洗控制部9E停止通过下侧保持装置20而实现的衬底W的旋转(步骤S17)。另外，下表面清洗控制部9E使升降支撑部54下降(步骤S18)。进而，承杯控制部9F使承杯61下降至下承杯位置(步骤S19)。
之后，搬入搬出控制部9I将搬入搬出口2x打开(步骤S20)。由衬底搬送机器人的手RH通过搬入搬出口2x将衬底W从单元框体2搬出后，搬入搬出控制部9I通过挡闸91将搬入搬出口2x关闭(步骤S21)。
若在步骤S2中为衬底W不位于第1高度位置，则衬底位置判定部9J对衬底W是否位于第2高度位置进行判定(步骤S22)。若衬底W位于第2高度位置，则衬底位置判定部9J进入步骤S12。该情况下，执行步骤S12～S21。而若衬底W不位于第2高度位置，则衬底位置判定部9J进入步骤S10。由此，执行步骤S10～S21。执行步骤S21后，衬底回收处理结束。
(5)效果
本实施方式的衬底清洗装置1中，在第1高度位置与第2高度位置之间，通过交接装置40搬送衬底W。在第1高度位置，通过上侧保持装置10A、10B保持衬底W的外周端部。在第2高度位置，通过下侧保持装置20吸附保持衬底W的下表面中央区域，并使衬底W绕铅直轴旋转。
下表面刷51通过下表面刷升降驱动部55b而升降，以能与由上侧保持装置10A、10B或下侧保持装置20保持的衬底W的下表面接触。衬底W的下表面中央区域或下表面外侧区域由下表面刷51清洗。衬底W的位置由衬底位置判定部9J判定。
若衬底清洗装置1发生异常时，判定衬底W位于第1高度位置，则通过喷液嘴52向由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的下表面中央区域供给处理液。因此，即便衬底W的下表面中央区域附着有异物，异物也会被从衬底W去除。另外，喷液嘴52的处理液供给结束后，通过气体喷出部53向衬底W的下表面中央区域供给气体。因此，即便衬底W被搬送至第2高度位置并由下侧保持装置20吸附保持，液体成分也不会浸入下侧保持装置20的吸附部内。
之后，将衬底W通过交接装置40搬送至第2高度位置，使之由下侧保持装置20保持。接着，于在第2高度位置通过下侧保持装置20一边保持衬底W一边使衬底W旋转的状态下，通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底W的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底W去除。另外，喷液嘴52的处理液供给结束后，会维持衬底W的旋转，所以衬底W的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置1搬出衬底W，液体成分也不会附着于衬底搬送机器人的手RH。
若衬底清洗装置1发生异常时，判定衬底W位于第2高度位置，则在通过下侧保持装置20一边保持衬底W一边使衬底W旋转的状态下，通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底W的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底W去除。另外，喷液嘴52的处理液供给结束后，会维持衬底W的旋转，所以衬底W的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置1搬出衬底W，液体成分也不会附着于衬底搬送机器人的手RH。
若衬底清洗装置1发生异常时，判定衬底W位于第1高度位置与第2高度位置之间，则将衬底W通过交接装置40搬送至第2高度位置，使之由下侧保持装置20保持。接着，于在第2高度位置通过下侧保持装置20一边保持衬底W一边使衬底W旋转的状态下，通过喷液嘴52向衬底W的下表面外侧区域供给处理液。因此，即便衬底W的下表面外侧区域附着有异物，异物也会被从衬底W去除。另外，喷液嘴52的处理液供给结束后，会维持衬底W的旋转，所以衬底W的整体得以干燥。因此，即便从衬底清洗装置1搬出衬底W，液体成分也不会附着于衬底搬送机器人的手RH。
实施这些衬底回收处理后，能在发生异常时从衬底清洗装置1得当地回收衬底W。
(6)其他实施方式
(a)所述实施方式中，在衬底清洗装置1的常规动作中，是在清洗衬底W的下表面中央区域时，从喷液嘴52向衬底W的下表面供给清洗液，但实施方式并不限定于此。也可在清洗衬底W的下表面中央区域前，使下表面刷51含浸一定量的清洗液，以此来取代从喷液嘴52向衬底W的下表面供给清洗液。该情况下，衬底清洗装置1上也可不设置喷液嘴52。
另外，在衬底清洗装置1上未设置喷液嘴52的构成中，若衬底清洗装置1发生异常时，判定衬底W位于第1高度位置，则不向由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的下表面中央区域供给处理液。该构成下也一样，若衬底清洗装置1发生异常时，由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的下表面中央区域附着有液体成分，则利用通过气体供给部而供给的气体来对衬底W的下表面中央区域进行干燥。
因此，即便下表面中央区域被供给了气体的衬底W被搬送至第2高度位置并由下侧保持装置20吸附保持，液体成分也不会浸入下侧保持装置20的吸附部内。由此，得以防止下侧保持装置20受到损伤。结果，能在发生异常时从衬底清洗装置1得当地回收衬底W。
(b)所述实施方式中，交接装置40是衬底搬送部，在第1高度位置与第2高度位置之间搬送衬底W，但实施方式并不限定于此。上侧保持装置10A、10B及下侧保持装置20中至少一者以可升降的方式构成的情况下，也可不设置交接装置40。该情况下，上侧保持装置10A、10B及下侧保持装置20中至少一者是衬底搬送部，通过该衬底搬送部升降，而在第1高度位置与第2高度位置之间搬送衬底W。
(c)所述实施方式中，在衬底清洗装置1的常规动作中，是在清洗衬底W的下表面中央区域后，再清洗衬底W的下表面外侧区域的，但实施方式并不限定于此。在衬底清洗装置1的常规动作中，也可在清洗衬底W的下表面外侧区域后，再清洗衬底W的下表面中央区域。
该情况下，对于已被搬入至衬底清洗装置1的衬底W，首先在由下侧保持装置20吸附保持的状态下，清洗下表面中央区域、外周端部及上表面。之后，由下侧保持装置20保持的衬底W被上侧保持装置10A、10B接收，保持。该状态下，清洗衬底W的下表面中央区域。清洗后的衬底W会被从上侧保持装置10A、10B向单元框体2的外部搬出。
或者，在衬底清洗装置1的常规动作中，也可在依次执行衬底W的下表面中央区域及衬底W的下表面外侧区域的清洗后，再次清洗衬底W的下表面中央区域。
(d)所述实施方式中，衬底回收处理是与衬底清洗处理并行执行的，但实施方式并不限定于此。衬底回收处理也可响应于使用者的开始指令而执行。该情况下，省略图16的衬底回收处理中的步骤S1。
(7)权利要求的各构成要素与实施方式的各部的对应关系
下面，对权利要求的各构成要素与实施方式的各要素的对应例进行说明，但本发明并不限定于下述例子。作为权利要求的各构成要素，也可采用具有权利要求中记载的构成或功能的其他各种要素。
在所述实施方式中，衬底W是衬底的例子，衬底清洗装置1是衬底清洗装置的例子，上侧保持装置10A、10B是第1衬底保持部的例子。下侧保持装置20是第2衬底保持部的例子，交接装置40是衬底搬送部的例子，下表面刷51是清洗具的例子，下表面刷升降驱动部55b是清洗具升降部的例子。喷液嘴52是处理液供给部的例子，气体喷出部53是气体供给部的例子，衬底位置判定部9J是衬底位置判定部的例子，控制装置9是控制部的例子。

Claims (10)

1.一种衬底清洗装置，清洗衬底的下表面，且包含：
第1衬底保持部，在第1高度位置，保持所述衬底的外周端部；
第2衬底保持部，在比所述第1高度位置更靠下方的第2高度位置，吸附保持所述衬底的下表面中央区域，并使所述衬底绕铅直轴旋转；
衬底搬送部，在所述第1高度位置与所述第2高度位置之间搬送所述衬底；
清洗具，清洗所述衬底的所述下表面中央区域、或包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域；
清洗具升降部，使所述清洗具升降，以能与由所述第1或第2衬底保持部保持的所述衬底的下表面接触；
气体供给部，能朝向所述衬底的下表面吐出气体；
衬底位置判定部，判定所述衬底的位置；及
控制部，若所述衬底清洗装置发生异常时，通过所述衬底位置判定部判定所述衬底位于所述第1高度位置，则控制所述气体供给部，使其向由所述第1衬底保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域供给气体。
2.根据权利要求1所述的衬底清洗装置，其中
还包含能朝向所述衬底的下表面供给处理液的处理液供给部，且
若所述衬底清洗装置发生异常时，通过所述衬底位置判定部判定所述衬底位于所述第1高度位置，则所述控制部控制所述处理液供给部，使其向由所述第1衬底保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域供给处理液，在所述处理液供给部结束处理液的供给后，控制所述气体供给部，使其向所述衬底的所述下表面中央区域供给气体。
3.根据权利要求2所述的衬底清洗装置，其中
所述控制部控制所述衬底搬送部，使其在所述第2高度位置，通过所述第2衬底保持部保持所述下表面中央区域被供给了气体的所述衬底，控制所述第2衬底保持部，使其一边保持所述衬底一边使所述衬底旋转，并且控制所述处理液供给部，使其向所述衬底的所述下表面外侧区域供给处理液，经过指定时间后，一边控制所述第2衬底保持部，使其维持所述衬底的旋转，一边控制所述处理液供给部，使其停止处理液的供给。
4.根据权利要求2或3所述的衬底清洗装置，其中
若所述衬底清洗装置发生异常时，通过所述衬底位置判定部判定所述衬底位于所述第2高度位置，则所述控制部控制所述第2衬底保持部，使其一边保持所述衬底一边使所述衬底旋转，并且控制所述处理液供给部，使其向所述衬底的所述下表面外侧区域供给处理液，经过指定时间后，一边控制所述第2衬底保持部，使其维持所述衬底的旋转，一边控制所述处理液供给部，使其停止处理液的供给。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的衬底清洗装置，其中
若所述衬底清洗装置发生异常时，通过所述衬底位置判定部判定所述衬底位于所述第1高度位置与所述第2高度位置之间，则所述控制部控制所述衬底搬送部，使其在所述第2高度位置，通过所述第2衬底保持部保持所述衬底，控制所述第2衬底保持部，使其一边保持所述衬底一边使所述衬底旋转，并且控制所述处理液供给部，使其向所述衬底的所述下表面外侧区域供给处理液，经过指定时间后，一边控制所述第2衬底保持部，使其维持所述衬底的旋转，一边控制所述处理液供给部，使其停止处理液的供给。
6.一种衬底清洗方法，通过衬底清洗装置清洗衬底的下表面，且包含如下步骤：
在第1高度位置，通过第1衬底保持部保持所述衬底的外周端部；
在比所述第1高度位置更靠下方的第2高度位置，通过第2衬底保持部吸附保持所述衬底的下表面中央区域，并使所述衬底绕铅直轴旋转；
在所述第1高度位置与所述第2高度位置之间，通过衬底搬送部搬送所述衬底；
使清洗具升降，以与由所述第1或第2衬底保持部保持的所述衬底的下表面接触；
通过所述清洗具清洗所述衬底的所述下表面中央区域、或包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域；
判定所述衬底的位置；及
若所述衬底清洗装置发生异常时，判定所述衬底位于所述第1高度位置，则通过气体供给部向由所述第1衬底保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域供给气体。
7.根据权利要求6所述的衬底清洗方法，其中
通过气体供给部向所述衬底的所述下表面中央区域供给气体的步骤包含如下动作：
通过处理液供给部向由所述第1衬底保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域供给处理液；及
在所述处理液供给部结束处理液的供给后，通过所述气体供给部向所述衬底的所述下表面中央区域供给气体。
8.根据权利要求7所述的衬底清洗方法，其中还包含如下步骤：
在所述第2高度位置，通过所述第2衬底保持部保持所述下表面中央区域被供给了气体的所述衬底；
使保持所述衬底的所述第2衬底保持部旋转；
利用所述处理液供给部向通过所述第2衬底保持部而旋转的所述衬底的所述下表面外侧区域供给处理液；及
自所述处理液供给部开始处理液的供给起经过指定时间后，一边维持通过所述第2衬底保持部而实现的所述衬底的旋转，一边使所述处理液供给部停止处理液的供给。
9.根据权利要求7或8所述的衬底清洗方法，其中还包含如下步骤：
若所述衬底清洗装置发生异常时，判定所述衬底位于所述第2高度位置，则使保持所述衬底的所述第2衬底保持部旋转；
利用所述处理液供给部向通过所述第2衬底保持部而旋转的所述衬底的所述下表面外侧区域供给处理液；及
自所述处理液供给部开始处理液的供给起经过指定时间后，一边维持通过所述第2衬底保持部而实现的所述衬底的旋转，一边使所述处理液供给部停止处理液的供给。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的衬底清洗方法，其中还包含如下步骤：
若所述衬底清洗装置发生异常时，判定所述衬底位于所述第1高度位置与所述第2高度位置之间，则通过所述衬底搬送部向所述第2高度位置搬送所述衬底；
在所述第2高度位置，通过所述第2衬底保持部保持所述衬底；
使保持所述衬底的所述第2衬底保持部旋转；
利用所述处理液供给部向通过所述第2衬底保持部而旋转的所述衬底的所述下表面外侧区域供给处理液；及
自所述处理液供给部开始处理液的供给起经过指定时间后，一边维持通过所述第2衬底保持部而实现的所述衬底的旋转，一边使所述处理液供给部停止处理液的供给。
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JP5904169B2 (ja) * 2013-07-23 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR102308587B1 (ko) * 2014-03-19 2021-10-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6503194B2 (ja) * 2015-02-16 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7058156B2 (ja) * 2018-03-26 2022-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

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