CN115588628A - 衬底洗净装置及衬底洗净方法 - Google Patents

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冲田展彬
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Abstract

本发明涉及一种衬底洗净装置及衬底洗净方法。通过将洗净工具接触于由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域来将下表面中央区域洗净。通过将洗净工具接触于由第2保持部旋转的衬底的下表面外侧区域来将衬底的下表面外侧区域洗净。在下表面中央区域的洗净时,在不保持衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转。或,在下表面中央区域的洗净时,通过配置在洗净工具与第2保持部之间的气体喷出部从只离开衬底特定距离的第1高度向衬底喷出气体,且在下表面中央区域的干燥时,通过气体喷出部从比第1高度更接近衬底的第2高度向衬底喷出气体。

Description

衬底洗净装置及衬底洗净方法
技术领域
本发明涉及一种将衬底洗净的衬底洗净装置及衬底洗净方法。
背景技术
为了对用于液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence:电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display:平板显示器)用衬底、半导体衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底或太阳能电池用衬底等各种衬底进行各种处理,使用衬底处理装置。为了将衬底洗净,使用衬底洗净装置。
例如,专利第5904169号公报所记载的衬底洗净装置具备保持晶圆的背面周缘部的2个吸附垫、保持晶圆的背面中央部的旋转夹盘、及将晶圆的背面洗净的刷子。2个吸附垫保持晶圆且横向移动。在所述状态下,用刷子将晶圆的背面中央部洗净。之后,旋转夹盘从吸附垫接收晶圆,旋转夹盘保持晶圆的背面中央部且旋转。在所述状态下,用刷子将晶圆的背面周缘部洗净。
发明内容
在专利第5904169号公报记载的衬底洗净装置中,为了使旋转夹盘的表面与晶圆的背面在彼此干燥的状态下接触,在向旋转夹盘交接晶圆时,通过气刀将晶圆的背面干燥。然而,充分防止洗净液向旋转夹盘的表面附着并不容易。当已污染的洗净液附着在旋转夹盘的表面时,旋转夹盘的清净度降低。因此,谋求将旋转夹盘维持为清净。
本发明的目的在于提供一种能将衬底的保持部维持为清净的衬底洗净装置及衬底洗净方法。
(1)根据本发明的一方面的衬底洗净装置具备:第1保持部,具有基准位置,以衬底的中心位于基准位置的方式保持所述衬底;第2保持部,构成为能绕铅直轴旋转,保持衬底的下表面中央区域;洗净工具,通过接触于由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域来将下表面中央区域洗净,且通过接触于由第2保持部旋转的衬底的包围下表面中央区域的下表面外侧区域来将下表面外侧区域洗净;及可动台座,设置着第2保持部及洗净工具,以于衬底在第1保持部与第2保持部之间交接时,在俯视下,第2保持部与第1保持部的基准位置重叠,且在下表面中央区域的洗净时,在俯视下,洗净工具与第1保持部的基准位置重叠的方式,在水平面内移动;且第2保持部在下表面中央区域的洗净时,在不保持衬底的状态下旋转。
在所述发明的衬底洗净装置中,在衬底的下表面中央区域的洗净时,在通过第1保持部以衬底的中心位于基准位置的方式保持所述衬底的状态下,将洗净工具接触于衬底的下表面中央区域。另外,在不保持衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转。在衬底的下表面外侧区域的洗净时,在通过第2保持部保持衬底的下表面中央区域,且使所述衬底绕铅直轴旋转的状态下,将洗净工具接触于衬底的下表面外侧区域。
第2保持部及洗净工具设置于可动台座。于衬底在第1保持部与第2保持部之间交接时,可动台座在俯视下,以第2保持部与第1保持部的基准位置重叠的方式在水平面内移动。在下表面中央区域的洗净时,可动台座在俯视下,以洗净工具与第1保持部的基准位置重叠的方式在水平面内移动。
根据所述构成,在衬底的下表面中央区域的洗净时,第2保持部退避到不与衬底重叠的位置。另外,即便在从衬底飞散的包含污染物质的液体附着在第2保持部的情况下,也通过第2保持部的旋转将液体从第2保持部甩掉。由此,能将第2保持部维持为清净。
(2)衬底洗净装置可还具备气体喷出部,所述气体喷出部配置在洗净工具与第2保持部之间,向衬底喷出气体。所述情况下,能在下表面中央区域的洗净时,通过从气体喷出部喷出的气体,防止包含污染物质的液体从衬底向第2保持部飞散。另外,能通过从气体喷出部喷出的气体,使下表面中央区域有效率地干燥。由此,能防止液体附着在第2保持部,而将第2保持部维持为清净。
(3)衬底洗净装置还具备在水平面内在一方向延伸的线性导轨,可动台座可沿线性导轨直线状移动。所述情况下,能以简单的构成使可动台座在水平面内移动。
(4)下表面中央区域的洗净时的第2保持部的旋转速度可为500rpm以上。所述情况下,将附着在第2保持部的液体以短时间从第2保持部甩掉。由此,能更有效率地将第2保持部维持为清净。
(5)根据本发明的另一方面的衬底洗净装置具备:第1保持部,保持衬底;第2保持部,保持衬底的下表面中央区域且使所述衬底绕铅直轴旋转;洗净工具,通过接触于由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域来将下表面中央区域洗净,且通过接触于由第2保持部旋转的衬底的包围下表面中央区域的下表面外侧区域来将下表面外侧区域洗净;及气体喷出部,在洗净工具与第2保持部之间能上下移动地配置,在下表面中央区域的洗净时,从只离开衬底特定距离的第1高度向衬底喷出气体,且在下表面中央区域的干燥时,从比第1高度更接近衬底的第2高度向衬底喷出气体。
在所述衬底洗净装置中,在衬底的下表面中央区域的洗净时,在通过第1保持部保持衬底的状态下,将洗净工具接触于衬底的下表面中央区域。在下表面中央区域的洗净时,通过配置在洗净工具与第2保持部之间的气体喷出部从只离开衬底特定距离的第1高度向衬底喷出气体。在下表面中央区域的干燥时,通过气体喷出部从比第1高度更接近衬底的第2高度向衬底喷出气体。
根据所述构成,在下表面中央区域的洗净时,通过从气体喷出部喷出的气体,防止包含污染物质的液体从衬底向第2保持部飞散。另外,在下表面中央区域的干燥时,由于在衬底的下表面与气体喷出部接近的状态下,从气体喷出部向衬底的下表面喷出气体,所以下表面中央区域被有效率地干燥。因此,防止液体附着在第2保持部。由此,能将第2保持部维持为清净。
(6)第2保持部在下表面中央区域的洗净时,可在不保持衬底的状态下旋转。根据所述构成,即便在从衬底飞散的包含污染物质的液体附着在第2保持部的情况下,也通过第2保持部的旋转将液体从第2保持部甩掉。由此,能更确实地将第2保持部维持为清净。
(7)衬底洗净装置可还具备支撑洗净工具与气体喷出部的共通的支撑部。所述情况下,一体进行与衬底的位置相应的洗净工具及气体喷出部的移动。因此,能有效率地将衬底的下表面洗净。另外,由于气体喷出部设置为能上下移动,所以即便在由共通的支撑部支撑洗净工具与气体喷出部的情况下,也能在衬底的下表面中央区域的干燥时,使气体喷出部比衬底的下表面中央区域的洗净时更接近衬底。由此,能有效率地使衬底的下表面干燥。
(8)根据本发明的又一方面的衬底洗净方法包含:在衬底的下表面中央区域的洗净时,通过第1保持部以衬底的中心位于基准位置的方式保持所述衬底;在下表面中央区域的洗净时,在不保持衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转;在下表面中央区域的洗净时,使洗净工具接触于由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域;在衬底的包围下表面中央区域的下表面外侧区域的洗净时,通过第2保持部保持衬底的下表面中央区域,且使所述衬底绕铅直轴旋转;在下表面外侧区域的洗净时,使洗净工具接触于由第2保持部旋转的衬底的下表面外侧区域;及以于衬底在第1保持部与第2保持部之间交接时,在俯视下,第2保持部与第1保持部的基准位置重叠,且在下表面中央区域的洗净时,在俯视下,洗净工具与第1保持部的基准位置重叠的方式,使设置着第2保持部及洗净工具的可动台座在水平面内移动。
根据所述衬底洗净方法,在衬底的下表面中央区域的洗净时,第2保持部退避到不与衬底重叠的位置。另外,即便在从衬底飞散的包含污染物质的液体附着在第2保持部的情况下,也通过第2保持部的旋转将液体从第2保持部甩掉。由此,能将第2保持部维持为清净。
(9)衬底洗净方法可还包含通过配置在洗净工具与第2保持部之间的气体喷出部向衬底喷出气体。所述情况下,能在下表面中央区域的洗净时,通过从气体喷出部喷出的气体,防止包含污染物质的液体从衬底向第2保持部飞散。另外,能通过从气体喷出部喷出的气体,使下表面中央区域有效率地干燥。由此,能防止液体附着在第2保持部,而将第2保持部维持为清净。
(10)使可动台座在水平面内移动可包含使可动台座在水平面内沿着在一方向延伸的线性导轨直线状移动。所述情况下,能以简单的构成使可动台座于水平面内移动。
(11)在不保持衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转可包含以500rpm以上的旋转速度使第2保持部旋转。所述情况下,将附着在第2保持部的液体以短时间从第2保持部甩掉。由此,能更有效率地将第2保持部维持为清净。
(12)根据本发明的又一方面的衬底洗净方法包含:在衬底的下表面中央区域的洗净时,通过第1保持部保持衬底;在下表面中央区域的洗净时,使洗净工具接触于由第1保持部保持的衬底的下表面中央区域;在衬底的包围下表面中央区域的下表面外侧区域的洗净时,通过第2保持部保持衬底的下表面中央区域且使所述衬底绕铅直轴旋转;在下表面外侧区域的洗净时,使洗净工具接触于由第2保持部旋转的衬底的下表面外侧区域;及在下表面中央区域的洗净时,通过配置在洗净工具与第2保持部之间的气体喷出部从只离开衬底特定距离的第1高度向衬底喷出气体,且在下表面中央区域的干燥时,通过气体喷出部从比第1高度更接近衬底的第2高度向衬底喷出气体。
根据所述衬底洗净方法,在下表面中央区域的洗净时,通过从气体喷出部喷出的气体,防止包含污染物质的液体从衬底向第2保持部飞散。另外,在下表面中央区域的干燥时,由于在衬底的下表面与气体喷出部接近的状态下,从气体喷出部向衬底的下表面喷出气体,所以下表面中央区域被有效率地干燥。因此,防止液体附着在第2保持部。由此,能将第2保持部维持为清净。
(13)衬底洗净方法可还包含在下表面中央区域的洗净时,在不保持衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转。根据所述构成,即便在从衬底飞散的包含污染物质的液体附着在第2保持部的情况下,也通过第2保持部的旋转将液体从第2保持部甩掉。由此,能更确实地将第2保持部维持为清净。
(14)洗净工具与气体喷出部可由共通的支撑部支撑。所述情况下,一体进行与衬底的位置相应的洗净工具及气体喷出部的移动。因此,能有效率地将衬底的下表面洗净。另外,由于气体喷出部设置为能上下移动,所以即便在由共通的支撑部支撑洗净工具与气体喷出部的情况下,也能在衬底的下表面中央区域的干燥时,使气体喷出部比衬底的下表面中央区域的洗净时更接近衬底。由此,能有效率地使衬底的下表面干燥。
附图说明
图1为本发明的一实施方式的衬底洗净装置的示意性俯视图。
图2为表示图1的衬底洗净装置的内部构成的外观立体图。
图3为表示衬底洗净装置的控制系统的构成的框图。
图4为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图5为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图6为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图7为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图8为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图9为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图10为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图11为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图12为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图13为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图14为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图15为用来说明图1的衬底洗净装置的概略动作的示意图。
图16为表示图3的控制装置的衬底洗净处理的流程图。
图17为表示图3的控制装置的衬底洗净处理的流程图。
具体实施方式
以下,对于本发明的实施方式的衬底洗净装置使用附图进行说明。在以下说明中,衬底是指半导体衬底、液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence)显示装置等的FPD(Flat Panel Display)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底或太阳能电池用衬底等。另外,本实施方式中使用的衬底的至少一部分具有圆形的外周部。例如,定位用的凹口除外的外周部具有圆形。
(1)衬底处理装置的构成
图1为本发明的一实施方式的衬底洗净装置的示意性俯视图。图2为表示图1的衬底洗净装置1的内部构成的外观立体图。在本实施方式的衬底洗净装置1中,为了明确位置关系而定义互相正交的X方向、Y方向及Z方向。在图1及图2以后的特定的图中,将X方向、Y方向及Z方向适当以箭头表示。X方向及Y方向在水平面内互相正交,Z方向相当于铅直方向。
如图1所示,衬底洗净装置1具备上侧保持装置10A、10B、下侧保持装置20、台座装置30、交接装置40、下表面洗净装置50、杯装置60、上表面洗净装置70、端部洗净装置80及开闭装置90。所述构成要件设置于单元壳体2内。在图2中,以虚线表示单元壳体2。
单元壳体2具有矩形的底面部2a、与从底面部2a的4条边向上方延伸的4个侧壁部2b、2c、2d、2e。侧壁部2b、2c互相对向,侧壁部2d、2e互相对向。在侧壁部2b的中央部,形成着矩形的开口。所述开口为衬底W的搬入搬出口2x,在对单元壳体2搬入及搬出衬底W时使用。在图2中,以较粗的虚线表示搬入搬出口2x。在以下说明中,将Y方向上从单元壳体2的内部通过搬入搬出口2x朝向单元壳体2的外侧的方向(从侧壁部2c朝向侧壁部2b的方向)称为前方,将其相反方向(从侧壁部2b朝向侧壁部2c的方向)称为后方。
在侧壁部2b中的搬入搬出口2x的形成部分及其附近的区域,设置着开闭装置90。开闭装置90包含构成为能将搬入搬出口2x开闭的挡板91、与驱动挡板91的挡板驱动部92。在图2中,以较粗的两点划线表示挡板91。挡板驱动部92以在对衬底洗净装置1搬入及搬出衬底W时将搬入搬出口2x打开的方式驱动挡板91。另外,挡板驱动部92以在衬底洗净装置1中进行衬底W的洗净时将搬入搬出口2x闭合的方式驱动挡板91。
在底面部2a的中央部,设置着台座装置30。台座装置30包含线性导轨31、可动台座32及台座驱动部33。线性导轨31包含2条轨道,且设置为在俯视下从侧壁部2b的附近在Y方向延伸到侧壁部2c的附近为止。可动台座32设置为能在线性导轨31的2条轨道上在Y方向移动。台座驱动部33例如包含脉冲马达,使可动台座32在线性导轨31上在Y方向移动。
在可动台座32上,下侧保持装置20及下表面洗净装置50以排列于Y方向的方式设置。下侧保持装置20包含吸附保持部21及吸附保持驱动部22。吸附保持部21为所谓的旋转夹盘,具有能吸附保持衬底W的下表面的圆形吸附面,且构成为能绕在上下方向延伸的轴(Z方向的轴)旋转。在以下说明中,在通过吸附保持部21吸附保持衬底W时,将衬底W的下表面中应由吸附保持部21的吸附面吸附的区域称为下表面中央区域。另一方面,将衬底W的下表面中包围下表面中央区域的区域称为下表面外侧区域。
吸附保持驱动部22包含马达。吸附保持驱动部22的马达以旋转轴朝上方突出的方式设置于可动台座32上。吸附保持部21安装于吸附保持驱动部22的旋转轴的上端部。另外,在吸附保持驱动部22的旋转轴,形成着用来在吸附保持部21中吸附保持衬底W的吸引路径。所述吸引路径连接于未图示的吸气装置。吸附保持驱动部22使吸附保持部21绕所述旋转轴旋转。
在可动台座32上,在下侧保持装置20的附近还设置着交接装置40。交接装置40包含多个(本例中为3根)支撑销41、销连结部件42及销升降驱动部43。销连结部件42形成为在俯视下包围吸附保持部21,且连结多个支撑销41。多个支撑销41在通过销连结部件42互相连结的状态下,从销连结部件42向上方延伸一定长度。销升降驱动部43在可动台座32上使销连结部件42升降。由此,多个支撑销41相对于吸附保持部21相对升降。
下表面洗净装置50包含下表面刷51、2个液体喷嘴52、气体喷出部53、升降支撑部54、移动支撑部55、下表面刷旋转驱动部55a、下表面刷升降驱动部55b、下表面刷移动驱动部55c及气体升降驱动部55d。移动支撑部55设置为能在可动台座32上的一定区域内相对于下侧保持装置20在Y方向移动。如图2所示,在移动支撑部55上,能升降地设置着升降支撑部54。升降支撑部54具有在远离吸附保持部21的方向(本例中为后方)上朝斜下方倾斜的上表面54u。
如图1所示,下表面刷51在俯视下具有圆形的外形,且在本实施方式中形成为相对较大型。具体而言,下表面刷51的直径比吸附保持部21的吸附面的直径大,例如为吸附保持部21的吸附面的直径的1.3倍。另外,下表面刷51的直径比衬底W的直径的1/3大且比1/2小。另外,衬底W的直径例如为300mm。
下表面刷51具有能与衬底W的下表面接触的洗净面。另外,下表面刷51以洗净面朝向上方的方式且以洗净面能绕通过所述洗净面的中心在上下方向延伸的轴旋转的方式,安装于升降支撑部54的上表面54u。
2个液体喷嘴52各自以位于下表面刷51附近且液体喷出口朝向上方的方式,安装于升降支撑部54的上表面54u上。在液体喷嘴52,连接着下表面洗净液供给部56(图3)。下表面洗净液供给部56对液体喷嘴52供给洗净液。液体喷嘴52在下表面刷51将衬底W洗净时,将从下表面洗净液供给部56供给的洗净液喷出到衬底W的下表面。在本实施方式中,使用纯水作为供给到液体喷嘴52的洗净液。
气体喷出部53为具有在一方向延伸的气体喷出口的狭缝状的气体喷射喷嘴。气体喷出部53以在俯视下位于下表面刷51与吸附保持部21之间且气体喷射口朝向上方的方式,安装于升降支撑部54的上表面54u。在气体喷出部53,连接着喷出气体供给部57(图3)。喷出气体供给部57对气体喷出部53供给气体。
在本实施方式中,使用氮气等惰性气体作为供给到气体喷出部53的气体。供给到气体喷出部53的气体可为干净干燥空气(CDA:Clean Dry Air)等其它气体。气体喷出部53在下表面刷51将衬底W洗净时及后述的衬底W的下表面干燥时,将从喷出气体供给部57供给的气体喷射到衬底W的下表面。所述情况下,在下表面刷51与吸附保持部21之间,形成在X方向延伸的带状气幕。
下表面刷旋转驱动部55a包含马达,在下表面刷51将衬底W的洗净时使下表面刷51旋转。下表面刷升降驱动部55b包含步进马达或气缸,使升降支撑部54相对于移动支撑部55升降。下表面刷移动驱动部55c包含马达,使移动支撑部55在可动台座32上在Y方向移动。此处,可动台座32中的下侧保持装置20的位置固定。因此,在下表面刷移动驱动部55c使移动支撑部55在Y方向移动时,移动支撑部55相对于下侧保持装置20相对移动。在以下说明中,将可动台座32上最接近下侧保持装置20时的下表面洗净装置50的位置称为接近位置,将可动台座32上距下侧保持装置20最远时的下表面洗净装置50的位置称为离开位置。气体升降驱动部55d包含步进马达或气缸,使气体喷出部53在升降支撑部54上升降。
在底面部2a的中央部,还设置着杯装置60。杯装置60包含杯61及杯驱动部62。杯61设置为在俯视下包围下侧保持装置20及台座装置30且能升降。在图2中,以虚线表示杯61。杯驱动部62根据下表面刷51要对衬底W的下表面中的哪个部分进行洗净而使杯61在下杯位置与上杯位置之间移动。下杯位置为杯61的上端部位于比由吸附保持部21吸附保持的衬底W更下方的高度位置。另外,上杯位置为杯61的上端部位于比吸附保持部21更上方的高度位置。
在比杯61更上方的高度位置,以俯视下隔着台座装置30对向的方式设置着一对上侧保持装置10A、10B。上侧保持装置10A、10B具有基准位置10R。上侧保持装置10A、10B以衬底W的中心位于基准位置10R的方式保持衬底W。具体而言,上侧保持装置10A包含下夹盘11A、上夹盘12A、下夹盘驱动部13A及上夹盘驱动部14A。上侧保持装置10B包含下夹盘11B、上夹盘12B、下夹盘驱动部13B及上夹盘驱动部14B。
下夹盘11A、11B相对于俯视下通过吸附保持部21的中心在Y方向(前后方向)延伸的铅直面对称配置,且设置为能在共通的水平面内在X方向移动。下夹盘11A、11B各自具有能从衬底W的下方支撑衬底W的下表面周缘部的2根支撑片。下夹盘驱动部13A、13B以下夹盘11A、11B互相接近的方式,或以下夹盘11A、11B互相远离的方式,使下夹盘11A、11B移动。
上夹盘12A、12B与下夹盘11A、11B同样,相对于俯视下通过吸附保持部21的中心在Y方向(前后方向)延伸的铅直面对称配置,且设置为能共通的水平面内在X方向移动。上夹盘12A、12B各自具有构成为能抵接于衬底W的外周端部的2个部分而保持衬底W的外周端部的2根保持片。上夹盘驱动部14A、14B以上夹盘12A、12B互相接近的方式,或以上夹盘12A、12B互相远离的方式,使上夹盘12A、12B移动。
如图1所示,在杯61的一侧,以俯视下位于上侧保持装置10B附近的方式,设置着上表面洗净装置70。上表面洗净装置70包含旋转支撑轴71、臂72、喷雾喷嘴73及上表面洗净驱动部74。
旋转支撑轴71在底面部2a上,以在上下方向延伸的方式且能升降能旋转地由上表面洗净驱动部74支撑。臂72如图2所示,设置为在比上侧保持装置10B更上方的位置,从旋转支撑轴71的上端部在水平方向延伸。在臂72的前端部,安装着喷雾喷嘴73。
在喷雾喷嘴73,连接上表面洗净流体供给部75(图3)。上表面洗净流体供给部75对喷雾喷嘴73供给洗净液及气体。在本实施方式中,使用纯水作为供给到喷雾喷嘴73的洗净液,使用氮气等惰性气体作为供给到喷雾喷嘴73的气体。喷雾喷嘴73在衬底W的上表面的洗净时,将从上表面洗净流体供给部75供给的洗净液与气体混合而产生混合流体,并将产生的混合流体喷射到下方。
上表面洗净驱动部74包含1个或多个脉冲马达及气缸等,使旋转支撑轴71升降,且使旋转支撑轴71旋转。根据所述构成,通过在由吸附保持部21吸附保持并旋转的衬底W的上表面上,使喷雾喷嘴73圆弧状移动,而将衬底W的上表面整体洗净。
如图1所示,在杯61的另一侧,以俯视下位于上侧保持装置10A附近的方式,设置着端部洗净装置80。端部洗净装置80包含旋转支撑轴81、臂82、斜面刷83及斜面刷驱动部84。
旋转支撑轴81在底面部2a上,以在上下方向延伸的方式且能升降能旋转地由斜面刷驱动部84支撑。臂82如图2所示,设置为在比上侧保持装置10A更上方的位置,从旋转支撑轴81的上端部在水平方向延伸。在臂82的前端部,以朝下方突出的方式且以能绕上下方向的轴旋转的方式设置着斜面刷83。
斜面刷83的上半部具有倒圆锥台形状且下半部具有圆锥台形状。根据所述斜面刷83,能在外周面的上下方向上的中央部分将衬底W的外周端部洗净。
斜面刷驱动部84包含1个或多个脉冲马达及气缸等,使旋转支撑轴81升降,且使旋转支撑轴81旋转。根据所述构成,通过使斜面刷83的外周面的中央部分接触于由吸附保持部21吸附保持并旋转的衬底W的外周端部,能将衬底W的外周端部整体洗净。
此处,斜面刷驱动部84还包含内置于臂82的马达。所述马达使设置于臂82的前端部的斜面刷83绕上下方向的轴旋转。因此,在衬底W的外周端部的洗净时,斜面刷83旋转,由此,衬底W的外周端部中的斜面刷83的洗净力提高。
图3为表示衬底洗净装置1的控制系统的构成的框图。图3的控制装置9包含CPU(Central Processing Unit:中央运算处理装置)、RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory:只读存储器)及存储装置。RAM作为CPU的作业区域使用。ROM存储系统程序。存储装置存储控制程序。
如图3所示,控制装置9作为功能部,包含夹盘控制部9A、吸附控制部9B、台座控制部9C、交接控制部9D、下表面洗净控制部9E、杯控制部9F、上表面洗净控制部9G、斜面洗净控制部9H及搬入搬出控制部9I。通过CPU在RAM上执行存储于存储装置的衬底洗净程序而实现控制装置9的功能部。控制装置9的功能部的一部分或全部可通过电子电路等硬件实现。
夹盘控制部9A为了接收搬入到衬底洗净装置1的衬底W,并在吸附保持部21的上方的位置加以保持,而控制下夹盘驱动部13A、13B及上夹盘驱动部14A、14B。吸附控制部9B为了由吸附保持部21吸附保持衬底W且使所吸附保持的衬底W旋转,而控制吸附保持驱动部22。
台座控制部9C为了使可动台座32相对于由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W移动,而控制台座驱动部33。交接控制部9D为了使衬底W在由上侧保持装置10A、10B保持的衬底W的高度位置、与由吸附保持部21保持的衬底W的高度位置之间移动,而控制销升降驱动部43。
下表面洗净控制部9E为了将衬底W的下表面洗净,而控制下表面刷旋转驱动部55a、下表面刷升降驱动部55b、下表面刷移动驱动部55c、气体升降驱动部55d、下表面洗净液供给部56及喷出气体供给部57。杯控制部9F为了以杯61接住洗净由吸附保持部21吸附保持的衬底W时从衬底W飞散的洗净液,而控制杯驱动部62。
上表面洗净控制部9G为了将由吸附保持部21吸附保持的衬底W的上表面洗净,而控制上表面洗净驱动部74及上表面洗净流体供给部75。斜面洗净控制部9H为了将由吸附保持部21吸附保持的衬底W的外周端部洗净,而控制斜面刷驱动部84。搬入搬出控制部9I为了在衬底洗净装置1的衬底W的搬入时及搬出时将单元壳体2的搬入搬出口2x开闭,而控制挡板驱动部92。
(2)衬底洗净装置的概略动作
图4~图15为用来说明图1的衬底洗净装置1的概略动作的示意图。在图4~图15各图中,在上段表示衬底洗净装置1的俯视图。另外,在中段表示沿Y方向观察的下侧保持装置20及其周边部的侧视图,在下段表示沿X方向观察的下侧保持装置20及其周边部的侧视图。中段的侧视图与图1的A-A线侧视图对应,下段的侧视图与图1的B-B线侧视图对应。另外,为容易理解衬底洗净装置1中的各构成要件的形状及动作状态,在上段的俯视图与中段及下段的侧视图之间,一部分构成要件的缩放率不同。另外,在图4~图15中,以两点划线表示杯61,且以较粗的一点划线表示衬底W的外形。
在对衬底洗净装置1搬入衬底W之前的初始状态下,开闭装置90的挡板91将搬入搬出口2x闭合。另外,如图1所示,下夹盘11A、11B维持彼此的距离充分大于衬底W的直径的状态。另外,上夹盘12A、12B也维持彼此的距离充分大于衬底W的直径的状态。另外,台座装置30的可动台座32配置为在俯视下吸附保持部21的中心位于杯61的中心。在可动台座32上,下表面洗净装置50配置于接近位置。下表面洗净装置50的升降支撑部54中,下表面刷51的洗净面(上端部)位于比吸附保持部21更下方的位置。
另外,在交接装置40中,多个支撑销41处于位于比吸附保持部21更下方的状态。此外,在杯装置60中,杯61位于下杯位置。在以下说明中,将俯视下的杯61的中心位置称为平面基准位置rp。另外,将俯视下吸附保持部21的中心位于平面基准位置rp时的底面部2a上的可动台座32的位置称为第1水平位置。
将衬底W搬入衬底洗净装置1的单元壳体2内。具体而言,在即将搬入衬底W之前挡板91将搬入搬出口2x打开。之后,如图4中粗实线的箭头a1所示,未图示的衬底搬送机器人的手(衬底保持部)RH通过搬入搬出口2x,将衬底W搬入到单元壳体2内的大致中央位置。此时,由手RH保持的衬底W如图4所示,位于下夹盘11A及上夹盘12A与下夹盘11B与上夹盘12B之间。
接着,如图5中粗实线的箭头a2所示,下夹盘11A、11B以下夹盘11A、11B的多个支撑片位于衬底W的下表面周缘部的下方的方式互相接近。在所述状态下,手RH下降,从搬入搬出口2x退出。由此,由手RH保持的衬底W的下表面周缘部的多个部分由下夹盘11A、11B的多个支撑片支撑。在手RH退出后,挡板91将搬入搬出口2x闭合。
接着,如图6中粗实线的箭头a3所示,上夹盘12A、12B以上夹盘12A、12B的多个保持片抵接于衬底W的外周端部的方式互相接近。通过上夹盘12A、12B的多个保持片抵接于衬底W的外周端部的多个部分,由下夹盘11A、11B支撑的衬底W还由上夹盘12A、12B保持。
另外,如图6中粗实线的箭头a4所示,可动台座32以吸附保持部21从平面基准位置rp偏离特定距离且下表面刷51的中心位于平面基准位置rp的方式,从第1水平位置向前方移动。所述情况下,在俯视下,下表面刷51与上侧保持装置10A、10B的基准位置10R重叠。此时,将位于底面部2a上的可动台座32的位置称为第2水平位置。
接着,如图7中粗实线的箭头a5所示,升降支撑部54以下表面刷51的洗净面接触于衬底W的下表面中央区域的方式上升。另外,如图7中粗实线的箭头a6所示,下表面刷51绕中心轴51c旋转(自转)。由此,附着在衬底W的下表面中央区域的污染物质由下表面刷51物理剥离。
在图7的下段,在对话框内表示下表面刷51接触于衬底W的下表面的部分的放大侧视图。如所述对话框内所示,在下表面刷51接触于衬底W的状态下,液体喷嘴52及气体喷出部53保持于接近衬底W的下表面的位置。此时,液体喷嘴52如白色箭头a51所示,在下表面刷51附近的位置向衬底W的下表面喷出洗净液。由此,通过将从液体喷嘴52供给到衬底W的下表面的洗净液引导到下表面刷51与衬底W的接触部,而由洗净液冲洗由下表面刷51从衬底W的背面去除的污染物质。如此,在下表面洗净装置50中,液体喷嘴52与下表面刷51一起安装于升降支撑部54。由此,能效率良好地对下表面刷51的衬底W的下表面的洗净部分供给洗净液。因此,减少洗净液的消耗量且抑制洗净液的过度飞散。
此处,升降支撑部54的上表面54u在远离吸附保持部21的方向上朝斜下方倾斜。所述情况下,在包含污染物质的洗净液从衬底W的下表面下落到升降支撑部54上的情况下,将由上表面54u接住的洗净液向远离吸附保持部21的方向引导。
另外,在下表面刷51将衬底W的下表面中央区域洗净时,气体喷出部53的上端的高度只离开衬底W特定距离。将此时的气体喷出部53的上端的高度称为第1高度。气体喷出部53如图7的对话框内白色箭头a52所示,在下表面刷51与吸附保持部21之间的位置,从第1高度向衬底W的下表面喷射气体。
在本实施方式中,气体喷出部53以气体喷射口在X方向延伸的方式安装于升降支撑部54上。所述情况下,在从气体喷出部53向衬底W的下表面喷射气体时,在下表面刷51与吸附保持部21之间形成在X方向延伸的带状气幕。由此,防止在下表面刷51将衬底W的下表面洗净时,包含污染物质的洗净液向吸附保持部21飞散。因此,防止在下表面刷51将衬底W的下表面中央区域洗净时,包含污染物质的洗净液附着在吸附保持部21,而将吸附保持部21的吸附面保持清净。
另外,在图7的例中,气体喷出部53如白色箭头a52所示,从气体喷出部53朝向下表面刷51向斜上方喷射气体,但是本发明不限定于此。气体喷出部53也可以从气体喷出部53朝向衬底W的下表面沿Z方向的方式喷射气体。
此外,如图7中粗实线的箭头a53所示,在下表面刷51将衬底W的下表面中央区域洗净时,吸附保持部21在不保持衬底W的状态下旋转。此时的吸附保持部21的旋转速度例如为500rpm以上。所述情况下,在衬底W的下表面中央区域的洗净时,即便在飞散的包含污染物质的洗净液附着在吸附保持部21的情况下,也将洗净液从吸附保持部21甩掉。由此,将吸附保持部21的吸附面保持清净。
接着,在图7的状态下,当衬底W的下表面中央区域的洗净完成时,停止下表面刷51的旋转,升降支撑部54以下表面刷51的洗净面离开衬底W特定距离的方式下降。另外,停止从液体喷嘴52向衬底W喷出洗净液,停止吸附保持部21的旋转。另一方面,如图8所示,继续从气体喷出部53向衬底W喷射气体。
此时,如图8中粗实线的箭头a54所示,气体喷出部53通过图3的气体升降驱动部55d上升。由此,气体喷出部53的上端比衬底W的下表面中央区域的洗净时更接近衬底W的下表面。气体喷出部53的上端可位于比下表面刷51的洗净面更靠上方。将此时的气体喷出部53的上端的高度称为第2高度。所述情况下,通过气体喷出部53从比第1高度更接近衬底W的下表面的第2高度向衬底W喷出气体。所述情况下,由于衬底W的下表面与气体喷出部53的上端接近,所以衬底W的下表面被有效率地干燥。
之后,如图8中粗实线的箭头a7所示,可动台座32以吸附保持部21位于平面基准位置rp的方式,向后方移动。也就是说,可动台座32从第2水平位置移动到第1水平位置。所述情况下,在俯视下,吸附保持部21与上侧保持装置10A、10B的基准位置10R重叠。此时,通过继续从气体喷出部53对衬底W喷射气体,通过气幕依序将衬底W的下表面中央区域干燥。
接着,如图9中粗实线的箭头a8所示,升降支撑部54以下表面刷51的洗净面位于比吸附保持部21的吸附面(上端部)更下方的方式下降。另外,如图9中粗实线的箭头a9所示,上夹盘12A、12B以上夹盘12A、12B的多个保持片离开衬底W的外周端部的方式互相远离。此时,衬底W成为由下夹盘11A、11B支撑的状态。
之后,如图9中粗实线的箭头a10所示,销连结部件42以多个支撑销41的上端部位于比下夹盘11A、11B略上方的方式上升。由此,由下夹盘11A、11B支撑的衬底W由多个支撑销41接收。
接着,如图10中粗实线的箭头a11所示,下夹盘11A、11B互相远离。此时,下夹盘11A、11B移动到俯视下不与由多个支撑销41支撑的衬底W重叠的位置。由此,上侧保持装置10A、10B都返回到初始状态。
接着,如图11中粗实线的箭头a12所示,销连结部件42以多个支撑销41的上端部位于比吸附保持部21更下方的方式下降。由此,支撑于多个支撑销41上的衬底W由吸附保持部21接收。在所述状态下,吸附保持部21吸附保持衬底W的下表面中央区域。与销连结部件42的下降同时或在销连结部件42的下降完成后,如图11中粗实线的箭头a13所示,杯61从下杯位置上升到上杯位置。
接着,如图12中粗实线的箭头a14所示,吸附保持部21绕上下方向的轴(吸附保持驱动部22的旋转轴的轴心)旋转。由此,吸附保持于吸附保持部21的衬底W以水平姿势旋转。
接着,上表面洗净装置70的旋转支撑轴71旋转并下降。由此,如图12中粗实线的箭头a15所示,喷雾喷嘴73移动到衬底W的上方位置,并以喷雾喷嘴73与衬底W之间的距离成为预设距离的方式下降。在所述状态下,喷雾喷嘴73对衬底W的上表面喷射洗净液与气体的混合流体。另外,旋转支撑轴71旋转。由此,如图12中粗实线的箭头a16所示,喷雾喷嘴73在旋转的衬底W的上方位置移动。通过对衬底W的上表面整体喷射混合流体,而将衬底W的上表面整体洗净。
另外,在喷雾喷嘴73将衬底W的上表面洗净时,端部洗净装置80的旋转支撑轴81也旋转并下降。由此,如图12中粗实线的箭头a17所示,斜面刷83移动到衬底W的外周端部的上方位置。另外,以斜面刷83的外周面的中央部分接触于衬底W的外周端部的方式下降。在所述状态下,斜面刷83绕上下方向的轴旋转(自转)。由此,附着在衬底W的外周端部的污染物质由斜面刷83物理剥离。从衬底W的外周端部剥离的污染物质由从喷雾喷嘴73喷射到衬底W的混合流体的洗净液冲洗。
此外,在喷雾喷嘴73将衬底W的上表面洗净时,升降支撑部54以下表面刷51的洗净面接触于衬底W的下表面外侧区域的方式上升。另外,如图12中粗实线的箭头a18所示,下表面刷51绕中心轴51c旋转(自转)。此外,液体喷嘴52向衬底W的下表面喷出洗净液,气体喷出部53向衬底W的下表面喷射气体。由此,能由下表面刷51将由吸附保持部21吸附保持并旋转的衬底W的下表面外侧区域遍及整体而洗净。
另外,在下表面刷51并非相对大型的情况下,如图12中粗实线的箭头a19所示,移动支撑部55也可在可动台座32上在接近位置与离开位置之间进行进退动作。即便在所述情况下,也能由下表面刷51将由吸附保持部21吸附保持并旋转的衬底W的下表面外侧区域遍及整体而洗净。
接着,当衬底W的上表面、外周端部及下表面外侧区域的洗净完成时,停止从喷雾喷嘴73向衬底W喷射混合流体。另外,如图13中粗实线的箭头a20所示,喷雾喷嘴73移动到杯61的一侧的位置(初始状态的位置)。另外,如图13中粗实线的箭头a21所示,斜面刷83移动到杯61的另一侧的位置(初始状态的位置)。此外,停止下表面刷51的旋转,升降支撑部54以下表面刷51的洗净面离开衬底W特定距离的方式下降。另外,停止从液体喷嘴52向衬底W喷出洗净液、及从气体喷出部53向衬底W喷射气体。在所述状态下,吸附保持部21高速旋转,由此甩掉附着在衬底W的洗净液,而将衬底W的整体干燥。
接着,如图14中粗实线的箭头a22所示,杯61从上杯位置下降到下杯位置。另外,为将新的衬底W搬入到单元壳体2内做准备,如图14中粗实线的箭头a23所示,下夹盘11A、11B互相接近到能支撑新的衬底W的位置为止。
最后,从衬底洗净装置1的单元壳体2内搬出衬底W。具体而言,在即将搬出衬底W之前挡板91将搬入搬出口2x打开。之后,如图15中粗实线的箭头a24所示,未图示的衬底搬送机器人的手(衬底保持部)RH通过搬入搬出口2x进入单元壳体2内。接着,手RH接收吸附保持部21上的衬底W,从搬入搬出口2x退出。在手RH退出后,挡板91将搬入搬出口2x闭合。
(3)衬底洗净处理
图16及图17为表示图3的控制装置9的衬底洗净处理的流程图。图16及图17的衬底洗净处理通过控制装置9的CPU在RAM上执行存储于存储装置的衬底洗净程序而进行。以下,与图16及图17的流程图一起,使用图3的控制装置9及图4~图15的衬底洗净装置1说明衬底洗净处理。
首先,通过搬入搬出控制部9I控制挡板驱动部92,而将衬底W搬入单元壳体2内(图4、图5及步骤S1)。接着,通过夹盘控制部9A控制下夹盘驱动部13A、13B及上夹盘驱动部14A、14B,而由上侧保持装置10A、10B保持衬底W(图5、图6及步骤S2)。
接着,通过台座控制部9C控制台座驱动部33,而使可动台座32从第1水平位置移动到第2水平位置(图6及步骤S3)。之后,通过吸附控制部9B控制吸附保持驱动部22,而使吸附保持部21在吸附保持部21不保持衬底W的状态下,绕吸附保持驱动部22的旋转轴的轴心旋转(图7及步骤S4)。
另外,通过下表面洗净控制部9E控制下表面刷旋转驱动部55a、下表面刷升降驱动部55b、下表面刷移动驱动部55c、下表面洗净液供给部56及喷出气体供给部57,而将衬底W的下表面中央区域整体洗净(图7及步骤S5)。此时,气体喷出部53的上端位于第1高度。
接着,通过下表面洗净控制部9E控制气体升降驱动部55d,而使气体喷出部53上升(图8及步骤S6)。所述情况下,气体喷出部53的上端位于第2高度。另外,通过下表面洗净控制部9E控制喷出气体供给部57,而使衬底W干燥(图8及步骤S7)。此外,通过台座控制部9C控制台座驱动部33,而使可动台座32从第2水平位置移动到第1水平位置(图8及步骤S8)。在本例中,步骤S7、S8大致同时执行。由此,将衬底W的下表面中央区域依序干燥。
接着,夹盘控制部9A控制下夹盘驱动部13A、13B及上夹盘驱动部14A、14B,且交接控制部9D控制销升降驱动部43,由此将衬底W从上侧保持装置10A、10B交接到下侧保持装置20(图8~图11及步骤S9)。在所述状态下,通过吸附控制部9B以吸附衬底W的下表面中央区域的方式控制吸附保持驱动部22,而由下侧保持装置20保持衬底W(图11及步骤S10)。
之后,通过上表面洗净控制部9G控制上表面洗净驱动部74及上表面洗净流体供给部75,而将衬底W的上表面整体洗净(图12及步骤S11)。另外,通过斜面洗净控制部9H控制斜面刷驱动部84,而将衬底W的外周端部洗净(图12及步骤S12)。此外,通过下表面洗净控制部9E控制下表面刷旋转驱动部55a、下表面刷升降驱动部55b、下表面刷移动驱动部55c、下表面洗净液供给部56及喷出气体供给部57,而将衬底W的下表面外侧区域整体洗净(图12及步骤S13)。
步骤S11~S13大致同时执行。在步骤S11~S13的执行时,通过吸附控制部9B控制吸附保持驱动部22,而使衬底W绕吸附保持驱动部22的旋转轴的轴心旋转。另外,通过杯控制部9F控制杯驱动部62,而使杯61从下杯位置上升到上杯位置。
在洗净结束后,通过吸附控制部9B控制吸附保持驱动部22使吸附保持部21高速旋转,而使衬底W整体干燥(图13及步骤S14)。在干燥后,上侧保持装置10A、10B及杯61等返回到初始状态(图14)。最后,通过搬入搬出控制部9I控制挡板驱动部92,而从单元壳体2内搬出衬底W(图15及步骤S15),结束衬底洗净处理。
(4)效果
在本实施方式的衬底洗净装置1中,在衬底W的下表面中央区域的洗净时,通过上侧保持装置10A、10B以衬底W的中心位于基准位置10R的方式保持所述衬底W。在所述状态下,下表面刷51接触于衬底W的下表面中央区域。此时,在不保持衬底W的状态下使吸附保持部21绕铅直轴旋转。另外,通过配置在下表面刷51与吸附保持部21之间的气体喷出部53从只离开衬底W特定距离的第1高度向衬底W喷出气体。
在衬底W的下表面中央区域的干燥时,通过气体喷出部53从比第1高度更接近衬底W的第2高度向衬底W喷出气体。在衬底W的下表面外侧区域的洗净时,在通过吸附保持部21保持衬底W的下表面中央区域,且使所述衬底W绕铅直轴旋转的状态下,下表面刷51接触于衬底W的下表面外侧区域。通过可动台座32移动到第1水平位置,能在上侧保持装置10A、10B与吸附保持部21之间容易地交接衬底W。
根据所述构成,通过在下表面中央区域的洗净时,可动台座32移动到第2水平位置,吸附保持部21退避到不与衬底W重叠的位置。另外,通过气体喷出部53在下表面刷51与吸附保持部21之间形成气幕。所述情况下,防止包含污染物质的洗净液从衬底W向吸附保持部21飞散。另外,在下表面中央区域的干燥时,由于在衬底W的下表面与气体喷出部53接近的状态下,从气体喷出部53向衬底W的下表面喷出气体,所以下表面中央区域被有效率地干燥。因此,防止洗净液附着在吸附保持部21。
即便在从衬底W飞散的包含污染物质的洗净液附着在吸附保持部21的情况下,也通过吸附保持部21的旋转将洗净液从吸附保持部21甩掉。由此,能将吸附保持部21维持为清净。此处,在吸附保持部21的旋转速度为500rpm以上的情况下,能以短时间甩掉附着在吸附保持部21的洗净液。
下表面刷51与气体喷出部53由共通的升降支撑部54支撑。所述情况下,一体进行与衬底W的位置相应的下表面刷51及气体喷出部53的移动。因此,能有效率地将衬底W的下表面洗净。另外,由于气体喷出部53设置为能上下移动,所以即便在通过共通的升降支撑部54支撑下表面刷51与气体喷出部53的情况下,也能在衬底W的下表面中央区域的干燥时,使气体喷出部53比衬底W的下表面中央区域的洗净时更接近衬底W。由此,能有效率地使衬底W的下表面干燥。
(5)其它实施方式
(a)在所述实施方式中,在衬底W的下表面中央区域的洗净时,在不保持衬底W的状态下使吸附保持部21旋转。另外,在衬底W的下表面中央区域的洗净时与干燥时,通过气体喷出部53从不同的高度向衬底W喷出气体。然而,实施方式不限定于此。只要进行所述2个动作中的任一个,那么也可不进行另一个。
具体而言,于在下表面中央区域的洗净时,在不保持衬底W的状态下使吸附保持部21旋转的情况下,气体喷出部53也可不在下表面中央区域的洗净时与干燥时升降。或者,衬底洗净装置1也可不包含气体喷出部53。另一方面,在气体喷出部53在下表面中央区域的洗净时与干燥时升降的情况下,在下表面中央区域的洗净时在不保持衬底W的状态下也可不使吸附保持部21旋转。
(b)在所述实施方式中,也可使用未图示的刷子或喷雾器进行下表面刷51的洗净。喷雾器可为供给液体与气体的2流体喷雾器。另外,在下表面刷51的洗净中,也可利用气体喷出部53进行气体的喷出。所述情况下,防止包含污染物质的液体从下表面刷51向吸附保持部21飞散。
或者,在下表面刷51的洗净中,也可在不保持衬底W的状态下使吸附保持部21旋转。所述情况下,即便在从下表面刷51飞散的包含污染物质的液体附着在吸附保持部21的情况下,也通过吸附保持部21的旋转将液体从吸附保持部21甩掉。由此,能将吸附保持部21维持为清净。
(c)在所述实施方式中,于在上侧保持装置10A、10B中将衬底W的下表面中央区域洗净后,在下侧保持装置20中将衬底W的下表面外侧区域洗净,但是实施方式不限定于此。也可于在下侧保持装置20中将衬底W的下表面外侧区域洗净后,在上侧保持装置10A、10B中将衬底W的下表面中央区域洗净。
(d)在所述实施方式中,下表面刷51与气体喷出部53由共通的升降支撑部54支撑,但是实施方式不限定于此。下表面刷51与气体喷出部53也可由单独的支撑部支撑。另外,吸附保持部21、下表面刷51及气体喷出部53设置于可动台座32,但是实施方式不限定于此。吸附保持部21、下表面刷51及气体喷出部53也可不设置于可动台座32。
(e)在所述实施方式中,可动台座32在水平面内直线状移动,但是实施方式不限定于此。可动台座32也可在水平面内曲线状移动。
(f)在所述实施方式中,衬底洗净装置1包含用来在上侧保持装置10A、10B与下侧保持装置20之间交接衬底W的交接装置40,但是实施方式不限定于此。在上侧保持装置10A、10B与下侧保持装置20构成为能直接交接衬底W的情况下,衬底洗净装置1也可不包含交接装置40。
(g)在所述实施方式中,将衬底W的上表面及外周端部洗净,但是实施方式不限定于此。衬底W的上表面也可不洗净。所述情况下,衬底洗净装置1不包含上表面洗净装置70。同样地,衬底W的外周端部也可不洗净。所述情况下,衬底洗净装置1不包含端部洗净装置80。
(h)在所述实施方式中,衬底洗净装置1包含控制装置9,但是实施方式不限定于此。在衬底洗净装置1构成为能由外部的信息处理装置控制的情况下,衬底洗净装置1也可不包含控制装置9。
(6)权利要求的各构成要件与实施方式的各部的对应关系
以下,对权利要求的各构成要件与实施方式的各要件的对应例进行说明,但是本发明不限定于下述例。作为权利要求的各构成要件,也可使用具有权利要求所记载的构成或功能的其它各种要件。
在所述实施方式中,基准位置10R为基准位置的例,衬底W为衬底的例,上侧保持装置10A、10B及吸附保持部21分别为第1及第2保持部的例,下表面刷51为洗净工具的例。可动台座32为可动台座的例,衬底洗净装置1为衬底洗净装置的例,线性导轨31为线性导轨的例,气体喷出部53为气体喷出部的例,升降支撑部54为支撑部的例。

Claims (14)

1.一种衬底洗净装置,具备:
第1保持部,具有基准位置,以衬底的中心位于所述基准位置的方式保持所述衬底;
第2保持部,构成为能绕铅直轴旋转,保持所述衬底的下表面中央区域;
洗净工具,通过接触于由所述第1保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域来将所述下表面中央区域洗净,且通过接触于由所述第2保持部旋转的所述衬底的包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域来将所述下表面外侧区域洗净;及
可动台座,设置着所述第2保持部及所述洗净工具,以于所述衬底在所述第1保持部与所述第2保持部之间交接时,在俯视下,所述第2保持部与所述第1保持部的所述基准位置重叠,且在所述下表面中央区域的洗净时,在所述俯视下,所述洗净工具与所述第1保持部的所述基准位置重叠的方式,在水平面内移动;且
所述第2保持部在所述下表面中央区域的洗净时,在不保持所述衬底的状态下旋转。
2.根据权利要求1所述的衬底洗净装置,其中还具备:气体喷出部,配置在所述洗净工具与所述第2保持部之间,向所述衬底喷出气体。
3.根据权利要求1或2所述的衬底洗净装置,其中还具备:线性导轨,在所述水平面内在一方向延伸;且
所述可动台座沿所述线性导轨直线状移动。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底洗净装置,其中所述下表面中央区域的洗净时的所述第2保持部的旋转速度为500rpm以上。
5.一种衬底洗净装置,具备:
第1保持部,保持衬底;
第2保持部,保持所述衬底的下表面中央区域且使所述衬底绕铅直轴旋转;
洗净工具,通过接触于由所述第1保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域来将所述下表面中央区域洗净,且通过接触于由所述第2保持部旋转的所述衬底的包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域来将所述下表面外侧区域洗净;及
气体喷出部,在所述洗净工具与所述第2保持部之间能上下移动地配置,在所述下表面中央区域的洗净时,从只离开所述衬底特定距离的第1高度向所述衬底喷出气体,且在所述下表面中央区域的干燥时,从比所述第1高度更接近所述衬底的第2高度向所述衬底喷出气体。
6.根据权利要求5所述的衬底洗净装置,其中所述第2保持部在所述下表面中央区域的洗净时,在不保持所述衬底的状态下旋转。
7.根据权利要求5或6所述的衬底洗净装置,其中还具备:共通的支撑部,支撑所述洗净工具与所述气体喷出部。
8.一种衬底洗净方法,包含:
在衬底的下表面中央区域的洗净时,通过第1保持部以所述衬底的中心位于基准位置的方式保持所述衬底;
在所述下表面中央区域的洗净时,在不保持所述衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转;
在所述下表面中央区域的洗净时,使洗净工具接触于由所述第1保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域;
在所述衬底的包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域的洗净时,通过所述第2保持部保持所述衬底的所述下表面中央区域,且使所述衬底绕铅直轴旋转;
在所述下表面外侧区域的洗净时,使所述洗净工具接触于由所述第2保持部旋转的所述衬底的所述下表面外侧区域;及
以于所述衬底在所述第1保持部与所述第2保持部之间交接时,在俯视下,所述第2保持部与所述第1保持部的所述基准位置重叠,且在所述下表面中央区域的洗净时,在所述俯视下,所述洗净工具与所述第1保持部的所述基准位置重叠的方式,使设置着所述第2保持部及所述洗净工具的可动台座在水平面内移动。
9.根据权利要求8所述的衬底洗净方法,其中还包含:通过配置在所述洗净工具与所述第2保持部之间的气体喷出部向所述衬底喷出气体。
10.根据权利要求8或9所述的衬底洗净方法,其中使所述可动台座在水平面内移动包含使所述可动台座在所述水平面内沿着在一方向延伸的线性导轨直线状移动。
11.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的衬底洗净方法,其中在不保持所述衬底的状态下使第2保持部绕铅直轴旋转包含以500rpm以上的旋转速度使所述第2保持部旋转。
12.一种衬底洗净方法,包含:
在衬底的下表面中央区域的洗净时,通过第1保持部保持所述衬底;
在所述下表面中央区域的洗净时,使洗净工具接触于由所述第1保持部保持的所述衬底的所述下表面中央区域;
在所述衬底的包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域的洗净时,通过第2保持部保持所述衬底的所述下表面中央区域且使所述衬底绕铅直轴旋转;
在所述下表面外侧区域的洗净时,使所述洗净工具接触于由所述第2保持部旋转的所述衬底的所述下表面外侧区域;及
在所述下表面中央区域的洗净时,通过配置在所述洗净工具与所述第2保持部之间的气体喷出部从只离开所述衬底特定距离的第1高度向所述衬底喷出气体,且在所述下表面中央区域的干燥时,通过所述气体喷出部从比所述第1高度更接近所述衬底的第2高度向所述衬底喷出气体。
13.根据权利要求12所述的衬底洗净方法,其中还包含:在所述下表面中央区域的洗净时,在不保持所述衬底的状态下使所述第2保持部绕铅直轴旋转。
14.根据权利要求12或13所述的衬底洗净方法,其中所述洗净工具与所述气体喷出部由共通的支撑部支撑。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102646598B1 (ko) * 2019-05-20 2024-03-14 주식회사 제우스 기판세정장치
JP2021052166A (ja) * 2019-09-17 2021-04-01 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法

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