CN114200702A - 电子装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 187
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 84
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 64
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 26
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 31
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 27
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
提供一种电子装置，其包含第一基板、第二基板、以及阻挡件。所述第二基板与所述第一基板相对设置。所述第二基板具有沿切割方向延伸的切割边缘。所述阻挡件设置于所述第一基板与所述第二基板之间。所述阻挡件沿所述切割方向延伸且与所述切割边缘对应设置。
Description
技术领域
本发明是关于一种电子装置，特别是关于其内设置有阻挡件的电子装置。
背景技术
近年来，具有良好弯曲性质的可挠性(flexible)基板广泛地应用于各种电子装置中，以顺应用户的需求。其中，无论是将晶圆分割为独立硅芯片、或是移除设置于薄膜材料上的具有特定图案的材料，都需要使用切割制程来完成。
一般而言，切割制程主要分为机械切割制程与激光切割制程的两大类制程。但是机械切割制程经常受限于切割速度较慢，且容易产生切削力，导致待切割物受到破坏的限制。此外，随着基板厚度逐渐薄化，切割时造成的裂纹急遽增多。因此，目前发展出能够更精确控制切割制程良率的激光切割制程。
然而，虽然激光切割制程相较于机械切割制程能够被更加轻易地操作，激光切割制程仍然存在容易因为激光功率过高，而导致待切割物在切割边缘处受到热损伤、激光功率难以良好调控、非切割区域遭到激光束破坏等问题。所以，经过激光切割制程后的电子装置中可能会包含受到热损害的区域，致使电子装置的整体可靠性下降。
是以，虽然现存的电子装置已逐步满足它们既定的用途，但它们仍未在各方面皆彻底的符合要求。因此，关于电子装置仍有一些问题需要克服。
发明内容
本发明借由进一步设置阻挡件以达到提升电子装置的可靠性及提升激光切割制程裕度的目的。
根据一些实施例，提供电子装置。电子装置包含第一基板、第二基板、以及阻挡件。第二基板与第一基板相对设置。第二基板具有沿切割方向延伸的切割边缘。阻挡件设置于第一基板与第二基板之间。阻挡件沿切割方向延伸且与切割边缘对应设置。
在本发明的一实施例中，所述阻挡件设置于所述第一基板上。
在本发明的一实施例中，所述封装层设置于所述阻挡件与所述第一基材之间。
在本发明的一实施例中，所述第二基板包含覆盖层及第二基材，其中所述第二基材设置于所述覆盖层与所述第一基板之间。
在本发明的一实施例中，其更包含封装胶，其中所述封装胶设置于所述第一基板与所述第二基板之间。
在本发明的一实施例中，所述阻挡件的至少一部分与所述封装胶重叠。
在本发明的一实施例中，所述阻挡件的设置于所述封装胶中。
在本发明的一实施例中，所述阻挡件包含第一子阻挡件及第二子阻挡件，所述第一子阻挡件设置于所述第一基板上，且所述第二子阻挡件设置于所述第二基板上。
在本发明的一实施例中，所述阻挡件的宽度为10μm～400μm。
在本发明的一实施例中，所述阻挡件的厚度为
本发明的电子装置可应用于包含可挠性基板的多种类型的电子装置，为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举出各种实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
借由以下的详述配合所附附图，我们能更加理解本发明实施例的观点。值得注意的是，根据工业上的标准惯例，一些部件(feature)可能没有按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，不同部件的尺寸可能被增加或减少。
图1是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的俯视示意图；
图2A～2C是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图；
图3A～3C是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图；
图4是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的俯视示意图；
图5是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图；
图6A～6C是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图；以及
图7是根据本发明的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图。
符号说明：
1,2：电子装置
10：第一基板
100：第一基材
101：牺牲层
110：金属层
120：绝缘层
130：封装层
200：封装胶
210：阻挡件
210A：第一子阻挡件
210B：第二子阻挡件
30：第二基板
300：第二基材
310：黑矩阵层
320：绝缘层
330：覆盖层
400：切割边缘
AA,BB：线段
D：距离
R1：接合区域
R2：区域
T：厚度
W：宽度
具体实施方式
以下揭露提供了很多不同的实施例或范例，用于实施所提供的电子装置的不同组件。各组件和其配置的具体范例描述如下，以简化本发明实施例。当然，该多个仅仅是范例，并非用以限定本发明。举例而言，叙述中若提及第一组件形成在第二组件之上，可能包含第一和第二组件直接接触的实施例，也可能包含额外的组件形成在第一和第二组件之间，使得它们不直接接触的实施例。此外，本发明实施例可能在不同的范例中重复组件符号及/或字母。如此重复是为了简明和清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例及/或形态之间的关系。本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、及其类似用语，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。
在本发明一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”、及其类似用语，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包含两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
另外，本说明书或权利要求书中提及的“第一”、“第二”、及其类似用语仅用以命名不同的组件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量上的上限或下限，也并非用以限定组件的制造顺序或设置顺序。
于文中，「约」或「实质上」等用语通常表示在一给定值或范围的20％内、或10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」或「实质上」的情况下，仍可隐含「约」或「实质上」的含义。
以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中，相似的组件符号被用来标明相似的组件。可以理解的是，在方法的前、中、后可以提供额外的操作，且一些叙述的操作可为了该方法的其他实施例被取代或删除。
在本文中，各个方向不限于直角坐标是的像是X轴、Y轴及Z轴的三个轴，且可以在更广泛的意义上进行解释。举例而言，X轴、Y轴及Z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。为使便于说明，在下文中，X轴方向为宽度方向，Y轴方向为长度方向，且Z轴方向为厚度方向。在下文中，激光切割的方向称为切割方向，因此被切割后的切割边缘沿着切割方向延伸。需特别说明的是，在本发明的一实施例中，切割方向是沿着Y轴方向延伸，然不限于此，切割方向可为X轴方向、Y轴方向、Z轴方向、其任意组合、或任何需被切割的方向。另须说明的是，为使便于理解，切割边缘的宽度被夸大示意。
在一些实施例中，本发明的电子装置可包含显示设备、天线装置、感测装置、发光装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折、可挠式或柔性电子装置。此处的“可挠式”是指电子装置(electronic device，ED)可以弯曲(curved)、弯折(bent)、折叠(folded)、卷曲(rolled)、挠曲(flexed)、拉伸(stretch)及/或其他类似的变形，以下以“挠曲”表示上述的变形。举例而言，电子装置可包含液晶(liquid crystal，LC)、发光二极管、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)，磷光(phosphor)，其他适合的显示介质，或上述材料的组合，但不限于此。举例而言，发光二极管可包含有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)或其他适合的材料，且其材料可任意排列组合，但不以此为限。显示设备可例如包含拼接显示设备，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包含天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统、或其类似系统的外围系统以支持显示设备、天线装置或拼接装置。
也就是说本发明的包含阻挡件的电子装置可应用于任何包含柔性基板的电子装置中，举例而言：诸如TFT-LCD的LCD、QLED、OLED、Micro-LED、及其类似装置，但不限制于此。在一些实施例中，本发明的包含阻挡件的电子装置可应用于任何需要进行激光切割的制程中，举例而言：应用于后端IC制造制程中、应用于移除设置于薄膜材料上的具有特定图案的材料的制程，但不限于此，本发明的阻挡件可在任意制程阶段中对应切割边缘来进行设置。
参照图1，其是根据本发明的一些实施例，电子装置的俯视示意图，也就是说沿着俯视方向(Z方向)观察。电子装置1可包含第一基板10、第二基板30、以及阻挡件210。第一基板10可为可挠性(flexible)基板，但不限于此。在一些实施例中，第一基板10之中可进一步设置有用以控制像素的晶体管(未图示)，例如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)数组。第一基板10与第二基板30可相对设置。在一些实施例中，第二基板30与第一基板10可对应设置。第二基板30可为可挠性(flexible)基板。在一些实施例中，可选择性的设置彩色滤光层于第二基板30之中或之上，举例而言，上述彩色滤光层可包含红色滤光单元、绿色滤光单元、蓝色滤光单元、其组合、或其它任何适合的彩色滤光单元。第一基板10及第二基板30可为透明或不透明，其材料可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、或其类似物的聚合物材料及/或粘着材料，但不以此为限，第一基板10也可包含薄玻璃或任何适合的材料。在另一些实施例中，彩色滤光层也可以设置于第一基板10上，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，阻挡件210可设置于第一基板10及第二基板30之间。阻挡件210可设置于第一基板10上、及/或第二基板30上。阻挡件210可以是单一或多个。
请继续参考图1，在本实施例中，切割方向为Y轴方向。第二基板30具有沿着切割方向延伸的切割边缘400，举例而言，切割边缘400可以是经过激光束切割后产生，换言之，切割边缘400可为激光切割道，或者可以是第二基板30经过激光束切割后所产生的边缘。阻挡件210可沿着切割方向与切割边缘400对应设置，也就是说，阻挡件210的至少一部分与切割边缘400重叠。
在一些实施例中，激光束的激光源可为气体激光源、固体激光源、半导体激光源、或其他合适的激光源。举例而言，激光源可为Ar+、红宝石、YAG(掺钕钇铝红宝石)、CO2激光源，但不限于此。
由于本发明的电子装置中设置有对应于切割边缘400设置的阻挡件210，因此当激光束沿着切割边缘400进行激光切割时，能够确保位于阻挡件210之下的非切割区域的完整性。
如图1所示，电子装置1可进一步包含封装胶200。在一些实施例中，封装胶200可不与阻挡件210重叠。具体而言，封装胶200可与阻挡件210相隔距离D。距离D可依据使用者的需求进行调整。在一实施例中，将封装胶200与阻挡件210相隔距离D是用于维持封装胶200的完整性。然而，在另一些实施例中，阻挡件210的至少一部分可与所述封装胶200重叠(显示于图5)，具体而言，封装胶200可与阻挡件210接触、或者阻挡件210的至少一部分可设置于所述封装胶200中(显示于图6A～6C)，在一些实施例中，阻挡件210埋设于封装胶200中，即沿着俯视方向(Z方向)观察，阻挡件210于第一基板10上的投影可以完全位于封装胶200于第一基板上10的投影之中，如图6C所示，但本发明不以此为限。于下将以不同实施例，对封装胶200与阻挡件210的对应设置位置进行说明。
需特别说明的是，如图1所示，第二基板30覆盖阻挡件210的一部分，且暴露阻挡件210的另一部分。因此，图1所示的电子装置1是为已经移除位于阻挡件210上方的第二基板30的一区域R2，且暴露部分的第一基板10，上述暴露出的部分的第一基板10可以为一接合区域R1。换句话说，图1所示的电子装置1是为经过激光束进行激光切割之后，移除可省略的区域，并保留能与其他组件接合的接合区域R1的俯视示意图。在下文中，会对于区域及接合区域R1进行进一步描述。
参照图2A～2C，其是根据本发明的的封装胶200不与阻挡件210重叠的实施例，绘示电子装置1的剖面示意图。图2A～2C为沿着图1的线段AA截取的剖面示意图。
如图2A所示，封装胶200可设置于第一基板10及第二基板30之间。封装胶200可用于封装液晶材料于本发明的电子装置中。在一些实施例中，上述液晶材料可包含向列型液晶(nematic)、层列型液晶(smectic)、胆固醇液晶(cholesteric)、蓝相液晶(Blue phase)或其它任何适合的液晶材料，但不限于此。
因此，本发明的电子装置可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。或者，此液晶显示器可为扭转向列(Twisted Nematic，TN)型液晶显示器、超扭转向列(SuperTwisted Nematic，STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(Double layer Super TwistedNematic，DSTN)型液晶显示器、垂直配向(Vertical Alignment，VA)型液晶显示器、多域垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)型液晶显示器、水平电场切换(In-PlaneSwitching，IPS)型液晶显示器、边缘电场切换(Fringe Field Switching，FFS)型液晶显示器、胆固醇型液晶显示器、蓝相型液晶显示器或其它任何适合的液晶显示器，但不限于此。
在一些实施例中，阻挡件210可包含金属材料。所述金属材料包含铝、铜、金、银、其合金、其任意组合、或其他合适的金属，但不限于此。在一些实施例中，阻挡件210对于激光束的反射率等于或大于80％。因此，阻挡件210包含的金属材料可为任何对于激光束的反射率等于或大于80％的金属材料。举例而言，等于或大于88％、或等于或大于95％。若阻挡件210对于激光束的反射率小于80％，则阻挡件210可能会因为难以有效地阻挡激光束的能量，或难以有效的反射激光束，导致设置于阻挡件210之下的非切割区域仍然存在被破坏的可能性。
在一些实施例中，非切割区域可为第一基板10的至少一部分或全部。在一些实施例中，非切割区域可包含第一基材100、金属层110、绝缘层120及/或位于阻挡件210之下的其他任何层别的至少一部分或全部。也就是说，非切割区域可为进行激光切割制程中任何不破坏及/或切割的区域。在一些实施例中，一部分的非切割区域可例如为接合区域R1，举例而言，外引脚接点(outer lead bonding)可设置在接合区域R1上，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，阻挡件210具有沿着X轴方向的宽度W。宽度W可为10μm～400μm(含)、或为10μm～200μm。因此能够降低电子装置遭受外部静电击伤的几率。在一些实施例中，切割边缘400为第二基板30的一个边缘。在一些实施例中，以剖面图观察时，阻挡件210的一端到切割边缘400的宽度与阻挡件210的另一端到切割边缘400的宽度可以为实质上相同，且约为5μm～200μm(含)，也就是说，第二基板30的切割边缘400的虚拟延伸线可将阻挡件210的宽度W均分，以使电子装置具有良好的激光切割制程裕度。然而，需特别说明的是，本发明是将阻挡件210是对应切割边缘400设置，也就是说，一旦切割边缘400的虚拟延伸线落入阻挡件210的宽度W的范围中，阻挡件210即能发挥保护位于于其下的非切割区域的功能。也就是说，阻挡件210的一端到切割边缘400的宽度与阻挡件210的另一端到切割边缘400的宽度可为实质上不相同。
在一些实施例中，阻挡件210具有沿着Z轴方向的厚度T。厚度T可为
(含)，或为
因此能够达到防止激光束的能量破坏阻挡件210之下的非切割区域的目的。若阻挡件210的厚度T小于
则阻挡件210可能会因为难以有效地阻挡激光束，导致设置于阻挡件210之下的非切割区域仍然存在被破坏的可能性。
由于本发明的电子装置中设置阻挡件210，因此当激光束沿着切割边缘400进行激光切割时，激光束的多余能量会被阻挡件210反射，进而减少因为激光能量过强而导致热损害非切割区域。同时，能够在提升切割第二基板30的激光功率下，确保位于第二基板30之下，也就是位于阻挡件210之下的非切割区域的完整性。因此，本发明的包含阻挡件的电子装置能够提供良好的激光切割制程裕度，所以具有优良的可靠性。
如图2A所示，电子装置可进一步包含设置于第一基板10之下的牺牲层101。牺牲层101可为刚性材料，以支撑设置于其上的第一基板10。牺牲层101可为玻璃、陶瓷、塑料、或其它任何适合的材料，但不限于此。在一些实施例中，牺牲层101可为玻璃。在一些实施例中，第一基板10包含接合区域R1。在一些实施例中，外引脚接点(outer lead bonding)可设置在第一基板10的接合区域R1上，借由外引脚接点将本发明的电子装置与外部布线电性连接。
第一基板10可进一步包含第一基材100、设置于第一基材100上的金属层110、以及设置于金属层110上的绝缘层120。一部分的金属层110可做为TFT数组。另一部分的金属层110可作为布线(wring)层，用于连接上述的TFT数组。在一些实施例中，金属层110可以单层或是多层结构。绝缘层120可用于使液晶材料的配向均匀、减少耦合电容、及/或降低设置于电子装置中的数据线的负担。绝缘层120可包含塑料、光阻、或其他合适的材料。例如，绝缘层120可包含丙烯酸酯(acrylate)材料、环氧丙烯酸酯(epoxy acrylate)材料、硅氧烷(siloxane)材料、或上述的组合。在一些实施例中，绝缘层120可以具有平坦化第一基板10表面的功能，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一基板10之上、之中或之下还可以设有其他膜层，换句话说第一基材100之上还可以设有其他膜层，但本发明不以此为限。
第二基板30可进一步包含第二基材300、设置于第二基材300上的黑矩阵(blackmatrix)层310、以及设置于黑矩阵层310上的绝缘(over coat)层320，即黑矩阵层310可以设置于绝缘层320与第二基材300之间。黑矩阵层310可用以定义电子装置的子像素或像素的区域。举例来说，黑矩阵层310设置于第二基板30的面对第一基板10的表面上，但不以此为限。黑矩阵层310可包含黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色树脂、或其它任何适合的黑矩阵材料，但不限于此。绝缘层320可包含诸如光感性树脂的有机绝缘材料、或者诸如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材料的组合的无机的绝缘材料，但不限于此。在一些实施例中，绝缘层320可具有保护设置于第二基材300与绝缘层320之间其他膜层的功能。在一些实施例中，第二基板30之上、之中或之下还可以设有其他膜层，换句话说第二基材300之上还可以设有其他膜层，但本发明不以此为限。在另一些实施例中,第二基板30可以不包括黑矩阵层310及/或绝缘层320，但本发明不以此为限。
如图2A所示，阻挡件210可设置于第二基板30面对第一基板10的表面上。举例而言，阻挡件210可以设置于绝缘层320上。绝缘层320可位于阻挡件210与黑矩阵层310之间。阻挡件210可邻近封装胶200设置。一部分的阻挡件210可设置于封装胶200与切割边缘400的延伸线之间。须说明的是，在第一基板10进一步包含第一基材100、金属层110、以及绝缘层120，且第二基板30进一步包含第二基材300、黑矩阵层310、以及绝缘层320的情况下，阻挡件210可设置于第一基板10及第二基板30之间，且设置于绝缘层120及绝缘层320之间。换句话说，在一些实施例中，若第一基板10中包含多层膜，也就是第一基材100上设置有其他单层或是多层膜时，阻挡件210设置于前述单层或多层膜的最外层及第二基板30之间；或者，若第二基板30中包含多层膜，也就是第二基材300上设置有其他单层或是多层膜时，阻挡件210设置于前述单层或多层膜的最外层及第一基板10之间；或者若第一基板10中包含多层膜，且第二基板20中包含多层膜，也就是第一基材100上设置有其他单层或是多层膜，且第二基材300上设置有其他单层或是多层膜时，阻挡件210设置于第一基材100上的单层或多层膜的最外层与第二基材300上的单层或多层膜的最外层之间。在一些实施例中，所述最外层为在对组贴合制程中最接近阻挡件210的层。在一些实施例中，所述最外层可为保护层、绝缘层、封装层、功能性层、及/或钝化层，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，切割边缘400从第二基材300延伸至绝缘层320，直至接触到阻挡件210即止，因此阻挡件210的设置位置可以控制激光切割制程中，激光束在Z轴方向上的延伸深度。是以，能够借由调整阻挡件210在电子装置中的设置位置，来轻易地控制激光切割制程的切割深度。
在此，描述形成电子装置、及电子装置进行激光切割制程的详细流程。须说明的是，为了简明说明本发明的概念，列举主要组件，因此对于所属技术领域中具有通常知识者而言，能够设置其他组件。
首先，提供牺牲层101，并将牺牲层101作为载板，并设置第一基板10于牺牲层101上。第一基板10可包含第一基材100及设置于第一基材100上的TFT数组、以及其他任何合适的部件。可依据需求依序设置金属层110及绝缘层120于第一基材100上。
另一方面，提供另一牺牲层(未图示)，并同样地将其作为载板，将第二基板30设置于上述另一牺牲层上。第二基板30可以包含第二基材300，也可依据需求依序设置黑矩阵层310及绝缘层320于第二基材300上。
然后，进一步设置阻挡件210于绝缘层320上，也就是将阻挡件210设置于第二基板30上。接着，借由封装胶200将第二基板30及第一基板10进行对组贴合制程，并灌注液晶材料于由第二基板30、第一基板10、及封装胶200所形成的空间中。也就是将第一基板10以及第二基板30进行对组贴合制程。其中，如图2A所示，进行对组贴合制程的贴合方向为将绝缘层320远离第二基材300的表面与绝缘层120远离第一基材100的表面彼此面对贴合，使得阻挡件210设置于绝缘层320与绝缘层120之间。之后移除第二基板30上的牺牲层(未绘示)。在一些实施例中，在移除第二基板30上的牺牲层之后，可选择性地进一步设置偏光板(Polarizer)于第二基板30上。
接续进行激光切割制程，以获得所需的电子装置。施加激光束于切割边缘400上，使激光束穿过位于阻挡件210上的第二基材300、黑矩阵层310、以及绝缘层320，以切割第二基材300、黑矩阵层310、以及绝缘层320，然而当激光束打至阻挡件210时，激光束受到阻碍而无法继续切割，因此阻挡件能够优良地保护位于阻挡件210之下所有部件。本发明的激光切割制程例如可为激光半切(half-cut)制程，但本发明不以此为限。
接着，移除区域R2，露出一部分的第一基板10，露出的前述部分的第一基板10为接合区域R1，接合区域R1可包含设置于其上的外引脚接点(outer lead bonding)。在一些实施例中，借由设置阻挡件210，在进行激光切割制程时，降低激光束的能量，或反射激光束的一部分，避免激光束破坏非切割区域，进而提升进行激光切割制程的裕度。同时，精准地控制切割边缘400的位置，因此还能够有效减少区域R2的于X方向上的尺寸，使得电子装置容置液晶材料的尺寸增加，而获得更大的有效区域。另外，还能够减少对应的接合区域R1的尺寸，缩小边框区域的尺寸。
在一些实施例中，阻挡件210不但能作为阻挡激光束的部件，阻挡件210还能够与其他部件电性连接及/或作为散热件。举例而言，阻挡件210还能够作为金属件来进行信号的传输，或者阻挡件210还能够提升电子装置的散热性能。
在一些实施例中，当进行激光切割制程之后，可移除牺牲层101。移除牺牲层101的方式可包含激光移除，但不限于此。
在其他实施例中，可改变阻挡件210设置的位置及数量。如图2B所示，阻挡件210可设置于绝缘层120上，且绝缘层120可位于阻挡件210与金属层110之间。在此情况中，第二基板30及第一基板10分别制造完成后，再将阻挡件210设置于第一基板10上，接着将第二基板30及第一基板10进行对组贴合制程。
如图2C所示，阻挡件210可包含第一子阻挡件210A与第二子阻挡件210B。第一子阻挡件210A设置于绝缘层120上，且绝缘层120可位于第一子阻挡件210A与金属层110之间。第二子阻挡件210B可设置于绝缘层320上，且绝缘层320可位于第二子阻挡件210B与黑矩阵层310之间。相较于第二子阻挡件210B，第一子阻挡件210A可更邻近于第一基板10设置。在此情况中，第二基板30及第一基板10分别制造完成后，再将第一子阻挡件210A与第二子阻挡件210B分别设置于第一基板10及第二基板30上，接着将第一基板10及第二基板30进行对组贴合制程。须说明的是，虽然在提供单一个阻挡件210的情况下，即本发明的包含阻挡件的电子装置即具有阻挡激光束破坏部件的作用。然而，可进一步设置多个阻挡件210来进一步提升电子装置的可靠性及激光切割制程的裕度。
参照图3A～3C，其所示的实施例是在电子装置中进一步设置覆盖层330的实施例。第二基板30可以进一步包含覆盖层330设置于第二基材300上。详细而言，第二基材300设置于覆盖层330与第一基板10之间。覆盖层330可为偏光板，以过滤电子装置中发出的光，使其转换为偏极光。偏光板可包含聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、三醋酸纤维素(Triacetate Cellulose film，TAC)、或其他任何适合的偏光材料。
如图3A所示，阻挡件210可设置于对应第一基板10的第二基板30上。在一些实施例中，阻挡件210可设置于绝缘层320远离第二基材300的表面上。在一些实施例中，阻挡件210可相邻于封装胶200，且阻挡件210与封装胶200相距有一距离。如图3B所示，阻挡件210可设置于对应第二基板30的第一基板10上。在一些实施例中，阻挡件210可设置于绝缘层120远离第一基材100的表面上。在一些实施例中，阻挡件210可相邻于封装胶200，且阻挡件210与封装胶200相距有一距离。如图3C所示，阻挡件210可同时设置于第一基板10及第二基板30上，换句话说，阻挡件210可提供为多个。在一些实施例中，阻挡件210可包含第一子阻挡件210A及第二子阻挡件210B。第一子阻挡件210A可设置于绝缘层120远离第一基材100的表面上；第二子阻挡件210B可设置于绝缘层320远离第二基材300的表面上；且第一子阻挡件210A及第二子阻挡件210B可对应设置。
参照图4，其是根据本发明的的封装胶200与阻挡件210重叠的实施例，绘示电子装置2的俯视示意图。如图4所示，沿俯视方向(Z方向)观察，阻挡件210的至少一部分与封装胶200重叠。为了减少封装胶200的在电子装置中的尺寸而实现小尺寸电子装置，可将封装胶200与阻挡件210重叠设置。
参照图5，其为沿着图4的线段BB截取的剖面示意图。如图5所示，封装胶200与阻挡件210的一部分重叠，然而封装胶200与阻挡件210的重叠部分不与切割边缘400重叠，因此在进行激光切割时，并不会切割到封装胶210。此情况中，第二基板30及第一基板10分别制造完成后，再将阻挡件210设置于第二基板30上，接着在将第一基板10及第二基板30进行对组贴合制程中，将封装胶200设置为重叠于阻挡件210的一部分。
参照图6A～6C，其是根据本发明的的封装胶200中设置有阻挡件210的实施例，绘示电子装置的剖面示意图。图6A～6C所示的实施例是在电子装置的封装胶200中设置有阻挡件210的实施例。阻挡件210可包埋于封装胶200中。需特别说明的是，如图6B所示，在激光切割制程后，封装胶200的一部分被切割，使得待移除的区域R2包含一部分的封装胶200，然而剩余的封装胶200仍足以有效地封装液晶材料于其内。
参照图7，其是根据本发明的另一些实施例的电子装置的剖面示意图。与前述内容相同或相似的内容于此不再加以赘述。在本实施例中，第一基板10可设置于牺牲层101上。第一基板10可为可挠性基板且可包含第一基材100。第一基材100可包含丙烯酸类树脂(acryl based resin)、聚酰亚胺类树脂(polyimide based resin)、苯并环丁烯类树脂(benzocyclobutene based resin)、上述的组合、或其它任何适合的材料。在一些实施例中，第一基板10可为聚酰亚胺基板。第一基板10可包含TFT数组，且TFT数组上设置有机发光二极管(OLED)。在一些实施例中，第一基板10可进一步包含封装层130。封装层130可设置于第一基材100上，以封装上述有机发光二极管。封装层130的材料可包含介电或绝缘材料(例如氧化硅、氮化硅、氧化铝或其他适合的介电材料)的单层或多层结构。第二基板30可包含第二基材300。第二基材300可为光学透明胶(optically clear adhesive，OCA)层。在一些实施例中，第二基板30可进一步包含设置于第二基材300上的覆盖层300。覆盖层330可为偏光板。举例而言，上述偏光板可包含有机材料、或其它任何适合的偏光材料。阻挡件210可设置于第一基板10与第二基板30之间。在一些实施例中，阻挡件210可设置于封装层130上。封装层130设置于阻挡件210与第一基材100之间。因此，阻挡件210可避免激光束破坏位于阻挡件210之下的其他部件。
在一些实施例中，可选择性地进一步设置触控层(未图示)于封装层130上。在设置有触控层于封装层130上的情况中，可将阻挡件210设置于触控层上。换句话说，类似于前述各实施例，若第一基板10中包含多层膜，且第二基板30中包含多层膜，也就是第一基材100上设置有其他单层或是多层膜，且第二基材300上设置有其他单层或是多层膜时，阻挡件210设置于第一基材100上的单层或多层膜的最外层与第二基材300上的单层或多层膜的最外层之间。在一些实施例中，可借由激光切割移除对应于区域R2的第一基材100及牺牲层101的一部分。
综上所述，根据本发明的一些实施例，本发明借由设置对应于切割边缘的阻挡件，而在激光切割制程中，进行激光半切时，可降低激光束的能量，或反射射出的激光束的部分能量。因此，本发明的包含阻挡件的电子装置能够防止激光束对于非切割区域的损害，而可提升电子装置的可靠性。举例而言，当使用具有强能量的激光束激光切割本发明的具有阻挡件的电子装置时，能够在维持高切割良率下，提升进行激光切割制程的裕度。再者，本发明借由设置具有特定宽度、厚度、反射率、及/或包含特定材料的阻挡件，更为有效地提升激光切割制程的裕度。
另一方面，即使经过激光束照射，阻挡件也不易被激光束破坏，因此还能具有其它功能。举例而言，阻挡件可进一步作为散热件、互连组件、及/或信号传输组件。同时，本发明还可借由设置多个阻挡件来进一步提升激光制程的裕度与装置的可靠性。更甚者，由于本发明的包含阻挡件的电子装置能够提升进行激光切割制程的裕度。
虽然本发明的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明一些实施例的揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明一些实施例使用。因此，本发明的保护范围包含上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包含各个权利要求及实施例的组合。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
以上概述数个实施例，以便本领域技术人员可以更理解本发明实施例的观点。本领域技术人员应该理解，他们能以本发明实施例为基础，设计或修改其他制程和结构，以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。本领域技术人员也应该理解到，此类等效的制程和结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。
Claims (10)
1.一种电子装置，其特征在于，其包含：
第一基板；
第二基板，与所述第一基板相对设置，其中所述第二基板具有沿切割方向延伸的切割边缘；以及
阻挡件，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；
其中，所述阻挡件沿所述切割方向延伸且与所述切割边缘对应设置。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡件设置于所述第一基板上。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板包含封装层及第一基材，其中所述封装层设置于所述阻挡件与所述第一基材之间。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二基板包含覆盖层及第二基材，其中所述第二基材设置于所述覆盖层与所述第一基板之间。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其更包含封装胶，其中所述封装胶设置于所述第一基板与所述第二基板之间。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡件的至少一部分与所述封装胶重叠。
7.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡件的设置于所述封装胶中。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡件包含第一子阻挡件及第二子阻挡件，所述第一子阻挡件设置于所述第一基板上，且所述第二子阻挡件设置于所述第二基板上。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡件的宽度为10μm～400μm。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述阻挡件的厚度为
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010980216.4A CN114200702A (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 电子装置 |
| US17/405,100 US20220085306A1 (en) | 2020-09-17 | 2021-08-18 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010980216.4A CN114200702A (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 电子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114200702A true CN114200702A (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=80627896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010980216.4A Pending CN114200702A (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 电子装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220085306A1 (zh) |
| CN (1) | CN114200702A (zh) |
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2020
- 2020-09-17 CN CN202010980216.4A patent/CN114200702A/zh active Pending
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- 2021-08-18 US US17/405,100 patent/US20220085306A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220085306A1 (en) | 2022-03-17 |
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