CN114200278A - 一种薄膜探针卡及其探针头 - Google Patents

一种薄膜探针卡及其探针头 Download PDF

Info

Publication number
CN114200278A
CN114200278A CN202111431274.2A CN202111431274A CN114200278A CN 114200278 A CN114200278 A CN 114200278A CN 202111431274 A CN202111431274 A CN 202111431274A CN 114200278 A CN114200278 A CN 114200278A
Authority
CN
China
Prior art keywords
supporting
probe
film
inclined plane
elastic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111431274.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114200278B (zh
Inventor
赵梁玉
于海超
王艾琳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Strong Half Conductor Suzhou Co ltd
Original Assignee
Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd filed Critical Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd
Priority to CN202111431274.2A priority Critical patent/CN114200278B/zh
Priority to PCT/CN2022/080761 priority patent/WO2023092899A1/zh
Publication of CN114200278A publication Critical patent/CN114200278A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114200278B publication Critical patent/CN114200278B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种薄膜探针卡及其探针头,该薄膜探针卡包括薄膜探针头(3),该薄膜探针头(3)包括支撑体(31)、薄膜(32)、探针(33)、互连线(34);支撑体(31)的作用面(311)与薄膜(32)之间设有一斜面支撑结构(35),斜面支撑结构(35)包括一斜面结构斜面(351)以及一支撑弹性层(352),斜面结构(351)包括一个或多个斜面(3511),斜面(3511)面朝探针(33),与探针(33)位置相对应;支撑弹性层(352)垫设在斜面结构(351)与薄膜(32)之间,支撑弹性层(352)与斜面结构(351)相匹配贴合,以此使支撑弹性层(352)上位于每个探针(33)两侧的部分具有厚度差。

Description

一种薄膜探针卡及其探针头
技术领域
本发明属于探针卡、晶圆测试技术领域,具体涉及一种薄膜探针卡及其探针头。
背景技术
近年来,随着5G技术和消费电子技术的发展和普及,半导体器件不断朝着小型化、集成化、衬垫间距密集化发展,工作频率不断提高,面向高频的晶圆级测试逐渐成为RF芯片生产中不可获取的重要一环。相较于其他类型探针卡,薄膜探针卡实现了小尺度的探针结构加工和高精度的信号线结构参数控制,减少了寄生电容和电感的产生,极大地缩短了信号路径,提高了阻抗匹配程度,广泛应用于面向高频的晶圆级测试分析。
晶圆测试过程中,需提供适当的测量滑移量和可控的接触力大小。
测量滑移,是指探针与被测Pad开始接触并开始垂直抬升运动时,探针作出微小的水平运动。适量的对推开被测焊垫或凸块表面氧化物,获得稳定电接触极为必要:滑移过小,可能会导致探针获得稳定接触所需的垂直接触力过大,对Pad产生损伤;滑移过大,可能导致探针接触到Pad外钝化层区域,损伤被测物。
可控的接触力对保证芯片pad不受损伤具有积极作用。目前常用的焊盘及凸块材料包括铝、金、铜或焊料:在空气中铝表面易发生氧化,测试过程中一般需要3-5gf的力,以穿透或推开表层氧化物,实现稳定接触;金由于材质较软,所需接触力很小, 一般在0.1-1gf之间;铜材料则需要更大的力建立良好的接触,约为5-6gf。随着半导体工艺的小型化和集成化,焊垫金属层和低K层间介质层变薄,也提高了对探针接触力控制的要求。
专利US5395253中提出:初始薄膜处于拉伸状态,当探针与被测Pad开始接触并开始垂直抬升运动时,薄膜逐渐处于放松状态,探针会因此向薄膜中心区域做微小水平运动,产生测量滑移。这种方式存在的一个显著缺点在于探针的测量滑移量与探针相对薄膜中心位置有关,不均一。
现有技术中,最具代表性的结构可参见美国专利US7893704,它提出了一种新型的薄膜探针结构,它是将探针设计为类似悬臂的结构,利用测试过程中类似悬臂的探针结构绕悬臂末端的旋转实现了测量滑移的实现,但这种方式由于探针需反复绕悬臂末端进行旋转运动,该处应力集中,薄膜易损坏。
可见,本领域亟须一种薄膜探针卡,能够实现适当的测量滑移,并提供可控的接触力,特别地,可降低薄膜探针应力,提高薄膜探针寿命。
发明内容
本发明目的是提供一种薄膜探针卡及其探针头,可实现测试过程中探针的适当测量滑移,提供可控的接触力,特别地,可降低薄膜探针使用过程中的应力,提高使用寿命。
为达到上述目的,本发明采用的薄膜探针卡技术方案是:一种薄膜探针卡,包括PCB板、连接件以及薄膜探针头;所述薄膜探针头包括提供一作用面的支撑体、覆在支撑体的作用面上的薄膜、以及设置在薄膜上的探针和互连线;所述支撑体的作用面与薄膜之间设有一斜面支撑结构;所述斜面支撑结构包括一斜面结构以及一支撑弹性层,所述斜面结构包括相对作用面固定的一个或多个斜面,所述斜面面向探针,与探针位置相对应;所述支撑弹性层垫设在斜面结构与薄膜之间,支撑弹性层的朝向斜面结构的表面与斜面结构相匹配抵靠;以此,所述支撑弹性层上位于每个探针两侧的部分具有厚度差。
上述方案,所述斜面支撑结构还包括一支撑刚性体,所述支撑刚性体固定覆设在支撑体的作用面上,所述斜面结构设在支撑刚性体的朝向探针的那侧表面上。
上述方案,所述支撑体中部具有一向下突出的凸部,该凸部的下表面作为所述作用面;所述支撑体上在凸部的外围设有供与PCB板相抵的连接面,该连接面也被所述薄膜覆盖,在对应于连接面的薄膜部位也设有探针,所述支撑体的连接面与薄膜之间也设有一所述斜面支撑结构,该斜面支撑结构中的支撑弹性层垫设在连接面与薄膜之间。
上述方案中,“所述斜面面向探针,与探针位置相对应”就是指:斜面探针需要对应,这里的对应可以是一个斜面对应一个探针,也可以一个斜面对应多个探针,以最终使支撑弹性层上在每个探针两侧的部分具有厚度均可。
为达到上述目的,本发明采用的薄膜探针头技术方案是:一种薄膜探针头,包括提供一作用面的支撑体、覆在支撑体的作用面上的薄膜以及设置在薄膜上的探针和互连线;所述支撑体的作用面与薄膜之间设有一斜面支撑结构;所述斜面支撑结构包括一斜面结构以及一支撑弹性层,所述斜面结构包括相对作用面固定的一个或多个斜面,所述斜面面向探针,与探针位置相对应;所述支撑弹性层垫设在斜面结构与薄膜之间,支撑弹性层的朝向斜面结构的表面与斜面结构相匹配抵靠;以此,所述支撑弹性层上位于每个探针两侧的部分具有厚度差。
上述方案,所述斜面支撑结构还包括一支撑刚性体,所述支撑刚性体固定覆设在支撑体的作用面上,所述斜面结构设在支撑刚性体的朝向探针的那侧表面上。
上述方案,所述支撑体中部具有一向下突出的凸部,该凸部的下表面作为所述作用面;所述支撑体上在凸部的外围设有供与PCB板相抵的连接面,该连接面也被所述薄膜覆盖,在对应于连接面的薄膜部位也设有探针,所述支撑体的连接面与薄膜之间也设有一所述斜面支撑结构,该斜面支撑结构中的支撑弹性层嵌在连接面与薄膜之间。
上述方案中,“所述斜面面向探针,与探针位置相对应”就是指:斜面探针需要对应,这里的对应可以是一个斜面对应一个探针,也可以一个斜面对应多个探针,以最终使支撑弹性层上在每个探针两侧的部分具有厚度均可。
本发明巧妙地通过增加斜面支撑结构,使每个探针两侧所衬的弹性层具有厚度差,从而使探针在接触过程能够发生适量测量滑移,以穿透或推开被测芯片表层氧化物,实现更稳定地接触。并且,由于是在支撑体的作用面与薄膜之间设置斜面支撑结构进行改造,并不对探针进行改变,探针采用普通的对称结构即可。在测试过程中:初始状态探针与被测芯片Pad未接触,衬在支撑体上方的弹性组件处于初始压缩状态,斜面支撑结构的支撑弹性层也处于未压缩状态;随着测试OD的施加,探针与被测芯片Pad接触,垂直方向发生位移,大部分位移被弹性组件吸收,剩余部分位移由探针和斜面支撑结构共同吸收;这时就由于探针两侧所衬的支撑层的厚度的不一致,在探针垂直运动的同时就发生了稍稍地倾斜,探针在水平方向上产生滑移,可推开被测芯片表面脏污和氧化物,实现更稳定的电连接。
本发明有益效果:
1、本发明通过增加斜面支撑结构,使每个探针两侧所衬的弹性层具有厚度差,使得探针在垂直方向运动的同时实现了水平方向的侧向滑移,实现了稳定可靠的电接触;
2、本发明通过控制斜面的倾斜度等参数,即可最终控制支撑弹性层在探头两侧的厚度差,就可实现测量滑移量和接触力的控制;
3、本发明通过增加支撑弹性层,实现了探针局部高度差异及整体倾斜等平面度问题的吸收和兼容,防止由于局部探针过长或多短导致的接触力过大,被测Pad损伤或探针虚接、开路等问题。
附图说明
图1为本发明实施例一及实施例二薄膜探针卡的结构示意图;
图2为本发明实施例一及实施例二的薄膜探针头的结构示意图;
图3为本发明实施例一及实施例二薄膜探针头的斜面支撑结构处的示意图;
图4为本发明实施例一及实施例二的斜面结构中各斜面与探针的对应位置的示意图;
图5为本发明实施例一及实施例二测试前探针位置示意图;
图6为本发明实施例一及实施例二测试时探针位置对比示意图。
以上附图中:1、PCB板;11、同轴连接器;12、信号连接点;13、PCB走线;14、弹簧结构;15、PCB端螺纹孔;
2、连接件;
3、薄膜探针头;
31、支撑体;311、作用面;312、连接面;
32、薄膜;
33、探针;331、针座结构;332、针尖结构;
34、互连线;
35、斜面支撑结构;351、斜面结构;3511、斜面;352、;支撑弹性层; 353、支撑刚性体;
36、黏附层;
37、弹性组件;
38、补强板;381、装配用螺丝孔;382、调平用螺丝孔;
39、调平螺丝。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
实施例一:参见附图1-6所示:
一种薄膜探针卡,包括PCB板1、连接件2以及薄膜探针头3;所述薄膜探针头3包括提供一作用面311的支撑体31、覆在支撑体31的作用面311上的薄膜32、以及设置在薄膜32上的探针33和互连线34。
PCB板1为多层环氧树脂线路板,其上分布有同轴连接器11和信号连接点12,其内部分布有PCB走线13,分别连接同轴连接器11到对应信号连接点12,实现电信号导通和传输;PCB板1表面还分布有弹簧结构14和PCB端螺纹孔15;PCB板1中心位置掏空,用于容纳薄膜探针头3;弹簧结构14位于PCB板1中心掏空处外周,用于实现与薄膜探针头3的紧密连接。
所述支撑体31为一刚性体,其中部具有一向下突出的凸部,该凸部的下表面作为所述作用面311。所述支撑体31上在凸部的外围设有供与PCB板1相抵的连接面312,该连接面312也被所述薄膜32覆盖,在对应于连接面312的薄膜32部位也设有探针33,该探针33用于与PCT板1对接。
所述支撑体31的作用面311与薄膜32之间设有一斜面支撑结构35;该斜面支撑结构35包括一斜面结构351以及一支撑弹性层352,所述斜面结构351包括相对作用面311固定分布的多个斜面3511,这些斜面3511面朝探针33设置,且与探针33一对多对应;所述支撑弹性层352垫设在斜面结构351与薄膜32之间,支撑弹性层352朝斜面结构351的一面(图中为上表面)与斜面结构351相匹配贴合,支撑弹性层352的另一面(图中为下表面)为与作用面311相平行的平面;以此,所述支撑弹性层352上在每个探针33两侧的部分具有厚度差。
具体,本实施例所述斜面支撑结构35还包括一支撑刚性体353,所述支撑刚性体353通过黏附层36固定覆设在支撑体31的作用面311上,所述斜面结构351设在支撑刚性体353的朝探针33的那侧表面(图中即为下表面)上。支撑刚性体353的材料可为硅、玻璃、PMMA等耐高温硬质材料,可通过腐蚀工艺加工斜面结构351。
具体,支撑弹性层352的上表面与支撑刚性体353的表面共形,完全充填于斜面结构351中,而支撑弹性层352的下表面与作用面311相平行。支撑弹性层352材料为PDMS、硅胶等柔性材料,可通过调节材料配比、固化温度等条件实现弹性调整,实现被测芯片Pad或探针结构间的微小高度差吸收和兼容。具体,所述支撑弹性层352为一体制作粘附于支撑刚性体353上。
具体,薄膜32可通过黏附层36固定覆于支撑弹性层352上。
具体,如图4所示,所述斜面3511为通长的斜面槽,每一斜面槽与一一列探针33相对应,即探针的投影与落在斜面之内。
所述斜面3511是指相对所述作用面311具有夹角的倾斜平面或弧面,如图中举例示出的为倾斜状的平面。
为了与PCB板1对接的探针也具有测量滑移,在支撑体31的连接面312与薄膜32之间也设有一所述斜面支撑结构35,该斜面支撑结构35中的支撑弹性层352嵌在连接面312与薄膜32之间。该斜面支撑结构35的具体结构与支撑体31作用面311与薄膜32之间的斜面支撑结构35相同,这里不再赘述。
所述探针33具体包括针座结构331和针尖结构332两部分。针尖结构332位于针座结构331之上。针座结构331形状为长方体、圆柱、棱柱等,材料可为铑、Ni或Pd-Ni、Ni-B合金等高硬度材料。针尖结构形状为截断金字塔形或棱台、圆台等,材料为铑、Ni或Pd-Ni、Ni-B合金等耐磨性材料。
所述支撑体31的上方还设有一补强板38,该补强板38为一中心设凹陷区域的金属板,其上分布有装配用螺丝孔381和调平用螺丝孔382,边缘与支撑体31连接,其中心凹陷区域用于容纳弹性组件37,弹性组件37可为气囊、多爪弹簧等弹性体结构,如图示为弹性组件37为一气囊。调平螺丝39位于调平用螺丝孔382中,底部与弹性组件37上表面接触,调整多个调平螺丝39的相对位置可实现增强板38和支撑体31之间倾斜的校正。
弹性组件37位于补强板38与支撑体31之间,测试过程中弹性组件37处于压缩状态,施加OD,弹性组件37可发生弹性形变,吸收垂直方向运动位移。
测试过程中:初始状态如图5所示,探针33与被测芯片Pad未接触,弹性组件37处于初始压缩状态,支撑弹性层352处于未压缩状态;随着测试OD的施加,如图6所示,探针与被测芯片Pad接触,垂直方向发生位移,大部分位移被弹性组件37吸收,剩余部分位移由探针33和斜面支撑结构35共同吸收;由于探针33两侧对应的支撑弹性层352厚度不一致,因此垂直运动的同时会发生倾斜,探针33侧向产生距离为L的滑移,可推开被测芯片表面脏污和氧化物,实现更稳定的电连接。
实施例二:参见附图1-6所示:
一种薄膜探针头,包括提供一作用面311的支撑体31、覆在支撑体31的作用面311上的薄膜32、以及设置在薄膜32上的探针33和互连线34,其具体结构同实施例一中的薄膜探针头相同,这里不再赘述。
实施例三:
一种薄膜探针卡,包括PCB板1、连接件2以及薄膜探针头3;所述薄膜探针头3包括提供一作用面311的支撑体31、覆在支撑体31的作用面311上的薄膜32、以及设置在薄膜32上的探针33和互连线34。
与实施例一的不同之处在于:斜面结构3511为一个斜面3511,该斜面就整个覆盖支撑刚性体353朝向探针33的那侧表面,对应着设多个探针33,这些探针33都对应位于斜面3511之内,就可以达到与实施例一样的使探针33具有测量滑移的效果。
其他同实施例一,这里不再赘述。
上述实施例为举例,实际中可作出以下实际变化:
1、所述斜面3511可以如实施例一为多个,也可以如实施例三是一整个,斜面3511的数量、倾斜角度都可根据探针33的实际数量和分布情况来调整;
2、斜面3511与探针33需要对应,这里的对应可以是一个斜面3511对应一个探针33,也可以一个斜面3511对应多个探针33;
3、斜面3511可以是倾斜平面,也可以是弧面。
4、所述支撑刚性体353可以去除不采用,而将所述斜面结构351直接设置在支撑体31的作用面311上;
5、所述薄膜32与支撑弹性层352之间的黏附层36可以去除,薄膜32以其他方式相对支撑弹性层352的表面固定,或者不固定而仅是绷紧抵靠在支撑弹性层352上也可。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种薄膜探针卡,包括PCB板(1)、连接件(2)以及薄膜探针头(3);所述薄膜探针头(3)包括提供一作用面(311)的支撑体(31)、覆在支撑体(31)的作用面(311)上的薄膜(32)以及设置在薄膜(32)上的探针(33)和互连线(34);其特征在于:
所述支撑体(31)的作用面(311)与薄膜(32)之间设有一斜面支撑结构(35);所述斜面支撑结构(35)包括一斜面结构(351)以及一支撑弹性层(352),所述斜面结构(351)包括相对作用面(311)固定的一个或多个斜面(3511),所述斜面(3511)面向探针(33),与探针(33)位置相对应;
所述支撑弹性层(352)垫设在斜面结构(351)与薄膜(32)之间,支撑弹性层(352)的朝向斜面结构(351)的表面与斜面结构(351)相匹配抵靠;
以此,所述支撑弹性层(352)上位于每个探针(33)两侧的部分具有厚度差。
2.根据权利要求1所述薄膜探针卡,其特征在于:所述斜面支撑结构(35)还包括一支撑刚性体(353),所述支撑刚性体(353)固定覆设在支撑体(31)的作用面(311)上,所述斜面结构(351)设在支撑刚性体(353)的朝向探针(33)的那侧表面上。
3.根据权利要求1所述薄膜探针卡,其特征在于:所述支撑体(31)中部具有一向下突出的凸部,该凸部的下表面作为所述作用面(311);所述支撑体(31)上在凸部的外围设有供与PCB板(1)相抵的连接面(312),该连接面(312)也被所述薄膜(32)覆盖,在对应于连接面(312)的薄膜(32)部位也设有探针(33),所述支撑体(31)的连接面(312)与薄膜(32)之间也设有一所述斜面支撑结构(35),该斜面支撑结构(35)中的支撑弹性层(352)垫设在连接面(312)与薄膜(32)之间。
4.一种薄膜探针头,其特征在于:包括提供一作用面的支撑体(31)、覆在支撑体(31)的作用面(311)上的薄膜(32)、以及设置在薄膜(32)上的探针(33)和互连线(34);其特征在于:
所述支撑体(31)的作用面(311)与薄膜(32)之间设有一斜面支撑结构(35);所述斜面支撑结构(35)包括一斜面结构(351)以及一支撑弹性层(352),所述斜面结构(351)包括相对作用面(311)固定的一个或多个斜面(3511),所述斜面(3511)面向探针(33),与探针(33)位置相对应;
所述支撑弹性层(352)垫设在斜面结构(351)与薄膜(32)之间,支撑弹性层(352)的朝向斜面结构(351)的表面与斜面结构(351)相匹配抵靠;
以此,所述支撑弹性层(352)上位于每个探针(33)两侧的部分具有厚度差。
5.根据权利要求4所述薄膜探针头,其特征在于:所斜面支撑结构(35)还包括一支撑刚性体(353),所述支撑刚性体(353)固定覆设在支撑体(31)的作用面(311)上,所述斜面结构(351)设在支撑刚性体(353)的朝向探针(33)的那侧表面上。
6.根据权利要求4所述薄膜探针头,其特征在于:所述支撑体(31)中部具有一向下突出的凸部,该凸部的下表面作为所述作用面(311);所述支撑体(31)上在凸部的外围设有供与PCB板相抵的连接面(312),该连接面(312)也被所述薄膜(32)覆盖,在对应于连接面(312)的薄膜(32)部位也设有探针(33),所述支撑体(31)的连接面(312)与薄膜(32)之间也设有一所述斜面支撑结构(35),该斜面支撑结构(35)中的支撑弹性层(352)垫设在连接面(312)与薄膜(32)之间。
CN202111431274.2A 2021-11-29 2021-11-29 一种薄膜探针卡及其探针头 Active CN114200278B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111431274.2A CN114200278B (zh) 2021-11-29 2021-11-29 一种薄膜探针卡及其探针头
PCT/CN2022/080761 WO2023092899A1 (zh) 2021-11-29 2022-03-14 一种薄膜探针卡及其探针头

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111431274.2A CN114200278B (zh) 2021-11-29 2021-11-29 一种薄膜探针卡及其探针头

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114200278A true CN114200278A (zh) 2022-03-18
CN114200278B CN114200278B (zh) 2022-12-27

Family

ID=80649362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111431274.2A Active CN114200278B (zh) 2021-11-29 2021-11-29 一种薄膜探针卡及其探针头

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114200278B (zh)
WO (1) WO2023092899A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114839410A (zh) * 2022-04-06 2022-08-02 强一半导体(苏州)有限公司 一种薄膜探针卡装置
CN115616260A (zh) * 2022-09-26 2023-01-17 上海泽丰半导体科技有限公司 薄膜探针卡组件

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644042A (en) * 1987-06-09 1989-01-09 Tektronix Inc Prober
US5642056A (en) * 1993-12-22 1997-06-24 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for correcting the probe card posture before testing
JPH10107099A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Hitachi Ltd プローブ装置及び検査方法
CN1237709A (zh) * 1998-06-02 1999-12-08 株式会社爱德万测试 适合检查多接脚装置的探针卡
JP2000221211A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 弾性電気接点微小プローブ装置及びその製法
US6305230B1 (en) * 1997-05-09 2001-10-23 Hitachi, Ltd. Connector and probing system
US20020024354A1 (en) * 2000-08-04 2002-02-28 Frank Pietzschmann Test apparatus for semiconductor circuit and method of testing semiconductor circuits
US6420886B1 (en) * 2000-01-24 2002-07-16 Urex Precision, Inc. Membrane probe card
EP1566642A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-24 Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha Probe card
US20070108999A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Wintek Corporation Thin film probe card
US20070126435A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Formfactor, Inc. Apparatus And Method For Adjusting An Orientation Of Probes
US20070145988A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Touchdown Technologies, Inc. Probe card assembly
US20080061808A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Sammy Mok Compliance partitioning in testing of integrated circuits
US20090045831A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-19 Gunsei Kimoto Contact with plural beams
US20090224783A1 (en) * 1996-08-08 2009-09-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US20110281380A1 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 Renesas Electronics Corporation Probe card and method of manufacturing semiconductor integrated circuit device
KR20120025374A (ko) * 2010-08-06 2012-03-15 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 유닛 및 검사장치
KR101288050B1 (ko) * 2013-01-31 2013-07-19 (주) 루켄테크놀러지스 범프 필름 프로브 카드

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5180977A (en) * 1991-12-02 1993-01-19 Hoya Corporation Usa Membrane probe contact bump compliancy system
US5461326A (en) * 1993-02-25 1995-10-24 Hughes Aircraft Company Self leveling and self tensioning membrane test probe
JP2005241275A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
CN1851476A (zh) * 2005-04-22 2006-10-25 安捷伦科技有限公司 接合器、以及使用其的半导体测试装置
JP2008122356A (ja) * 2006-10-18 2008-05-29 Isao Kimoto プローブ
TW200846669A (en) * 2007-05-18 2008-12-01 Probeleader Co Ltd Structure and the assembly method of thin film probe card
JP5295588B2 (ja) * 2008-02-28 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 プローブカードの傾き調整方法、プローブカードの傾き検出方法及びプローブカードの傾き検出方法を記録したプログラム記録媒体
MY174175A (en) * 2013-07-11 2020-03-12 Johnstech Int Corp Testing apparatus and method for microcircuit and wafer level ic testing
CN108279368A (zh) * 2018-01-23 2018-07-13 德淮半导体有限公司 测试机台及测试方法
IT201800005444A1 (it) * 2018-05-16 2019-11-16 Scheda di misura avente elevate prestazioni in alta frequenza
IT201800006903A1 (it) * 2018-07-04 2020-01-04 Scheda di misura per applicazioni ad alta frequenza

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS644042A (en) * 1987-06-09 1989-01-09 Tektronix Inc Prober
US5642056A (en) * 1993-12-22 1997-06-24 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for correcting the probe card posture before testing
US20090224783A1 (en) * 1996-08-08 2009-09-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
JPH10107099A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Hitachi Ltd プローブ装置及び検査方法
US6305230B1 (en) * 1997-05-09 2001-10-23 Hitachi, Ltd. Connector and probing system
CN1237709A (zh) * 1998-06-02 1999-12-08 株式会社爱德万测试 适合检查多接脚装置的探针卡
JP2000221211A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 弾性電気接点微小プローブ装置及びその製法
US6420886B1 (en) * 2000-01-24 2002-07-16 Urex Precision, Inc. Membrane probe card
US20020024354A1 (en) * 2000-08-04 2002-02-28 Frank Pietzschmann Test apparatus for semiconductor circuit and method of testing semiconductor circuits
EP1566642A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-24 Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha Probe card
US20070108999A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Wintek Corporation Thin film probe card
US20070126435A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Formfactor, Inc. Apparatus And Method For Adjusting An Orientation Of Probes
CN101506671A (zh) * 2005-12-02 2009-08-12 佛姆法克特股份有限公司 调节探针取向的装置和方法
US20070145988A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Touchdown Technologies, Inc. Probe card assembly
US20080061808A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Sammy Mok Compliance partitioning in testing of integrated circuits
US20090045831A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-19 Gunsei Kimoto Contact with plural beams
US20110281380A1 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 Renesas Electronics Corporation Probe card and method of manufacturing semiconductor integrated circuit device
KR20120025374A (ko) * 2010-08-06 2012-03-15 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 프로브 유닛 및 검사장치
KR101288050B1 (ko) * 2013-01-31 2013-07-19 (주) 루켄테크놀러지스 범프 필름 프로브 카드

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIANGBO ZHANG等: "Modeling and Control of Active End Effector for the AFM Based Nano Robotic Manipulators", 《PROCEEDINGS OF THE 2005 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ROBOTICS AND AUTOMATION》 *
孙毅: "基于压电驱动微探针诱导有序褶皱形成的机理研究", 《中国博士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》 *
李喜德等: "基于光学和扫描显微平台的微尺度实验力学检测技术和装置研究", 《实验力学》 *
袁会敬等: "微压力接触式台阶仪测量误差校正技术研究", 《长春理工大学学报(自然科学版)》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114839410A (zh) * 2022-04-06 2022-08-02 强一半导体(苏州)有限公司 一种薄膜探针卡装置
CN114839410B (zh) * 2022-04-06 2024-07-09 强一半导体(苏州)股份有限公司 一种薄膜探针卡装置
CN115616260A (zh) * 2022-09-26 2023-01-17 上海泽丰半导体科技有限公司 薄膜探针卡组件
CN115616260B (zh) * 2022-09-26 2024-02-23 上海泽丰半导体科技有限公司 薄膜探针卡组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN114200278B (zh) 2022-12-27
WO2023092899A1 (zh) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3343549B2 (ja) シリコン・フィンガ・コンタクタを有するコンタクトストラクチャおよびそれを用いた総合組立構造
CN114200278B (zh) 一种薄膜探针卡及其探针头
US8314624B2 (en) Probe card, semiconductor inspecting apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
JP4769538B2 (ja) 電子部品用コンタクタ及びコンタクト方法
EP1135693B1 (en) Probe card for probing wafers with raised contact elements
CN1305181C (zh) 接触构件
US8922232B2 (en) Test-use individual substrate, probe, and semiconductor wafer testing apparatus
CN114200279B (zh) 一种薄膜探针卡及其探针头
CN114167094B (zh) 一种薄膜探针卡及其探针头
JP2003007782A (ja) プローブおよびプローブ装置
CN114200280B (zh) 一种薄膜探针卡及其探针头
TWI443343B (zh) 陣列式微間距探針組及其製造方法
KR100911661B1 (ko) 평탄화 수단을 구비한 프로브 카드
JP2009231848A (ja) 半導体ウェハのテスト装置、半導体ウェハのテスト方法及び半導体ウェハ用プローブカード
US7084651B2 (en) Probe card assembly
CN114188310B (zh) 一种实现薄膜探针测量滑移的方法
CN114188309A (zh) 一种实现薄膜探针测量滑移的方法
WO2018089659A1 (en) Probe card assembly having die-level and pin-level compliance, and associated systems and methods
JPH09199552A (ja) 微細構造の接触部を有する回路素子のための測定用プローバ
JP2679684B2 (ja) 異方導電フィルム及び異方導電フィルムを用いた半導体ウェハ測定治具
JPH10107099A (ja) プローブ装置及び検査方法
JP5702068B2 (ja) 半導体検査用プローブカードおよびその製造方法
TW200425373A (en) Planarizing and testing of BGA packages

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 215000, floor 2, building 39, No. 18, Dongchang Road, Suzhou Industrial Park, Jiangsu Province

Patentee after: Strong Half Conductor (Suzhou) Co.,Ltd.

Address before: 215000, floor 2, building 39, No. 18, Dongchang Road, Suzhou Industrial Park, Jiangsu Province

Patentee before: MAXONE SEMICONDUCTOR (SUZHOU) Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder