CN114164470A - 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 - Google Patents

半导体装置的制造方法及衬底处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114164470A
CN114164470A CN202110209722.8A CN202110209722A CN114164470A CN 114164470 A CN114164470 A CN 114164470A CN 202110209722 A CN202110209722 A CN 202110209722A CN 114164470 A CN114164470 A CN 114164470A
Authority
CN
China
Prior art keywords
processing container
processing
substrate
liquid
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110209722.8A
Other languages
English (en)
Inventor
猪山诚
庄子史人
正村将利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kioxia Corp
Original Assignee
Kioxia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020201582A external-priority patent/JP2022047463A/ja
Application filed by Kioxia Corp filed Critical Kioxia Corp
Publication of CN114164470A publication Critical patent/CN114164470A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/16—Regeneration of process solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/22—Electroplating combined with mechanical treatment during the deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F1/00—Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

实施方式提供一种可抑制对衬底进行处理的处理液变质的半导体装置的制造方法及衬底处理装置。实施方式的半导体装置的制造方法是将衬底搬入到处理容器内，将被搬入衬底的处理容器密封，将经密封的处理容器内减压，向经减压的处理容器内供给处理液，使用处理液实施衬底的处理，将用于处理的处理液从处理容器排出，在排出处理液后，将处理容器开封，从处理容器中搬出处理后的衬底。

Description

半导体装置的制造方法及衬底处理装置
[相关申请案]
本申请案享有以日本专利申请案2020-152917号(申请日：2020年9月11日)及日本专利申请案2020-201582号(申请日：2020年12月4日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照这些基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式是涉及一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，有时将衬底收容到衬底处理装置的处理容器内，并供给镀覆液、冲洗液等处理液，对衬底实施特定处理。然而，在将衬底搬入到处理容器及从处理容器搬出时，处理液有时会暴露在大气中而发生变质。
发明内容
一实施方式提供一种可抑制对衬底进行处理的处理液变质的半导体装置的制造方法及衬底处理装置。
实施方式的半导体装置的制造方法是将衬底搬入到处理容器内，将被搬入所述衬底的所述处理容器密封，对经密封的所述处理容器内减压，向经减压的所述处理容器内供给处理液，使用所述处理液实施所述衬底的处理，将用于所述处理的所述处理液从所述处理容器排出，在排出所述处理液后，将所述处理容器开封，从所述处理容器中搬出所述处理后的所述衬底。
附图说明
图1是表示实施方式的衬底处理装置的构成的一例的图。
图2(a)～(d)是表示实施方式的衬底处理装置所执行的晶圆的搬入动作至冲洗液的排出动作的示意图。
图3(a)～(c)是表示实施方式的衬底处理装置所执行的针对晶圆的镀覆处理的示意图。
图4(a)～(d)是表示实施方式的衬底处理装置所执行的后洗净处理至晶圆的搬出动作的示意图。
图5(a)及(b)是表示通过实施方式的衬底处理装置所执行的镀覆处理而在晶圆形成金属膜的情况的示意图。
图6是表示实施方式的衬底处理装置中的镀覆处理的顺序的一例的流程图。
图7是表示实施方式的衬底处理装置1的更详细构成的一例的图。
具体实施方式
以下，参照图式，对本发明详细地进行说明。另外，并非通过下述实施方式来限定本发明。另外，下述实施方式中的构成要素中，包括业者可容易想到的构成要素或实质上相同的构成要素。
(衬底处理装置的构成例)
图1是表示实施方式的衬底处理装置1的构成的一例的图。如图1所示，衬底处理装置1具备处理容器10、氮气供给部21、离子交换水供给部22、镀覆液供给部23、排气部31、离子交换水排出部32、镀覆液排出部33、晶圆保持部40及控制部60。
处理容器10具备晶圆收容部11及顶板12。作为衬底收容部的晶圆收容部11具有上部打开的箱形，构成为可收容作为衬底的晶圆W。作为盖部的顶板12是构成为将晶圆收容部11上部的开口闭合的板状构件。在晶圆收容部11与顶板12接触的部分介置作为密封部的O形环13。由此，可将处理容器10气密地密封。
将氮气供给部21、离子交换水供给部22及镀覆液供给部23连接于处理容器10。氮气供给部21、离子交换水供给部22及镀覆液供给部23例如分别配置在处理容器10的1个侧面。
作为惰性气体供给部的氮气供给部21具备供给口21s、闸阀21g及供给管21p。供给口21s是设置于处理容器10的开口。
作为第1阀的闸阀21g连接于从处理容器10延伸出的供给口21s的端部。通过打开或关闭闸阀21g，而开始或停止向处理容器10内供给氮气。
在闸阀21g的连接于供给口21s一侧的相反侧连接供给管21p的一端。供给管21p的另一端例如连接于作为惰性气体供给源的储气罐51，该储气罐51储存着作为惰性气体的氮气。
通过所述构成，氮气供给部21构成为可向处理容器10内供给氮气。但是，所供给的气体除氮气外，也可例如为稀有气体等其它惰性气体。另外，氮气供给部21也可构成为可酌情切换供给氮气、稀有气体等多种惰性气体。
作为冲洗液供给部的离子交换水供给部22具备供给口22s、闸阀22g及供给管22p。供给口22s是设置于处理容器10的开口。
作为第2阀的闸阀22g连接于从处理容器10延伸出的供给口22s的端部。通过打开或关闭闸阀22g，而开始或停止向处理容器10内供给离子交换水。
在闸阀22g的连接于供给口22s一侧的相反侧连接供给管22p的一端。供给管22p的另一端例如连接于作为冲洗液供给源的贮槽52，该贮槽52储存着作为冲洗液的离子交换水(DI Water：De-Ionization Water，去离子水)。
通过所述构成，离子交换水供给部22构成为可向处理容器10内供给离子交换水。
作为处理液供给部的镀覆液供给部23具备供给口23s、闸阀23g及供给管23p。供给口23s是设置于处理容器10的开口。
作为第3阀的闸阀23g连接于从处理容器10延伸出的供给口23s的端部。通过打开或关闭闸阀23g，而开始或停止向处理容器10内供给镀覆液。
在闸阀23g的连接于供给口23s一侧的相反侧连接供给管23p的一端。供给管23p的另一端例如连接于作为处理液供给源的贮槽53，该贮槽53储存着作为处理液的镀覆液。
通过所述构成，镀覆液供给部23构成为可向处理容器10内供给镀覆液。通过使用铜镀覆液、镍镀覆液、金镀覆液等各种镀覆液，在晶圆W上形成铜、镍、金等的各种金属膜。
将排气部31、离子交换水排出部32及镀覆液排出部33连接于处理容器10。排气部31、离子交换水排出部32及镀覆液排出部33分别配置在处理容器10的1个侧面，该侧面与例如设置着所述氮气供给部21等的侧面相对向。
排气部31具备排出口31s、闸阀31g、排出管31d及泵31v。排出口31s是设置于处理容器10的开口。
作为第4阀的闸阀31g连接于从处理容器10延伸出的排出口31s的端部。通过打开或关闭闸阀31g，而开始或停止排出氮气、大气等处理容器10内的气体。
在闸阀31g的连接于排出口31s一侧的相反侧连接排出管31d的一端。在排出管31d中设置泵31v，排出管31d的另一端延伸到衬底处理装置1的外部。
通过所述构成，排气部31构成为可将处理容器10内的气体排出。也就是说，通过使泵31v运转，同时打开所述闸阀31g，而将处理容器10内的气体排出到衬底处理装置1外。
作为冲洗液排出部的离子交换水排出部32具备排出口32s、闸阀32g及排出管32d。排出口31s是设置于处理容器10的开口。
作为第5阀的闸阀32g连接于从处理容器10延伸出的排出口32s的端部。通过打开或关闭闸阀32g，而开始或停止排出处理容器10内的离子交换水。
在闸阀32g的连接于排出口32s一侧的相反侧连接排出管32d的一端。排出管32d的另一端延伸到衬底处理装置1的外部。
通过所述构成，离子交换水排出部32构成为可将离子交换水从处理容器10内排出到衬底处理装置1外。
作为处理液排出部的镀覆液排出部33具备排出口33s、闸阀33g及排出管33d。排出口33s设置于处理容器10的开口。
作为第6阀的闸阀33g连接于从处理容器10延伸出的排出口33s的端部。通过打开或关闭闸阀33g，而开始或停止排出处理容器10内的镀覆液。
在闸阀33g的连接于排出口33s一侧的相反侧连接排出管33d的一端。在排出管33d中设置循环部33f，排出管33d的另一端连接于所述储存着镀覆液的贮槽53。循环部33f构成为将从处理容器10内排出的镀覆液净化后使其再次返回到贮槽53侧。镀覆液的净化功能例如可通过将异物等从自处理容器10内排出的镀覆液中去除的过滤器来实现。使镀覆液返回到贮槽53的功能例如可通过液泵等泵来实现。
此处，连接排出口33s与贮槽53的排出管33d、及连接贮槽53与供给口23s的供给管23p作为连接排出口33s与供给口23s的连接管发挥功能。另外，排出管33d、循环部33f、贮槽53及供给管23p例如作为使从排出口33s排出的镀覆液循环到供给口23s的循环机构发挥功能。
通过所述循环机构，镀覆液排出部33构成为可将镀覆液从处理容器10内排出后使其循环到上游侧的贮槽53，从而将所述镀覆液净化并且重复使用。
另一方面，衬底处理装置1也可不具备使离子交换水循环的机构，用于洗净处理的离子交换水可每使用1次便废弃。由此，容易保持处理容器10内、镀覆液及晶圆W清洁。但是，也可构成为，在排出离子交换水的排出管32d中设置液泵等泵，从而可促进离子交换水从处理容器10排出。
作为衬底保持部的晶圆保持部40具备基部41、晶圆保持台42及接触环43。
基部41在内部具备：配置在处理容器10的上方且使晶圆保持台42及接触环43旋转的未图示的马达等旋转机构、及向接触环43供给电荷的未图示的电荷供给机构。
在基部41的下表面设置有晶圆保持台42。晶圆保持台42具备未图示的吸附机构，且构成为可在下表面保持正面即供制造半导体装置的面朝向下方的晶圆W。
接触环43是支持于从基部41的下表面延伸出的支持棒的圆环状构件，构成为与正面朝向下方地保持于晶圆保持台42的晶圆W的正面接触。接触环43构成为，可通过从设置于基部41的电荷供给机构供给电荷而向晶圆W供电。
另外，晶圆保持部40构成为可通过未图示的搬送机构，在保持着晶圆W的状态下上下移动，且构成为可将晶圆W搬入到处理容器10及从处理容器10搬出。
控制部60例如构成为具备CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、ROM(Read Only Memory，只读存储器)及RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)等，控制衬底处理装置1整体的计算机。
也就是说，控制部60控制晶圆保持部40的晶圆保持台42所具备的吸附机构，使晶圆W保持于晶圆保持台42。另外，控制部60控制晶圆保持部40的基部41所具备的电荷供给机构，经由接触环43向晶圆W供电。另外，控制部60控制晶圆保持部40的基部41所具备的马达，使晶圆保持台42及接触环43在保持着晶圆W的状态下旋转。
另外，控制部60控制未图示的搬送机构，使晶圆保持部40在保持着晶圆W的状态下上下移动，从而将晶圆W搬入到处理容器10及从处理容器10搬出。
另外，控制部60控制闸阀21g，而开始或停止向处理容器10内供给氮气。控制部60控制闸阀22g，而开始或停止向处理容器10内供给离子交换水。控制部60控制闸阀23g，而开始或停止向处理容器10内供给镀覆液。
另外，控制部60控制闸阀31g及泵31v，而开始或停止从处理容器10内排出气体。另外，控制部60控制闸阀32g，而开始或停止从处理容器10内排出离子交换水。另外，控制部60控制闸阀33g，而开始或停止从处理容器10内排出镀覆液。
如上所述，实施方式的衬底处理装置1例如构成为向晶圆W供电来进行镀覆处理的电镀装置。另外，由衬底处理装置1实施镀覆处理的晶圆W例如可为硅晶圆等半导体晶圆、石英晶圆、砷化镓晶圆等化合物晶圆等。另外，晶圆W也可为将多片晶圆贴合而成的贴合晶圆。
(衬底处理装置的动作例)
其次，使用图2～图5，对实施方式的衬底处理装置1的动作的一例进行说明。
图2是表示实施方式的衬底处理装置1所执行的晶圆W的搬入动作至冲洗液的排出动作的示意图。图3是表示实施方式的衬底处理装置1所执行的针对晶圆W的镀覆处理的示意图。图4是表示实施方式的衬底处理装置1所执行的后洗净处理至晶圆W的搬出动作的示意图。
如图2(a)所示，驱动搬送机构，使保持着晶圆W的晶圆保持部40向下方移动，从而将晶圆W搬入到处理容器10内。在此之前，对晶圆W实施半导体装置的制造工序中的各种处理，从而在保持于晶圆保持部40且朝向下方的晶圆W的正面，配置着未图示的半导体装置的一部分。在搬入晶圆W时，处理容器10内充满大气AT。但是，处理容器10内也可充满氮气等惰性气体。此外，也可用多种气体充当处理容器10内的密封气体，只要是清洁气体即可。由此，可减少处理容器10内的颗粒。
将晶圆W搬入到处理容器10后，通过晶圆保持部40使晶圆W开始旋转。晶圆W持续旋转到处理容器10内的各处理结束为止。但是，晶圆W的旋转只要在开始利用镀覆液PS进行镀覆处理前开始即可。因此，例如可在向处理容器10填充下述离子交换水PL的过程中或填充之后、或者向处理容器10填充镀覆液PS的过程中或填充之后等的任意时点，使晶圆W开始旋转。
如图2(b)所示，在气密地密封处理容器10的状态下，打开排气部31的闸阀31g，使泵31v运转，排出处理容器10内的大气AT，从而将处理容器10内减压到例如2.6kPa以上3.3kPa以下。也将该步骤称为处理容器10内的除气。
如图2(c)所示，关闭排气部31的闸阀31g后，打开离子交换水供给部22的闸阀22g，向已减压的处理容器10内供给离子交换水PL，从而对晶圆W及处理容器10内实施前洗净处理。此时，也可将离子交换水排出部32的闸阀32g连续打开或间歇打开，从而进行多次处理容器10内的离子交换水PL的更换。
由此，大致完全将吸附于晶圆W及处理容器10的表面等的大气成分去除。另外，将杂质及异物等从晶圆W及处理容器10内去除。这些杂质及异物等例如附着于晶圆W本身，或者因晶圆W的搬入而从大气中混入。
另外，也可在如上所述对处理容器10内进行除气后且供给离子交换水PL前，进行如下处理，也就是将氮气等惰性气体供给到处理容器10内，使处理容器10内的压力变得与大气压同等，或者成为大气压以上的较高压力。惰性气体可为由氮气供给部21供给的氮气等。由此，可更确实地将残留在处理容器10内的大气成分以及杂质及异物等从处理容器10内排出。之后，一边从处理容器10内排出惰性气体，一边向处理容器10内供给离子交换水PL。随着不断从处理容器10内排出惰性气体，处理容器10内的压力逐渐降低，因此可提高向处理容器10内供给离子交换水PL的速度。
如图2(d)所示，关闭离子交换水供给部22的闸阀22g后，打开离子交换水排出部32的闸阀32g，将离子交换水PL从前洗净处理结束的处理容器10内排出。此时，也可一边向处理容器10内供给惰性气体，一边进行离子交换水PL的排出。惰性气体可为由氮气供给部21供给的氮气等。在氮气供给部21构成为可切换供给多种气体的情况下，所述惰性气体也可为用来促进离子交换水PL排出的专用气体等。由此，利用惰性气体将离子交换水PL从处理容器10内挤出。另外，随着惰性气体的供给，处理容器10内的压力逐渐上升。因此，可提高离子交换水PL从处理容器10内的排出速度，另外，可抑制离子交换水PL残留在处理容器10内。
如图3(a)所示，关闭离子交换水排出部32的闸阀32g后，打开镀覆液供给部23的闸阀23g，向已排出离子交换水PL的处理容器10内供给镀覆液PS。镀覆液PS持续供给到处理容器10内大致完全由镀覆液PS填满为止。
另外，也可在排出离子交换水PL后且供给镀覆液PS前，进行1次或多次如下循环净化处理，也就是向处理容器10内供给由氮气供给部21所供给的氮气等惰性气体而使之成为大气压以上之后，排出惰性气体将处理容器10内减压。之后，向处理容器10内供给镀覆液PS。镀覆液PS可在处理容器10内的压力为大气压以上的时点、或已被减压的时点等任意时点开始供给。当在处理容器10内已被减压的时点进行镀覆液PS的供给时，可与所述离子交换水PL的情况同样地，提高向处理容器10内供给镀覆液PS的速度。
如图3(b)所示，关闭镀覆液供给部23的闸阀23g后，开始经由接触环43向晶圆W供电，从而对晶圆W实施镀覆处理。由此，在晶圆W上形成所需金属膜。
如图3(c)所示，打开镀覆液排出部33的闸阀33g，将镀覆液PS从镀覆处理结束的处理容器10内排出。此时，也可通过循环部33f的使镀覆液PS循环的功能，使镀覆液PS加速排出。更具体地说，例如通过使循环部33f所含的泵运转，抽吸从处理容器10内排出的镀覆液PS，促进镀覆液PS向槽53的循环，从而可使镀覆液PS加速排出。
另外，此时也可一边向处理容器10内供给惰性气体，一边进行镀覆液PS的排出。惰性气体可为由氮气供给部21供给的氮气等。在氮气供给部21构成为可切换供给多种气体的情况下，所述惰性气体也可为用来促进镀覆液PS排出的专用气体等。通过用惰性气体将镀覆液PS从处理容器10内挤出，且处理容器10内的压力随着惰性气体的供给而逐渐上升，可提高镀覆液PS从处理容器10内的排出速度，另外，可抑制镀覆液PS残留在处理容器10内。
另外，在晶圆W的镀覆处理过程中及镀覆处理前后，镀覆液PS的供给时点及排出时点可适当调整。例如，也可通过在镀覆处理过程中同时进行镀覆液PS的供给及排出，而一边使处理容器10内的镀覆液PS循环，一边进行镀覆处理。在此情况下，处理容器10内由镀覆液PS填充后，仍将镀覆液供给部23的闸阀23g维持打开的状态而无需关闭。另一方面，在处理容器10内已填充有镀覆液PS的时点，打开镀覆液排出部33的闸阀33g，并维持该状态。之后，在镀覆处理结束后关闭闸阀23g，在镀覆液PS从处理容器10内的排出结束后关闭闸阀33g。
如图4(a)所示，关闭镀覆液排出部33的闸阀33g后，打开离子交换水供给部22的闸阀22g，向已排出镀覆液PS的处理容器10内供给离子交换水PL，从而对晶圆W及处理容器10内实施后洗净处理。此时，也可将闸阀32g连续打开或间歇打开，进行多次处理容器10内的离子交换水PL的更换。
由此，大致完全地将残留在晶圆W及处理容器10的表面等的镀覆液PS冲去。
另外，当将处理容器10内从镀覆液PS切换为离子交换水PL时，也可使用惰性气体实施所述循环净化处理。也就是说，也可在排出镀覆液PS后且供给离子交换水PL前，进行1次或多次如下循环净化处理，也就是向处理容器10内供给由氮气供给部21供给的氮气等惰性气体而设为大气压以上之后，排出惰性气体而将处理容器10内减压。之后，向处理容器10内供给离子交换水PL。离子交换水PL可在处理容器10内的压力成为大气压以上的时点、或经减压的时点等任意时点开始供给。当在处理容器10内经减压的时点进行离子交换水PL的供给时，与所述前洗净中供给离子交换水PL的情况同样地，可提高向处理容器10内供给离子交换水PL的速度。
如图4(b)所示，关闭离子交换水供给部22的闸阀22g后，打开离子交换水排出部32的闸阀32g，从后洗净处理结束的处理容器10内排出离子交换水PL。此时，也可一边向处理容器10内供给惰性气体，一边进行离子交换水PL的排出。惰性气体可为由氮气供给部21供给的氮气等。在氮气供给部21构成为可切换供给多种气体的情况下，所述惰性气体也可为用来促进离子交换水PL排出的专用气体等。通过用惰性气体将离子交换水PL从处理容器10内挤出，且处理容器10内的压力随着惰性气体的供给而逐渐上升，可提高离子交换水PL从处理容器10内的排出速度，另外，可抑制离子交换水PL残留在处理容器10内。
另外，在如上所述离子交换水排出部32具备设置于排出管32d的泵等的情况下，当将前洗净及后洗净所使用的离子交换水PL中的至少任一者从处理容器10排出时，也可通过使所述泵运转，抽吸离子交换水PL，而促进离子交换水PL从处理容器10内排出。
如图4(c)所示，关闭离子交换水排出部32的闸阀32g后，打开氮气供给部21及排气部31的闸阀21g、31g，将氮气IG供给到处理容器10内，同时将氮气IG从处理容器10内排出，反复进行多次处理容器10内的氮气IG的更换，从而实施晶圆W及处理容器10内的干燥处理。
由此，去除残留在晶圆W及处理容器10的表面等的离子交换水PL，使晶圆W及处理容器10内干燥。
之后，保持着打开氮气供给部21的闸阀21g的状态，关闭排气部31的闸阀31g，使干燥处理结束的处理容器10内充满氮气IG，从而使处理容器10内恢复到大气压。
如图4(d)所示，驱动搬送机构，使保持着晶圆W的晶圆保持部40向上方移动，从而将晶圆W从恢复到大气的处理容器10内搬出。
通过以上步骤，实施方式的衬底处理装置1中的动作结束。
图5是表示通过实施方式的衬底处理装置1所执行的镀覆处理而在晶圆W形成金属膜LY的情况的示意图。图5(a)是镀覆处理前的晶圆W，图5(b)是镀覆处理后的晶圆W。
如图5(b)所示，通过衬底处理装置1所执行的处理，在晶圆W的供制造半导体装置的面形成金属膜LY。此后，对晶圆W实施各种处理，由此制造包含金属膜LY的半导体装置。
(衬底处理装置的镀覆处理的例)
其次，使用图6，对实施方式的衬底处理装置1中的镀覆处理的一例进行说明。图6是表示实施方式的衬底处理装置1中的镀覆处理的顺序的一例的流程图。衬底处理装置1中的镀覆处理是作为半导体装置的制造工序的一环而加以实施。
如图6所示，在大气压下将晶圆W搬入到衬底处理装置1的处理容器10内(步骤S101)。也就是说，衬底处理装置1的控制部60控制晶圆保持部40的晶圆保持台42所具备的吸附机构，使晶圆W保持于晶圆保持台42。另外，控制部60控制未图示的搬送机构，使晶圆保持部40在保持着晶圆W的状态下向下方移动，从而将晶圆W搬入到处理容器10内。
控制部60在使晶圆W搬入到处理容器10后，使晶圆保持部40的未图示的马达运转，从而使晶圆W开始旋转。控制部60使晶圆W持续旋转到处理容器10内的各处理结束为止。
控制部60使泵31v运转，同时打开闸阀31g，排出气密地密封的处理容器10内的大气。由此，将处理容器10内减压(步骤S102)。
控制部60打开闸阀22g，向已减压的处理容器10内供给离子交换水(步骤S103)。
控制部60使离子交换水持续向处理容器10内供给，从而对晶圆W及处理容器10内实施前洗净处理(步骤S104)。此时，控制部60也可将闸阀32g连续打开或间歇打开，从而实施多次处理容器10内的离子交换水的更换。
控制部60关闭闸阀22g，并打开闸阀32g，使前洗净处理结束的处理容器10内的离子交换水排出(步骤S105)。
控制部60关闭闸阀32g，并打开闸阀23g，向已排出离子交换水的处理容器10内供给镀覆液(步骤106)。
控制部60关闭闸阀23g，并使晶圆保持部40的未图示的电荷供给机构运转，开始经由接触环43向晶圆W供电，从而对晶圆W实施镀覆处理(步骤S107)。
控制部60在镀覆处理结束后，使晶圆保持部40的未图示的电荷供给机构停止，从而停止向晶圆W供电。
控制部60打开闸阀33g，使镀覆处理结束的处理容器10内的镀覆液排出(步骤S108)。
控制部60关闭闸阀33g，并打开闸阀22g，向已排出镀覆液的处理容器10内供给离子交换水(步骤S109)。
控制部60使离子交换水持续向处理容器10内供给，从而对晶圆W及处理容器10内实施后洗净处理(步骤S110)。此时，控制部60也可将闸阀32g连续打开或间歇打开，从而实施多次处理容器10内的离子交换水的更换。
控制部60关闭闸阀22g，并打开闸阀32g，使后洗净处理结束的处理容器10内的离子交换水排出(步骤S111)。
控制部60关闭闸阀32g，并打开闸阀21g、31g，向已排出离子交换水的处理容器10内供给氮气(步骤S112)。
控制部60使氮气持续向处理容器10内供给，从而对晶圆W及处理容器10内实施干燥处理(步骤S113)。
控制部60在干燥处理结束后，使晶圆保持部40的未图示的马达停止，从而停止晶圆W的旋转。
控制部60保持着打开闸阀21g的状态，关闭闸阀31g，使处理容器10内充满氮气，从而使处理容器10内恢复大气(步骤S114)。
控制部60控制未图示的搬送机构，使晶圆保持部40向上方移动，从而将晶圆W从处理容器10内搬出(步骤S115)。
通过以上步骤，实施方式的衬底处理装置1中的镀覆处理结束。
(比较例)
在半导体装置的制造工序中，有时会将晶圆浸渍于充满着镀覆液的处理容器内，来进行镀覆处理。但是，比较例的衬底处理装置所具备的处理容器为向大气中开放的状态，镀覆液有时会因氧化变质从而出现劣化。由此，有时会导致利用镀覆液进行的镀覆处理的性能下降。
另外，由于镀覆液暴露在大气中，因此存在大气中的杂质及异物混入到镀覆液中的情况。将晶圆搬入到处理容器内时，处于大气与晶圆接触的状态，因此也存在由晶圆将杂质及异物带入到处理容器内的镀覆液中的情况。如果镀覆液中包含杂质及异物，则有可能会在通过镀覆处理形成的金属膜与其它膜的界面中产生空隙，从而导致金属膜剥离。
根据实施方式的半导体装置的制造方法，向减压下的处理容器10内供给镀覆液来实施晶圆W的镀覆处理，并将镀覆液从处理容器10排出后，才将晶圆W从处理容器10内搬出。由此，可尽量避免使镀覆液暴露在大气中，抑制镀覆液因氧化产生变质及劣化，另外，可抑制杂质及异物混入到镀覆液中。
根据实施方式的半导体装置的制造方法，向镀覆处理前后的处理容器10内供给离子交换水，进行前洗净处理及后洗净处理。通过前洗净处理，可除去附着在晶圆W本身的杂质及异物、以及被带入到处理容器10内的杂质及异物，从而可进一步抑制杂质及异物混入到镀覆液中。通过后洗净处理，可将残留在晶圆W及处理容器10内的镀覆液冲走，从而可抑制镀覆液因之后的大气开放发生氧化，导致氧化后的镀覆液再次混入贮槽53等中。
根据实施方式的衬底处理装置1，其具备：处理容器10，将晶圆W收容于气密地密封的内部，并进行镀覆处理；排气部31，连接于处理容器10；以及镀覆液供给部23及镀覆液排出部33。由此，实现衬底处理装置1，其可尽量避免使镀覆液暴露在大气中，抑制镀覆液因氧化产生变质及劣化，另外，可抑制杂质及异物混入到镀覆液中。
(衬底处理装置的具体构成例)
此处，将所述实施方式的衬底处理装置1的具体例示于图7。图7是表示实施方式的衬底处理装置1的更详细构成的一例的图。
也就是说，图7是与所述图1实质上相同的衬底处理装置1的一例，其针对各部示出更具体构成的一例。但是，在图7中，省略了氮气供给部21、离子交换水供给部22、镀覆液供给部23、排气部31、离子交换水排出部32及镀覆液排出部33的一部分构成。以下，对各部的图1中未示出的具体构成例进行说明。
如图7所示，作为衬底保持部的晶圆保持部40如上所述具备基部41、晶圆保持台42及接触环43。
基部41具备壳体41b、马达41m、旋转连接器41r、心轴41s及线束41h。壳体41b配置在处理容器10的顶板12上方，且通过线束41h设置在顶板12上。在壳体41b的内部收容着马达41m及旋转连接器41r。
作为旋转机构的马达41m包含转子，经由连接于晶圆保持台42的顶板12侧的面的心轴41s，使晶圆保持台42旋转。心轴41s具有中空的柱状形状，将马达41m的转子与晶圆保持台42隔着顶板12连接。
在作为盖部的顶板12设置着供心轴41s通过的孔12t。在与心轴41s相接的孔12t的内壁面介置着1个或多个O形环14，从而将心轴41s与孔12t的接合面气密地密封。在孔12t的内壁面也可进一步涂有未图示的润滑脂等润滑剂。由此，可进一步提高心轴41s与孔12t的接合面中的气密性。
作为电荷传递部的旋转连接器41r配置在马达41m的外周端、及包围马达41m的外周端的位置，且构成为可从外部向与马达41m同步旋转的晶圆W供给电荷。具体地说，旋转连接器41r是从外部供给电荷，且包含与马达41m的外周端接触的刷状构件的集电环等。旋转连接器41r也可为包含磁性体等的构成，该磁性体根据从外部供给的交流电流产生磁场，从而非接触地将电荷供给到马达41m。在此情况下，衬底处理装置1还具备AC/DC(AlternatingCurrent/Direct Current，交流直流)转换器。
通过电荷供给机构70来实现向旋转连接器41r供给电荷。电荷供给机构70具备电线71及电源72。电荷供给机构70中也可包含旋转连接器41r。
电线71包含从电源72起经由旋转连接器41r、马达41m、心轴41s及晶圆保持台42而将电源72及接触环43连接的电线71、以及将电源72及阳极电极92连接的电线71。阳极电极92以与晶圆W的表面相对向的方式，例如配置在晶圆收容部11的底部，成为镀覆处理中的金属的补给源。
另外，也存在将通过心轴41s及晶圆保持台42的内部的电线71称为接触环43的支持棒的情况。如上所述，通过与晶圆W的表面接触的接触环43，从电源72向晶圆W供给电荷。
接触环43由接触环罩43s覆盖。接触环罩43s设置在晶圆保持台42的上表面侧也就是与保持晶圆W一侧相反的面，且构成为将从晶圆保持台42的侧面突出并延伸到晶圆W的表面侧的接触环43整体包围。在接触环罩43s与晶圆W的接触面，例如介置由特富龙等树脂构成的密封构件43s。由此，于在晶圆保持台42上保持着晶圆W的状态下，配置接触环43的空间由接触环罩43s气密地密封。
如上所述，晶圆W在晶圆收容部11的上方外侧被交接到晶圆保持台42。因此，即使在保持着晶圆W的晶圆保持台42浸渍于晶圆收容部11内的镀覆液后，配置接触环43的空间仍充满外部大气，从而抑制接触环43与镀覆液接触。
如上所述，保持于晶圆保持台42的晶圆W通过搬送机构80被搬入搬出到晶圆收容部11的内外。搬送机构80具备驱动装置81及线束82。驱动装置81构成为可使线束82上下移动。也可构成为，通过可上下移动地被支持于附近的固定构件的驱动装置81本身上下移动，而使线束82能够上下移动。线束82连接于顶板12的上表面。
如此，当驱动装置81使线束82上下移动时，连接线束82的顶板12、经由线束41h连接于顶板12的晶圆保持部40的基部41、及晶圆保持台42随着线束82的移动而上下移动。由此，将保持于晶圆保持台42的晶圆W搬入到晶圆收容部11或从晶圆收容部11搬出。
但是，将晶圆W搬入到处理容器10内及从处理容器10内搬出的搬送机构80的构成并不限于图7的例。例如，晶圆保持部40也可连接于与使顶板12上下移动的驱动装置81不同的驱动装置。在此情况下，晶圆保持部40可构成为通过本身所连接的驱动装置，与顶板12个别地上下移动，而无需通过线束41h等连接于顶板12。此时，晶圆保持部40与顶板12的上下移动无需同步，可通过驱动装置81打开顶板12后使晶圆保持部40上下移动，而将晶圆W搬入到处理容器10内及从处理容器10内搬出。
另外，离子交换水排出部32的排出口32s、及镀覆液排出部33的排出口33s也可设置在处理容器10的底面，而非图1的例所示的处理容器10的侧面。由此，除了更容易排出离子交换水及镀覆液以外，还可抑制这些液体排出后在处理容器10内部残留液体。
另外，在所述实施方式中，在镀覆处理前后进行使用离子交换水的前洗净处理及后洗净处理，且进行使用氮气的干燥处理，但这些处理并非必需的处理。另外，也可使前洗净处理及后洗净处理中所使用的冲洗液各不相同。
另外，在所述实施方式中，衬底处理装置1对晶圆W实施的处理为镀覆处理，但衬底处理装置所实施的处理并不限定于此。衬底处理装置所实施的处理例如也可为使用酸性溶液、碱性溶液、臭氧水等的晶圆W的洗净处理。另外，衬底处理装置中的洗净处理也是作为半导体装置的制造工序的一环而加以实施。在通过衬底处理装置实施洗净处理的情况下，也优选在洗净处理的前后实施使用离子交换水等的前洗净处理及后洗净处理。
对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出的，并未意欲限定发明范围。这些新颖的实施方式可通过其它各种形态加以实施，可在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围及主旨中，并且包含在权利要求书中记载的发明及其均等的范围内。
【符号说明】
1:衬底处理装置
10:处理容器
21:氮气供给部
22:离子交换水供给部
23:镀覆液供给部
31:排气部
32:离子交换水排出部
33:镀覆液排出部
40:晶圆保持部
60:控制部
LY:金属膜
W:晶圆。

Claims (11)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于将衬底搬入到处理容器内，
将被搬入所述衬底的所述处理容器密封，
将经密封的所述处理容器内减压，
向经减压的所述处理容器内供给处理液，
使用所述处理液实施所述衬底的处理，
将用于所述处理的所述处理液从所述处理容器排出，
在排出所述处理液后，将所述处理容器开封，
从所述处理容器搬出所述处理后的所述衬底。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述处理是镀覆处理及洗净处理的至少任一种。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述处理为镀覆处理，且
在供给所述处理液前，向所述处理容器内供给第1冲洗液，实施所述衬底的洗净处理。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于所述处理为镀覆处理，且
在所述处理之后，向所述处理容器内供给第2冲洗液，实施所述衬底的洗净处理。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在排出所述处理液后且将所述处理容器开封前，向所述处理容器内供给惰性气体。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于向所述处理容器内供给所述惰性气体是包括将惰性气体供给到所述处理容器内，将所述处理容器内设为大气压。
7.一种衬底处理装置，其特征在于具备：
衬底收容部；
盖部，经由密封部而与所述衬底收容部连接，由此形成可密封的处理容器；
衬底保持部，可在所述处理容器中保持衬底；
第1开口，设置于所述处理容器，对所述处理容器内供给惰性气体；
第2开口，设置于所述处理容器，对所述处理容器内供给冲洗液；
第3开口，设置于所述处理容器，对所述处理容器内供给处理液；
第4开口，设置于所述处理容器，排出所述处理容器内的气体；
第5开口，设置于所述处理容器，从所述处理容器内排出所述冲洗液；及
第6开口，设置于所述处理容器，从所述处理容器内排出所述处理液。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于还具备控制部，该控制部对分别连接于所述第1～第6开口的第1～第6阀进行控制，
所述控制部是：
打开所述第4阀，排出经密封的所述处理容器内的气体而将所述处理容器内减压，
打开所述第2阀，向减压下的所述处理容器内供给所述冲洗液，
打开所述第5阀，将所述冲洗液从所述处理容器内排出，
打开所述第3阀，向经排出所述冲洗液的所述处理容器内供给所述处理液，
通过所供给的所述处理液处理所述衬底，
在所述衬底的处理结束后，打开所述第6阀，将所述处理液从所述处理容器内排出，
打开所述第2阀，向经排出所述处理液的所述处理容器内供给所述冲洗液，
打开所述第5阀，将所述冲洗液从所述处理容器内排出，且
打开所述第1阀，向经排出所述冲洗液的所述处理容器内供给所述惰性气体。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于所述控制部是：
在打开所述第4阀将所述处理容器内减压前，将所述衬底搬入到所述处理容器内，
在打开所述第1阀，向所述处理容器内供给所述惰性气体之后，从所述处理容器内搬出所述衬底。
10.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于所述控制部至少在打开所述第6阀排出所述处理液前，关闭所述第3阀，停止向所述处理容器内供给所述处理液。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的衬底处理装置，其特征在于还具备使从所述第6开口排出的所述处理液朝所述第3开口循环的循环机构。
CN202110209722.8A 2020-09-11 2021-02-24 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 Pending CN114164470A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-152917 2020-09-11
JP2020152917 2020-09-11
JP2020201582A JP2022047463A (ja) 2020-09-11 2020-12-04 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2020-201582 2020-12-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114164470A true CN114164470A (zh) 2022-03-11

Family

ID=80476255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110209722.8A Pending CN114164470A (zh) 2020-09-11 2021-02-24 半导体装置的制造方法及衬底处理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220084813A1 (zh)
CN (1) CN114164470A (zh)
TW (1) TWI771922B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI771922B (zh) * 2020-09-11 2022-07-21 日商鎧俠股份有限公司 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114228A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
US6544585B1 (en) * 1997-09-02 2003-04-08 Ebara Corporation Method and apparatus for plating a substrate
JP2007096103A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2010070780A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Ebara Corp 電解処理装置及び電解処理方法
JP2013149666A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
CN103305886A (zh) * 2012-03-13 2013-09-18 诺发系统公司 用于润湿预处理以进行贯通抗蚀剂金属电镀的方法和装置
US20140097088A1 (en) * 2009-06-17 2014-04-10 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
US20220084813A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 Kioxia Corporation Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2022047463A (ja) * 2020-09-11 2022-03-24 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1027481A1 (en) * 1997-09-30 2000-08-16 Semitool, Inc. Electroplating system having auxiliary electrode exterior to main reactor chamber for contact cleaning operations
US7827930B2 (en) * 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US20170226656A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-10 Ebara Corporation Apparatus and method for supplying plating solution to plating tank, plating system, powder container, and plating method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6544585B1 (en) * 1997-09-02 2003-04-08 Ebara Corporation Method and apparatus for plating a substrate
JP2000114228A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP2007096103A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2010070780A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Ebara Corp 電解処理装置及び電解処理方法
US20140097088A1 (en) * 2009-06-17 2014-04-10 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
JP2013149666A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
CN103305886A (zh) * 2012-03-13 2013-09-18 诺发系统公司 用于润湿预处理以进行贯通抗蚀剂金属电镀的方法和装置
US20220084813A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 Kioxia Corporation Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2022047463A (ja) * 2020-09-11 2022-03-24 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202211346A (zh) 2022-03-16
TWI771922B (zh) 2022-07-21
US20220084813A1 (en) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100385037B1 (ko) 세정장치및세정방법
JP4516966B2 (ja) 半導体製造装置、基板の装填脱装方法および半導体装置の製造方法
CN110364431B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR100455903B1 (ko) 세정건조처리장치
KR101377194B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI385747B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate transfer method
US20090056764A1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
CN110364453B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2014107296A (ja) 基板処理装置、蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器内パージ方法
CN108242392B (zh) 基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法
CN108699722B (zh) 镀覆装置及镀覆方法
TW591691B (en) Cleaning apparatus for semiconductor wafer
TWI771922B (zh) 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
JP2006086308A (ja) 半導体製造装置
JP4255222B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2022047463A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2005079250A (ja) 基板処理装置
US20150053239A1 (en) Wafer carrier cleaning method
US20230130419A1 (en) Method for cleaning semiconductor devices
JP2002136935A (ja) 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
CN110491789B (zh) 基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统
JPH03188631A (ja) 処理装置
KR102374872B1 (ko) 개선된 기판 구획부 세정
JP4728383B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20240087931A1 (en) Wafer transfer carrier and semiconductor device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination