CN114164398A - 沉积设备 - Google Patents

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Abstract

实施例提供了一种沉积设备，所述沉积设备包括掩模框架、开口片、沉积掩模和静电吸盘。在掩模框架中，限定有第一开口部。开口片设置在掩模框架上。在开口片中，限定有与第一开口部叠置的第二开口部。沉积掩模设置在开口片上。在沉积掩模中，限定有与第二开口部叠置的多个第三开口部。静电吸盘设置在沉积掩模上并且其上设置有基底。基底设置在静电吸盘的表面上，并且AC电力施加到沉积掩模。

Description

沉积设备
本专利申请要求于2020年9月11日提交的第10-2020-0117119号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包括于此。
技术领域
在这里的本公开涉及一种沉积设备以及沉积设备的掩模安放方法。
背景技术
通常，有机发光二极管(OLED)显示装置具有优异的亮度特性和观看角度特性，并且作为下一代平板显示器而受到关注。OLED显示装置不需要液晶显示器所需的单独的光源。由于OLED显示装置不需要单独的光源，所以它可以以轻质和薄的形式制造。此外，OLED显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高反应速度的特性。
OLED显示装置包括多个发光元件，每个发光元件包括阳极、发光层和阴极。空穴和电子分别从阳极和阴极注入到发光层中以形成激子。当激子跃迁到基态时，发光元件发射光。在发光元件的制造期间，掩模放置在基底上，并且用于穿过掩模的开口部形成发光层的有机材料设置在基底上。
发明内容
本公开提供了一种能够将沉积掩模容易地安放在基底上的沉积设备以及沉积设备的掩模安放方法。
发明构思的实施例提供了一种包括掩模框架、开口片、沉积掩模和静电吸盘的沉积设备。在掩模框架中，限定有第一开口部。开口片设置在掩模框架上。在开口片中，限定有与第一开口部叠置的第二开口部。沉积掩模设置在开口片上。在沉积掩模中，限定有与第二开口部叠置的多个第三开口部。静电吸盘设置在沉积掩模上并且其上设置有基底。基底设置在静电吸盘的表面上，并且AC电力施加到沉积掩模。
在发明构思的实施例中，一种沉积设备包括掩模框架、开口片、沉积掩模和静电吸盘。在掩模框架中，限定有第一开口部。开口片设置在掩模框架上。在开口片中，限定有与第一开口部叠置的第二开口部。沉积掩模设置在开口片上。在沉积掩模中，限定有与第二开口部叠置的多个第三开口部。静电吸盘设置在沉积掩模上并且其上设置有基底。基底设置在静电吸盘的表面上。沉积掩模包括聚合物掩模以及设置在聚合物掩模的表面上的导电层。基底和导电层以不同的极性充电。
在发明构思的实施例中，一种沉积设备的掩模安放方法包括在掩模框架上设置开口片，掩模框架中限定有第一开口部，开口片中限定有与第一开口部叠置的第二开口部。在开口片上设置沉积掩模，沉积掩模中限定有与第二开口部叠置的多个第三开口部。在沉积掩模上设置静电吸盘。在静电吸盘中产生静电力以将基底设置在静电吸盘的表面上。将基底接地，并且将AC电力施加到沉积掩模以将沉积掩模设置为靠近基底。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的实施例，并且与描述一起用于说明发明构思的原理。
图1是根据发明构思的实施例的沉积设备的透视图。
图2是如在图1中所示的掩模框架、开口片和沉积掩模上方观察的掩模框架、开口片和沉积掩模的平面图。
图3是示出将开口片连接到图1中所示的掩模框架的方法的图。
图4A和图4B是用于说明将沉积掩模连接到图1中所示的开口片的方法的图。
图5是示出沿着图1中所示的第一引导沟槽、第二引导沟槽和第三引导沟槽移动的基底支撑部的图。
图6是沿着图1中所示的线I-I'截取的剖面图。
图7是示出其中基底与图6中所示的静电吸盘的下表面接触的状态的视图。
图8是示出其中图7中所示的基底向下移动并设置在沉积掩模上的状态的图。
图9是示出其中靠近基底设置图8中所示的沉积掩模的状态的图。
图10是用于说明当图9中所示的沉积掩模安放在基底上时执行的沉积工艺的视图。
图11是通过使用图1中所示的沉积设备制造的显示面板的平面图。
图12是通过示例的方式示出图11中所示的一个像素的剖面的图。
图13A是用于说明图10中所示的沉积工艺的图。
图13B是用于说明在其中沉积掩模未安放在基底上的状态下执行的沉积工艺的图。
图14、图15和图16是示出根据发明构思的实施例的沉积设备的视图。
具体实施方式
在本说明书中，当诸如元件、区域、层、部分等的组件被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，这意为其可以直接放置在所述另一组件上/直接连接到所述另一组件/直接结合到所述另一组件，或者第三组件可以布置在它们之间。
同样的附图标记表示同样的元件。另外，在附图中，为了有效的描述，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
“和/或”包括由相关组件限定的一个或更多个组合的全部。
应当理解的是，术语“第一”和“第二”在这里用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离发明构思的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，反之亦然。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
另外，诸如“在……下方”、“下侧”、“在……上”和“上侧”的术语用于描述附图中所示的构造的关系。术语被描述为基于附图中所示的方向且不一定基于重力参照的相对概念。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。另外，在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非术语在这里被明确定义，否则不以理想化的或过于形式化的意义解释。
在发明构思的各种实施例中，术语“包括”、“包含”或其变型说明性质、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件，但不排除其他的性质、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件。
在下文中，将参照附图详细描述发明构思的实施例。
图1是根据发明构思的实施例的沉积设备DEA的透视图。
参照图1，根据发明构思的实施例的沉积设备DEA可以包括掩模框架MF、开口片OPS、沉积掩模DMK、静电吸盘ESC和转移单元MOV。
掩模框架MF可以具有四边形形状，具有在第一方向DR1上延伸的侧表面以及在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的侧表面。掩模框架MF可以具有矩形框架形状，但是掩模框架MF的形状可以是除了矩形形状之外的形状。
第一开口部OP1可以限定在掩模框架MF中。第一开口部OP1可以具有矩形形状，但是第一开口部OP1的形状可以是除了矩形形状之外的形状。
掩模框架MF可以包括金属材料。例如，掩模框架MF可以包括因瓦合金或不锈钢。
在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面交叉的方向被限定为第三方向DR3。第三方向DR3可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本垂直地相交。在本说明书中，“当在平面上观察时”的含义可以意为从第三方向DR3观察的状态。
多个第一引导沟槽GG1可以限定在掩模框架MF的边缘上。掩模框架MF的与掩模框架MF的外表面OS相对的内表面IS限定第一开口部OP1。外表面OS可以限定为掩模框架MF的边缘。第一引导沟槽GG1可以限定在掩模框架MF的外表面OS上。
第一引导沟槽GG1可以通过从掩模框架MF的外表面OS朝向掩模框架MF的内表面IS凹陷预定的深度而形成。第一引导沟槽GG1可以在第三方向DR3上延伸。
开口片OPS可以设置在掩模框架MF上。开口片OPS可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。开口片OPS可以具有四边形形状，具有在第一方向DR1上延伸的侧表面以及在第二方向DR2上延伸的侧表面，但是开口片OPS的形状可以是除了四边形形状之外的形状。
多个第二开口部OP2可以限定在开口片OPS中。第二开口部OP2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。当在平面上观察时，第二开口部OP2可以与第一开口部OP1叠置。第二开口部OP2可以具有矩形形状，但是第二开口部OP2的形状可以是除了矩形形状之外的形状。
连接沟槽CG可以限定在开口片OPS的上表面上，相邻于开口片OPS的边缘。连接沟槽CG可以通过从开口片OPS的上表面朝向开口片OPS的下表面凹陷预定的深度而形成。
连接沟槽CG可以沿着开口片OPS的边缘延伸。连接沟槽CG可以具有矩形的单个闭合曲线形状，但是连接沟槽CG的形状可以是除了矩形的单个闭合曲线形状之外的形状。将在下面详细描述连接沟槽CG的功能。第二开口部OP2可以设置在由连接沟槽CG限定的区域中。
多个第二引导沟槽GG2可以限定在开口片OPS的边缘处。开口片OPS的边缘可以限定为限定开口片OPS的四边形形状(例如，正方形形状)的侧表面。第二引导沟槽GG2可以通过在开口片OPS的边缘处朝向连接沟槽CG凹陷预定的深度而形成。当在平面上观察时，第二引导沟槽GG2可以与第一引导沟槽GG1叠置。
基于第三方向DR3，开口片OPS可以具有小于掩模框架MF的厚度的厚度。例如，开口片OPS可以具有10μm至150μm的厚度。开口片OPS可以包括金属材料。例如，开口片OPS可以包括因瓦合金或不锈钢。
沉积掩模DMK可以设置在开口片OPS上。沉积掩模DMK可以由开口片OPS支撑。沉积掩模DMK可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。沉积掩模DMK可以具有四边形形状，具有在第一方向DR1上延伸的侧表面以及在第二方向DR2上延伸的侧表面，但是沉积掩模DMK的形状可以是除了四边形形状之外的形状。
多个单元区CEA可以限定在沉积掩模DMK中。单元区CEA可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。当在平面上观察时，单元区CEA可以与第二开口部OP2叠置。单元区CEA可以具有对应于第二开口部OP2的形状。例如，单元区CEA可以具有矩形形状。
多个第三开口部OP3可以限定在单元区CEA中的每个中。第三开口部OP3可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。当在平面上观察时，第三开口部OP3可以与第二开口部OP2叠置。例如，第三开口部OP3可以具有矩形形状，但是第三开口部OP3的形状可以是除了矩形形状之外的形状。
多个第三引导沟槽GG3可以限定在沉积掩模DMK的边缘处。沉积掩模DMK的边缘可以限定为限定沉积掩模DMK的四边形形状(例如，正方形形状)的边。第三引导沟槽GG3可以通过从沉积掩模DMK的边缘朝向沉积掩模DMK的内部凹陷预定的深度而形成。当在平面上观察时，第三引导沟槽GG3可以与第二引导沟槽GG2叠置。
沉积掩模DMK可以包括聚合物掩模PM以及设置在聚合物掩模PM下面的导电层CDL。聚合物掩模PM和导电层CDL可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。聚合物掩模PM和导电层CDL可以具有四边形形状，具有在第一方向DR1上延伸的侧表面以及在第二方向DR2上延伸的侧表面。
聚合物掩模PM可以包括塑料材料。例如，聚合物掩模PM可以包括聚合物膜。聚合物掩模PM可以包括诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的聚合物材料。例如，基于第三方向DR3，聚合物掩模PM可以具有5μm至15μm的厚度。
聚合物掩模PM的价格可以比由金属形成的金属掩模的价格便宜。此外，聚合物掩模PM可以具有比金属掩模低的腐蚀和高的耐腐蚀性。
导电层CDL可以设置在聚合物掩模PM的下表面上。导电层CDL可以设置为接触聚合物掩模PM的下表面。导电层CDL可以包括金属材料。例如，导电层CDL可以包括钛(Ti)，但是导电层CDL的金属材料可以包括除了钛之外的金属材料。基于第三方向DR3，导电层CDL可以具有
Figure BDA0003250142500000061
至
Figure BDA0003250142500000062
的厚度。
上述第三开口部OP3可以限定在聚合物掩模PM和导电层CDL中。上述第三引导沟槽GG3可以限定在聚合物掩模PM和导电层CDL中。
静电吸盘ESC可以设置在沉积掩模DMK上。静电吸盘ESC可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。静电吸盘ESC可以具有四边形形状，具有在第一方向DR1上延伸的侧表面以及在第二方向DR2上延伸的侧表面，但是静电吸盘ESC的形状可以是除了四边形形状之外的形状。静电吸盘ESC可以产生静电电力，有时称为静电力。
转移单元MOV可以设置在静电吸盘ESC上。转移单元MOV可以具有在第三方向DR3上延伸的圆柱形形状。转移单元MOV可以连接到静电吸盘ESC的上部。转移单元MOV可以在第三方向DR3上移动以在第三方向DR3上转移静电吸盘ESC。
图2是如在图1中所示的掩模框架MF、开口片OPS和沉积掩模DMK上方观察的掩模框架MF、开口片OPS和沉积掩模DMK的平面图。
参照图2，当在平面上观察时，开口片OPS的边缘可以设置在掩模框架MF的外表面OS与掩模框架MF的内表面IS之间。当在平面上观察时，在开口片OPS中限定的第二开口部OP2可以与第一开口部OP1叠置。当在平面上观察时，限定在开口片OPS中的连接沟槽CG可以设置在掩模框架MF的内表面IS与开口片OPS的边缘之间。
当在平面上观察时，沉积掩模DMK的边缘可以设置在掩模框架MF的外表面OS与掩模框架MF的内表面IS之间。当在平面上观察时，限定在沉积掩模DMK中的单元区CEA可以与第一开口部OP1叠置。
当在平面上观察时，单元区CEA可以分别与第二开口部OP2叠置。当在平面上观察时，分别限定在单元区CEA中的第三开口部OP3可以与第二开口部OP2之中的对应的第二开口部OP2叠置。
当在平面上观察时，第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3可以彼此叠置。
沉积设备DEA可以包括设置为与连接沟槽CG叠置的多个连接条CB。连接条CB可以设置在沉积掩模DMK上，并且可以相邻于沉积掩模DMK的边缘。连接条CB可以沿着沉积掩模DMK的边缘设置。
连接条CB可以包括在第一方向DR1上延伸的连接条CB以及在第二方向DR2上延伸的连接条CB。连接条CB的端部可以设置为彼此相邻，或者可以设置为彼此接触。连接条CB可以包括金属材料。例如，连接条CB可以包括因瓦合金或不锈钢。
图3是示出将开口片OPS连接到图1中所示的掩模框架MF的方法的图。
例如，在图3中，示出了从第一方向DR1观察的掩模框架MF的一部分以及开口片OPS的一部分的剖面。
参照图3，可以在掩模框架MF上设置开口片OPS。开口片OPS的下表面可以接触掩模框架MF的上表面。
可以通过激光焊接将开口片OPS连接到掩模框架MF。例如，可以对开口片OPS与掩模框架MF之间的接触表面CTS提供激光LAR。通过激光LAR熔化开口片OPS与掩模框架MF之间的接触表面CTS，使得开口片OPS可以连接到掩模框架MF。
图4A和图4B是用于说明将沉积掩模DMK连接到图1中所示的开口片OPS的方法的图。
例如，在图4A和图4B中示出了从第一方向DR1观察的掩模框架MF的一部分、开口片OPS的一部分以及沉积掩模DMK的一部分的剖面。
参照图4A，可以在沉积掩模DMK上设置连接条CB。连接条CB可以设置为与连接沟槽CG叠置。沉积掩模DMK的与连接沟槽CG和连接条CB叠置的部分可以朝向连接沟槽CG凹陷。
沉积掩模DMK的与连接沟槽CG叠置的部分可以凹陷在连接沟槽CG中。连接条CB可以设置在沉积掩模DMK的通过连接沟槽CG凹陷的凹陷部CGP处。
如果连接沟槽CG未限定在开口片OPS中，则沉积掩模DMK设置在平坦的开口片OPS上，并且连接条CB可以设置在平坦的沉积掩模DMK上。因此，连接条CB可以突出得高于沉积掩模DMK。在这种情况下，当下面描述的基底设置为相邻于沉积掩模DMK的上表面时，基底可能会由于接触连接条CB而损坏。
在发明构思的实施例中，连接条CB可以设置在沉积掩模DMK的凹陷部CGP中。因此，连接条CB可以设置为至少在与沉积掩模DMK的上表面相同的高度处或者在低于沉积掩模DMK的上表面处。因为连接条CB没有突出得高于沉积掩模DMK，所以基底不会接触连接条CB。
参照图4B，沉积掩模DMK可以通过连接条CB连接到开口片OPS。例如，可以对与连接沟槽CG叠置的沉积掩模DMK和开口片OPS提供激光LAR。由激光LAR熔化连接条CB、沉积掩模DMK和开口片OPS，使得连接条CB可以连接到沉积掩模DMK的导电层CDL和开口片OPS。
图5是示出沿着图1中所示的第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3移动的基底支撑部SSP的图。
例如，图5示出了其中限定有第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3的掩模框架MF的一部分、开口片OPS的一部分以及沉积掩模DMK的一部分。
参照图5，沉积设备DEA还可以包括基底支撑部SSP。可以设置多个基底支撑部SSP以支撑基底，并且该构造将在下面的图6中示出。基底支撑部SSP可以在第三方向DR3上移动。基底支撑部SSP可以在上方向和下方向上往复运动，例如，在第三方向DR3上上下往复运动。
当基底支撑部SSP在第三方向DR3上移动时，它可以沿着第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3移动。因此，当在第三方向DR3上移动时，基底支撑部SSP可以不接触掩模框架MF、开口片OPS和沉积掩模DMK。
基底支撑部SSP可以包括用于支撑基底的支撑部SP以及在第三方向DR3上从支撑部SP延伸的延伸部EXP。基本上，支撑部SP可以沿着第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3移动。
图6是沿着图1中所示的线I-I'截取的剖视图。
在下文中，参照图6、图7、图8和图9，将描述其中将沉积掩模DMK安放在基底SUB上的方法。
参照图6，可以在掩模框架MF上设置开口片OPS，可以在开口片OPS上设置沉积掩模DMK，可以在沉积掩模DMK上设置基底SUB。可以在基底SUB上设置静电吸盘ESC。基底SUB可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。
多个基底支撑部SSP可以支撑基底SUB。例如，基底SUB可以设置在基底支撑部SSP的支撑部SP上。支撑部SP可以设置在基底SUB的相邻于基底SUB的边缘的部分下面以支撑基底SUB。由基底支撑部SSP支撑的基底SUB可以设置在静电吸盘ESC与沉积掩模DMK之间。
当在平面上观察时，基底支撑部SSP可以设置为与第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3叠置。例如，基底支撑部SSP可以设置为与图1中所示的第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3叠置。因此，基底支撑部SSP可以沿着静电吸盘ESC的边缘、开口片OPS的边缘以及沉积掩模DMK的边缘设置。
支撑部SP可以在平行于基底SUB的平面的方向上延伸。参照图1和图6，设置在限定在静电吸盘ESC、开口片OPS和沉积掩模DMK的在第一方向DR1上彼此相对的两侧上的第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3中的支撑部SP可以在第一方向DR1上延伸。
尽管图中未示出，但是设置在限定在静电吸盘ESC、开口片OPS和沉积掩模DMK的在第二方向DR2上彼此相对的两侧上的第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3中的支撑部SP可以在第二方向DR2上延伸。
静电吸盘ESC可以包括壳HOS、设置在壳HOS中的多个第一电极EL1以及设置在壳HOS中的多个第二电极EL2。第一电极EL1和第二电极EL2可以在第一方向DR1上交替地设置。尽管图中未示出，但是第一电极EL1和第二电极EL2也可以在第二方向DR2上交替地设置。
第一电极EL1可以具有第一极性。第二电极EL2可以具有与第一极性相反的第二极性。例如，第一极性可以具有正极性(+)，第二极性可以具有负极性(-)。然而，在实施例中，第一极性可以具有负极性(-)，第二极性可以具有正极性(+)。
静电吸盘ESC可以连接到电源PS。电源PS可以连接到第一电极EL1和第二电极EL2。电源PS可以包括被限定为阳极的一个端子以及被限定为阴极的另一端子。电源PS的一个端子连接到第一电极EL1，使得第一电极EL1可以具有正极性。电源PS的另一端子连接到第二电极EL2，使得第二电极EL2可以具有负极性。
当电源PS施加到静电吸盘ESC时，可以在静电吸盘ESC中产生静电电力(静电力)。例如，当电源PS施加到第一电极EL1和第二电极EL2时，可以产生静电电力(静电力)。
静电吸盘ESC可以通过转移单元MOV在第三方向DR3上转移。静电吸盘ESC可以朝向基底SUB移动。
设置在掩模框架MF上的开口片OPS可以接触掩模框架MF的上表面。设置在开口片OPS上的沉积掩模DMK可以接触开口片OPS的上表面。沉积掩模DMK的导电层CDL可以接触开口片OPS的上表面。
AC电力AC_PS可以施加到沉积掩模DMK。AC电力AC_PS可以施加到沉积掩模DMK的导电层CDL。当AC电力AC_PS的正电压和负电压(+，-)施加到沉积掩模DMK时，它们可以交变。
AC电力AC_PS可以连接到掩模框架MF。AC电力AC_PS可以通过彼此接触的掩模框架MF和开口片OPS施加到导电层CDL。
基底SUB可以接地。例如，基底SUB可以包括金属层，并且接地端子GND可以连接到金属层。具体地，基底SUB的金属层可以包括布线以及连接到布线的垫(pad，也可称为焊盘)。垫连接到接地端子GND，使得基底SUB可以接地。垫和布线将在下面的图11中示出。
图7是示出其中基底SUB与图6中所示的静电吸盘ESC的下表面接触的状态的视图。
参照图7，静电吸盘ESC可以在第三方向DR3上朝向基底SUB移动以相邻于基底SUB。静电吸盘ESC可以产生静电电力，可以通过静电电力在基底SUB与静电吸盘ESC之间产生吸引力。换句话说，静电吸盘ESC可以产生静电，因此可以在基底SUB与静电吸盘ESC之间产生吸引的静电力。因此，基底SUB可以与静电吸盘ESC的下表面紧密接触。
当执行沉积工艺时，应该固定基底SUB。基底SUB可以通过从静电吸盘ESC产生的静电电力通过接触静电吸盘ESC的下表面而固定到静电吸盘ESC。
例示地，基底SUB在图6中示出为平坦的，但是实际上，当基底支撑部SSP支撑基底SUB的边缘时，基底SUB可能会由于重力而下垂。因为基底SUB通过静电电力与静电吸盘ESC的下表面接触，所以基底SUB可以平坦展开而不会下垂。
尽管图中未示出，但是转移单元MOV可以基于平行于第三方向DR3的旋转轴旋转以旋转静电吸盘ESC。静电吸盘ESC旋转，使得基底SUB可以对准以正常地与沉积掩模DMK叠置。
图8是示出其中图7中所示的基底SUB向下移动并设置在沉积掩模DMK上的状态的图。图9是示出其中靠近基底SUB设置图8中所示的沉积掩模DMK的状态的图。
参照图8，静电吸盘ESC可以通过转移单元MOV朝向沉积掩模DMK移动。另外，基底SUB可以通过基底支撑部SSP在第三方向DR3上移动，并且可以朝向沉积掩模DMK移动。
基底支撑部SSP可以沿着第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3移动。基底支撑部SSP可以设置在第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3中，使得基底SUB设置为相邻于沉积掩模DMK。例如，支撑部SP可以设置在第一引导沟槽GG1、第二引导沟槽GG2和第三引导沟槽GG3中，使得基底SUB设置为相邻于沉积掩模DMK。
由静电吸盘ESC产生的静电电力会被基底SUB的金属层阻挡，并且不会传输到沉积掩模DMK。因此，需要用于将沉积掩模DMK拉到基底SUB的装置。
在发明构思的实施例中，因为基底SUB接地，并且正电压和负电压(+，-)交变并施加到导电层CDL，所以可以在基底SUB与导电层CDL之间产生静电电力。也就是说，将基底SUB接地，并且将正电压和负电压(+，-)交变且施加到导电层CDL，从而可以在基底SUB与导电层CDL之间产生吸引力。
沉积掩模DMK和开口片OPS可能会由于重力而下垂。沉积掩模DMK和开口片OPS可以通过在基底SUB与导电层CDL之间产生的吸引力朝向基底SUB移动。
参照图8和图9，沉积掩模DMK的导电层CDL可以通过在基底SUB与导电层CDL之间产生的吸引力朝向基底SUB移动。当导电层CDL朝向基底SUB移动时，设置在导电层CDL上的聚合物掩模PM也可以朝向基底SUB移动。
沉积掩模DMK可以朝向基底SUB移动，使得可以靠近基底SUB设置沉积掩模DMK。因此，可以最小化沉积掩模DMK与基底SUB之间的间隔。沉积掩模DMK的状态可以被限定为其中沉积掩模DMK安放在基底SUB上的状态。
沉积掩模DMK可以设置为靠近基底SUB，或者可以接触基底SUB。聚合物掩模PM可以设置为靠近基底SUB，或者可以接触基底SUB。下垂的沉积掩模DMK可以朝向基底SUB向上移动以更平坦地展开。更具体地，由于在下垂的沉积掩模DMK与基底SUB之间的吸引力，下垂的沉积掩模DMK可以如图9中所示变得平坦，以减小或消除在下垂的沉积掩模DMK与基底SUB之间的任何空间(参见图8)。
当执行沉积工艺时，必须靠近基底SUB设置沉积掩模DMK，使得可以在沉积区中正常地提供沉积材料。将在下面参照图13A和图13B描述该沉积工艺。
在发明构思的实施例中，通过在聚合物掩模PM下方设置导电层CDL，可以通过导电层CDL来靠近基底SUB设置聚合物掩模PM。因此，可以正常地执行沉积工艺。
可以通过掩模框架MF将AC电力AC_PS施加到开口片OPS。将基底SUB接地，并且将正电压和负电压(+，-)交变且施加到开口片OPS，使得可以在基底SUB与开口片OPS之间产生静电力。也就是说，还可以在基底SUB与开口片OPS之间产生吸引力。
开口片OPS可以通过在基底SUB与开口片OPS之间产生的吸引力而朝向基底SUB移动。下垂的开口片OPS可以朝向基底SUB向上移动，以更平坦地展开。
图10是用于说明当图9中所示的沉积掩模DMK安放在基底SUB上时执行的沉积工艺的视图。
参照图10，坩埚CR可以设置在掩模框架MF下面以面向沉积掩模DMK。例如，示出了一个坩埚CR，但是实际上多个坩埚CR可以设置在沉积掩模DMK下面。
喷嘴NZ可以设置在坩埚CR上。沉积材料DPM可以容纳在坩埚CR中。尽管图中未示出，但是用于加热坩埚CR的热源可以设置在坩埚CR中。尽管图中未示出，但是坩埚CR、沉积掩模DMK、开口片OPS、掩模框架MF和静电吸盘ESC可以设置在显示装置的制造工艺中使用的真空腔室中。
可以加热坩埚CR，可以蒸发沉积材料DPM，并且可以通过喷嘴NZ向上喷射沉积材料DPM。蒸发的沉积材料DPM可以穿过第一开口部OP1、第二开口部OP2和第三开口部OP3，以提供到基底SUB。沉积材料DPM可以包括用于形成发光层的材料。沉积材料DPM设置在基底SUB的下表面上，使得可以形成发光层。发光层将在下面的图12中示出。
图11是通过使用图1中所示的沉积设备DEA制造的显示面板DP的平面图。
参照图11，显示面板DP可以具有矩形形状，具有在第一方向DR1上延伸的长边以及在第二方向DR2上延伸的短边，但是显示面板DP的形状可以是除了矩形形状之外的形状。显示面板DP可以包括显示部DA以及围绕显示部DA的非显示部NDA。
显示面板DP可以是发光显示面板。显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点和/或量子棒。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发射线ECL1至ECLm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、第一电力线PL1和第二电力线PL2、连接线CNL以及多个垫PD，其中，m和n是自然数。
像素PX可以设置在显示部DA中。扫描驱动器SDV和发射驱动器EDV可以分别设置在非显示部NDA中，相邻于显示面板DP的长边。数据驱动器DDV可以设置在非显示部NDA中，相邻于显示面板DP的短边中的一个。当在平面上观察时，数据驱动器DDV可以相邻于显示面板DP的下端。
扫描线SL1至SLm可以在第二方向DR2上延伸，并且可以连接到像素PX和扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第一方向DR1上延伸以连接到像素PX和数据驱动器DDV。发射线ECL1至ECLm在第二方向DR2上延伸，并可以连接到像素PX和发射驱动器EDV。
第一电力线PL1可以在第一方向DR1上延伸，并且可以设置在非显示部NDA中。第一电力线PL1可以设置在显示部DA与发射驱动器EDV之间。然而，在实施例中，第一电力线PL1可以设置在显示部DA与扫描驱动器SDV之间。
连接线CNL可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上布置。连接线CNL可以连接到第一电力线PL1和像素PX。第一电压可以通过彼此连接的第一电力线PL1和连接线CNL施加到像素PX。
第二电力线PL2可以设置在非显示部NDA中。第二电力线PL2可以沿着显示面板DP的长边且沿着显示面板DP的其上未设置有数据驱动器DDV的另一短边延伸。第二电力线PL2可以设置在扫描驱动器SDV和发射驱动器EDV外侧。
尽管未示出，但是第二电力线PL2可以朝向显示部DA延伸以连接到像素PX。具有低于第一电压的电平的第二电压可以通过第二电力线PL2施加到像素PX。
当在平面上观察时，第一控制线CSL1可以连接到扫描驱动器SDV，并且可以朝向显示面板DP的下端延伸。当在平面上观察时，第二控制线CSL2可以连接到发射驱动器EDV，并且可以朝向显示面板DP的下端延伸。数据驱动器DDV可以设置在第一控制线CSL1与第二控制线CSL2之间。
垫PD可以设置在显示面板DP上。垫PD可以比数据驱动器DDV靠近显示面板DP的下端。数据驱动器DDV、第一电力线PL1、第二电力线PL2、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以连接到垫PD。数据线DL1至DLn可以连接到数据驱动器DDV，并且数据驱动器DDV可以连接到与数据线DL1至DLn对应的垫PD。
图1中所示的单元区CEA中的每个可以对应于图11中所示的显示面板DP。一个显示面板DP的发光元件可以通过一个单元区CEA形成。多个显示面板DP的发光元件可以通过沉积掩模DMK的单元区CEA形成。
对应于显示面板DP的单元区可以限定在上述基底SUB中。在单元区中形成发光元件之后，可以切割单元区。因此，可以制造图11中所示的显示面板DP。
尽管图中未示出，但是用于控制扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV和发射驱动器EDV的操作的时序控制器以及用于产生第一电压和第二电压的电压产生单元可以设置在印刷电路板上。时序控制器和电压产生单元可以通过印刷电路板连接到对应的垫PD。
扫描驱动器SDV可以产生多个扫描信号，并且扫描信号可以通过扫描线SL1至SLm施加到像素PX。数据驱动器DDV可以产生多个数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1至DLn施加到像素PX。发射驱动器EDV可以产生多个发射信号，并且发射信号可以通过发射线ECL1至ECLm施加到像素PX。
响应于扫描信号，像素PX可以提供有数据电压。响应于发射信号，像素PX可以通过发射具有与数据电压对应的亮度的光而显示图像。像素PX的发射时间可以由发射信号控制。
上述布线可以包括数据线DL1至DLn。连接到上述布线的垫可以包括图11中所示的垫PD。其上未形成有像素PX的发光层的显示面板DP可以被限定为上述基底SUB。
将在下面参照图13A和图13B描述其上未形成有发光层的基底SUB的剖面结构。垫PD形成在基底SUB上，并且基底SUB可以以其中未连接印刷电路板的状态限定。垫PD连接到接地端子GND，使得垫PD和数据线DL1至DLn可以接地。
图12是通过示例的方式示出图11中所示的一个像素PX的剖面的图。
参照图12，像素PX设置在基体基底BS上，并且可以包括晶体管TR和发光元件OLED。像素PX的晶体管TR和发光元件OLED可以连接到上述数据线DL1至DLn以及第一电力线PL1和第二电力线PL2。
像素PX的晶体管TR和发光元件OLED可以通过数据线DL1至DLn以及第一电力线PL1和第二电力线PL2连接到上述垫PD。像素PX的晶体管TR可以通过数据线DL1至DLn连接到垫PD。
发光元件OLED可以包括第一电极AE、第二电极CE、空穴控制层HCL、电子控制层ECL和发光层EML。第一电极AE可以是阳极电极，第二电极CE可以是阴极电极。
晶体管TR和发光元件OLED可以设置在基体基底BS上。例如，示出了一个晶体管TR，但是实际上像素PX可以包括用于驱动发光元件OLED的多个晶体管TR和至少一个电容器。
显示部DA可以包括对应于像素PX的发光部PA以及在发光部PA周围的非发光部NPA。发光元件OLED可以设置在发光部PA中。
基体基底BS可以包括柔性塑料基底。例如，基体基底BS可以包括透明聚酰亚胺(PI)。缓冲层BFL设置在基体基底BS上，并且缓冲层BFL可以是无机层。
半导体图案可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，在实施例中，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
半导体图案可以掺杂有N-型掺杂剂或P-型掺杂剂。半导体图案可以包括高掺杂区和低掺杂区。高掺杂区的导电率大于低掺杂区的导电率，并且可以基本上用作晶体管TR的源极S和漏极D。低掺杂区可以基本上对应于晶体管TR的有源区A或沟道。
晶体管TR的源极S、有源区A和漏极D可以由半导体图案形成。第一绝缘层INS1可以设置在半导体图案上。晶体管TR的栅极G可以设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以设置在栅极G上。第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上。
连接电极CNE设置在晶体管TR与发光元件OLED之间以连接晶体管TR和发光元件OLED。连接电极CNE可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。
第一连接电极CNE1可以设置在第三绝缘层INS3上，并且可以通过限定在第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3中的第一接触孔CH1连接到漏极D。第四绝缘层INS4可以设置在第一连接电极CNE1上。第五绝缘层INS5可以设置在第四绝缘层INS4上。
第二连接电极CNE2可以设置在第五绝缘层INS5上。第二连接电极CNE2可以通过限定在第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5中的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE1。第六绝缘层INS6可以设置在第二连接电极CNE2上。第一绝缘层INS1至第六绝缘层INS6可以是无机层或有机层。
第一电极AE可以设置在第六绝缘层INS6上。第一电极AE可以通过限定在第六绝缘层INS6中的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE2。暴露第一电极AE的预定部分的像素限定膜PDL可以设置在第一电极AE和第六绝缘层INS6上。用于暴露第一电极AE的预定部分的开口部PX_OP可以限定在像素限定膜PDL中。
空穴控制层HCL可以设置在第一电极AE和像素限定膜PDL上。空穴控制层HCL可以公共地设置在发光部PA和非发光部NPA中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层和空穴注入层。
发光层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与开口部PX_OP对应的区域中。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可以产生红色光、绿色光和蓝色光中的任何一种。
电子控制层ECL可以设置在发光层EML和空穴控制层HCL上。电子控制层ECL可以公共地设置在发光部PA和非发光部NPA中。电子控制层ECL可以包括电子传输层和电子注入层。
第二电极CE可以设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以公共地设置在像素PX中。从缓冲层BFL至发光元件OLED的层可以被限定为像素层。
薄膜密封层TFE可以设置在发光元件OLED上。薄膜密封层TFE可以设置在第二电极CE上以覆盖像素PX。薄膜密封层TFE可以包括至少两个无机层以及设置在无机层之间的有机层。无机层可以保护像素PX免受湿气/氧影响。有机层可以保护像素PX免受诸如灰尘颗粒的外来物质影响。
第一电压可以通过晶体管TR施加到第一电极AE，并且具有低于第一电压的电平的第二电压可以施加到第二电极CE。注入到发光层EML中的空穴和电子结合以形成激子，并且当激子跃迁到基态时，发光元件OLED可以发射光。
图13A是用于说明图10中所示的沉积工艺的图。图13B是用于说明在其中沉积掩模未安放在基底上的状态下执行的沉积工艺的图。
例如，图13A和图13B是对应于图12的剖视图，并且任意一个第三开口部OP3示出在图13A和图13B中。为了便于解释，图10中所示的基底SUB和沉积掩模DMK在图13A和图13B中以上下颠倒的形式示出。
参照图13A，基底SUB限定为从基体基底BS到第一电极AE。如上所述，晶体管TR可以通过数据线DL1至DLn连接到垫PD。也就是说，基底SUB可以包括由上述布线限定的数据线DL1至DLn和连接到数据线DL1至DLn的垫PD。
沉积掩模DMK可以设置为面向基底SUB。沉积掩模DMK可以设置为靠近基底SUB。图13A中所示的沉积掩模DMK的位置可以基本上对应于图9中所示的沉积掩模DMK的位置。
可以通过限定在沉积掩模DMK中的第三开口部OP3在基底SUB上设置沉积材料DPM。可以通过沉积材料DPM在基底SUB上形成发光层EML。
参照图13B，沉积掩模DMK可以不设置为靠近基底SUB。例如，与图13A中所示的沉积掩模DMK的位置相比，图13B中所示的沉积掩模DMK可以与基底SUB间隔开更多。图13B中所示的沉积掩模DMK的位置可以对应于图8中所示的沉积掩模DMK的位置。
可以以预定的喷射角度从喷嘴NZ喷射沉积材料DPM。因为以预定的喷射角度喷射沉积材料DPM，所以当沉积掩模DMK与基底SUB间隔开更多时，沉积材料DPM可能会沉积在不期望的区域上。也就是说，发光层EML'可能会不正常地形成。
参照图13A，在发明构思的实施例中，因为靠近基底SUB设置沉积掩模DMK，所以即使以预定的喷射角度喷射沉积材料DPM，也可以形成正常的发光层EML。
图14、图15和图16是示出根据发明构思的实施例的沉积设备DEA_1、DEA_2和DEA_3的视图。
示例性地，图14至图16以对应于图9的剖面示出。在下文中，主要基于与沉积设备DEA的构造不同的构造，将描述图14至图16中所示的沉积设备DEA_1、DEA_2和DEA_3的构造。实际上，除了电源施加方法之外，其他构造可以与沉积设备DEA的构造相同。
参照图14，沉积设备DEA_1中的AC电力AC_PS可以施加到开口片OPS。AC电力AC_PS可以通过开口片OPS施加到沉积掩模DMK的导电层CDL。基底SUB可以接地。因此，可以在AC电力AC_PS施加到的导电层CDL与基底SUB之间产生恒定的电力。
参照图15和图16，电压可以施加到基底SUB和沉积掩模DMK。例如，不同极性的电压可以施加到基底SUB和沉积掩模DMK的导电层CDL。因此，基底SUB和导电层CDL可以以不同的极性充电。
参照图15，在沉积设备DEA_2中，基底SUB可以施加有正极性电压(即，正电压)V+，并且导电层CDL可以施加有负极性电压(即，负电压)V-。正电压V+可以施加到上述基底SUB的垫PD。
负电压V-可以通过掩模框架MF和开口片OPS施加到导电层CDL。因此，在基底SUB与沉积掩模DMK之间产生吸引力，使得沉积掩模DMK可以安放在基底SUB上。
参照图16，在沉积设备DEA_3中，基底SUB可以施加有负极性电压V-，并且导电层CDL可以施加有正极性电压V+。负电压V-可以施加到上述基底SUB的垫PD。
正电压V+可以通过掩模框架MF和开口片OPS施加到导电层CDL。因此，在基底SUB与沉积掩模DMK之间产生吸引力，使得沉积掩模DMK可以安放在基底SUB上。
根据发明构思的实施例，当基底接地并且其中正电压和负电压重复交变的AC电力施加到沉积掩模时，沉积掩模可以更容易地安放在基底上。结果，可以最小化基底与沉积掩模之间的间隔。
尽管已经描述了发明构思的实施例，但是应当理解的是，发明构思不应限于这些实施例，而各种改变和修改可以由本领域普通技术人员在如要求的发明构思的精神和范围内做出。

Claims (17)

1.一种沉积设备，所述沉积设备包括：
掩模框架，其中限定有第一开口部；
开口片，设置在所述掩模框架上，并且其中限定有与所述第一开口部叠置的第二开口部；
沉积掩模，设置在所述开口片上，并且其中限定有与所述第二开口部叠置的多个第三开口部；以及
静电吸盘，设置在所述沉积掩模上，并且其上设置有基底，
其中，所述基底设置在所述静电吸盘的表面上，并且
其中，AC电力施加到所述沉积掩模。
2.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述基底接地。
3.如权利要求2所述的沉积设备，其中，所述基底包括：
多条布线；以及
多个垫，连接到所述布线，
其中，所述垫接地。
4.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述沉积掩模包括：
聚合物掩模；以及
导电层，设置在所述聚合物掩模的表面上，
其中，所述AC电力施加到所述导电层。
5.如权利要求4所述的沉积设备，其中，所述聚合物掩模包括聚合物膜。
6.如权利要求4所述的沉积设备，其中，通过所述导电层与所述基底之间的静电力，所述沉积掩模设置为靠近所述基底。
7.如权利要求4所述的沉积设备，其中，所述掩模框架和所述沉积掩模中的每个与所述开口片接触，并且所述AC电力通过所述掩模框架和所述开口片施加到所述导电层。
8.如权利要求7所述的沉积设备，其中，所述AC电力连接到所述掩模框架。
9.如权利要求7所述的沉积设备，其中，所述AC电力连接到所述开口片。
10.如权利要求1所述的沉积设备，其中，所述静电吸盘包括：
第一电极，具有第一极性；以及
第二电极，具有与所述第一极性相反的第二极性，
其中，所述基底通过由所述第一电极和所述第二电极产生的静电力与所述静电吸盘的所述表面接触。
11.如权利要求1所述的沉积设备，所述沉积设备还包括设置在所述沉积掩模上的连接条，
其中，所述连接条设置为相邻于所述沉积掩模的边缘。
12.如权利要求11所述的沉积设备，其中，所述沉积掩模通过所述连接条连接到所述开口片。
13.如权利要求11所述的沉积设备，其中，与所述连接条叠置的连接沟槽限定在所述开口片的表面上，相邻于所述开口片的边缘。
14.如权利要求13所述的沉积设备，其中，所述沉积掩模的与所述连接沟槽叠置的部分凹陷到所述连接沟槽中，并且所述连接条设置在所述沉积掩模的凹陷到所述连接沟槽中的凹陷部处。
15.如权利要求14所述的沉积设备，其中，所述连接条设置在等于或低于所述沉积掩模的表面的高度处。
16.如权利要求1所述的沉积设备，所述沉积设备还包括支撑所述基底的边缘的基底支撑部。
17.如权利要求16所述的沉积设备，其中，第一引导沟槽限定在所述掩模框架的边缘处，并且当在平面上观察时，所述第一引导沟槽与所述基底支撑部叠置，
其中，第二引导沟槽限定在所述开口片的边缘处，并且当在平面上观察时，所述第二引导沟槽与所述第一引导沟槽叠置，
其中，第三引导沟槽限定在所述沉积掩模的边缘处，并且当在平面上观察时，所述第三引导沟槽与所述第二引导沟槽叠置，并且
其中，当所述基底支撑部上下移动时，所述基底支撑部沿着所述第一引导沟槽、所述第二引导沟槽和所述第三引导沟槽移动。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11638388B2 (en) * 2020-05-15 2023-04-25 The Hong Kong University Of Science And Technology High-resolution shadow masks
KR20220081406A (ko) * 2020-12-08 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조 방법 및 마스크를 포함하는 증착 설비

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3454814A (en) * 1966-07-29 1969-07-08 Atomic Energy Commission Tubular vapor source
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
JP2001185350A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
KR100382491B1 (ko) * 2000-11-28 2003-05-09 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ의 새도우 마스크
US7396558B2 (en) * 2001-01-31 2008-07-08 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US7821199B2 (en) * 2004-09-08 2010-10-26 Toray Industries, Inc. Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
US20060081968A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Bai Shwang S Semiconductor package
JP2013055039A (ja) * 2011-08-11 2013-03-21 Canon Inc Ｅｌ発光装置の製造方法および蒸着装置
KR20200128205A (ko) * 2012-03-28 2020-11-11 가부시키가이샤 니콘 기판 접합 장치 및 기판 접합 방법
JP6163376B2 (ja) * 2013-07-30 2017-07-12 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
WO2015042302A1 (en) * 2013-09-20 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck
WO2016088632A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法
KR102311586B1 (ko) * 2014-12-26 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법
KR102479926B1 (ko) * 2015-09-03 2022-12-20 삼성전자주식회사 박막 형성 장치, 이를 이용한 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102586049B1 (ko) * 2015-11-13 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180047594A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
WO2018108240A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for holding a substrate in a vacuum deposition process, system for layer deposition on a substrate, and method for holding a substrate
CN107177818B (zh) * 2017-07-19 2019-05-21 武汉天马微电子有限公司 有机材料蒸镀用掩膜板
KR102584518B1 (ko) * 2018-07-04 2023-10-05 삼성디스플레이 주식회사 정전척 유닛 및 그것을 이용한 박막 증착 장치
KR102314856B1 (ko) * 2018-07-10 2021-10-18 주식회사 오럼머티리얼 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
KR102590797B1 (ko) * 2018-10-31 2023-10-17 캐논 톡키 가부시키가이샤 흡착 시스템, 흡착 방법, 및 이를 이용한 성막 장치, 성막 방법, 전자 디바이스의 제조 방법

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