CN114161596A - 一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒 - Google Patents
一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114161596A CN114161596A CN202111591417.6A CN202111591417A CN114161596A CN 114161596 A CN114161596 A CN 114161596A CN 202111591417 A CN202111591417 A CN 202111591417A CN 114161596 A CN114161596 A CN 114161596A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- single crystal
- silicon rod
- processing operation
- relative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 143
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 143
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 125
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒,所述系统包括:标记单元,所述标记单元用于在单晶硅棒的外周表面标记沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识;切片单元,所述切片单元用于对所述单晶硅棒进行切割操作以将所述单晶硅棒切割成多个硅片;处理单元,所述处理单元用于对所述多个硅片进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片相对于彼此的方位发生变化;确定单元,所述确定单元用于根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
Description
技术领域
本发明涉及硅片生产技术领域,尤其涉及一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒。
背景技术
通过直拉法拉制出的单晶硅棒被切割之后便可以获得硅片,而目前通常采用多线切割工艺来切割单晶硅棒。在多线切割工艺中,处于同一平面中并且相互平行的多根切割线在粘附有浆状磨料的情况下沿着自身的延伸方向高速往复运动,同时被粘接在树脂板上的单晶硅棒以纵向轴线平行于所述多根切割线所处平面并且垂直于切割线的方式被驱动以产生相对于所述多根切割线的进给运动,由此硅棒在磨料的研磨作用下被切割成若干个粘接在树脂板上的圆形硅片。
随后需要对上述的硅片进行多种处理,比如由于切割出的硅片表面粘附有浆状磨料,因此需要拉拔硅片离开树脂板并将硅片放入清洗槽内进行清洗的处理以去除粘附在硅片表面的浆状磨料,之后需要将清洗干净的硅片放入到硅片卡夹中的处理,以便在每个硅片上生成用于表征相应硅片的身份比如在单晶硅棒中的位置的标识符。
在上述的各种处理操作期间,粘接在树脂板上的多个硅片相对于彼此的方位可能会发生变化,导致此后无法确定出所述多个硅片粘接在树脂板上时相对于彼此的位置,进一步导致所述多个硅片以与粘接在树脂板上时相对于彼此的位置不同的相对位置关系比如不同的排列顺序被放入到硅片卡夹中,在将顺序固定不变的标识符序列与所述多个硅片相应的硅片位置对应时,标识符表征的位置信息与硅片在单晶硅棒中的实际位置会出现偏差,这样会导致后续单晶硅棒品质的确认有误差。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例期望提供一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒,能够在由单晶硅棒切割出的多个硅片相对于彼此的方位发生变化后,确定出硅片在硅棒中的位置。
本发明的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种用于生产硅片的系统,所述系统包括:
标记单元,所述标记单元用于在单晶硅棒的外周表面标记沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识;
切片单元,所述切片单元用于对所述单晶硅棒进行切割操作以将所述单晶硅棒切割成多个硅片;
处理单元,所述处理单元用于对所述多个硅片进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片相对于彼此的方位发生变化;
确定单元,所述确定单元用于根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
第二方面,本发明实施例提供了一种用于生产硅片的方法,所述方法包括:
在单晶硅棒的外周表面标记沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识;
对所述单晶硅棒进行切割操作以将所述单晶硅棒切割成多个硅片;
对所述多个硅片进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片相对于彼此的方位发生变化;
根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
第三方面,本发明实施例提供了一种单晶硅棒,所述单晶硅棒用于通过切割操作来获得多个硅片,所述单晶硅棒的外周表面形成有沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识,使得所述多个硅片在后续的处理操作期间相对于彼此的方位发生变化时,能够根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
本发明实施例提供了一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒,可以利用沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识,将完整硅片以与在处理操作前或者说在单晶硅棒中相对于彼此的位置相同的相对位置关系进行放置,在将顺序固定不变的标识符序列与所述多个硅片相应的硅片位置对应时,标识符表征的比如位置信息与完整硅片在单晶硅棒中的实际位置不会出现偏差。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种用于生产硅片的系统的示意图;
图2为根据本发明的单晶硅棒的正视图,其中凹槽以形成在硅棒顶部的方式示出;
图3为根据本发明的单晶硅棒的正视图,其中凹槽以形成在硅棒中间的方式示出;
图4为根据本发明的单晶硅棒的截面图;
图5为硅片方位变化示意图;
图6为用于说明本发明实施例的硅片方位变化示意图;
图7为本发明实施例提供的一种用于生产硅片的方法的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图1,本发明实施例提供了一种用于生产硅片W的系统1,所述系统1可以包括:
标记单元10,所述标记单元10用于在单晶硅棒R的外周表面标记沿着硅棒轴线X的方向具有不同性状的标识M,在图1示出的示例中,标识M包括7个不同的字母a、b、c、d、e、f和g,也就是说,标识M是离散的并且通过不同的属性即“不同的字母”来体现上述的不同性状,但本发明不限于此,例如,标识M也可以是连续的,例如形成在单晶硅棒R的外周表面的连续凹槽,例如,不同性状除了可以通过不同属性体现外还可以通过属性相同但位置不同来体现,比如标识M可以包括具有相同属性的7个相同的字母a,但这些字母a形成在单晶硅棒R的周向上的不同位置处,如在下文中进一步详细描述的;
切片单元20,所述切片单元20用于对所述单晶硅棒R进行切割操作以将所述单晶硅棒R切割成多个硅片W,其中,图1中示例性地示出了单晶硅棒R被切割成与7个不同的字母相对应的7个硅片,切片单元20例如可以为常规的硅棒线切割装置;
处理单元30,所述处理单元30用于对所述多个硅片W进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片W相对于彼此的方位发生变化,这里的方位变化是任意的,比如所述多个硅片W仍然排成一列但排列顺序发生变化,比如所述多个硅片W绕公共轴线Y相对于彼此转动,比如如图1中示出的方位变化,等等;
确定单元40,所述确定单元40用于根据所述标识M确定出所述多个硅片W中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片WI在所述处理操作前相对于彼此的位置,或者说确定出在单晶硅棒R中的位置,图1中示例性地示出了切割操作期间没有硅片发生破碎,处理操作期间标记有字母f的硅片发生了破碎,并且用剖面线对该硅片进行填充以区别于未破碎硅片。
这样,可以利用沿着硅棒轴线X的方向具有不同性状的标识M,将完整硅片WI以与在处理操作前或者说在单晶硅棒R中相对于彼此的位置相同的相对位置关系进行放置,在将顺序固定不变的标识符序列与所述多个硅片相应的硅片位置对应时,标识符表征的比如位置信息与完整硅片WI在单晶硅棒中的实际位置不会出现偏差。
如上所述,所述标识M在所述硅棒轴线X的方向上的不同位置处的属性可以是不同的。
具体地,参见图2,所述标识M可以为形成在单晶硅棒R的外周表面上的通过点填充的阴影区域示意性地示出的凹槽G,所述属性可以为所述凹槽G的深度D。如在图2中示出的,凹槽G的深度D可以从左至右逐渐增大。
另外具体地,参见图3,所述标识M可以为形成在单晶硅棒R的外周表面上的点填充的阴影区域示意性地示出的凹槽G,所述属性可以为所述凹槽G在所述外周表面处的开口的宽度B。如在图2中示出的,开口的宽度B可以从左至右逐渐增大。
另外具体地,参见图4,所述标识M可以为形成在单晶硅棒R的外周表面上的凹槽G,所述凹槽G由两个平面P1和P2限定出,所述属性可以为所述两个平面P1和P2之间的夹角。例如夹角可以沿着硅棒轴线X的方向逐渐增大。
优选地,所述标记单元10可以通过机加工形成所述凹槽G。
优选地,所述标记单元10可以通过激光加工形成所述凹槽G。
在一些处理操作期间,参见图1,所述多个硅片W可以仅发生沿着公共轴线Y相对于彼此移动并且排列顺序不变的相对位置变化而不发生绕所述公共轴线Y相对于彼此转动的相对角度变化,对于排列顺序不变并且不发生相对角度变化而言,例如转运装置的机械臂会按照固定的路径或者说一致的路径依次将刚切割出由此仍粘接在树指板上的多个硅片叠置在硅片存储盒中。在这种情况下并且没有硅片发生破碎时,即使不在单晶硅棒R的外周表面标记任何标识,也能够确定出所述多个硅片W在处理操作前相对于彼此的位置,但在这种情况下并且所述多个硅片W中的至少一个硅片在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间发生破碎时,不在单晶硅棒R的外周表面标记特定的标识的话是无法确定出剩余的完整硅片在处理操作前相对于彼此的位置的,比如硅片破碎会导致位于该破碎硅片两侧的两个硅片之间的间距增大,但在所述多个硅片W发生沿着公共轴线Y相对于彼此移动的相对位置变化的情况下,也会使两个硅片之间的间距增大,由此,对于两个硅片之间的间距增大的情形,无法确定出是由于相对移动导致的还是由于硅片破碎导致的,另外比如,对于两个相邻的硅片而言,无法确定出这两个硅片是本来就相邻,还是这两个硅片之间本来存在有另外的硅片,而所述另外的硅片的破碎导致了这两个硅片相邻,因为在发生如上所述的相对移动的情况下不再能够通过两个硅片之间的距离来确定是否有硅片破碎发生。更具体地如图5所示,假设图中上方7个硅片W相对于彼此的方位发生变化后的情况如图中下方6个完整硅片WI那样,但导致这一结果的原因可能是如图中左侧示出的中间硅片发生了破碎而该破碎硅片右侧的完整硅片整体沿着图中箭头示出的方向发生了移动,也可能是如图中右侧示出的最右侧硅片发生了破碎而其他硅片没有相对于彼此进行任何移动,由此可见仅根据6个完整硅片WI的位置关系是无法确定出这6个完整硅片WI在处理操作前相对于彼此的位置的。
为了使确定单元40能够确定出完整硅片WI在处理操作前相对于彼此的位置,毫无疑问通过前述实施例,即通过标识M在硅棒轴线X的方向上的不同位置处的属性不同是可以实现的,但在本发明的优选实施例中,如图6所示,所述标识M可以在沿着所述硅棒轴线X的方向延伸的同时绕所述硅棒轴线X转动,所述标识M在所述硅棒轴线X的方向上的不同位置处的属性可以是相同的而所述不同性状体现为所述标识M形成在所述单晶硅棒R的周向方向上的不同位置处。这样,确定单元40可以根据标识M确定出完整硅片WI在处理操作前相对于彼此的位置,比如在图6中示出的完整硅片WI上的标识应当以与单晶硅棒R上的标识M相同的方式延伸。
这样的标识M是更容易获得的,比如在标识M为形成在单晶硅棒R的外周表面上的凹槽的情况下,凹槽在与硅棒轴线X垂直的平面中的截面可以是相同的,使得这样的凹槽比需要具有上述的各种不同属性的凹槽更容易加工出。比如在机加工的情况下采用同一刀具,使单晶硅棒R在纵向进给的同时旋转即可。
参见图7并结合图1,本发明实施例还提供了一种用于生产硅片W的方法,所述方法可以包括:
S701:在单晶硅棒R的外周表面标记沿着硅棒轴线X的方向具有不同性状的标识M;
S702:对所述单晶硅棒R进行切割操作以将所述单晶硅棒R切割成多个硅片W;
S703:对所述多个硅片W进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片W相对于彼此的方位发生变化;
S704:根据所述标识M确定出所述多个硅片W中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片WI在所述处理操作前相对于彼此的位置。
参见图1,本发明实施例还提供了一种单晶硅棒R,所述单晶硅棒R用于通过切割操作来获得多个硅片W,所述单晶硅棒R的外周表面可以形成有沿着硅棒轴线X的方向具有不同性状的标识M,使得所述多个硅片W在后续的处理操作期间相对于彼此的方位发生变化时,能够根据所述标识M确定出所述多个硅片W中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片WI在所述处理操作前相对于彼此的位置。
需要说明的是:本发明实施例所记载的技术方案之间,在不冲突的情况下,可以任意组合。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种用于生产硅片的系统,其特征在于,所述系统包括:
标记单元,所述标记单元用于在单晶硅棒的外周表面标记沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识;
切片单元,所述切片单元用于对所述单晶硅棒进行切割操作以将所述单晶硅棒切割成多个硅片;
处理单元,所述处理单元用于对所述多个硅片进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片相对于彼此的方位发生变化;
确定单元,所述确定单元用于根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述标识在所述硅棒轴线的方向上的不同位置处的属性是不同的。
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述标识为形成在所述外周表面上的凹槽,所述属性为所述凹槽的深度。
4.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述标识为形成在所述外周表面上的凹槽,所述属性为所述凹槽在所述外周表面处的开口的宽度。
5.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述标识为形成在所述外周表面上的凹槽,所述凹槽由两个平面限定出,所述属性为所述两个平面之间的夹角。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的系统,其特征在于,所述标记单元通过机加工形成所述凹槽。
7.根据权利要求3至5中任一项所述的系统,其特征在于,所述标记单元通过激光加工形成所述凹槽。
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述多个硅片仅发生沿着公共轴线相对于彼此移动并且排列顺序不变的相对位置变化而不发生绕所述公共轴线相对于彼此转动的相对角度变化,并且所述多个硅片中的至少一个硅片在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间发生破碎,所述标识在沿着所述硅棒轴线的方向延伸的同时绕所述硅棒轴线转动,所述标识在所述硅棒轴线的方向上的不同位置处的属性是相同的而所述不同性状体现为所述标识形成在所述单晶硅棒的周向方向上的不同位置处。
9.一种用于生产硅片的方法,其特征在于,所述方法包括:
在单晶硅棒的外周表面标记沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识;
对所述单晶硅棒进行切割操作以将所述单晶硅棒切割成多个硅片;
对所述多个硅片进行处理操作,其中,在所述处理操作期间所述多个硅片相对于彼此的方位发生变化;
根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
10.一种单晶硅棒,所述单晶硅棒用于通过切割操作来获得多个硅片,其特征在于,所述单晶硅棒的外周表面形成有沿着硅棒轴线的方向具有不同性状的标识,使得所述多个硅片在后续的处理操作期间相对于彼此的方位发生变化时,能够根据所述标识确定出所述多个硅片中的在所述切割操作期间和/或所述处理操作期间未发生破碎的完整硅片在所述处理操作前相对于彼此的位置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111591417.6A CN114161596B (zh) | 2021-12-23 | 2021-12-23 | 一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒 |
TW111131262A TWI832385B (zh) | 2021-12-23 | 2022-08-19 | 一種用於生產矽片的系統、方法及單晶矽棒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111591417.6A CN114161596B (zh) | 2021-12-23 | 2021-12-23 | 一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114161596A true CN114161596A (zh) | 2022-03-11 |
CN114161596B CN114161596B (zh) | 2024-04-09 |
Family
ID=80487947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111591417.6A Active CN114161596B (zh) | 2021-12-23 | 2021-12-23 | 一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114161596B (zh) |
TW (1) | TWI832385B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6112738A (en) * | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
JP2001076981A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハおよびその製造方法 |
JP2009194323A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体ウエハとその識別方法 |
US20100237514A1 (en) * | 2007-06-13 | 2010-09-23 | Conergy Ag | Ingot marking for solar cell determination |
CN102364699A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-29 | 常州天合光能有限公司 | 铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法 |
DE102010060908A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Q-Cells Se | Verfahren zur Kennzeichnung von Wafersolarzellen oder zur Kennzeichnung von Vorprodukten von Wafersolarzellen |
WO2016012004A1 (de) * | 2014-07-21 | 2016-01-28 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum markieren von halbleiterscheiben sowie halbleiterscheibe und halbleitersäule |
CN108511417A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 胜高股份有限公司 | 半导体晶片的制造方法 |
JP2019067944A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 株式会社ディスコ | インゴット及びウェーハの加工方法 |
CN209794243U (zh) * | 2019-02-26 | 2019-12-17 | 西门子工厂自动化工程有限公司 | 硅棒的截断装置 |
-
2021
- 2021-12-23 CN CN202111591417.6A patent/CN114161596B/zh active Active
-
2022
- 2022-08-19 TW TW111131262A patent/TWI832385B/zh active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6112738A (en) * | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
JP2001076981A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハおよびその製造方法 |
US20100237514A1 (en) * | 2007-06-13 | 2010-09-23 | Conergy Ag | Ingot marking for solar cell determination |
JP2009194323A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体ウエハとその識別方法 |
DE102010060908A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Q-Cells Se | Verfahren zur Kennzeichnung von Wafersolarzellen oder zur Kennzeichnung von Vorprodukten von Wafersolarzellen |
CN102364699A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-29 | 常州天合光能有限公司 | 铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法 |
WO2016012004A1 (de) * | 2014-07-21 | 2016-01-28 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zum markieren von halbleiterscheiben sowie halbleiterscheibe und halbleitersäule |
CN108511417A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 胜高股份有限公司 | 半导体晶片的制造方法 |
JP2019067944A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 株式会社ディスコ | インゴット及びウェーハの加工方法 |
CN209794243U (zh) * | 2019-02-26 | 2019-12-17 | 西门子工厂自动化工程有限公司 | 硅棒的截断装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI832385B (zh) | 2024-02-11 |
TW202302307A (zh) | 2023-01-16 |
CN114161596B (zh) | 2024-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9640486B2 (en) | Ingot marking for solar cell determination | |
KR900001232B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 방형절단기 | |
EP0616364A1 (en) | Apparatus for and method of manufacturing semiconductor wafer | |
KR102028765B1 (ko) | 원형 판형상물의 분할 방법 | |
JP2014195025A (ja) | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | |
KR20090024627A (ko) | 웨이퍼 | |
CN108327102A (zh) | 修整板、切削刀具的修整方法和切削装置 | |
JP2003183040A (ja) | ポイントカッター並びにその使用の方法及び装置 | |
KR20190039007A (ko) | 육방정 단결정 잉곳 및 웨이퍼의 가공 방법 | |
CN112720885B (zh) | 一种晶棒的开槽方法及晶棒开槽装置 | |
JP2017204497A (ja) | ダイシング装置及びダイシング方法 | |
JP6898105B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
CN114161596A (zh) | 一种用于生产硅片的系统、方法及单晶硅棒 | |
US6112738A (en) | Method of slicing silicon wafers for laser marking | |
JP4815212B2 (ja) | メモリーカードの製造方法 | |
CN112331560A (zh) | 一种划片机的自动对准y、t平分算法 | |
KR102587182B1 (ko) | 판상물의 가공 방법 | |
JPH06275583A (ja) | 面取り半導体チップ及びその面取り加工方法 | |
EP0604061A1 (en) | Semiconductor fabrication | |
WO2019220499A1 (ja) | リード線切断ユニットおよびそれを備える実装機 | |
CN109249285A (zh) | 修整板和修整方法 | |
WO2004114387A1 (ja) | 半導体単結晶ウエハの製造方法とそのためのレーザ加工装置 | |
CN112606233B (zh) | 一种晶棒的加工方法及晶片 | |
KR20130129086A (ko) | 스크라이브 처리 시스템 | |
CN111112846A (zh) | 一种硅片激光打标方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065 Applicant after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant after: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065 Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant before: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |