CN1141442A - 抗反射膜 - Google Patents

Abstract

一种结构简单的但在宽频率范围内具有高导电性和高抗反射性的抗反射膜。这种抗反射膜具有直接或通过硬质涂层12沉积在支撑层11上的两相邻层。靠近基体层11的层1可由吸收光的导电物质组成，而余下的第二层由折射率不高于2.0的材料所形成。如果第一层对短波的折射率和消光系数分别为n_v和k_r对于波的折射率分别为n_r和k_r，则n_v大于n_r，k_v小于k_r(n_v＞n_r，k_v＜k_r)。

Description

抗反射膜

本发明涉及一种抗反射膜，它是沉积于支撑层上且具有抗反射性质和防止电磁波泄漏或静电存积结构的光学膜。

迄今，抗反射膜已广泛用于希望或需要减少如空气和玻璃间光学边界折射率的光学或电领域。照相机镜头、复印机压板、设备玻璃罩、阴极射线管和其他显示装置的玻璃板便是这类应用的例子。

在用于各领域的光学薄膜涂层中，有由氟化镁组成的薄膜单一涂层，将波长范围内的折射率减到最小的双层涂层，以及在波长范围内，如可见光波长范围内产生低折射率的多层宽范围涂层。

下面对双层涂层进行解释。

如US4422721中介绍的双层抗反射薄膜(抗反射薄膜A)至少由一层低折射率材料层，如氟化镁，一层薄导电高折射率材料透明层，如氧化锡铟(INTO)、锡酸镉或氧化锑锡层所组成。此双层抗反射膜是按由低折射率材料层和薄导电的高折射率材料层的顺序沉积于光学基底表面的此两层所组成的。导电材料层的光学厚度为1.0-30.0nm，而低折射率材料层的薄膜厚度与导电材料层的厚度相当以抑制导电材料层的退化。

由低折射率材料和高折射率材料薄膜组成的双层抗反射膜A提供了一种可有益地用于阴极射线管或复印机的能进行直接电联接的导电抗反射膜。

US4732454中公开了一双层抗反射膜(抗反射膜B)，此膜由四层组成：合成材料透明基体；沉积于此基体上的硬的防划伤层；通过在氧原子存在下在低于150℃下进行真空沉积或高频放电溅射而形成的紧贴于防划伤层上的第二导电材料层；和直接紧贴于导电层上由折射率比第二导电层低的材料形成的第三层。所说第二层由作为其组份的氧化锡铟(INTO)所组成。

抗反射膜B可传播光并能涂于合成材料保护层上，这样可以用作适宜于作为阴极射线管滤波器发出的电磁波滤波器的抗反射膜。

由于上述抗反射膜A导电性低和在宽的频率范围内抑制反射率低，所以这种膜仍有许多待改进之处。

同抗反射膜A相类似，由于上述抗反射膜B在宽的频率范围内抑制反射率低，所以这类膜也有许多待改进之处。

如导电性低的抗反射膜贴于CRT玻璃板上，防止静电荷或防止从CRT玻璃板放出的电磁波的输出的作用就不大。

本发明的目的是提供一种具有高导电性的及在宽的频率范围内具有高反射抑制的抗反射膜。

根据本发明的抗反射膜具有直接沉积于支撑层上或通过硬涂层沉积于支撑层上的彼此相邻的两层。靠近基体的一层是由可吸收光的导电材料形成的，余下的第二层是由折射率不超过2.0的材料形成的。如果第一层对短波长λv的折射率和消光系数分别为n_v和k_r，对长波长λr的折射率和消光系数分别为n_r和k_r，则n_v大于n_r，k_v小于k_r(n_v＞n_r，k_v＜k_r)。

如果第一层是在氧分压不超过50％的氧存在下形成的，为了减轻其导电性变差，可以减少形成的氧化物的量。

根据本发明，提供了结构简单，在宽频率范围内导电性好，抗反射效果高的抗反射膜，从而可以抑制从贴有抗反射膜的光学基体放出的静电荷或电磁波。

图1示出了本发明实施方案的抗反射膜的主要部分。

图2为说明本发明示于图1的抗反射膜的第1层的选择原则的允许图的例子。

图3为常用TiO₂-SiO₂抗反射膜允许图。

图4为本发明方法提供的INTo/Au-SiO₂抗反射膜允许图。

图5为抗反射膜第一层折射率或消光系数与波长间的关系图。

图6为根据本发明方法提供的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜的波长为405nm的允许图。

图7为图6所示的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜波长为546nm的允许图。

图8为图6所示的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜波长λ为633nm的允许图。

图9为本发明方法提供的ZrNxOy-SiO₂抗反射膜波长λ为405nm的允许图。

图10为图9所示的ZrNxOy-SiO₂抗反射膜波长λ为633nm的允许图。

图11为根据本发明的TiNx-SiO₂抗反射膜根据计算所得的反射率。

图12为图11所示的TiNx-SiO₂抗反射膜的透射率的计算值。

图13为图11所示的TiNx-SiO₂抗反射反射率的测定值。

图14为根据本发明的抗反射膜反射率和低范围一侧的折射率/消光系数同高范围一侧折射率/消光系数间距之间关系的图。

图15为根据本发明的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜的反射率图。

图16为图15所示的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜所说波长的透射率计算值。

图17为图15所示的TiNx(W)-SiO₂抗反射膜反射率的测定值。

图18为本发明抗反射膜的应用例的略图。

下面将参照附图来对本发明的优选实施方案进行说明。

将抗反射膜直接沉积于光学基体表面以减少来自此光学基体表面的反射光的量，此抗反射膜在光学基体表面呈现出导电性。也可以将抗反射膜沉积于如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)一类弹性支撑层上，从而可以用作粘贴于由CRT组成的显示装置的表面玻璃之类的显示面上的抗反射膜板。为了使显示面的闪耀反射光或使放出的电磁波或静电减少到最低量，也可在制备显示装置CRT时，将抗反射膜直接沉积于此显示面上。此外，由于仅需要两薄膜就足够了，所以抗反射膜仅需少量材料，所以其成本低。

本发明的抗反射膜有以下两大特点：使用折射率为n和消光系数为k的吸光材料，此膜具有抗反射的特点；据此拓宽了波长范围内的光学特性，这样使具有少量组成膜的抗反射膜的波长范围较之常规多层膜大。

如图1A所示，上述弹性支撑层作为支撑层11，从距支撑层11较近的一侧看，抗反射膜由层1和层2组成。如图1B所示，也可在支撑层11上先形成硬质涂层或硬质涂层12，并且在硬质深层12上形成层1。

在选择第1层的诸条件中，应是低成本、与光学基体表面的高粘接性、耐久性好、低应力和可调节的最佳折射率n或消光系数k。而在选择第2层的诸条件中，应是成本低、折射率低、应力低、坚硬且耐久性好。

用允许图原理来解释最佳光学特性以作为本发明实施方案的原则。

光学允许值一般按复数给出。如单位选择得适当，实数部分在数值上则等于允许光通过的空间或物质的折射率，而虚数部分在数值上则等于上述空间或物质的消光系数。

此外，每点所代表的允许值遵循下面将予介绍的允许图，并且反映了所用物质的特性，而且取决于光所通过的物质的厚度。

图2示出了下面将予解释的TiNx和SiO₂的允许图。在图2中，n_v和k_v分别代表对波长λ＝450nm的折射率和消光系数，n_r和k_r则分别代表对波长λ＝650nm的折射率和消光系数。允许值曲线穿过实数轴玻璃基体上的点(1.52，0)，这样随膜厚度增加而相交于点(n_v，-k_v)，(n_r，-k_r)。

对于TiNx而言，曲线21穿过点(-n_v，k_v)和(n_v，-k_v)，上述预置点(1.52，0)代表上述W波长λ＝450nm的允许图。另一方面，曲线22穿过(-n_r，k_r)和(n_r，-k_r)点，上述预置点(1.52，0)代表W波长λ＝650nm的上述允许图。

此外，得到的SiO₂允许图为如曲线23所示的半径为0.56，中心于((1.46²＋1)/2，0)＝(1.56，0)处的圆。

在形成双层膜时，导纳曲线可由曲线21、22和23共同形成。

图3为其中第1层为TiO₂薄膜、第2层为SiO₂薄膜的称之为V字形外层的抗反射膜允许图。而TiO₂折射率较高，SiO₂折射率较TiO₂低，膜厚度较TiO₂高。

图3示出了波长λ＝450nm、550nm和650nm入射可见光束的双层膜(TiO₂-SiO₂)抗反射膜的允许图。例如，对于λ＝450nm的波长，光穿过TiO₂的运动轨迹用始于n＝1.52附近、终止于一小时位置的点的运动轨迹来代表，穿过SiO₂的光的允许值轨迹则用始于该点、终止于10小时位置处的弧形运动轨迹来代表。对于λ＝550mm的波长，光穿过TiO₂的运动轨迹用始于起点、终止于点b的运动轨迹代表，而光穿过SiO₂的允许值轨迹从始于该点、终止于点b′的运动轨迹代表。同样，对于λ＝650nm的波，光通过SiO₂的运动轨迹用开始于起始点、终止于点C的运动轨迹代表，而光穿过SiO₂的允许值运动轨迹用始于点C终止于点C′的运动轨迹代表。

正如(TiO₂-SiO₂)抗反射膜允许图所示，光通过第1和第2层膜时的允许值运动轨迹的运动距离随入射光的波长而变，所以各自运动的轨迹的终点a′、b′和c′的座标不是恒定的。由此可以认为，如改变入射光波长，TiO₂-SiO₂的光学膜厚度QWOT(光学厚度的1/4波长；以λ/4为单位来表示的光学厚度)也将改变。也就是说如果入射光的波长为450-650nm，则可推断有取决于波长的光强度相应改变的反射光。

就此而论，用由双层膜组成的抗反射膜防止波长范围宽的光反射是困难的，所以希望予以改进。

在本发明的实施方案中，上述第一层膜是由氧化锡铟(INTO)和金(Au)制备的，第二层膜是用SiO₂制备的。图4示出了此INTO/Au-SiO₂抗反射膜的允许图。构成的第一层使INTO折射率n₁₁和金Au的折射率n₁₂分别占第一层折射率的60％和40％，即是说第一层的折射率n₁＝0.6n₁₁＋0.4n₁₂。第一层的膜厚如12.8nm，而第二层膜厚如77.8nm。

下面对确定允许图的方法进行解释。在多层膜中，用下式(1)表示各层的效果：其中δ＝2πNdcosθ/λ

上述(1)式中，δ＝2πNdcosθ/λ中的N为复合拆射率，并且用N＝n－1k表示，此处n和k为每层的折射率和消光系数，i是虚数的单位，i²＝-1。即N为一相当于光学允许值y的值。另一方面，θ是λ射角，当光垂直入射时θ＝0，d表示膜厚。

当得到整个多层膜的组合允许值，按下述等式(2)进行计算：

(2)式中，y_m为基体层允许值，组合光学允许值或组合允许值由Y＝C/B获得。

对ITO/Au-SiO₂双层膜的抗反射膜而言，构成第一层的ITO-Au为混合有导电氧化物的呈现金色的金属层，根据入射光的波长λ对光呈现出不同的吸收。如图4所示，允许图描绘了λ＝450nm、550nm和650nm的点d、e和f的不同的运动轨迹。点d、e和f分别位于不同位置，就第一层的物理性质，如第一层的材料种类或第一层的厚度，或第一层上入射光的波长而变。

SiO₂层允许值运动轨迹由点d、e和f至点g。点g是(1，0)，由此可以看出，ITO/Au-SiO₂抗反射膜有至1的允许值。也就是说，完全抑制了反射，不管哪一情况，至少其上入射有可见光范围波长的光。

通过设置第一层为吸光层和根据第二层允许图来确定第一层物理性可以获得抗反射膜，此膜仅由第一层和第二层所组成，它基本上完全抑制了可见光波长范围内的光反射。

如果将构成第一层材料的条件选择成使之为图9所示的允许图，也就是说，用λv和λr代表所选的两种波长短波一侧和长波一侧的波长，且在上述第一层中，如图n_v和k_v分别代表对于波长λv的波的折射率和消光系数，而用n_r和k_r分别代表对于波长λr的波长的折射和消光系数，波长λ和折射率n之间的关系可用如图5A所示的负梯度直线来表示，而波长λ和消光系数k之间的关系可用如图5B所示的正梯度直线来表示。即满足下面的不等式：

n_v＞n_r，k_v＜n_r

                                 ···(3)

波长λ和折射率n之间的关系和波长λ同消光系数k之间的关系并不需要为图5A和5B所示的线性关系。只需满足不等式(3)的关系就够了。

在满足不等式(3)的其他材料中有如金(Au)、铜(Cu)和氮化钛(TiNx)，此处的X＞0。

                    表1

		折射率[n]	消光系数[k]
				Au	450nm	nv＝1.4	kv＝1.9
650nm	nr＝0.15	kr＝3.2
			Cu		450nm	nv＝1.2	kv＝2.4
650nm	nr＝0.21	kr＝3.7
				TiNx	450nm	nv＝2.4	kv＝1.2
650nm	nr＝1.7	kr＝1.8

第一层可与氮化钛(TiNx)、氮化锆(ZrNx)和氮化钛同氮化锆的混合物所构成，此处的X＞0。

第一层也可至少为氧氮化钛(TiNxOy)、氧氮化锆(ZrNxOy)及氧氮化钛(TiNxOy)和氧氮化锆(ZrNxOy)的混合物中的一种物质所构成，此处X＞0，Y＞0。

下面将参照附图，对作为本发明的一种变化的另一技术方案技术进行解释。此方案为双层膜(TiNx(W)-SiO₂)抗反射膜，它采用具有作为杂质而引入其中的钨(W)的氧化钛(TiNx(W))膜作为第一层，SiO₂膜作为第二层。对于第一层而言，优选0＜X≤1。图6-9为双层膜(TiNx(W)-SiO2)组成的抗反射膜的允许图。对于以TiNx(W)为材料制备的第一层而言，钨(W)与钛(Ti)的比规定为0.6％(原子)，其中是将钨(W)溅射到作为溅射靶的钛上的。这里的X的数值是通过确定溅射形成第一层的气流中氩Ar和氮N₂的分压值来确定的，例如它们的分压值分别为87％和13％。

图6-8示出了其中的入射光束具有不同波长λ的情形。即图6、7和8分别为λ＝405nm、λ＝546nm和λ＝633nm的允许图。由此双层膜TiNx(W)-SiO₂构成的抗反射膜由依次沉积于折射率n₀＝1.52和消光系数K₀＝0的玻璃基底上的膜厚为9.93nm的第一层TiNx(W)和膜厚为82.81nm的第二层SiO₂所组成。如图6中的λ＝405nm，第一层的折射率n₁和消光系数k₁分别为2.5和0.73；如图7中的λ＝546nm，第一层的反射率n₁和消光系数k₁分别为1.58和1.49；如图8中的λ＝633nm，第一层的折射率n₁和消光系数k₁分别为1.16和1.74。对于第二层而言，第一层的折射率n₂和消光系数k₂分别为1.45和0，它们与波长无关。图6-8中，点a至点b的曲线表示光通过第一层TiNx(W)的允许值运动轨迹，而点b至点c的曲线表示光通过第二层SiOx的允许值运动轨迹。

图6-8中示出了入射光波长为λ＝405nm(图6)、λ＝546nm(图7)和λ＝633nm(图8)的反射率R分别为0.48％、0.015％和0.014％。也就是说将折射率降到了较低的值，而与入射的可见光波长无关。

在本发明的另一实施方案中，通过采用吸收光层作为第一层和根据第二层允许类型确定第一层的物理性质来获得抗反射膜，此膜由第一层和第二层组成且能基本完全抑制可见光范围的光反射。

参照附图9和10允许图，对本发明的由第一层氧化氮锆ZrNxOy和第二层SiO₂组成另一改进的双层抗反射膜ZrNxOy-SiO₂进行解释。下面先解释由具有光学性质材料形成的第一层ZrNxOy，此处的0＜x≤1和0＜y≤2。

图9和10分别示出了λ＝405nm和λ＝633nm的允许图。在此方案中，将第一层ZrNxOy和第二层SiO₂分别沉积于折射率n₀为1.52和消光系数k₀＝0的玻璃基体上分别使膜其膜厚为9.59nm和90.37nm。在图9所示的λ＝405nm的允许图中，第一层的折射率n₁和消光系数k₁分别为2.4和0.4，而对于在图10所示的λ＝633nm的允许图而言，第一层的折射率n₁和消光系数k₁分别为1.72和1.75。对于第二层而言，折射率n₂和消光系数k₂分别为1.45和0，它们同波长无关。图9和10中，点a至点b的曲线代表光通过第一层ZrNxOy的允许值运动轨迹，点b至点c的曲线代表光通过SiO₂第二层时的允许值运动轨迹。

图9和10示出了入射光波长分别为λ＝405nm(图9)和λ＝636nm(图10)的反射率R＝0.39％和R＝0.081％。也就是说，把反射率R降到了一较低的值，而与入射的可见光波长无关。

下面对以氮化钛TiNx作为第一层、二氧化硅SiO₂作为第二层的TiNx-SiO₂双层膜的实施方案进行解释。

如表1所示，对于λ＝450nm的光来说，TiNx的折射率n_v＝2.4，k_v＝1.2，对于λ＝650nm的波而言，其折射率n_r和消光系数k_r分别为1.7和1.7，其允许图如图2所示。

此外，如氧化钛存在于TiNx的混合物中，TiNx的导电性则会降低，而且难于得到完全无氧的稳定体系从而在工业上生产TiNx。因此本发明该实施方案中的TiNx是在氧分压不超过50％的氧存在下制备的。

图11示出了TiNx-SiO₂双层抗反射膜的波长nm同按计算所得的反射率(％)之间的关系，图12则为波长nm同按计算所得的透射率(％)之间的关系图。虽然已知有计算反射率和透射率的许多公式，但基本上可用下式(4)和(5)分别计算波长入射的反射率R和波长λ的透射率T： $R=I\frac{y_{0}B-C}{y_{0}B+C}\mathrm{\ΠI}\frac{y_{0}B-C}{y_{0}B+C}{\mathrm{\Π}}^{*}$ $T=\frac{{4y}_0\mathrm{Re}\left({\mathrm{\π}}_m\right)}{(y_{0}B+C)(y_{0}B+C{)}^{*}}$

上述(4)和(5)式中，B和C可用(2)式来计算，对于双层膜而言，可用下述(6)式计算：

在(6)式中，δ＝2πNαcosθ/λ。在此计算中，θ＝0。第二层的复合折射率n₂＝1.45，这相当于y₂。第一层的复合折射率n₁＝n₁－1k₁，这相当于y₁。玻璃基底层的光学允许值为1.52。

下面计算短波一侧入射光波长反射率为零的膜厚。第一二层的膜厚分别为d₁和d₂。

下述(7)式示出了反射率为0时的条件：

        Y(d₁，d₂)＝C₂/B₂＝1

                                 ···(7)其中d₁和d₂分别为第一和二层的膜厚，而将C＝C₂，B＝B₂代入式(6)来计算C₂，B₂。用下式(δ)和(9)代表第一层角δ₁和第二层角δ₂：

δ₁＝2πy₁d₁/λ

                                    ···(8)

δ₂＝2πy₂d₂/λ

                                    ···(9)

图11和12的实施方案中，假设为图1B所示的结构。也就是说，将作为硬质涂层12的丙烯酸树脂涂于作为支撑层的11上。此丙烯酸树脂涂层厚度约6··m。此支撑层为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，其厚度188··m。作为第一层的TiNx和第二层的SiO₂分别沉积到10nm和80nm。

图11中示出了上述厚度在2％1_σ＝2％时其厚度符合高期分布的100个样品对于波长λ(nm)的反射率R(％)，考虑到在制备时，TiNx的厚度会有波动，所以要找出其如曲线31所示的上限值，曲线32所示的平均值和曲线33所示的下限值。图11示出了设计限度，如在制备时TiNx层和SiO₂层的厚度在2％范围内波动，则将把抗反射膜的光学性质限制在上限值曲线31和下限值曲线33之间。由于硬质涂层光的干扰，所以平均值曲线32有波动。

图12中，假定光透射率视TiNx层的厚度而有如图11所示的变化。这样，图12示出了服从高斯分布的100个样品厚度变化在10＝2％时的上限值曲线41，平均值曲线42和下限值曲线43。

图11和12表明：TiNx-SiO₂抗反射膜可满足地用作CRT的抑制反射膜，对此膜而言，不需把反射率或波长大大降至光的透射率曲线；双层膜即可获得CRT的抗反射膜。

图13示出了波长(nm)和测定的TiNx-SiO₂抗反射膜反射率(％)间的关系。从图13中可知，由于已获得了类似于上述计算值的曲线，所以TiNx-SiO₂抗反射膜反映了所要求的技术方案。然而，TiNx层的表面电阻为237欧姆/平方，此值约为能消除易从CRT前面产生的电磁波的普通一般的表面电阻值1000欧姆/平方的1/4，也就是说可制得改进的屏蔽抗反射膜。

由式(3)的关系来选择实际利用抗反射膜的范围。下述(10)式和(11)式表明了这种选择所遵循的原则：

n_v＞n_r＋D

                                 ···(10)

k_r＞k_v＋D

                                 ···(11)在式(10)和(11)中，“D”为n_v和n_r间的距离或k_v和k_r间的距离。图14示出了D和反射率的计算平均值间的关系。如果短波λv的折射率为n_v和消光系数为k_v，长波λr的折射率n_r推测为n_v－D，而消光系数k_r推测为k_v＋D。为了测定反射率，需选定n_v、k_v和D的部分值并用测定的平均值为同一D值。

如果λv＝450nm，λr＝650nm，把在波长为λv时的折射率n_v定为0.7，1.5和2.5，消光系数k_v为1.0和4.0，对于短波的折射率n_v和消光系数k_v来说，将D定为0.2，那么由n_v－0.2的关系式可算出长波的折射率n_r为0.5，1.3和2.2，同时可由k_v＋0.2的关系式算出消光系数k_r为1.2和4.2。通过测定六种组合的反射率及平均值，即可测出D＝0.4时的平均反射率为0.19，D为0.6时的平均反射率为0.13。图14示出了D和测定的反射率之间的关系。

图14表明：如果抑制反射效果在0.2以下是抗反射膜的实际应用范围的话，用D值大于0.4的膜，即用折射率n和消光系数k满足式(12)和(13)的膜构成第一层的抗反射膜最能证明本发明的效果：

n_v＞n_r＋0.4

                                 ···(12)

k_r＞k_v＋0.4

                                 ···(13)也就是说，只要通过设置短波一侧折射率n_v和消光系数k_v及长波一侧折射率n_r和消光系数k_r满足上述条件来设计双层膜就够了。

除了上述结构抗反射膜结构简单，以外，利用这种结构的膜还可以实现高导电性和高抗反射的效果，从而抑制了从粘贴抗反射膜的光学基体上放出的静电荷或电磁波。

下面参照图15-17对TiNx(W)-SiO₂的双层抗反射膜的光学性质进行解释，其中掺有钨作为杂质的氮化钛膜与第一层，以SiO₂膜作为第二层。在本实施方案中，双层膜是通过丙烯酸树脂硬质涂层而沉积于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基体上的。PET层的光学性质包括对于波长λ＝400nm、430nm、550nm、650nm、700nm和750nm的光，折射率n分别为1.50、1.48、1.46、1.47、1.48和1.50。对于所有上述波长的光来说，消光系数k均为零。对于第一层TiNx(W)厚为9.72nm和波长λ＝405nm的光的折射率n＝2.50，消光系数k为0.73，对于波长为632.8nm的光来说，其n＝1.155，k＝1.735。对于第二层SiO₂厚84.28nm和λ＝546nm的光来说，n＝1.45，k＝0。

图15为折射率R～入射光波长的曲线，其值由(5)式计算出。

图17按上述条件试生产的双层抗反射膜的反射率R的测定值～波长λ的曲线。图17表明用涂有带钨的TiNx获得的双层膜对防止约450nm-680nm宽频率范围的波的光反射是有效的。

通过调节膜厚，可使被反射的兰光加强，而使被反射的红光减弱。这一现象表明，如用双层膜作抗反射膜，从CRT显示装置发出的被反射的光可是略带兰色或紫色的白光。对于CRT显示目的来说，这样的反射颜色的光是普遍所需要的。

所提供的具有上述结构的抗反射膜虽然有着简单的双层结构，但其在宽的频率范围内导电性好，抗折射率高，且在防止如CRT一类光学基体层表面产生的静电荷或电磁波上也有着显著的效果。

图18示出了将上述双层抗反射膜用于CRT51的一个例子。在图18中，借助紫外线固化的树脂52将PET膜53沉积于CRT51显示面的玻璃板上，然后通过硬质涂层54把用上述双层膜形成的抗反射膜55施于PET膜53上。如有必要，再于抗反射膜55上沉积一抗污染涂层56。这种结构可将屏表面的反射光57基本减弱至零且能防止CRT内部放出的电磁波58。借助抗反射膜55的设有地线59的接地导电层可对静电荷进行抑制，而且对电磁波的屏蔽效果也可得到进一步提高。

虽然是将抗反射膜施于PET膜，并且将由此所得的组件牢固地附着于显示装置表面以使之可用作CRT表面的抗反射膜，但本发明并不局限于此。例如，可直接将此抗反射膜施于CRT表面，而此膜可用于光学基体表面，如复印机压板或设备的玻璃罩。可将抗反射膜先暂时施于PET膜表面，然后将其紧附于光学基体表面，或直接将此抗反射膜沉积于光学基体表面上。

虽然上述实施例中将PET膜用作支撑层，但并不局限于此，可以使用各种支撑层。

虽然上述实施例中将INTO-Au层用作第一层，也就是说用作混合有导电氧化物的金属材料层，但决不局限于此，混合有其他导电氧化物的金属，材料也可以使用。

此外，虽然上述实施例中的第二层是SiO₂层，同样也不局限于此，折射率不超过2.0的材料，如折射率n为1.38的MgF₂也可以使用，这种材料也可获得本发明的效果。

Claims (10)

1.一种沉积在支撑层上的抗反射膜，所说膜包括：两相邻层，靠支撑层的为第一层，其余为第二层，所说第一层由吸收光的导电物质组成，所说第二层由折射率不高于2.0的物质组成，其中，如果任选短波长为λ_v，任选长波长为λ_r，所说第一层对波长λ_v的光折射率和消光系数分别为n_v和k_v，所说第二层对波长λ的光折射率和消光系数分别为n_r和k_r，n_v大于n_r并且k_v小于k_r，其抗反射性质出现在波长λ_v和λ_r上和λ_v和λ_r之间的点上。

2.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层沉积在塑性材料支撑层上。

3.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层沉积在沉积于塑性材料支撑层上的硬质涂层上。

4.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层是在氧分压不高于50％的氧存在下形成的。

5.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层是由混合有导电氧化物的金属材料形成的。

6.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层是由氮化钛形成的。

7.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层是由混合有作为杂质的钨的氮化钛形成的。

8.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层由氧氮化锆形成的。

9.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第二层是由二氧化硅形成的。

10.根据权利要求1的抗反射膜，其中所说第一层的n_v大于(n_r＋0.4)且k_r大于(k_v＋0.4)。

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