CN114141804A - 发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。本申请公开的发光二极管的转移方法包括以下步骤：提供目标基板和转移基板，目标基板包括目标衬底和设置在目标衬底一侧的阻挡层，阻挡层与目标衬底形成多个卡槽；转移基板的一侧连接有多个发光二极管；将所述目标基板与所述转移基板进行对位，以使发光二极管的至少部分位于卡槽内；沿预设方向移动转移基板，预设方向与目标衬底所在平面平行或非垂直相交，以使发光二极管从转移基板上脱离。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。
背景技术
迷你型发光二极管(Mini Light-Emitting Diode,MiniLED)和微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro LED)被广泛认为是液晶显示器之后的下一代显示技术，但目前却遇到了一些难以突破的技术瓶颈，例如驱动电路的稳定性较差、巨量转移难度大以及转移良率低等。
在LED的巨量转移工艺中，对于激光转移技术，以目前主流的8K显示器为例，由于显示器中子像素的数量以亿为单位，即使是目前最高效的红外激光转移技术，一小时也只能转移一千万颗左右的LED，因而该技术的转移速率较低；此外，由于LED在激光转移过程中会受到高能激光的照射，因此，LED存在性能衰减的风险。对于利用传统固晶机以及刺针固晶机转移的技术，由于转移精度和速率的限制，无法满足LED的巨量转移需求。另外，印章转移法则存在聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)耗材昂贵，排片成本高的缺点。
因此，提出一种新的具有可行性的LED巨量转移方案具有重大意义。
发明内容
本申请实施例提供一种新型的发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。
本申请实施例提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
提供目标基板和转移基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底一侧的阻挡层所述阻挡层与所述目标衬底形成多个卡槽；所述转移基板的一侧连接有多个发光二极管；
将所述目标基板与所述转移基板进行对位，以使所述发光二极管的至少部分位于所述卡槽内；
沿预设方向移动所述转移基板，所述预设方向与所述目标衬底所在平面平行或非垂直相交，以使所述发光二极管从所述转移基板上脱离。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡层的机械强度大于所述发光二极管与所述转移基板之间的结合强度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述目标基板与所述转移基板进行对位的步骤中，在垂直于所述目标衬底所在平面的方向，所述发光二极管的厚度的至少二分之一位于所述卡槽内。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡层远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离为50μm-70μm，所述发光二极管远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离为80μm-100μm。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述转移基板为生长衬底，所述生长衬底和所述发光二极管之间连接有支撑悬臂，所述阻挡层的机械强度大于所述发光二极管与所述支撑悬臂之间的锚定力；
所述沿预设方向移动所述转移基板的步骤中，所述发光二极管自所述支撑悬臂上脱离。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述转移基板包括蓝膜，所述蓝膜与多个所述发光二极管连接，所述阻挡层的机械强度大于所述发光二极管与所述蓝膜之间的附着力；
所述沿预设方向移动所述转移基板的步骤中，所述发光二极管自所述蓝膜上脱离。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡层采用喷墨打印工艺形成，所述阻挡层的材料包括聚合物。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡层的材料包括遮光材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述目标基板还包括设置在所述目标衬底一侧的多个焊盘组，一所述卡槽裸露出一所述焊盘组，所述焊盘组的厚度小于所述卡槽的深度，所述发光二极管远离所述转移基板的一侧连接有导电触点，在所述沿预设方向移动所述转移基板的步骤之后，还包括：
对所述导电触点与对应的所述焊盘组进行焊接。
本申请实施例提供一种发光基板，其包括：
目标基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底一侧的阻挡层以及多个焊盘组，所述阻挡层与所述目标衬底形成多个卡槽，一所述卡槽裸露出一所述焊盘组，所述焊盘组的厚度小于所述卡槽的深度；以及
多个发光二极管，一所述发光二极管对应设置在一所述卡槽内，并与所述焊盘组连接；其中，所述发光二极管远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离大于所述阻挡层远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离。
本申请实施例还提供一种显示面板，其包括发光基板和设置在所述发光基板一侧的封装层，所述发光基板为前述实施例所述的发光基板。
在本申请提供的发光二极管的转移方法中，由于目标基板中设置有阻挡层，阻挡层与目标衬底之间形成有卡槽，在发光二极管的转移过程中，当将发光二极管置于卡槽内时，通过利用阻挡层的阻挡作用来限制发光二极管的移动方向，使得当沿与目标衬底所在平面平行或非垂直相交的方向移动转移基板时，发光二极管能够直接从转移基板上脱离，进而完成发光二极管的转移。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的发光二极管的转移方法的流程示意图。
图2是本申请示例一提供的发光二极管的转移方法的流程示意图。
图3A至图3D是图2所示的发光二极管的转移方法中各步骤依次得到的结构示意图。
图4是图2所示的发光二极管的转移方法中转移基板和目标基板进行对位操作时的俯视示意图。
图5是本申请示例二提供的发光二极管的转移方法的流程示意图。
图6A至图6J是图5所示的发光二极管的转移方法中各步骤依次得到的结构示意图。
图7是本申请示例三提供的发光二极管的转移方法的流程示意图。
图8A至图8D是图7所示的发光二极管的转移方法中各步骤依次得到的结构示意图。
图9是本申请提供的发光基板的结构示意图。
图10是本申请提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请提供一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图1，本申请提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
B1：提供目标基板和转移基板，目标基板包括目标衬底和设置在目标衬底一侧的阻挡层，阻挡层与目标衬底形成多个卡槽；转移基板的一侧连接有多个发光二极管；
B2：将目标基板与转移基板进行对位，以使发光二极管的至少部分位于卡槽内；
B3：沿预设方向移动转移基板，预设方向与目标衬底所在平面平行或非垂直相交，以使发光二极管从转移基板上脱离。
在本申请提供的发光二极管的转移方法中，由于目标基板中设置有阻挡层，阻挡层与目标衬底之间形成有卡槽，在发光二极管的转移过程中，当将发光二极管置于卡槽内时，通过利用阻挡层的阻挡作用来限制发光二极管的移动方向，使得当沿与目标衬底所在平面平行或非垂直相交的方向移动转移基板时，发光二极管能够直接从转移基板上脱离，进而完成发光二极管的转移。
下面通过具体实施例对本申请提供的发光二极管的转移方法进行详细的阐述。
请一并参照图2、图3A至图3D以及图4，本申请示例一提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
B11：提供目标基板10和转移基板20，并将转移基板20和目标基板10进行对位，目标基板10包括目标衬底11和设置在目标衬底11一侧的阻挡层12以及多个焊盘组13，阻挡层12与目标衬底11形成多个卡槽121，一卡槽121裸露出一焊盘组13，焊盘组13的厚度小于卡槽121的深度；转移基板20的一侧连接有多个发光二极管100，如图3A所示。
其中，目标衬底11可以为驱动基板，所述驱动基板包括用于驱动发光二极管100发光的薄膜晶体管(图中未示出)，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。
多个焊盘组13在目标衬底11的制备工艺中形成。每一焊盘组13均包括正极性焊盘和负极性焊盘(图中未标识)，正极性焊盘用于与发光二极管100的正极连接，负极性焊盘用于与发光二极管100的负极连接。
在本实施例中，阻挡层12的厚度m为50μm-70μm。具体来说，阻挡层12的厚度m是指阻挡层12远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离。在一些具体实施方式中，阻挡层12的厚度m可以为50μm、52μm、55μm、57μm、58μm、60μm、62μm、65μm、68μm或70μm等。其中，卡槽121的深度等于阻挡层12的厚度m。
阻挡层12的材料可以包括聚合物。由于聚合物具有较佳的机械强度，因此，能够保证阻挡层12具有较高的机械强度。另外，由于聚合物具有良好的韧性，故而有利于提高阻挡层12的韧性，避免阻挡层12在后续发光二极管100的转移过程中受到损伤。具体的，所述聚合物可以包括聚酰亚胺、环氧树脂或丙烯酸树脂等。
在一些实施例中，阻挡层12的材料也可以包括具有良好机械强度的无机材料，如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，在此不再赘述。
进一步的，在本实施例中，阻挡层12的材料包括遮光材料，所述遮光材料可以为BM，也可以为其他具有遮光效果同时兼具良好机械强度的材料。上述设置使得在转移发光二极管100之后，利用阻挡层12作为子像素之间的遮光层，进而能够省去相邻子像素之间遮光膜层的设置，有利于简化工艺制程，节省工艺成本。在一些实施例中，当发光二极管100应用于透明显示时，阻挡层12的材料可以为透明材料，在此不再赘述。
在本实施例中，在目标衬底11上形成焊盘组13之后，再进行阻挡层12的制备。具体的，可以采用喷墨打印工艺或者光刻工艺形成阻挡层12。由于阻挡层12在目标衬底11上的覆盖面积较大，因此，优选采用喷墨打印工艺制备阻挡层12，以达到简化工艺的目的。
其中，转移基板20可以为生长衬底。所述生长衬底可以为蓝宝石衬底、砷化镓衬底或硅基衬底等。发光二极管100可以为Mini LED或Micro LED。在本实施例中，发光二极管100远离转移基板20的一侧连接有导电触点22。导电触点22用于与目标基板10上的焊盘组13进行绑定粘结。具体的，导电触点22的材料可以包括低熔点的金属，如锡、铟、铅和铋中的一种或多种。
在本实施例中，阻挡层12的机械强度大于发光二极管100与转移基板20之间的结合强度。其中，所述结合强度可以为分子间作用力，如锚定力，也可以为附着力。
如图3A所示，生长衬底和发光二极管100之间可以连接有支撑悬臂21，支撑悬臂21与生长衬底之间通过锚定力连接。支撑悬臂21对发光二极管100起支撑作用，以利于发光二极管100从生长衬底上脱离。在本实施例中，阻挡层12的机械强度大于发光二极管100与支撑悬臂21之间的锚定力。
需要说明的是，支撑悬臂21是在发光二极管100的制备工艺之后，通过对发光二极管100进行刻蚀得到。其中，本申请中支撑悬臂21的结构仅为示例，用以表示支撑悬臂21与发光二极管100之间的连接关系，但并不能理解为对本申请的限制。另外，支撑悬臂21的相关制程及结构均可以参照现有技术，在此不再赘述。
结合图3A和图4，在将转移基板20和目标基板10进行对位时，将转移基板20上的导电触点22一一对应于目标基板10中的焊盘组13，以提高对位准确性。
B12：将多个发光二极管100一一对应置于卡槽121内，发光二极管100的至少部分位于卡槽121内，如图3B所示。
在本实施例中，在垂直于目标衬底11所在平面的方向，发光二极管100的厚度的至少二分之一位于卡槽121内。由于转移基板20上支撑悬臂21的力臂较大，为避免后续发光二极管100在转移过程中损伤阻挡层12，当将发光二极管100的厚度的至少二分之一伸入卡槽121内时，使得发光二极管100的重心落在卡槽121的下方，以减小支撑悬臂21的力臂。较佳地，发光二极管100不能完全伸入卡槽121内，以避免阻挡层12与转移基板20接触而受到损伤。
在一些实施例中，当阻挡层12的机械强度足够大时，也可以将发光二极管100的二分之一以下伸入卡槽121内，在此不再赘述。
由于卡槽121的深度为50μm-70μm，在本实施例中，发光二极管100远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离n可以为80μm-100μm。在一些具体实施方式中，发光二极管100远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离n可以为80μm、82μm、85μm、88μm、90μm、92μm、95μm、98μm或100μm。
进一步的，在将发光二极管100伸入卡槽121之后，在导电触点22与焊盘组13之间预留一定距离，以保证导电触点22不会触碰到焊盘组13，进而防止导电触点22刮伤焊盘组13。
B13：沿预设方向X移动转移基板20，预设方向X与目标衬底11所在平面平行或非垂直相交，以使发光二极管100从转移基板20上脱离，如图3C所示。
由于发光二极管100与支撑悬臂21之间的锚定力小于阻挡层12的机械强度，因此，在转移基板20的移动过程中，发光二极管100会在阻挡层12的机械作用下脱离支撑悬臂21，进而掉落至卡槽121内的焊盘组13上。由于上述转移方式通过机械力的作用实现了发光二极管100的转移，因此，大大降低了发光二极管100的转移难度。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因此，能够大大节省工艺成本。
在本实施例中，预设方向X与目标衬底11所在平面平行。由于发光二极管100与导电触点22相连，上述设置使得在转移基板20的移动过程中，可以避免发光二极管100发生错位而影响到导电触点22和焊盘组13的对位，进而可以进一步提高发光二极管100的对位准确性。
需要说明的是，所述“非垂直相交”是指预设方向X与目标衬底11所在平面之间形成的夹角为锐角或钝角时的情况，在此不再赘述。
B14：对导电触点22与焊盘组13进行焊接，如图3D所示。
其中，采用回流焊的方式使导电触点22熔化，以使导电触点22与焊盘组13粘结，进而完成发光二极管100的转移过程。
由此，在本申请示例一提供的发光二极管100的转移方法中，由于目标基板10中设置有阻挡层12，阻挡层12与目标衬底11之间形成有卡槽121，因此，在发光二极管100的转移过程中，当将发光二极管100置于卡槽121内时，一方面，通过利用阻挡层12的阻挡作用能够限制发光二极管100的移动方向；另一方面，由于阻挡层12的机械强度大于发光二极管100与转移基板20之间的结合强度，因而当沿与目标衬底11所在平面平行的方向移动转移基板20时，发光二极管100能够很容易地从转移基板20上脱离，进而完成发光二极管100的转移过程。另外，由于本实施例提供的发光二极管100的转移方法通过机械力的作用进行转移，因此大大降低了发光二极管100的转移难度。
进一步的，由于本实施例提供的发光二极管100的转移方法不需要借助激光照射技术，进而能够降低发光二极管100在激光照射下出现性能衰减的风险；另外，由于发光二极管100能够一次性从转移基板20上脱离，不仅能够满足发光二极管100的巨量转移需求，还能够大大提高转移速率。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因而能够大大节省工艺成本。
请一并参照图5、图6A至图6J。本申请示例二提供一种发光二极管的转移方法，其包括以下步骤：
B21：提供目标基板10和第一转移基板20a，并将第一转移基板20a与目标基板10进行对位，目标基板10包括目标衬底11和设置在目标衬底11一侧的阻挡层12、第一焊盘组13a、第二焊盘组13b以及第三焊盘组13c；阻挡层12与目标衬底11形成对应于第一焊盘组13a的第一卡槽121a、对应于第二焊盘组13b的第二卡槽121b以及对应于第三焊盘组13c的第三卡槽121c；第一转移基板20a的一侧连接有红光发光二极管100a，如图6A所示。
其中，目标衬底11可以为驱动基板，所述驱动基板包括用于驱动发光二极管发光的薄膜晶体管(图中未示出)，相关技术均为现有技术，在此不再赘述。
一第一卡槽121a裸露出一第一焊盘组13a。第一焊盘组13a的厚度小于第一卡槽121a的深度。一第二卡槽121b裸露出一第二焊盘组13b。第二焊盘组13b的厚度小于第二卡槽121b的深度。一第三卡槽121c裸露出一第三焊盘组13c。第三焊盘组13c的厚度小于第三卡槽121c的深度。
第一焊盘组13a、第二焊盘组13b以及第三焊盘组13c均在目标衬底11的制备工艺中形成。每一第一焊盘组13a、每一第二焊盘组13b以及每一第三焊盘组13c均包括正极性焊盘和负极性焊盘(图中未标识)，正极性焊盘用于与发光二极管的正极连接，负极性焊盘用于与发光二极管的负极连接。
在本实施例中，阻挡层12的厚度为50μm-70μm。具体来说，阻挡层12的厚度是指阻挡层12远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离。在一些具体实施方式中，阻挡层12的厚度可以为50μm、52μm、55μm、57μm、58μm、60μm、62μm、65μm、68μm或70μm等。其中，第一卡槽121a的深度、第二卡槽121b的深度以及第三卡槽121c的深度均等于阻挡层12的厚度。
其中，在目标衬底11上形成第一焊盘组13a、第二焊盘组13b以及第三焊盘组13c之后，再进行阻挡层12的制备。具体的，可以采用喷墨打印工艺或者光刻工艺形成阻挡层12。由于阻挡层12在目标衬底11上的覆盖面积较大，因此，优选采用喷墨打印工艺制备阻挡层12，以达到简化工艺的目的。需要说明的是，本实施例中阻挡层12的材料可以参照前述示例一的描述，在此不再赘述。
其中，第一转移基板20a可以为砷化镓衬底。红光发光二极管100a可以为Mini LED或Micro LED。其中，红光发光二极管100a远离第一转移基板20a的一侧连接有第一导电触点22a。第一导电触点22a用于与目标基板10上的第一焊盘组13a进行绑定粘结。具体的，第一导电触点22a的材料可以包括低熔点的金属，如锡、铟、铅和铋中的一种或多种。
在本实施例中，第一转移基板20a和红光发光二极管100a之间连接有第一支撑悬臂21a。第一支撑悬臂21a与第一转移基板20a之间通过锚定力连接。第一支撑悬臂21a对红光发光二极管100a起支撑作用，以利于红光发光二极管100a从第一转移基板20a上脱离。在本实施例中，阻挡层12的机械强度大于红光发光二极管100a与第一支撑悬臂21a之间的锚定力。
需要说明的是，第一支撑悬臂21a是在红光发光二极管100a的制备工艺之后，通过对红光发光二极管100a进行刻蚀得到。其中，本申请中第一支撑悬臂21a的结构仅为示例，用以表示第一支撑悬臂21a与红光发光二极管100a之间的连接关系，但并不能理解为对本申请的限制。另外，第一支撑悬臂21a的相关制程及结构均可以参照现有技术，在此不再赘述。
进一步的，在将第一转移基板20a和目标基板10进行对位时，将第一转移基板20a上的第一导电触点22a一一对应于目标基板10中的第一焊盘组13a，以提高对位准确性。
B22：将多个红光发光二极管100a一一对应置于第一卡槽121a内，红光发光二极管100a的至少部分位于第一卡槽121a内，如图6B所示。
在本实施例中，在垂直于目标衬底11所在平面的方向，红光发光二极管100a的厚度的至少二分之一位于第一卡槽121a内。由于第一转移基板20a上第一支撑悬臂21a的力臂较大，为避免后续红光发光二极管100a转移过程中损伤阻挡层12，当将红光发光二极管100a的厚度的至少二分之一伸入第一卡槽121a内时，使得红光发光二极管100a的重心落在第一卡槽121a的下方，以减小第一支撑悬臂21a的力臂。较佳地，红光发光二极管100a不能完全伸入第一卡槽121a内，以避免阻挡层12与第一转移基板20a接触而受到损伤。
在一些实施例中，当阻挡层12的机械强度足够大时，也可以将红光发光二极管100a的二分之一以下伸入第一卡槽121a内，在此不再赘述。
由于第一卡槽121a的深度为50μm-70μm，在本实施例中，红光发光二极管100a远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离可以为80μm-100μm。在一些具体实施方式中，红光发光二极管100a远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离可以为80μm、82μm、85μm、88μm、90μm、92μm、95μm、98μm或100μm。
进一步的，在将红光发光二极管100a伸入第一卡槽121a之后，在第一导电触点22a与第一焊盘组13a之间预留一定距离，以保证第一导电触点22a不会触碰到第一焊盘组13a，进而防止第一导电触点22a刮伤第一焊盘组13a。
B23：沿预设方向X移动第一转移基板20a，预设方向X与目标衬底11所在平面平行或非垂直相交，以使红光发光二极管100a从第一转移基板20a上脱离，如图6C所示。
由于红光发光二极管100a与第一支撑悬臂21a之间的锚定力小于阻挡层12的机械强度，因此，在第一转移基板20a的移动过程中，红光发光二极管100a会在阻挡层12的机械作用下自第一支撑悬臂21a上脱离，进而掉落至第一卡槽121a内的第一焊盘组13a上。由于上述转移方式通过机械力的作用实现了红光发光二极管100a的转移，因此，大大降低了红光发光二极管100a的转移难度。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因此，能够大大节省工艺成本。
在本实施例中，预设方向X与目标衬底11所在平面平行。由于红光发光二极管100a与第一导电触点22a连接，上述设置使得在第一转移基板20a的移动过程中，可以避免红光发光二极管100a发生错位而影响到第一导电触点22a和第一焊盘组13a的对位，进而可以进一步提高红光发光二极管100a的对位准确性。
需要说明的是，所述“非垂直相交”是指预设方向X与目标衬底11所在平面之间形成的夹角为锐角或钝角时的情况，在此不再赘述。
B24：提供第二转移基板20b，并将第二转移基板20b与目标基板10进行对位，第二转移基板20b的一侧连接有多个绿光发光二极管100b，如图6D所示。
其中，第二转移基板20b可以为蓝宝石衬底。绿光发光二极管100b可以为Mini LED或Micro LED。其中，绿光发光二极管100b远离第二转移基板20b的一侧连接有第二导电触点22b。第二导电触点22b用于与目标基板10上的第二焊盘组13b进行绑定粘结。具体的，第二导电触点22b的材料可以包括低熔点的金属，如锡、铟、铅和铋中的一种或多种。
在本实施例中，第二转移基板20b和绿光发光二极管100b之间连接有第二支撑悬臂21b。第二支撑悬臂21b与第二转移基板20b之间通过锚定力连接。第二支撑悬臂21b对绿光发光二极管100b起支撑作用，以利于绿光发光二极管100b从第二转移基板20b上脱离。在本实施例中，阻挡层12的机械强度大于绿光发光二极管100b与第二支撑悬臂21b之间的锚定力。
需要说明的是，第二支撑悬臂21b是在绿光发光二极管100b的制备工艺之后，通过对绿光发光二极管100b进行刻蚀得到。其中，本申请中第二支撑悬臂21b的结构仅为示例，用以表示第二支撑悬臂21b与绿光发光二极管100b之间的连接关系，但并不能理解为对本申请的限制。另外，第二支撑悬臂21b的相关制程及结构均可以参照现有技术，在此不再赘述。
进一步的，在将第二转移基板20b和目标基板10进行对位时，将第二转移基板20b上的第二导电触点22b一一对应于目标基板10中的第二焊盘组13b，以提高对位准确性。
B25：将多个绿光发光二极管100b一一对应置于第二卡槽121b内，绿光发光二极管100b的至少部分位于第二卡槽121b内，如图6E所示。
在本实施例中，在垂直于目标衬底11所在平面的方向，绿光发光二极管100b的厚度的至少二分之一位于第二卡槽121b内。由于第二转移基板20b上第二支撑悬臂21b的力臂较大，为避免后续绿光发光二极管100b转移过程中损伤阻挡层12，当将绿光发光二极管100b的厚度的至少二分之一伸入第二卡槽121b内时，使得绿光发光二极管100b的重心落在第二卡槽121b的下方，以减小第二支撑悬臂21b的力臂。较佳地，绿光发光二极管100b不能完全伸入第二卡槽121b内，以避免阻挡层12与第二转移基板20b接触而受到损伤。
在一些实施例中，当阻挡层12的机械强度足够大时，也可以将绿光发光二极管100b的二分之一以下伸入第二卡槽121b内，在此不再赘述。
由于第二卡槽121b的深度为50μm-70μm，在本实施例中，绿光发光二极管100b远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离可以为80μm-100μm。在一些具体实施方式中，绿光发光二极管100b远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离可以为80μm、82μm、85μm、88μm、90μm、92μm、95μm、98μm或100μm。
进一步的，在将绿光发光二极管100b伸入第二卡槽121b之后，在第二导电触点22b与第二焊盘组13b之间预留一定距离，以保证第二导电触点22b不会触碰到第二焊盘组13b，进而防止第二导电触点22b刮伤第二焊盘组13b。
B26：沿预设方向X移动第二转移基板20b，以使绿光发光二极管100b从第二转移基板20b上脱离，如图6F所示。
由于绿光发光二极管100b与第二支撑悬臂21b之间的锚定力小于阻挡层12的机械强度，因此，在第二转移基板20b的移动过程中，绿光发光二极管100b会在阻挡层12的机械作用下自第二支撑悬臂21b上脱离，进而掉落至第二卡槽121b内的第二焊盘组13b上。由于上述转移方式通过机械力的作用实现了绿光发光二极管100b的转移，因此，大大降低了绿光发光二极管100b的转移难度。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因此，能够大大节省工艺成本。
B27：提供第三转移基板20c，并将第三转移基板20c与目标基板10进行对位，第三转移基板20c的一侧连接有多个蓝光发光二极管100c，如图6G所示。
其中，第三转移基板20c可以为蓝宝石衬底。蓝光发光二极管100c可以为Mini LED或Micro LED。其中，蓝光发光二极管100c远离第三转移基板20c的一侧连接有第三导电触点22c。第三导电触点22c用于与目标基板10上的第三焊盘组13c进行绑定粘结。具体的，第三导电触点22c的材料可以包括低熔点的金属，如锡、铟、铅和铋中的一种或多种。
在本实施例中，第三转移基板20c和蓝光发光二极管100c之间连接有第三支撑悬臂21c。第三支撑悬臂21c与第三转移基板20c之间通过锚定力连接。第三支撑悬臂21c对蓝光发光二极管100c起支撑作用，以利于蓝光发光二极管100c从第三转移基板20c上脱离。在本实施例中，阻挡层12的机械强度大于蓝光发光二极管100c与第三支撑悬臂21c之间的锚定力。
需要说明的是，第三支撑悬臂21c是在蓝光发光二极管100c的制备工艺之后，通过对蓝光发光二极管100c进行刻蚀得到。其中，本申请中第三支撑悬臂21c的结构仅为示例，用以表示第三支撑悬臂21c与蓝光发光二极管100c之间的连接关系，但并不能理解为对本申请的限制。另外，第三支撑悬臂21c的相关制程及结构均可以参照现有技术，在此不再赘述。
进一步的，在将第三转移基板20c和目标基板10进行对位时，将第三转移基板20c上的第三导电触点22c一一对应于目标基板10中的第三焊盘组13c，以提高对位准确性。
B28：将多个蓝光发光二极管100c一一对应置于第三卡槽121c内，蓝光发光二极管100c的至少部分位于第三卡槽121c内，如图6H所示。
在本实施例中，在垂直于目标衬底11所在平面的方向，蓝光发光二极管100c的厚度的至少二分之一位于第三卡槽121c内。由于第三转移基板20c上第三支撑悬臂21c的力臂较大，为避免后续蓝光发光二极管100c转移过程中损伤阻挡层12，当将蓝光发光二极管100c的厚度的至少二分之一伸入第三卡槽121c内时，使得蓝光发光二极管100c的重心落在第三卡槽121c的下方，以减小第三支撑悬臂21c的力臂。较佳地，蓝光发光二极管100c不能完全伸入第三卡槽121c内，以避免阻挡层12与第三转移基板20c接触而受到损伤。
在一些实施例中，当阻挡层12的机械强度足够大时，也可以将蓝光发光二极管100c的二分之一以下伸入第三卡槽121c内，在此不再赘述。
由于第三卡槽121c的深度为50μm-70μm，在本实施例中，蓝光发光二极管100c远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离可以为80μm-100μm。在一些具体实施方式中，蓝光发光二极管100c远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离可以为80μm、82μm、85μm、88μm、90μm、92μm、95μm、98μm或100μm。
进一步的，在将蓝光发光二极管100c伸入第三卡槽121c之后，在第三导电触点22c与第三焊盘组13c之间预留一定距离，以保证第三导电触点22c不会触碰到第三焊盘组13c，进而防止第三导电触点22c刮伤第三焊盘组13c。
B29：沿预设方向X移动第三转移基板20c，以使蓝光发光二极管100c从第三转移基板20c上脱离，如图6I所示。
由于蓝光发光二极管100c与第三支撑悬臂21c之间的锚定力小于阻挡层12的机械强度，因此，在第三转移基板20c的移动过程中，蓝光发光二极管100c会在阻挡层12的机械作用下自第三支撑悬臂21c上脱离，进而掉落至第三卡槽121c内的第三焊盘组13c上。由于上述转移方式通过机械力的作用实现了蓝光发光二极管100c的转移，因此，大大降低了蓝光发光二极管100c的转移难度。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因此，能够大大节省工艺成本。
B30：对第一导电触点22a与第一焊盘组13a、第二导电触点22b与第二焊盘组13b以及第三导电触点22c与第三焊盘组13c进行焊接，如图6J所示。
其中，采用回流焊的方式使第一导电触点22a、第二导电触点22b以及第三导电触点22c熔化，以使第一导电触点22a与第一焊盘组13a粘结、第二导电触点22b与第二焊盘组13b粘结、第三导电触点22c与第三焊盘组13c粘结，进而完成发光二极管100的转移过程。
由此，在本申请示例二提供的发光二极管的转移方法中，基于发光二极管的直接转移路线，将红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c分三次转移至目标基板10上。在发光二极管的转移过程中，当将发光二极管置于对应的卡槽内时，一方面，通过利用阻挡层12的阻挡作用能够限制发光二极管的移动方向；另一方面，由于阻挡层12的机械强度大于发光二极管与对应支撑悬臂之间的锚定力，因而当沿与目标衬底11所在平面平行的方向移动转移基板时，发光二极管能够很容易地从转移基板上脱离，进而完成发光二极管的转移过程。进一步的，由于本实施例提供的发光二极管的转移方法是通过机械力的作用进行转移，因此大大降低了发光二极管的转移难度。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因而能够大大节省工艺成本。
请一并参照图7、图8A至8D，本申请示例三提供一种发光二极管100的转移方法，其包括以下步骤：
B31：提供目标基板10和转移基板20，并将转移基板20与目标基板10进行对位，目标基板10包括目标衬底11和设置在目标衬底11一侧的阻挡层12、第一焊盘组13a、第二焊盘组13b以及第三焊盘组13c；阻挡层12与目标衬底11形成对应于第一焊盘组13a的第一卡槽121a、对应于第二焊盘组13b的第二卡槽121b以及对应于第三焊盘组13c的第三卡槽121c；转移基板20包括蓝膜20A，蓝膜20A的一侧连接有多个红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c，如图8A所示。
需要说明的是，本实施例中目标基板10的具体结构以及相关制备工艺与前述示例二相同，相关技术均可以参照前述示例二的描述，在此不再赘述。
在本实施例中，转移基板20还包括转移衬底20B。转移衬底20B设置在蓝膜20A远离发光二极管100的一侧。其中，转移衬底20B可以为蓝宝石衬底、砷化镓衬底或硅基衬底。
红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c均可以为Mini LED或Micro LED。
其中，红光发光二极管100a远离转移基板20的一侧连接有第一导电触点22a。第一导电触点22a用于与目标基板10上的第一焊盘组13a进行绑定粘结。绿光发光二极管100b远离转移基板20的一侧连接有第二导电触点22b。第二导电触点22b用于与目标基板10上的第二焊盘组13b进行绑定粘结。蓝光发光二极管100c远离转移基板20的一侧连接有第三导电触点22c。第三导电触点22c用于与目标基板10上的第三焊盘组13c进行绑定粘结。其中，第一导电触点22a、第二导电触点22b以及第三导电触点22c的材料相同，均可以包括低熔点的金属，如锡、铟、铅和铋中的一种或多种。
在本实施例中，红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c与蓝膜20A均通过附着力连接。其中，阻挡层12的机械强度分别大于红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c与蓝膜20A之间的附着力。
B32：同时将多个红光发光二极管100a一一对应置于第一卡槽121a内、多个绿光发光二极管100b一一对应置于第二卡槽121b内、多个蓝光发光二极管100c一一对应置于第三卡槽121c内，红光发光二极管100a的至少部分位于第一卡槽121a内，绿光发光二极管100b的至少部分位于第二卡槽121b内、蓝光发光二极管100c的至少部分位于第三卡槽121c内，如图8B所示。
其中，红光发光二极管100a伸入第一卡槽121a内的部分的厚度、绿光发光二极管100b伸入第二卡槽121b内的部分的厚度以及蓝光发光二极管100c伸入第三卡槽121c内的部分的厚度均可以参照前述示例二的描述，在此不再赘述。
B33：沿预设方向X移动转移基板20，预设方向X与目标衬底11所在平面平行或非垂直相交，以使红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c自蓝膜20A上脱离，如图8C所示。
由于红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c与蓝膜20A之间的附着力均小于阻挡层12的机械强度，因此，在转移基板20的移动过程中，红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c会在阻挡层12的机械作用下自蓝膜20A上脱离，进而掉落至对应的焊盘组上。由于上述转移方式通过机械力的作用实现了发光二极管的转移，因此，大大降低了发光二极管的转移难度。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因此，能够大大节省工艺成本。
B34：对第一导电触点22a与第一焊盘组13a、第二导电触点22b与第二焊盘组13b以及第三导电触点22c与第三焊盘组13c进行焊接，如图8D所示。
其中，采用回流焊的方式使第一导电触点22a、第二导电触点22b以及第三导电触点22c熔化，以使第一导电触点22a与第一焊盘组13a粘结、第二导电触点22b与第二焊盘组13b粘结、第三导电触点22c与第三焊盘组13c粘结，进而完成发光二极管的转移过程。
由此，在本申请示例三提供的发光二极管的转移方法中，基于发光二极管的间接转移路线，以转移基板20为载体基板，将红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c一次性转移至目标基板10上。在发光二极管的转移过程中，当将发光二极管置于对应的卡槽内时，一方面，通过利用阻挡层12的阻挡作用能够限制发光二极管的移动方向；另一方面，由于阻挡层12的机械强度大于发光二极管与蓝膜20A之间的附着力，因而当沿与目标衬底11所在平面平行的方向移动转移基板20时，发光二极管能够很容易地从转移基板20上脱离，进而完成发光二极管的转移过程。进一步的，由于本实施例提供的发光二极管的转移方法是通过机械力的作用进行转移，因此大大降低了发光二极管的转移难度，并能够提高转移良率。此外，由于转移过程中不需要借助额外的仪器设备，因而能够大大节省工艺成本。
请参照图9，本申请实施例还提供一种发光基板200。发光基板200包括目标基板10和多个发光二极管100。目标基板10包括目标衬底11和设置在目标衬底11一侧的阻挡层12以及多个焊盘组13。阻挡层12与目标衬底11形成多个卡槽121。一卡槽121裸露出一焊盘组13。焊盘组13的厚度小于卡槽121的深度。一发光二极管100对应设置在一卡槽121内，并与焊盘组13连接。
具体的，焊盘组13包括第一焊盘组13a、第二焊盘组13b以及第三焊盘组13c。卡槽121包括第一卡槽121a、第二卡槽121b以及第三卡槽121c。一第一卡槽121a裸露出一第一焊盘组13a。第一焊盘组13a的厚度小于第一卡槽121a的深度。一第二卡槽121b裸露出一第二焊盘组13b。第二焊盘组13b的厚度小于第二卡槽121b的深度。一第三卡槽121c裸露出一第三焊盘组13c。第三焊盘组13c的厚度小于第三卡槽121c的深度。
发光二极管100包括红光发光二极管100a、绿光发光二极管100b以及蓝光发光二极管100c。红光发光二极管100a位于第一卡槽121a内，并通过第一导电触点22a与第一焊盘组13a连接。绿光发光二极管100b位于第二卡槽121b内，并通过第二导电触点22b与第二焊盘组13b连接。蓝光发光二极管100c位于第三卡槽121c内，并通过第三导电触点22c与第三焊盘组13c连接。
在本实施例中，发光二极管100远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离大于阻挡层12远离目标衬底11的一面到目标衬底11的距离。
其中，发光二极管100可以由前述示例一或示例二所述的发光二极管100的转移方法转移得到，相关转移方法可以参照前述示例一或示例二的描述，在此不再赘述。
请参照图10，本申请实施例还提供一种显示面板1000。显示面板1000包括发光基板200和设置在发光基板200一侧的封装层300。其中，发光基板200可以为前述实施例所述的发光基板200，发光基板200的具体结构可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种发光二极管的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供目标基板和转移基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底一侧的阻挡层，所述阻挡层与所述目标衬底形成多个卡槽；所述转移基板的一侧连接有多个发光二极管；
将所述目标基板与所述转移基板进行对位，以使所述发光二极管的至少部分位于所述卡槽内；
沿预设方向移动所述转移基板，所述预设方向与所述目标衬底所在平面平行或非垂直相交，以使所述发光二极管从所述转移基板上脱离。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述阻挡层的机械强度大于所述发光二极管与所述转移基板之间的结合强度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述将所述目标基板与所述转移基板进行对位的步骤中，在垂直于所述目标衬底所在平面的方向，所述发光二极管的厚度的至少二分之一位于所述卡槽内。
4.根据权利要求3所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述阻挡层远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离为50μm-70μm，所述发光二极管远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离为80μm-100μm。
5.根据权利要求2所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述转移基板为生长衬底，所述生长衬底和所述发光二极管之间连接有支撑悬臂，所述阻挡层的机械强度大于所述发光二极管与所述支撑悬臂之间的锚定力；
所述沿预设方向移动所述转移基板的步骤中，所述发光二极管自所述支撑悬臂上脱离。
6.根据权利要求2所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述转移基板包括蓝膜，所述蓝膜与多个所述发光二极管连接，所述阻挡层的机械强度大于所述发光二极管与所述蓝膜之间的附着力；
所述沿预设方向移动所述转移基板的步骤中，所述发光二极管自所述蓝膜上脱离。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述阻挡层采用喷墨打印工艺形成，所述阻挡层的材料包括聚合物。
8.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括遮光材料。
9.根据权利要求1所述的发光二极管的转移方法，其特征在于，所述目标基板还包括设置在所述目标衬底一侧的多个焊盘组，一所述卡槽裸露出一所述焊盘组，所述焊盘组的厚度小于所述卡槽的深度，所述发光二极管远离所述转移基板的一侧连接有导电触点，在所述沿预设方向移动所述转移基板的步骤之后，还包括：
对所述导电触点与对应的所述焊盘组进行焊接。
10.一种发光基板，其特征在于，包括：
目标基板，所述目标基板包括目标衬底和设置在所述目标衬底一侧的阻挡层以及多个焊盘组，所述阻挡层与所述目标衬底形成多个卡槽，一所述卡槽裸露出一所述焊盘组，所述焊盘组的厚度小于所述卡槽的深度；以及
多个发光二极管，一所述发光二极管对应设置在一所述卡槽内，并与所述焊盘组连接；其中，所述发光二极管远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离大于所述阻挡层远离所述目标衬底的一面到所述目标衬底的距离。
11.一种显示面板，其特征在于，包括发光基板和设置在所述发光基板一侧的封装层，所述发光基板为权利要求10所述的发光基板。
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