CN114136509A - 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺 - Google Patents

一种温度压力一体式mems传感器封装工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN114136509A
CN114136509A CN202111306509.5A CN202111306509A CN114136509A CN 114136509 A CN114136509 A CN 114136509A CN 202111306509 A CN202111306509 A CN 202111306509A CN 114136509 A CN114136509 A CN 114136509A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
pcb
glue
conditioning circuit
circuit chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111306509.5A
Other languages
English (en)
Inventor
陈建华
李春霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Institute of Information Technology
Original Assignee
Shenzhen Institute of Information Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Institute of Information Technology filed Critical Shenzhen Institute of Information Technology
Priority to CN202111306509.5A priority Critical patent/CN114136509A/zh
Publication of CN114136509A publication Critical patent/CN114136509A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/18Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/06Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
    • G01L9/065Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices with temperature compensating means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,包括以下步骤:(1)在PCB板上通过固晶机滴硅微珠混合固定胶,所述硅微珠混合固定胶由弹性微珠、硅胶均匀混合而成,用吸取的方法将调理电路芯片底部贴附在硅微珠混合固定胶上方并压到PCB板上,同上方法,将温度补偿MEMS压力芯片贴在调理电路芯片上;(2)高温固化;(3)金丝键合技术进行连线;(4)涂固定金属防护体的胶水;(5)装上金属防护体;(6)高温烘烤,形成半封装产品;(7)注入软体防水胶。本发明可以有效的对硅传感器基底与底部支撑进行隔离,实现均匀的隔离高度和保持弹性的粘接,从而达到传感器的应力最小化,对MEMS压力传感器的原始输出保持真实性。

Description

一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺
技术领域
本发明属于压力传感器技术领域,具体是涉及一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺。
背景技术
目前市面上压阻传感器是采用惠斯通电桥为基础,在半导体硅片上刻蚀腔体以形成膜片,在膜片上制作具有压力感应的电桥,当膜片受外界压力时发生形变,对感应电桥产生压电效应,这种压电效应具有比较线性的输出。现有技术中,该压电效应在不同温度下的输出线性的补偿电路缺少或者补偿电路与惠斯通电桥温度采集信号的同步性差,导致当前MEMS压力传感器存在不同温度下的精度问题和响应度不同步的问题。并且硅传感器基底与底部支撑进行隔离时,隔离高度不一致,误差较大,粘接处弹性小,从而使得传感器存在形变应影响,导致MEMS压力传感器的精度不够。
发明内容
本发明的目的在于针对上述问题,提供一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,保证硅传感器基底与底部支撑进行隔离时,隔离高度一致性好且粘接处具有弹性,从而使得传感器的应力最小化,提升MEMS压力传感器的精度。
本发明的技术方案是这样实现的。
一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在PCB板上通过固晶机滴上一滴呈圆形的硅微珠混合固定胶,所述硅微珠混合固定胶由弹性微珠、硅胶均匀混合而成,用吸取的方法将调理电路芯片底部贴附在硅微珠混合固定胶上方并压到PCB板上,同上方法,利用硅微珠混合固定胶将温度补偿MEMS压力芯片贴在调理电路芯片上;
(2)将步骤(1)中贴装有调理电路芯片、温度补偿MEMS压力芯片的PCB板进行高温固化;
(3)将PCB板与调理电路芯片之间,调理电路芯片与温度补偿MEMS压力芯片之间按照设计电路图用金丝键合技术进行连线;
(4)用喷涂设备在PCB板的四周涂上用于固定金属防护体所需要的胶水;
(5)将清洁好的金属防护体装上编带,并通过自动贴片机,放置到步骤(4)的胶水喷涂位置;
(6)高温烘烤,固定位置,形成半封装产品;
(7)将步骤(6)形成的半封装产品,固定在点胶机上,注入软体防水胶,并进行高温固化;固化后即完成产品的封装。
进一步地,步骤(1)中的弹性微珠为直径10-50um的硅基材,与粘接硅胶混合成硅酮体粘接剂,有效的对硅传感器基底与底部支撑进行隔离,实现均匀的隔离高度和保持弹性的粘接,从而达到传感器的应力最小化且高度一致性,有效的对MEMS压力传感器的原始输出保持真实。另外,采用硅材料作为粘接体,使MEMS压力传感器芯片的长期温度漂移及老化更具稳定性,且阻热效果更优。
进一步地,步骤(1)中固晶机的邦头压力为50~200g。
进一步地,所述PCB板1采用FR4材料制成的纤维压合板电路板。
进一步地,步骤(2)中固化温度为150℃,固化时间为1小时。
本发明的有益效果是:(1)弹性微珠与粘接硅胶混合成硅酮体粘接剂,有效的对硅传感器基底与底部支撑进行隔离,实现均匀的隔离高度和保持弹性的粘接,从而达到传感器的应力最小化且高度一致性,有效的对MEMS压力传感器的原始输出保持真实性,从而提高MEMS压力传感器的精度。(2)利用弹性微珠可以精准的控制硅传感器基底与底部支撑的隔离高度,实际封装数据显示可以控制精度在+/-5um内。(3)采用硅材料作为粘接体,使MEMS压力传感器芯片的长期温度漂移及老化更具稳定性,且阻热效果更优。
附图说明
图1为本发明工艺封装产品的结构示意图。
图2为图1的局部放大图。
在图中,1、PCB板,2、调理电路芯片,3、温度补偿MEMS压力芯片,4、弹性微珠,5、硅胶,6、金线,7、金属防护体,8、防水胶。
具体实施方式
下面通过实施例以及说明书附图对本发明的技术方案做进一步地详细说明。
如图1、图2所示,本发明的一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,包括以下步骤:
(1)在PCB板1(采用FR4材料制成的纤维压合板电路板)上通过固晶机滴上一滴呈圆形的硅微珠混合固定胶,所述硅微珠混合固定胶由弹性微珠4、硅胶5均匀混合而成,用吸取的方法将调理电路芯片2底部贴附在硅微珠混合固定胶上方并压到PCB板1上,固晶机的邦头压力为180g,同上方法,利用硅微珠混合固定胶将温度补偿MEMS压力芯片3贴在调理电路芯片2上;
(2)将步骤(1)中贴装有调理电路芯片2、温度补偿MEMS压力芯片3的PCB板1进行高温固化,固化温度为150℃,固化时间为1小时;
(3)将PCB板1与调理电路芯片2之间,调理电路芯片2与温度补偿MEMS压力芯片3之间按照设计电路图用金丝键合技术通过金线6进行连线;
(4)用喷涂设备在PCB板1的四周涂上用于固定金属防护体7所需要的胶水;
(5)将清洁好的金属防护体7装上编带,并通过自动贴片机,放置到步骤(4)的胶水喷涂位置;
(6)高温烘烤,固定位置,形成半封装产品;
(7)将步骤(6)形成的半封装产品,固定在点胶机上,注入软体防水胶8,并进行高温固化;固化后即完成产品的封装。
步骤(1)中的弹性微珠4为直径10-50um的硅基材,与粘接硅胶混合成硅酮体粘接剂,有效的对硅传感器基底与底部支撑进行隔离,实现均匀的隔离高度和保持弹性的粘接,从而达到传感器的应力最小化且高度一致性,有效的对MEMS压力传感器的原始输出保持真实。另外,采用硅材料作为粘接体,使MEMS压力传感器芯片的长期温度漂移及老化更具稳定性,且阻热效果更优。
以上所述是本发明的优选实施例,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在PCB板上通过固晶机滴上一滴呈圆形的硅微珠混合固定胶,所述硅微珠混合固定胶由弹性微珠、硅胶均匀混合而成,用吸取的方法将调理电路芯片底部贴附在硅微珠混合固定胶上方并压到PCB板上,同上方法,利用硅微珠混合固定胶将温度补偿MEMS压力芯片贴在调理电路芯片上;
(2)将步骤(1)中贴装有调理电路芯片、温度补偿MEMS压力芯片的PCB板进行高温固化;
(3)将PCB板与调理电路芯片之间,调理电路芯片与温度补偿MEMS压力芯片之间按照设计电路图用金丝键合技术进行连线;
(4)用喷涂设备在PCB板的四周涂上用于固定金属防护体所需要的胶水;
(5)将清洁好的金属防护体装上编带,并通过自动贴片机,放置到步骤(4)的胶水喷涂位置;
(6)高温烘烤,固定位置,形成半封装产品;
(7)将步骤(6)形成的半封装产品,固定在点胶机上,注入软体防水胶,并进行高温固化;固化后即完成产品的封装。
2.根据权利要求1所述的温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,其特征在于:步骤(1)中的弹性微珠为直径10-50um的硅基材,与粘接硅胶混合成硅酮体粘接剂。
3.根据权利要求1所述的温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,其特征在于:步骤(1)中固晶机的邦头压力为50~200g。
4.根据权利要求1所述的温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,其特征在于:所述PCB板1采用FR4材料制成的纤维压合板电路板。
5.根据权利要求1所述的温度压力一体式MEMS传感器封装工艺,其特征在于:步骤(2)中固化温度为150℃,固化时间为1小时。
CN202111306509.5A 2021-11-05 2021-11-05 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺 Pending CN114136509A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111306509.5A CN114136509A (zh) 2021-11-05 2021-11-05 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111306509.5A CN114136509A (zh) 2021-11-05 2021-11-05 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114136509A true CN114136509A (zh) 2022-03-04

Family

ID=80392346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111306509.5A Pending CN114136509A (zh) 2021-11-05 2021-11-05 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114136509A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114956010A (zh) * 2022-07-28 2022-08-30 山东乾能科技创新有限公司 SnO2-MoSe2复合材料的制备方法、MEMS二氧化硫传感器及其应用
CN115015335A (zh) * 2022-08-05 2022-09-06 山东乾能科技创新有限公司 SnSe/SnO2/Gr复合材料的制备方法、MEMS氨气传感器及其应用
CN116919352A (zh) * 2023-08-16 2023-10-24 广东迈科鼎医疗科技有限公司 测量人体组织内压力和温度的微型传感器及其封装工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170367A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Denso Corp 半導体式圧力センサ
CN107144378A (zh) * 2017-06-07 2017-09-08 深圳信息职业技术学院 Mems压力传感器
CN110526207A (zh) * 2019-09-16 2019-12-03 安徽科技学院 一种mems芯片的粘接方法
CN111256856A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 合肥智感科技有限公司 一种防水防尘智能化手机温度压力传感器
CN111879444A (zh) * 2020-07-31 2020-11-03 深圳市迈姆斯科技有限公司 一种小型力传感器及制作方法
CN113526455A (zh) * 2021-07-17 2021-10-22 安徽芯动联科微系统股份有限公司 一种mems压力传感器的封装结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10170367A (ja) * 1996-12-09 1998-06-26 Denso Corp 半導体式圧力センサ
CN107144378A (zh) * 2017-06-07 2017-09-08 深圳信息职业技术学院 Mems压力传感器
CN110526207A (zh) * 2019-09-16 2019-12-03 安徽科技学院 一种mems芯片的粘接方法
CN111256856A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 合肥智感科技有限公司 一种防水防尘智能化手机温度压力传感器
CN111879444A (zh) * 2020-07-31 2020-11-03 深圳市迈姆斯科技有限公司 一种小型力传感器及制作方法
CN113526455A (zh) * 2021-07-17 2021-10-22 安徽芯动联科微系统股份有限公司 一种mems压力传感器的封装结构

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王辉静;: "基于MEMS技术的三维触觉感知阵列研究", 深圳信息职业技术学院学报, no. 02, pages 65 - 68 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114956010A (zh) * 2022-07-28 2022-08-30 山东乾能科技创新有限公司 SnO2-MoSe2复合材料的制备方法、MEMS二氧化硫传感器及其应用
CN115015335A (zh) * 2022-08-05 2022-09-06 山东乾能科技创新有限公司 SnSe/SnO2/Gr复合材料的制备方法、MEMS氨气传感器及其应用
CN115015335B (zh) * 2022-08-05 2022-11-22 山东乾能科技创新有限公司 SnSe/SnO2/Gr复合材料的制备方法、MEMS氨气传感器及其应用
CN116919352A (zh) * 2023-08-16 2023-10-24 广东迈科鼎医疗科技有限公司 测量人体组织内压力和温度的微型传感器及其封装工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114136509A (zh) 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺
CN207081503U (zh) 封装压力传感器、电子组件、电子系统和电子设备
CN100595909C (zh) 半导体器件
US7732915B2 (en) Semiconductor sensor device with sensor chip and method for producing the same
US7402905B2 (en) Methods of fabrication of wafer-level vacuum packaged devices
EP2466284A1 (en) Force sensor
WO2007038396A1 (en) Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby
CN210774448U (zh) 一种柔性压力传感器
WO2021004165A1 (zh) 基于倒装焊芯片的压力传感器芯体、芯体制造及封装方法和压力传感器
JPH1123613A (ja) ダイアフラム式センサチップを利用したセンサ
CN113984255A (zh) 一种自带温度补偿的压力传感器芯片的封装结构
WO2018055161A1 (en) Method of manufacturing a sensor using anodic bonding
US8748231B2 (en) Component assembly using a temporary attach material
CN116573605A (zh) Mems压力传感器的封装方法及封装结构
CN109387225B (zh) 一种mems惯性器件及其无应力电装方法
EP3660476B1 (en) Cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions
US20100255622A1 (en) Systems and methods for affixing a silicon device to a support structure
CN111039255B (zh) 降低mems惯性器件封装应力的方法及mems器件
CN214173624U (zh) 柔性气动压力测量装置
JP6317956B2 (ja) 圧力センサ、及び圧力センサの製造方法
CN216386066U (zh) 一种自带温度补偿的压力传感器芯片的封装结构
JPS61110023A (ja) 圧力電気変換器の構造
CN107359173B (zh) 图像传感器模组的装配方法
JPH1123396A (ja) センサチップの接合構造及びセンサの製造方法
CN106784241B (zh) 板上芯片封装方法和板上芯片封装系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination