CN114126394B - 一种光电信息泄漏防护薄膜、装置及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光电信息泄漏防护薄膜，所述光电信息泄漏防护薄膜包括至少一个防护单元(2)，其中，所述防护单元(2)包括叠层设置的功能层(21)和干涉滤光层(22)，所述功能层(21)为同时具有电磁屏蔽功能和红外吸收功能的材料，所述干涉滤光层(22)为透明的绝缘材料。本发明还公开了一种光电信息泄漏防护装置、光电信息泄漏防护薄膜和装置的制备方法以其在防止光电信息泄露中的用途。本发明中，具有导电性的功能层屏蔽电磁辐射，同时吸收部分红外信号，干涉滤光层形成干涉抵消，增强对红外信号的屏蔽，还同时促进了对电磁辐射的屏蔽。
Description
技术领域
本发明涉及信息安全领域，具体涉及一种光电信息泄漏防护薄膜、装置及其制备方法和用途。
背景技术
信息安全已引起社会广泛关注，为确保重要场所信息安全，光电信息防护成为非常重要的领域。
近年来，随着科学技术的飞速发展，伴随着光电技术在语音信息获取应用，如漫反射激光窃听具有非接触、隐蔽性好、灵敏度高等优点，使得信息的窃取目标由玻璃向多种材料转变。窃听系统可以透过玻璃对室内物品(图片、水杯、烟盒等)进行窃听，已经成为一种主要的窃听手段，给传统在窗户玻璃上放置振动干扰器，使玻璃产生额外的振动噪声来湮灭有用的语音信息泄漏防护系统带来了较大的冲击。而通过红外入侵检测和基于“猫眼”效应的激光窃听设备查找定位等设备需要在激光窃听设备处于工作状态才有效，而对于会议以及一些涉密场所的检测存在时效性。而现有的防激光窃听薄膜因为采用红外吸收方式，导致在近红外特别是800～1000nm之间其透过率高，为防激光窃听留下隐患。
因此亟需解决在正常采光情况下，门窗光电信息泄漏的防护问题。
发明内容
为此，本发明提出了一种可以解决上述问题的至少一部分的新型光电信息泄漏防护薄膜、装置及其制备方法和用途。
根据本发明公开的第一个方面，提供了一种光电信息泄漏防护薄膜，所述包括至少一个防护单元，其中，
所述防护单元包括叠层设置的功能层和干涉滤光层，所述功能层为同时具有电磁屏蔽功能和红外吸收功能的材料，所述干涉滤光层为透明的绝缘材料。
根据本发明的一个实施方式，所述功能层包括具有红外吸收功能且通过镀膜可形成透明导电层的材料。
根据本发明的一个实施方式，所述功能层选自铯钨青铜、三氧化二砷、铝掺杂的氧化锌、氧化锡锑、或氧化铟锡中的一种或多种；所述干涉滤光层选自二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸脂中的一种或多种。
根据本发明的一个实施方式，所述光电信息泄漏防护薄膜包括依次叠层设置的多个所述防护单元，相邻的所述防护单元之间通过功能层和干涉滤光层相互附着，形成所述功能层和所述干涉滤光层间隔设置的结构。
根据本发明的一个实施方式，所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括所述基底层，所述防护单元与所述基底层连接。
根据本发明的一个实施方式，所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括胶层和保护层，所述基底层、所述防护单元、所述胶层和所述保护层依次叠层设置。
根据本发明的一个实施方式，所述功能层厚度范围为1nm～1000nm；所述功能层厚度范围为10nm～800nm；优选地，所述功能层厚度范围为30nm～500nm；优选地，所述功能层的厚度为60nm。
根据本发明的一个实施方式，所述干涉滤光层厚度范围为1nm～1000nm；优选地，所述干涉滤光层厚度范围为10nm～800nm；优选地，所述干涉滤光层厚度范围为30nm～500nm；优选地，所述干涉滤光层的厚度为100nm。
本发明公开的第二个方面，提供了一种光电信息泄漏防护装置，所述光电信息泄漏防护装置上设置有所述的光电信息泄漏防护薄膜。
根据本发明的第三个方面，提供了一种光电信息泄漏防护薄膜的制备方法，其中，连接所述防护单元的步骤进一步包括将功能层和干涉滤光层连接在一起，形成所述功能层和所述干涉滤光层叠层设置的结构。
本发明公开的第四个方面，提供了所述光电信息泄漏防护装置的制备方法，包括将所述的光电信息泄漏防护薄膜安装在所述光电信息泄漏防护装置上。
本发明公开的第五个方面，提供了采用上述光电信息泄漏防护薄膜、光电信息泄漏防护装置在防止光电信息泄露中的用途。
本发明中，通过设置具有功能层和干涉滤光层叠加的结构，使光电信息泄漏防护薄膜和装置具有导电性的功能层屏蔽电磁辐射，同时吸收部分红外信号，还采用干涉滤光层形成干涉抵消，进一步增强对红外信号的屏蔽。本发明的叠加的结构，还同时促进了对电磁辐射的屏蔽。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。其中在附图中，参考数字之后的字母标记指示多个相同的部件，当泛指这些部件时，将省略其最后的字母标记。在附图中：
图1是光电信息泄漏防护薄膜的示意图；
图2是包括两个防护单元的光电信息泄漏防护薄膜的结构示意图；
图3是两倍单层厚度的铯钨青铜膜对红外滤光效果的示意图；
图4是本发明中具有两个防护单元时对红外滤光效果示意图；
图5是本发明中具有两个防护单元时与单层导电屏蔽层以及双层厚度的导电屏蔽层的电磁屏蔽效果的对比示意图；
图6是实施例1对红外滤光效果的示意图；
图7是实施例2对红外滤光效果的示意图；
图8是实施例3对红外滤光效果的示意图；以及
图9是实施例4对红外滤光效果的示意图。
具体实施方式
本发明提供了许多可应用的创造性概念，该创造性概念可大量的体现于具体的上下文中。在下述本发明的实施方式中描述的具体的实施例仅作为本发明的具体实施方式的示例性说明，而不构成对本发明范围的限制。
下面结合附图和具体的实施方式对本发明作进一步的描述。
本发明提供了一种光电信息泄漏防护薄膜，所述包括至少一个防护单元2，其中，所述防护单元2包括叠层设置的功能层21和干涉滤光层22，所述功能层21为同时具有电磁屏蔽功能和红外吸收功能的材料，所述干涉滤光层22为透明的绝缘材料。
本公开的发明人出乎意料地发现，将功能层和干涉滤光层相结合应用于防止光电信息泄露方面具有意想不到的技术效果。本发明中，所述防护单元2包括功能层21和干涉滤光层22，其中，功能层21采用具备导电性的材料，用于形成对电磁的屏蔽和红外线的吸收。干涉滤光层22采用绝缘的透明材料，用于形成干涉抵消，尤其对红外线进行干涉抵消，进一步起到屏蔽作用。
本发明提供的光电信息泄漏防护薄膜能够通过干涉和吸收红外光的方式补充阻隔红外，通过导电性能实现电磁屏蔽功能，而且，通过起到干涉和吸收红外作用的干涉滤光层与功能层之间相互影响，切断光电信号传输途径，提高防护效果，实现对会议场所光电频段无间断、实时有效的信息防护。
优选地，所述功能层21包括具有红外吸收功能且通过镀膜可形成透明导电层的材料。
所述功能层21选自铯钨青铜、三氧化二砷(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、氧化锡锑、或氧化铟锡(ITO)中的一种或多种。优选地，所述功能层21选自铯钨青铜。
所述干涉滤光层22选自二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸脂中的一种或多种。优选地，所述干涉滤光层22选自二氧化硅。
所述功能层21厚度范围为1nm～1000nm；优选地，所述功能层21厚度范围为10nm～500nm；优选地，所述功能层21厚度范围为30nm～800nm；优选地，所述功能层21的厚度为60nm。所述干涉滤光层22厚度范围为1nm～1000nm；优选地，所述干涉滤光层22厚度范围为10nm～500nm；优选地，所述干涉滤光层22厚度范围为30nm～800nm；优选地，所述干涉滤光层22的厚度为100nm。所述功能层21和所述干涉滤光层22用于形成干涉抵消，加强对电磁和红外双重的防护。
根据发明制备出的光电信息泄漏防护薄膜可以通过磁控溅射、镀膜、涂布等方式设置到窗户和/或门等装置的玻璃表面，从而产生防护的效果。本发明提供的薄膜制备工序简单、成本低廉、防泄露效果好。
值得注意的是，本发明中提到的光电信息泄漏防护薄膜与门/窗等装置的玻璃，以及光电信息泄漏防护薄膜内部结构间的连接方式为现有技术和未来技术中能够实现连接的技术方式，包括但不限于磁控溅射、镀膜、涂布、静电。
所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括所述基底层1，所述防护单元2与所述基底层1连接。
作为本发明的一个实施方式，本发明提供的一种光电信息泄漏防护薄膜包括至少一个防护单元2，其中，所述防护单元2包括叠层设置的功能层21和干涉滤光层22，所述功能层21为同时具有电磁屏蔽功能和红外吸收功能的材料，所述干涉滤光层22为透明的绝缘材料；所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括所述基底层1，所述防护单元2与所述基底层1连接。
所述基底层1为透明的，其主要作用是在具有较高的透光度基础上为功能材料提供附作物。本发明选用PET、PVB或EVA材料，能够提供足够的支撑，且具有较高的熔点，均为柔性材料，便于贴于平面、曲面或其他不规则表面。例如贴于玻璃窗上。尤其是其透明的属性，可以透射可见光，可以在不影响采光的情况下，还能形成对电磁、红外等辐射的屏蔽。
所述基底层1为包括有机玻璃、无机玻璃等在内的现有技术及未来技术提供的可透光的材料，既可以是透光的柔性材料，也可以是透光的非柔性材料。优选地，所述基底层1为柔性透明材质，可以便于薄膜粘贴于多种不同的应用环境。优选地，基底层1采用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)、EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)塑胶材料中的任一种，厚度范围为10～100μm。
所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括胶层3和保护层4，所述防护单元2、所述胶层3和所述保护层4依次叠层设置。
作为本发明的一个实施方式，图1示出了一种光电信息泄漏防护薄膜的示意图。如图1所示，一种光电信息泄漏防护薄膜，包括依次叠层设置的基底层1、防护单元2、胶层3和保护层4，其中，所述基底层1采用PET、PVB、EVA材料中的任一种，厚度范围为10～100μm；所述防护单元2包括功能层21和干涉滤光层22，所述功能层21附着在所述基底层1表面，厚度范围为0.01nm～1000nm，所述干涉滤光层22附着在所述功能层21表面，厚度范围为0.01nm～1000nm；所述胶层3涂覆于所述干涉滤光层22表面；所述保护层4附着于胶层3表面。
所述防护单元2包括功能层21和干涉滤光层22，其中，功能层21采用具备导电性的材料，用于形成对电磁的屏蔽和红外线的吸收。干涉滤光层22采用绝缘的透明材料，用于形成干涉抵消，尤其对红外线进行干涉抵消，进一步起到屏蔽作用。
所述防护单元2还可以反向设置，即，干涉滤光层22附着在基底层1表面，功能层21附着在干涉滤光层22表面。
所述功能层21附着在所述基底层1表面，所述干涉滤光层22附着在所述功能层21表面，均可采用电镀、涂布等多种方式，本发明优选采用电镀。
所述胶层3用于安装薄膜，通过涂布方式涂覆于干涉滤光层22表面，用于将本发明的薄膜贴敷于需要防护的位置，例如，窗户玻璃的表面。
优选地，所述胶层3采用丙烯酸酯胶粘剂。丙烯酸酯胶粘剂可在室温固化，并有一定的透明性，适用于窗户玻璃等需要透光的应用环境。本公开中，所述胶层3可以用于安装薄膜，通过涂布方式涂覆于干涉滤光层22表面，用于将本发明的薄膜贴敷于需要防护的位置，例如，窗户玻璃的表面。
优选地，所述保护层4采用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)中的任一种。优选地，所述保护层4的厚度为1～50μm。保护层4采用PET、PVB或EVA，也是透明柔性材质，可以适用于平面和不规则的曲面，也适用于需要透光的应用环境。
作为本发明的一个优选实施方式，所述保护层4用于在安装前保护胶层3和防护单元2，在贴薄膜时，首先撕掉保护层4，然后将胶层3的一面贴敷于需要防护的位置。所述保护层4可以采用现有或将来发明的任意保护层4，本发明不予限定。只需要所述保护层4能为胶层3和薄膜的防护单元2提供充分的保护，还能够较为便捷的与胶层3分离。
作为本发明的第二个方面，本发明还提供了一种光电信息泄漏防护装置，所述光电信息泄漏防护装置上设置有所述的光电信息泄漏防护薄膜。设置的方式包括利用现有技术和未来技术中的连接方式将所述的光电信息泄漏防护薄膜结合到光电信息泄漏防护装置，所述连接方式包括但不限于磁控溅射、镀膜、涂覆、静电、粘贴等。
所述一种光电信息泄漏防护装置可以包括门、窗玻璃或者其他装置及载体。
作为本发明的第三个方面，本发明还提供了一种光电信息泄漏防护薄膜的制备方法包括，连接所述防护单元的步骤，连接所述防护单元2的步骤进一步包括将功能层21和干涉滤光层22连接在一起，形成所述功能层21和所述干涉滤光层22叠层设置的结构。
作为本发明的一个具体实施方式，包括，第一步骤，设置基底层1，所述基底层1采用PET、PVB、EVA材料中的任一种，厚度范围为10～100μm；第二步骤，将功能层21通过镀膜方式附着在所述基底层1表面，厚度范围为0.01nm～1000nm，所述功能层21采用铯钨青铜、ATO或ITO中的至少一种；第三步骤，将二氧化硅通过镀膜方式附着在所述功能层21表面，厚度范围为0.01nm～1000nm，形成干涉滤光层22；第四步骤，将胶层3涂覆于所述干涉滤光层22表面，所述胶层3采用丙烯酸酯胶粘剂；第五步骤，将保护层4附着于所述胶层3表面，所述保护层4，厚度为1～50μm，采用PET、PVB或EVA中的任一种。
本发明中，通过设置具有固定厚度范围的功能层21和干涉滤光层22叠加的结构，使具有导电性的功能层21屏蔽电磁辐射，同时吸收部分红外信号，还采用干涉滤光层22形成干涉抵消，进一步增强对红外信号的屏蔽。此外，本发明采用的基底层1为柔性透明材质，可以便于薄膜粘贴于多种不同的应用环境。
本发明提供的光电信息泄漏防护薄膜包括依次叠层设置的多个所述防护单元2，相邻防护单元2之间通过电磁屏蔽层21和干涉滤光层22相互附着，形成电磁屏蔽层21和干涉滤光层22间隔设置的结构。
作为本发明的一个优选实施方式，图2示出了包括两个防护单元的光电信息泄漏防护薄膜的结构示意图。如图2所示，所述光电信息泄漏防护薄膜包括依次叠层设置的2个所述防护单元2。相邻防护单元2之间通过功能层21和干涉滤光层22相互附着，形成功能层21和干涉滤光层22间隔设置的结构。
所述干涉滤光层22为绝缘的透明材料，将两侧的功能层21之间隔开，同时，作为干涉抵消结构的组成部分，吸收红外信号。多个防护单元2叠加，可以极大地提高电磁屏蔽和红外屏蔽的效能。
根据本发明的一个实施方式，所述功能层21通过镀膜方式附着在PET板表面；所述二氧化硅通过镀膜方式附着在所述功能层21表面。
本发明中，功能层21和二氧化硅层的附着方式可以采用涂布、镀膜等方式。本发明优选采用镀膜的方式，可以减少导电材料之间的其他杂质，提高导电率和透光性，避免其他方式形成的膜的高电阻率的缺陷，例如涂布。
根据本发明的一个实施方式，所述防护单元2为一个；所述基底层1优选采用PET塑料制成，厚度为50μm；所述功能层21采用铯钨青铜，厚度为60nm；所述干涉滤光层22采用二氧化硅，厚度为100nm。
基底层1的厚度以及功能层21、二氧化硅层的厚度设置，使得本发明的薄膜的整体厚度适用于贴附在需要防护的位置的表面，且功能层21、二氧化硅层的厚度分别设置为60nm和100nm，能够将二者屏蔽的红外光的波段进行互补，增强对红外光的吸收效果。
根据本发明的一个实施方式，所述防护单元2为两个；所述基底层1优选采用PET塑料制成，厚度为50μm；所述功能层21采用铯钨青铜，厚度为60nm；所述干涉滤光层22采用二氧化硅，厚度为100nm。
根据本发明的一个实施方式，所述防护单元2为三个；所述基底层1优选采用PET塑料制成，厚度为50μm；所述功能层21采用铯钨青铜，厚度为60nm；所述干涉滤光层22采用二氧化硅，厚度为100nm。
根据本发明的一个实施方式，所述防护单元2为四个；所述基底层1优选采用PET塑料制成，厚度为50μm；所述功能层21采用铯钨青铜，厚度为60nm；所述干涉滤光层22采用二氧化硅，厚度为100nm。
作为本发明的第四个方面，本发明提供了一种光电信息泄漏防护装置的制备方法，该方法包括，将所述的光电信息泄漏防护薄膜安装在所述光电信息泄漏防护装置上。
作为本发明的第五个方面，本发明提供了光电信息泄漏防护薄膜、光电信息泄漏防护装置在防止光电信息泄露中的用途。
本发明提供的光电信息泄漏防护薄膜、光电信息泄漏防护装置具有导电性的功能层屏蔽电磁辐射，同时吸收部分红外信号，干涉滤光层形成干涉抵消，增强对红外信号的屏蔽，还同时促进了对电磁辐射的屏蔽。
本发明提供的光电信息泄漏防护薄膜、光电信息泄漏防护装置在光电信息防护具有极其重要的作用。本发明提供的光电信息泄漏防护薄膜、光电信息泄漏防护装置制备简单，成本低廉，使用方便，且安全性能非常高。
在会议场所设置本发明提供的光电信息泄漏防护薄膜、光电信息泄漏防护装置，能够长期有效地保护会议及涉密场所的安全性，从根本上解决会议以及一些涉密场所的检测存在时效性的问题。
下面结合试验进行说明：
由于防止信息泄露是一个非常复杂的问题，红外光是有一个很长的波段的，要达到整体防护效果并不容易。图3是两倍单层厚度的铯钨青铜膜对红外滤光效果的示意图。如图3(横坐标为波长(nm)，纵坐标为透射比(％))所示，如果红外激光照射到只有铯钨青铜层(或ATO、ITO)防护膜时，根据试验结果会发现只有1000nm以上的红外光吸收，但对800-1000nm之间的吸收相对较少，因此会存在800-1000nm之间红外信息泄漏的风险。
而在镀铯钨青铜层总体厚度不变的情况下，采用镀铯钨青铜层和二氧化硅层总计4层，如图4(横坐标为波长(nm)，纵坐标为透射比(％))所示，在800-1000nm之间的光速衰减，在可见光透过率基本不变的情况下，红外衰减覆盖范围得到很大的扩展。此时，通过设置二氧化硅层，形成干涉抵消，降低红外光透过率，实现800nm以上红外光的光电信息泄漏防护，弥补了该波段吸收低缺陷，能够在800～1000nm波段之间获取很好的防护效果。
图5示出了本发明中具有两个防护单元时与单层导电屏蔽层以及双层厚度的导电屏蔽层的电磁屏蔽效果的对比示意图。
如图5所示，横坐标为频率：GHz，纵坐标为屏蔽效能：db。
带方块标记的为采用单层导电屏蔽层铯钨青铜层的屏蔽效能曲线；
带三角形标记的为采用双层导电屏蔽层铯钨青铜层的屏蔽效能曲线；
带圆形标记的为本发明中采用两个防护单元时屏蔽效能曲线。
其中，采用单层的导电屏蔽层的厚度与本发明中两层铯钨青铜层(或ATO、ITO)的厚度相同。
可见，采用绝缘镀层方式，其屏蔽效能优于仅采用同等厚度的导电屏蔽层，亦优于采用两倍厚度的导电屏蔽层。本发明采用多个防护单元2叠加的结构，不仅对红外的屏蔽波段有所增长，还对电磁屏蔽形成了增强作用。
本发明优选采用四个防护单元2叠加的结构，一方面能够保证薄膜总体厚度便于布设，另一方面，能够保障良好的电磁和红外屏蔽特性。
利用铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层组合结构在可见光透过率几乎不变的情况下，可以极大提升电磁屏蔽效能，同时拓宽了红外防护波长范围，降低了光电泄漏风险。
以下采用四个实施例对本发明进行说明，在实施例1～4中，所述基底层1优选采用PET塑料制成，其厚度为50μm。所述二氧化硅层采用镀膜方式将二氧化硅附着在其上一层上即形成绝缘层，所述二氧化硅层的厚度为100nm。所述纳米钨青铜层通过镀膜方式附着在上一层二氧化硅层上，形成所述纳米钨青铜的材料为直径大小为1～100nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子，所述纳米钨青铜的厚度为60nm。所述安装胶层3为丙烯酸酯胶粘剂，涂覆在纳米钨青铜的材料层上，用于粘附保护层4。所述保护层4采用PET塑料制成，其厚度为20μm。
实施例1
防护薄膜包括依次叠层设置的基底层1、第一二氧化硅层、第一铯钨青铜层、安装胶层3和保护层4。
图1示出了防护薄膜的结构图。
图6示出了实施例1对红外滤光效果的示意图。
图6中，包括一个防护单元2，两层镀膜结构。横坐标为波长，纵坐标为透过率。
通过图6可见，在可见光波段内(400～700nm之间)透过率超过90％，而在750～950nm时，其透过率小于80％，说明通过本发明的光学结构设计可以有效的进行750～950nm红外阻隔。
实施例2
防护薄膜包括依次叠层设置的基底层1、第一二氧化硅层、第一铯钨青铜层、第二二氧化硅层，第二铯钨青铜层、安装胶层3和保护层4。
图2示出了防护薄膜的结构图。
图7示出了实施例2对红外滤光效果的示意图。图7中，包括两个防护单元2，四层镀膜结构。横坐标为波长，纵坐标为透过率。
通过图7可见，在可见光波段内(400～700nm之间)透过率超过90％，而在750～950nm时，其透过率小于60％，可以有效的进行750～950nm红外阻隔。
实施例3
防护薄膜包括依次叠层设置的基底层1、第一二氧化硅层、第一铯钨青铜层、第二二氧化硅层，第二铯钨青铜层、第三二氧化硅层，第三铯钨青铜层、安装胶层3和保护层4。
图8示出了实施例3对红外滤光效果的示意图。
图8中，包括三个防护单元2，六层镀膜结构。横坐标为波长，纵坐标为透过率。
可见，在可见光波段内(400～700nm之间)透过率超过90％，而在750～950nm时，其透过率小于50％，可以有效的进行750～950nm红外阻隔。
实施例4
防护薄膜包括依次叠层设置的基底层1、第一二氧化硅层、第一铯钨青铜层、第二二氧化硅层，第二铯钨青铜层、第三二氧化硅层，第三铯钨青铜层、第四二氧化硅层，第四铯钨青铜层、安装胶层3和保护层4。
图9示出了实施例4对红外滤光效果的示意图。图9中，包括四个防护单元2，八层镀膜结构。
可见，在可见光波段内(400～700nm之间)透过率超过90％，而在750～950nm时，透过率小于10％，可以有效的进行750-950nm红外阻隔，而铯钨青铜层(或ATO、ITO)对该波段红外吸收性能差，可以对其进行补充，从而拓展了红外阻隔波长范围。
采用分光光度计(型号Lambda900PE)和窗口电磁屏蔽效能测试法对实施例1～4所述防护薄膜分别进行了光谱透射比性能测试和电磁屏蔽性能测试。
实施例1～4的测试结果分别如下表1和下表2所示：
表1
表2
由上述测试数据可知，本发明能够同时有效防止光电信息泄露，且针对红外激光入侵，不仅能够防护1000nm以上的红外光，还能够在800～1000nm之间获取很好的防护效果，同时可见光衰减相对比较小。同时，在电磁防护方面，实验数据表明，本发明这种多层结构的屏蔽效能相对于仅增加单层镀膜的厚度的屏蔽效能也有了极大的提升。
本发明中，通过设置具有固定厚度范围的功能层和干涉滤光层叠加的结构，使具有导电性的功能层屏蔽电磁辐射，同时吸收部分红外信号，还采用干涉滤光层形成干涉抵消，进一步增强对红外信号的屏蔽。本发明的叠加的结构，还同时促进了对电磁辐射的屏蔽。此外，本发明优选采用的基底层为柔性透明材质时，可以便于薄膜粘贴于多种不同的应用环境。
下面进一步说明本发明的技术方案：本发明的目的在于提供一种光电信息泄漏防护薄膜及其制备方法，本发明提供的光电信息泄漏防护方法是通过干涉和吸收红外方式阻隔红外，通过导电性能实现电磁屏蔽功能，最终实现切断光电信号传输途径，实现对场所光电频段有效的信息防护，最终确保具有光电信息基础设施的涉密环境安全。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种光电泄露防护薄膜，包括依次叠层设置的基底、铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，安装胶层和保护层。
其中基底层为透明的PET，PVB或EVA材料，其主要作用是在具有较高的透光度基础上为功能材料提供附作物。
其中铯钨青铜层(或ATO、ITO)，通过镀膜方式附着在PET材料上，铯钨青铜层(或ATO、ITO)本身就有导电性，因此具有屏蔽功能，同时铯钨青铜(或ATO、ITO)具有红外吸收功能，其红外吸收波段主要在1000nm以上。
其中二氧化硅层，通过镀膜方式附着在铯钨青铜层(或ATO、ITO)上，二氧化硅作为绝缘层阻隔铯钨青铜层(或ATO、ITO)与其它导电层接触，同时作为干涉滤光组成部分。
其中安装胶层，通过涂布方式在铯钨青铜上涂覆安装胶层，用于贴附于玻璃等面。
其中保护层，附着于胶层之上，用于在贴装前保护薄膜不受损坏，同时保证胶层不受污染。
优选地，所述基底的材料包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)塑胶；所述基底的厚度为10～100μm。
优选地，所述铯钨青铜层(或ATO、ITO)厚度在0.01nm-1000nm之间。
优选地，所述二氧化硅厚度在0.01nm-1000nm之间。
优选地，形成所述安装胶层所用的胶粘剂包括丙烯酸酯胶粘剂。
优选地，所述保护层的材料包括PET、PVB或EVA；所述保护层的厚度为1～50μm。
采用本发明的优点在于：
本发明所述防护膜包括采用特定工艺依次叠层设置的基底层、铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，安装胶层和保护层。其中，通过铯钨青铜层(或ATO、ITO)提高其导电性，通过铯钨青铜层(或ATO、ITO)能够有效屏蔽电磁辐射，同时通过铯钨青铜层(或ATO、ITO)能够有效吸收红外激光信号，吸收红外光波长主要其中在1000nm以上，而铯钨青铜层(或ATO、ITO)等对红外吸收时对800-1000nm红外吸收相对较低。
为弥补该波段吸收低缺陷，本发明采取干涉抵消方法降低红外光透过率，实现800nm以上红外光的光电信息泄漏防护，因此采用了铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层等层结构光学阻隔红外方式。
同时采用多层导电层、绝缘层、导电层结构，相比提高导电层厚度，采用导电层、绝缘层、导电层、绝缘层、导电层、绝缘层结构，在导电层厚度不变的情况下，可以极大的提高电磁屏蔽效能。
综上所述，采用重复叠层结构可以实现结构光干涉阻隔800nm以上的红外光入侵，而采用铯钨青铜层(或ATO、ITO)可以吸收波长更长一些的红外光入侵，采用多层吸收结构，有利于提升吸收效率，同时多层导电层与绝缘材料层叠加，其电磁屏蔽效能可以得到极大提高。
其中叠层为铯钨青铜层(或ATO、ITO)或二氧化硅层顺序无关。
本发明公开了一种防止光电信息泄露的防护膜，其包括依次叠层设置的基底层、铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)，安装胶层和保护层。铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层的层叠结构也可以为一层、两层或多层结构。
本发明采用该特定层状结构相结合构成的防护膜，就能够有效防止光电信息泄露。
具体的，本发明中各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下：
所述基底层用于为防护膜提供支撑，其优选采用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)塑胶；所述基底的厚度为10～100μm。
所述第一二氧化硅层采用镀膜方式附着在基底层上，所述第一二氧化硅层的厚度为0.01nm-1000nm之间。
所述第一铯钨青铜层(或ATO、ITO)采用镀膜方式附着在第一二氧化硅层上，所述第一铯钨青铜层(或ATO、ITO)的厚度为0.01nm-1000nm之间。
所述第二二氧化硅层采用镀膜方式附着在第一铯钨青铜层(或ATO、ITO)上，所述第二二氧化硅层的厚度为0.01nm-1000nm之间。
所述第二铯钨青铜层(或ATO、ITO)采用镀膜方式附着在第二二氧化硅层上，所述第二铯钨青铜层(或ATO、ITO)的厚度为0.01nm-1000nm之间。
所述第三二氧化硅层采用镀膜方式附着在第二铯钨青铜层(或ATO、ITO)上，所述第三二氧化硅层的厚度为0.01nm-1000nm之间。
所述第三铯钨青铜层(或ATO、ITO)采用镀膜方式附着在第三二氧化硅层上，所述第三铯钨青铜层(或ATO、ITO)的厚度为0.01nm-1000nm之间。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂，涂覆在第三铯钨青铜层(或ATO、ITO)上，用于粘附保护层。
所述保护层粘接在安装胶层上，用于保护防护膜，可采用PET塑料制成，其厚度为1-10μm。
本发明的防护原理为：
1.光信息泄露防护优势：首先，如图3所示，当红外激光照射到只有铯钨青铜层(或ATO、ITO)防护膜时，红外入射光进入防护膜中，薄膜中铯钨青铜层(或ATO、ITO)对1000nm以上的红外光吸收，但对750-1000nm之间的吸收相对较少，因此会存在750-1000nm之间红外信息泄漏的风险，而在铯钨青铜层(或ATO、ITO)总体厚度不变的情况下，采用铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层组合结构光学干涉方式，在750-1000nm之间的光速衰减，在可见光透过率基本不变的情况下，红外衰减覆盖范围得到很大的扩展。
2.电磁信息泄露防护效能提升
如图5所示，在镀有一定厚度的铯钨青铜层(或ATO、ITO)材料时如图5中的带方块的曲线。而当厚度增加一倍时，其屏蔽效能有所提升，但提升效能不明显，如图5中的带三角的曲线。而镀膜厚度为带方块的曲线的单层厚度，采用导电、绝缘，导电方式实现屏蔽效能如图5中带圆形标记的曲线，从中可以看出，采用绝缘镀层方式可以极大的提升材料的屏蔽效能。
综上所述，利用铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层，铯钨青铜层(或ATO、ITO)、二氧化硅层组合结构在可见光透过率几乎不变的情况下，可以极大提升电磁屏蔽效能，同时拓宽了红外防护波长范围，降低了光电泄漏风险。
应该注意的是，上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
Claims (8)
1.一种光电信息泄漏防护薄膜，包括至少一个防护单元(2)，其中，
所述防护单元(2)包括叠层设置的功能层(21)和干涉滤光层(22)，所述功能层(21)为同时具有电磁屏蔽功能和红外吸收功能的材料，所述干涉滤光层(22)为透明的绝缘材料；
所述功能层(21)包括具有红外吸收功能且可形成透明导电层的材料；
所述干涉滤光层(22)附着在所述功能层(21)表面的方式包括镀膜、涂布；
所述功能层(21)选自铯钨青铜、三氧化二砷、铝掺杂的氧化锌、氧化锡锑、或氧化铟锡中的一种或多种；
所述干涉滤光层(22)选自二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸脂中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的光电信息泄漏防护薄膜，其特征在于：所述光电信息泄漏防护薄膜包括依次叠层设置的多个所述防护单元(2)，相邻的所述防护单元(2)之间通过功能层(21)和干涉滤光层(22)相互附着，形成所述功能层(21)和所述干涉滤光层(22)间隔设置的结构。
3.根据权利要求1所述的光电信息泄漏防护薄膜，其特征在于：所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括所述基底层(1)，所述防护单元(2)与所述基底层(1)连接。
4.根据权利要求3所述的光电信息泄漏防护薄膜，其特征在于：所述光电信息泄漏防护薄膜进一步包括胶层(3)和保护层(4)，所述基底层(1)、所述防护单元(2)、所述胶层(3)和所述保护层(4)依次叠层设置。
5.一种光电信息泄漏防护装置，其特征在于，所述光电信息泄漏防护装置上设置有权利要求1-4中任意一项所述的光电信息泄漏防护薄膜。
6.一种光电信息泄漏防护薄膜的制备方法，包括连接防护单元(2)的步骤，连接所述防护单元(2)的步骤进一步包括将功能层(21)和干涉滤光层(22)连接在一起，形成所述功能层(21)和所述干涉滤光层(22)叠层设置的结构；
其中，所述防护单元(2)包括叠层设置的功能层(21)和干涉滤光层(22)，所述功能层(21)为同时具有电磁屏蔽功能和红外吸收功能的材料，所述干涉滤光层(22)为透明的绝缘材料；
所述功能层(21)包括具有红外吸收功能且可形成透明导电层的材料；
所述干涉滤光层(22)附着在所述功能层(21)表面的方式包括镀膜、涂布；
所述功能层(21)选自铯钨青铜、三氧化二砷、铝掺杂的氧化锌、氧化锡锑、或氧化铟锡中的一种或多种；
所述干涉滤光层(22)选自二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸脂中的一种或多种。
7.权利要求1-4中任意一项所述的光电信息泄漏防护薄膜在防止光电信息泄露中的用途。
8.权利要求5所述的光电信息泄漏防护装置在防止光电信息泄露中的用途。
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