CN113347864A - 一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜 - Google Patents

一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜 Download PDF

Info

Publication number
CN113347864A
CN113347864A CN202110899153.4A CN202110899153A CN113347864A CN 113347864 A CN113347864 A CN 113347864A CN 202110899153 A CN202110899153 A CN 202110899153A CN 113347864 A CN113347864 A CN 113347864A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
nano
nanometer
infrared laser
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110899153.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113347864B (zh
Inventor
曹蕾
金鑫
曾华林
朱玉梅
李涛
闻崇波
邱晓怡
吴高其
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHENGDU LIXIN NEW TECHNOLOGY Co.,Ltd.
Taizhou Hongzhi Photoelectric Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
CHENGDU LIXIN NEW TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHENGDU LIXIN NEW TECHNOLOGY CO LTD filed Critical CHENGDU LIXIN NEW TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN202110899153.4A priority Critical patent/CN113347864B/zh
Publication of CN113347864A publication Critical patent/CN113347864A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113347864B publication Critical patent/CN113347864B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/003Light absorbing elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,包括:基底层;采用溅射镀膜方式附着在基底层上的导电金属层;采用溅射镀膜方式附着在导电金属层上的纳米半导体层;采用溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上的纳米热敏材料层;采用涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上的纳米红外吸收层;粘接在纳米红外吸收层上的纳米光致发光层;粘接在纳米光致发光层上的安装胶层;粘接在安装胶层上的保护层。本发明能够同时有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露,且针对红外激光入侵,不仅能够实时检测出红外激光入侵点在防护膜上的位置,还能够在入侵红外激光移走后的一段时间内肉眼观察到入侵印记。

Description

一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜
技术领域
本发明属于信息安全技术领域,尤其涉及一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜。
背景技术
当今社会,不论是个人还是企业,都越来越注重隐私信息的保护。但随着信息技术的发展,通过红外激光获取信息以及通过电磁辐射信号还原信息因无植入、风险低等优点成为当前信息获取的重要途径,因此红外激光防范与检测以及电磁泄漏防护成为信息安全研发的重点方向。
目前,针对红外激光信息泄露及电磁信息泄露,现有技术中也分别研发了防护膜进行的防护技术,如下:
针对电磁信息泄露,公开号CN112533465A的文献公开了一种FPC用电磁波防护膜及其制备方法,该防护膜包括载体膜,载体膜表面设置至少一层保护层,保护层表面设置至少一层导电高聚物层,导电高聚物层表面设置至少一层金属层,金属层表面设置至少一层导电胶层,导电胶层表面设置至少一层胶面保护膜。该防护膜对电磁信息泄漏有一定的屏蔽效能,并且随着金属层的加厚,其屏蔽效能也越高。但金属层的加厚会使薄膜本身对红外激光的反光量增加,相应增大了因红外激光导致信息泄漏风险。
针对红外激光信息泄露,公开号CN210026570U的文献公开了一种红外激光阻断薄膜,其包括依次叠层设置的基底、第一胶粘层、红外吸收层、第二胶粘层、钒氧化物层、安装胶层和保护层。该专利通过钒氧化物层与红外吸收层结合,可以有效地隔断红外激光,从而实现对入侵的红外激光进行有效的屏蔽;且能够确保红外激光阻断薄膜的温度可以维持在相对较低的状态,防止其因被高能量的红外激光照射而损坏,提高了其激光损坏阈值。但在实际应用时,其一方面不能实时检测出红外激光入侵点在膜上的位置,另一方面也不能观察到红外激光入侵点产生的印记。也就说是该薄膜仅仅只是被动防护,并不知道实际上到底有没有红外激光入侵,因而也就不便于针对性的作出后续安排。此外,该薄膜仅能防护红外激光信息泄露,其并不能有效防止电磁信息泄露。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的上述问题,提供了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,本发明能够同时有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露,且针对红外激光入侵,不仅能够实时检测出红外激光入侵点在防护膜上的位置,还能够在入侵红外激光移走后的一段时间内肉眼观察到入侵印记。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,包括:
基底层;
采用溅射镀膜方式附着在基底层上的导电金属层;
采用溅射镀膜方式附着在导电金属层上的纳米半导体层;
采用溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上的纳米热敏材料层;
采用涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上的纳米红外吸收层;
粘接在纳米红外吸收层上的纳米光致发光层;
粘接在纳米光致发光层上的安装胶层;
粘接在安装胶层上的保护层。
所述导电金属层用于提高纳米半导体层的导电性和用于屏蔽电磁辐射,所述纳米半导体层用于屏蔽电磁辐射,所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光。
形成所述导电金属层的材料为银粉、镍粉、铝粉、铜粉中的一种或按任意比例混合的几种。
形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子。
所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5-50:50的氧化铟和氧化锡混合而成。
所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5-50:50的氧化锡和氧化锑混合而成。
所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5-50:50的氧化锌和氧化铝混合而成。
形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物。
所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为三芳甲烷类、荧烷类或螺吡喃类。
形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧。
形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm。
所述基底层和保护层均采用PET塑料制成,所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂。
所述基底层的厚度为10-100μm,所述导电金属层的厚度为1-20nm,所述纳米半导体层的厚度为20-2000nm,所述纳米热敏材料层的厚度为100-1000nm,所述纳米红外吸收层的厚度为0.1-10um,所述纳米光致发光层的厚度为0.1-10um,所述保护层的厚度为10-50µm。
采用本发明的优点在于:
1、本发明所述防护膜包括采用特定工艺依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,通过金属层能够提高纳米半导体层之间的接触面积,提高其导电性,同时也有部分电磁屏蔽功能。通过纳米半导体层能够有效屏蔽电磁辐射,通过纳米红外吸收层能够有效吸收红外激光信号,通过纳米热敏材料层能够有效检测红外激光入侵点,通过纳米光致发光层能够在有红外激光入侵时发出可见光,可以有效降低红外激光信号进入纳米红外吸收层,从而提高了防护效率。本发明采用上述各特定层状结构相结合,就能够有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露。
进一步具体而言,在有红外激光入侵时,防护膜通过纳米红外吸收层吸收红外激光,同时吸收入侵红外激光的局部热量,该局部热量会引起防护膜局部温度升高,而随着温度升高,纳米热敏材料层的颜色会发生变化,从而可以检测出红外激光入侵点在防护膜上的位置。当入侵红外激光消失后,因为温度变化具有一定的过程,因此在一定时间范围内纳米热敏材料层的颜色会发生渐变。又由于纳米热敏材料层的变化是一个相对慢变过程,因此当红外激光照射到纳米光致发光层时,由光致发光原理纳米光致发光层将发出可见光,从而实现实时观察是否有红外激光入侵。同时由于纳米光致发光层可以吸收部分能量,因而也能够减少透过到红外吸收层的入侵红外激光的能量,进而有利于进一步提高防泄密效果。
2、本发明采用银粉、镍粉、铝粉、铜粉中的一种或按任意比例混合的几种作为导电金属层,其优点在于使得产品具有较好的导电性能。
3、本发明采用直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子作为纳米半导体层,其优点在于在通过溅射镀膜时使纳米半导体层具有致密度高、导电性能好和透光度高的优点。
4、本发明采用无机盐和有机化合物作为纳米热敏材料层,其优点在于使得产品具有防护效果的同时具有较高的透光度。
进一步的,无机盐采用四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,有机化合物采用三芳甲烷类、荧烷类或螺吡喃类,其优点在于实际使用时通过温度变化能够使产品颜色发生改变,从而可以有效探测出是否有红外激光入侵,有利于提高防护效果。
5、本发明采用铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧作为纳米红外吸收层,其优点在于提高了红外激光的吸收效率,同时增大了吸收波长的范围,并使得纳米材料的可见光透过率更高。
6、本发明采用纳米铒和纳米三氧化二钇作为纳米光致发光层,其优点在于可以高效宽动态范围实现光致发光。
7、本发明将基底层的厚度设为10-100μm,将导电金属层的厚度设为1-20nm,将纳米半导体层的厚度设为20-2000nm,将纳米热敏材料层的厚度设为100-1000nm,将纳米红外吸收层的厚度设为0.1-10um,将纳米光致发光层的厚度设为0.1-10um,将保护层的厚度设为10-50µm,总体来说本发明中防护膜的厚度不超过500um。相较于现有技术而言,本发明一方面在该厚度下能够同时有效地防护红外激光信息泄露及电磁信息泄露,另一方面又使得产品具有较高的透光率和较低的反光率,即不会影响室内采光。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明中光致发光时的工作示意图;
图3为本发明中显示荧光波长的示意图;
图4为本发明中红外吸收及热敏显示时的工作示意图;
图5为本发明中电磁屏蔽时的工作示意图;
图6为本发明中光谱透射比性能检测曲线;
图中标记为:1、基底层,2、导电金属层,3、纳米半导体层,4、纳米热敏材料层,5、纳米红外吸收层,6、纳米光致发光层,7、安装胶层,8、保护层,9、红外入射光,10、第一红外反射光,11、第一反射荧光,12、红外透射光,13、荧光透射光,14、第二红外反射光,15、第二反射荧光,16、红外出射光,17、出射荧光,18、红外激光入侵点,19、电磁辐射,20、电磁反射信号,21、透射信号。
具体实施方式
本发明公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层1、导电金属层2、纳米半导体层3、纳米热敏材料层4、纳米红外吸收层5、纳米光致发光层6、安装胶层7和保护层8。本发明采用该特定层状结构相结合构成的防护膜,就能够有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露。
具体的,本发明中各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层1用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为10-100μm。
所述导电金属层2用于提高其与纳米半导体层3之间的接触面积,提高防护膜的导电性,同时也有部分电磁屏蔽功能。形成所述导电金属层2的材料为银粉、镍粉、铝粉、铜粉中的一种或按任意比例混合的几种,所述导电金属层2采用溅射镀膜方式附着在基底层1上,所述导电金属层2的厚度为1-20nm。
所述纳米半导体层3用于屏蔽电磁辐射19,形成所述纳米半导体层3的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子包括三种类型,第一种是由质量比为95:5-50:50的氧化铟和氧化锡混合而成,第二种由质量比为95:5-50:50的氧化锡和氧化锑混合而成,第三种由质量比为95:5-50:50的氧化锌和氧化铝混合而成。所述纳米半导体层3通过溅射镀膜方式附着在导电金属层2上,所述纳米半导体层3的厚度为20-2000nm。
所述纳米热敏材料层4用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层4的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层4通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层3上,所述纳米热敏材料层4的厚度为100-1000nm。本发明中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为三芳甲烷类、荧烷类或螺吡喃类。
所述纳米红外吸收层5用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层5的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层5通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层4上,所述纳米红外吸收层5的厚度为0.1-10um。
所述纳米光致发光层6用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层6的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层6粘接在纳米红外吸收层5上,所述纳米光致发光层6的厚度为0.1-10um。
所述安装胶层7为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层6上,用于粘附保护层8。
所述保护层8粘接在安装胶层7上,用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为10-50µm。
本发明的防护原理为:
1、针对红外激光信息泄露防护
首先,如图2所示,当红外激光照射到防护膜时,红外入射光9进入防护膜中,在遇到纳米光致发光层6时会在表面发生反射出第一红外反射光10,同时因纳米光致发光层6内部反射产生有第一反射荧光11。而红外入射光9透过纳米光致发光层6后,一部分形成红外透射光12,另一部分形成荧光透射光13。基于此,如图3所示,当红外激光照射到防护膜上并经纳米光致发光层6透光时,能够把部分红外激光变成可见光,从而便于实时观察是否有红外激光入侵。
其次,如图4所示,透过纳米光致发光层6形成的红外透射光12和荧光透射光13继续入射到纳米红外吸收层5上,红外透射光12和荧光透射光13发生反射并分别形成第二红外反射光14和第二反射荧光15。由于纳米红外吸收层5具有有效吸收红外激光的功能,因此红外透射光12入射到纳米红外吸收层5上后大部分都被吸收,仅小部分红外透射光12透过纳米红外吸收层5并形成红外出射光16。又由于荧光透射光13几乎不被吸收,因此荧光透射光13透过纳米红外吸收层5后形成的出射荧光17的强度几乎不变。另外,基底层1、导电金属层2和纳米半导体层3对红外出射光16和出射荧光17的吸收与反射小,因此红外出射光16和出射荧光17可直接从防护膜中射出。
需要说明的是,在防护膜上的红外激光入侵点18,因进入纳米红外吸收层5的红外激光大部分被吸收而产生较多热量聚集,这使得红外激光入射点处的温度快速上升,进而致使纳米热敏材料层4的温度也快速升高,最终导致其颜色发生改变,因颜色改变即可判断红外激光入侵点18的位置。
2、针对电磁信息泄露防护
如图5所示,当有电磁辐射19时,电磁辐射19透过基底层1到导电金属层2和纳米半导体层3,并在导电金属层2和纳米半导体层3进行反射形成电磁反射信号20。由于导电金属层2和纳米半导体层3能够有效阻止电磁信号透射,因此能够透过导电金属层2和纳米半导体层3的透射信号21非常弱小,从而实现了从入射方向防止透过防护膜产生电磁泄漏。
另外,申请人分别对本发明所述防护膜的电磁屏蔽性能和光谱透射比性能进行了检测,针对电磁屏蔽采用法兰同轴方法进行检测,获得了下表1所示数据。针对光谱透射比性能,采用了分光光度计进行检测,检测的曲线如图6所示,从图6可知,在400-780nm之间的过率达60%,而在900nm-1800nm之间的透过率小于0.1%。
表1 电磁屏蔽检测数据
Figure 29455DEST_PATH_IMAGE001
由上述原理及检测结果可知,本发明能够同时有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露,且针对红外激光入侵,不仅能够实时检测出红外激光入侵点在防护膜上的位置,还能够在入侵红外激光移走后的一段时间内肉眼观察到入侵印记。
下面结合具体实施例对本发明进行具体说明。
实施例1
本实施例公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为50μm。
所述导电金属层用于防护电磁信息泄露,形成所述导电金属层的材料为银粉,采用溅射镀膜方式将银粉附着在基底层上即形成导电金属层,所述导电金属层的厚度为1nm。
所述纳米半导体层的作用是用于屏蔽电磁辐射,形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5的氧化铟和氧化锡混合而成,所述纳米半导体层通过溅射镀膜方式附着在导电金属层上,所述纳米半导体层的厚度为20nm。
所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上,所述纳米热敏材料层的厚度为100nm。本实施例中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,
所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上,所述纳米红外吸收层的厚度为0.1um。
所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层粘接在纳米红外吸收层上,所述纳米光致发光层的厚度为0.1um。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层上,用于粘附保护层。
所述保护层用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为10µm。
实施例2
本实施例公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为100μm。
所述导电金属层用于防护电磁信息泄露,形成所述导电金属层的材料为镍粉,采用溅射镀膜方式将镍粉附着在基底层上即形成导电金属层,所述导电金属层的厚度为20nm。
所述纳米半导体层的作用是用于屏蔽电磁辐射,形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为70:30的氧化铟和氧化锡混合而成,所述纳米半导体层通过溅射镀膜方式附着在导电金属层上,所述纳米半导体层的厚度为2000nm。
所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上,所述纳米热敏材料层的厚度为1000nm。本实施例中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为螺吡喃类有机化合物。
所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上,所述纳米红外吸收层的厚度为10um。
所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层粘接在纳米红外吸收层上,所述纳米光致发光层的厚度为10um。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层上,用于粘附保护层。
所述保护层用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为50µm。
实施例3
本实施例公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为70μm。
所述导电金属层用于防护电磁信息泄露,形成所述导电金属层的材料为铝粉和铜粉的混合粉,采用溅射镀膜方式将混合粉附着在基底层上即形成导电金属层,所述导电金属层的厚度为10nm。
所述纳米半导体层的作用是用于屏蔽电磁辐射,形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为50:50的氧化锡和氧化锑混合而成,所述纳米半导体层通过溅射镀膜方式附着在导电金属层上,所述纳米半导体层的厚度为20-2000nm。
所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上,所述纳米热敏材料层的厚度为500nm。本实施例中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为荧烷类有机化合物。
所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上,所述纳米红外吸收层的厚度为5um。
所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层粘接在纳米红外吸收层上,所述纳米光致发光层的厚度为5um。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层上,用于粘附保护层。
所述保护层用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为20µm。
实施例4
本实施例公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为100μm。
所述导电金属层用于防护电磁信息泄露,形成所述导电金属层的材料为铜粉,采用溅射镀膜方式将铜粉附着在基底层上即形成导电金属层,所述导电金属层的厚度为12nm。
所述纳米半导体层的作用是用于屏蔽电磁辐射,形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为50:10的氧化锡和氧化锑混合而成,所述纳米半导体层通过溅射镀膜方式附着在导电金属层上,所述纳米半导体层的厚度为800nm。
所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上,所述纳米热敏材料层的厚度为300nm。本实施例中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为三芳甲烷类有机化合物。
所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上,所述纳米红外吸收层的厚度为0.5um。
所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层粘接在纳米红外吸收层上,所述纳米光致发光层的厚度为2um。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层上,用于粘附保护层。
所述保护层用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为40µm。
实施例5
本实施例公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为50μm。
所述导电金属层用于防护电磁信息泄露,形成所述导电金属层的材料为银粉、镍粉和铝粉的混合粉,采用溅射镀膜方式将混合粉附着在基底层上即形成导电金属层,所述导电金属层的厚度为15nm。
所述纳米半导体层的作用是用于屏蔽电磁辐射,形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为80:40的氧化锌和氧化铝混合而成,所述纳米半导体层通过溅射镀膜方式附着在导电金属层上,所述纳米半导体层的厚度为1800nm。
所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上,所述纳米热敏材料层的厚度为1000nm。本实施例中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为三芳甲烷类有机化合物。
所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上,所述纳米红外吸收层的厚度为3um。
所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层粘接在纳米红外吸收层上,所述纳米光致发光层的厚度为3um。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层上,用于粘附保护层。
所述保护层用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为10µm。
实施例6
本实施例公开了一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,如图1所示,其包括依次叠层设置的基底层、导电金属层、纳米半导体层、纳米热敏材料层、纳米红外吸收层、纳米光致发光层、安装胶层和保护层。其中,各层状结构的作用、组成及成型方式等分别如下:
所述基底层用于为防护膜提供支撑,其优选采用PET塑料制成,其厚度为50μm。
所述导电金属层用于防护电磁信息泄露,形成所述导电金属层的材料为铝粉,采用溅射镀膜方式将铝粉附着在基底层上即形成导电金属层,所述导电金属层的厚度为20nm。
所述纳米半导体层的作用是用于屏蔽电磁辐射,形成所述纳米半导体层的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子,所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5的氧化锌和氧化铝混合而成,所述纳米半导体层通过溅射镀膜方式附着在导电金属层上,所述纳米半导体层的厚度为1200nm。
所述纳米热敏材料层用于检测红外激光入侵点,形成所述纳米热敏材料层的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物,所述纳米热敏材料层通过溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层上,所述纳米热敏材料层的厚度为600nm。本实施例中所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为螺吡喃类有机化合物。
所述纳米红外吸收层用于吸收红外激光信号,形成所述纳米红外吸收层的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧,所述纳米红外吸收层通过涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层上,所述纳米红外吸收层的厚度为7um。
所述纳米光致发光层用于在有红外激光入侵时发出可见光,形成所述纳米光致发光层的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm,所述纳米光致发光层粘接在纳米红外吸收层上,所述纳米光致发光层的厚度为5um。
所述安装胶层为丙烯酸酯胶粘剂,涂覆在纳米光致发光层上,用于粘附保护层。
所述保护层用于保护防护膜,可采用PET塑料制成,其厚度为40µm。
最后,申请人采用法兰同轴方法和分光光度计对实施例1-6所述防护膜分别进行了电磁屏蔽性能测试和光谱透射比性能测试,测试结果分别如下表2和下表3所示:
表2 电磁屏蔽性能测试
Figure 827647DEST_PATH_IMAGE002
表3 光谱透射比性能测试
Figure 806973DEST_PATH_IMAGE003
由上述测试数据可知,本发明能够同时有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露,且针对红外激光入侵,不仅能够实时检测出红外激光入侵点在防护膜上的位置,还能够在入侵红外激光移走后的一段时间内肉眼观察到入侵印记的颜色变化。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,本说明书中所公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的替代特征加以替换;所公开的所有特征、或所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以任何方式组合。

Claims (10)

1.一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于包括:
基底层(1);
采用溅射镀膜方式附着在基底层(1)上的导电金属层(2);
采用溅射镀膜方式附着在导电金属层(2)上的纳米半导体层(3);
采用溅射方式或涂覆方式附着在纳米半导体层(3)上的纳米热敏材料层(4);
采用涂覆方式或溅射镀膜方式附着在纳米热敏材料层(4)上的纳米红外吸收层(5);
粘接在纳米红外吸收层(5)上的纳米光致发光层(6);
粘接在纳米光致发光层(6)上的安装胶层(7);
粘接在安装胶层(7)上的保护层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:所述导电金属层(2)用于提高纳米半导体层(3)的导电性和用于屏蔽电磁辐射(19),所述纳米半导体层(3)用于屏蔽电磁辐射(19),所述纳米红外吸收层(5)用于吸收红外激光信号,所述纳米热敏材料层(4)用于检测红外激光入侵点(18),所述纳米光致发光层(6)用于在有红外激光入侵时发出可见光。
3.根据权利要求1或2所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:形成所述导电金属层(2)的材料为银粉、镍粉、铝粉、铜粉中的一种或按任意比例混合的几种。
4.根据权利要求1或2所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:形成所述纳米半导体层(3)的材料为直径大小为1-50nm的纳米金属氧化物超微纳米粒子。
5.根据权利要求4所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5-50:50的氧化铟和氧化锡混合而成。
6.根据权利要求4所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5-50:50的氧化锡和氧化锑混合而成。
7.根据权利要求4所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:所述纳米金属氧化物超微纳米粒子由质量比为95:5-50:50的氧化锌和氧化铝混合而成。
8.根据权利要求1或2所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:形成所述纳米热敏材料层(4)的材料为按任意比例混合的无机盐和有机化合物;所述无机盐为四碘合汞酸银和碘化汞的复盐,所述有机化合物为三芳甲烷类、荧烷类或螺吡喃类。
9.根据权利要求1或2所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:形成所述纳米红外吸收层(5)的材料为按任意比例混合的铯钨青铜、氧化锑锡和六溴化镧。
10.根据权利要求1或2所述的一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜,其特征在于:形成所述纳米光致发光层(6)的材料为按任意比例混合的纳米铒和纳米三氧化二钇,纳米铒和纳米三氧化二钇的直径大小均1-50nm。
CN202110899153.4A 2021-08-06 2021-08-06 一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜 Active CN113347864B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110899153.4A CN113347864B (zh) 2021-08-06 2021-08-06 一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110899153.4A CN113347864B (zh) 2021-08-06 2021-08-06 一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113347864A true CN113347864A (zh) 2021-09-03
CN113347864B CN113347864B (zh) 2021-11-12

Family

ID=77481084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110899153.4A Active CN113347864B (zh) 2021-08-06 2021-08-06 一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113347864B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114126394A (zh) * 2021-12-23 2022-03-01 北京伊斯普电子技术有限公司 一种光电信息泄漏防护薄膜、装置及其制备方法和用途
CN115572488A (zh) * 2022-10-12 2023-01-06 吉林省优点佳信通信科技有限公司 一种新型激光窃听防护膜

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1486133A (zh) * 2002-07-05 2004-03-31 日清纺织株式会社 用于显示器的透明电磁波屏蔽叠层,及其生产工艺和显示单元
TW200528533A (en) * 2003-06-04 2005-09-01 Mitsubishi Plastics Inc Transparent gel adhesive, transparent gel adhesive sheet, and optical filter for display
CN1930599A (zh) * 2004-03-10 2007-03-14 住友大阪水泥股份有限公司 透明层叠体
JP2007219309A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置、及びその製造方法
CN101066011A (zh) * 2004-11-30 2007-10-31 旭硝子株式会社 导电性层积体、等离子显示器用的电磁波屏蔽膜及保护板
KR20080032686A (ko) * 2006-10-09 2008-04-16 엘지전자 주식회사 디스플레이용 필터 및 그의 제조방법
US20100053035A1 (en) * 2006-10-25 2010-03-04 Lee Su-Rim Electromagnetic wave-shielding film having near infrared shielding function and transparency function, optical filter and plasma display panel comprising the same
CN103313850A (zh) * 2011-01-13 2013-09-18 东丽株式会社 远红外线反射层合体
CN105143933A (zh) * 2013-04-25 2015-12-09 东友精细化工有限公司 光学层叠体
CN106937522A (zh) * 2017-04-05 2017-07-07 合肥美凯电子有限公司 一种新型电磁屏蔽膜
CN108340636A (zh) * 2018-02-27 2018-07-31 苏州维洛克电子科技有限公司 一种pet膜
CN109720026A (zh) * 2019-02-25 2019-05-07 深圳德宝天成科技有限公司 一种高透过高反射隔热膜
CN110730608A (zh) * 2019-10-24 2020-01-24 秦皇岛蓝臣光电技术有限公司 一种透红外电磁屏蔽光窗
CN210026570U (zh) * 2019-03-01 2020-02-07 北京伊斯普电子技术有限公司 一种红外激光阻断薄膜
CN111269666A (zh) * 2020-01-19 2020-06-12 成都立鑫新技术科技有限公司 一种红外激光防护膜的制备方法
CN111479698A (zh) * 2017-12-20 2020-07-31 索尼公司 记录介质、外装构件和记录介质上的记录方法
CN212194595U (zh) * 2019-10-28 2020-12-22 江苏丰远新材料科技有限公司 一种电磁屏蔽透明薄膜
CN112533465A (zh) * 2020-11-27 2021-03-19 南昌正业科技有限公司 一种fpc用电磁波防护膜

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1486133A (zh) * 2002-07-05 2004-03-31 日清纺织株式会社 用于显示器的透明电磁波屏蔽叠层,及其生产工艺和显示单元
TW200528533A (en) * 2003-06-04 2005-09-01 Mitsubishi Plastics Inc Transparent gel adhesive, transparent gel adhesive sheet, and optical filter for display
CN1930599A (zh) * 2004-03-10 2007-03-14 住友大阪水泥股份有限公司 透明层叠体
CN101066011A (zh) * 2004-11-30 2007-10-31 旭硝子株式会社 导电性层积体、等离子显示器用的电磁波屏蔽膜及保护板
JP2007219309A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置、及びその製造方法
KR20080032686A (ko) * 2006-10-09 2008-04-16 엘지전자 주식회사 디스플레이용 필터 및 그의 제조방법
US20100053035A1 (en) * 2006-10-25 2010-03-04 Lee Su-Rim Electromagnetic wave-shielding film having near infrared shielding function and transparency function, optical filter and plasma display panel comprising the same
CN103313850A (zh) * 2011-01-13 2013-09-18 东丽株式会社 远红外线反射层合体
CN105143933A (zh) * 2013-04-25 2015-12-09 东友精细化工有限公司 光学层叠体
CN106937522A (zh) * 2017-04-05 2017-07-07 合肥美凯电子有限公司 一种新型电磁屏蔽膜
CN111479698A (zh) * 2017-12-20 2020-07-31 索尼公司 记录介质、外装构件和记录介质上的记录方法
CN108340636A (zh) * 2018-02-27 2018-07-31 苏州维洛克电子科技有限公司 一种pet膜
CN109720026A (zh) * 2019-02-25 2019-05-07 深圳德宝天成科技有限公司 一种高透过高反射隔热膜
CN210026570U (zh) * 2019-03-01 2020-02-07 北京伊斯普电子技术有限公司 一种红外激光阻断薄膜
CN110730608A (zh) * 2019-10-24 2020-01-24 秦皇岛蓝臣光电技术有限公司 一种透红外电磁屏蔽光窗
CN212194595U (zh) * 2019-10-28 2020-12-22 江苏丰远新材料科技有限公司 一种电磁屏蔽透明薄膜
CN111269666A (zh) * 2020-01-19 2020-06-12 成都立鑫新技术科技有限公司 一种红外激光防护膜的制备方法
CN112533465A (zh) * 2020-11-27 2021-03-19 南昌正业科技有限公司 一种fpc用电磁波防护膜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
郭贵新: "基于PET基底近红外电磁屏蔽膜的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114126394A (zh) * 2021-12-23 2022-03-01 北京伊斯普电子技术有限公司 一种光电信息泄漏防护薄膜、装置及其制备方法和用途
CN114126394B (zh) * 2021-12-23 2023-12-26 北京伊斯普电子技术有限公司 一种光电信息泄漏防护薄膜、装置及其制备方法和用途
CN115572488A (zh) * 2022-10-12 2023-01-06 吉林省优点佳信通信科技有限公司 一种新型激光窃听防护膜

Also Published As

Publication number Publication date
CN113347864B (zh) 2021-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113347864B (zh) 一种防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜
KR102036071B1 (ko) 다층 복사 냉각 구조
CN103033839B (zh) 具有改善的量子效率的光电探测器
CN102202884A (zh) 用于太阳能电池板部件的导热材料
CN101449146B (zh) 氢气检测装置
WO1998017083A1 (en) Electroluminescent illumination system
WO2011033958A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置
KR20090069894A (ko) 형광체를 포함한 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
JP5833516B2 (ja) 遠赤外線遮蔽材
JP2013228698A (ja) 銀粒子含有膜およびその製造方法、ならびに、熱線遮蔽材
WO2013042718A1 (ja) 熱線遮蔽材
CN210026570U (zh) 一种红外激光阻断薄膜
CN216087423U (zh) 一种防信息泄露的保护膜
CN109677083A (zh) 一种红外激光阻断薄膜及其制备方法
JP2008124154A (ja) 電波吸収体
KR102185732B1 (ko) 디스플레이 장치의 휘도의 균일화를 위한 보호필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2008124155A (ja) 電波吸収体
WO2013039215A1 (ja) 熱線遮蔽材
KR101117226B1 (ko) 차열용액 조성물 및 그 제조방법, 이 조성물을 이용한 차열필름 및 그 제조방법, 비닐하우스용 단열비닐
CN109413982A (zh) 一种海水电磁屏蔽体
WO2012023094A2 (en) Luminescent scattering or reflecting layer for enhanced photovoltaic device performance
CN113637418A (zh) 电磁屏蔽激光窃听阻断二合一膜及其制备方法
CN111403466B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN207901754U (zh) 一种具有导电功能的pc塑料板
WO2012077661A1 (ja) 太陽光発電装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Cao Lei

Inventor after: Jin Xin

Inventor after: Zhu Yumei

Inventor after: Li Tao

Inventor after: Wen Chongbo

Inventor after: Qiu Xiaoyi

Inventor after: Wu Gaoqi

Inventor before: Cao Lei

Inventor before: Jin Xin

Inventor before: Zeng Hualin

Inventor before: Zhu Yumei

Inventor before: Li Tao

Inventor before: Wen Chongbo

Inventor before: Qiu Xiaoyi

Inventor before: Wu Gaoqi

CB03 Change of inventor or designer information
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20211019

Address after: 610200 China (Sichuan) pilot Free Trade Zone, Chengdu, Sichuan, No. 186, Wulian 2nd Road, Shuangliu District, Chengdu

Applicant after: CHENGDU LIXIN NEW TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Applicant after: Taizhou Hongzhi Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: No. 186, Wulian 2nd Road, Gongxing street, Shuangliu District, Chengdu, Sichuan 610299

Applicant before: CHENGDU LIXIN NEW TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant