CN114122229A - 发光装置及其制造方法、面状光源、液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供配光颜色不均较少的发光装置的制造方法。本发光装置的制造方法包括下述工序:准备第1构件的工序,所述第1构件具有:基部、位于上述基部上的多个荧光体框、以及配置于相邻的上述荧光体框之间的透光性构件;将具备有发光面以及上述发光面的相反侧的电极形成面的发光元件以将上述发光面朝向上述基部侧配置于上述荧光体框的内侧的工序;以及切断上述透光性构件的工序。

Description

发光装置及其制造方法、面状光源、液晶显示装置
技术领域
本公开涉及发光装置及其制造方法、面状光源、液晶显示装置。
背景技术
已知具备有荧光体的发光装置。这样的发光装置例如,通过下述发光装置的制造方法来制造,所述发光装置的制造方法具备下述工序:以与集合基板的电路基板的排列间距相等的间距准备荧光体罩所连接的荧光体罩片的荧光体罩片准备工序,在集合基板上将多个半导体发光元件进行倒装芯片安装的倒装芯片安装工序,将安装有半导体发光元件的集合基板与荧光体罩片重叠的重叠工序,以及与荧光体罩片一起切断集合基板,获得半导体发光装置的单片化工序。在这样的发光装置中,有时产生配光颜色不均,因此期望改善颜色不均。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-118210号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开的目的在于提供配光颜色不均较少的发光装置的制造方法。
用于解决课题的方法
本公开的一实施方式涉及的发光装置的制造方法包括下述工序:准备第1构件的工序,所述第1构件具有基部、位于上述基部上的多个荧光体框、以及配置于相邻的上述荧光体框之间的透光性构件;将具备发光面以及上述发光面的相反侧的电极形成面的发光元件以将上述发光面朝向上述基部侧的方式配置于上述荧光体框的内侧的工序;以及切断上述透光性构件的工序。
发明的效果
根据本公开的一实施方式,能够提供配光颜色不均较少的发光装置的制造方法。
附图说明
图1为例示第1实施方式涉及的发光装置的截面图。
图2为例示第1实施方式涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。
图3为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其1)。
图4为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其2)。
图5为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其3)。
图6为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其4)。
图7为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其5)。
图8为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其6)。
图9为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其7)。
图10为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其8)。
图11为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其9)。
图12为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其10)。
图13为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其11)。
图14为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其12)。
图15为例示第1实施方式的变形例1涉及的发光装置的截面图。
图16为例示第1实施方式的变形例1涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。
图17为第1实施方式的变形例1涉及的上模具的仰视图。
图18为第1实施方式的变形例1涉及的上模具的截面图。
图19为例示第1实施方式的变形例2涉及的发光装置的截面图。
图20为例示第1实施方式的变形例2涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。
图21为第1实施方式的变形例2涉及的上模具的仰视图。
图22为第1实施方式的变形例2涉及的上模具的截面图。
图23为例示第1实施方式的变形例3涉及的发光装置的截面图。
图24为例示第1实施方式的变形例4涉及的发光装置的截面图。
图25为例示第1实施方式的变形例5涉及的发光装置的截面图。
图26为例示第1实施方式的变形例6涉及的发光装置的截面图。
图27为例示第2实施方式涉及的发光装置的截面图。
图28为例示第2实施方式涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。
图29为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其1)。
图30为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其2)。
图31为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其3)。
图32为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其4)。
图33为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其5)。
图34为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其6)。
图35为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其7)。
图36为表示第3实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其1)。
图37为表示第3实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其2)。
图38为表示第3实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其3)。
图39为表示第3实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其4)。
图40为表示第3实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图(其5)。
图41为例示第4实施方式涉及的面状光源的示意平面图(其1)。
图42为例示第4实施方式涉及的面状光源的示意平面图(其2)。
图43为表示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源的具体例的部分截面图(其1)。
图44为表示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源的具体例的部分截面图(其2)。
图45为表示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源的具体例的部分截面图(其3)。
图46为表示具有被矩阵状地排列的多个发光装置的发光模块的具体例的部分截面图。
图47为例示第5实施方式涉及的液晶显示装置的构成图。
具体实施方式
以下,参照附图对于具体实施方式进行说明。另外,在以下说明中,根据需要使用表示特定的方向、位置的用语(例如,“上”、“下”、和包含这些用语的其它用语),但是这些用语的使用是为了使参照附图的发明的理解变得容易,通过这些用语的含义并不限制本发明的技术范围。另外,多个附图所表示的同一符号的部分表示同一或同等的部分或者构件。
另外,在本公开中所谓“平行”,只要没有特别的其它说明,包括两条直线、边、面等处于0°±5°左右的范围的情况。此外,在本公开中所谓“垂直”或“正交”,只要没有特别的其它说明,包括两条直线、边、面等处于90°±5°左右的范围的情况。
进一步,以下所示的实施方式例示用于将本发明的技术思想具体化的发光装置等,以下并不限定本发明。另外,以下所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等只要没有特定的记载,就并不是仅仅将本发明的范围限定于此的宗旨,意图在于进行例示。另外,一实施方式中说明的内容也能够适用于其它实施方式、变形例。另外,附图所示的构件的大小、位置关系等为了使说明变得明确,有时进行了夸张。进一步,为了避免附图变得过度地复杂,有时使用省略了一部分要素的图示的示意图,或作为截面图仅使用切截面的端面图。
〈第1实施方式〉
(发光装置10)
图1为例示第1实施方式涉及的发光装置的截面图。图2为例示第1实施方式涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。另外,图1表示图2的A-A线上的截面。
如图1和图2所示那样,发光装置10具有基部11、荧光体框12、透光性构件13以及发光元件14。发光装置10可以进一步具有粘接构件15、光反射性构件16。发光装置10例如,是外观形状为大致立方体或大致长方体。发光装置10的上面、下面和侧面的形状例如,为正方形或长方形等四边形。
基部11例如,是第1主面11a(图1中,下面)和第2主面11b(图1中,上面)的形状为正方形或长方形等四边形的板状构件。荧光体框12为从基部11的第1主面11a向下侧突起的框状构件。荧光体框12具备内侧面12a、外侧面12b和端面12c。
在仅将基部11和荧光体框12的部分进行底面视(bottom view)时,荧光体框12为例如额缘状。但是,在底面视中,荧光体框12可以不是额缘状而是环状。即,荧光体框12的开口在底面视中,可以为矩形那样的多边形状,也可以为圆形状。
另外,所谓底面视,为从基部11的第1主面11a的法线方向观察对象物。此外,在底面视中,基部11的第1主面11a具备:被荧光体框12包围的中央部11c以及位于荧光体框12的外侧的端部11d。换句话说,荧光体框12位于与基部11的第1主面11a的端部11d相比靠内侧。
透光性构件13被覆基部11的第1主面11a的中央部11c、以及荧光体框12的内侧面12a和端面12c。此外,透光性构件13被覆基部11的第1主面11a的端部11d和荧光体框12的外侧面12b,构成发光装置10的侧面的一部分。通过透光性构件13设置被荧光体框12包围的凹部13a。被覆基部11的第1主面11a的中央部11c的透光性构件13成为凹部13a的底面,被覆荧光体框12的内侧面12a的透光性构件13成为凹部13a的内侧面。
发光元件14具备发光面14a、发光面14a的相反侧的电极形成面14b以及侧面14c。发光元件14的电极形成面14b设置有一对电极14t。发光元件14配置于位于被荧光体框12包围的区域的凹部13a内。详细地说,发光元件14将发光面14a朝向凹部13a的底面侧,配置于凹部13a内。发光元件14例如,以使电极14t从凹部13a向下侧突起的方式,配置于凹部13a内。另外,在本申请中,为了使发明的理解变得容易,将电极形成面14b的相反侧的面称为“发光面”,来自发光元件14的光不仅从“发光面”被出射,而且从发光元件14的侧面14c被出射也是毋庸置疑的。
在发光元件14的发光面14a和侧面14c,与凹部13a的底面和内侧面之间,配置有粘接构件15。透光性构件13介由粘接构件15间接地被覆发光元件14的发光面14a和侧面14c。但是,粘接构件15可以不设置,在该情况下,发光元件14的发光面14a和侧面14c、与凹部13a的底面和内侧面发生接触。即,在该情况下,透光性构件13直接被覆发光元件14的发光面14a和侧面14c。另外,被覆基部11的第1主面11a的中央部11c的透光性构件13与被覆荧光体框12的内侧面12a的透光性构件13只要根据需要设置即可,都不是必须要件。
光反射性构件16根据需要被覆发光元件14的电极形成面14b的设置有电极14t的区域以外的区域,并且被覆位于电极形成面14b的周围的粘接构件15和透光性构件13。在该情况下,发光装置10的下面由光反射性构件16的下面和电极14t的下面构成。
荧光体框12的端面12c与光反射性构件16隔离,在隔离的区域配置有透光性构件13。光反射性构件16的侧面与基部11的侧面和透光性构件13的侧面一起,构成发光装置10的侧面的一部分。光反射性构件16的侧面、基部11的侧面和透光性构件13的侧面例如,成为同一面。
荧光体框12的外侧面12b具备向发光装置10的侧面侧突起的凸部17。在本实施方式中,凸部17在底面视时,在荧光体框12的4个角部各自分别设置有2个。各个凸部17在底面视时,配置于荧光体框12的端面12c的延长线上,一部分从发光装置10的侧面露出。即,在各个凸部17中,以侧面视,凸部17的纵长的端面露出于发光装置10的侧面的高度方向整体。在本实施方式中,基部11、荧光体框12以及凸部17成一体。即,在本实施方式中,基部11、荧光体框12以及凸部17为同一材料。
在发光装置10中,透光性构件13被覆荧光体框12的外侧面12b,因此能够提高荧光体的耐候性。另外,通过基部11的第1主面11a的端部11d的存在,能够提高透光性构件13与基部11和荧光体框12的密合性。
以下,对于构成发光装置10的各要素进行详细说明。
(基部11、荧光体框12、凸部17)
基部11、荧光体框12和凸部17的材料为吸收来自发光元件14的光,转换为不同波长的光的材料,包含荧光体。基部11、荧光体框12和凸部17的材料可以包含透光性的树脂材料、玻璃或陶瓷等的母材,作为波长转换材料的荧光体,可以为由荧光体的单晶形成的材料。作为母材,能够使用例如,有机硅树脂、有机硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固性树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂、甲基戊烯树脂、聚降冰片烯树脂等热塑性树脂、或氧化铝等。特别是,耐光性、耐热性优异的有机硅树脂是适合的。
荧光体可以使用该领域中公知的任一荧光体。例如,作为能够利用蓝色发光元件或紫外线发光元件激发的荧光体,可举出被铈活化的钇/铝/石榴子石系荧光体(YAG:Ce);被铈活化的镏/铝/石榴子石系荧光体(LAG:Ce);被铕和/或铬活化的含有氮的铝硅酸钙系荧光体(CaO-Al2O3-SiO2);被铕活化的硅酸酯系荧光体((Sr、Ba)2SiO4);βSiAlON荧光体、CASN系荧光体、SCASN系荧光体等氮化物系荧光体;KSF系荧光体(K2SiF6:Mn);硫化物系荧光体、量子点荧光体等。
通过将这些荧光体,以及能够发射紫外光和蓝色光~绿色光的可见光的发光元件进行组合,从而能够制成各种颜色的发光装置(例如,白色系的发光装置)。这些荧光体能够使用1种或多种。在使用多种的情况下,可以混合以制成单一层,也可以将含有各荧光体的层进行层叠。另外,基部11、荧光体框12和凸部17的材料以调整粘度等目的、促进光散射的目的,可以含有各种填料等。
(透光性构件13)
透光性构件13能够使用透光性的树脂材料。作为透光性的树脂材料,优选为例如,将有机硅树脂、有机硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固性树脂作为主成分的树脂材料。透光性构件13相对于来自发光元件14的光的透射率优选为70%以上,更优选为80%以上,进一步优选为90%以上。透光性构件13的膜厚优选比发光元件14的厚度薄。具体而言,透光性构件13的膜厚优选为0.01mm~0.15mm,更优选为0.01mm~0.1mm,进一步优选为0.01mm~0.05mm。
(发光元件14)
发光元件14的典型例为LED(Light Emitting Diode)。发光元件14例如,包含蓝宝石或氮化镓等元件基板、半导体层叠体。半导体层叠体包含:n型半导体层和p型半导体层、被它们夹持的活性层、以及与n型半导体层和p型半导体层电连接的电极14t。半导体层叠体可以包含能够发出紫外~可见区域的光的氮化物系半导体(InXAlYGa1-X-YN,0≤X,0≤Y,X+Y≤1)。
半导体层叠体能够具备至少1层上述那样的能够发出紫外~可见区域的光的发光层。例如,半导体层叠体在n型半导体层与p型半导体层之间能够包含发出1个发光色或发光波长的发光层。另外,发光层可以为具有双异质结、单量子阱异质结构(SQW)等单一活性层的结构,可以如多重量子阱异质结构(MQW)那样,具有聚集的活性层群的结构。此外,半导体层叠体也能够包含多个发光层。
例如,半导体层叠体可以为在n型半导体层与p型半导体层之间包含多个发光层的结构,也可以为依次包含n型半导体层、发光层和p型半导体层的结构多次重复的结构。多个发光层可以包含发光色或发光波长不同的活性层,可以包含发光色或发光波长相同的活性层。
另外,所谓相同发光色,使用上视为相同发光色的范围,例如,可以在主波长存在数nm左右的偏差。作为发光色或发光波长的组合,能够适当选择。例如,在半导体层叠体包含2层活性层的情况下,作为发光色的组合,可举出蓝色光与蓝色光、绿色光与绿色光、红色光与红色光、紫外光与紫外光、蓝色光与绿色光、蓝色光与红色光、或绿色光与红色光等。
发光元件14的底面视中的形状典型地为矩形。发光元件14的矩形的一边的长度为例如1000μm以下。发光元件14的矩形的纵和横的尺寸可以为500μm以下。纵和横的尺寸为500μm以下的发光元件易于方便地采购。或者,发光元件14的矩形的纵和横的尺寸可以为200μm以下。如果发光元件14的矩形的一边的长度短,则在应用于液晶显示装置的背光源单元时,对于高精细的影像的表现、局部调光动作等是有利的。
特别是,纵和横的两方的尺寸为250μm以下那样的发光元件由于上面相对于侧面的面积变小,因此来自发光元件的侧面的光的出射量相对地变大。因此,易于获得蝙蝠翼型的配光特性。这里,所谓蝙蝠翼型的配光特性,广义上是指将与发光元件的上面垂直的光轴设为0°,与0°相比绝对值大的角度方向上发光强度高的发光强度分布所定义的那样的配光特性。
(粘接构件15)
作为粘接构件15,能够使用透光性的粘接剂。作为透光性的粘接剂,可举出例如,将有机硅树脂、有机硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固性树脂作为主成分的树脂材料。透光性的粘接剂例如,相对于来自发光元件14的光的透射率优选为70%以上,更优选为80%以上,进一步优选为90%以上。
(光反射性构件16)
光反射性构件16为能够将来自发光元件14的光进行反射的构件,例如,可举出含有光散射剂的树脂材料。光反射性构件16相对于来自发光元件14的光的反射率优选为70%以上,更优选为80%以上,进一步优选为90%以上。
光反射性构件16例如,优选为以将有机硅树脂、有机硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂等热固性树脂作为主成分的树脂材料为母材。作为树脂材料中所含有的光散射剂(有时称为填料),例如,能够使用白色物质。具体而言,例如,氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等作为光散射剂是适合的。光散射剂为例如,粒状、纤维状、薄板片状等。
(发光装置10的制造方法)
图3~图14为表示第1实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图。首先,如图3~图9所示那样,准备第1构件110,所述第1构件110具有:基部11、位于基部11上的多个荧光体框12、以及配置于相邻的荧光体框12之间的透光性构件13。
具体而言,首先,如图3所示那样,准备在荧光体层12S上层叠有透光性构件13的半固化状态的层叠体100。层叠体100例如,能够在半固化状态的透光性树脂中含有荧光体的膜状的荧光体层12S上,配置由半固化状态的透光性树脂形成的膜状的透光性构件13,将透光性构件13推压至荧光体层12S侧来形成。或者,可以在半固化状态的透光性树脂中含有荧光体的膜状的荧光体层12S上,将作为透光性构件13的材料进行喷射涂布等来形成层叠体100。或者,可以预先购入在荧光体层12S上层叠有透光性构件13的半固化状态的层叠体100。另外,层叠体100的上面和下面为没有形成凸部、凹部的平坦面。
接下来,准备图4和图5所示的上模具900、图6所示的下模具910。图4为将上模具900从凸侧(与下模具910对置一侧)观察的图,图5为图4的B-B线上的截面图。另外,在图4中,由虚线表示的符号10表示1个发光装置10相对应的部分。
如图4所示那样,在上模具900的与下模具910对置的面上,形成凹部13a的例如正方形状的凸部901以规定间隔被纵横地行列状地配置。而且,以位于上下左右方向上相邻的凸部901之间的方式,配置有与凸部901隔离,长边与凸部901的一边大致相等的长方形状的凸部902。此外,以位于对角方向上相邻的凸部901之间的方式,配置有与凸部901隔离,各边与凸部902的短边大致相等的正方形状的凸部903。换句话说,凸部903以位于相邻的凸部902之间的方式,与凸部902隔离来配置。下模具910的与上模具900对置的面为没有形成凸部、凹部的平坦面。
使用上模具900和下模具910,成型为层叠体100。具体而言,如图6所示那样,在下模具910上配置层叠体100,然后如图7所示那样,通过利用上模具900进行压制,从而使层叠体100变形,形成具有基部11、荧光体框12以及透光性构件13的第1构件110。在图7的工序中,剩余的荧光体框12被挤出至上模具900和下模具910的周围。然后,使荧光体框12和透光性构件13固化。
图8和图9表示从上模具900和下模具910取出的固化后的第1构件110。图8为平面图(俯视图),图9为截面图。如图8和图9所示那样,第1构件110具有基部11、位于基部11上的多个荧光体框12以及配置于相邻的荧光体框12之间的透光性构件13。即,被上模具900的凸部901、902、和903压制的部分成为被覆基部11与基部11的透光性构件13,其它部分成为被覆荧光体框12与荧光体框12的透光性构件13。另外,优选基部11薄。这是因为,如果利用后述的图12所示的工序进行切断并单片化,则基部11的切截面露出于发光装置10的侧面,但是切截面的面积小时,荧光体的耐候性提高。
接下来,如图10所示那样,按照荧光体框12的个数准备具备发光面14a、发光面14a的相反侧的电极形成面14b以及侧面14c的发光元件14。而且,以将发光元件14的发光面14a朝向基部11侧而配置于各个荧光体框12的内侧。发光元件14例如,介由涂布于荧光体框12内的粘接构件15而配置于荧光体框12的内侧。粘接构件15例如,能够通过灌注透光性的液状材料(例如,树脂)等来涂布。通过将粘接构件15进行固化,从而能够将发光元件14的发光面14a和侧面14c、与位于荧光体框12内的透光性构件13的底面和内侧面进行粘接。发光元件14优选以使电极14t从荧光体框12的端面12c突出的方式来配置。
接下来,如图11所示那样,在发光元件14的电极形成面14b侧配置光反射性构件16。具体而言,被覆透光性构件13的上面、发光元件14的电极形成面14b和发光元件14的电极14t的侧面,形成露出发光元件14的电极14t的前端面的光反射性构件16。可以以埋设设置于电极形成面14b的电极14t的方式,在发光元件14的电极形成面14b侧配置光反射性构件16,除去光反射性构件直至电极14t的前端面露出。光反射性构件16例如,能够通过使用了模具的压缩成型、灌注、涂覆等来形成。电极14t上的光反射性构件16的除去例如,能够采用使用了研磨机的机械研磨、喷砂等。
接下来,如图12所示那样,通过切断位于相邻的荧光体框12间的基部11、透光性构件13和光反射性构件16,从而获得图14所示的多个发光装置10。切断以被覆各个荧光体框12的外侧面12b的透光性构件13残存的方式来进行。即,荧光体框12没有切断,必须将被覆荧光体框12的外侧面12b的透光性构件13进行切断。
位于相邻的荧光体框12间的基部11、透光性构件13和光反射性构件16例如,如图12所示那样,能够使用规定宽度的刮刀950,利用切割来切断。通过使用了刮刀950的切断,从而刮刀950的宽度相当的基部11、透光性构件13和光反射性构件16被除去。在进行切断的情况下,如图12那样,可以利用1次切割来切断,也可以分成2次以上来切断。在分成2次来切断的情况下,能够利用第1次的切割,从光反射性构件16侧切削,形成没有到达基部11的下端的深度的槽,利用第2次的切割,将由第1次的切割形成的槽更深地切削从而切断。例如,可以利用第1次的切割切断光反射性构件16,利用第2次的切割将基部11切断。
另外,在分成3次来切断的情况下,能够利用第1次的切割,从光反射性构件16侧切削,形成没有到达基部11的下端的深度的槽,利用第2次的切割,将由第1次的切割形成的槽进行切削,形成与由第1次的切割所形成的槽相比深的槽,利用第3次的切割将由第2次的切割形成的槽更深地切削,从而切断。即使在分成4次以上来切断的情况下,与上述内容也同样。
此外,如图13所示那样,可以将相邻的荧光体框12间的不同的两处使用与刮刀950相比宽度窄的刮刀960进行切割来切断。在该情况下,可以利用一次切割来切断,也可以分成多次来切断。另外,在进行多处切割时,可以同时进行切割,也可以在不同时间进行切割。此外,在进行切断的情况下,可以从光反射性构件16侧开始切断,也可以从第1构件110的基部11侧开始切断。
在图12中,相邻的荧光体框12的对置的外侧面间的宽度W1例如,为0.2~0.3mm左右。在该情况下,例如,能够使用宽度W2为0.15mm的刮刀950。例如,在宽度W1为0.25mm,宽度W2为0.15mm的情况下,如果将被覆荧光体框12的外侧面的透光性构件13均等地切断,则宽度W3成为0.05mm。进一步也能够使用宽度宽的刮刀,使宽度W3成为0.01mm左右。
在通过以使荧光体层二分的方式进行切断,从而形成发光装置的侧面的情况下,存在切断的位置偏移而形成发光装置的侧面的荧光体层的宽度在左右处不同的担忧。在该情况下,在发光装置的左右处通过荧光体层的光的光路长不同,因此存在配光颜色变得不均的担忧。
与此相对,在发光装置10的制造方法中,在单片化而形成多个发光装置10的工序(参照图12、图13)中,荧光体框12没有切断,必须将被覆荧光体框12的外侧面12b的透光性构件13切断。因此,假设即使切断的位置发生偏移,而仅形成发光装置10的侧面的透光性构件13的宽度在左右处不同,由此荧光体框12的左右的宽度是均等的。其结果是在发光装置10的左右处,通过荧光体框12的光的光路长成为大致相同,由此能够抑制配光颜色不均。
另外,发光装置10所包含的光反射性构件16仅位于发光装置的下面,没有被覆透光性构件的13的外侧面,因此能够提高来自发光元件14的光的取出。
另外,在发光装置10中,透光性构件13被覆荧光体框12的外侧面12b,因此能够提高荧光体的耐候性。另外,由于基部11的第1主面11a的端部11d的存在,因此能够提高透光性构件13与基部11和荧光体框12的密合性。
〈第1实施方式的变形例〉
在第1实施方式的变形例中,示出与第1实施方式结构不同的发光装置的例。另外,在第1实施方式的变形例中,有时省略对于与已经说明的实施方式同一构成部的说明。
图15为例示第1实施方式的变形例1涉及的发光装置的截面图。图16为例示第1实施方式的变形例1涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。另外,图15表示图16的C-C线上的截面。
如图15和图16所示那样,发光装置10A与发光装置10同样,在荧光体框12的外侧面12b具备向发光装置10A的侧面侧突起的凸部17。但是,与发光装置10不同,在发光装置10A中,凸部17在底面视中,在构成荧光体框12的外侧面12b的4条边的大致中央各设置一个。换句话说,凸部17在底面视中,在荧光体框12的矩形的相邻的角的中间地点各配置一个。而且,在各个凸部17中,侧面视时,凸部17的纵长的端面露出于发光装置10的侧面的高度方向整体。
这样,在发光装置10中,设置有8个凸部17,与此相对,在发光装置10A中,设置有4个凸部17。如果凸部17从发光装置的侧面露出,则存在凸部17所包含的荧光体粒子从发光装置的侧面露出的担忧,因此存在荧光体粒子的耐候性降低的担忧。因此,优选凸部17从发光装置的侧面露出的地方少。即,凸部17从发光装置的侧面露出的地方比发光装置10少的发光装置10A在荧光体粒子的耐候性方面,比发光装置10优异。
为了在图16的位置形成凸部17,例如,使用图17和图18所示的上模具900A即可。图17为将上模具900A从凸侧(与下模具910对置一侧)观察的图,图18为图17的D-D线上的截面图。
如图17所示那样,在上模具900A的与下模具对置的面上,形成凹部13a的例如正方形状的凸部901A以规定间隔纵横地行列状地配置。而且,以位于在对角方向上相邻的凸部901A之间的方式,与凸部901A隔离,十字状的凸部902A以规定间隔纵横地行列状地配置。在各个凸部901A的周围,配置有4处相邻的凸部902A的间隙部分905A,在间隙部分905A的位置形成凸部17。间隙部分905A例如,底面视时,以跨越连接各自的凸部901A的中心的线的方式来配置。
图19为例示第1实施方式的变形例2涉及的发光装置的截面图。图20为例示第1实施方式的变形例2涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。另外,图19表示图20的E-E线上的截面。
如图19和图20所示那样,发光装置10B与发光装置10、发光装置10A不同,在荧光体框12的外侧面12b不具备向发光装置10B的侧面侧突起的凸部17。
这样,在发光装置10中设置有8个凸部17,在发光装置10A中设置有4个凸部17,与此相对,在发光装置10B中没有设置凸部17。如上述那样,如果凸部17从发光装置的侧面露出,则存在凸部17所包含的荧光体粒子从发光装置的侧面露出的担忧,荧光体粒子的耐候性降低的担忧,因此优选凸部17从发光装置的侧面露出的地方少。在发光装置10B中,包含荧光体粒子的构件在发光装置10B的侧面的高度方向整体上露出的部分没有,因此在荧光体粒子的耐候性方面,比发光装置10A更优异。
为了使凸部17不从发光装置10的侧面露出,例如,只要使用图21和图22所示的上模具900B即可。图21为将上模具900B从凸侧(与下模具910对置一侧)观察的图,图22为图21的F-F线上的截面图。如图21所示那样,上模具900B的与下模具910对置的面上,形成凹部13a的例如正方形状的凸部901B以规定间隔纵横地行列状地配置。而且,以包围各个凸部901B的方式,与凸部901B隔离,配置有格子状的凸部902B。凸部902B连续地形成,没有凹状的部分,因此没有形成从发光装置10的侧面露出的凸部17。
图23为例示第1实施方式的变形例3涉及的发光装置的截面图。如图23所示那样,发光装置10C在荧光体框12的端面12c没有配置透光性构件13,荧光体框12的端面12c与光反射性构件16相接触这一点上与发光装置10(参照图1等)主要不同。
如图1等所示那样,如果在荧光体框12的端面12c与光反射性构件16之间存在透光性构件13,则荧光体框12的端面12c与光反射性构件16的密合性提高。此外,如图23所示那样,可以形成在荧光体框12的端面12c没有配置透光性构件13,荧光体框12的端面12c与光反射性构件16相接触的结构。由此,由于来自发光元件的全部光通过荧光体框,因此能够抑制配光颜色不均。
图24为例示第1实施方式的变形例4涉及的发光装置的截面图。如图24所示那样,发光装置10D在荧光体框12的壁部的截面形状为越远离基部11的第1主面11a而向下方,则宽度变得越窄的大致梯形状这一点上,与荧光体框12的壁部的截面形状为矩形的发光装置10(参照图1等)主要不同。但是,荧光体框12的壁部的截面形状不需要是完全的梯形,例如,可以是角部稍圆,或者端面12c为曲面状。
为了使荧光体框12的壁部的截面形状为大致梯形状,只要使形成荧光体框12的壁部的部分的上模具的凹部的形状为大致梯形状即可。如果使荧光体框12的壁部的截面形状为大致梯形状,则在从图7直至图9的工序中,第1构件110易于从上模具900拔出。
图25为例示第1实施方式的变形例5涉及的发光装置的截面图。如图25所示那样,发光装置10E在基部11的配置有荧光体框12一侧的相反侧的面,即第2主面11b(图25中,上面)上,配置有光反射层18这一点上,与发光装置10(参照图1等)主要不同。例如,能够在图11与图12的工序之间,设置在基部11的第2主面11b上配置光反射层18的工序。通过在基部11的第2主面11b上配置光反射层18,从而能够抑制从发光元件14朝向上方的光,增加向侧方的光取出。作为光反射层18,例如,能够使用与作为光反射性构件16例示的材料同样的材料。光反射层18例如,能够通过使用了模具的压缩成型、灌注、涂覆等来形成。
图26为例示第1实施方式的变形例6涉及的发光装置的截面图。如图26所示那样,发光装置10F在粘接构件15被置换为2种粘接构件(第1粘接构件15A和第2粘接构件15B)这一点上,与发光装置10(参照图1等)主要不同。在图26中,粘接构件成为第1粘接构件15A与第2粘接构件15B的2层结构。
第1粘接构件15A被覆发光元件14的发光面14a,在发光元件14的侧面14c的上侧的一部分上拉伸。第2粘接构件15B被覆发光元件14的侧面14c的下侧的一部分。
为了设置第1粘接构件15A和第2粘接构件15B,例如,在图10的工序中,在荧光体框12内涂布少量的第1粘接构件15A以配置发光元件14,第1粘接构件15A被覆发光元件14的发光面14a和侧面14c的一部分。如果使第1粘接构件15A固化,则发光元件14的发光面14a和侧面14c的一部分介由第1粘接构件15A,与周围的透光性构件13粘接。然后,在位于发光元件14的侧面14c与透光性构件13之间的间隙中注入第2粘接构件15B,然后使其固化,将发光元件14的侧面14c介由第2粘接构件15B,与周围的透光性构件13粘接。
在仅使用一个粘接构件15来粘接发光元件14的情况下,如果粘接构件15的量过多,则需要压入发光元件14的力。进一步,存在粘接构件15溢出的担忧。通过使用第1粘接构件15A和第2粘接构件15B,分成2次进行粘接,从而能够消除这样的问题。
第1粘接构件15A和第2粘接构件15B的材料可以相同,也可以不同。在第1粘接构件15A与第2粘接构件15B的材料不同的情况下,例如,可以作为第1粘接构件15A使用光反射性的粘接剂,作为第2粘接构件15B使用透光性的粘接剂。在该情况下,能够抑制从发光元件14朝向上方的光,增加向侧方的光取出。
〈第2实施方式〉
在第2实施方式中,示出与第1实施方式结构和制造方法不同的发光装置的例子。另外,在第2实施方式中,有时省略对于与已经说明的实施方式同一构成部的说明。
(发光装置10G)
图27为例示第2实施方式涉及的发光装置的截面图。图28为例示第2实施方式涉及的发光装置的仰视图(仰视图)。另外,图27表示图28的G-G线上的截面。
如图27和图28所示那样,发光装置10G在基部11G与荧光体框12分体这一点上,与发光装置10(参照图1等)主要不同。
在发光装置10G中,荧光体框12贴合于基部11G的第1主面11a。基部11G和荧光体框12例如,能够直接贴合,或介由粘接层进行贴合。基部11G例如,是第1主面11a和第2主面11b的形状为正方形或长方形等四边形的板状构件。基部11G包含荧光体层、透光层或光反射层的至少一层。在基部11G为荧光体层的情况下,基部11G的材料可以与荧光体框12的材料相同,也可以不同。
与发光装置10等同样地,荧光体框12位于与基部11G的第1主面11a的端部11d相比靠内侧。与发光装置10等同样地,仅将基部11G和荧光体框12的部分底面视时,荧光体框12为例如额缘状、环状。透光性构件13不需要全部覆盖荧光体框12的外侧面12b,可以仅被覆荧光体框12的外侧面12b的端部11d侧。
在图27和图28的例子中,透光性构件13仅设置于被覆基部11G的第1主面11a的端部11d和荧光体框12的外侧面12b的部分。然而,与图1等所示的发光装置10同样地,透光性构件13可以进一步被覆基部11G的中央部11c、以及荧光体框12的内侧面12a和端面12c。或者,与图23所示的发光装置10C同样地,透光性构件13可以进一步被覆基部11G的中央部11c、以及荧光体框12的内侧面12a。
(发光装置10G的制造方法)
图29~图35为表示第2实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图。另外,图32~35表示图31的H-H线上的截面。
首先,如图29~图32所示那样,准备第1构件110G,所述第1构件110G具有:基部11G、位于基部11G上的多个荧光体框12、以及配置于相邻的荧光体框12之间的透光性构件13。
具体而言,首先,如图29所示那样,矩形的荧光体层12G以规定间隔纵横地配置,准备具有与荧光体层12G的侧面相接触的透光性构件13的复合构件100G。透光性构件13以填充相邻的荧光体层12G的侧面间的方式配置的同时,以被覆配置于最外周的荧光体层12G的侧面的方式配置。荧光体层12G与透光性构件13为相同的厚度。
接下来,如图30所示那样,形成贯通各个荧光体层12G的矩形的开口,制作荧光体框12。由此,形成在荧光体框12的外侧面配置有透光性构件13的复合构件100G。矩形的开口例如,能够通过压制加工来形成。另外,荧光体层12G的平面形状可以为圆形状,在该情况下,形成圆形状的开口,制作环状的荧光体框12。
接下来,如图31所示那样,准备比复合构件100G大的板状的基部11G,将复合构件100G与基部11G的第1主面11a进行贴合,制作第1构件110G。第1构件110G的截面形状如图32那样。即,在基部11G的第1主面11a上以规定间隔纵横地配置荧光体框12,在相邻的荧光体框12的外侧面之间配置透光性构件13。另外,复合构件100G与基部11G的贴合可以直接进行,也可以介由粘接剂间接地进行。
接下来,如图33所示那样,按照荧光体框12的个数准备具备发光面14a、发光面14a的相反侧的电极形成面14b以及侧面14c的发光元件14。而且,将发光元件14的发光面14a朝向基部11G侧来配置于各个荧光体框12的内侧。发光元件14例如,介由涂布于荧光体框12内的粘接构件15以配置于荧光体框12的内侧。粘接构件15例如,能够通过将液状材料进行灌注等来涂布。通过将粘接构件15进行固化,从而能够将发光元件14的发光面14a和侧面14c、与位于荧光体框12内的基部11G的第1主面11a和荧光体框12的内侧面进行粘接。发光元件14优选以电极14t从荧光体框12的端面12c突出的方式来配置。
接下来,如图34所示那样,在发光元件14的电极形成面14b侧配置光反射性构件16。具体而言,被覆透光性构件13的上面、发光元件14的电极形成面14b和发光元件14的电极14t的侧面,形成露出发光元件14的电极14t的前端面的光反射性构件16。可以以埋设设置于电极形成面14b的电极14t的方式,在发光元件14的电极形成面14b侧配置光反射性构件16,除去光反射性构件直至电极14t的前端面露出。光反射性构件16例如,能够通过使用了模具的压缩成型、灌注、涂覆等来形成。电极14t上的光反射性构件16的除去例如,能够采用使用了研磨机的机械研磨、喷砂等。
接下来,如图35所示那样,将位于相邻的荧光体框12间的基部11G、透光性构件13和光反射性构件16进行切断,形成图27和图28所示的发光装置10G。切断以被覆各个荧光体框12的外侧面12b的透光性构件13残存的方式来进行。即,荧光体框12没有切断,必须将位于荧光体框12的外侧面12b间的透光性构件13切断。位于相邻的荧光体框12间的基部11G、透光性构件13和光反射性构件16例如,能够如图35所示那样,使用规定宽度的刮刀950,利用1次切割来切断,也可以与图13同样地,使用与刮刀950相比宽度窄的刮刀960利用2次切割来切断。
〈第3实施方式〉
在第3实施方式中,示出将与第1实施方式相同结构的发光装置利用与第1实施方式不同的制造方法来制作的例子。另外,在第3实施方式中,有时省略对于与已经说明的实施方式同一构成部的说明。
图36~图40为表示第3实施方式涉及的发光装置的制造工序的一状态的示意图。首先,如图36所示那样,准备没有固化状态的光反射性构件16。此外,准备多个具备发光面14a、发光面14a的相反侧的电极形成面14b以及侧面14c的发光元件14。
接下来,如图37所示那样,将发光元件14以电极形成面14b朝向光反射性构件16侧,以规定间隔纵横地配置,将各个发光元件14推压至光反射性构件16侧以将电极14t埋设于光反射性构件16。即,发光元件14的电极形成面14b配置有光反射性构件16。然后,使光反射性构件16固化。
接下来,如图38所示那样,准备第1构件110,所述第1构件110具有:基部11、位于基部11上的多个荧光体框12以及配置于相邻的荧光体框12间的透光性构件13。而且,在将粘接构件15涂布于发光元件14的发光面14a之后,将第1构件110的透光性构件13朝向发光元件14侧,将各个凹部13a与发光元件14进行定位。另外,对于第1构件110的制作方法,参照图3~图9进行了说明。
接下来,如图39所示那样,以将发光面14a朝向基部11侧,在荧光体框12的内侧配置发光元件14的方式,在光反射性构件16上覆盖第1构件110。而且,将第1构件110推压至光反射性构件16侧,使粘接构件15固化,在各个凹部13a内介由粘接构件15将发光元件14进行固定。
接下来,如图40所示那样,将位于相邻的荧光体框12间的基部11、透光性构件13和光反射性构件16进行切断,获得图1和图2所示的发光装置10。切断以被覆各个荧光体框12的外侧面12b的透光性构件13残存的方式来进行。即,荧光体框12没有切断,必须将位于荧光体框12的外侧面12b间的透光性构件13切断。位于相邻的荧光体框12间的基部11、透光性构件13和光反射性构件16例如,能够如图40所示那样,使用规定宽度的刮刀950,利用1次切割来切断,可以与图13同样地,使用比刮刀950宽度窄的刮刀960,利用2次切割来切断。
〈第4实施方式〉
在第4实施方式中,示出配置有多个发光装置的面状光源的例子。另外,在第4实施方式中,有时省略对于与已经说明的实施方式同一构成部的说明。
图41为例示第4实施方式涉及的面状光源的示意平面图(其1)。图42为例示第4实施方式涉及的面状光源的示意平面图(其2)。图41所示的面状光源200在配线基板210上具有一列地排列的多个发光装置10。图42所示的面状光源200A在配线基板210上具有被矩阵状地排列的多个发光装置10。
在面状光源200和200A中,多个发光装置10的间距(图41的P)优选相同,但可以不同。发光装置10的间距能够根据发光装置的大小、亮度等来适当调整。发光装置10的间距例如,可举出5mm~100mm的范围,优选为8mm~50mm的范围。
以下,一边参照图43~图46,一边示出面状光源的具体例。图43为表示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源的具体例的部分截面图(其1)。
图43所示的面状光源300具有发光装置10、配线基板310以及区分构件320。另外,可以代替发光装置10,使用发光装置10A~10G的任一者。配线基板310具有绝缘性的基材311以及设置于基材311上的配线312,可以根据需要具有被覆配线312的一部分的绝缘性树脂313。
区分构件320与配线基板310的发光装置10配置于同一侧。区分构件320包含俯视时格子状地配置的顶部321、俯视时包围各个发光装置10的壁部322以及与壁部322的下端连接的底部323,具有包围多个发光装置10的区域。区分构件320的壁部322例如,从顶部321向配线基板310侧拉伸,在截面图中,被对置的壁部322包围的区域的宽度越靠配线基板310侧变得越窄。发光装置10配置于底部323的大致中央设置的贯通孔内。区分构件320优选为具有光反射性的构件。
被壁部322包围的范围(即,区域和空间)被规定作为1个区分300C,区分构件320具备多个区分300C。在本实施方式中,1个区分300C配置有1个发光装置10。但是,1个区分300C可以配置2个以上的发光装置10。在该情况下,例如,1个区分300C可以配置红色、绿色和蓝色的3个发光装置10。或者,1个区分300C可以配置白昼色和灯泡色的2个发光装置10。
这样,通过在配线基板310上配置具有包围各个发光装置10的壁部322和底部323的区分构件320,从而能够使来自发光装置10的光在壁部322和底部323反射,能够提高光的取出效率。另外,能够抑制各区分300C中的亮度不均,进一步区分300C的群的单元中的亮度不均。
面状光源300可以在区分构件320的顶部321的上方具有光学构件330。光学构件330能够包含选自由光扩散板331、棱镜片(第1棱镜片332和第2棱镜片333)、偏光片334所组成的组中的至少一种。面状光源300由于具有光学构件330,因此能够提高光的均匀性。
面状光源300在区分构件320的顶部321的上方配置光学构件330,进一步在其上配置液晶面板,能够作为正下方型背光源用光源来使用。光学构件330中的各构件的层叠的顺序能够任意地设定。另外,光学构件330可以不与区分构件320的顶部321相接触。
(光扩散板331)
光扩散板331与区分构件320的顶部321相接触,配置于发光装置10的上方。光扩散板331优选为平坦的板状构件,但其表面可以配置凹凸。光扩散板331优选实质上相对于配线基板310平行地配置。
光扩散板331例如,能够由聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯酸系树脂、聚乙烯树脂等相对于可见光光吸收少的材料来构成。为了使入射的光扩散,光扩散板331可以在其表面设置凹凸,也可以在光扩散板331中分散折射率不同的材料。凹凸例如,能够设为0.01mm~0.1mm的大小。作为折射率不同的材料,例如,能够从聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂等中选择来使用。
光扩散板331的厚度、光扩散的程度能够适当设定,能够利用作为光扩散片、扩散膜等被市售的构件。例如,光扩散板331的厚度能够设为1mm~2mm。
(第1棱镜片332和第2棱镜片333)
第1棱镜片332和第2棱镜片333在其表面具有在规定的方向上延伸的多个棱镜被排列的形状。例如,第1棱镜片332将片的平面沿X方向和与X方向成直角的Y方向二维观察,具有在Y方向上延伸的多个棱镜,第2棱镜片333能够具有在X方向上延伸的多个棱镜。第1棱镜片332和第2棱镜片333能够使从各种方向入射的光沿朝向与面状光源300对置的显示面板的方向进行折射。由此,使从面状光源300的发光面出射的光主要沿与上面垂直的方向出射,能够提高将面状光源300从正面观察的情况下的亮度。
(偏光片334)
偏光片334例如,能够使与配置于液晶显示面板等显示面板的背光源侧的偏振片的偏光方向一致的偏光方向的光选择性地透过,使与该偏光方向垂直的方向的偏光向第1棱镜片332和第2棱镜片333侧反射。从偏光片334返回的偏光的一部分被第1棱镜片332、第2棱镜片333和光扩散板331再次反射。此时,偏光方向发生变化,例如,转换为具有液晶显示面板的偏振片的偏光方向的偏光,再次入射至偏光片334,出射至显示面板。由此,能够将从面状光源300出射的光的偏光方向对齐,以高效率出射对于显示面板的亮度提高而言有效的偏光方向的光。偏光片334、第1棱镜片332、第2棱镜片333等能够使用作为背光源用的光学构件被市售的产品。
面状光源300例如,能够在配线基板310上载置区分构件320和发光装置10,根据需要在区分构件320上载置光学构件330从而制作。
图44为表示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源的具体例的部分截面图(其2)。
图44所示的面状光源400具有:发光装置10、配置发光装置10的配线基板410、将从发光装置10出射的光进行导光的导光板420、位于发光装置10的上方的光反射性的树脂构件430、以及位于发光装置10的下方的光反射性的粘接构件440。另外,可以代替发光装置10,使用发光装置10A~10G的任一者。
配线基板410具有绝缘性的基材411以及设置于基材411上的配线412,可以根据需要具有被覆配线412的一部分的绝缘性树脂413。在配线基板410的基材411的上面依次层叠有光反射性片480、粘接构件440、导光板420。接合构件490贯通配线基板410的基材411、光反射性片480和粘接构件440,将发光装置10的电极与配线412电连接。
导光板420具有第1主面420a以及第1主面420a的相反侧的第2主面420b。导光板420的第1主面420a与粘接构件440相接触。导光板420的第2主面420b侧为面状光源400的发光面。
导光板420设置有从第1主面420a贯通直至第2主面420b的贯通孔420x。贯通孔420x例如,俯视时格子状地设置,面状光源400通过格子状的贯通孔420x,被区分为二维地排列的多个发光区域400C。在贯通孔420x中配置作为含有光扩散材的有机硅树脂等树脂425。另外,导光板420可以代替从第1主面420a贯通直至第2主面420b的贯通孔420x,具有向第2主面420b侧开口的格子状的槽。
各个发光区域400C设置有从第1主面420a贯通直至第2主面420b的圆形状等的贯通孔450,贯通孔450内配置有发光装置10。此外,贯通孔450内配置有被覆发光装置10的上面和侧面的透光性构件470。透光性构件470的上面与导光板420的第2主面420b例如,处于同一平面上。在发光装置10的第2主面420b侧,俯视时与发光装置10重叠的位置配置有树脂构件430。具体而言,树脂构件430在贯通孔450内,配置于被覆发光装置10的透光性构件470上。树脂构件430可以从透光性构件470上,在导光板420的第2主面420b上延伸来配置。
从发光装置10出射的光的一部分传播至导光板420内,入射至树脂构件430。树脂构件430例如,为分散有光反射性的填料的树脂材料等光反射性的材料,因此能够使从发光装置10出射的光的一部分反射至导光板420的第1主面420a侧。即,通过在发光装置10的上方配置树脂构件430,从而能够使出射至发光装置10的上方的光适度地透过的同时,使其向下方、横向扩散。其结果能够抑制在导光板420的第2主面420b上,发光装置10的正上方的亮度与其它区域相比极端地变高。
面状光源400例如,能够在配线基板410上载置导光板420,在导光板420的贯通孔450内载置发光装置10之后,在贯通孔450内配置被覆发光装置10的透光性构件470,在透光性构件470上配置树脂构件430从而制作。
图45为表示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源的具体例的部分截面图(其3)。
图45所示的面状光源500具有发光装置10、配置发光装置10的配线基板510、将从发光装置10出射的光进行导光的导光板520、以及位于导光板520的下方的光反射性的构件540。另外,可以代替发光装置10,使用发光装置10A~10G的任一者。
配线基板510具有绝缘性的基材511、以及设置于基材511上的配线512,可以根据需要具有被覆配线512的一部分的绝缘性树脂513。在配线基板510的基材511的上面介由粘接层580,设置有与发光装置10的电极电连接的配线530。通孔570贯通粘接层580和配线基板510的基材511,将配线530与配线512电连接。通孔570的周边部被保护构件590保护。
导光板520具有第1主面520a以及第1主面520a的相反侧的第2主面520b。第1主面520a可以具有凹凸结构。导光板520的第1主面520a与构件540相接触。导光板520的第2主面520b侧为面状光源500的发光面。面状光源500被区分为多个发光区域500C。
在导光板520中,在各个发光区域500C设置有向第2主面520b侧开口的凹部560。凹部560例如,为向第2主面520b侧开口的倒圆锥、倒矩形锥、倒六角锥等倒多角锥形等凹陷、或倒圆锥台、倒多角锥台等凹陷。凹部560配置于与配置在配线基板510上的发光装置10俯视时重叠的位置。凹部560的中心优选俯视时,与发光装置10的光轴一致。
构件540将从发光装置10出射的光进行反射。构件540可以相对于面状光源500的整体设置1个。即,构件540可以横跨彼此相邻的发光区域500C连续地配置。
从发光装置10出射的光的一部分传播至导光板520内,入射至凹部560。凹部560能够在导光板520与折射率的不同材料(例如空气)的界面,将入射至凹部560的光反射至发光装置10的侧方方向。即,通过在发光装置10的上方配置凹部560,从而能够使出射至发光装置10的上方的光适度地透过的同时,使其扩散至下方、横向。其结果能够抑制在导光板520的第2主面520b上,发光装置10的正上方的亮度与其它区域相比,极端地变高。另外,可以在凹部560内配置光反射性的构件(例如,金属等的反射膜、白色的树脂)。
面状光源500例如,能够在导光板520上载置发光装置10之后,配置被覆导光板520的第1主面520a的构件540,然后,粘贴于配线基板510从而制作。
图43~图45中,例示在配线基板上具有被矩阵状地排列的多个发光装置的面状光源。在图46中,例示具有被矩阵状地排列的多个发光装置的发光模块。另外,在本申请中,在具有被矩阵状地排列的多个发光装置的光源中,将具有配线基板的情况称为面状光源,将不具有配线基板的情况称为发光模块。另外,通过将多个发光模块在1张配线基板上一维、二维地排列,从而能够实现面状光源。
图46为表示具有被矩阵状地排列的多个发光装置的发光模块的具体例的部分截面图。
图46所示的发光模块600具有:发光装置10、将从发光装置10出射的光进行导光的导光板620、位于发光装置10的上方的光反射性的树脂构件630以及位于发光装置10的下方的光反射性的粘接构件640。另外,可以代替发光装置10,使用发光装置10A~10G的任一者。
导光板620具有第1主面620a以及第1主面620a的相反侧的第2主面620b。导光板620的第1主面620a与粘接构件640相接触。导光板620的第2主面620b侧为发光模块600的发光面。
发光模块600被区分为多个发光区域600C。在导光板620中,各个发光区域600C设置有向第1主面620a侧开口的第1凹部650以及向第2主面620b侧开口的第2凹部660。第1凹部650与第2凹部660配置于俯视时重叠的位置。第1凹部650与第2凹部660优选在俯视时重叠的位置位于各自的中心。俯视时,第2凹部660的大小可以比第1凹部650的大小大。
导光板620的设置于第1主面620a侧的各个第1凹部650配置有发光装置10。可以在第1凹部650内配置覆盖发光装置10的透光性构件670。在第1凹部650内配置覆盖光源的透光性构件670的情况下,粘接构件640可以覆盖透光性构件670的一部分或全部。
导光板620的设置于第2主面620b侧的各个第2凹部660配置有树脂构件630。第2凹部660例如,可以具有截面图中位于靠近第2主面620b的平面部一侧的上侧凹部661,以及位于与上侧凹部661相比靠第1主面620a侧,在截面图中与上侧凹部661的侧面的倾斜角度不同的倾斜角度的下侧凹部662。在该情况下,树脂构件630例如,能够配置于下侧凹部662。
粘接构件640将从发光装置10出射的光进行反射。在本实施方式中,作为一例,粘接构件640包含基部641、以及在基部641的周围连续的壁部642。基部641为在导光板620的第1主面620a中,配置于位于第1凹部650的周围的平面部的部分。壁部642为在导光板620的第1主面620a中,配置于位于平面部的周围的凹状的部分的部分。
壁部642例如,从导光板620的第1主面620a侧朝向第2主面620b侧而立起。壁部642具有在俯视时包围发光装置10的倾斜面643。粘接构件640可以相对于发光模块600的整体设置一个。即,粘接构件640可以横跨彼此相邻的发光区域600C而连续地配置。
导光板620在截面图中可以具有整体或一部分为曲面的曲面部分620c。曲面部分620c例如,设置于从第1主面620a的各发光区域600C的第1凹部650附近直至周缘的区域。通过在第1主面620a配置粘接构件640,从而相对于第1主面620a以浅的角度入射的光在曲面部分620c,反射至第2主面620b侧,提高光的取出效率。
从发光装置10出射的光的一部分传播至导光板620内,入射至树脂构件630。树脂构件630例如,为分散有光反射性的填料的树脂材料等光反射性的材料,因此能够使从发光装置10出射的光的一部分反射至导光板620的第1主面620a侧。即,通过在发光装置10的上方配置树脂构件630,从而能够使出射至发光装置10的上方的光适度地透过的同时,使其扩散至下方、横向。其结果能够抑制在导光板620的第2主面620b,发光装置10的正上方的亮度与其它区域相比极端地变高。
发光模块600例如,能够在导光板620上载置发光装置10之后,设置覆盖导光板620的第1主面620a的粘接构件640,在导光板620的第2主面的第2凹部660内配置树脂构件630从而制作。
另外,在图44~图46所示的面状光源或发光模块中,作为导光板的材料,可举出丙烯酸系树脂、聚碳酸酯树脂、环状聚烯烃树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚酯树脂等热塑性树脂、环氧树脂、有机硅树脂等热固性树脂、玻璃等透光性材料。此外,光反射性的构件为例如分散有光反射性的填料的树脂材料等光反射性的材料。作为构成光反射性的构件的树脂材料的母材,可举出有机硅树脂、酚醛树脂、环氧树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)等。作为光反射性的填料,能够使用金属的粒子,或具有比母材高的折射率的无机材料或有机材料的粒子。
〈第5实施方式〉
在第5实施方式中,示出背光光源使用了面状光源300的液晶显示装置(液晶显示装置)的例子。另外,在第5实施方式中,有时省略对于与已经说明的实施方式同一构成部的说明。
图47为例示第5实施方式涉及的液晶显示装置的构成图。如图47所示那样,液晶显示装置1000从上侧起依次具备液晶面板720、光学片710以及面状光源300。另外,面状光源300的光学构件330可以具备DBEF(反射型偏光片)、BEF(亮度提高片)、滤色器等。
液晶显示装置1000为在液晶面板720的下方层叠面状光源300的、所谓正下方型的液晶显示装置。液晶显示装置1000将从面状光源300被照射的光照射至液晶面板720。
一般而言,在正下方型的液晶显示装置中,由于液晶面板与面状光源的距离近,因此存在面状光源的颜色不均、亮度不均对于液晶显示装置的颜色不均、亮度不均带来影响的担忧。因此,作为正下方型的液晶显示装置的面状光源,期望颜色不均、亮度不均少的面状光源。通过液晶显示装置1000使用面状光源300,从而能够一边使面状光源300的厚度薄至5mm以下、3mm以下、1mm以下等,一边抑制外周变暗而减少亮度不均、颜色不均。
这样,面状光源300作为液晶显示装置1000的背光源使用是适合的。另外,可以代替面状光源300,使用面状光源400、面状光源500、发光模块600、或包含多个发光模块600的面状光源作为液晶显示装置1000的背光源。
但是,并不限定于此,面状光源300等也能够适合用作电视、平板、智能手机、智能手表、平视显示器、数字标牌、公告栏等的背光源。另外,面状光源300等也能够用作照明用的光源,也能够用于应急灯、线照明、或者各种照明、车载用的仪表板等。
以上,对于优选的实施方式等进行了详细说明,但是并不限制于上述实施方式等,能够不脱离权利要求所记载的范围,对于上述实施方式等施加各种变形和置换。
符号的说明
10、10A~10G 发光装置
11、11G 基部
11a 第1主面
11b 第2主面
11c 中央部
11d 端部
12 荧光体框
12a 内侧面
12b 外侧面
12c 端面
12G、12S 荧光体层
13 透光性构件
13a 凹部
14 发光元件
14a 发光面
14b 电极形成面
14c 侧面
14t 电极
15 粘接构件
15A 第1粘接构件
15B 第2粘接构件
16 光反射性构件
17 凸部
18 光反射层
100 层叠体
110、110G 第1构件
100G 复合构件
200、200A、300、400、500 面状光源
210、310、410、510 配线基板
300C 区分
311、411、511 基材
312、412、512、530 配线
313、413、513 绝缘性树脂
320 区分构件
321 顶部
322 壁部
323 底部
330 光学构件
331 光扩散板
332 第1棱镜片
333 第2棱镜片
334 偏光片
400C、500C、600C 发光区域
420、520、620 导光板
420a、520a、620a 第1主面
420b、520b、620b 第2主面
420x、450 贯通孔
425 树脂
430、630 树脂构件
440、640 粘接构件
470、670 透光性构件
480 光反射性片
490 接合构件
540 构件
560 凹部
570 通孔
580 粘接层
590 保护构件
600 发光模块
620c 曲面部分
650 第1凹部
660 第2凹部
641 基部
642 壁部
643 倾斜面
710 光学片
720 液晶面板
900、900A、900B 上模具
901、901A、901B、902、902A、902B、903 凸部
905A 间隙部分
910 下模具
950、960 刮刀
1000 液晶显示装置

Claims (18)

1.一种发光装置的制造方法,其包括下述工序:
准备第1构件的工序,所述第1构件具有基部、位于所述基部上的多个荧光体框、以及配置于相邻的所述荧光体框之间的透光性构件;
将具备发光面以及所述发光面的相反侧的电极形成面的发光元件以将所述发光面朝向所述基部侧的方式配置于所述荧光体框的内侧的工序;以及
切断所述透光性构件的工序。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,
在将所述发光元件配置于所述荧光体框的内侧的工序之后,包括下述工序:
在所述发光元件的电极形成面侧配置光反射性构件。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其包括下述工序:
在所述发光元件的电极形成面侧配置光反射性构件,
在配置所述光反射性构件的工序之后,以将所述发光面朝向所述基部侧,在所述荧光体框的内侧配置所述发光元件的方式,在所述光反射性构件上覆盖所述第1构件。
4.根据权利要求2或3所述的发光装置的制造方法,
配置所述光反射性构件的工序包括下述工序:以对设置于所述电极形成面的电极进行被覆的方式,在所述发光元件的电极形成面侧配置所述光反射性构件,除去所述光反射性构件直至所述电极露出。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的发光装置的制造方法,
准备所述第1构件的工序包括下述工序:准备在荧光体层上层叠有所述透光性构件的层叠体,将所述层叠体进行变形,以形成具有包含荧光体的所述基部和所述荧光体框的所述第1构件。
6.根据权利要求1~4的任一项所述的发光装置的制造方法,
准备所述第1构件的工序包括下述工序:使在所述荧光体框的外侧面配置有所述透光性构件的复合构件与所述基部进行贴合。
7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,
所述基部包含荧光体层、透光层或光反射层的至少一者。
8.根据权利要求1~7的任一项所述的发光装置的制造方法,其包括下述工序:
在所述基部的配置所述荧光体框一侧的相反侧的面上配置光反射层。
9.一种发光装置,其具有:
基部;
位于与所述基部的下面的端部相比靠内侧的荧光体框;
配置于被所述荧光体框包围的区域的发光元件;以及
被覆所述基部的下面的端部和所述荧光体框的外侧面的透光性构件。
10.根据权利要求9所述的发光装置,
所述发光元件具有发光面、以及在所述发光面的相反侧具有一对电极的电极形成面,
配置有光反射性构件,该光反射性构件被覆所述电极形成面的形成有所述电极的区域以外的区域、以及位于所述电极形成面的周围的所述透光性构件。
11.根据权利要求10所述的发光装置,
所述荧光体框的与所述基部侧相反侧的面与所述光反射性构件隔离,在隔离的区域配置有所述透光性构件。
12.根据权利要求10所述的发光装置,
所述荧光体框的与所述基部侧相反侧的面与所述光反射性构件相接触。
13.根据权利要求9~12的任一项所述的发光装置,
所述基部包含荧光体,并与所述荧光体框成一体。
14.根据权利要求9~12的任一项所述的发光装置,
所述基部为荧光体层、透光层或光反射层,
所述荧光体框贴合于所述基部的下面。
15.根据权利要求9~14的任一项所述的发光装置,
在所述基部的上面配置有光反射性构件。
16.根据权利要求9~15的任一项所述的发光装置,
在所述荧光体框的外侧面具备凸部,该凸部与所述荧光体框和所述基部成一体。
17.一种面状光源,其通过权利要求9~16的任一项所述的发光装置一维或二维地排列而成。
18.一种液晶显示装置,其将权利要求17所述的面状光源用于背光光源。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP4996101B2 (ja) * 2006-02-02 2012-08-08 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5103831B2 (ja) 2006-08-29 2012-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体の製造方法
TWI389294B (zh) * 2008-03-07 2013-03-11 Harvatek Corp A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same
US9039216B2 (en) * 2010-04-01 2015-05-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2012134295A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013118210A (ja) 2011-12-01 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP5980577B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-31 シチズン電子株式会社 側面照射型led発光装置及び側面照射型led発光装置の製造方法
JP2014112669A (ja) * 2012-11-12 2014-06-19 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
CN104854716B (zh) * 2012-12-10 2017-06-20 西铁城时计株式会社 Led装置及其制造方法
KR20140124110A (ko) * 2013-04-16 2014-10-24 주식회사 포스코엘이디 광 반도체 조명장치
JP2016119454A (ja) 2014-12-17 2016-06-30 日東電工株式会社 蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法
JP6543564B2 (ja) 2015-12-14 2019-07-10 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 被覆光半導体素子の製造方法
US20180287020A1 (en) * 2015-04-27 2018-10-04 Lumimicro Corp. Ltd. Light-emitting diode device, manufacturing method therefor, and mold used therefor
TWI674684B (zh) 2015-12-30 2019-10-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
JP2017163105A (ja) 2016-03-11 2017-09-14 日東電工株式会社 光半導体素子被覆シート、密着層−被覆層付光半導体素子およびその製造方法、密着層付光半導体素子の製造方法
JP7011143B2 (ja) * 2016-11-30 2022-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6597657B2 (ja) * 2017-01-24 2019-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10879434B2 (en) * 2017-09-08 2020-12-29 Maven Optronics Co., Ltd. Quantum dot-based color-converted light emitting device and method for manufacturing the same
WO2019088704A1 (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
DE212019000235U1 (de) * 2018-07-12 2020-11-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung, Leuchtdioden-Anordnung, Rückbeleuchtungseinheit und Flüssigkristallanzeige
US11073654B2 (en) * 2018-12-28 2021-07-27 Nichia Corporation Light emitting module with recesses in light guide plate

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