CN114122070A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光显示装置，其能够减少接触孔的数目，从而提高电力线被分支使得通过分支的线向薄膜晶体管提供电力的结构中的开口率。此外，公开了用于制造该有机发光显示装置的方法。为此，在分支线中，接触孔不形成为与驱动薄膜晶体管相邻，而接触孔形成为仅与电力线VDD/Ref相邻。由有源层和钼‑钛层构成的分支线的双线从接触孔延伸至驱动薄膜晶体管，使得电力通过钼‑钛层MoTi被提供至驱动薄膜晶体管。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本公开内容涉及有机发光显示装置以及用于制造该有机发光显示装置的方法，其中在分支线从电力线VDD延伸并向薄膜晶体管TFT提供电力的结构中，接触孔的数目减少，从而提高了装置的开口率。
背景技术
OLED显示装置中包括的有机发光二极管具有高亮度特性和低工作电压特性，并且是自发光的。因此，OLED显示装置具有较高的对比度并且容易实现为超薄显示器。此外，其响应时间为几微秒μs，因此容易呈现运动图像。该装置对视角没有限制，并且在低温下稳定。
在该OLED显示装置中，一个像素P具有包括三个薄膜晶体管Tsw、Tdr和Tss以及一个电容器C1的结构。像素包括：有机发光二极管EL；向有机发光二极管EL提供电流的驱动薄膜晶体管Tdr；扫描薄膜晶体管Tsw，其接收数据电压Vdata，并设置在驱动薄膜晶体管Tdr与用于根据扫描信号Vscan向驱动薄膜晶体管Tdr的栅极提供数据电压Vdata的线之间；感测薄膜晶体管Tss，其连接在感测控制器与驱动薄膜晶体管Tdr之间并耦接至感测控制器和驱动薄膜晶体管Tdr以根据感测信号Vsense接收由驱动薄膜晶体管Tdr产生的电流；以及连接并设置在驱动薄膜晶体管Tdr的栅极与源极之间的电容器C1。
为了在OLED显示装置中实现要求高于全高清的高清晰度的高分辨率图像，每个像素必须被配置成具有高开口率结构。
发明内容
在OLED显示装置的批量生产结构中，使用从电力线VDD和参考线Ref分支的栅极金属向驱动薄膜晶体管Tdr提供电流和电压。
为了向驱动薄膜晶体管Tdr提供电流和电压，必须使电流和电压跳跃至其有源层ACT。因此，接触孔的数目每像素增加1个。因此，考虑4个像素的电力线VDD和参考线Ref，必须形成8个接触孔。
因此，接触孔数目的增加是开口率下降的主要原因。
因此，为了解决上述问题，本公开内容的发明人发明了一种显示装置，其能够减少接触孔的数目，从而提高电力线VDD/Ref在有机发光(OLED)显示装置中被分支并且通过分支的线向薄膜晶体管Tdr提供电力的结构中的开口率，并且还发明了用于制造该装置的方法。
此外，为此，本公开内容的发明人发明了一种有机发光显示装置，其中，在将电力线VDD/Ref和驱动薄膜晶体管Tdr彼此连接的分支线BL中，接触孔CNT不形成为与驱动薄膜晶体管Tdr相邻，而接触孔CNT形成为仅与电力线VDD/Ref相邻，并且由有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双线从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr，从而电力通过钼-钛层MoTi被提供至驱动薄膜晶体管Tdr。
此外，本公开内容的发明人发明了有机发光显示装置的制造方法，其中，栅极金属层GM不从电力线VDD/Ref延伸至驱动薄膜晶体管Tdr，并且电力线VDD/Ref和驱动薄膜晶体管Tdr通过分支线BL彼此连接，并且分支线BL由有源层ACT和钼-钛层MoTi的双层制成，并且一个接触孔CNT形成为仅与电力线VDD/Ref相邻，并且连接至电力线VDD/Ref的栅极金属层GM在接触孔区域CNT中接触钼-钛层MoTi，使得来自电力线VDD/Ref的电力通过在接触孔区域CNT中与栅极金属层GM接触的钼-钛层MoTi被提供至驱动薄膜晶体管Tdr的沟道。
根据本公开内容的目的不限于上述目的。根据本公开内容的未提及的其他目的和优点可以基于以下描述来理解，并且可以基于根据本公开内容的实施方式更清楚地理解。此外，将容易理解，可以使用权利要求中所示的手段及其组合来实现根据本公开内容的目的和优点。
可以提供根据本公开内容的实施方式的有机发光OLED显示装置。将用于向驱动薄膜晶体管施加电力的电力线VDD/Ref连接至驱动薄膜晶体管Tdr的分支线BL可以包括遮光层LS、缓冲层BUF、有源层ACT、钼-钛层MoTi和栅极绝缘层GI的堆叠体。在分支线中，接触孔CNT形成为仅与电力线VDD/Ref相邻，并且接触孔不形成为与驱动薄膜晶体管Tdr相邻。在接触孔区域CNT中，栅极金属层GM形成在栅极绝缘层GI上。当栅极金属层GM和钼-钛层MoTi彼此接触时，由有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双线可以从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。因此，来自电力线VDD/Ref的电力可以通过钼-钛层MoTi从接触孔CNT被提供至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化部分(沟道)。
此外，可以提供根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的制造方法。OLED显示装置制造方法包括：形成将电力线VDD/Ref连接至驱动薄膜晶体管Tdr的分支线BL。分支线BL的形成包括：在基板上形成遮光层LS的过程；在遮光层上形成缓冲层BUF的过程；在缓冲层上形成由有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双层的过程；在钼-钛层上形成栅极绝缘层GI的过程；仅在与遮光层LS交叠的区域中形成接触孔CNT的过程；在接触孔区域CNT中、在有源层、钼-钛层和栅极绝缘层的顶面上形成栅极金属层GM的过程，其中，钼-钛层MoTi和栅极金属层GM在接触孔区域CNT中彼此接触，并且由有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双线延伸至驱动薄膜晶体管Tdr的沟道。因此，来自电力线VDD/Ref的电力可以通过在接触孔区域CNT中与栅极金属层GM接触的钼-钛层MoTi被提供至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化部分(沟道)。
依据根据本公开内容的实施方式的OLED显示装置和OLED显示装置制造方法，接触孔CNT形成为仅与电力线VDD/Ref相邻，而接触孔CNT不形成为与驱动薄膜晶体管Tdr相邻，从而可以减少每像素的接触孔的数目。
因此，根据本公开内容的实施方式，有机发光(OLED)显示装置可以在电力线VDD/Ref被分支并且通过分支的线向薄膜晶体管Tdr提供电力的结构中减少接触孔的数目，从而提高开口率。
此外，根据本公开内容的实施方式，作为双线的有源层ACT和钼-钛层MoTi可以从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。因此，将来自电力线VDD/Ref的电力提供至驱动薄膜晶体管Tdr的栅极金属层GM可以不从电力线VDD/Ref延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。
因此，根据本公开内容，栅极金属层GM可以不从电力线VDD/Ref延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。因此，可以在电力线的制造过程中减少栅极金属层GM的材料的量。
本公开内容的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他效果。
附图说明
图1是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的分支线的平面结构和截面的示意图。
图2是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中与驱动薄膜晶体管相邻的金属化部分B-B'的结构和截面图的图。
图3是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中分支线的接触孔部分C-C'的截面的图。
图4是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中分支线的中点D-D'的截面的图。
图5是示出根据本公开内容的实施方式的分支线的连接至驱动薄膜晶体管的部分的截面结构的图。
图6是示出根据本公开内容的实施方式的分支线的连接至驱动薄膜晶体管的部分的结构的图。
图7是示出根据本公开内容的实施方式的分支线中的电容器结构的图。
图8是示出根据本公开内容的实施方式的靠近电力线的接触孔部分中的分支线的结构的图。
图9是示出根据本公开内容的实施方式的完全接触面积由于分支线而增加的图。
图10是示出根据本公开内容的实施方式的分支线的截面图和连接至分支线的驱动薄膜晶体管的截面图的图。
图11是顺序地示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的制造方法中制造分支线的过程的流程图。
图12至图17是顺序地示出根据本公开内容的实施方式的分支线的制造过程的截面图。
具体实施方式
参考随后结合附图详细描述的实施方式，本公开内容的优点和特征将变得明显。然而，本公开内容不限于以下所公开的实施方式，而是可以以各种不同的形式来实现。因此，这些实施方式被阐述仅是为了使本公开内容完整，并且将本公开内容的范围完全告知本公开内容所属技术领域的普通技术人员，并且本公开内容仅由权利要求的范围限定。
在用于描述本公开内容的实施方式的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度、数目等是示例性的，并且本公开内容不限于此。相同的附图标记在本文中指代相同的元件。此外，为了简化描述，省略了已知步骤和元件的描述和细节。此外，在本公开内容的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开内容的透彻理解。然而，应当理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容。在其他情况下，没有详细描述已知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地模糊本公开内容的各方面。
本文使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，并不旨在限制本公开内容。如本文所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式。还将理解，术语“包括”、“包含”、“包括……在内”和“包括有”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整数、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如“至少一个”的表达当在一列元素之前时可以修改整列元素，并且可以不修改列表的各个元素。在解释数值时，即使对其没有明确的描述，也可以出现误差或公差。
此外，还将理解，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者可以间接设置在第二元件上，其中第三元件或层设置在第一元件或层与第二元件或层之间。应当理解，当元件或层被称为“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接至另一元件或层或者直接耦接至另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。此外，还应当理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
此外，如本文所使用的，当层、膜、区域、板等被设置在另一层、膜、区域、板等“上”或“顶部上”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者与后者之间设置另一层、膜、区域、板等。如本文所使用的，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“上”或“顶部上”时，前者直接接触后者，并且不在前者与后者之间设置另一层、膜、区域、板等。此外，如本文所使用的，当层、膜、区域、板等设置在另一层、膜、区域、板等“下”或“下方”时，前者可以直接接触后者，或者可以在前者与后者之间设置另一层、膜、区域、板等。如本文所使用的，当层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“下”或“下方”时，前者直接接触后者，并且不在前者与后者之间设置另一层、膜、区域、板等。
在时间关系，例如，诸如“之后”、“随后”、“之前”等的两个事件之间的时间优先关系的描述中，除非指示了“直接之后”、“直接随后”或“直接之前”，否则在这两个事件之间可以发生另一个事件。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此组合，并且可以在技术上彼此关联或彼此操作。实施方式可以彼此独立地实现，并且可以以关联关系一起实现。
除非另外定义，否则本文使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，例如在通常使用的词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会在理想化或过于正式的意义上被解释，除非本文明确地如此定义。
在下文中，将描述根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置以及用于制造该装置的方法。
图1是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的分支线的平面结构和截面的示意图。
参照图1，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100包括：驱动薄膜晶体管Tdr，该驱动薄膜晶体管Tdr包括源电极、漏电极、栅电极和沟道；用于向驱动薄膜晶体管施加电力的电力线VDD；以及将电力线和驱动薄膜晶体管彼此连接的分支线BL。
就此而言，电力线被例示为用于施加电源电压VDD的VDD，但不限于此。电力线可以被体现为用于施加参考电压VRef的参考线Ref。
根据沿线A-A'截取的截面图，分支线BL包括基板SUB上的遮光层LS、遮光层上的缓冲层BUF、缓冲层上的有源层ACT、有源层上的第一金属层、以及第一金属层上的栅极绝缘层GI。就此而言，第一金属层是指包含导电材料的金属的层，例如作为钼(Mo)和钛(Ti)的合金的钼-钛(MoTi)。在下文中，将描述第一金属层被体现为钼-钛层MoTi的示例。
遮光层LS可以形成在基板SUB的顶面上，同时暴露基板的一部分。基板SUB上的遮光层LS可以由具有光阻挡功能的金属材料制成，以阻挡外部光的流入。遮光层LS可以由单层或多层结构构成，所述单层或多层结构由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的一种或其合金制成。
缓冲层BUF可以形成在基板的暴露部分的顶面上和遮光层的顶面上。覆盖基板SUB上的遮光层LS的缓冲层BUF被形成为具有单个绝缘层或其中堆叠多个绝缘层的结构，以阻挡从基板SUB流出的包括水分、氧气等的外来物质。缓冲层BUF可以由诸如硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、铝氧化物AlOx等的无机绝缘材料制成，并且可以由单层或多层结构构成。
有源层ACT可以形成在缓冲层BUF的顶面上。有源层ACT可以由基于IZO(铟锌氧化物)或IGZO(铟镓锌氧化物)的氧化物半导体制成。
钼-钛层MoTi可以形成在有源层的顶面上。钼-钛MoTi可以指钼(Mo)和钛(Ti)的合金。可以使用双沉积方案形成有源层和钼-钛层。可以通过使用半色调曝光掩模或衍射曝光掩模的一个掩模工艺形成有源层和钼-钛层。
栅极绝缘层GI可以形成在钼-钛层的顶面上。栅极绝缘层GI可以由基于氧化物的绝缘材料制成，以防止由氧化物半导体制成的有源层ACT的特性变化。
可以在与遮光层交叠的区域中在钼-钛层和栅极绝缘层中形成接触孔CNT。
栅极金属层GM的下两侧壁和底部在接触孔CNT中与钼-钛层接触。栅极金属层GM可以形成在有源层ACT上方、钼-钛层的侧面上、以及栅极绝缘层GI的侧面和顶面上。就此而言，栅极金属层GM可以称为栅极或GAT。
如上所述，在根据本公开内容的分支线BL中，仅在与电力线VDD/Ref相邻的位置处形成接触孔CNT，并且不在与驱动薄膜晶体管Tdr相邻的位置处形成接触孔CNT。
此外，分支线BL具有在接触孔CNT中的栅极绝缘层GI上的栅极金属层GM。当栅极金属层GM和钼-钛层MoTi在接触孔CNT中彼此接触时，分支线BL的有源层ACT和钼-钛层MoTi可以从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。因此，由分支线的有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双线可以延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。
因此，来自电力线VDD/Ref的电力可以从接触孔CNT通过钼-钛层MoTi提供至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化部分(沟道)。
此外，尽管在图1中未示出，但是有机发光显示装置可以包括显示面板，该显示面板具有显示图像的显示区域AA和设置在显示区域AA两侧的向显示区域AA提供信号的非显示区域NA。
在显示区域AA中，多条数据线和多条栅极线可以被布置成彼此交叉。像素P可以设置在它们之间的每个交叉点处。
尽管未示出，但是在显示面板中，多条栅极线GL和多条数据线DL可以设置在有机或塑料基板上，并且彼此交叉。红色R、绿色G和蓝色B像素P分别设置在栅极线GL与数据线DL之间的交叉点处。
此外，在与数据线DL平行的方向上延伸的电力线VDD可以形成在显示面板上并且可以连接至每个像素P。
此外，尽管未示出，但是每个像素P可以包括至少一个有机发光二极管、电容器、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管Tdr。就此而言，有机发光二极管可以包括第一电极(空穴注入电极)、有机化合物层和第二电极(电子注入电极)。
有机化合物层还可以包括除发射光的发光层之外的用于将空穴或电子载流子有效地传输至发光层的各种有机层。各种有机层可以包括位于第一电极与发光层之间的空穴注入层和空穴传输层、以及位于第二电极与发光层之间的电子注入层和电子传输层。
此外，驱动薄膜晶体管Tdr和开关薄膜晶体管(未示出)可以连接至栅极线GL、控制信号供应线CL和数据线DL。开关薄膜晶体管根据输入至栅极线GL的栅极电压而导通。同时，将输入至数据线DL的数据电压传输至驱动薄膜晶体管Tdr。电容器被连接并设置在薄膜晶体管与电力线之间，并被从薄膜晶体管传输的数据电压充电并保持一帧。
此外，驱动薄膜晶体管Tdr连接至电力线VDD和电容器，并向有机发光二极管提供与栅极和源极之间的电压对应的漏极电流。因此，有机发光二极管利用漏极电流发射光。就此而言，驱动薄膜晶体管Tdr包括栅电极、源电极和漏电极。有机发光二极管的阳极连接至驱动薄膜晶体管Tdr的一个电极。
图2是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中与驱动薄膜晶体管相邻的金属化部分B-B'的结构和截面图的图。
参照图2，在根据本公开内容的有机发光显示装置100中，由分支线BL的有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双线可以从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。
就此而言，分支线BL的有源层ACT为非导体，并且钼-钛层MoTi为导体。
驱动薄膜晶体管Tdr被体现为具有顶栅电极的薄膜晶体管TGAT，并且包括金属化有源层。换言之，在驱动薄膜晶体管Tdr中，缓冲层BUF设置在遮光层LS上，金属化有源层ACT设置在缓冲层上，栅极绝缘层GI设置在有源层上，并且栅电极GE设置在栅极绝缘层上。将参照图10一起描述驱动薄膜晶体管Tdr的截面结构和分支线的截面结构。
分支线BL的有源层ACT从接触孔CNT延伸并通向驱动薄膜晶体管Tdr的金属化有源层。
分支线BL的钼-钛层MoTi从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr，但不接触驱动薄膜晶体管Tdr，并且与驱动薄膜晶体管Tdr间隔开预定的间隔。
就此而言，分支线BL的钼-钛层MoTi可以部分地接触驱动薄膜晶体管Tdr的金属化有源层ACT。因此，通过接触孔CNT的栅极金属层GM传送的电力通过钼-钛层MoTi传输至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化有源层ACT。
驱动薄膜晶体管Tdr的金属化有源层ACT使用半色调灰化(H/T灰化)以及然后使用OZ酸的湿蚀刻工艺形成，并且接触漏电极DE。
因此，电力线VDD/Ref的电力从接触孔CNT通过与栅极金属层GM接触的钼-钛层MoTi传输至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化有源层ACT，然后通过金属化有源层ACT传送至漏电极DE。
图3是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中分支线的接触孔部分C-C'的截面的图。
参照图3，在根据本公开内容的实施方式的分支线BL的接触孔部分C-C'的截面中，有源层ACT设置在缓冲层BUF上，并且栅极金属层GM和钼-钛层MoTi设置在有源层上。
也就是说，当有源层ACT设置在缓冲层BUF上，钼-钛层MoTi设置在有源层上，并且栅极绝缘层GI设置在钼-钛层上时，这三层ACT、MoTi和GI被蚀刻以形成接触孔CNT。栅极金属层GM可以填充接触孔CNT。
因此，在接触孔区域CNT中，有源层ACT的中间部分接触栅极金属层GM。在接触孔CNT周围的两侧区域中，有源层ACT接触钼-钛层MoTi。
因此，由于栅极金属层GM和钼-钛层MoTi在接触孔CNT中彼此电接触，因此可以通过从电力线VDD/Ref延伸的栅极金属层GM和接触栅极金属层的钼-钛层MoTi将电力传输至驱动薄膜晶体管Tdr。
图4是示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置中分支线的中点D-D'的截面的图。
参照图4，根据本公开内容的实施方式的分支线BL从电力线VDD/Ref分支，并且不仅延伸至一个像素P而且延伸至另一个像素以向其供电。
就此而言，在分支线BL的中点D-D'的截面中，有源层ACT设置在缓冲层BUF上，钼-钛层MoTi设置在有源层上，并且栅极绝缘层GI设置在钼-钛层上。
此外，钝化层PAS可以设置在钼-钛层MoTi上。
分支线BL的宽度可以在从330埃
Figure BDA0003226999390000101
至340埃
Figure BDA0003226999390000102
的范围内，优选地为330埃
Figure BDA0003226999390000103
分支线BL的垂直尺寸可以具有170埃
Figure BDA0003226999390000104
至250埃
Figure BDA0003226999390000105
的范围，优选地为220埃
Figure BDA0003226999390000106
图5是示出根据本公开内容的实施方式的分支线的连接至驱动薄膜晶体管的部分的截面结构的图。
参照图5，根据本公开内容的实施方式的分支线BL被构造成使得遮光层LS设置在基板SUB上以暴露基板的一部分。
因此，缓冲层BUF形成在基板的暴露部分和遮光层上。也就是说，缓冲层BUF被定位成覆盖基板SUB的两个相对侧边缘和遮光层LS。
因此，缓冲层BUF的与遮光层交叠的部分向上突出，而缓冲层BUF的非突出部分与遮光层共面。缓冲层BUF在突出部分至非突出部分之间的位置处弯曲。
有源层ACT形成在缓冲层BUF上。有源层ACT可以以分开的方式形成在缓冲层的突出部分上。因此，有源层ACT具有左右分开且间隔的部分。
钼-钛层MoTi可以形成在有源层上。钼-钛层MoTi可以形成在有源层的左右分开且间隔的部分中的每一个上。
图6是示出根据本公开内容的实施方式的分支线的连接至驱动薄膜晶体管的部分的结构的图。
参照图6，在根据本公开内容的实施方式的分支线BL中，由有源层ACT和钼-钛层MoTi构成的双线连接至驱动薄膜晶体管Tdr。就此而言，有源层ACT用作非导体，并且钼-钛层MoTi用作导体。
就此而言，构成双线的钼-钛层MoTi不与驱动薄膜晶体管Tdr接触并且可以与驱动薄膜晶体管Tdr间隔开预定的间隔。
然而，构成双线的有源层ACT在与驱动薄膜晶体管Tdr的金属化第一有源层BACT(缓冲有源层)接触的同时延伸。
钼-钛层MoTi的内端在分支线BL的有源层ACT与驱动薄膜晶体管Tdr的金属化第一有源层BACT之间的接触点处与金属化第一有源层BACT交叠并接触。
因此，来自电力线VDD/Ref的电力经由接触孔CNT的栅极金属层GM传输至钼-钛层MoTi，然后从钼-钛层MoTi传输至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化第一有源层BACT。
在分支线BL的连接至驱动薄膜晶体管Tdr的部分中，缓冲层BUF设置在遮光层LS上，并且有源层ACT和金属化第一有源层BACT设置在缓冲层上。钼-钛层MoTi设置在有源层上，而驱动薄膜晶体管Tdr的栅极绝缘层GI设置在金属化第一有源层上。在驱动薄膜晶体管Tdr中，栅极金属层GM或栅电极GE设置在栅极绝缘层上。
在现有技术中，当将分支线BL和驱动薄膜晶体管Tdr彼此连接时，必须与驱动薄膜晶体管Tdr相邻地形成第二接触孔。然而，根据本公开内容，分支线BL的钼-钛层MoTi接触并连接至驱动薄膜晶体管Tdr的金属化第一有源层BACT，不需要第二接触孔。
因此，当通过根据本公开内容的实施方式的分支线BL将电力线VDD/Ref和驱动薄膜晶体管Tdr彼此连接时，可以获得每像素P减少八个接触孔的效果。
图7是示出根据本公开内容的实施方式的分支线中的电容器结构的图。
参照图7，在根据本公开内容的实施方式的分支线BL中，缓冲层BUF设置在遮光层LS上，并且有源层ACT设置在缓冲层上。钼-钛层MoTi设置在有源层上，栅极绝缘层GI设置在钼-钛层上，并且栅极金属层GAT设置在栅极绝缘层上。
就此而言，如上所述，遮光层LS可以由具有光阻挡功能的金属材料制成，以阻挡外部光的流入。也就是说，遮光层LS可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的一种或其合金制成。
因此，由于遮光层LS可以用作电容器的一个电极，因此遮光层LS和钼-钛层MoTi可以构成第一电容器C1，而缓冲层BUF和有源层ACT置于遮光层LS与钼-钛层MoTi之间。就此而言，作为第一电容器C1中的绝缘体的缓冲层BUF的厚度可以为4000埃
Figure BDA0003226999390000121
由于钼-钛MoTi是指钼(Mo)和钛(Ti)的合金，因此钼-钛层MoTi可以用作第一电容器C1的相对电极。
此外，由金属材料制成的钼-钛层MoTi和栅极金属层GAT可以构成第二电容器C2。就此而言，作为第二电容器C2中的绝缘体的栅极绝缘层GI的厚度可以为1500埃
Figure BDA0003226999390000122
可以看出，栅极绝缘层GI的厚度已经从23500埃
Figure BDA0003226999390000123
(常规示例)显著减小到1500埃
Figure BDA0003226999390000124
(本示例)。
此外，可以看出，当应用根据本公开内容的分支线BL的结构时，存储电容器的尺寸也已经减小到常规示例的尺寸的62％。
图8是示出根据本公开内容的实施方式的靠近电力线的接触孔部分中的分支线的结构的图。图9是示出根据本公开内容的实施方式的完全接触面积由于分支线而增加的图。
参照图8和图9，可以看出，如上所述，在根据本公开内容的实施方式的分支线BL中，钼-钛层MoTi在接触孔区域CNT中接触栅极金属层GAT。
在分支线BL的接触孔区域CNT中，有源层ACT设置在缓冲层BUF上，钼-钛层MoTi和栅极金属层GAT设置在有源层ACT上。
因此，当栅极金属层GAT接触钼-钛层MoTi时，来自电力线VDD/Ref的电力通过栅极金属层GAT从接触孔CNT传输至钼-钛层MoTi。
在常规示例中，在接触孔区域CNT中，有源层ACT用作导体。然而，当有源层ACT偏离接触孔CNT时，有源层用作半导体，从而无法实现完全接触。然而，根据本公开内容，由于钼-钛层MoTi在接触孔区域CNT中接触栅极金属层，因此可以实现完全接触。因此，可以看出，根据接触孔CNT的结构，接触孔CNT的尺寸已经减小，并且相应地，如图9所示，完全接触面积已经减小。可以看出，在接触孔区域CNT中，常规的完全接触面积为4.1μm×7.5μm，而根据本公开内容的实施方式，完全接触面积由于接触孔CNT而减小到4.1μm×4.1μm。
图10是示出根据本公开内容的实施方式的分支线的截面图和连接至分支线的驱动薄膜晶体管的截面图的图。
参照图10，如上所述，在根据本公开内容的实施方式的分支线BL中，遮光层LS设置在基板SUB上，缓冲层BUF设置在遮光层上，有源层ACT设置在缓冲层上，钼-钛层MoTi设置在有源层上，并且栅极绝缘层GI设置在钼-钛层上。
在与遮光层交叠的钼钛层的一部分和栅极绝缘层的一部分中形成接触孔CNT。与有源层、钼-钛层和栅极绝缘层交叠的栅极金属层GM设置在接触孔区域CNT中。
有源层和钼-钛层从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr的沟道BACT。
驱动薄膜晶体管Tdr可以包括：基板SUB，设置在基板SUB上的遮光层LS，设置在遮光层LS上的缓冲层BUF，设置在缓冲层BUF上的第一有源层BACT，设置在第一有源层BACT上的第二有源层(主有源层)MACT，使得第一有源层BACT的部分被暴露，第一有源层BACT和第二有源层(主有源层)MACT堆叠在基板SUB上，设置在基板SUB上方以覆盖第一有源层BACT和第二有源层MACT的栅极绝缘层GI，设置在栅极绝缘层GI上以暴露栅极绝缘层GI的部分的栅电极GE，设置在栅极绝缘层GI上以覆盖栅电极GE的层间绝缘层ILD，分别经由穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的源极接触孔SH和漏极接触孔DH连接至第一有源层BACT的源极区SA和漏极区DA的源电极SE和漏电极DE，以及设置在层间绝缘层ILD上以覆盖源电极SE和漏电极DE的钝化层PAS。
在本公开内容的实施方式中，描述了驱动薄膜晶体管Tdr连接至分支线BL的示例。然而，本公开内容不限于此。相同的原理可以同样适用于感测薄膜晶体管Tss或开关薄膜晶体管Tsw连接至分支线的情况。
此外，驱动薄膜晶体管Tdr可以另外地包括堆叠在基板SUB与第一有源层BACT之间的遮光层LS和缓冲层BUF。
基板SUB上的遮光层LS由具有光阻挡功能的金属材料制成，以阻挡外部光流入第一有源层BACT和第二有源层MACT。遮光层LS可以由单层或多层结构构成，所述单层或多层结构由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的一种或其合金制成。
设置在基板SUB上以覆盖遮光层LS的缓冲层BUF可以形成为单个绝缘层或其中堆叠多个绝缘层的结构，以阻挡从基板SUB流出的包括水分、氧气等的外来物质。缓冲层BUF可以由诸如硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、铝氧化物AlOx等的无机绝缘材料制成，并且可以由单层或多层结构构成。栅极绝缘层GI可以由基于氧化物的绝缘材料制成，以防止由氧化物半导体制成的有源层BACT和MACT的特性变化。
堆叠在缓冲层BUF上的第一有源层BACT和第二有源层MACT可以由具有不同迁移率特性的不同氧化物半导体制成。第二有源层MACT可以具有较高的迁移率并且可以比第一有源层BACT薄，因此可以用作主沟道。第一有源层BACT可以具有较低的迁移率并且可以比第二有源层MACT厚，并且可以具有被金属化的金属化源极区SA和金属化漏极区DA以减小偏移电阻和剩余半导体区SCA。
第二有源层MACT可以由载流子浓度高于或等于参考值的氧化物半导体材料制成，以实现高于参考值的更高的迁移率特性。例如，第二有源层MACT可以由具有1020/cm3或更大的高载流子浓度的氧化物半导体材料制成，以实现50cm2/Vs或更大的高迁移率特性。第二有源层MACT可以在1020/cm3的高载流子浓度下具有100cm2/Vs的高迁移率特性，以保持半导体特性。载流子浓度高于参考值的材料可以包括透明导电氧化物(TCO)。TCO可以包括ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)和ATO(锑锡氧化物)中的至少一种。例如，第二有源层MACT可以由基于IZO(铟锌氧化物)或IGZO(铟镓锌氧化物)的氧化物半导体制成。
第二有源层MACT可以形成为具有参考值(50cm2/Vs)或更大的高迁移率特性，并且形成为具有小于最大值的厚度，该最大值保持其切换由栅极电压控制的半导体的特性。例如，具有参考值(50cm2/Vs)或更大的高迁移率特性的第二有源层MACT可以形成为具有大于0nm且小于或等于10nm的厚度。这是因为当具有高迁移率特性的第二有源层MACT具有大于上述最大值的厚度时，与栅极电压无关地打开沟道，因此可能损失通过栅极电压进行切换的半导体特性。
在一个示例中，当在厚度小于上述最大值的第二有源层MACT处形成金属化源极区和金属化漏极区时，源极区和漏极区的偏移电阻由于第二有源层MACT的薄度而增加，使得基于相同电压的电流减小，并且因此可能增加氧化物TFT的功耗。
为了防止这种情况，根据本公开内容的驱动薄膜晶体管Tdr具有第一有源层BACT，该第一有源层BACT具有较低的迁移率并且比第二有源层MACT厚。第一有源层BACT可以具有金属化源极区SA和漏极区DA以减小其偏移电阻。例如，第一有源层BACT可以由载流子浓度低于1018/cm3的氧化物半导体制成，以具有30cm2/Vs或更低的迁移率。第一有源层BACT具有1016/cm3或更大的载流子浓度，以具有10cm2/Vs或更大的迁移率，以保持氧化物半导体特性。第一有源层BACT可以具有大于10nm且小于或等于40nm的厚度，使得源极区SA和漏极区DA的偏移电阻低于阈值。
第一有源层BACT可以由包括In、Ga、Zn、Al、Sn、Zr、Hf、Cd、Ni和Cu中的至少一种金属的氧化物半导体制成。第一有源层BACT可以由相对于第二有源层MACT的蚀刻选择性具有更高的蚀刻选择性的氧化物半导体制成，使得第一有源层BACT受第二有源层MACT的蚀刻的影响较小，即，其蚀刻速率较低。例如，第一有源层BACT可以由基于Sn的氧化物半导体制成，并且具体地可以ZnSnO、InSnZnO、InGaSnO和ZnSiSnO中的一种制成。
第一有源层BACT可以具有由于其金属化而具有低电阻的源极区SA和漏极区DA、以及在源极区SA与漏极区DA之间的剩余半导体区SCA。第一有源层BACT的源极区SA和漏极区DA用来降低第一有源层BACT与源电极SE和漏电极DE之间的偏移电阻。源极区SA和漏极区DA是通过将第一有源层BACT暴露于等离子体、紫外线UV或蚀刻剂以从第一有源层BACT部分地去除氧而形成的金属化区域。源极区SA和漏极区DA可以彼此间隔开。
形成在第一有源层BACT上的第二有源层MACT与第一有源层BACT的源极区SA与漏极区DA之间的半导体区SCA交叠并接触，并且与源极区SA和漏极区DA中的每一个的部分交叠并接触。以此方式，形成源极区SA与漏极区DA之间的沟道。
覆盖第一有源层BACT和第二有源层MACT的堆叠结构的栅极绝缘层GI形成在缓冲层BUF上方。栅极绝缘层GI形成在第二有源层MACT上。栅极绝缘层GI可以由诸如硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、铝氧化物AlOx等的无机绝缘材料制成，并且可以由单层或多层结构构成。栅极绝缘层GI可以由基于氧化物的绝缘材料制成，以防止由氧化物半导体制成的有源层BACT和MACT的特性改变。
与第二有源层MACT交叠的栅电极GE形成在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以形成为单层或多层结构，所述单层或多层结构由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的一种或其合金制成。
在栅极绝缘层GI上，形成覆盖栅电极GE的层间绝缘层ILD。形成延伸穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的源极接触孔SH和漏极接触孔DH。层间绝缘层ILD可以由诸如硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、铝氧化物AlOx等的无机绝缘材料制成，并且可以形成为单层或多层结构，或者可以由有机绝缘材料制成。
源电极SE和漏电极DE形成在层间绝缘层ILD上。源电极SE经由源极接触孔SH连接至第一有源层BACT的源极区SA，而漏电极DE经由漏极接触孔DH连接至第一有源层BACT的漏极区DA。源电极SE和漏电极DE中的每一个由单层或多层结构构成，所述单层或多层结构由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)的金属中的一种或其合金制成。
覆盖源电极SE和漏电极DE的钝化层PAS形成在层间绝缘层ILD上。层间绝缘层ILD可以由诸如硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、铝氧化物AlOx等的无机绝缘材料制成，并且可以由单层或多层结构构成。
在具有上述结构的驱动薄膜晶体管Tdr中，金属化第一有源层BACT连接至分支线BL的钼-钛层MoTi。因此，来自电力线VDD/Ref的电力通过栅极金属层GM从接触孔CNT传导至钼-钛层MoTi，并因此通过金属化第一有源层BACT从钼-钛层MoTi传导至漏电极DE。
图11是顺序地示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置制造方法中制造分支线的过程的流程图。图12至图17是顺序地示出根据本公开内容的实施方式的分支线的制造过程的截面图。
在下文中，将参照图11至图17描述根据本公开内容的实施方式的分支线的制造过程。
参照图11和图12，使用第一掩模工艺M1在基板SUB上形成遮光层LS，并且在基板SUB上形成覆盖遮光层LS的缓冲层BUF。
也就是说，遮光层LS形成在基板SUB的顶面上，使得基板的一部分被暴露。然后，缓冲层BUF形成在基板的暴露顶面和遮光层的顶面上。因此，缓冲层BUF被形成为覆盖整个遮光层LS，同时在其覆盖遮光层LS的一部分处弯曲。
更详细地，在基板SUB的整个面上沉积遮光层LS，然后通过使用第一掩模的光刻工艺和蚀刻工艺来图案化遮光层。因此，遮光层LS形成在基板SUB的需要避光的部分上。然后，在基板SUB上形成覆盖遮光层LS的缓冲层BUF。
接下来，参照图11至图14，使用第二掩模工艺M2在缓冲层BUF上形成有源层ACT，并且在有源层上形成钼-钛层MoTi。
就此而言，可以使用半色调掩模或衍射狭缝掩模作为第二掩模。通过使用第二掩模的光刻工艺在缓冲层BUF上形成具有第一垂直尺寸和第二垂直尺寸的光致抗蚀剂图案。在仅将形成有源层ACT的部分中，形成与第二掩模的半色调部分或衍射部分对应的具有第一垂直尺寸的第一光致抗蚀剂区域。在要形成钼-钛层MoTi的部分中，形成与第二掩模的遮光部分对应的具有第二垂直尺寸(大于第一垂直尺寸)的第二光致抗蚀剂区域。在有源层和钼-钛层两者要被去除的部分中，以与第二掩模的透光部分对应的方式不形成光致抗蚀剂。通过使用光致抗蚀剂图案作为掩膜的刻蚀工艺对钼-钛层和下方的有源层进行图案化，使得有源层ACT和上方的钼-钛层具有相同的图案。可以通过使用OZ酸的湿蚀刻工艺同时蚀刻有源层和钼-钛层。
接下来，参照图11和图15，使用第三掩模工艺M3在钼-钛层MoTi上形成栅极绝缘层GI。
就此而言，栅极绝缘层GI未被图案化。由此，不会由于栅极绝缘层GI的蚀刻而产生异物。在后续的工艺中，可以抑制诸如由于异物引起的电极间短路缺陷的工艺缺陷。
接下来，参照图11和图16，使用第四掩模工艺M4形成延伸穿过钼-钛层MoTi和栅极绝缘层GI的接触孔CNT。
接下来，参照图11和图17，使用第五掩模工艺M5在有源层的顶面、钼-钛层的顶面和栅极绝缘层的顶面上形成栅极金属层GM。
也就是说，在接触孔区域CNT中，钼-钛层MoTi和栅极金属层GM彼此接触。在接触孔区域CNT中，栅极金属层GM和与有源层ACT的底部的两侧壁对应的钼-钛层MoTi的两侧壁和底部接触。
随后，使用第六掩模工艺M6形成覆盖栅极金属层GM和栅极绝缘层GI的钝化层PAS。
使用如上所述的制造工艺，分支线BL可以被构造成使得栅极金属层GM在接触孔区域CNT中接触钼-钛层MoTi，并且双线即有源层和钼-钛层可以从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr的沟道BACT。
因此，来自电力线VDD/Ref的电力通过栅极金属层GM从接触孔CNT传导至钼-钛层MoTi。当电力通过钼-钛层MoTi被传导至驱动薄膜晶体管Tdr的沟道BACT时，电力从电力线VDD/Ref被提供至驱动薄膜晶体管Tdr。
如上所述，根据本公开内容，有机发光(OLED)显示装置能够减少接触孔的数目，从而提高电力线VDD/Ref被分支并且通过分支的线向薄膜晶体管Tdr提供电力的结构中的开口率。此外，还可以提供其制造方法。
也就是说，在根据本公开内容的有机发光OLED显示装置中，在将电力线VDD/Ref和驱动薄膜晶体管Tdr彼此连接的分支线BL中，接触孔CNT不形成为与驱动薄膜晶体管Tdr相邻，而接触孔CNT形成为仅与电力线VDD/Ref相邻，使得可以减少每像素的接触孔CNT的数目。
此外，根据本公开内容，当制造将电力线VDD/Ref和驱动薄膜晶体管Tdr彼此连接的分支线BL时，连接至电力线VDD/Ref的栅极金属层GM在接触孔区域CNT中与钼-钛层MoTi接触。作为双线的有源层ACT和钼-钛层MoTi从接触孔CNT延伸至驱动薄膜晶体管Tdr。因此，来自电力线VDD/Ref的电力通过在接触孔区域CNT中与栅极金属层GM接触的钼-钛层MoTi被提供至驱动薄膜晶体管Tdr的沟道。
尽管已经参照附图更详细地描述了本公开内容的实施方式，但是本公开内容不必限于这些实施方式。在不脱离本公开内容的技术思想的范围内，可以以各种修改的方式来实现本公开内容。因此，本公开内容中所公开的实施方式并不旨在限制本公开内容的技术构思，而是描述本公开内容。本公开内容的技术思想的范围不受实施方式的限制。因此，应当理解，如上所述的实施方式在所有方面都是说明性的而非限制性的。本公开内容的保护范围应当由权利要求来解释，并且本公开内容的范围内的所有技术构思应当被解释为包括在本公开内容的范围内。

Claims (18)

1.一种有机发光显示装置，包括：
设置在基板上的遮光层；
设置在所述遮光层上的缓冲层；
设置在所述缓冲层上的有源层；
设置在所述有源层上的第一金属层；以及
设置在所述第一金属层上的栅极绝缘层，
其中，在所述第一金属层和所述栅极绝缘层中并且在与所述遮光层交叠的区域中形成接触孔，以及
其中，所述有源层和所述第一金属层从所述接触孔延伸至薄膜晶体管的沟道。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括被配置成向所述薄膜晶体管提供电力的电力线，以及
其中，所述有源层和所述第一金属层形成用于将所述电力线连接至所述薄膜晶体管的分支线。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一金属层包括作为钼和钛的合金的钼-钛。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括设置在所述有源层、所述第一金属层和所述栅极绝缘层上的栅极金属层，以在所述接触孔中接触所述有源层和所述第一金属层。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有源层和所述第一金属层从所述接触孔延伸并且连接至包括所述薄膜晶体管的金属化第一有源层的沟道。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，钝化膜设置在从所述接触孔延伸至所述薄膜晶体管的所述有源层和所述第一金属层的部分上。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述遮光层、所述缓冲层和所述有源层的堆叠体形成第一电容器。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述缓冲层具有大约4000埃的厚度。
9.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述栅极金属层、所述栅极绝缘层和所述第一金属层的堆叠体形成第二电容器。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述栅极绝缘层具有大约1500埃的厚度。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：
所述基板；
设置在所述基板上的所述遮光层；
设置在所述遮光层上的所述缓冲层；
设置在所述缓冲层上的第一有源层；
设置在所述第一有源层上的第二有源层，使得所述第一有源层的部分被暴露；
设置在所述第一有源层和所述第二有源层上的所述栅极绝缘层；
栅电极，所述栅电极设置在所述栅极绝缘层上以暴露所述栅极绝缘层的部分；
层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述栅极绝缘层上以覆盖所述栅电极；
源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别经由穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的源极接触孔和漏极接触孔连接至所述第一有源层的源极区和漏极区；以及
钝化层，所述钝化层设置在所述层间绝缘层上以覆盖所述源电极和所述漏电极，
其中，所述第一有源层从所述薄膜晶体管延伸，并且连接至所述有源层，并且与设置在所述有源层上的所述第一金属层接触。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述第一有源层为金属化半导体层，并且所述有源层为非导体。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述第一有源层具有比所述第二有源层低的迁移率并且比所述第二有源层厚。
14.一种用于制造有机发光显示装置的方法，其中，所述有机发光显示装置包括从用于向薄膜晶体管提供电力的电力线分支的分支线，其中，所述分支线将所述电力线和所述薄膜晶体管彼此连接，其中，所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、沟道和栅电极，
其中，所述方法包括：
(a)在基板上形成遮光层，使得所述基板的部分被暴露；
(b)在所述基板的暴露部分和所述遮光层的顶面上形成缓冲层；
(c)在所述缓冲层上形成有源层和第一金属层；
(d)在所述有源层和所述第一金属层上形成栅极绝缘层；
(e)在与所述遮光层交叠的区域中形成穿过所述第一金属层和所述栅极绝缘层的接触孔；以及
(f)在所述有源层、所述第一金属层和所述栅极绝缘层上形成栅极金属层，
其中，所述第一金属层在所述接触孔中与所述栅极金属层接触，以及
其中，所述有源层和所述第一金属层从所述接触孔延伸至所述薄膜晶体管的沟道。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述步骤(c)中，使用双沉积工艺形成所述有源层和所述第一金属层。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述步骤(c)中，在所述缓冲层上形成所述有源层，并且在所述有源层上形成所述第一金属层。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述步骤(c)中，通过使用半色调曝光掩模或衍射曝光掩模的单掩模工艺形成所述有源层和所述第一金属层。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述步骤(f)中，所述栅极金属层的侧壁和底部在与所述遮光层交叠的所述接触孔中接触所述第一金属层。
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