CN114122055A - 显示基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了显示基板、显示装置。显示基板包括衬底基板，包括显示区；多个子像素，位于显示区中，子像素包括像素电路结构，多个子像素包括沿第一方向相邻的第一子像素和第二子像素；遮光层，位于像素电路结构和衬底基板之间，遮光层中具有透光孔；沿第一方向延伸的第一初始化信号线、发光控制信号线；第一电源线，沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉；第一数据线，沿第二方向延伸，第一数据线与第一子像素的像素电路结构相连；第二数据线，沿第二方向延伸，第二数据线与第二子像素的像素电路结构相连，第一数据线和第二数据线分别位于第一电源线的两侧；透光孔位于第一电源线、第二数据线、发光控制信号线和第一初始化信号线围成的区域内。

Description

显示基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及显示基板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，目前具有屏下指纹识别功能的显示装置(如智能手机)越来越受到用户的青睐。屏下指纹识别是指将指纹识别模块集成在显示面板内部，手指接触屏幕玻璃盖板与指纹识别模块相对应的区域即可实现指纹识别。然而，目前具有屏下指纹识别功能的显示装置仍存在指纹识别灵敏度较低的问题。
因此，目前具有屏下指纹识别功能的显示装置仍有待改进。
发明内容
鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种显示基板。所述显示基板包括：衬底基板，包括显示区；多个子像素，位于所述显示区中，所述子像素包括像素电路结构，所述多个子像素包括沿第一方向相邻的第一子像素和第二子像素；遮光层，位于所述像素电路结构和所述衬底基板之间，所述遮光层中具有透光孔；第一初始化信号线，沿所述第一方向延伸；发光控制信号线，沿所述第一方向延伸；第一电源线，沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉；第一数据线，沿所述第二方向延伸，所述第一数据线与所述第一子像素的像素电路结构相连；第二数据线，沿所述第二方向延伸，所述第二数据线与所述第二子像素的像素电路结构相连，所述第一数据线和所述第二数据线分别位于所述第一电源线的两侧；其中，所述透光孔位于所述第一电源线、所述第二数据线、所述发光控制信号线和所述第一初始化信号线围成的区域内。由此，应用该显示基板的显示装置具有较高的指纹识别灵敏度，且具有较高的分辨率。
进一步地，所述显示基板包括沿所述第一方向延伸的栅线、复位控制信号线和第二初始化信号线，在所述第二方向上，所述栅线、所述复位控制信号线和所述第二初始化信号线在所述发光控制信号线远离所述第一初始化信号线的一侧依次排布，所述第一子像素的像素电路结构和所述第二子像素的像素电路结构分别与所述第二初始化信号线相连。
进一步地，在所述第一方向上，所述透光孔的宽度小于所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/3，所述第一子像素的像素电路结构包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的第一极位于所述发光控制信号线的第一侧，所述第一发光控制晶体管的第二极位于所述发光控制信号线的第二侧，所述第二发光控制晶体管的第二极位于所述发光控制信号线的第一侧，所述第二发光控制晶体管的第一极位于所述发光控制信号线的第二侧，所述第一侧和所述第二侧为所述发光控制信号线相对的两侧，所述透光孔位于所述第一发光控制晶体管的第一极和所述第二发光控制晶体管的第二极之间。
进一步地，在所述第一方向上，所述透光孔的宽度为所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/3～1/2，所述发光控制信号线包括第一子部、第二子部和第三子部，所述第一子部位于所述第二子部和所述第三子部之间，所述第一子部沿所述第一方向延伸，所述第二子部和所述第三子部沿所述第二方向延伸，在所述第一方向上，至少部分所述第二子部位于所述第一电源线和所述第二数据线之间，所述第一子像素的像素电路结构包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的第一极位于所述第一子部的第一侧，所述第一发光控制晶体管的第二极位于所述第一子部的第二侧，所述第二发光控制晶体管的第二极位于所述第一子部的第一侧，所述第二发光控制晶体管的第一极位于所述第一子部的第二侧，所述第一侧和所述第二侧为所述第一子部相对的两侧，所述透光孔位于所述第一电源线、所述第二子部、所述第二发光控制晶体管的第二极、所述第一发光控制晶体管的第一极和所述第一初始化信号线围成的区域内。
进一步地，在所述第一方向上，至少部分所述第三子部，位于所述第一数据线远离所述第一电源线的一侧，所述第二子部位于所述第二发光控制晶体管的第二极远离所述第一电源线的一侧。
进一步地，在所述第一方向上，所述透光孔的宽度大于所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/2，所述发光控制信号线包括第一子部、第二子部和第三子部，所述第一子部位于所述第二子部和所述第三子部之间，所述第一子部沿所述第一方向延伸，所述第二子部和所述第三子部沿所述第二方向延伸，在所述第一方向上，至少部分所述第二子部位于所述第一电源线和所述第二数据线之间，所述第一子像素的像素电路结构中的有源层位于所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第一数据线、所述第二数据线围成的区域内，所述第一子像素中的有源层为第一有源层，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影，与所述栅线和所述发光控制信号线在所述衬底基板上的正投影无重叠区域，所述透光孔位于所述第一电源线、所述第一子部、所述第二子部和所述第一初始化信号线围成的区域内。
进一步地，在所述第一方向上，至少部分所述第三子部，位于所述第一数据线和所述第一电源线之间。
进一步地，所述复位控制信号线包括沿所述第一方向延伸的第四子部以及位于所述第四子部两端的弯折部，至少部分所述第四子部位于所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述栅线包括第五子部、第六子部和第七子部，所述第五子部位于所述第六子部和所述第七子部之间，所述第五子部沿所述第一方向延伸，所述第六子部和所述第七子部沿所述第二方向延伸，在所述第一方向上，至少部分所述第六子部位于所述第一数据线和所述第二数据线之间，所述多个子像素包括沿所述第一方向与所述第二子像素相邻的第三子像素，第三数据线沿所述第二方向延伸，且与所述第三子像素的像素电路结构相连，所述复位控制信号线、所述栅线和所述发光控制信号线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分均沿所述第一方向延伸，所述第四子部与所述第五子部之间的距离为D1，所述复位控制信号线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分，与所述栅线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分之间的间距为D2，所述D1小于所述D2，所述第五子部与所述第一子部之间的间距为D3，所述栅线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分，与所述发光控制信号线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分之间的间距为D4，所述D3小于所述D4。
进一步地，所述第一子像素的像素电路结构中的有源层位于所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第一数据线、所述第二数据线围成的区域内，所述第二子像素的像素电路结构中的有源层位于所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第二数据线、所述第三数据线围成的区域内，所述第一子像素中的有源层为第一有源层，所述第二子像素中的有源层为第二有源层，所述第一有源层的宽度为D7，所述第二有源层的宽度为D8，所述D7小于所述D8，所述第一有源层的长度为L1，所述第二有源层的长度为L2，所述L1小于所述L2。
进一步地，在所述第一方向上，当所述透光孔的宽度为所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/3～1/2时，所述第一子像素包括发光元件，所述发光元件位于所述像素电路结构远离所述衬底基板的一侧，在所述第二方向上，所述发光元件的阳极位于所述第一子部远离所述第二发光控制晶体管的第二极的一侧。
进一步地，所述第一子像素的像素电路结构中的薄膜晶体管的有源层宽度和栅极长度的比值，与所述第二子像素的像素电路结构中的薄膜晶体管的有源层宽度和栅极长度的比值一致。
进一步地，在所述第一方向上，当所述透光孔的宽度大于所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/2时，所述第一子像素包括发光元件，所述发光元件位于所述像素电路结构远离所述衬底基板的一侧，所述发光元件中的阳极与发光层不接触。
进一步地，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影，与所述复位控制信号线在所述衬底基板上的正投影无重叠区域。
进一步地，所述显示基板包括至少一个指纹识别区域，所述指纹识别区域内具有所述透光孔。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示装置。所述显示装置包括前面所述的显示基板。由此，该显示装置具有前面所述的显示基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有较高的指纹识别灵敏度，且具有较高的分辨率。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1A显示了根据本发明一个实施例的第一有源层的俯视示意图；
图1B显示了根据本发明一个实施例的形成在第一有源层远离衬底基板一侧的复位控制信号线、栅线、发光控制信号线、存储电容部的下电极板的俯视示意图；
图1C显示了根据本发明一个实施例的形成在复位控制信号线、栅线、发光控制信号线、存储电容部的下电极板远离衬底基板一侧的第一初始化信号线、第二初始化信号线、存储电容部的上电极板的俯视示意图；
图1D显示了根据本发明一个实施例的在第一初始化信号线、第二初始化信号线、第一有源层、存储电容部的上电极板、存储电容的下电极板上设置过孔的示意图；
图1E显示了根据本发明一个实施例的形成在第一初始化信号线、第二初始化信号线、存储电容部的上电极板远离衬底基板一侧的第一数据线、第二数据线、第一电源线的俯视示意图；
图1F显示了根据本发明一个实施例的第一子像素和第二子像素的结构示意图；
图1G显示了根据本发明一个实施例的第一有源层和第二有源层的俯视示意图；
图2显示了根据本发明一个实施例的遮光层的俯视示意图；
图3显示了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
图4显示了根据本发明一个实施例的子像素中各结构之间连接关系的示意图；
图5A显示了根据本发明另一个实施例的第一有源层的俯视示意图；
图5B显示了根据本发明另一个实施例的形成在第一有源层远离衬底基板一侧的复位控制信号线、栅线、发光控制信号线、存储电容部的下电极板的俯视示意图；
图5C显示了根据本发明另一个实施例的形成在复位控制信号线、栅线、发光控制信号线、存储电容部的下电极板远离衬底基板一侧的第一初始化信号线、第二初始化信号线、存储电容部的上电极板的俯视示意图；
图5D显示了根据本发明另一个实施例的在第一初始化信号线、第二初始化信号线、第一有源层、存储电容部的上电极板、存储电容的下电极板上设置过孔的示意图；
图5E显示了根据本发明另一个实施例的形成在第一初始化信号线、第二初始化信号线、存储电容部的上电极板远离衬底基板一侧的第一数据线、第二数据线、第一电源线的俯视示意图；
图5F显示了根据本发明另一个实施例的第一子像素和第二子像素的结构示意图；
图5G显示了根据本发明另一个实施例的第一有源层和第二有源层的俯视示意图；
图6A显示了根据本发明另一个实施例的第一有源层的俯视示意图；
图6B显示了根据本发明另一个实施例的形成在第一有源层远离衬底基板一侧的复位控制信号线、栅线、发光控制信号线的俯视示意图；
图6C显示了根据本发明另一个实施例的形成在复位控制信号线、栅线、发光控制信号线远离衬底基板一侧的第一初始化信号线、第二初始化信号线的俯视示意图；
图6D显示了根据本发明另一个实施例的形成在第一初始化信号线、第二初始化信号线远离衬底基板一侧的第一数据线、第二数据线、第一电源线的俯视示意图；
图6E显示了根据本发明另一个实施例的第一子像素和第二子像素的结构示意图；
图6F显示了根据本发明另一个实施例的第一有源层和第二有源层的俯视示意图；
图7显示了7T1C像素补偿电路的工作原理图；
图8显示了根据本发明一个实施例的像素排布的示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种显示基板。根据本发明的实施例，参考图3，该显示基板包括：衬底基板100、遮光层200和多个子像素300(图3中仅示出了一个子像素)，衬底基板100包括显示区，多个子像素300位于显示区中，子像素300包括像素电路结构320，遮光层200位于像素电路结构320和衬底基板100之间，遮光层200中具有透光孔210(参考图2，图3中未示出透光孔)。
参考图1F，多个子像素包括沿第一方向相邻的第一子像素300A和第二子像素300B，该显示基板还包括：沿第一方向延伸的第一初始化信号线160A、发光控制信号线130，沿第二方向延伸的第一电源线150、第一数据线140A、第二数据线140B，第一方向和第二方向交叉，第一数据线140A与第一子像素300A的像素电路结构相连，第二数据线140B与第二子像素300B的像素电路结构相连，第一数据线140A和第二数据线140B分别位于第一电源线150的两侧，遮光层中的透光孔210位于第一电源线150、第二数据线140B、发光控制信号线130和第一初始化信号线160A围成的区域内。由此，应用该显示基板的显示装置具有较高的指纹识别灵敏度，且具有较高的分辨率。
根据本发明的实施例，该显示基板还包括指纹识别传感器(图中未示出)，指纹识别传感器设置在衬底基板远离遮光层的一侧，且透光孔在衬底基板上的正投影，与指纹识别传感器在衬底基板上的正投影具有至少部分重叠。指纹识别传感器用于采集从透光孔透过的光信号，并将光信号转换成电信号，提取指纹信息，经数据处理后实现指纹识别。本发明通过在显示基板中设置遮光层，并在遮光层中设置透光孔，基于小孔成像原理，在指纹识别过程中，经手指反射的部分光线可经透光孔射入指纹识别传感器中，实现指纹识别，而遮光层可对透光孔以外区域的光线进行遮挡，防止其他区域的光线对指纹识别过程造成干扰，由此，可提高应用该显示基板的显示装置的指纹识别灵敏度。关于遮光层的具体材料不受特别限制，例如，遮光层可以由金属材料形成。
根据本发明的实施例，参考图3，子像素300包括发光元件310和像素电路结构320，发光元件310位于像素电路结构320远离衬底基板100的一侧，发光元件310为有机发光二极管，有机发光二极管包括阳极、发光层和阴极。参考图4，像素电路结构320可以包括存储电容部80和多个薄膜晶体管(如第一薄膜晶体管10、第二薄膜晶体管20、第三薄膜晶体管30、第四薄膜晶体管40、第五薄膜晶体管50、第六薄膜晶体管60、第七薄膜晶体管70)，薄膜晶体管中的电极及各薄膜晶体管之间电连接的金属走线，以及存储电容部80的两个电极板均为不透光部。本发明中，透光孔210在衬底基板100上的正投影，与像素电路结构320中的不透光部在衬底基板100上的正投影无重叠区域。由此，像素电路结构中的不透光部不会遮挡需要射入透光孔中的光线，以实现指纹识别。并且，本发明中，透光孔210在衬底基板100上的正投影，与发光元件310的电极在衬底基板100上的正投影也无重叠区域。本领域技术人员所熟知的是，有机发光二极管的阳极可以由透明导电材料或者金属材料形成，阴极可以由透明导电材料或者半透明导电材料形成。当发光元件的电极由金属材料或者半透明导电材料形成时，由于本发明的透光孔与发光元件的电极在衬底基板上的正投影不重叠，因此，发光元件的电极不会遮挡需要射入透光孔中的光线，以实现指纹识别。当发光元件的电极由透明导电材料形成时，令透光孔与发光元件的电极在衬底基板上的正投影不重叠，可以避免杂散光影响指纹识别。关于像素电路结构中的不透光部以及发光元件中的电极与透光孔的具体位置关系，详见后续描述。
发明人发现，目前显示装置的分辨率不断提高，使得子像素的尺寸越来越小，而子像素中的像素电路结构包括存储电容部和多个薄膜晶体管，像素电路结构占用子像素的面积较大，使得透光孔的设计较为困难。本发明不仅在显示基板中设置了遮光层，还对遮光层中透光孔的位置进行了优化，以使高分辨率的显示装置实现屏下指纹识别。
根据本发明的实施例，参考图1C，该显示基板还包括沿第一方向延伸的栅线120、复位控制信号线110和第二初始化信号线160B，在第二方向上，栅线120、复位控制信号线110和第二初始化信号线160B在发光控制信号线130远离第一初始化信号线160A的一侧依次排布，且第一子像素300A的像素电路结构和第二子像素300B的像素电路结构分别与第二初始化信号线160B相连(参考图1F)。由此，便于在子像素中预留出与透光孔相对应的区域，且上述用于施加信号的走线不会遮挡需要射入透光孔中的光线，以实现指纹识别。第二方向和第一方向交叉，具体的，第二方向与第一方向垂直，但不限于此。
需要说明的是，图1A为第一有源层321A的俯视示意图，图1B为形成在第一有源层321A远离衬底基板一侧的复位控制信号线110、栅线120、发光控制信号线130、存储电容部的下电极板81的俯视示意图，图1C为形成在复位控制信号线110、栅线120、发光控制信号线130、存储电容部的下电极板81远离衬底基板一侧的第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、存储电容部的上电极板82的俯视示意图，图1D为在第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、第一有源层321A、存储电容部的上电极板82、存储电容的下电极板81上设置过孔的示意图，图1E为形成在第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、存储电容部的上电极板82远离衬底基板一侧的第一数据线140A、第二数据线140B、第一电源线150的俯视示意图。图1A-图1E示出了各结构之间的层叠顺序以及位置关系，且为了便于示出上述各结构的位置关系，图1A-图1E未示出各结构之间的绝缘层，上述各结构与绝缘层的层叠关系可参考图3。
根据本发明的实施例，参考图3，该显示基板还包括保护层400和缓冲层500，保护层400覆盖遮光层200，缓冲层500位于保护层400和像素电路结构320之间，像素电路结构320包括依次层叠设置在缓冲层500远离保护层400一侧的有源层321、第一绝缘层322、第一栅极金属层323、第二绝缘层324、第二栅极金属层325、层间介电层326、源漏金属层327和平坦化层328，其中，源漏金属层327的一部分通过贯穿层间介电层326、第二绝缘层324和第一绝缘层322的过孔，与有源层321相连，形成薄膜晶体管的源极327A和漏极327B，发光元件310包括依次层叠设置在平坦化层328远离层间介电层326一侧的阳极311、像素界定层312、发光层313和阴极314，阳极311通过贯穿平坦化层328的过孔，与薄膜晶体管的源极或漏极相连，发光层313通过贯穿像素界定层312的过孔，与阳极311相连。第一栅极金属层323用于形成薄膜晶体管的栅极以及复位控制信号线、栅线、发光控制信号线、存储电容部的下电极板。第二栅极金属层325用于形成第一初始化信号线、第二初始化信号线以及存储电容部的上电极板。源漏金属层327用于形成薄膜晶体管的源极、漏极、第一数据线、第二数据线和第一电源线。关于上述各膜层的具体构成材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据常用材料进行设计。其中，构成保护层400的材料可以包括氧化硅。根据本发明的实施例，参考图4，该显示基板还包括第二电源线(VSS)170，发光元件310的阴极314与第二电源线170相连。
本发明中，位于遮光层远离衬底基板一侧的各膜层具有较高的透光率(如保护层400、缓冲层500、第一绝缘层322、第二绝缘层324、层间介电层326、平坦化层328等膜层)，因此，仅需在遮光层中设置透光孔即可，在实现指纹识别的基础上，保证显示基板的稳定性。
根据本发明的实施例，参考图2，遮光层200中具有多个透光孔210，多个透光孔210呈周期排布(也即是说，在遮光层200中，任意两个透光孔210之间的距离是一致的)，每个透光孔210在衬底基板100上的正投影，位于一个子像素300在衬底基板100上的正投影(如图2中所示出的220)范围内。
需要说明的是，遮光层中多个透光孔的开口尺寸是一致的。关于透光孔的开口形状不受特别限制，例如，根据本发明的实施例，透光孔的开口形状可以为正方形，由此，可提高成像质量，获得更加清晰的指纹信息。
关于透光孔排布的具体周期不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，可根据产品的分辨率、子像素的尺寸、遮光层远离衬底基板一侧各膜层的厚度及介电常数等进行设计。具体的，可以在8×8的像素单元阵列中设置一个透光孔，或者，可以在12×12的像素单元阵列中设置一个透光孔。在上述周期内，与第一子像素相邻的第二子像素内无透光孔。需要说明的是，每个像素单元可以包括多个子像素，而透光孔按照前面描述的位置进行设置。
根据本发明的实施例，参考图3，该显示基板还包括与遮光层200相连的连接电极327C，连接电极327C由源漏金属层327的一部分形成，连接电极327C通过贯穿层间介电层326、第二绝缘层324、第一绝缘层322、缓冲层500和保护层400的过孔，与遮光层200相连，连接电极327C可与第二电源线170(图3中未示出)相连。由此，可防止遮光层中形成静电。
下面以包括7个薄膜晶体管和1个存储电容部的像素电路结构(即7T1C像素电路结构)为例，对各薄膜晶体管和存储电容部之间的连接关系进行说明：
参考图4，第一薄膜晶体管10和第七薄膜晶体管70为复位控制晶体管，第二薄膜晶体管20为阈值补偿晶体管，第三薄膜晶体管30为驱动晶体管，第四薄膜晶体管40为数据写入晶体管，第五薄膜晶体管50和第六薄膜晶体管60为发光控制晶体管。
参考图1B，第一薄膜晶体管的栅极13与复位控制信号线110相连，参考图1B和图1E第一薄膜晶体管的源极11通过第一走线1与第二初始化信号线160B相连，参考图1D和图1E，第一走线1通过过孔14与第一薄膜晶体管的源极11相连，第一走线1通过过孔15与第二初始化信号线160B相连，参考图1B和图1E，第一薄膜晶体管的漏极12通过第二走线2与第三薄膜晶体管的栅极33相连，参考图1D和图1E，第二走线2通过过孔24与第一薄膜晶体管的漏极12相连，第二走线2通过过孔25与第三薄膜晶体管的栅极33相连。参考图1B，第七薄膜晶体管的栅极73与复位控制信号线110相连，参考图1B和图1E，第七薄膜晶体管的源极71通过第一走线1与第二初始化信号线160B相连，第七薄膜晶体管的漏极72与发光元件310的阳极311相连(图1中未示出)。
参考图1B，第二薄膜晶体管的栅极23与栅线120相连，参考图1B和图1E，第二薄膜晶体管的源极21通过第二走线2与第三薄膜晶体管的栅极33相连，第二薄膜晶体管的漏极22与第三薄膜晶体管的漏极32相连。
参考图1B，第四薄膜晶体管的栅极43与栅线120相连，参考图1E，第四薄膜晶体管的源极41通过过孔44与第一数据线140A相连，第四薄膜晶体管的漏极42与第三薄膜晶体管的源极31相连(参考图1B)。
参考图1B，第五薄膜晶体管的栅极53与发光控制信号线130相连，参考图1E，第五薄膜晶体管的源极51通过过孔54与第一电源线150相连，第五薄膜晶体管的漏极52与第三薄膜晶体管的源极31相连(参考图1B)(即第三薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的漏极和第五薄膜晶体管的漏极连接于节点N2(参考图4))。参考图1B，第六薄膜晶体管的栅极63与发光控制信号线130相连，第六薄膜晶体管的源极61与第三薄膜晶体管的漏极32相连(即第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的漏极和第六薄膜晶体管的源极连接于节点N3(参考图4))，参考图1E，第六薄膜晶体管的漏极62通过过孔64与发光元件310的阳极311相连。
参考图1B和图1E，存储电容部80的下电极板81(参考图1B)通过第二走线2与第二薄膜晶体管的源极21相连(在图1E中，下电极板81与第二走线2相连的位置即为第三薄膜晶体管的栅极33与第二走线2相连的位置)(即第二薄膜晶体管的源极、第三薄膜晶体管的栅极和存储电容部的下电极板连接于节点N1(参考图4))，参考图1C和图1E，存储电容部80的上电极板82与第一电源线150相连，上电极板82可通过两个过孔(如图1D和图1E中所示出的过孔84和85)与第一电源线150相连，以提高上电极板和第一电源线之间的电连接性能。
参考图4，复位控制信号线用于向第一薄膜晶体管10和第七薄膜晶体管70施加Reset信号，栅线用于向第四薄膜晶体管40和第二薄膜晶体管20施加Gate信号，发光控制信号线用于向第五薄膜晶体管50和第六薄膜晶体管60施加EM信号，第一数据线用于向第四薄膜晶体管40施加Vdata信号，第一电源线用于向第五薄膜晶体管50施加VDD信号，第二初始化信号线用于向第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管70施加Vint信号。
根据本发明的实施例，参考图1C、图1D和图1E，该显示基板还包括连接部90，连接部90通过过孔91与第一电源线150相连。由此，连接部可防止第一数据线对第一电源线造成信号干扰。
为了便于理解，下面首先对7T1C像素补偿电路的工作原理进行简单说明：
7T1C像素补偿电路的工作时序分为复位阶段、采样阶段、发光阶段，完成对像素阈值电压(Vth)的补偿。参考图7：
t1阶段(即复位阶段)，Reset信号为低电平。第一薄膜晶体管打开，Vint信号对N1点进行初始化，此时N1点电位为Vint，第三薄膜晶体管打开。第七薄膜晶体管打开，Vint降低发光元件阳极和阴极之间的电压差，在低灰阶时降低发光元件的亮度，提高像素的对比度。
t2阶段(即采样阶段)，Gate信号为低电平。第四薄膜晶体管打开，此时N2点电位为Vdata，数据信号电压写入N2点。第二薄膜晶体管打开，对第三薄膜晶体管连接进行采样，N1点电位升高至Vdata+Vth，第三薄膜晶体管逐渐由打开状态变为关闭状态，对第三薄膜晶体管的阈值电压进行补偿。
t3阶段(即发光阶段)，EM信号为低电平。第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管打开，此时N2点电位为VDD，第三薄膜晶体管输出驱动电流，发光元件发光。
在采样阶段对薄膜晶体管的阈值电压进行补偿，消除不同像素的驱动薄膜晶体管(即第三薄膜晶体管)阈值电压差异对显示亮度均一性的影响。
本发明中，透光孔210在第一方向上的宽度可以小于第一数据线和第二数据线之间距离的1/3，或者，透光孔210在第一方向上的宽度可以为第一数据线和第二数据线之间距离的1/3-1/2，或者，透光孔210在第一方向上的宽度可以大于第一数据线和第二数据线之间距离的1/2。具体如下：
根据本发明的一些实施例，参考图1E，在第一方向上，透光孔210的宽度可以小于第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/3，此时，第一子像素300A的像素电路结构包括第一发光控制晶体管(即第五薄膜晶体管50)和第二发光控制晶体管(即第六薄膜晶体管60)，第一发光控制晶体管的第一极(如源极51)位于发光控制信号线130的第一侧，第一发光控制晶体管的第二极(如漏极52)位于发光控制信号线130的第二侧，第二发光控制晶体管的第二极(如漏极62)位于发光控制信号线130的第一侧，第二发光控制晶体管的第一极(如源极61)位于发光控制信号线130的第二侧，第一侧和第二侧为发光控制信号线130相对的两侧，透光孔210位于第一发光控制晶体管的第一极51和第二发光控制晶体管的第二极62之间。由此，发光控制晶体管的源漏极不会遮挡透光孔。本领域技术人员能够理解的是，驱动晶体管、复位控制晶体管、阈值补偿晶体管、数据写入晶体管和存储电容部均位于发光控制信号线远离第一初始化信号线的一侧，从而上述晶体管的源漏极以及存储电容部也不会遮挡透光孔。
参考图1F，第一子像素300A内具有透光孔210，第二子像素300B内不具有透光孔，当透光孔210的宽度小于第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/3时，由于透光孔的尺寸较小，因此，复位控制信号线、栅线、发光控制信号线、第一数据线、第一电源线以及像素电路结构中的各个元件在第一子像素内的位置，可以与其在第二子像素内的位置一致(参考图1F)，且第一有源层321A的大小与第二有源层321B的大小一致，第一有源层321A在第一子像素内的位置，与第二有源层321B在第二子像素内的位置一致(参考图1G)。
需要说明的是，“第一有源层”为第二初始化信号线、第一初始化信号线、第一数据线和第二数据线围成区域内的有源层，“第二有源层”为第二初始化信号线、第一初始化信号线、第二数据线和第三数据线140C(参考图1F)围成区域内的有源层。其中，第三数据线为沿第二方向延伸且与第三子像素的像素电路结构相连的数据线，第三子像素为在第一方向上与第二子像素相邻的子像素(参考图1F，图中仅示出了第三子像素中的第三数据线)。
根据本发明的另一些实施例，参考图5A-图5E，其中，图5A为第一有源层321A的俯视示意图，图5B为形成在第一有源层321A远离衬底基板一侧的复位控制信号线110、栅线120、发光控制信号线130、存储电容部的下电极板81的俯视示意图，图5C为形成在复位控制信号线110、栅线120、发光控制信号线130、存储电容部的下电极板81远离衬底基板一侧的第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、存储电容部的上电极板82的俯视示意图，图5D为在第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、第一有源层321A、存储电容部的上电极板82、存储电容的下电极板81上设置过孔的示意图，图5E为形成在第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、存储电容部的上电极板82远离衬底基板一侧的第一数据线140A、第二数据线140B、第一电源线150的俯视示意图。图5A-图5E示出了各结构之间的层叠顺序以及位置关系，且为了便于示出上述各结构的位置关系，图5A-图5E未示出各结构之间的绝缘层，上述各结构与绝缘层的层叠关系可参考图3。
参考图5E，在第一方向上，透光孔210的宽度可以为第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/3～1/2，此时，参考图5C和图5E，发光控制信号线130包括第一子部131、第二子部132和第三子部133，第一子部131位于第二子部132和第三子部133之间，第一子部131沿第一方向延伸，第二子部132和第三子部133沿第二方向延伸，在第一方向上，至少部分第二子部132位于第一电源线150和第二数据线140B之间，第一子像素300A的像素电路结构包括第一发光控制晶体管(即第五薄膜晶体管50)和第二发光控制晶体管(即第六薄膜晶体管60)，第一发光控制晶体管的第一极(如源极51)位于第一子部131的第一侧，第一发光控制晶体管的第二极(如漏极52)位于第一子部131的第二侧，第二发光控制晶体管的第二极(如漏极62)位于第一子部131的第一侧，第二发光控制晶体管的第一极(如源极61)位于第一子部131的第二侧，第一侧和第二侧为第一子部131相对的两侧，透光孔210位于第一电源线150、第二子部132、第二发光控制晶体管的第二极62、第一发光控制晶体管的第一极51和第一初始化信号线160A围成的区域内。
进一步地，参考图5E，在第一方向上，至少部分第三子部133，位于第一数据线140A远离第一电源线150的一侧，第二子部132位于第二发光控制晶体管的第二极62远离第一电源线150的一侧。由此，发光控制晶体管的源漏极不会遮挡透光孔，从而驱动晶体管、复位控制晶体管、阈值补偿晶体管、数据写入晶体管的源漏极以及存储电容部也不会遮挡透光孔。
需要说明的是，由于发光控制信号线与第一数据线、第一电源线未设置在同一层，因此，“在第一方向上，至少部分第三子部位于第一数据线远离第一电源线的一侧”是指至少部分第三子部在衬底基板上的正投影，位于第一数据线在衬底基板上的正投影远离第一电源线在衬底基板上的正投影的一侧。类似的，“在第一方向上，至少部分第二子部位于第一电源线和第二数据线之间”是指至少部分第二子部在衬底基板上的正投影，位于第一电源线在衬底基板上的正投影和第二数据线在衬底基板上的正投影之间。
本实施例中，可将透光孔的尺寸做大，进一步提高指纹识别的灵敏度，且可应用在子像素尺寸较小的显示装置中。传统的指纹识别显示装置，通常是牺牲分辨率，在尺寸较大的子像素中设置开口尺寸较大的透光孔，也即是说，传统的指纹识别显示装置通常是在分辨率较低的显示装置中设置开口尺寸较大的透光孔。而本发明可在尺寸较小的子像素中设置开口尺寸较大的透光孔，由此，可以适用于分辨率较高的显示装置中，使得显示装置能够兼顾高分辨率和高指纹识别灵敏度。
更为具体的，参考图5F，第一子像素300A内具有透光孔210，第二子像素300B内不具有透光孔，参考图5C，复位控制信号线110包括沿第一方向延伸的第四子部111以及位于第四子部111两端的弯折部112，参考图5F，至少部分第四子部111位于第一数据线140A和第二数据线140B之间，参考图5C和图5F，栅线120包括第五子部121、第六子部122和第七子部123，第五子部121位于第六子部122和第七子部123之间，第五子部121沿第一方向延伸，第六子部122和第七子部123沿第二方向延伸，在第一方向上，至少部分第六子部122位于第一数据线140A和第二数据线140B之间，多个子像素包括沿第一方向与第二子像素300B相邻的第三子像素(图中未示出)，第三数据线140C沿第二方向延伸，且与第三子像素的像素电路结构相连，复位控制信号线110、栅线120和发光控制信号线130位于第二数据线140B和第三数据线140C之间的部分均沿第一方向延伸(参考图5F)，第四子部111与第五子部121之间的距离为D1，复位控制信号线110位于第二数据线140B和第三数据线140C之间的部分，与栅线120位于第二数据线140B和第三数据线140C之间的部分之间的间距为D2，D1小于D2，第五子部121与第一子部131之间的间距为D3，栅线120位于第二数据线140B和第三数据线140C之间的部分，与发光控制信号线130位于第二数据线140B和第三数据线140C之间的部分之间的间距为D4，D3小于D4。由此，通过缩窄第一子像素内各信号线之间的间距，以预留出较大的区域与透光孔相对应。
由于信号线之间的间距变小，因此，在本实施例中，第一子像素中存储电容部的面积也需小于第二子像素中存储电容部的面积。
进一步地，参考图5F和图5G，第一子像素300A的像素电路结构中的有源层位于第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、第一数据线140A、第二数据线140B围成的区域内，第二子像素300B的像素电路结构中的有源层位于第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、第二数据线140B、第三数据线140C围成的区域内，第一子像素中的有源层为第一有源层321A，第二子像素中的有源层为第二有源层321B，第一有源层321A的宽度为D7，第二有源层321B的宽度为D8，D7小于D8，第一有源层321A的长度为L1，第二有源层321B的长度为L2，L1小于L2(参考图5G)。由此，通过缩小第一有源层的尺寸，以保证薄膜晶体管的源漏极与各信号线之间的连接。
需要说明的是，在本实施例中，第一子像素300A是正常发光的，因此，上述信号线之间间距的变窄，第一有源层尺寸变小，均需以第一子像素300A正常发光为前提。
根据本发明的实施例，由于第一有源层的尺寸变小，使得第一数据线140A与第四薄膜晶体管源极相连的过孔44的位置发生移动，以及使第一电源线150与第五薄膜晶体管源极相连的过孔54的位置发生移动(参考图5F)。因此，第一数据线140A和第一电源线150与第一子像素300A的像素电路结构相连的部分可具有弯折的结构(参考图5F)，如第一数据线140A和第一电源线150与第一子像素300A的像素电路结构相连的部分均向靠近透光孔210的一侧弯折，以使第一数据线140A能够向第四薄膜晶体管40施加信号，以及使第一电源线150能够向第五薄膜晶体管50施加信号。
根据本发明的实施例，当透光孔210的宽度为第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/3～1/2时，第一子像素300A中的薄膜晶体管的有源层宽度和栅极长度的比值，与第二子像素300B中的薄膜晶体管的有源层宽度和栅极长度的比值一致。由此，可以保证第一子像素的显示亮度与第二子像素的显示亮度一致，保证整个显示画面亮度的均一性。需要说明的是，栅极的长度为栅极在其延伸方向上的尺寸，有源层的宽度为有源层在垂直于栅极延伸方向上的尺寸。
根据本发明的实施例，当透光孔210的宽度为第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/3～1/2时，在第二方向上，第一子像素中的发光元件的阳极311位于第一子部131远离第二发光控制晶体管的第二极62的一侧(参考图5E)。即第一子像素300A中的发光元件相较于第二子像素300B中的发光元件向远离透光孔210的一侧发生了移动，以防止发光元件的电极遮挡透光孔，此时，第一子像素300A中第六薄膜晶体管的漏极62通过第三走线3与发光元件的阳极311相连(参考图5E)。
关于前面描述的第一子像素的发光颜色不受特别限制，例如，第一子像素可以为发红光的子像素，或者，第一子像素为发绿光的子像素，或者，第一子像素为发蓝光的子像素。也即是说，当透光孔的宽度不超过子像素宽度的1/2时，透光孔可以设置在遮光层中与发红光的子像素相对应的区域中，或者，可以设置在遮光层中与发绿光的子像素相对应的区域中，或者，可以设置在遮光层中与发蓝光的子像素相对应的区域中。
根据本发明的另一些实施例，参考图6A-图6D，其中，图6A为第一有源层321A的俯视示意图，图6B为形成在第一有源层321A远离衬底基板一侧的复位控制信号线110、栅线120、发光控制信号线130的俯视示意图，图6C为形成在复位控制信号线110、栅线120、发光控制信号线130远离衬底基板一侧的第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B的俯视示意图，图6D为形成在第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B远离衬底基板一侧的第一数据线140A、第二数据线140B、第一电源线150的俯视示意图。图6A-图6D示出了各结构之间的层叠顺序以及位置关系，且为了便于示出上述各结构的位置关系，图6A-图6D未示出各结构之间的绝缘层，上述各结构与绝缘层的层叠关系可参考图3。
参考图6D，在第一方向上，透光孔210的宽度可以大于第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/2，此时，参考图6C和图6D，发光控制信号线130包括第一子部131、第二子部132和第三子部133，第一子部131位于第二子部132和第三子部133之间，第一子部131沿第一方向延伸，第二子部132和第三子部133沿第二方向延伸，在第一方向上，至少部分第二子部132位于第一电源线150和第二数据线140B之间，参考图6A和图6E，第一子像素300A的像素电路结构中的有源层位于第一初始化信号线160A、第二初始化信号线160B、第一数据线140A、第二数据线140B围成的区域内，第一子像素300A中的有源层为第一有源层321A，参考图6B，第一有源层321A在衬底基板上的正投影，与栅线120和发光控制信号线130在衬底基板上的正投影无重叠区域(即第一有源层321A的部分区域是断开的，是不连续的，换句话说，第一子像素300A的像素电路结构不具有发光控制晶体管、驱动晶体管)，透光孔210位于第一电源线150、第一子部131、第二子部132和第一初始化信号线160A围成的区域内。
进一步地，参考图6D，在第一方向上，至少部分第三子部133，位于第一数据线140A和第一电源线150之间。由此，可以在第一子像素内预留出更大的区域与透光孔相对应。
由于第一子像素中需要设置像素电路结构，当透光孔的宽度大于第一数据线和第二数据线之间距离的1/2后，第一子像素剩余的面积已无法再设置完整的像素电路结构，因此，本实施例中，第一子像素可作为Dummy子像素，即第一子像素不发光，以减少薄膜晶体管的设置，甚至不设置薄膜晶体管，以保证第一子像素预留出更大的区域与透光孔相对应。本实施例中，透光孔的开口尺寸更大，可进一步提高指纹识别的灵敏度，且可应用在子像素尺寸较小的显示装置中，即本实施例可在尺寸较小的子像素中设置开口尺寸更大的透光孔，由此，可以适用于分辨率较高的显示装置中，使得显示装置能够兼顾高分辨率和高指纹识别灵敏度。
在本实施例中，进一步地，第一子像素中的第一有源层321A在衬底基板100上的正投影，还可以与复位控制信号线110在衬底基板100上的正投影无重叠区域。使第一子像素的像素电路结构中无复位控制晶体管、发光控制晶体管、阈值补偿晶体管、数据写入晶体管、驱动晶体管，可以减少漏电。本实施例中，可省去存储电容部下电极板的制作，简化工艺，并预留出更大的区域与透光孔相对应，且本发明保留部分第一有源层、部分源漏金属层和存储电容部的部分上电极板(参考图6C)，有利于保持显示基板制作过程中刻蚀工艺的均一性，且可以。
根据本发明的实施例，当透光孔210的宽度大于第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/2时，第一子像素的发光元件中的阳极与发光层不接触。由于第一子像素不发光，因此，令发光元件的阳极和发光层不接触，可省去在像素界定层挖孔的工艺。
根据本发明的实施例，当透光孔210的宽度大于第一数据线140A和第二数据线140B之间距离的1/2时，参考图6E，第一子像素300A内具有透光孔210，第二子像素300B内不具有透光孔，此时，同样满足D1小于D2，D3小于D4，D7小于D8，L1小于L2(参考图6E和图6F)，此处不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中，由于第一子像素300A不发光，因此，相邻两个信号线之间的距离可继续缩小(相较于透光孔宽度为第一数据线和第二数据线之间距离的1/3-1/2的方案)，以便第一子像素300A中能够预留出更大的区域与透光孔对应。
在本实施例中，多个子像素包括沿第二方向与第一子像素300A相邻的第四子像素(图中未示出)，第四子像素为正常发光的子像素，第四子像素中发光层的材料与第一子像素中发光层的材料相同。由于第一子像素不发光，因此，令第四子像素发光层的材料与第一子像素发光层的材料相同，可以通过第四子像素进行亮度补偿，可保证显示装置的显示性能不发生显著降低。
例如，以红绿蓝(RGB)三原色方案为例，参考图8(图8仅示出了部分子像素)，在行方向上，每行按红色子像素(R)、两个沿列方向排布的绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)排布，在列方向上，红色子像素位于该行中与上一行绿色子像素和蓝色子像素之间的区域相对应的位置处，绿色子像素位于该行中与上一行蓝色子像素和红色子像素之间的区域相对应的位置处，蓝色子像素位于该行中与上一行红色子像素和绿色子像素之间的区域相对应的位置处(即在列方向上，各子像素之间是错开排布的)。上述像素排布使得红色子像素和蓝色子像素被相邻的两个像素单元共用，例如，B1、R1和G1构成一个像素单元，同时B1、R1和G2构成另一个像素单元。且上述像素排布使得与绿色子像素(如G2)相邻的子像素中有另外一个绿色子像素(如G3)，当透光孔在第一方向上的宽度大于第一数据线和第二数据线之间距离的1/2时，将透光孔设置在一个绿色子像素中，如设置在G2中(即第一子像素300A为绿色子像素G2)，即G2不发光，此时，B1、R1和G1构成的像素单元发光不受影响，但B1、R1和G2构成的像素单元发光会受到影响，此时，可以通过提高G3的亮度，向B1、R1和G2构成的像素单元进行绿光的亮度补偿，可缓解B1、R1和G2构成的像素单元因G2不发光造成的显示性能下降的问题，并且B2、R2和G3构成的像素单元也能正常发光，使得显示装置整体上具有良好的显示性能。且发明人发现，当将透光孔设置在红色子像素或者蓝色子像素中时，显示装置显示时会出现明显的黑点。
根据本发明的实施例，该显示基板可以包括至少一个指纹识别区域，且指纹识别区域内具有前面描述的透光孔，例如，该显示基板可以具有一个指纹识别区域，在指纹识别时，手指需要按压特定的区域(即指纹识别区域)实现指纹识别。或者，该显示基板可以具有多个指纹识别区域，如显示基板的整个显示区内任意一个区域均可为指纹识别区域，在指纹识别时，手指可以按压任意一个区域实现指纹识别。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面描述的显示基板。由此，该显示装置具有前面描述的显示基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有较高的指纹识别灵敏度，且具有较高的分辨率。
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (15)

1.一种显示基板，包括：
衬底基板，包括显示区；
多个子像素，位于所述显示区中，所述子像素包括像素电路结构，所述多个子像素包括沿第一方向相邻的第一子像素和第二子像素；
遮光层，位于所述像素电路结构和所述衬底基板之间，所述遮光层中具有透光孔；
第一初始化信号线，沿所述第一方向延伸；
发光控制信号线，沿所述第一方向延伸；
第一电源线，沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉；
第一数据线，沿所述第二方向延伸，所述第一数据线与所述第一子像素的像素电路结构相连；
第二数据线，沿所述第二方向延伸，所述第二数据线与所述第二子像素的像素电路结构相连，所述第一数据线和所述第二数据线分别位于所述第一电源线的两侧；
其中，所述透光孔位于所述第一电源线、所述第二数据线、所述发光控制信号线和所述第一初始化信号线围成的区域内。
2.根据权利要求1所述的显示基板，包括沿所述第一方向延伸的栅线、复位控制信号线和第二初始化信号线，在所述第二方向上，所述栅线、所述复位控制信号线和所述第二初始化信号线在所述发光控制信号线远离所述第一初始化信号线的一侧依次排布，所述第一子像素的像素电路结构和所述第二子像素的像素电路结构分别与所述第二初始化信号线相连。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，所述透光孔的宽度小于所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/3，
所述第一子像素的像素电路结构包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，
所述第一发光控制晶体管的第一极位于所述发光控制信号线的第一侧，所述第一发光控制晶体管的第二极位于所述发光控制信号线的第二侧，
所述第二发光控制晶体管的第二极位于所述发光控制信号线的第一侧，所述第二发光控制晶体管的第一极位于所述发光控制信号线的第二侧，所述第一侧和所述第二侧为所述发光控制信号线相对的两侧，
所述透光孔位于所述第一发光控制晶体管的第一极和所述第二发光控制晶体管的第二极之间。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，所述透光孔的宽度为所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/3～1/2，
所述发光控制信号线包括第一子部、第二子部和第三子部，所述第一子部位于所述第二子部和所述第三子部之间，所述第一子部沿所述第一方向延伸，所述第二子部和所述第三子部沿所述第二方向延伸，在所述第一方向上，至少部分所述第二子部位于所述第一电源线和所述第二数据线之间，
所述第一子像素的像素电路结构包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的第一极位于所述第一子部的第一侧，所述第一发光控制晶体管的第二极位于所述第一子部的第二侧，所述第二发光控制晶体管的第二极位于所述第一子部的第一侧，所述第二发光控制晶体管的第一极位于所述第一子部的第二侧，所述第一侧和所述第二侧为所述第一子部相对的两侧，
所述透光孔位于所述第一电源线、所述第二子部、所述第二发光控制晶体管的第二极、所述第一发光控制晶体管的第一极和所述第一初始化信号线围成的区域内。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，至少部分所述第三子部，位于所述第一数据线远离所述第一电源线的一侧，所述第二子部位于所述第二发光控制晶体管的第二极远离所述第一电源线的一侧。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，所述透光孔的宽度大于所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/2，
所述发光控制信号线包括第一子部、第二子部和第三子部，所述第一子部位于所述第二子部和所述第三子部之间，所述第一子部沿所述第一方向延伸，所述第二子部和所述第三子部沿所述第二方向延伸，在所述第一方向上，至少部分所述第二子部位于所述第一电源线和所述第二数据线之间，
所述第一子像素的像素电路结构中的有源层位于所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第一数据线、所述第二数据线围成的区域内，所述第一子像素中的有源层为第一有源层，
所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影，与所述栅线和所述发光控制信号线在所述衬底基板上的正投影无重叠区域，所述透光孔位于所述第一电源线、所述第一子部、所述第二子部和所述第一初始化信号线围成的区域内。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，至少部分所述第三子部，位于所述第一数据线和所述第一电源线之间。
8.根据权利要求4或6所述的显示基板，其中，所述复位控制信号线包括沿所述第一方向延伸的第四子部以及位于所述第四子部两端的弯折部，至少部分所述第四子部位于所述第一数据线和所述第二数据线之间，
所述栅线包括第五子部、第六子部和第七子部，所述第五子部位于所述第六子部和所述第七子部之间，所述第五子部沿所述第一方向延伸，所述第六子部和所述第七子部沿所述第二方向延伸，在所述第一方向上，至少部分所述第六子部位于所述第一数据线和所述第二数据线之间，
所述多个子像素包括沿所述第一方向与所述第二子像素相邻的第三子像素，第三数据线沿所述第二方向延伸，且与所述第三子像素的像素电路结构相连，所述复位控制信号线、所述栅线和所述发光控制信号线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分均沿所述第一方向延伸，
所述第四子部与所述第五子部之间的距离为D1，所述复位控制信号线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分，与所述栅线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分之间的间距为D2，所述D1小于所述D2，
所述第五子部与所述第一子部之间的间距为D3，所述栅线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分，与所述发光控制信号线位于所述第二数据线和所述第三数据线之间的部分之间的间距为D4，所述D3小于所述D4。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一子像素的像素电路结构中的有源层位于所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第一数据线、所述第二数据线围成的区域内，所述第二子像素的像素电路结构中的有源层位于所述第一初始化信号线、所述第二初始化信号线、所述第二数据线、所述第三数据线围成的区域内，所述第一子像素中的有源层为第一有源层，所述第二子像素中的有源层为第二有源层，
所述第一有源层的宽度为D7，所述第二有源层的宽度为D8，所述D7小于所述D8，
所述第一有源层的长度为L1，所述第二有源层的长度为L2，所述L1小于所述L2。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，当所述透光孔的宽度为所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/3～1/2时，所述第一子像素包括发光元件，所述发光元件位于所述像素电路结构远离所述衬底基板的一侧，在所述第二方向上，所述发光元件的阳极位于所述第一子部远离所述第二发光控制晶体管的第二极的一侧。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第一子像素的像素电路结构中的薄膜晶体管的有源层宽度和栅极长度的比值，与所述第二子像素的像素电路结构中的薄膜晶体管的有源层宽度和栅极长度的比值一致。
12.根据权利要求9所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，当所述透光孔的宽度大于所述第一数据线和所述第二数据线之间距离的1/2时，
所述第一子像素包括发光元件，所述发光元件位于所述像素电路结构远离所述衬底基板的一侧，所述发光元件中的阳极与发光层不接触。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影，与所述复位控制信号线在所述衬底基板上的正投影无重叠区域。
14.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板包括至少一个指纹识别区域，所述指纹识别区域内具有所述透光孔。
15.一种显示装置，包括权利要求1-14任一项所述的显示基板。
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