CN114695436A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式涉及一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括：基板，包括分别具有多个子像素的第一显示区域和第二显示区域，其中所述第一显示区域中的每单位面积的子像素数小于所述第二显示区域中的每单位面积的子像素数；设置在所述基板上并包括多个晶体管的晶体管层；在所述晶体管层上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的发光元件层，包括公共电极并包括多个发光元件，所述公共电极包括在所述第一显示区域中的多个孔；和天线，设置在所述第一显示区域中并且所述天线的至少一部分与所述多个孔交叠，包括第一天线电极和设置在所述第一天线电极上方的第二天线电极，所述第一天线电极设置在所述晶体管层中。本发明提高了天线的接收速率。

Description

显示面板和显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2020年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2020-0188379的优先权，为了所有目的，通过引用将该韩国专利申请的全部内容结合在本申请中，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
结合有无线通信的显示装置包括用于接收信号的天线。用于接收信号的天线可位于显示装置的显示面板下方或在显示面板的非显示区域中。
就产品美观和实用性而言，显示装置趋向于将非显示区域最小化并且将显示区域最大化。然而，由于用于接收信号的天线的小型化存在限制，所以当天线位于非显示区域中时，难以减小非显示区域并且增大了显示区域。
若天线位于显示区域中，则非显示区域中的由天线占据的空间可被用作显示区域，但是形成在用于显示图像的显示区域中的电极会干扰天线的信号接收。
发明内容
本发明的实施方式提供一种显示面板和显示装置，其包括：公共电极，公共电极包括在第一显示区域中的多个孔；和定位成与多个孔至少部分交叠的天线，天线内置到显示面板中，显示面板和显示装置具有提高的天线接收速率。
在一个方面中，本发明的实施方式提供一种显示面板，包括：基板、在所述基板上的晶体管层、在所述晶体管层上的平坦化层、在所述平坦化层上的发光元件层、以及天线。所述基板包括分别具有多个子像素的第一显示区域和第二显示区域。所述第一显示区域中的每单位面积的子像素数小于所述第二显示区域中的每单位面积的子像素数。所述晶体管层包括多个晶体管。所述发光元件层包括公共电极并且包括多个发光元件。所述公共电极包括在所述第一显示区域中的多个孔。所述天线位于所述第一显示区域中并且定位成与所述多个孔至少部分地交叠。所述天线包括第一天线电极和位于所述第一天线电极上方的第二天线电极。所述第一天线电极位于所述晶体管层中。
所述晶体管层可包括位于所述第一显示区域中的第一不透明导电层。
所述第一不透明导电层可不与多个孔交叠，并且所述第一天线电极可与所述第一显示区域中的第一不透明导电层接触。
所述晶体管层可包括定位成与所述发光元件至少部分交叠的遮光层。
所述第一不透明导电层可由与所述遮光层相同的材料形成。
所述发光元件层可包括位于所述公共电极下方的像素电极。
所述第二天线电极可位于所述发光元件层中并且可由与所述像素电极相同的材料形成。
所述平坦化层可包括位于所述第一显示区域中的第二不透明导电层。
所述第二不透明导电层可不与所述多个孔交叠，并且所述第二天线电极可与所述第一显示区域中的第二不透明导电层接触。
所述平坦化层可包括电连接至所述晶体管的源极-漏极电极图案，并且所述第二不透明导电层可由与所述源极-漏极电极图案相同的材料形成。
所述第二不透明导电层可包括第一部分和第二部分。所述第一部分可与所述第一显示区域中的多个孔的边缘对应，所述第二部分可将所述第一部分连接。
所述第二天线电极可位于所述晶体管层中。
所述晶体管层可包括位于所述第一显示区域中的第三不透明导电层。所述第三不透明导电层不与所述多个孔交叠。所述第二天线电极可与所述第一显示区域中的第三不透明导电层接触。
所述多个晶体管可包括栅极，并且所述第三不透明导电层可由与所述栅极相同的材料形成。
所述第三不透明导电层可包括与所述多个孔的边缘对应的第三部分和将所述第三部分连接的第四部分。
在另一个方面中，本发明的实施方式提供了一种包括显示面板和光接收装置的显示装置，其中所述显示面板包括：基板，所述基板包括分别具有多个子像素的第一显示区域和第二显示区域，其中所述第一显示区域中的每单位面积的子像素数小于所述第二显示区域中的每单位面积的子像素数；设置在所述基板上并且包括多个晶体管的晶体管层；在所述晶体管层上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的发光元件层，所述发光元件层包括公共电极并且包括多个发光元件，所述公共电极包括在所述第一显示区域中的多个孔；和天线，所述天线设置在所述第一显示区域中并且所述天线的至少一部分与所述多个孔交叠，所述天线包括第一天线电极和设置在所述第一天线电极上方的第二天线电极，所述第一天线电极设置在所述晶体管层中，其中所述光接收装置位于所述基板的下方并且与所述第一显示区域至少部分地交叠。
根据本发明的实施方式，可提供一种显示面板和显示装置，其通过包括具有在第一显示区域中的多个孔的公共电极并且包括定位成与多个孔交叠的天线，可有效地接收天线信号。
附图说明
图1图解了根据本发明实施方式的显示面板。
图2图解了根据本发明实施方式的显示装置。
图3和图4是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的顶视图。
图5是根据本发明实施方式的子像素的等效电路图。
图6是根据实施方式的显示面板的剖面图。
图7是根据实施方式的显示面板的剖面图。
图8是根据本发明比较例的显示面板的顶视图。
图9和图10根据本发明实施方式的显示面板的顶视图。
具体实施方式
图1图解了根据本发明实施方式的显示面板。
参照图1，根据本发明实施方式的显示面板100可包括有源区域A/A和非有源区域N/A。
在有源区域A/A中设置有子像素SP，使得可根据施加的信号呈现亮度。
显示面板100可包括天线150。尽管天线150可位于非有源区域N/A中，但根据技术的发展是要增大有源区域A/A的面积并使非有源区域N/A的面积变窄。因此，难以将天线150定位在非有源区域N/A中。
因此，在根据本发明实施方式的显示面板100中，天线150位于有源区域A/A中。然而，当天线150位于有源区域A/A中时，由于在有源区域A/A中设置有多个子像素SP，所以由于诸如构成子像素SP的发光元件之类的电路的配线，可能不会有效地执行天线150的信号接收。
图2图解了根据本发明实施方式的显示装置。
参照图2，根据本发明实施方式的显示装置10可包括用于显示图像的显示面板100和用于接收光的光接收装置200。
显示面板100可包括：基板；以及在基板上的多个绝缘层、晶体管层和发光元件层。
显示面板100可包括用于显示图像的多个子像素以及用于驱动多个子像素的各种信号线。信号线可包括多条数据线、多条栅极线、多条电源线等。在此，多个子像素的每一个可包括位于晶体管层中的晶体管和位于发光元件层中的发光元件。
显示面板100可包括显示图像的显示区域DA(对应于有源区域)和非显示区域NDA(即，位于显示区域DA外部的区域，对应于非有源区域)。显示区域DA中可设置有多个子像素。非显示区域NDA中可设置有各种信号线并且驱动电路可连接至信号线。非显示区域NDA可被弯折，使得从前面看不到非显示区域NDA或者可通过壳体(未示出)覆盖非显示区域NDA，非显示区域NDA也被称为边框。
参照图6，显示区域DA可包括第一显示区域111和第二显示区域112。
光接收装置200是接收光并执行预定功能的装置。例如，光接收装置200可包括相机和接近传感器(proximity sensor)中的一个或多个。
光接收装置200是需要光接收的装置，但可位于显示面板100后方(下方)。就是说，光接收装置200可与显示面板100的观看平面相对地设置。光接收装置200不从显示装置10的前侧暴露。因此，当用户在显示面板100的前方观看时，看不到光接收装置200。
位于显示面板100后方(下方)的相机是拍摄正面照片的前置相机，并且可被看到为是相机镜头。
参照图2，光接收装置200可设置成与显示面板100的显示区域DA至少部分地交叠。就是说，光接收装置200可位于显示区域DA中。
显示区域DA中的与光接收装置200至少部分交叠的区域被称为第一显示区域111，其余区域被称为第二显示区域112。因此，光接收装置200可定位成与显示区域DA中的第一显示区域111至少部分地交叠。换句话说，能够看出，光接收装置200位于显示区域DA中的第一显示区域111中。
由于显示区域DA中的第一显示区域111与光接收装置200至少部分地交叠，所以显示区域DA中的第一显示区域111的透射率应当高于不与光接收装置200交叠的第二显示区域112的透射率。
为了提高与光接收装置200交叠的第一显示区域111的透射率，分辨率、子像素布置结构、每单位面积的子像素数、电极结构、配线结构、电极布置结构或配线布置等在第一显示区域111和第二显示区域112中可彼此不同。
例如，第一显示区域111中的每单位面积的子像素数可小于第二显示区域112中的每单位面积的子像素数。因此，第一显示区域111的分辨率可低于第二显示区域112的分辨率。
在根据本发明实施方式的显示装置10中，位于显示面板100下方而不暴露于外侧的作为光接收装置200的相机也被称为UDC(Under Display Camera，屏下相机)。
根据本发明实施方式的显示装置10可具有更小的边框，并且可不制造切口形显示面板100。此外，消除了由于光接收装置200造成的设计限制，从而使外观设计更加自由。
在根据本发明实施方式的显示装置10中，尽管光接收装置200位于显示面板100后方，但光接收装置200可通过正常接收光来正常执行预定功能。此外，在根据本发明实施方式的显示装置10中，尽管光接收装置200位于显示面板100后方并且与显示区域DA交叠，但光接收装置200能够正常接收光并执行预定功能，并且可以在显示区域DA中显示正常图像。
因此，根据本发明实施方式的显示装置10提供一种能够提高与光接收装置200交叠的第一显示区域111的透射率的结构。
参照图3和图4，第一显示区域111是与光接收装置200至少部分交叠的区域。第一显示区域111可包括非透射区域NTA和透射区域TA。
参照图3和图4，透射区域TA是第一显示区域111中包括的部分区域，并且可以是用于将外部光传输到光接收装置200的区域。例如，透射区域TA可具有圆形或椭圆形形状，并且也可被称为孔区域。
参照图3和图4，非透射区域NTA是第一显示区域111中包括的部分区域，并且可以是晶体管层的晶体管和发光元件层的发光元件所在的区域。
参照图3和图4，非透射区域NTA可包括其中存在子像素的发光区域EA1、EA2、EA3和EA4的像素区域PA以及其中设置有信号线SL的配线区域SLA。
参照图3和图4，当透射区域TA被非透射区域NTA围绕时，第一显示区域111可包括彼此分离的多个透射区与TA。
图5是根据本发明实施方式的显示装置10的子像素SP的等效电路。
参照图5，设置在根据本发明实施方式的显示装置10的显示面板100上方的多个子像素SP的每一个包括发光元件ED 141、驱动晶体管DRT、扫描晶体管SCT和存储电容器Cst。
发光元件141可包括像素电极141b、公共电极141a、以及位于像素电极141b与公共电极141a之间的发光层EL。像素电极141b可设置在每个子像素SP中，公共电极141a可对多个子像素SP共同地设置。像素电极141b可以是不透明的反射电极，公共电极141a可以是半透明电极。例如，像素电极141b可以是阳极电极，公共电极141a可以是阴极电极。再例如，像素电极141b可以是阴极电极，公共电极141a可以是阳极电极。例如，发光元件141可以是有机发光二极管OLED、微型发光二极管、或量子点发光元件。
驱动晶体管DRT是用于驱动发光元件141的晶体管，并且可包括第一节点N1、第二节点N2、第三节点N3等。
驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是驱动晶体管DRT的栅极节点，并且可电连接至扫描晶体管SCT的源极节点或漏极节点。驱动晶体管DRT的第二节点N2可以是驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点，并且还可电连接至发光元件141的像素电极141b，发光元件的公共电极141a可连接至非驱动电压EVSS。驱动晶体管DRT的第三节点N3可电连接至提供驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。
扫描晶体管SCT被扫描信号SCAN控制并且可连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与数据线DL之间。扫描晶体管SCT根据从栅极线GL提供的扫描信号SCAN导通或截止，并且控制数据线DL与驱动晶体管DRT的第一节点N1之间的连接。
扫描晶体管SCT利用具有导通电平电压的扫描信号SCAN导通，使得可将从数据线DL提供的数据电压Vdata传输至驱动晶体管DRT的第一节点N1。
能够导通扫描晶体管SCT的扫描信号SCAN的导通电平电压可以是高电平电压或低电平电压。能够使扫描晶体管SCT截止的扫描信号SCAN的截止电平电压可以是低电平电压或高电平电压。例如，当扫描晶体管SCT是n型晶体管时，导通电平电压可以是高电平电压并且截止电平电压可以是低电平电压。再例如，当扫描晶体管SCT是p型晶体管时，导通电平电压可以是低电平电压并且截止电平电压可以是高电平电压。
驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT的每一个可以是n型晶体管或p型晶体管。
存储电容器Cst可连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间。存储电容器Cst被充入与两端之间的电压差对应的电荷量，并且用于将两端之间的电压差保持预定帧时间。因此，在预定帧时间期间，相应的子像素SP可发光。
存储电容器Cst并不是存在于驱动晶体管DRT的栅极节点与源极节点(或漏极节点)之间的作为内部电容器的寄生电容器(例如，Cgs、Cgd)，而是有意设计在驱动晶体管DRT外部的外部电容器。
根据本发明实施方式的显示装置10的子像素SP可进一步包括一个或多个晶体管或者可进一步包括一个或多个电容器。
图6示出了根据本发明实施方式的显示装置10中的第一显示区域111中的非透射区域NTA和第一显示区域111中的透射区域TA的剖面结构、以及第二显示区域112的剖面结构。
参照图6，显示面板的第一显示区域111可包括透射区域TA和非透射区域NTA。显示面板的第二显示区域112可以是非透射区域NTA。
图6示出了第一显示区域111中的非透射区域NTA的堆叠结构、第一显示区域111中的透射区域TA的堆叠结构、以及第二显示区域112的堆叠结构。
参照图6，第二显示区域112的堆叠结构如下。
在第二显示区域112中，晶体管层120设置在基板110上，平坦化层130设置在晶体管层120上，并且发光元件层140设置在平坦化层130上，可在发光元件层140上设置封装层ENCAP。
在第二显示区域112中，可在晶体管层120中设置晶体管，比如每个子像素SP的驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT，并且可设置用于形成晶体管的各种绝缘层。各种绝缘层可包括有机层和无机层。
在第二显示区域112中，可在晶体管层120中设置各种配线，比如数据线DL、栅极线GL和驱动电压线DVL。
在第二显示区域112中，可在发光元件层140中设置每个子像素SP的发光元件141。因此，在第二显示区域112中，可在发光元件层140中设置构成发光元件141的像素电极141b、发光层EL和公共电极141a。
参照图6，第一显示区域111中的非透射区域NTA的堆叠结构与第二显示区域112的堆叠结构相同。
在第一显示区域111的非透射区域NTA中，晶体管层120设置在基板110上，平坦化层130设置在晶体管层120上，并且发光元件层140设置在平坦化层130上，可在发光元件层140上设置封装层ENCAP。
发光元件141易受湿气或氧气影响。封装层ENCAP可防止湿气或氧气的渗透，由此防止发光元件141暴露于湿气或氧气。封装层ENCAP可由一个层或多个层形成。
在第一显示区域111的非透射区域NTA中，可在晶体管层120中设置晶体管，比如每个子像素SP的驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT，并且可设置用于形成晶体管的各种绝缘层。各种绝缘层可包括有机层和无机层。
在第一显示区域111的非透射区域NTA中，可在晶体管层120中设置各种配线，比如数据线DL、栅极线GL和驱动电压线DVL。
在第一显示区域111的非透射区域NTA中，可在发光元件层140中设置每个子像素SP的发光元件141。因此，在第一显示区域111的非透射区域NTA中，可在发光元件层140中设置构成发光元件141的像素电极141b、发光层EL和公共电极141a。
参照图6，第一显示区域111中的透射区域TA的堆叠结构如下。
参照图6，在第一显示区域111的透射区域TA中，晶体管层120设置在基板110上，平坦化层130设置在晶体管层120上，并且发光元件层140设置在平坦化层130上，可在发光元件层140上设置封装层ENCAP。
在第一显示区域111的非透射区域NTA中，晶体管层120包括诸如每个子像素SP的驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT之类的晶体管、以及各种配线。可在发光元件层140中设置每个子像素SP的发光元件141。
在第一显示区域111的透射区域TA中，在晶体管层120中不设置晶体管和配线。然而，在第一显示区域111的透射区域TA中，可在晶体管层120中设置用于形成晶体管所需的各种绝缘层。各种绝缘层可包括有机层和无机层。
在第一显示区域111的透射区域TA中，在发光元件层140中不设置每个子像素SP的发光元件141。因此，在第一显示区域111的透射区域TA中，在发光元件层140中不设置像素电极141b、发光层EL和公共电极141a。在一些情况下，在第一显示区域111中的透射区域TA中，可在发光元件层140中设置像素电极141b、发光层EL和公共电极141a中的仅一些。例如，在第一显示区域111的透射区域TA中，可在发光元件层140中仅设置发光层EL。
参照图6，在设置于第一显示区域111的非透射区域NTA和第二显示区域112中的金属材料层和绝缘材料层之中，金属材料层不设置在第一显示区域111的透射区域TA中。然而，在设置于第一显示区域111的非透射区域NTA和第二显示区域112中的金属材料层和绝缘材料层之中，绝缘材料层可延伸到第一显示区域111的透射区域TA。
换句话说，金属材料层设置在第一显示区域111的非透射区域NTA和第二显示区域112的非透射区域NTA中，不设置在第一显示区域111的透射区域TA中。绝缘材料层可共同地设置在第一显示区域111的非透射区域NTA、第二显示区域112的非透射区域NTA和第一显示区域111的透射区域TA中。
参照图6，显示面板100的第一显示区域111中的透射区域TA可与光接收装置200部分地交叠。
外部光通过第一显示区域111中的透射区域TA传输到光接收装置200。因此，为了光接收装置200的正常操作，第一显示区域111中的透射区域TA的透射率应当较高。
图7是根据本发明实施方式的显示面板的剖面图。
图7示出了第一显示区域111中的非透射区域NTA的剖面和透射区域TA的剖面。
第二显示区域(图7中未示出)中的设置有子像素的部分的剖面可配置为与图7中所示的第一显示区域111中的非透射区域NTA的剖面相同。
图7示出了在透射区域TA中的基板110下方设置有光接收装置200的部分以及在透射区域TA中设置有天线150的部分。特别是，在设置有天线150的情况下，其分为情况1和情况2。尽管在图7中在设置有天线150的部分下方未设置光接收装置200，但本发明的实施方式中也包括这样的实施方式，即，在天线150所处的透射区域TA下方设置有光接收装置200，光接收装置200可定位成与天线150至少部分地交叠。
参照图7，显示面板100包括基板110、位于基板上的晶体管层120、位于晶体管层上的平坦化层130、位于平坦化层上的发光元件、封装层ENCAP、和天线150。
基板110包括分别具有多个子像素的第一显示区域和第二显示区域。第一显示区域中的每单位面积的子像素数小于第二显示区域中的每单位面积的子像素数。
晶体管层120包括多个晶体管。除了晶体管以外，晶体管层120还可包括构成上面参照图5描述的子像素电路的电路元件，比如电容器。
晶体管层120可包括遮光层123。遮光层123可防止外部光被晶体管层120中包括的电路元件反射或者防止晶体管层120中包括的电路元件被外部光损坏或改变。
遮光层123可定位成与发光元件至少部分地交叠。
平坦化层130是用于将晶体管层120平坦化的层，并且可以是有机层。有机层的类型没有特别限制，只要其能够将晶体管层120平坦化即可，例如可以是光学透明丙烯酸树脂层。
平坦化层130可包括电连接至晶体管的第一源极-漏极电极图案SDL1。第一源极-漏极电极图案SDL1可连接至晶体管的源极-漏极，或者可构成形成在晶体管层120上方的另一配线。
平坦化层130可包括连接至第一源极-漏极电极图案SDL1的第二源极-漏极电极图案SDL2。第二源极-漏极电极图案SDL2可以是将晶体管层120的驱动晶体管的第一源极-漏极电极图案SDL1与发光元件的像素电极141b电连接的图案。
参照图7，发光元件层140包括公共电极141a并且包括多个发光元件，公共电极141a的一部分可用作发光元件的一个电极。公共电极141a包括在第一显示区域中的多个孔141aa。多个孔141aa可定位成对应于第一显示区域的透射区域TA。当多个孔141aa定位成对应于第一显示区域的透射区域TA时，可进一步提高透射区域TA的透射率，光接收装置200可更有效地接收光。
发光元件层140可包括堤层142。堤层142是针对像素电极141b具有开口的层，并且可通过堤层142限定子像素的发光区域。堤层142可在光接收装置200所在的透射区域TA中被开口。当堤层142在光接收装置200所在的透射区域TA中被开口时，透射区域TA可具有更高的透射率。
平坦化层130可定位成不与公共电极141a的多个孔141aa的至少一部分交叠。平坦化层130可包括用于光接收装置200的孔，以便使透射区域TA的透射率最大化。
天线150定位在第一显示区域中并且定位成与多个孔141aa至少部分地交叠(或者说天线150的至少一部分与多个孔141aa交叠)。通过将天线150定位成与多个孔141aa至少部分地交叠，可防止天线150被公共电极141a阻止接收信号。
天线150包括第一天线电极151和位于第一天线电极151上方的第二天线电极152。天线150可通过第一天线电极151与第二天线电极152的电容接收信号。
第一天线电极151位于晶体管层120中。当第一天线电极151位于晶体管层120中时，可在形成发光元件层140之前形成第一天线电极151。因此，由于不需要在形成发光元件之后在低温下形成天线电极来防止对发光元件的损坏，所以可防止在第一天线电极151中发生缺陷。
第一天线电极151可由透明导电材料制成。例如，第一天线电极可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟镓锌(IGZO)制成，但不限于此。因此，即使当光接收装置200与天线150交叠时，外部光也可平稳地入射到光接收装置200上。
晶体管层120可包括位于第一显示区域中的第一不透明导电层122。
第一不透明导电层122可由与遮光层123相同的材料形成。当第一不透明导电层122由与遮光层123相同的材料形成时，可通过与遮光层123相同的工序形成第一不透明导电层122，使得可降低显示面板的制造成本。
第一不透明导电层122可不与多个孔141aa交叠。由于第一不透明导电层122不与多个孔141aa交叠，所以可进一步提高孔所在的部分的透射率。
第一天线电极151可接触第一显示区域中的第一不透明导电层122。第一不透明导电层122可电连接至第一天线电极151，使得天线150可更好地检测接收的信号。
发光元件层140可包括位于公共电极141a下方的像素电极141b。
参照图7的TA情况1，第二天线电极152位于发光元件层140中并且可由与像素电极141b相同的材料形成。当第二天线电极152由与像素电极141b相同的材料形成时，可在形成发光元件层140的像素电极141b的同时形成第二天线电极152，因而可降低显示面板的制造成本。
平坦化层130可包括位于第一显示区域中的第二不透明导电层131。
第二不透明导电层131可不与多个孔141aa交叠。当第二不透明导电层131不与多个孔141aa交叠时，可进一步提高其中公共电极141a被孔141aa开口的区域的透射率。
第二天线电极152可接触第一显示区域中的第二不透明导电层131。当第二不透明导电层131与第二天线电极152接触时，可降低第二天线电极152的电阻，使得天线150可更好地接收信号。
第二不透明导电层131可由与第二源极-漏极电极图案SDL2相同的材料形成。当第二不透明导电层131由与第二源极-漏极电极图案SDL2相同的材料形成时，通过相同的工序形成第二源极-漏极电极图案SDL2和第二不透明导电层131，使得可在没有额外工序的情况下形成第二不透明导电层131。
参照图7的TA情况2，第二天线电极152可位于晶体管层120中。当第二天线电极152位于晶体管层120中时，可通过形成位于晶体管层120中的信号配线或电路元件的工序来形成第二天线电极152，使得可在没有额外工序的情况下形成第二天线电极152。
第二天线电极152可由与第一天线电极151相同的材料制成。就是说，图7的TA情况2的第一天线电极151和第二天线电极152二者可由透明导电材料制成。在这种情况下，在图7的TA情况2中，外部光可比TA情况1更平稳地入射到光接收装置200上。
此外，当第二天线电极152位于晶体管层120中时，由于第一天线电极151和第二天线电极152二者均位于晶体管层120中，所以天线电极之间的距离变得比TA情况1更短，可增大天线的电容，并且可改进天线的性能。
晶体管层120可包括位于第一显示区域中的第三不透明导电层124。第三不透明导电层124可由与设置在晶体管层120中的配线和电路元件的其中之一相同的材料形成。例如，第三不透明导电层124可由与位于晶体管层120中的晶体管包括的栅极121a相同的材料形成。
第三不透明导电层124不与多个孔141aa交叠。当第三不透明导电层124不与多个孔141aa交叠时，其中公共电极141a被开口的透明区域可具有更高的透射率。
第二天线电极152可与第一显示区域中的第三不透明导电层124接触。当第二天线电极152电连接至第三不透明导电层124时，可降低第二天线电极152的电阻，使得天线150可更好地接收信号。
图8是根据本发明比较例的显示面板的顶视图。
参照图8，子像素的发光区域位于非透射区域NTA中，并且遮光层123可位于非透射区域NTA中。
在第一显示区域中，公共电极141a包括对应于透射区域TA的孔141aa。因此，由于公共电极141a在透射区域TA中被开口，所以透射区域TA具有更高的透射率，位于透射区域TA中的光接收装置可有效地接收光。
堤层142可位于公共电极141a的孔141aa的外围。堤层142位于公共电极141a下方并且可在用于在公共电极141a中形成孔141aa的工序中用作引导件。
图9是根据本发明实施方式的第一显示区域的顶视图和局部剖面图。
图9是与图7的TA情况1对应的区域的顶视图和剖面图。
参照图9，在第一显示区域中，公共电极141a包括对应于透射区域TA的孔141aa。因此，由于公共电极141a在透射区域TA中被开口，所以透射区域TA具有更高的透射率，位于透射区域TA中的光接收装置可有效地接收光。
堤层142可位于公共电极141a的孔141aa的外围。堤层142位于公共电极141a下方并且可在用于在公共电极141a中形成孔141aa的工序中用作引导件。
第二不透明导电层131可与第二天线电极152接触。第二不透明导电层131可包括第一部分131a和第二部分131b。第一部分131a可以是与第一显示区域中的多个孔141aa的边缘对应的部分。第一部分131a可以是第二不透明导电层131中的与第一显示区域中的第二天线电极152接触的部分。
第二部分131b可将第一部分131a连接。由于如图9中所示设置第二不透明导电层131，所以第二不透明导电层131可接触第一显示区域中的天线150。
图10是根据本发明实施方式的第一显示区域的顶视图和局部剖面图。
图10是与图7的TA情况2对应的区域的顶视图和剖面图。
参照图10，第一显示区域中的公共电极141a包括对应于透射区域TA的孔141aa。因此，由于公共电极141a在透射区域TA中被开口，所以透射区域TA具有更高的透射率，位于透射区域TA中的光接收装置可有效地接收光。
堤层142可位于公共电极141a的孔141aa的外围。堤层142位于公共电极141a下方并且可在用于在公共电极141a中形成孔141aa的工序中用作引导件。
第三不透明导电层124可包括与多个孔141aa的边缘对应的第三部分124a和将第三部分连接的第四部分124b。第三部分124a可以是与第一显示区域中的多个孔141aa的边缘对应的部分。第三部分124a可以是第三不透明导电层124中的与第一显示区域中的第二天线电极152接触的部分。
第四部分124b可将第三部分124a连接。由于如图10中所示设置第三不透明导电层124，所以第三不透明导电层124可接触第一显示区域中的天线150。
在一个方面中，本发明的实施方式可提供一种包括显示面板和光接收装置的显示装置。
在根据本发明实施方式的显示装置中，显示面板的细节与根据上述本发明实施方式的显示面板相同，因而将省略其细节描述。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括：
基板，所述基板包括分别具有多个子像素的第一显示区域和第二显示区域，其中所述第一显示区域中的每单位面积的子像素数小于所述第二显示区域中的每单位面积的子像素数；
设置在所述基板上并且包括多个晶体管的晶体管层；
在所述晶体管层上的平坦化层；
设置在所述平坦化层上的发光元件层，所述发光元件层包括公共电极并且包括多个发光元件，所述公共电极包括在所述第一显示区域中的多个孔；和
天线，所述天线设置在所述第一显示区域中并且所述天线的至少一部分与所述多个孔交叠，所述天线包括第一天线电极和设置在所述第一天线电极上方的第二天线电极，所述第一天线电极设置在所述晶体管层中。
2.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述晶体管层包括位于所述第一显示区域中的第一不透明导电层，所述第一不透明导电层不与所述多个孔交叠，并且
其中所述第一天线电极与所述第一显示区域中的第一不透明导电层接触。
3.根据权利要求2所述的显示面板，
其中所述晶体管层包括定位成与所述发光元件至少部分地交叠的遮光层，并且
其中所述第一不透明导电层由与所述遮光层相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的显示面板，
其中所述发光元件层包括位于所述公共电极下方的像素电极，并且
其中所述第二天线电极设置在所述发光元件层中并且由与所述像素电极相同的材料形成。
5.根据权利要求4所述的显示面板，
其中所述平坦化层包括位于所述第一显示区域中的第二不透明导电层，所述第二不透明导电层不与所述多个孔交叠，并且
其中所述第二天线电极与所述第一显示区域中的第二不透明导电层接触。
6.根据权利要求5所述的显示面板，
其中所述平坦化层包括电连接至所述晶体管的源极-漏极电极图案，
其中所述第二不透明导电层由与所述源极-漏极电极图案相同的材料形成。
7.根据权利要求5所述的显示面板，
其中所述第二不透明导电层包括与所述第一显示区域中的多个孔的边缘对应的第一部分和将多个第一部分连接的第二部分。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述第二天线电极设置在所述晶体管层中。
9.根据权利要求8所述的显示面板，
其中所述晶体管层包括位于所述第一显示区域中的第三不透明导电层，所述第三不透明导电层不与所述多个孔交叠，并且
所述第二天线电极与所述第一显示区域中的第三不透明导电层接触。
10.根据权利要求9所述的显示面板，
所述多个晶体管包括栅极，并且
其中所述第三不透明导电层由与所述栅极相同的材料形成。
11.根据权利要求8所述的显示面板，
其中所述第三不透明导电层包括与所述多个孔的边缘对应的第三部分和将多个第三部分连接的第四部分。
12.一种显示装置，包括显示面板和光接收装置，
其中所述显示面板包括：
基板，所述基板包括分别具有多个子像素的第一显示区域和第二显示区域，其中所述第一显示区域中的每单位面积的子像素数小于所述第二显示区域中的每单位面积的子像素数；
设置在所述基板上并且包括多个晶体管的晶体管层；
在所述晶体管层上的平坦化层；
设置在所述平坦化层上的发光元件层，所述发光元件层包括公共电极并且包括多个发光元件，所述公共电极包括在所述第一显示区域中的多个孔；和
天线，所述天线设置在所述第一显示区域中并且所述天线的至少一部分与所述多个孔交叠，所述天线包括第一天线电极和设置在所述第一天线电极上方的第二天线电极，所述第一天线电极设置在所述晶体管层中，
其中所述光接收装置位于所述基板的下方并且与所述第一显示区域至少部分地交叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述光接收装置定位成与所述天线至少部分地交叠。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述光接收装置不从所述显示装置的前侧暴露。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024040587A1 (zh) * 2022-08-26 2024-02-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110783484B (zh) * 2019-09-24 2020-11-10 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113035924A (zh) * 2021-03-09 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20240108067A (ko) * 2022-12-30 2024-07-09 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11275473B2 (en) * 2019-06-13 2022-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and display device including the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024040587A1 (zh) * 2022-08-26 2024-02-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

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