CN114121579A - 一种卡盘及半导体设备 - Google Patents

Abstract

一种卡盘及半导体设备，卡盘应用于半导体设备的工艺腔室，包括卡盘本体，卡盘本体包括用于承载晶圆的承载面，由承载面向内沿厚度方向设置有第一通道和导气通道，导气通道的进气口位于承载面承载晶圆的区域之外，第一通道的出气口位于承载面承载晶圆的区域之内，导气通道的出气口和第一通道的进气口通过第一底部通道连通；导气通道靠近承载面处设有第一阀门，第一底部通道上设有第二阀门，工艺时打开第一阀门，关闭第二阀门；工艺结束后关闭第一阀门，打开第二阀门。本发明涉及的卡盘，将腔室内的气体预先储存并使气体输出至卡盘与晶圆之间，以解除晶圆和卡盘之间的紧密接触；导气通道位于晶圆外侧，避免高温工艺时传热速率不同对晶圆造成的缺陷。

Description

一种卡盘及半导体设备

技术领域

本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种卡盘及半导体设备。

背景技术

在半导体加工领域，等离子体刻蚀是一项重要的工艺过程。在实施等离子体刻蚀时，由于化学反应的放热效应，需要使用卡盘对晶圆进行冷却。冷却中要求晶圆与卡盘之间紧密接触，刻蚀完成后，再解除紧密接触。因此，完整的传片刻蚀过程应该是：机械手将晶圆传入腔室，顶针将晶圆顶离机械手，将机械手缩回传输腔，降下顶针使晶圆与卡盘紧密接触，也可以辅以静电吸附或者压环使其紧密接触，刻蚀完成后解除紧密接触，顶针将晶圆顶离卡盘，将机械手传入工艺腔，降下顶针使晶圆落在机械手上，将机械手连带晶圆缩回传输腔。但晶圆与卡盘之间紧密接触的解除往往不容易，特别是紧密接触时会在接触面形成真空，造成黏片现象。现有技术中，通过在卡盘表面设计了内向凹陷的导气沟槽结构，使晶圆底部始终有少量气体存在从而将晶圆正反两面的气压差控制在一定范围内，不存在真空将晶圆吸住的问题，可以直接取放晶圆。而固体之间传热的速率快于气体之间的传热速率，导气沟槽会使冷却效果下降，使晶圆与导气沟槽所对应的区域产生工艺异常，如产生斑纹，这一缺陷在进行高温工艺时尤其明显，如图1所示，晶圆整面减薄后，可以看到晶圆上出现的斑纹与导气沟槽的分布一致。

因此，需要一种新的卡盘，在避免黏片现象的同时，可以避免工艺异常。

发明内容

本发明的目的是提供一种卡盘及半导体设备，能够在避免黏片现象的同时，避免工艺异常。

为了实现上述目的，本发明提供一种卡盘，应用于半导体设备的工艺腔室，所述卡盘包括卡盘本体，所述卡盘本体包括用于承载晶圆的承载面，由所述承载面向内沿厚度方向设置有第一通道和导气通道，所述导气通道的进气口位于所述承载面承载晶圆的区域之外，所述第一通道的出气口位于所述承载面承载晶圆的区域之内，所述导气通道的出气口和所述第一通道的进气口通过第一底部通道连通；

所述导气通道靠近所述承载面处设有第一阀门，所述第一底部通道上设有第二阀门，工艺时打开所述第一阀门，关闭所述第二阀门；工艺结束后关闭所述第一阀门，打开所述第二阀门。

优选地，所述导气通道和所述第一通道均为多个，每个所述导气通道与一个所述第一通道通过一个所述第一底部通道连通，多个所述第一通道和多个所述导气通道沿所述卡盘本体的周向均布。

优选地，所述第一通道贯穿所述卡盘本体，升降装置驱动顶针在所述第一通道内进行升降运动，所述升降装置在所述第一通道的与所述第一底部通道连通处的下方与所述第一通道气密连接。

优选地，所述卡盘本体内还设有多个相对所述卡盘本体的径向均布的第二通道，且多个所述第二通道的出气口位于所述承载面承载晶圆的区域之内；

每个所述导气通道通过一个第二底部通道与一个所述第二通道连通，所述第三阀门位于所述导气通道和所述第二通道之间，所述第三阀门和所述第二阀门同步开启与关闭。

优选地，所述卡盘本体内设有背氦通道，所述背氦通道的进气口位于所述卡盘本体的底面中心，所述背氦通道的出气口与所述第二底部通道连通，用于向所述第二通道内通入氦气。

优选地，所述卡盘本体内还设有多个第二通道，每个所述第二通道平行设置于一个所述第一通道和一个所述导气通道之间，且每个所述导气通道通过所述第一底部通道与一个所述第二通道和一个所述第一通道连通，所述第二阀门位于所述导气通道和所述第二通道之间。

优选地，所述卡盘本体内设有背氦通道，所述背氦通道的进气口位于所述卡盘本体的底面中心，所述背氦通道的出气口与所述第一底部通道连通，用于向所述第一通道和所述第二通道内通入氦气。

优选地，所述卡盘本体内设有储气室，所述储气室和所述导气通道连通，所述储气室位于所述第一阀门和所述第二阀门之间，所述储气室的截面积大于所述导气通道的截面积。

优选地，所述储气室是一个环形腔，所述多个导气通道均与所述储气室连通；或者，

所述储气室为多个，每个所述储气室与一个所述导气通道连通。

本申请还提供一种半导体设备，包括工艺腔室和上述的卡盘，所述卡盘设于所述半导体设备的所述工艺腔室内，用于承载所述晶圆。

本发明涉及的卡盘，其有益效果在于，可以在工艺腔室抽真空前通过第一阀门和第二阀门将工艺腔室内的气体预先储存于导气通道内，并在工艺完成后打开第二阀门，使气体可以通过第一通道输出至卡盘与晶圆之间，以解除晶圆和卡盘之间的紧密接触；相比较导气沟槽结构而言，通过使导气通道位于晶圆外侧，并在承载晶圆的区域之内设置第一通道的出气口，可以避免高温工艺时因传热速率对晶圆造成的缺陷。

本发明的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

通过结合附图对本发明示例性实施方式进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1示出了现有技术中工艺后的晶圆异常状态示意图；

图2示出了根据本发明的示例性实施例的卡盘的剖视图；

图3示出了根据本发明的示例性实施例的卡盘的俯视图；

图4示出了根据本发明的另一示例性实施例的卡盘的剖视图；

图5示出了使用根据本发明的示例性实施例的卡盘进行刻蚀工艺的流程图；

图6示出了根据本发明的示例性实施例的卡盘与现有技术的卡盘在刻蚀后晶圆的工艺效果对照图。

附图标记说明：

1、卡盘本体，2、第一通道，3、导气通道，4、第一阀门，5、第二阀门，6、顶针，7、第二孔道，8、储气室，9、晶圆，10、背氦通道。

具体实施方式

下面将更详细地描述本发明的优选实施方式。虽然以下描述了本发明的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。

为解决现有技术存在的问题，本发明提供了一种卡盘，应用于半导体设备的工艺腔室，请参阅图2，该卡盘包括卡盘本体1，卡盘本体1包括用于承载晶圆9的承载面，由承载面向内沿厚度方向设置有第一通道2和导气通道3，导气通道3的进气口位于承载面承载晶圆9的区域之外，以在承载晶圆9时与工艺腔室的内部连通，第一通道2的出气口位于承载面承载晶圆9的区域之内，导体通道3的出气口和第一通道2的进气口通过第一底部通道连通；

导气通道3靠近承载面处设有第一阀门4，第一底部通道上设有第二阀门5，工艺时打开第一阀门4，关闭第二阀门5；工艺结束后关闭第一阀门4，打开第二阀门5。

本发明涉及的卡盘，用于半导体工艺设备的工艺腔室中，可以在工艺腔室抽真空前通过第一阀门4和第二阀门5将工艺腔室内的气体预先储存于导气通道3内，并在工艺完成后打开第二阀门5，使气体可以通过第一通道2输出至卡盘与晶圆之间，以解除晶圆和卡盘之间的紧密接触；相比较导气沟槽结构而言，本发明的卡盘通过使导气通道3位于晶圆外侧，从而可以避免高温工艺时因气体和固体之前传热速率的不同而对晶圆造成的缺陷，即解决了黏片的问题，又避免了导气沟槽导致的工艺异常的问题。

作为优选，导气通道3和第一通道2均为多个，每个导气通道3与一个第一通道2通过一个第一底部通道连通，多个第一通道2和多个导气通道3沿卡盘本体1的周向均布。

请参阅图3，本实施例中，第一通道2聚拢于卡盘本体1的中部，导气通道3沿卡盘本体1的周向设于其承载晶圆区域之外，且沿周向分布，避免晶圆9遮挡导气通道3而影响气体进入，导气通道3与第一通道2沿径向相连，且一一对应，以便气体顺着第一通道2流向晶圆9均匀“漏气”。本实施例中，导气通道3和第一通道2数量均为8个，数量越多工艺效果越好，工艺腔室中的气体可以存储于导气通道3之内，并在工艺完成后，第一底部通道向第一通道2流动，使晶圆9和卡盘本体1的承载面解除吸附。

在本发明的其他实施例中，导气通道3与第一通道2可以并非是一一对应的，第一通道2的数量可以少于导气通道3的数量，多个导气通道3沿卡盘本体1的周向均布，并通过环形底部通道连通，环形底部通道与第一通道2通过第一底部通道沿径向连通。例如，第一通道2可以为3个，并聚拢于卡盘本体1的中部，导气通道3可以为8个，沿卡盘本体1的周向设于其承载晶圆区域之外，8个导气通道3通过环形底部通道连通，3个第一通道2通过沿径向设置的第一底部通道与该环形底部通道连通，工艺腔室中的气体可以存储于导气通道3之内，并在工艺完成后，通过环形底部通道和第一底部通道向第一通道2流动，使晶圆9和卡盘本体1的承载面解除吸附。

在本发明的一个实施例中，第一通道2可以用于供顶针6升降运动，第一通道2贯穿卡盘本体1，升降装置驱动顶针6在第一通道2内进行升降运动，升降装置(未示出)在第一通道2的与第一底部通道连通处的下方与第一通道2气密连接。为避免第一通道2漏气，需要在第一通道2的底部进行气密处理，如设置密封件。顶针6通过升降装置驱动进行升降，升降装置为现有技术中惯用装置，如电机和传动机构的组合，在此不做赘述。

在本发明的其他实施例中，顶针6可升降地连接于第一通道2内，升降装置可以设置于第一通道2内，避免打开第二阀门5解真空时漏气。

在本发明的其他实施例中，卡盘还可以单独设置与第一通道2平行的顶针通道，顶针通道的出口位于承载面承载晶圆9的区域之内，顶针在顶针通道内升降，顶针通道可以与第一底部通道连通，也可以不连通，当顶针通道与第一底部通道连通时，驱动顶针6升降的升降装置与顶针通道气密处理。升降装置驱动顶针6升降运动的过程属于现有技术，具体结构不再赘述。

在本发明的一个实施例中，卡盘本体1内还设有多个相对卡盘本体1的径向均布的第二通道7，且多个第二通道7的出气口位于承载面承载晶圆9的区域之内；每个导气通道3通过一个第二底部通道与一个第二通道7连通，第三阀门位于导气通道3和第二通道7之间，第三阀门和第二阀门5同步开启或关闭。当第二阀门5和第三阀门同步开启后，导气通道3内预储存的气体可以通过第二通道7和第一通道2同时流向晶圆9，以加速晶圆9和卡盘之间的紧密接触状态的解除。

在此基础上的又一实施例中，请参阅图4，卡盘本体1内设有背氦通道10，背氦通道10的进气口位于卡盘本体1的底面中心，背氦通道10的出气口与第二底部通道连通，用于向第二通道7内通入氦气，背氦通道10设于卡盘本体1的背面，通入氦气过程也可以称之为通入背氦。氦气可以用于冷却晶圆9，也可以用于检测晶圆9是否成功解吸附，向背氦通道10通入氦气前应使第一阀门4或第二阀门5和第三阀门关闭，避免氦气进入工艺腔室。

本申请中的卡盘可以为普通卡盘，也可以为静电卡盘。

背氦通道10用于静电卡盘，在进行工艺之前，晶圆9放置在卡盘上后，使第一阀门4开启，使第二阀门5和第三阀门关闭，静电卡盘对晶圆9施加吸附电压，通过向背氦通道10通入氦气，以检测晶圆9与卡盘是否满足吸附要求，可以通过氦气从晶圆9与卡盘之间的溢出量进行检测，具体过程不再赘述。工艺时，氦气始终保持通入状态，以实时监测晶圆9的吸附状态，此过程应保持第二阀门5和第三阀门关闭，避免氦气通过导气通道3进入工艺腔室内；

在工艺结束后，关闭第一阀门4，使工艺腔室内的气体存储在导体通道3内，再对工艺腔室抽真空，使第二阀门5和第三阀门开启，使储存的气体通过第一通道2向晶圆9和卡盘之间溢出，静电卡盘向晶圆9施加反向吸附电压，从而实现解吸附，储存的气体加速晶圆9的解吸附过程，也可以避免晶圆和卡盘重新贴合；通过氦气检测到晶圆9成功解吸附后，停止通入氦气。背氦通道10与和第一通道2和/或第二通道7连通，在检测晶圆9解吸附过程中，通过预先储存的气体加速晶圆9的解吸附过程，可以节约氦气的用量。

值得说明的是，氦气的流动方向也是通过第一通道2和第二通道7向晶圆9处流动，虽然有少部分氦气可能会流向导气通道3，但最终还是会向晶圆9处溢出，最终可以节约氦气总用量，节约成本。

在本发明的另一个实施例中，卡盘本体1内还设有多个第二通道7，每个第二通道7平行设置于一个第一通道2和一个导气通道3之间，且每个导气通道3通过第一底部通道与一个第二通道7和一个第一通道2连通，第二阀门5位于导气通道3和第二通道7之间。在该实施例中，第二通道7与第一通道2一一对应，导气通道3沿同一径向分别连通于第一通道2和第二通道7，此时，第一底部通道与第二底部通道沿径向位于同一直线上。第二阀门5开启，导气通道3内预储存的气体可以通过第二通道7和第一通道2同时流向晶圆9，以加速晶圆9和卡盘之间的紧密接触状态的解除。

第一通道2和第二通道7也可以不是一一对应的，导气通道3可以分别通过不同径向的第一底部通道和第二底部通道连通于第一通道2和第二通道7，具体情况根据实际需求而定。

在此基础上的又一实施例中，请参阅图4，卡盘本体1内设有背氦通道10，背氦通道10的进气口位于卡盘本体1的底面中心，背氦通道10的出气口与第一底部通道连通，用于向第一通道2和第二通道7内通入氦气。向背氦通道10通入氦气时，应使第一阀门4或第二阀门5关闭，避免氦气流入导气通道3，进而进入工艺腔室。

导气通道3的横截面可以为圆形，导气通道3的横截面积大于第一通道2的横截面积，使其内部可以储存足够多的气体，以便在第二阀门5开启时流向晶圆9以解除紧密接触状态。

作为优选，卡盘本体1内设有储气室8，储气室8和导气通道3连通，储气室8位于第一阀门4和第二阀门5之间，储气室8的截面积大于导气通道3的截面积。

储气室8的体积根据卡盘本体1的大小而定，储气室8的宽度不超过卡盘本体1的外周与第二通道8之间的距离，储气室8的高度不超过卡盘本体1的厚度，可以在工艺过程中尽可能多地储存工艺气体，以便在工艺结束后将其通到晶圆9表面，防止晶圆9与卡盘本体1之间形成真空阻碍晶圆9的解吸附和取片。

其中，储气室8是一个环形腔，多个导气通道3均与储气室8连通；或者，储气室8为多个，每个储气室8与一个导气通道3连通，具体设置方式根据实际情况而定。

本发明中，第一阀门4、第二阀门5和/或第三阀门可以为气动阀，通过控制器控制第一阀门4、第二阀门5和/或第三阀门的开闭。第一阀门4、第二阀门5和第三阀门也可以为其他类型的阀门，具体不做限制，其连接方式和结构原理等均为本领域人员所公知，不再赘述。第一阀门1设于导气通道3处，第二阀门5和第三阀门设于第二通道7的前端，当未设置第二通道7时，第二阀门5设于第一通道2的前端，卡盘本体1可以适当的增厚以使阀门的安装具有足够的空间。在工艺时，打开第一阀门4、关闭第二阀门5或第二阀门5和第三阀门，工艺腔室内的工艺气体可以进入到导气通道3和储气室8内，当需要对工艺腔室抽真空时，关闭第一阀门4，避免气体漏走，第一通道2和/或第二通道7内的气体被抽走，晶圆9与卡盘本体1紧密接触；工艺结束后，打开第二阀门5或第二阀门5和第三阀门进行解真空，由于第一通道2和/或第二通道7内为负压状态，导气通道3和储气室8内的气体顺着第一通道2和/或第二通道7向晶圆9的表面流动，防止晶圆9与卡盘本体1之间的真空阻碍晶圆9的解吸附和取片，防止晶圆9黏片。

本发明还提供一种半导体设备，包括工艺腔室和上述的卡盘，卡盘设于半导体设备的工艺腔室内，用于承载晶圆9。

请参阅图5，使用本发明的半导体设备对晶圆进行刻蚀的过程如下：

对传输腔室破真空，将晶圆9传入传输腔室，对传输腔室抽真空，使其形成真空状态；通过机械手将晶圆9传入工艺腔室，升起顶针6使晶圆9上升至预设位置，机械手缩回至传输腔室，将工艺腔室的抽真空阀门，即摆阀全部打开，对工艺腔室抽真空，此时使第一阀门4开启、第二阀门5或第二阀门5和第三阀门关闭，驱动顶针6下降；

当卡盘为普通卡盘时，对晶圆9执行主刻蚀工艺，工艺时，工艺腔室内的刻蚀气体进入导气通道3和储气室8存储，此时第一阀门4为开启状态，第二阀门5或第二阀门5和第三阀门为关闭状态，工艺结束后，关闭第一阀门4，工艺腔室的摆阀全部打开，对工艺腔室抽真空，排出气体；然后开启第二阀门5或第二阀门5和第三阀门，导气通道3和储气室8预先储存的气体通过第一通道2和/或第二通道7流向晶圆9并从晶圆9处漏出，使晶圆9与卡盘解除紧密接触状态，然后可以使顶针6上升，机械手伸入工艺腔室并降下顶针6，使机械手取出晶圆9并缩回传输腔室，对传输腔室破真空，去除晶圆9而结束整个工艺流程。

当卡盘为静电卡盘时，在进行工艺之前，将晶圆9放置在卡盘上后，使第一阀门4开启，使第二阀门5或第二阀门5和第三阀门关闭，静电卡盘对晶圆9施加吸附电压，使晶圆9吸附于卡盘，通过背氦通道10通入氦气冷却晶圆9并检测晶圆9的吸附状态，如果晶圆9相对于卡盘的吸附状态正常，则对晶圆9执行主刻蚀工艺；工艺时，工艺腔室内的刻蚀气体进入导气通道3和储气室8存储，此时第一阀门4为开启状态、第二阀门5或第二阀门5和第三阀门为关闭状态，避免氦气通过导气通道3进入工艺腔室内；工艺结束后，关闭第一阀门4，再将工艺腔室的摆阀全部打开，对工艺腔室抽真空，排出气体，导气通道3和储气室8内储存有一定量的气体；然后开启第二阀门5，导气通道3和储气室8预先储存的气体通过第一通道2和/或第二通道7流向晶圆9并从晶圆9处漏出，静电卡盘施加反向吸附电压，使晶圆9与卡盘解除紧密接触状态，预先储存的气体可以加速晶圆9的解吸附过程，并防止晶圆9与卡盘贴合，在此过程中，虽然有少部分氦气可能会流向导气通道3，但最终还是会向晶圆9处溢出，通过预先储存的气体可以节约氦气用量，降低成本；

通过氦气检测到晶圆9成功解吸附后，可以停止通入氦气，使顶针6上升，机械手伸入工艺腔室并降下顶针6，使机械手拿取晶圆9并缩回传输腔室，对传输腔室破真空，去除晶圆9而结束整个工艺流程；

如果通过氦气检测到晶圆9没有正常解除吸附状态，则系统示警，停止通入氦气，并可以通过手动打开工艺腔室取出晶圆9；

如果在对晶圆9执行工艺之前，通过氦气检测到晶圆9没有满足吸附要求，即氦气从晶圆9处溢出量变大，系统示警，停止通入氦气，打开第二阀门5或第二阀门5和第三阀门，使气体向晶圆9和卡盘之间流动，避免晶圆9贴合于静电卡盘的承载面，手动打开工艺腔室取出晶圆9重新开始。

值得说明的是，氦气的流动方向也是通过第一通道2和第二通道7向晶圆9处流动，由于氦气的压力较大，在工艺过程中，通入氦气时，第二阀门5和/或第三阀门应关闭，避免氦气通过导气通道3进入工艺腔室内，在进行解吸附时，应保持第一阀门4关闭，避免氦气和储存的气体流向工艺腔室；在进行解吸附时，虽然有少部分氦气可能会流向导气通道3，但最终还是会向晶圆9处溢出，与储存的气体一起，避免晶圆9在静电卡盘施加反向吸附电压后与静电卡盘贴合，或者，在进行解吸附时，先停止通入氦气，再打开第二阀门5和/或第三阀门使储存的气体流向晶圆9辅助解吸附以及避免晶圆9与卡盘贴合后，再重新通入氦气检测晶圆9的吸附状态，可以节约更多的氦气用量。

实施例1

采用如表1所示的工艺配方通过半导体设备进行去胶刻蚀：

表1刻蚀工艺配方

其中，工艺腔室的压力范围0.15～0.7Torr，上电极功率范围1000～2500W,下电极功率范围50～200W(避免下电极射频太高对底部氧化硅造成较大损伤),四氟甲烷CF₄含量0.5％～10％，避免四氟甲烷CF₄过高对底部氧化硅造成较大损伤，氮气N₂流含量0.5％～10％，氧气O₂流量范围300～3000sccm，卡盘的温度范围-15度～100度。

工艺结果如下图所示，和现有技术一进行对比

图6示出了使用本发明的卡盘进行去胶刻蚀的晶圆的工艺效果与现有技术的卡盘按相同工艺配方进行去胶刻蚀后的晶圆的工艺效果对照图，其中，a图表示现有技术晶圆表面效果图，c图为a图的放大示意图，b图表示使用本发明的卡盘进行去胶刻蚀的晶圆的工艺效果，d为b图的放大示意图，请参阅图6可以明显看出，a图和c图中的晶圆表面上发黑，而本发明则无异常。

以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (10)

1.一种卡盘，应用于半导体设备的工艺腔室，其特征在于，所述卡盘包括卡盘本体(1)，所述卡盘本体(1)包括用于承载晶圆(9)的承载面，由所述承载面向内沿厚度方向设置有第一通道(2)和导气通道(3)，所述导气通道(3)的进气口位于所述承载面承载晶圆(9)的区域之外，所述第一通道(2)的出气口位于所述承载面承载晶圆(9)的区域之内，所述导气通道(3)的出气口和所述第一通道(2)的进气口通过第一底部通道连通；

所述导气通道(3)靠近所述承载面处设有第一阀门(4)，所述第一底部通道上设有第二阀门(5)，工艺时打开所述第一阀门(4)，关闭所述第二阀门(5)；工艺结束后关闭所述第一阀门(4)，打开所述第二阀门(5)。

2.根据权利要求1所述的卡盘，其特征在于，所述导气通道(3)和所述第一通道(2)均为多个，每个所述导气通道(3)与一个所述第一通道(2)通过一个所述第一底部通道连通，多个所述第一通道(2)和多个所述导气通道(3)沿所述卡盘本体(1)的周向均布。

3.根据权利要求2所述的卡盘，其特征在于，所述第一通道(2)贯穿所述卡盘本体(1)，升降装置驱动顶针(6)在所述第一通道(2)内进行升降运动，所述升降装置在所述第一通道(2)的与所述第一底部通道连通处的下方与所述第一通道(2)气密连接。

4.根据权利要求3所述的卡盘，其特征在于，所述卡盘本体(1)内还设有多个相对所述卡盘本体(1)的径向均布的第二通道(7)，且多个所述第二通道(7)的出气口位于所述承载面承载晶圆(9)的区域之内；

每个所述导气通道(3)通过一个第二底部通道与一个所述第二通道(7)连通，第三阀门位于所述导气通道(3)和所述第二通道(7)之间，所述第三阀门和所述第二阀门(5)同步开启与关闭。

5.根据权利要求4所述的卡盘，其特征在于，所述卡盘本体(1)内设有背氦通道(10)，所述背氦通道(10)的进气口位于所述卡盘本体(1)的底面中心，所述背氦通道(10)的出气口与所述第二底部通道连通，用于向所述第二通道(7)内通入氦气。

6.根据权利要求3所述的卡盘，其特征在于，所述卡盘本体(1)内还设有多个第二通道(7)，每个所述第二通道(7)平行设置于一个所述第一通道(2)和一个所述导气通道(3)之间，且每个所述导气通道(3)通过所述第一底部通道与一个所述第二通道(7)和一个所述第一通道(2)连通，所述第二阀门(5)位于所述导气通道(3)和所述第二通道(7)之间。

7.根据权利要求6所述的卡盘，其特征在于，所述卡盘本体(1)内设有背氦通道(10)，所述背氦通道(10)的进气口位于所述卡盘本体(1)的底面中心，所述背氦通道(10)的出气口与所述第一底部通道连通，用于向所述第一通道(2)和所述第二通道(7)内通入氦气。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的卡盘，其特征在于，所述卡盘本体(1)内设有储气室(8)，所述储气室(8)和所述导气通道(3)连通，所述储气室(8)位于所述第一阀门(4)和所述第二阀门(5)之间，所述储气室(8)的截面积大于所述导气通道(3)的截面积。

9.根据权利要求8所述的卡盘，其特征在于，所述储气室(8)是一个环形腔，所述多个导气通道(3)均与所述储气室(8)连通；或者，

所述储气室(8)为多个，每个所述储气室(8)与一个所述导气通道(3)连通。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括工艺腔室和根据权利要求1至9中任一项所述的卡盘，所述卡盘设于所述半导体设备的所述工艺腔室内，用于承载所述晶圆(9)。

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