CN114110964B - 基于flash闪存的切换控制方法、装置及空调 - Google Patents

基于flash闪存的切换控制方法、装置及空调 Download PDF

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Abstract

本发明公开了基于FLASH闪存的切换控制方法、装置及空调，涉及空调控制技术领域，应用于空调机组，所述空调机组至少包括MCU芯片，还包括外部记忆芯片；其中：所述MCU芯片内设有内置FLASH；在保留原外接记忆芯片基础上增加了一种利用MCU芯片内部的内置FLASH进行记忆的方式，能够实现内置FLASH与外部记忆芯片的自行切换控制，进而实现了通过软件自动调节、自动控制MCU芯片的数据读写方式，能够确保MCU芯片的功能准确性和可靠性，避免外部记忆芯片电路异常导致的MCU芯片出现记忆功能失能而产生客户投诉问题。

Description

基于FLASH闪存的切换控制方法、装置及空调
技术领域
本发明涉及空调控制技术领域，尤其涉及基于FLASH闪存的切换控制方法、装置及空调。
背景技术
空调产品掉电后再次得电若要保持掉电之前的控制状态运行，一般的，均采用控制器读写记忆方式实现，具体包含：利用MCU内嵌FLASH或者外接记忆芯片硬件电路两种方式实现；随着空调产品功能多样化趋势日益显著，用户个性化需求直接促使空调产品趋向于智能化、高可靠性、高性价比设计。
例如中国专利CN111931442A，提出一种采用FPGA可编程芯片内置多线程FLASH存储器，通过软件编程实现FLASH的扩展，降低编程复杂度，但该方式无法确保FLASH出错后记忆功能的可实现性；
例如中国专利CN113157490A，提出一种将内嵌FLASH分区的方式，分别存储相同的数据，一旦出错，则读取另外区域，此方式对于内嵌FLASH空间要求较高，且均采用内嵌FLASH，导致通用性较差，无法满足不同产品需求；
例如中国专利CN113110862A，提出一种采用CPU或基板管理对外部主、从FLASH远程升级，在加载BIOS过程中主、从FLASH自行切换，但该方式未体现双FLASH功能切换；较多的外接式记忆芯片易受外界因素影响致使数据与MCU之间收发异常，造成空调失去记忆功能，进而引起用户投诉。为更好解决如上问题，需新提出一种便捷低成本解决方案；因此，本发明提出基于FLASH闪存的切换控制方法、装置及空调，以解决现有技术中的不足之处。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点，本发明的目的是提供基于FLASH闪存的切换控制方法，应用于空调机组，所述空调机组至少包括MCU芯片，还包括外部记忆芯片；其中：所述MCU芯片内设有内置FLASH；所述的FLASH闪存的切换控制方法，包括以下步骤：
对外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数进行检测；
对外部记忆芯片的写数据过程中的连续出错次数进行检测；
将外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数和写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比；
判断空调机组的机型并划分优先级，再根据优先级进行外部记忆芯片与内置FLASH的切换选择控制。
进一步改进在于：将所述外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比时，当外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数n＞预设值，则认定外部记忆芯片电路异常。
进一步改进在于：将所述外部记忆芯片写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比时，当外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数m＞预设值，则认定外部记忆芯片电路异常。
进一步改进在于：进行外部记忆芯片与内置FLASH的切换控制时，当外部记忆芯片电路异常，则自动切换至内置FLASH进行数据读写。
进一步改进在于：判断空调机组的机型时，将人为通断电源需要高的电器划分为A类机型，将人为通断电源需要低的电器划分为B类机型。
进一步改进在于：对于A类机型的记忆芯片进行功能检测时，设置外部记忆芯片的记忆检测优先级高于内置FLASH的记忆检测优先级；对于B类机型的记忆芯片进行功能检测时，设置内置FLASH的记忆检测优先级高于外部记忆芯片的记忆检测优先级。
一种FLASH闪存的切换控制装置，包括检测模块、对比模块和控制模块；
所述检测模块用于检测外部记忆芯片在读、写数据过程中的连续出错次数；
所述对比模块用于将比外部记忆芯片在读、写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比；
所述控制模块用于根据优先级进行外部记忆芯片与FLASH的切换选择控制。
一种空调，包括存储有计算机程序的计算机可读存储介质和处理器，所述计算机程序被所述处理器读取并运行时，实现一种FLASH闪存的切换控制方法。
本发明的有益效果为：本发明方法实现了在保留原外接记忆芯片基础上增加了一种利用MCU芯片内部的内置FLASH进行记忆的方式，能够实现内置FLASH与外部记忆芯片的自行切换控制，进而实现了通过软件自动调节、自动控制MCU芯片的数据读写方式，能够确保MCU芯片的功能准确性和可靠性，避免外部记忆芯片电路异常导致的MCU芯片出现记忆功能失能而产生客户投诉问题，同时可以提高MCU芯片内部的内置FLASH的利用率，内置FLASH的控制切换仅通过软件控制实现，具有便捷和成本低的优点。
附图说明
图1为本发明实施例一中读数据过程中的连续出错次数检测流程示意图；
图2为本发明实施例二中写数据过程中的连续出错次数检测流程示意图；
图3为本发明实施例三中根据优先级进行外部记忆芯片与内置FLASH的切换选择控制流程示意图。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解，下面将结合实施例对本发明做进一步详述，本实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
实施例一
根据图1所示，本实施例提出基于FLASH闪存的切换控制方法，应用于空调机组，所述空调机组至少包括MCU芯片，还包括外部记忆芯片；其中：所述MCU芯片内设有内置FLASH；所述的FLASH闪存的切换控制方法，包括以下步骤：
对外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数进行检测；
MCU芯片的内置FLASH通过软件指令标志a进行锁存关闭动作，即，当a＝0时，处于锁存关闭状态，此时MCU芯片通过IIC协议与外部记忆芯片进行度数据控制，外部记忆芯片进行读数据的过程为：
空调上电，MCU芯片内的软件程序读取外部记忆芯片的指令，然后读取外部记忆芯片的操作，然后对上述的读取过程的正确性进行校验操作(即将外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数和写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比)：
①：当校验结果正常，则判定外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数n＝0，此时外部记忆芯片电路属于正常状态，进而不需要使用内置FLASH进行读数据操作，即此时a＝0，然后直接结束外部记忆芯片的读数据操作；
②：当校验结果不正常，则检测外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数n的值：
当n≥5，则判定此时外部记忆芯片电路属于异常状态，进而此时需要使用内置FLASH进行读数据操作，即此时内置FLASH不再处于锁存关闭状态，将该状态记为a＝1，然后结束外部记忆芯片的读数据操作；
当n＜5，则重新回到软件程序读取外部记忆芯片的操作，然后对读取过程的正确性进行校验操作。
通过对外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数进行检测，可以判断出外部记忆芯片的电路有无发生异常，进而可以保证MCU芯片保持稳定的记忆能力，不会失能导致发生记忆内容缺失。
实施例二
根据图2所示，本实施例提出基于FLASH闪存的切换控制方法，应用于空调机组，所述空调机组至少包括MCU芯片，还包括外部记忆芯片；其中：所述MCU芯片内设有内置FLASH；所述的FLASH闪存的切换控制方法，包括以下步骤：
对外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数进行检测；
对外部记忆芯片的写数据过程中的连续出错次数进行检测；
MCU芯片的内置FLASH通过软件指令标志a进行锁存关闭动作，即，当a＝0时，处于锁存关闭状态，此时MCU芯片通过IIC协议与外部记忆芯片进行度数据控制，外部记忆芯片进行写数据的过程为：
空调整机运行，MCU芯片内的软件程序写入外部记忆芯片的指令，然后对外部记忆芯片内容进行擦除，然后再对外部记忆芯片进行写入操作，然后对上述的写入过程的正确性进行校验操作(即将外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数和写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比)：
①：当校验结果正常，则判定外部记忆芯片的写数据过程中的连续出错次数m＝0，此时外部记忆芯片电路属于正常状态，进而不需要使用内置FLASH进行读数据操作，即此时a＝0，然后直接结束外部记忆芯片的写读数据操作；
②：当校验结果不正常，则检测外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数m的值：
当m≥5，则判定此时外部记忆芯片电路属于异常状态，进而此时需要使用内置FLASH进行写数据操作，即此时内置FLASH不再处于锁存关闭状态，将该状态记为a＝1，然后结束外部记忆芯片的写数据操作；
当m＜5，则重新回到软件程序对外部记忆芯片内容进行擦除的操作，然后再对外部记忆芯片进行写入操作，然后对上述的过程的正确性进行校验操作。
通过对外部记忆芯片的写数据过程中的连续出错次数进行检测，可以判断出外部记忆芯片的电路有无发生异常，进而可以保证MCU芯片保持稳定的记忆能力，不会失能导致发生记忆内容缺失。
实施例三
根据图3所示，基于FLASH闪存的切换控制方法，应用于空调机组，所述空调机组至少包括MCU芯片，还包括外部记忆芯片；其中：所述MCU芯片内设有内置FLASH；所述的FLASH闪存的切换控制方法，包括以下步骤：
对外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数进行检测；
对外部记忆芯片的写数据过程中的连续出错次数进行检测；
将外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数和写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比；
判断空调机组的机型并划分优先级，再根据优先级进行外部记忆芯片与内置FLASH的切换选择控制；
判断空调机组的机型过程为：
在空调上电后进行机型识别操作，具体为：读取软件程序中预存的空调机型信息数据；
然后对空调机型信息数据进行判断，判断空调机型属于人为通断电源需要高的A类机型，还是人为通断电源需要低的B类机型(例如：窗机、移动机、除湿机等人为通断电源需要高的A类机型，商用机型、分体式柜机、壁挂机空调等属于人为通断电源需要低的B类机型)；
当判断空调机型属于A类机型，则将软件程序中的程序功能设置为：每次空调上电后均清除指令标志a及连续出错次数n和m，然后优先判断外置记忆芯片是否功能正常，即程序设置外置记忆芯片记忆检测优先级高于内置FLASH记忆检测；
当判断空调机型属于B类机型，则将软件程序中的程序功能设置为：将指令标志a设置成a＝1，然后打开内置FLASH进行数据读写操作，同时将连续出错次数n和m的值写入内部FLASH记忆，即程序设置内置FLASH记忆检测优先级高于外置记忆芯片记忆检测。
本发明方法实现了在保留原外接记忆芯片基础上增加了一种利用MCU芯片内部的内置FLASH进行记忆的方式，能够实现内置FLASH与外部记忆芯片的自行切换控制，进而实现了通过软件自动调节、自动控制MCU芯片的数据读写方式，能够确保MCU芯片的功能准确性和可靠性，避免外部记忆芯片电路异常导致的MCU芯片出现记忆功能失能而产生客户投诉问题，同时可以提高MCU芯片内部的内置FLASH的利用率，内置FLASH的控制切换仅通过软件控制实现，具有便捷和成本低的优点。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.基于FLASH闪存的切换控制方法，其特征在于：应用于空调机组，所述空调机组至少包括MCU芯片，还包括外部记忆芯片；其中：所述MCU芯片内设有内置FLASH；所述的FLASH闪存的切换控制方法，包括以下步骤：
对外部记忆芯片的读数据过程中的连续出错次数进行检测；
对外部记忆芯片的写数据过程中的连续出错次数进行检测；
将外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数和写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比；
判断空调机组的机型，将人为通断电源需要高的电器划分为A类机型，将人为通断电源需要低的电器划分为B类机型，并划分优先级，再根据优先级进行外部记忆芯片与内置FLASH的切换选择控制；
将所述外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比时，当外部记忆芯片读数据过程中的连续出错次数n＞预设值，则认定外部记忆芯片电路异常；
将所述外部记忆芯片写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比时，当外部记忆芯片写数据过程中的连续出错次数m＞预设值，则认定外部记忆芯片电路异常；
进行外部记忆芯片与内置FLASH的切换控制时，当外部记忆芯片电路异常，则自动切换至内置FLASH进行数据读写。
2.根据权利要求1所述的基于FLASH闪存的切换控制方法，其特征在于：对于A类机型的记忆芯片进行功能检测时，设置外部记忆芯片的记忆检测优先级高于内置FLASH的记忆检测优先级；对于B类机型的记忆芯片进行功能检测时，设置内置FLASH的记忆检测优先级高于外部记忆芯片的记忆检测优先级。
3.一种FLASH闪存的切换控制装置，其特征在于：实现如权利要求1-2任一项所述的FLASH闪存的切换控制方法，包括检测模块、对比模块和控制模块；
所述检测模块用于检测外部记忆芯片在读、写数据过程中的连续出错次数；
所述对比模块用于将外部记忆芯片在读、写数据过程中的连续出错次数与预设值进行对比；
判断空调机组的机型，将人为通断电源需要高的电器划分为A类机型，将人为通断电源需要低的电器划分为B类机型，划分优先级，所述控制模块用于根据优先级进行外部记忆芯片与FLASH的切换选择控制。
4.一种空调，其特征在于：包括存储有计算机程序的计算机可读存储介质和处理器，所述计算机程序被所述处理器读取并运行时，实现如权利要求1-2任一项所述的FLASH闪存的切换控制方法。
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