CN115312101A - 一种记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备。其中，该方法包括：判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求；当有写需求时，将写需求对应的记忆芯片页码进行记录；延时第一预设时间后，再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求；当有新的写需求时，延时第一预设时间后，根据记录的页码对记忆芯片执行写操作；其中，第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。本发明通过双延时策略，在发生掉电时使主板供电电压衰减至记忆芯片最低工作电压之下才执行写操作，避免了在由主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压的时间段内执行写操作，规避记忆芯片在低电压区间被误写的可能性。

Description

一种记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备

技术领域

本发明涉及控制技术领域，具体而言，涉及一种记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备。

背景技术

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，带电可擦可编程只读存储器)是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。用电设备(如空调、洗衣机等)采用EEPROM作为记忆芯片，用来存储设备运行的重要参数，对记忆芯片进行误写操作，写入错误数据，将会导致设备运行失常。设备控制器主板在设备掉电低电压状态下，容易对记忆芯片产生误写操作。

主控芯片(MCU)的最低工作电压高于记忆芯片(EEPROM)的最低工作电压，控制器主板掉电后，供电电压下降，存在一段低电压区间，该区间低于主控芯片最低工作电压且高于记忆芯片最低工作电压，此时，主控芯片因低电压导致其RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)数据出现异常，但记忆芯片仍然可以被正常写入，从而导致记忆芯片可能被误写。

目前的设备参数防改写方法，可以通过上电后判断记忆芯片的数据是否正常，若正常，则使用，若不正常，则采用上一次掉电的备份数据，该方法能够将记忆芯片中的数据恢复到上一次备份的正常状态数据，但是不能防止记忆芯片被误写，会造成较多的已更新参数没有被记忆。

针对现有技术中设备主控芯片在掉电时可能对记忆芯片进行误写的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供一种记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备，以至少解决现有技术中设备主控芯片在掉电时可能对记忆芯片进行误写的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种记忆芯片防误写控制方法，包括：

判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求；

当有写需求时，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录；

延时第一预设时间后，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求；

当有新的写需求时，延时第一预设时间后，根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作；

其中，所述第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。

可选的，在判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求之后，还包括：当没有写需求时，延时第二预设时间后，返回执行所述判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求的步骤；其中，所述第二预设时间小于所述第一预设时间。

可选的，在再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求之后，还包括：当没有新的写需求时，直接根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作。

可选的，判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求，或者，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求，包括：判断所述主控芯片的数据更新区与数据备份区的数据是否一致；若数据一致，则确定没有写需求；若数据不一致，则确定有写需求；其中，所述数据更新区用于存储需要写入所述记忆芯片的数据，所述数据备份区用于对写入所述记忆芯片的数据进行备份。

可选的，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录，包括：将所述写需求对应的记忆芯片页码加入延时队列，并将所述数据更新区的数据写入所述数据备份区。

可选的，所述第一预设时间为N个记忆芯片更新周期。

可选的，所述第二预设时间为一个记忆芯片更新周期。

本发明实施例还提供了一种记忆芯片防误写控制装置，包括：

第一判断模块，用于判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求；

记录模块，用于当有写需求时，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录；

第一延时模块，用于延时第一预设时间；

第二判断模块，用于在延时第一预设时间后，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求；

第二延时模块，用于当有新的写需求时，延时第一预设时间；

执行模块，用于在延时第一预设时间后，根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作；

其中，所述第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。

本发明实施例还提供了一种用电设备，包括：本发明实施例所述的记忆芯片防误写控制装置。

可选的，所述用电设备包括：空调、洗衣机、冰箱、热水器、风扇、烘干机、空气净化器、净水器或纯水机。

本发明实施例还提供了一种非易失性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本发明实施例所述方法的步骤。

应用本发明的技术方案，判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求，当有写需求时，将写需求对应的记忆芯片页码进行记录，延时第一预设时间后，再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求，当有新的写需求时，延时第一预设时间后，根据记录的页码对记忆芯片执行写操作，其中，第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。在产生写记忆芯片需求后，通过双延时策略，在发生掉电的情况下能够使控制器主板的供电电压衰减至记忆芯片的最低工作电压之下才执行写操作，避免了在由主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压的这个时间段内执行写操作，从而规避记忆芯片在低电压区间被误写的可能性，保证设备稳定运行，解决了设备主控芯片在掉电时可能对记忆芯片进行误写的问题。

附图说明

图1是本发明实施例提供的空调机组掉电后控制器主板供电电压下降曲线图；

图2是本发明实施例提供的记忆芯片防误写控制方法的流程图；

图3是本发明实施例提供的双延时写记忆芯片的控制流程图；

图4是本发明实施例提供的记忆芯片防误写控制装置的结构框图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

下面结合附图详细说明本发明的可选实施例。

如图1所示，为空调机组掉电后控制器主板供电电压下降曲线图，在t0～t1时间段，机组掉电，但主控芯片和记忆芯片仍然可以正常工作。在t1～t2时间段，主控芯片不能正常工作，记忆芯片仍然可以正常工作，在t1～t2时间段，主控芯片可能会产生异常数据，由于主控芯片和记忆芯片工作电压的差异性，导致误写记忆芯片。在大于t2的时间段，主控芯片和记忆芯片均不能正常工作。当控制器主板处于t1～t2时间段时，由于此时间段的电压低于主控芯片最低工作电压而高于记忆芯片最低工作电压，容易触发误写记忆芯片的操作。

本发明实施例提供一种记忆芯片防误写控制方法，该方法可以由主控芯片执行。图2是本发明实施例提供的记忆芯片防误写控制方法的流程图，如图2所示，该方法包括以下步骤：

S201，判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求。

S202，当有写需求时，将写需求对应的记忆芯片页码进行记录。

S203，延时第一预设时间后，再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求。

S204，当有新的写需求时，延时第一预设时间后，根据记录的页码对记忆芯片执行写操作。

其中，第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间(即图1中t1～t2时间段所对应的时长t2-t1)。记忆芯片内部分为若干个页，每一页可以存储若干个字节数据，记忆芯片的数据更新以页为单位。

主控芯片工作过程中，无论主控芯片处于正常供电状态还是掉电状态，都按照本发明实施例所述的方法来对记忆芯片执行写操作，具体是循环执行两次判断的过程。

第一次判断出有写需求，经过第一次延时后，若供电电压降至记忆芯片最低工作电压之下，即图1中t2以后的时间段，此时记忆芯片已经无法正常工作，任何数据都无法写入记忆芯片中。进而无论第二次判断结果如何，都无法将数据写入记忆芯片。也就是说，如果第一次判断出的写需求是由掉电低电压导致主控芯片RAM出现异常变化而引起，通过第一次延时，避开了在t1～t2时间段执行写操作，异常数据(或称为错误数据)不会被写入记忆芯片。

若第一次判断出有写需求是发生在图1中t1时刻之前，在第一次延时后，可能会落入t1～t2时间段，此时并不执行写操作，若第二次判断出有新的写需求，表示在t1～t2时间段产生异常数据，经过第二次延时后，会进入图1中t2以后的时间段，此时针对第一次判断出的写需求执行写操作，但记忆芯片已经无法正常工作，任何数据都无法写入记忆芯片中，即，通过两次延时避开了在t1～t2时间段执行写操作。

上述两种情况下，如果第一次判断出的写需求是正常数据，无法被写入记忆芯片，该数据将被舍弃，主要是为了防止掉电时记忆芯片被误写，舍弃一点正常数据，设备也能按照记忆芯片中之前的数据正常运行，但若记忆芯片被误写，当设备使用被误写的错误数据时，会导致无法正常运行。

通过上述双延时策略，能够保证在t1～t2时间段不会对记忆芯片进行写操作，从而防止掉电时对记忆芯片进行误写。

本实施例判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求，当有写需求时，将写需求对应的记忆芯片页码进行记录，延时第一预设时间后，再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求，当有新的写需求时，延时第一预设时间后，根据记录的页码对记忆芯片执行写操作，其中，第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。在产生写记忆芯片需求后，通过双延时策略，在发生掉电的情况下能够使控制器主板的供电电压衰减至记忆芯片的最低工作电压之下才执行写操作，避免了在由主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压的这个时间段内执行写操作，从而规避记忆芯片在低电压区间被误写的可能性，保证设备稳定运行，解决了设备主控芯片在掉电时可能对记忆芯片进行误写的问题。

在S201判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求之后，还包括：当没有写需求时，延时第二预设时间后，返回执行S201判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求的步骤；其中，第二预设时间小于第一预设时间。也就是说，对于第一次判断，若判断出没有写需求，则延时较短的时间后，再重新执行第一次判断。由此能够保证整个写记忆芯片的控制流程的继续执行，并能够及时发现写需求。

在S203再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求之后，还包括：当没有新的写需求时，直接根据记录的页码对记忆芯片执行写操作。也就是说，对于第二次判断，若判断出没有新的写需求，则直接针对第一次判断出来的写需求对记忆芯片执行写操作。如前所述，若第一次判断出有写需求是发生在图1中t1时刻之前，在第一次延时后，可能会落入t1～t2时间段，此时并不执行写操作，若第二次判断出没有新的写需求，表示在t1～t2时间段没有产生异常数据，无需延时，直接针对第一次判断出的写需求执行写操作，也不会导致记忆芯片误写。

具体的，主控芯片包括数据更新区和数据备份区，数据更新区用于存储需要写入记忆芯片的数据，数据备份区用于对写入记忆芯片的数据进行备份。设备运行过程中，记忆参数更新后，数据会写入数据更新区。

S201判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求，或者，S203再次判断主控芯片是否对记忆芯片有新的写需求，包括：判断主控芯片的数据更新区与数据备份区的数据是否一致；若数据一致，则确定没有写需求；若数据不一致，则确定有写需求。通过数据更新区和数据备份区的比较，能够快速准确判断出是否产生写需求。

进一步的，将写需求对应的记忆芯片页码进行记录，包括：将写需求对应的记忆芯片页码加入延时队列，并将数据更新区的数据写入数据备份区。其中，写需求对应的记忆芯片页码是指数据更新区与数据备份区中数据不一致的区域所对应的页码。此时将数据更新区的数据写入数据备份区，能够保证第二次判断的准确性。通过延时队列可以有效实现延时写操作。

根据记录的页码对记忆芯片执行写操作，包括：从延时队列中读取记忆芯片页码，并根据记忆芯片页码对记忆芯片进行写操作。

记忆芯片内部分为若干个页，每一页可以存储若干个字节数据，记忆芯片的数据更新以页为单位，根据固定的时间间隔依次扫描各个页，记该时间间隔为记忆芯片更新周期T。

优选的，第一预设时间可以是N个记忆芯片更新周期。第二预设时间可以是一个记忆芯片更新周期。N＞0，N的取值需要保证N个记忆芯片更新周期所对应的时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。

下面结合一个具体实施例对上述记忆芯片防误写控制方法进行说明，然而值得注意的是，该具体实施例仅是为了更好地说明本申请，并不构成对本申请的不当限定。与上述实施例相同或相应的术语解释，本实施例不再赘述。

在主控芯片的RAM中开辟两个存储空间用于存储写记忆芯片的数据，即数据更新区和数据备份区，数据更新区用于存储需要写入记忆芯片的数据，数据备份区对写入记忆芯片的数据进行备份。设备运行过程中，记忆参数更新后，数据会写入数据更新区。

如图3所示，双延时写记忆芯片的控制流程包括以下步骤：

S301，开始。

S302，首次判断数据更新区与数据备份区的数据是否一致，若一致，进入S303，若不一致，进入S304。本步骤中首次进行数据对比的目的是为了判断设备在运行过程中是否有记忆参数更新，即是否产生对记忆芯片的写需求。

S303，延时T，T表示记忆芯片更新周期，并返回执行S302。

S304，将数据不一致的区域所对应的记忆芯片页码加入延时队列。

S305，将数据更新区的数据写入数据备份区。

S306，首次延时N个记忆芯片更新周期T(即延时N×T)，其中，N取值的依据是保证N×T≥t2-t1。在经过首次延时后，若供电电压下降至记忆芯片最低工作电压之下，即图1中t2之后的时间段，此时记忆芯片无法正常工作，不会被写入。若数据更新区与数据备份区的数据不一致是由于低电压导致主控芯片的RAM出现异常变化而引起的，经过本步骤的延时写操作，异常数据不会被写入记忆芯片。

S307，进行首次延时之后，再次判断数据更新区与数据备份区的数据是否一致，若一致，进入S308，若不一致，进入S309。

S308，根据延时队列记录的记忆芯片页码对记忆芯片执行写操作，然后返回S302进入下一轮判断。

S309，再次延时N个记忆芯片更新周期T(即延时N×T)，结束延时后，进入S308以对记忆芯片执行写操作。若首次出现数据更新区与数据备份区的数据不一致是发生在图1中的t1时刻之前，在首次延时之后，可能会落入t1～t2时间段，因此进行再次延时，以保证在t1～t2时间段不会对记忆芯片进行写操作，以规避误写操作。

通过本实施例的双延时写记忆芯片的控制方法，主控芯片在正常供电状态下，产生写需求后，该写需求对应的正常数据，会延时写入记忆芯片，但由于写记忆芯片的实时性需求并不是很高，所以延时写入记忆芯片，也并不会影响设备正常运行。主要是为了避免对记忆芯片误写，保证记忆芯片数据的准确性，在掉电状态下将主控芯片执行写操作的时机控制在图1中t2时刻之后。

本实施例的双延时写记忆芯片的控制方法，在产生写记忆芯片需求后，采用双延时策略，使控制器主板供电电压衰减至记忆芯片最低工作电压之下，规避了主控芯片在掉电低电压状态下对记忆芯片的误写操作，规避记忆芯片在低电压区间被误写的可能性，防止掉电时低电压误写记忆芯片，保证了设备稳定运行。

基于同一发明构思，本实施例提供了一种记忆芯片防误写控制装置，可以用于实现上述实施例所述的记忆芯片防误写控制方法。该装置可以通过软件和/或硬件实现，该装置一般可集成于主控芯片中。

图4是本发明实施例提供的记忆芯片防误写控制装置的结构框图，如图4所示，该装置包括：

第一判断模块41，用于判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求；

记录模块42，用于当有写需求时，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录；

第一延时模块43，用于延时第一预设时间；

第二判断模块44，用于在延时第一预设时间后，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求；

第二延时模块45，用于当有新的写需求时，延时第一预设时间；

执行模块46，用于在延时第一预设时间后，根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作；

其中，所述第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。

可选的，上述装置还包括：第三延时模块，用于在判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求之后，当没有写需求时，延时第二预设时间后，返回执行所述判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求的步骤；其中，所述第二预设时间小于所述第一预设时间。

可选的，执行模块46还用于：在再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求之后，当没有新的写需求时，直接根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作。

可选的，第一判断模块41或第二判断模块44包括：

判断单元，用于判断所述主控芯片的数据更新区与数据备份区的数据是否一致；

第一确定单元，用于若数据一致，则确定没有写需求；

第二确定单元，用于若数据不一致，则确定有写需求；

其中，所述数据更新区用于存储需要写入所述记忆芯片的数据，所述数据备份区用于对写入所述记忆芯片的数据进行备份。

可选的，记录模块42具体用于：将所述写需求对应的记忆芯片页码加入延时队列，并将所述数据更新区的数据写入所述数据备份区。

可选的，所述第一预设时间为N个记忆芯片更新周期。

可选的，所述第二预设时间为一个记忆芯片更新周期。

上述记忆芯片防误写控制装置可执行本发明实施例所提供的记忆芯片防误写控制方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明实施例提供的记忆芯片防误写控制方法。

本发明实施例还提供一种用电设备，包括：上述实施例所述的记忆芯片防误写控制装置。

用电设备可以包括：空调、洗衣机、冰箱、热水器、风扇、烘干机、空气净化器、净水器或纯水机。

本发明实施例还提供一种非易失性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例所述方法的步骤。

本发明实施例还提供一种计算机设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述实施例所述方法的步骤。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (11)

1.一种记忆芯片防误写控制方法，其特征在于，包括：

判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求；

当有写需求时，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录；

延时第一预设时间后，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求；

当有新的写需求时，延时第一预设时间后，根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作；

其中，所述第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求之后，还包括：

当没有写需求时，延时第二预设时间后，返回执行所述判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求的步骤；

其中，所述第二预设时间小于所述第一预设时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求之后，还包括：

当没有新的写需求时，直接根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求，或者，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求，包括：

判断所述主控芯片的数据更新区与数据备份区的数据是否一致；

若数据一致，则确定没有写需求；

若数据不一致，则确定有写需求；

其中，所述数据更新区用于存储需要写入所述记忆芯片的数据，所述数据备份区用于对写入所述记忆芯片的数据进行备份。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录，包括：

将所述写需求对应的记忆芯片页码加入延时队列，并将所述数据更新区的数据写入所述数据备份区。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间为N个记忆芯片更新周期。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间为一个记忆芯片更新周期。

8.一种记忆芯片防误写控制装置，其特征在于，包括：

第一判断模块，用于判断主控芯片是否对记忆芯片有写需求；

记录模块，用于当有写需求时，将所述写需求对应的记忆芯片页码进行记录；

第一延时模块，用于延时第一预设时间；

第二判断模块，用于在延时第一预设时间后，再次判断所述主控芯片是否对所述记忆芯片有新的写需求；

第二延时模块，用于当有新的写需求时，延时第一预设时间；

执行模块，用于在延时第一预设时间后，根据记录的页码对所述记忆芯片执行写操作；

其中，所述第一预设时间大于或等于掉电后从主控芯片最低工作电压下降到记忆芯片最低工作电压所需的时间。

9.一种用电设备，其特征在于，包括：权利要求8所述的记忆芯片防误写控制装置。

10.根据权利要求9所述的用电设备，其特征在于，所述用电设备包括：空调、洗衣机、冰箱、热水器、风扇、烘干机、空气净化器、净水器或纯水机。

11.一种非易失性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述方法的步骤。

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