CN115273944A - 一种eeprom数据存储电路、写入方法及空调器 - Google Patents

一种eeprom数据存储电路、写入方法及空调器 Download PDF

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Abstract

本申请实施例属于变频空调驱动技术领域，涉及一种EEPROM数据存储电路，包括主控芯片和烧录器，主控芯片与烧录器连接，用于存储EEPROM数据和控制程序；烧录器用于将EEPROM数据和控制程序写入主控芯片。本申请还涉及一种EEPROM数据写入方法及空调器。本申请提供的技术方案能够降低烧录芯片和EEPROM成本，节约了PCB板上元件的数量，减少PCB空间占用。

Description

一种EEPROM数据存储电路、写入方法及空调器
技术领域
本申请涉及变频空调驱动技术领域，更具体地，涉及一种EEPROM数据存储电路、写入方法及空调器。
背景技术
空调运行相关参数通常保存在EEPROM(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，电可擦可编程只读存储器)存储器中，在空调主板上电后由MCU(微控制单元)读取EEPROM存储器存储的运行相关参数，并根据读取到的运行相关参数控制空调机组运行。现有的空调开放板基本上都外置了一个EEPROM，为了方便的配置整机的相关控制信息，一般采用控制芯片外挂EEPROM存储器，使控制芯片驱动相关的控制参数，从而达到不同变频器输出控制的不同。但是，外挂EEPROM存储器，生产的时候除了烧录控制芯片的控制程序还要烧录外挂EEPROM的控制参数，提高烧录芯片的成本，同时，外挂EEPROM存储器安装的时候还会占用PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)板的位置。
发明内容
本申请实施例所要解决的技术问题是相关技术中外挂EEPROM存储器造成烧录芯片成本高，而且还占用PCB板空间。
为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种EEPROM数据存储电路，采用了如下所述的技术方案：
主控芯片和烧录器；
所述主控芯片与所述烧录器连接，用于存储EEPROM数据和控制程序；
所述烧录器用于将所述EEPROM数据和所述控制程序写入所述主控芯片。
进一步的，所述电路包括保护电阻；
所述保护电阻连接于所述主控芯片与所述烧录器之间，用于防止静电。
进一步的，所述电路还包括上拉电阻，所述主控芯片通过IIC总线与所述烧录器连接；
所述上拉电阻的第一端分别与电源和所述烧录器连接，所述上拉电阻的第二端通过所述IIC总线分别连接至所述主控芯片和所述烧录器。
为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种EEPROM数据的写入方法，采用了如下所述的技术方案：
所述主控芯片上电后初始化通信接口，并监听所述通信接口；
所述主控芯片接收所述烧录器发送的烧录控制指令，并根据所述烧录控制指令将所述EEPROM数据和所述控制程序写入预设存储区域。
进一步的，所述主控芯片根据所述烧录控制指令将所述EEPROM数据写入预设存储区域的步骤包括：
所述主控芯片根据所述烧录控制指令获得烧录地址，根据所述烧录地址得到相应的预设存储区域；
所述主控芯片通过所述烧录控制指令的执行参数，执行所述主控芯片内部运算将所述EEPROM数据写入所述预设存储区域，将所述控制程序写入所述主控芯片的程序存储区域。
进一步的，所述预设存储区域为所述主控芯片内部存储区域，所述内部存储区域设置有第一区间和第二区间，所述执行所述主控芯片内部的控制程序将所述EEPROM数据写入所述预设存储区域地址的步骤包括：
所述控制芯片从所述EEPROM数据中分别获取EEPROM参数地址及其对应的EEPROM参数数据；
通过所述执行参数将所述EEPROM参数地址依次写入所述第一区间，将所述EEPROM参数数据按照所述EEPROM参数地址的写入顺序写入所述第二区间。
进一步的，所述预设存储区域为预留扇区区域，所述方法还包括：
获取原始控制程序中的地址配置参数，使用所述预留扇区区域的扇区地址替换所述地址配置参数，得到所述控制程序。
在所述主控芯片根据所述烧录控制指令将所述EEPROM数据写入预设存储区域的步骤之后还包括：
所述主控芯片接收所述烧录器发送的读取控制指令，根据所述读取控制指令从所述预设存储区域中读取相应的EEPROM数据，并将所述EEPROM数据发送至所述烧录器。
进一步的，所述根据所述读取控制指令从所述预设存储区域中读取相应的EEPROM数据的步骤包括：
所述主控芯片从所述读取控制指令中获取读取地址；
将所述读取地址映射至所述预设存储区域的存储地址；
从所述存储地址读取相应的EEPROM数据反馈至所述烧录器。
为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种空调器，包括如上所述的EEPROM数据存储电路。
与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：
本申请提供的EEPROM数据存储电路，包括主控芯片和烧录器，主控芯片与烧录器连接，用于存储EEPROM数据和控制程序；烧录器用于将EEPROM数据和控制程序写入主控芯片；本申请通过将EEPROM数据和控制程序融合烧录在主控芯片里，可以降低烧录芯片和EEPROM成本，节约了PCB板上元件的数量，减少PCB空间占用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1本申请提供的EEPROM数据存储电路的结构示意图。
具体实施方式
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本申请实施例提供一种EEPROM数据存储电路，参见图1所示，包括主控芯片10和烧录器20，主控芯片10与烧录器20连接，用于存储EEPROM数据和控制程序；烧录器20用于将EEPROM数据和控制程序写入主控芯片10。
在本实施例中，将EEPROM数据和控制程序融合后烧录在主控芯片10中，具体的，可以是把EEPROM数据和控制程序一次更新到主控芯片10中，还可以是将EEPROM数据和控制程序合并到一个烧录文件后烧录至主控芯片10。
其中，控制程序用于驱动相关的控制参数来控制不同变频器，产品的控制程序都是相同的，只是控制参数存在差异。根据产品匹配的负载，比如压缩机的功率、市电电压、频率不同，配置控制参数和对应的保护限值，其中，控制参数作为EEPROM数据。
在一些可选的实现方式中，EEPROM数据存储电路还包括保护电阻30，保护电阻30连接于主控芯片10和烧录器20之间，用于防止静电，进而保护电路。
主控芯片10通过IIC总线与烧录器20连接，由于IIC总线上的器件端口输出属于开漏输出，因此IIC总线上要带有上拉电阻才能工作。
在本实施例中，EEPROM数据存储电路还包括上拉电阻40，上拉电阻40的第一端分别与电源VCC1和烧录器20连接，上拉电阻40的第二端通过IIC总线分别连接至主控芯片10和烧录器20。
具体的，主控芯片10上设置有第一IIC总线引脚，包括ESCL引脚和ESAD引脚，烧录器20上设置有电源引脚1和第二IIC总线引脚，其中，第二IIC总线引脚包括ESCL’引脚2和ESAD’引脚3，上拉电阻40包括电阻R3和电阻R4，上拉电阻40的第一端包括电阻R3的第一端和电阻R4的第一端，上拉电阻40的第二端包括电阻R3的第二端和电阻R4的第二端。
电阻R3的第一端分别与电源VCC1和烧录器20的电源引脚1连接，电阻R3的第二端分别连接至主控芯片10的ESCL引脚和烧录器20的ESCL’引脚2，同理，电阻R4的第一端分别与电源VCC1和烧录器20的电源引脚1连接，电阻R4的第二端分别连接至主控芯片10的ESAD引脚和烧录器20的ESAD’引脚3。
在本实施例中，保护电阻30包括电阻R1和电阻R2，电阻R1的第一端分别与电阻R3的第二端和主控芯片10的ESAD引脚连接，电阻R1的第二端与烧录器20的ESAD’引脚3连接；电阻R2的第一端分别与电阻R4的第二端和主控芯片10的ESCL引脚连接，电阻R2的第二端与烧录器20的ESCL’引脚2连接。
在本实施例中，主控芯片10上还设置有连接至VCC2的电源引脚和接地引脚。
本申请提供的EEPROM数据存储电路，通过将EEPROM数据和控制程序融合烧录在主控芯片里，可以降低烧录芯片和EEPROM成本，节约了PCB板上元件的数量，减少PCB空间占用。
基于上述的EEPROM数据存储电路，本申请实施例还提供一种EEPROM数据的写入方法，该方法包括以下步骤：
步骤S10，主控芯片10上电后初始化通信接口，并监听通信接口；
步骤S20，主控芯片10接收烧录器20发送的烧录控制指令，并根据烧录控制指令将EEPROM数据和控制程序写入预设存储区域。
在本实施例中，电源VCC2可以为主控芯片10供电，在没有电的情况下，也可以外接烧录器20给主控芯片10供电。
主控芯片10上电后，初始化IIC总线端口开启相应的IIC通信，并监听通信接口的状态，在接收到烧录器20发出的烧录控制指令时，主控芯片10获取到烧录控制指令，根据烧录控制指令获得烧录地址，根据烧录地址得到相应的预设存储区域地址，通过烧录控制指令的执行参数，执行主控芯片10内部运算将EEPROM数据写入预设存储区域地址，将控制程序写入相应的程序存储区域。
在本实施例中，预设存储区域可以是主控芯片10内部存储区域，也可以是预留扇区区域。
在预设存储区域为主控芯片10内部存储区域，即主控芯片10内部有EEPROM存储介质，该EEPROM存储介质可以为主控芯片10自身的FLASH区间，FLASH区间内设置有第一区间和第二区间，EEPROM数据包括EEPROM参数地址和EEPROM参数地址对应的EEPROM参数数据，根据执行参数将EEPROM参数地址依次写入第一区间，并将EEPROM参数数据按照EEPROM参数地址的写入顺序写入第二区间。
在主控芯片10内部没有专用的EEPROM数据存储介质，在控制程序编制阶段把预留部分扇区作为常数区域，在烧录前把原始控制程序相应的地址配置参数替换掉，设置为扇区地址，得到最终的控制程序，将控制程序烧录到程序存储区域。
在本实施例中，将EEPROM数据和控制程序写入主控芯片10后，可以对EEPROM数据进行读取，具体的，烧录器20发送读取控制指令给控制芯片10，控制芯片10根据读取控制指令从预设存储区域中读取相应的EEPROM数据，并将EEPROM数据发送至烧录器20。
主控芯片10从读取控制指令中获取读取地址，将读取地址映射至预设存储区域的存储地址，从存储地址读取相应的EEPROM数据反馈至烧录器20。
具体的，在主控芯片10内部有EEPROM存储介质时，读取地址为外部EEPROM地址，直接将外部EEPROM地址映射到内部存储地址中，比如，使用内部存储地址0替代外部EEPROM地址0，当然也可以进行简单的地址偏移处理存储，比如内部存储地址0x10替代外部EEPROM地址0以此类推。
在主控芯片10内部没有EEPROM存储介质时，把外部EEPROM地址映射到预留扇区区域FLASH区域进行控制操作，替代方法如上。
本申请实施例将控制程序和EEPROM数据融合烧录到主控芯片，主控芯片通过程序模拟实现EEPROM存储器的作用，监听烧录器发生的命令和数据做出和EEPROM存储器的相同回应，不需要外挂EEPROM存储器，节约芯片烧录成本和EEPROM成本。
本申请实施例还提供一种空调器，包括如上所述的EEPROM数据存储电路。
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。

Claims (10)

1.一种EEPROM数据存储电路，其特征在于，包括：
主控芯片和烧录器；
所述主控芯片与所述烧录器连接，用于存储EEPROM数据和控制程序；
所述烧录器用于将所述EEPROM数据和所述控制程序写入所述主控芯片。
2.根据权利要求1所述的EEPROM数据存储电路，其特征在于，所述电路包括保护电阻；
所述保护电阻连接于所述主控芯片与所述烧录器之间，用于防止静电。
3.根据权利要求1所述的EEPROM数据存储电路，其特征在于，所述电路还包括上拉电阻，所述主控芯片通过IIC总线与所述烧录器连接；
所述上拉电阻的第一端分别与电源和所述烧录器连接，所述上拉电阻的第二端通过所述IIC总线分别连接至所述主控芯片和所述烧录器。
4.一种EEPROM数据的写入方法，包括权利要求1至3中任一项所述的EEPROM数据存储电路，其特征在于，包括如下步骤：
所述主控芯片上电后初始化通信接口，并监听所述通信接口；
所述主控芯片接收所述烧录器发送的烧录控制指令，并根据所述烧录控制指令将所述EEPROM数据和所述控制程序写入预设存储区域。
5.根据权利要求4所述的EEPROM数据的写入方法，其特征在于，所述主控芯片根据所述烧录控制指令将所述EEPROM数据写入预设存储区域的步骤包括：
所述主控芯片根据所述烧录控制指令获得烧录地址，根据所述烧录地址得到相应的预设存储区域；
所述主控芯片通过所述烧录控制指令的执行参数，执行所述主控芯片内部运算将所述EEPROM数据写入所述预设存储区域，将所述控制程序写入所述主控芯片的程序存储区域。
6.根据权利要求4所述的EEPROM数据的写入方法，其特征在于，所述预设存储区域为所述主控芯片内部存储区域，所述内部存储区域设置有第一区间和第二区间，所述执行所述主控芯片内部的控制程序将所述EEPROM数据写入所述预设存储区域地址的步骤包括：
所述控制芯片从所述EEPROM数据中分别获取EEPROM参数地址及其对应的EEPROM参数数据；
通过所述执行参数将所述EEPROM参数地址依次写入所述第一区间，将所述EEPROM参数数据按照所述EEPROM参数地址的写入顺序写入所述第二区间。
7.根据权利要求4所述的EEPROM数据的写入方法，其特征在于，所述预设存储区域为预留扇区区域，所述方法还包括：
获取原始控制程序中的地址配置参数，使用所述预留扇区区域的扇区地址替换所述地址配置参数，得到控制程序。
8.根据权利要求4所述的EEPROM数据的写入方法，其特征在于，在所述主控芯片根据所述烧录控制指令将所述EEPROM数据写入预设存储区域的步骤之后还包括：
所述主控芯片接收所述烧录器发送的读取控制指令，根据所述读取控制指令从所述预设存储区域中读取相应的EEPROM数据，并将所述EEPROM数据发送至所述烧录器。
9.根据权利要求8所述的EEPROM数据的写入方法，其特征在于，所述根据所述读取控制指令从所述预设存储区域中读取相应的EEPROM数据的步骤包括：
所述主控芯片从所述读取控制指令中获取读取地址；
将所述读取地址映射至所述预设存储区域的存储地址；
从所述存储地址读取相应的EEPROM数据反馈至所述烧录器。
10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求1至3中任一项所述的EEPROM数据存储电路。
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