CN114080391A - 化合物和包含其的有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本说明书涉及由式1表示的化合物和包含其的有机发光器件。
Description
技术领域
本说明书要求分别于2019年11月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0151322号和于2020年11月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0155752号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及化合物和包含其的有机发光器件。
背景技术
通常,有机发光现象是指通过利用有机材料将电能转化为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括第一电极、第二电极和介于其间的有机材料层的结构。在此,有机材料层在许多情况下具有由不同材料构成的多层结构以改善有机发光器件的效率和稳定性,例如,有机材料层可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等构成。在有机发光器件的结构中,如果在两个电极之间施加电压,则空穴从第一电极注入有机材料层中,电子从第二电极注入有机材料层中,当注入的空穴和电子彼此相遇时,形成激子,并且当激子再次落至基态时发光。
持续需要开发用于前述有机发光器件的新材料。
发明内容
技术问题
本说明书致力于提供化合物和包含其的有机发光器件。
技术方案
本说明书提供了下式1的化合物。
[式1]
在式1中,
X和Y彼此相同或不同,并且各自独立地为O、S或CZ1Z2,
环A为苯环或萘环,
A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,
R1至R6、Z1和Z2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,
n1至n3、m和l各自为0或1,
n1至n3之和为2或更大,
a1和a2各自为1至4的整数,
a3为1至3的整数,
a4为1至6的整数,
当a1至a4各自为2或更大时,括号中的结构彼此相同或不同,
条件是当环A为萘时,m为0,以及
当l为1时,环A为苯环。
此外,本说明书提供了有机发光器件,其包括:第一电极;设置成面向第一电极的第二电极;以及设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层,其中有机材料层的一个或更多个层包含上述化合物。
有益效果
使用根据本申请的一个示例性实施方案的化合物的有机发光器件可以具有低驱动电压、高发光效率或长使用寿命。
附图说明
图1示出了根据一个示例性实施方案的有机发光器件的结构。
图2示出了根据另一个示例性实施方案的有机发光器件的结构。
[附图标记说明]
1:基底
2:第一电极
3:发光层
4:第二电极
5:空穴注入层
6:第一空穴传输层
7:第二空穴传输层
8:第一电子传输层
9:第二电子传输层
具体实施方式
在下文中,将详细地描述本说明书。
本说明书提供了式1的化合物。
在本说明书中,除非另外具体描述,否则当一个部件“包括”一个构成要素时,这并不意指排除另外的构成要素,而是意指还可以包括另外的构成要素。
在本说明书中,当一个构件设置在另一构件“上”时,这不仅包括一个构件与另一构件接触的情况,而且还包括在这两个构件之间存在又一构件的情况。
根据本说明书的一个示例性实施方案,式1的化合物具有其中苯并噻吩、苯并呋喃基或二氢茚与吲哚并咔唑结构直接缩合以改善分子本身的刚性的结构,并因此可以增强化合物的稳定性。当驱动有机发光器件时,式1的化合物具有改善器件的使用寿命的优点。此外,与不存在胺基或存在一个胺基的情况相比,式1的化合物具有在特定位置处取代的两个或更多个胺基,这具有通过增加振子强度值来改善器件中的发光效率的效果。
本说明书中的取代基的实例将在以下描述,但不限于此。
术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变为另外的取代基,并且待取代的位置没有限制,只要该位置是氢原子被取代的位置(即,取代基可以取代的位置)即可,并且当两个或更多个取代时,两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中,术语“经取代或未经取代的”意指经选自以下的一个或两个或更多个取代基取代:氘(-D);卤素基团;腈基;硝基;羟基;胺基;甲硅烷基;硼基;烷氧基;烷基;环烷基;芳基;和杂环基,经以上例示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代,或者不具有取代基。例如,“两个或更多个取代基相连接的取代基”可以为联苯基。即,联苯基也可以为芳基,并且可以被解释为两个苯基相连接的取代基。
取代基的实例将在以下描述,但不限于此。
在本说明书中,卤素基团的实例包括氟(-F)、氯(-Cl)、溴(-Br)或碘(-I)。
在本说明书中,甲硅烷基可以为式-SiYaYbYc,并且Ya、Yb和Yc可以各自为氢;经取代或未经取代的烷基;或者经取代或未经取代的芳基。甲硅烷基的具体实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等,但不限于此。
在本说明书中,硼基可以为式-BYdYe,并且Yd和Ye可以各自为氢;经取代或未经取代的烷基;或者经取代或未经取代的芳基。硼基的具体实例包括三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基等,但不限于此。
在本说明书中,烷基可以为直链或支化的,并且其碳原子数没有特别限制,但优选为1至60。根据一个示例性实施方案,烷基的碳原子数为1至30。根据另一个示例性实施方案,烷基的碳原子数为1至20。根据又一个示例性实施方案,烷基的碳原子数为1至10。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、正戊基、己基、正己基、庚基、正庚基、辛基、正辛基等,但不限于此。
在本说明书中,烷氧基可以为直链、支化或环状的。烷氧基的碳原子数没有特别限制,但优选为1至20。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等,但不限于此。
本说明书中描述的包含烷基、烷氧基和其他烷基部分的取代基包括直链形式和支化形式二者。
在本说明书中,环烷基没有特别限制,但优选具有3至60个碳原子,根据一个示例性实施方案,环烷基的碳原子数为3至30。根据另一个示例性实施方案,环烷基的碳原子数为3至20。根据又一个示例性实施方案,环烷基的碳原子数为3至6。其具体实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等,但不限于此。
在本说明书中,芳基没有特别限制,但优选具有6至60个碳原子,并且可以为单环芳基或多环芳基。根据一个示例性实施方案,芳基的碳原子数为6至39。根据一个示例性实施方案,芳基的碳原子数为6至30。单环芳基的实例包括苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基等,但不限于此。多环芳基的实例包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基、芴基、三亚苯基等,但不限于此。
在本说明书中,芴基可以被取代,并且两个取代基可以彼此键合以形成螺环结构。
在本说明书中,杂环基为包含N、O、P、S、Si和Se中的一者或更多者作为杂原子的环状基团,并且其碳原子数没有特别限制,但优选为2至60。根据一个示例性实施方案,杂环基的碳原子数为2至36。杂环基的实例包括吡啶基、吡咯基、嘧啶基、喹啉基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基等,但不限于此。
在本说明书中,关于杂环基的上述描述可以应用于杂芳基,不同之处在于杂芳基是芳族的。
在本说明书中,胺基可以选自-NH2;烷基胺基;N-烷基芳基胺基;芳基胺基;N-芳基杂芳基胺基;N-烷基杂芳基胺基;和杂芳基胺基,并且其碳原子数没有特别限制,但优选为1至30。胺基的具体实例包括甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、蒽基胺基、9-甲基-蒽基胺基、二苯基胺基、N-苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、N-苯基甲苯基胺基、三苯基胺基、N-苯基联苯基胺基、N-苯基萘基胺基、N-联苯基萘基胺基、N-萘基芴基胺基、N-苯基菲基胺基、N-联苯基菲基胺基、N-苯基芴基胺基、N-苯基三联苯基胺基、N-菲基芴基胺基、N-联苯基芴基胺基等,但不限于此。
在本说明书中,N-烷基芳基胺基意指其中胺基的N取代有烷基和芳基的胺基。
在本说明书中,N-芳基杂芳基胺基意指其中胺基的N取代有芳基和杂芳基的胺基。
在本说明书中,N-烷基杂芳基胺基意指其中胺基的N取代有烷基和杂芳基的胺基。
在本说明书中,烷基胺基、N-烷基芳基胺基、芳基胺基、N-芳基杂芳基胺基、N-烷基杂芳基胺基和杂芳基胺基中的烷基、芳基和杂芳基各自与烷基、芳基和杂芳基的上述实例相同。
在本说明书的一个示例性实施方案中,式1的化合物为下式2-1至2-8中的任一者。
[式2-1]
[式2-2]
[式2-3]
[式2-4]
[式2-5]
[式2-6]
[式2-7]
[式2-8]
在式2-1至2-8中,X、Y、A1至A4、a1至a4、R1至R6、n1至n3和m与式1中限定的那些相同,A5为氢;氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,a5为1至4的整数,并且当a5为2或更大时,括号中的结构彼此相同或不同。
在本说明书的一个示例性实施方案中,X和Y彼此相同或不同,并且各自独立地为O、S或CZ1Z2,Z1和Z2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,式1的化合物为下式3-1至3-12中的任一者。
[式3-1]
[式3-2]
[式3-3]
[式3-4]
[式3-5]
[式3-6]
[式3-7]
[式3-8]
[式3-9]
[式3-10]
[式3-11]
[式3-12]
在式3-1至3-12中,A1至A4、a1至a4、R1至R6、n1至n3、m、Z1和Z2与式1中限定的那些相同,Z3和Z4彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,A5为氢;氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,a5为1至4的整数,并且当a5为2或更大时,括号中的结构彼此相同或不同。
在本说明书的一个示例性实施方案中,式1的化合物为下式4-1至4-4中的任一者。
[式4-1]
[式4-2]
[式4-3]
[式4-4]
在式4-1至4-4中,X、Y、A1至A4和R1至R6与式1中限定的那些相同。
在本说明书的一个示例性实施方案中,n1至n3之和为2或更大。
在本说明书的一个示例性实施方案中,n1至n3之和为2。
在本说明书的一个示例性实施方案中,n1至n3之和为3。
在本说明书的一个示例性实施方案中,A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;经取代或未经取代的烷基;或者经取代或未经取代的芳基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;经取代或未经取代的具有1至10个碳原子的烷基;或者经取代或未经取代的具有6至20个碳原子的芳基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;经取代或未经取代的具有1至10个碳原子的直链或支化的烷基;或者经取代或未经取代的具有6至10个碳原子的芳基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;甲基;叔丁基;或苯基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,A1至A4各自为氢;或氘。
在本说明书的一个示例性实施方案中,R1至R6彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,R1至R6彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,R1至R6彼此相同或不同,并且各自独立地为未经取代或经选自以下的基团取代的芳基:氘、烷基、卤代烷基、经氘取代的烷基、卤素基团、氰基、环烷基、经烷基取代的甲硅烷基、和烷氧基;或者未经取代或经选自以下的基团取代的杂环基:氘、烷基、卤代烷基、经氘取代的烷基、卤素基团、未经取代或经氘取代的芳基、和环烷基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,R1至R6彼此相同或不同,并且各自独立地为未经取代或经选自以下的基团取代的芳基:氘、甲基、叔丁基、异丙基、-CF3、-CD3、F、氰基、环己基、三甲基甲硅烷基、和甲氧基;或者未经取代或经选自以下的基团取代的杂环基:氘、甲基、叔丁基、异丙基、-CF3、-CD3、F、未经取代或经氘取代的苯基、和环己基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,R1至R6彼此相同或不同,并且各自独立地为未经取代或经选自以下的基团取代的苯基:氘、甲基、叔丁基、异丙基、-CF3、-CD3、F、氰基、环己基、三甲基甲硅烷基和甲氧基;未经取代或者经氘或叔丁基取代的联苯基;经甲基取代的芴基;萘基;菲基;未经取代或经选自以下的基团取代的二苯并呋喃基:甲基、异丙基、叔丁基、-CD3、未经取代或经氘取代的苯基、和环己基;未经取代或经选自以下的基团取代的二苯并噻吩基:甲基、异丙基、叔丁基、-CD3、未经取代或经氘取代的苯基、和环己基;未经取代或经苯基取代的噻吩基;喹啉基;苯并萘并呋喃基;苯并萘并噻吩基;或经甲基取代的苯并芴基。
在本说明书的一个示例性实施方案中,式1的化合物为以下结构中的任一者。
在此,tBu为叔丁基,Me为甲基。
此外,本说明书提供了包含上述化合物的有机发光器件。
本说明书的一个示例性实施方案提供了有机发光器件,其包括:第一电极;设置成面向第一电极的第二电极;以及设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层,其中有机材料层的一个或更多个层包含所述化合物。
本说明书的有机发光器件的有机材料层可以由单层结构构成,但是也可以由其中堆叠有具有两个或更多个层的有机材料层的多层结构构成。例如,本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机材料层的结构。然而,有机发光器件的结构不限于此,并且可以包括较少数量的有机层。
在本说明书的一个示例性实施方案中,有机材料层包括空穴注入层或空穴传输层,并且空穴注入层或空穴传输层包含所述化合物。
在本说明书的一个示例性实施方案中,有机材料层包括发光层,并且发光层包含所述化合物。具体地,发光层可以包含主体和掺杂剂,所述掺杂剂包括所述化合物。
在本说明书的一个示例性实施方案中,有机材料层包括电子传输层或电子注入层,并且电子传输层或电子注入层包含所述化合物。
在本说明书的一个示例性实施方案中,有机材料层包括发光层,并且还包括选自以下的一个或两个或更多个层:空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层。
在本说明书的一个示例性实施方案中,有机发光器件包括:阳极;设置成面向阳极的阴极;以及设置在阳极与阴极之间的具有一个或更多个层的有机材料层,有机材料层包括:发光层;设置在发光层与阳极之间的空穴传输区域;以及设置在发光层与阴极之间的电子传输区域,并且发光层包含所述化合物。
在本说明书的一个示例性实施方案中,作为空穴传输区域中的有机材料层,一者或更多者可以选自空穴传输层、空穴注入层、同时传输和注入空穴的层、以及电子阻挡层。
在本说明书的一个示例性实施方案中,作为电子传输区域中的有机材料层,一者或更多者可以选自电子传输层、电子注入层、同时传输和注入电子的层、以及空穴阻挡层。
在另一个示例性实施方案中,有机发光器件可以为其中第一电极、具有一个或更多个层的有机材料层和第二电极顺序堆叠在基底上的正常型有机发光器件。
在又一个示例性实施方案中,有机发光器件可以为其中第二电极、具有一个或更多个层的有机材料层和第一电极顺序堆叠在基底上的倒置型有机发光器件。
有机发光器件可以具有例如以下描述的堆叠结构,但堆叠结构不限于此。
(1)正电极/空穴传输层/发光层/负电极
(2)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/负电极
(3)正电极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/负电极
(4)正电极/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极
(5)正电极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
(6)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极
(7)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
(8)正电极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子传输层/负电极
(9)正电极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
(10)正电极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/负电极
(11)正电极/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
(12)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/负电极
(13)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/负电极
(14)正电极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极
(15)正电极/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
(16)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极
(17)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
(18)正电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/同时注入和传输电子的层/负电极
(19)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/负电极
(20)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/负电极
(21)正电极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/同时注入和传输电子的层/负电极
例如,图1和图2中例示了根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件的结构。
图1例示了其中顺序地堆叠有基底1、第一电极2、发光层3和第二电极4的有机发光器件的结构。
图2例示了其中顺序地堆叠有基底1、第一电极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、电子传输层7和第二电极4的有机发光器件的结构。在上述结构中,所述化合物可以包含在发光层3中。
本说明书的有机发光器件可以通过本领域已知的材料和方法来制造,不同之处在于有机材料层的一个或更多个层包含本说明书的化合物,即所述化合物。
当有机发光器件包括复数个有机材料层时,有机材料层可以由相同的材料或不同的材料形成。
本说明书的有机发光器件可以通过本领域已知的材料和方法来制造,不同之处在于有机材料层的一个或更多个层包含所述化合物,即式1的化合物。
例如,本说明书的有机发光器件可以通过在基底上顺序地堆叠第一电极、有机材料层和第二电极来制造。在这种情况下,有机发光器件可以通过以下来制造:通过使用物理气相沉积(PVD)法例如溅射或电子束蒸镀,在基底上沉积金属、或具有导电性的金属氧化物、或其合金以形成第一电极,在第一电极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层,然后在有机材料层上沉积可以用作第二电极的材料。除上述方法之外,有机发光器件还可以通过在基底上顺序地沉积第二电极材料、有机材料层和第一电极材料来制造。
此外,在制造有机发光器件时,式1的化合物不仅可以通过真空沉积法而且还可以通过溶液施加法形成为有机材料层。在此,溶液施加法意指旋涂、浸涂、刮涂、喷墨印刷、丝网印刷、喷洒法、辊涂等,但不限于此。
在本说明书的一个示例性实施方案中,第一电极为正电极,第二电极为负电极。
在另一个示例性实施方案中,第一电极为负电极,第二电极为正电极。
正电极为注入空穴的电极,作为正电极材料,通常优选具有高的功函数的材料以促进空穴注入到有机材料层中。本发明中可以使用的正电极材料的具体实例包括:金属,例如钒、铬、铜、锌和金,或其合金;金属氧化物,例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO);金属和氧化物的组合,例如ZnO:Al或SnO2:Sb;导电聚合物,例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺;等等,但不限于此。
负电极为注入电子的电极,作为负电极材料,通常优选具有低的功函数的材料以促进电子注入到有机材料层中。负电极材料的具体实例包括:金属,例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、和铅,或其合金;多层结构材料,例如LiF/Al或LiO2/Al;等等,但不限于此。
空穴注入层是注入来自电极的空穴的层,空穴注入材料优选为这样的化合物:其具有传输空穴的能力,并因此具有注入第一电极处的空穴的效应和将空穴注入到发光层或发光材料中的优异效应,防止由发光层产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料,并且形成薄膜的能力也优异。空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选为第一电极材料的功函数与邻近有机材料层的HOMO之间的值。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等,但不限于此。
空穴传输层是接受来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层,空穴传输材料适当地为可以接受来自第一电极或空穴注入层的空穴并将空穴转移至发光层的具有高空穴迁移率的材料。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、具有共轭部分和非共轭部分二者的嵌段共聚物等,但不限于此。
发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。
用于发光层的主体材料的实例包括稠合芳族环衍生物、或含杂环的化合物等。具体地,稠合芳族环衍生物的实例包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等,含杂环的化合物的实例包括咔唑衍生物、二苯并呋喃、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩、二苯并噻吩衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等,但其实例不限于此。
在本说明书的一个示例性实施方案中,主体包括下式5的化合物。
[式5]
在式5中,
L21至L23彼此相同或不同,并且各自独立地为直接键;或者经取代或未经取代的亚芳基;或者经取代或未经取代的亚杂芳基,
R21至R27彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的甲硅烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂芳基,
Ar21至Ar23彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂芳基,以及
a为0或1。
在本说明书的一个示例性实施方案中,主体包括以下结构中的任一者的化合物。
所述化合物用作用于发光层的掺杂剂材料,并且还可以包含另外的掺杂剂。
对于另外的掺杂剂,当发光层发射红光时,作为发光掺杂剂,可以使用磷光材料,例如双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)、或八乙基卟啉铂(PtOEP),或者荧光材料,例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3),但发光掺杂剂不限于此。当发光层发射绿光时,作为发光掺杂剂,可以使用磷光材料,例如fac三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3),或者荧光材料,例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3),但发光掺杂剂不限于此。当另外的发光层发射蓝光时,作为发光掺杂剂,可以使用磷光材料,例如(4,6-F2ppy)2Irpic,或者荧光材料,例如螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、基于PFO的聚合物或基于PPV的聚合物,但发光掺杂剂不限于此。
在本说明书的一个示例性实施方案中,所述化合物为掺杂剂,具体地为荧光掺杂剂,并且更具体地为蓝色荧光掺杂剂。
在本说明书的一个示例性实施方案中,式1的化合物的最大发光峰为420nm至480nm。
在本说明书的一个示例性实施方案中,发光层以99:1至1:99的质量比包含主体和掺杂剂。
在本说明书的一个示例性实施方案中,发光层以99:1至10:90的质量比包含主体和掺杂剂。
在本说明书的一个示例性实施方案中,发光层以99:1至50:50的质量比包含主体和掺杂剂。
在本说明书的一个示例性实施方案中,发光层的掺杂剂包括式1的化合物,并且当发光层的主体包括式5的化合物时,当将式5的化合物的重量设定为100重量份时,式1的化合物的含量可以为0.01重量份至30重量份,具体地为0.1重量份至20重量份,并且更具体地为0.5重量份至10重量份。
电子传输层是接受来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层,电子传输材料适当地为可以熟练地接受来自第二电极的电子并将电子转移至发光层的具有高电子迁移率的材料。其具体实例包括:8-羟基喹啉的Al配合物;包含Alq3的配合物;有机自由基化合物;羟基黄酮-金属配合物等,但不限于此。电子传输层可以与如根据相关技术使用的任何期望的阴极材料一起使用。特别地,合适的阴极材料的实例包括具有低的功函数,后接铝层或银层的典型材料。其具体实例包括铯、钡、钙、镱和钐,在每种情况下后接铝层或银层。
电子注入层是注入来自电极的电子的层,电子注入材料优选为这样的化合物:其具有传输电子的能力、注入来自第二电极的电子的效应和优异的将电子注入到发光层或发光材料中的效应,防止由发光层产生的激子移动至空穴注入层,并且形成薄膜的能力也优异。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物,金属配合物化合物,含氮5元环衍生物等,但不限于此。
金属配合物化合物的实例包括8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等,但不限于此。
电子阻挡层可以设置在空穴传输层与发光层之间。对于电子阻挡层,可以使用本领域已知的材料。
根据待使用的材料,根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发射型、底部发射型或双发射型。
可以如以下反应方案中由本说明书的式1的化合物制备核结构。取代基可以通过本领域已知的方法来键合,并且取代基的类型和位置以及取代基的数量可以根据本领域已知的技术来改变。
<反应方案1>式4-1的合成
在反应方案1中,X、A1和R3至R6与式1中限定的那些相同,
-OSO2R是包含作为磺酰化反应的结果产生的砜基的取代基,并且是通过Buchwald胺化反应解吸的离去基团,以及
Me为甲基。
中间体IM-3可以通过中间体IM-1和中间体IM-2的Buchwald胺化反应合成,中间体IM-4可以通过Heck反应获得。包含砜基的中间体IM-5可以由中间体IM-4通过脱甲基化反应和磺酰化反应获得。式4-1可以由中间体IM-5通过Buchwald胺化反应获得。
<反应方案2>式4-2的合成
在反应方案2中,X、A4、R1、R2、R5和R6与式1中限定的那些相同,
-OSO2R是包含作为磺酰化反应的结果产生的砜基的取代基,并且是通过Buchwald胺化解吸的离去基团,以及
Me为甲基,以及Hal1和Hal2彼此不同,并且各自独立地为卤素基团。
中间体IM-8可以通过经各个不同的卤素取代的中间体IM-6和中间体IM-7的Suzuki偶联反应和Buchwald胺化反应合成,包含砜基的中间体IM-9可以由中间体IM-8通过脱甲基化反应和磺酰化反应获得。式4-2可以由中间体IM-9通过Buchwald胺化反应获得。
<反应方案3>式4-3的合成
在反应方案3中,X、A3、Y和R1至R4与式1中限定的那些相同,
-OSO2R是包含作为磺酰化反应的结果产生的砜基的取代基,并且是通过Buchwald胺化反应解吸的离去基团,以及
Me为甲基,
Hal1和Hal2彼此不同,并且各自独立地为卤素基团,以及
Hal3和Hal4彼此不同,并且各自独立地为卤素基团。
中间体IM-11可以通过中间体IM-10的硼化反应合成,中间体IM-12可以用中间体IM-6通过Suzuki偶联反应和Buchwald胺化反应获得。中间体IM-13可以由中间体IM-12再次通过硼化反应合成,中间体IM-15可以用中间体IM-14通过Suzuki偶联反应和Buchwald胺化反应获得。包含砜基的中间体IM-16可以由中间体IM-15通过脱甲基化反应和磺酰化反应获得。最后,式4-3可以由中间体IM-16通过Buchwald胺化反应获得。
<反应方案4>式4-4的合成
在反应方案4中,X、Y、A2、A3和R1至R4与式1中限定的那些相同,
-OSO2R是包含作为磺酰化反应的结果产生的砜基的取代基,并且是通过Buchwald胺化解吸的离去基团,
Me为甲基,
Hal1和Hal2彼此不同,并且各自独立地为卤素基团,以及
Hal3和Hal4彼此不同,并且各自独立地为卤素基团。
中间体IM-18可以通过中间体IM-17的硼化反应合成,中间体IM-19可以用中间体6(IM-6)通过Suzuki偶联反应和Buchwald胺化反应获得。中间体IM-20可以由中间体IM-19再次通过硼化反应合成,中间体IM-21可以用中间体IM-14通过Suzuki偶联反应和Buchwald胺化反应获得。包含砜基的中间体IM-22可以由中间体IM-21通过脱甲基化反应和磺酰化反应获得。最后,式4-4可以由中间体IM-22通过Buchwald胺化反应获得。
当基于典型的技术常识适当地组合本说明书的反应方案1至4中的任一者和中间体时,都可以制备本说明书中描述的式1的化合物。
发明实施方式
在下文中,将通过实施例更详细地描述本说明书。然而,提供以下实施例仅用于举例说明本说明书,而不旨在限制本说明书。
合成例1.化合物1的合成
A.中间体1的合成
在氮气气氛下,在将20g起始材料A-1、12g硼酸酯B-1、11g碳酸钾、400mL四氢呋喃(THF)和40mL水放入容器中之后,向其中添加1.2g[四(三苯基膦)钯(0),(TTP),Pd(PPh3)4],然后将所得混合物在120℃下加热并搅拌4小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和乙酸乙酯来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(乙酸乙酯/己烷)来纯化以获得中间体1(18g)。(产率76%,质量[M+]=443)
B.中间体2的合成
在氮气气氛下,在将18g中间体1、7.8g叔丁醇钠(NaOtBu)和0.4g[双(三(叔丁基)膦)钯(0)]Pd(PtBu3)2放入200mL甲苯中之后,将所得混合物在140℃下加热并搅拌6小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和NH4Cl溶液来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶来纯化以获得中间体2(8.5g)。(产率58%,质量[M+]=362)
C.中间体3和4的合成
在氮气气氛下,在将8.5g中间体2和4.7g氯化铝放入200mL氯苯(MCB)中之后,将所得混合物在130℃下加热并搅拌4小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和乙酸乙酯来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(乙酸乙酯/己烷)来纯化以获得中间体3(6.7g)。(产率82%,质量[M+]=348)
在将150mL二甲基甲酰胺(DMF)放入6.7g中间体3和5.3g碳酸钾中之后,在室温下向其中滴加3.8mL九氟丁烷磺酰氟。在通过将所得混合物搅拌5小时而使反应结束之后,将反应溶液过滤。通过向其中添加水和乙酸乙酯来将经过滤的溶液等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(甲苯/己烷)来纯化以获得中间体4(9.4g)。(产率77%,质量[M+]=630)
D.化合物1的合成
在氮气气氛下,在将3.0g中间体4、2.9g胺AM-1、2.5g磷酸钾和0.05g[双(三(叔丁基)膦)钯(0),Pd(PtBu3)2]放入40mL二烷中之后,将所得混合物在100℃下加热并搅拌28小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和NaCl来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(甲苯/己烷)来纯化以获得化合物1(3.1g)。(产率73%,质量[M+]=897)
合成例2.化合物2的合成
A.中间体5的合成
通过以与中间体1的合成方法中相同的方式制备来获得中间体5(10g),不同之处在于分别使用A-2(10g)和B-2(10.8g)代替合成例1中的中间体1的合成中的起始材料A-1和硼酸酯B-1。(产率72%,质量[M+]=519)
B.中间体6的合成
通过以与中间体2的合成方法中相同的方式制备来获得中间体6(5.3g),不同之处在于使用中间体5(10g)代替合成例1中的中间体2的合成中的中间体1。(产率63%,质量[M+]=438)
C.中间体7和8的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体7(3.8g),不同之处在于使用中间体6(5.3g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率74%,质量[M+]=424)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体8(4.5g),不同之处在于使用中间体7(3.8g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率71%,质量[M+]=706)
D.化合物2的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物2(3.5g),不同之处在于分别使用中间体8(3.0g)和AM-2(4.0g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率62%,质量[M+]=1321)
合成例3.化合物3的合成
A.中间体9的合成
在氮气气氛下,在将10g起始材料A-3、11.6g苯并呋喃并吲哚B-3、6.0g叔丁醇钠和0.4g[双(三(叔丁基)膦)钯(0),Pd(PtBu3)2]放入350mL甲苯中之后,将所得混合物在140℃下加热并搅拌5小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和NH4Cl溶液来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶来纯化以获得中间体9(13.6g)。(产率75%,质量[M+]=428)
B.中间体10的合成
在氮气气氛下,在将13.6g中间体9、6.1g叔丁醇钠和0.3g[双(三(叔丁基)膦)钯(0),Pd(PtBu3)2]放入160mL二甲基乙酰胺中之后,将所得混合物在120℃下加热并搅拌10小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和NH4Cl溶液来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(甲苯/己烷)来纯化以获得中间体10(7.9g)。(产率63%,质量[M+]=392)
C.中间体11和12的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体11(5.0g),不同之处在于使用中间体10(7.9g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率68%,质量[M+]=364)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体12(8.1g),不同之处在于使用中间体11(5.0g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率63%,质量[M+]=928)
D.化合物3的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物3(2.5g),不同之处在于分别使用中间体12(3.0g)和AM-3(2.2g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率77%,质量[M+]=1011)
合成例4.化合物4的合成
A.中间体13的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体13(6.8g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和B-4(5.8g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率75%,质量[M+]=428)
B.中间体14的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体14(3.8g),不同之处在于使用中间体13(6.8g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率61%,质量[M+]=392)
C.中间体15和16的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体15(2.7g),不同之处在于使用中间体14(3.8g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率77%,质量[M+]=364)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体16(4.3g),不同之处在于使用中间体15(2.7g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率62%,质量[M+]=928)
D.化合物4的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物4(2.1g),不同之处在于分别使用中间体16(3.0g)和AM-4(1.8g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率74%,质量[M+]=881)
合成例5.化合物5的合成
A.中间体17的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体17(6.8g),不同之处在于分别使用A-5(5.0g)和B-5(7.0g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率73%,质量[M+]=439)
B.中间体18的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体18(4.6g),不同之处在于使用中间体17(6.8g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率66%,质量[M+]=448)
C.中间体19和20的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体19(3.4g),不同之处在于使用中间体18(4.6g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率79%,质量[M+]=420)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体20(6.1g),不同之处在于使用中间体19(3.4g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率77%,质量[M+]=984)
D.化合物5的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物5(2.5g),不同之处在于分别使用中间体20(3.0g)和AM-5(2.2g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率74%,质量[M+]=1103)
合成例6.化合物6的合成
A.中间体21的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体21(7.5g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和B-6(7.4g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率71%,质量[M+]=504)
B.中间体22的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体22(4.6g),不同之处在于使用中间体21(7.5g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率66%,质量[M+]=468)
C.中间体23和24的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体23(3.2g),不同之处在于使用中间体22(4.6g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率74%,质量[M+]=440)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体24(5.3g),不同之处在于使用中间体23(3.2g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率73%,质量[M+]=1004)
D.化合物6的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物6(2.3g),不同之处在于分别使用中间体24(3.0g)和AM-6(2.0g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率72%,质量[M+]=1067)
合成例7.化合物7的合成
A.中间体25的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体25(7.6g),不同之处在于分别使用A-6(5.0g)和B-7(8.2g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率66%,质量[M+]=484)
B.中间体26的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体26(4.3g),不同之处在于使用中间体25(7.6g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率61%,质量[M+]=448)
C.中间体27和28的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体27(3.0g),不同之处在于使用中间体26(4.3g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率74%,质量[M+]=420)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体28(4.8g),不同之处在于使用中间体27(3.0g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率68%,质量[M+]=984)
D.化合物7的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物7(1.9g),不同之处在于分别使用中间体28(3.0g)和AM-7(1.8g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率65%,质量[M+]=959)
合成例8.化合物8的合成
A.中间体29的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体29(6.9g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-8(10.8g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率74%,质量[M+]=444)
B.中间体30的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体30(4.1g),不同之处在于使用中间体29(6.9g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率65%,质量[M+]=408)
C.中间体31和32的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体31(3.0g),不同之处在于使用中间体30(4.1g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率79%,质量[M+]=380)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体32(5.3g),不同之处在于使用中间体31(3.0g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率71%,质量[M+]=944)
D.化合物8的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物8(2.0g),不同之处在于分别使用中间体32(3.0g)和AM-8(1.8g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率69%,质量[M+]=907)
合成例9.化合物9的合成
A.中间体33的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体33(7.1g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-9(7.3g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率67%,质量[M+]=501)
B.中间体34的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体34(3.9g),不同之处在于使用中间体33(7.1g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率59%,质量[M+]=464)
C.中间体35和36的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体35(2.7g),不同之处在于使用中间体34(3.9g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率74%,质量[M+]=436)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体36(4.6g),不同之处在于使用中间体35(2.7g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率74%,质量[M+]=1000)
D.化合物9的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物9(2.1g),不同之处在于分别使用中间体36(3.0g)和AM-8(1.7g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率73%,质量[M+]=963)
合成例10.化合物10的合成
A.中间体37的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体37(7.0g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-10(8.3g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率61%,质量[M+]=549)
B.中间体38的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体38(4.3g),不同之处在于使用中间体37(7.0g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率66%,质量[M+]=512)
C.中间体39和40的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体39(3.3g),不同之处在于使用中间体38(4.3g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率81%,质量[M+]=484)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体40(5.5g),不同之处在于使用中间体39(3.3g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率77%,质量[M+]=1048)
D.化合物10的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物10(108g),不同之处在于分别使用中间体40(3.0g)和AM-9(1.3g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率70%,质量[M+]=899)
合成例11.化合物11的合成
A.中间体41的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体41(7.4g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-11(7.0g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率72%,质量[M+]=487)
B.中间体42的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体42(3.8g),不同之处在于使用中间体41(7.4g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率56%,质量[M+]=450)
C.中间体43和44的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体43(2.6g),不同之处在于使用中间体42(3.8g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率73%,质量[M+]=422)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体44(4.1g),不同之处在于使用中间体43(2.6g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率67%,质量[M+]=986)
D.化合物11的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物11(2.4g),不同之处在于分别使用中间体44(3.0g)和AM-10(2.3g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率70%,质量[M+]=1129)
合成例12.化合物12的合成
A.中间体45的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体45(6.5g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-12(7.3g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率62%,质量[M+]=501)
B.中间体46的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体46(3.7g),不同之处在于使用中间体45(6.5g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率61%,质量[M+]=464)
C.中间体47和48的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体47(2.6g),不同之处在于使用中间体46(3.7g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率75%,质量[M+]=436)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体48(4.2g),不同之处在于使用中间体47(2.6g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率70%,质量[M+]=1000)
D.化合物12的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物12(1.6g),不同之处在于分别使用中间体48(3.0g)和AM-11(1.0g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率72%,质量[M+]=738)
合成例13.化合物13的合成
A.中间体49的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体49(6.5g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-13(10.8g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率69%,质量[M+]=444)
B.中间体50的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体50(3.6g),不同之处在于使用中间体49(6.5g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率60%,质量[M+]=408)
C.中间体51和52的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体51(2.5g),不同之处在于使用中间体50(3.6g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率75%,质量[M+]=380)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体52(4.3g),不同之处在于使用中间体51(2.5g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率70%,质量[M+]=944)
D.化合物13的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物13(2.1g),不同之处在于分别使用中间体52(3.0g)和AM-12(1.8g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率74%,质量[M+]=899)
合成例14.化合物14的合成
A.中间体53的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体53(7.3g),不同之处在于分别使用A-6(5.0g)和苯并噻吩并吲哚B-14(8.2g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率65%,质量[M+]=501)
B.中间体53的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体54(4.2g),不同之处在于使用中间体53(7.3g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率62%,质量[M+]=464)
C.中间体55和56的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体55(2.8g),不同之处在于使用中间体54(4.2g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率71%,质量[M+]=436)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体56(4.2g),不同之处在于使用中间体55(2.8g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率65%,质量[M+]=1000)
D.化合物14的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物14(1.8g),不同之处在于分别使用中间体56(3.0g)和AM-13(1.3g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率72%,质量[M+]=839)
合成例15.化合物15的合成
A.中间体57的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体57(7.1g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和B-15(6.3g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率74%,质量[M+]=454)
B.中间体58的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体58(3.9g),不同之处在于使用中间体57(7.1g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率60%,质量[M+]=418)
C.中间体59和60的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体59(2.6g),不同之处在于使用中间体58(3.9g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率71%,质量[M+]=390)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体60(3.9g),不同之处在于使用中间体59(2.6g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率61%,质量[M+]=954)
D.化合物15的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物15(2.1g),不同之处在于分别使用中间体60(3.0g)和AM-14(1.5g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率80%,质量[M+]=839)
合成例16.化合物16的合成
A.中间体61的合成
通过以与中间体9的合成方法中相同的方式制备来获得中间体61(7.6g),不同之处在于分别使用A-4(5.0g)和B-16(7.5g)代替合成例3中的中间体9的合成中的起始材料A-3和苯并呋喃并吲哚B-3。(产率71%,质量[M+]=511)
B.中间体62的合成
通过以与中间体10的合成方法中相同的方式制备来获得中间体62(4.4g),不同之处在于使用中间体61(7.6g)代替合成例3中的中间体10的合成中的中间体9。(产率62%,质量[M+]=474)
C.中间体63和64的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体63(3.0g),不同之处在于使用中间体62(4.4g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率72%,质量[M+]=446)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体64(5.1g),不同之处在于使用中间体63(3.0g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率75%,质量[M+]=1010)
D.化合物16的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物16(2.9g),不同之处在于分别使用中间体64(3.0g)和AM-15(2.6g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率75%,质量[M+]=1299)
合成例17.化合物17的合成
C.中间体65和66的合成
在氮气气氛下,在将5.0g起始材料A-7、5.2g硼酸酯B-17、3.5g碳酸钾、130mL四氢呋喃和13mL水放入容器中之后,向其中添加0.4g[四(三苯基膦)钯(0)](Pd(PPh3)4),然后将所得混合物在120℃下加热并搅拌2小时。在起始材料消失并确认中间体65之后,向其中添加5.5g硼酸酯B-18和2.3g碳酸钾,然后将所得混合物另外搅拌4小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和乙酸乙酯来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(乙酸乙酯/己烷)来纯化以获得中间体66(6.2g)。(产率79%,质量[M+]=471)
B.中间体67的合成
在氮气气氛下,在将6.2g中间体66、3.8g叔丁醇钠和0.13g[双(三(叔丁基)膦)钯(0),Pd(PtBu3)2]放入65mL甲苯中之后,将所得混合物在140℃下加热并搅拌6小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和NH4Cl溶液来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶来纯化以获得中间体67(4.1g)。(产率78%,质量[M+]=398)
C.中间体68和69的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体68(2.8g),不同之处在于使用中间体67(4.1g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率73%,质量[M+]=370)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体69(5.1g),不同之处在于使用中间体68(2.8g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率72%,质量[M+]=934)
D.化合物17的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物17(2.0g),不同之处在于分别使用中间体69(3.0g)和AM-16(1.6g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率74%,质量[M+]=837)
合成例18.化合物18的合成
C.中间体70和71的合成
在通过以与中间体65的合成方法中相同的方式制备(不同之处在于使用B-19(5.5g)代替合成例17中的中间体65的合成中的硼酸酯B-17)来确认中间体70之后,随后通过以与中间体66的合成方法中相同的方式制备来获得中间体71(6.5g),不同之处在于使用中间体70(5.5g)代替中间体66的合成中的中间体65。(产率80%,质量[M+]=487)
B.中间体72的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体72(4.1g),不同之处在于使用中间体71(6.5g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率74%,质量[M+]=414)
C.中间体73和74的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体73(3.0g),不同之处在于使用中间体72(4.1g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率78%,质量[M+]=386)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体74(5.1g),不同之处在于使用中间体73(3.0g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率69%,质量[M+]=950)
D.化合物18的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物18(2.1g),不同之处在于分别使用中间体74(3.0g)和AM-17(1.7g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率74%,质量[M+]=903)
合成例19.化合物19的合成
C.中间体75和76的合成
在通过以与中间体65的合成方法(在合成例17中的中间体65的合成中使用起始材料A-7(5.0g)和硼酸酯B-17(5.2g))中相同的方式制备来确认中间体75之后,随后通过以与中间体66的合成方法中相同的方式制备来获得中间体76(6.1g),不同之处在于使用中间体75(5.5g)代替中间体66的合成中的中间体65。(产率77%,质量[M+]=471)
B.中间体77的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体77(3.9g),不同之处在于使用中间体76(6.1g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率76%,质量[M+]=398)
C.中间体78和79的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体78(2.6g),不同之处在于使用中间体77(3.9g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率72%,质量[M+]=370)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体79(4.6g),不同之处在于使用中间体78(2.6g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率70%,质量[M+]=934)
D.化合物19的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物19(2.7g),不同之处在于分别使用中间体79(3.0g)和AM-18(2.7g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率71%,质量[M+]=1177)
合成例20.化合物20的合成
A.中间体80的合成
通过以与中间体1的合成方法中相同的方式制备来获得中间体80(4.6g),不同之处在于分别使用A-8(5.0g)和B-17(4.6g)代替合成例1中的中间体1的合成中的起始材料A-1和硼酸酯B-1。(产率71%,质量[M+]=444)
B.中间体81的合成
通过以与中间体2的合成方法中相同的方式制备来获得中间体81(3.0g),不同之处在于使用中间体80(4.6g)代替合成例1中的中间体2的合成中的中间体1。(产率71%,质量[M+]=408)
C.中间体82和83的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体82(2.1g),不同之处在于使用中间体81(3.0g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率75%,质量[M+]=380)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体83(4.2g),不同之处在于使用中间体82(2.1g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率80%,质量[M+]=944)
D.化合物20的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物20(2.4g),不同之处在于分别使用中间体83(3.0g)和AM-19(2.1g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率74%,质量[M+]=1015)
合成例21.化合物21的合成
A.中间体84的合成
在氮气气氛下,在将5.0g起始材料A-8、11g硼酸酯B-18、6.8g碳酸钾、120mL四氢呋喃和12mL水放入容器中之后,向其中添加0.4g[四(三苯基膦)钯(0)](Pd(PPh3)4),然后将所得混合物在120℃下加热并搅拌4小时。在反应结束之后,将反应溶液冷却至室温,通过向其中添加水和乙酸乙酯来等分,然后通过用MgSO4(无水)处理来过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出,并通过重结晶(乙酸乙酯/己烷)来纯化以获得中间体84(7.0g)。(产率79%,质量[M+]=543)
B.中间体85的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体85(4.5g),不同之处在于使用中间体84(7.0g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率74%,质量[M+]=470)
C.中间体86和87的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体86(3.2g),不同之处在于使用中间体85(4.5g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率76%,质量[M+]=442)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体87(5.5g),不同之处在于使用中间体86(3.2g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率75%,质量[M+]=1006)
D.化合物21的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物21(1.6g),不同之处在于分别使用中间体87(3.0g)和AM-20(1.0g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率71%,质量[M+]=755)
合成例22.化合物22的合成
A.中间体88和89的合成
在通过以与中间体65的合成方法中相同的方式制备(不同之处在于分别使用A-9(5.0g)和B-20(4.4g)代替合成例17中的中间体65的合成中的起始材料A-7和硼酸酯B-17)来确认中间体88之后,随后通过以与中间体66的合成方法中相同的方式制备来获得中间体89(6.0g),不同之处在于使用中间体88(4.4g)代替中间体66的合成中的中间体65。(产率81%,质量[M+]=527)
B.中间体90的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体90(3.9g),不同之处在于使用中间体89(6.0g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率75%,质量[M+]=454)
C.中间体91和92的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体91(2.6g),不同之处在于使用中间体90(3.9g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率71%,质量[M+]=426)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体92(4.3g),不同之处在于使用中间体91(2.6g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率71%,质量[M+]=990)
D.化合物22的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物22(2.2g),不同之处在于分别使用中间体92(3.0g)和AM-21(1.6g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率78%,质量[M+]=929)
合成例23.化合物23的合成
A.中间体93的合成
通过以与中间体84的合成方法中相同的方式制备来获得中间体93(7.1g),不同之处在于使用A-10(5.0g)代替合成例21中的中间体84的合成中的起始材料A-8。(产率83%,质量[M+]=563)
B.中间体94的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体94(4.2g),不同之处在于使用中间体93(7.1g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率68%,质量[M+]=490)
C.中间体95和96的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体95(3.1g),不同之处在于使用中间体94(4.2g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率78%,质量[M+]=462)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体96(5.6g),不同之处在于使用中间体95(3.1g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率81%,质量[M+]=1026)
D.化合物23的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物23(1.6g),不同之处在于分别使用中间体96(3.0g)和AM-22(1.0g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率70%,质量[M+]=777)
合成例24.化合物24的合成
A.中间体97的合成
通过以与中间体84的合成方法中相同的方式制备来获得中间体97(6.5g),不同之处在于分别使用A-10(5.0g)和B-17(9.9g)代替合成例21中的中间体84的合成中的起始材料A-8和硼酸酯B-18。(产率80%,质量[M+]=531)
B.中间体98的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体98(4.3g),不同之处在于使用中间体97(6.5g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率77%,质量[M+]=458)
C.中间体99和100的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体99(3.1g),不同之处在于使用中间体98(4.3g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率76%,质量[M+]=430)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体100(5.7g),不同之处在于使用中间体99(3.1g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率79%,质量[M+]=994)
D.化合物24的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物24(2.1g),不同之处在于分别使用中间体100(3.0g)和AM-23(1.5g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率79%,质量[M+]=883)
合成例25.化合物25的合成
A.中间体101的合成
通过以与中间体84的合成方法中相同的方式制备来获得中间体101(7.4),不同之处在于使用A-11(5.0g)代替合成例21中的中间体84的合成中的起始材料A-8。(产率76%,质量[M+]=487)
B.中间体102的合成
通过以与中间体67的合成方法中相同的方式制备来获得中间体102(4.7g),不同之处在于使用中间体101(7.4g)代替合成例17中的中间体67的合成中的中间体66。(产率75%,质量[M+]=414)
C.中间体103和104的合成
通过以与中间体3的合成方法中相同的方式制备来获得中间体103(3.6g),不同之处在于使用中间体102(4.7g)代替合成例1中的中间体3的合成中的中间体2。(产率82%,质量[M+]=386)
通过以与中间体4的合成方法中相同的方式制备来获得中间体104(7.1g),不同之处在于使用中间体103(3.6g)代替合成例1中的中间体4的合成中的中间体3。(产率80%,质量[M+]=950)
D.化合物25的合成
通过以与化合物1的合成方法中相同的方式制备来获得化合物25(1.8g),不同之处在于分别使用中间体104(3.0g)和AM-9(1.4g)代替合成例1中的化合物1的合成中的中间体4和作为胺的AM-1。(产率71%,质量[M+]=801)
实施例1
将薄薄地涂覆有厚度为的氧化铟锡(ITO)的玻璃基底放入其中溶解有清洁剂的蒸馏水中,并进行超声波洗涤。在这种情况下,使用由Fischer Co.制造的产品作为清洁剂,使用利用由Millipore Co.制造的过滤器过滤两次的蒸馏水作为蒸馏水。在将ITO洗涤30分钟之后,使用蒸馏水重复进行两次超声波洗涤10分钟。在使用蒸馏水洗涤完成之后,通过使用异丙醇、丙酮和甲醇溶剂进行超声波洗涤,并将所得产物干燥然后输送至等离子体洗涤机。此外,通过使用氧等离子体将基底清洗5分钟,然后输送至真空沉积机。
在如上所述准备的透明ITO电极上将以下化合物HAT热真空沉积至具有的厚度,从而形成空穴注入层。在空穴注入层上真空沉积以下化合物HT-A,从而形成厚度为的第一空穴传输层,随后在第一空穴传输层上真空沉积化合物HT-B,从而形成厚度为的第二空穴传输层。在第二空穴传输层上以97:3的重量比真空沉积作为发光主体的化合物BH-A和作为掺杂剂的化合物1,从而形成厚度为的发光层。
在发光层上以1:1的重量比真空沉积以下化合物ET-A和LiQ,从而形成厚度为的第一电子传输层。在第一电子传输层上真空沉积[LiF],从而形成厚度为的第二电子传输层。在第二电子传输层上将铝沉积至的厚度,从而形成负电极。
实施例2至25和比较例1至9
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于在发光层中使用下表1中的掺杂剂代替化合物1。
实验例
测量当向实施例1至25和比较例1至9中制造的有机发光器件施加10mA/cm2的电流密度时的电压和效率,以及当向所述器件施加20mA/cm2的电流密度时的使用寿命(T97),结果示于下表1中。在这种情况下,T97意指当将在20mA/cm2的电流密度下的初始亮度设定为100%时,亮度降低至97%所花费的时间。
[表1]
从表1可以确定,与其中将不与吲哚并咔唑结构直接缩合或者其核未经胺基取代的化合物应用于有机发光器件的发光层的掺杂剂的比较例1至9的化合物相比,其中将具有苯并噻吩、苯并呋喃基或二氢茚与本说明书的式1的吲哚并咔唑结构直接缩合的结构并且具有经两个或更多个胺基取代的核的化合物应用于有机发光器件的发光层的掺杂剂的实施例1至25具有引起更好的发光效率和使用寿命的结果。
Claims (14)
1.一种下式1的化合物:
[式1]
在式1中,
X和Y彼此相同或不同,并且各自独立地为O、S或CZ1Z2,
环A为苯环或萘环,
A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,
R1至R6、Z1和Z2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,
n1至n3、m和l各自为0或1,
n1至n3之和为2或更大,
a1和a2各自为1至4的整数,
a3为1至3的整数,
a4为1至6的整数,
当a1至a4各自为2或更大时,括号中的结构彼此相同或不同,
条件是当环A为萘时,m为0,以及
当l为1时,环A为苯环。
3.根据权利要求1所述的化合物,其中式1的所述化合物为下式3-1至3-12中的任一者:
[式3-1]
[式3-2]
[式3-3]
[式3-4]
[式3-5]
[式3-6]
[式3-7]
[式3-8]
[式3-9]
[式3-10]
[式3-11]
[式3-12]
在式3-1至3-12中,
A1至A4、a1至a4、R1至R6、n1至n3、m、Z1和Z2与式1中限定的那些相同,
Z3和Z4彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,
A5为氢;氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基,
a5为1至4的整数,并且
当a5为2或更大时,括号中的结构彼此相同或不同。
4.根据权利要求1所述的化合物,其中n1至n3之和为2。
5.根据权利要求1所述的化合物,其中A1至A4彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;经取代或未经取代的烷基;或者经取代或未经取代的芳基。
6.根据权利要求1所述的化合物,其中R1至R6彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基。
7.根据权利要求1所述的化合物,其中式1的所述化合物的最大发光峰为420nm至480nm。
9.一种有机发光器件,包括:
第一电极;
设置成面向所述第一电极的第二电极;以及
设置在所述第一电极与所述第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层,
其中所述有机材料层的一个或更多个层包含根据权利要求1至8中任一项所述的化合物。
10.根据权利要求9所述的有机发光器件,其中所述有机材料层包括发光层,所述发光层包含所述化合物。
11.根据权利要求10所述的有机发光器件,其中所述发光层包含主体和掺杂剂,所述掺杂剂包括所述化合物。
14.根据权利要求10所述的有机发光器件,其中所述有机材料层还包括选自以下的一个或两个或更多个层:空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层。
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