CN114072683B - 一种温度测量方法及装置、存储介质 - Google Patents

一种温度测量方法及装置、存储介质 Download PDF

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Abstract

一种温度测量方法，基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压；当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻(S101)；当当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围(S102)；基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值(S103)。

Description

一种温度测量方法及装置、存储介质
技术领域
本发明实施例涉及晶体振荡器技术领域，尤其涉及一种温度测量方法及装置、存储介质。
背景技术
晶体振荡器，不仅广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，还可以作为通信系统的频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号，以及为特定系统提供基准信号。晶体振荡器中的频率误差大部分情况下是由温度变化引起的。
在现有技术中，可以采用温度补偿晶体振荡器能够通过感知周围温度调节谐振频率，从而消除温度变化引起的频率误差，但是，温度补偿晶体振荡器的成本较高，应用范围有限。目前，自由振荡的晶体振荡器得到了更大规模的应用，为晶体振荡器的热敏电阻串联一个外部固定电阻，并利用模数转换器进行晶体振荡器的温度测量，通过改变后端射频电路中最终产生的频率进行温度补偿，不仅成本较低，而且可以在系统中生成多个频率，每个频率都对应有不同的补偿方案，频率之间互不干扰。然而，在温度较低或者温度较高时，热敏电阻和外部固定电阻之间不在一个数量级上，即使热敏电阻出现一定程度的变化，对于输入至模数转换器的电压信号实际上变化很小，且接近于电源电压或者接近于零，此时，模数转换器的性能较差，因此，温度测量精度较低，且无法实现较低温度或者较高温度的测量，温度测量范围有限。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种温度测量方法，通过切换电阻阵列中与晶体振荡器的热敏电阻串联的电阻，进行温度测量，不仅提高了温度测量的精度，还扩大了温度测量的范围。
本申请实施例的技术方案可以如下实现：
本申请实施例提供了一种温度测量方法，所述方法包括：
基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量所述热敏电阻对应的当前电压；所述当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；
当所述当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻，直至所述阵列电阻中目标电阻与所述热敏电阻串联，测量到所述热敏电阻对应的目标电压处于所述预设电压范围；
基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值。
在上述方案中，所述基于预设切换规则从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻，包括：
当所述当前电压超过所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值大于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联；
当所述当前电压低于所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值小于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联。
在上述方案中，所述测量所述热敏电阻对应的当前电压之后，所述方法还包括：
在基于所述预设切换规则，从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻的过程中，依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
在上述方案中，所述依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值，包括：
在从所述当前电阻切换到所述电阻阵列中的第一电阻，实现所述第一电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第一电压；
获取所述当前电阻的校正阻值；
根据所述电源电压、所述当前电压、所述当前电阻的校正阻值和所述第一电压，确定所述第一电阻的校正阻值；
当确定所述第一电阻非所述目标电阻，在从所述第一电阻切换到所述电阻阵列中的第二电阻，实现所述第二电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第二电压，并根据所述电源电压、所述第一电压、所述第一电阻的校正阻值和所述第二电压，继续确定所述第二电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的实际阻值。
在上述方案中，所述获取所述当前电阻的校正阻值，包括：
当所述当前电阻为所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，将所述当前电阻的标称电阻确定为所述当前电阻的校正阻值。
在上述方案中，所述获取所述当前电阻的校正阻值，包括：
当所述当前电阻非所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，获取所述电阻阵列中历史电阻的校正阻值，以及所述热敏电阻与所述历史电阻串联时对应的历史电压；所述历史电阻为所述电阻阵列中，在所述当前电阻与所述热敏电阻串联之前，与所述热敏电阻串联的前一个电阻；
根据所述电源电压、所述历史电阻的校正阻值、所述历史电压和所述当前电压，确定所述当前电阻的校正阻值。
在上述方案中，所述基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值，包括：
获取所述目标电阻的校正阻值；
基于所述电源电压、所述目标电阻的校正阻值和所述目标电压，确定所述温度值。
在上述方案中，所述基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值之后，所述方法还包括：
将所述温度值传输至时钟发生器，以供所述时钟发生器根据所述温度值，对所述晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
本申请实施例提供了一种温度测量装置，所述装置包括：电阻器阵列、模数转换器、处理器；
所述模数转换器，配置为基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量所述热敏电阻对应的当前电压；所述当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；
所述处理器，配置为当所述当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻，直至所述电阻阵列中目标电阻与所述热敏电阻串联，测量到所述热敏电阻对应的目标电压处于所述预设电压范围；基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值。
在上述装置中，所述处理器，配置为当所述当前电压超过所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值大于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联；当所述当前电压低于所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值小于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联。
在上述装置中，所述处理器，配置为在基于所述预设切换规则，从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻的过程中，依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
在上述装置中，所述处理器，配置为在从所述当前电阻切换到所述电阻阵列中的第一电阻，实现所述第一电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第一电压；获取所述当前电阻的校正阻值；根据所述电源电压、所述当前电压、所述当前电阻的校正阻值和所述第一电压，确定所述第一电阻的校正阻值；当确定所述第一电阻非所述目标电阻，在从所述第一电阻切换到所述电阻阵列中的第二电阻，实现所述第二电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第二电压，并根据所述电源电压、所述第一电压、所述第一电阻的校正阻值和所述第二电压，继续确定所述第二电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
在上述装置中，所述处理器，配置为当所述当前电阻为所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻，将所述当前电阻的标称电阻确定为所述当前电阻的校正阻值。
在上述装置中，所述处理器，配置为当所述当前电阻非所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，获取所述电阻阵列中历史电阻的校正阻值，以及所述热敏电阻与所述历史电阻串联时对应的历史电压；所述历史电阻为所述电阻阵列中，在所述当前电阻与所述热敏电阻串联之前，与所述热敏电阻串联的前一个电阻；根据所述电源电压、所述历史电阻的校正阻值、所述历史电压和所述当前电压，确定所述当前电阻的实际阻值。
在上述装置中，所述处理器，配置为获取所述目标电阻的校正阻值；基于所述电源电压、所述目标电阻的校正阻值和所述目标电压，确定所述温度值。
在上述装置中，所述处理器，配置为将所述温度值传输至时钟发生器，以供所述时钟发生器根据所述温度值，对所述晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器和模数转换器执行时实现上述温度测量方法。
由此可见，在本申请实施例的技术方案中，基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压；当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；当当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围；基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值。也就是说，本申请提供的技术方案，通过切换电阻阵列中与晶体振荡器的热敏电阻串联的电阻，进行温度测量，不仅提高了温度测量的精度，还扩大了温度测量的范围。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种温度测量方法的流程示意图一；
图2为本申请实施例提供的一种示例性的温度测量装置的器件示意图；
图3为本申请实施例提供的一种确定电阻校正阻值的流程示意图；
图4为本申请实施例提供的一种温度测量方法的流程示意图二；
图5为本申请实施例提供的一种温度测量装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关申请相关的部分。
实施例一
本申请实施例提供了一种温度测量方法，图1为本申请提供的一种温度测量方法的流程示意图一。如图1所示，主要包括以下步骤：
S101、基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压；当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻。
在本申请的实施例中，温度测量装置可以基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压。
需要说明的是，在本申请的实施例中，温度测量装置可以包括电阻阵列、模数转换器和处理器，其中，电阻阵列包括多个电阻和多个开关，一个开关可以控制一个电阻与热敏电阻的串联，模数转换器可以测量出热敏电阻与电阻阵列中不同电阻串联时，对应的电压，即温度测量装置中数模转换器可以基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压，处理器可以根据模数转换器测量的不同电压控制电阻阵列中的电阻与热敏电阻的连接状态、计算电阻阵列中电阻的校正阻值，以及根据电压确定晶体振荡器的温度值等。
图2为本申请实施例提供的一种示例性的温度测量装置的示意图。如图2所示，温度测量装置不仅可以包括电阻阵列、模数转换器和处理器，还可以包括低通滤波器和抽取器，其中，电阻阵列包括n个电阻，低通滤波器可以将电源电压分压给热敏电阻的电压信号进行低通滤波，之后输出到模数转换器，即可测量到热敏电阻对应的电压，之后，由于一直实时持续对测量出电压，抽取器可以按照一定规则从多个电压中进行抽取，从而进一步根据抽取出的电压作为当前电压，或者，将与当前时刻相邻时刻内的多个电压计算均值，作为当前电压，当然，抽取器也可以直接将模数转换器实时输出的电压值作为当前电压提供给处理器，从而进一步进行温度测量等，当然，也可以一直实时确定晶体振荡器的温度值，并且，可以将处理器、低通滤波器、模数转换器和抽取器作为一个整体，即作为测量接口。此外，温度测量装置还可以包括其它器件，例如，存储器，可以进行电压和/或确定的温度值的存储，本申请实施例不作限定。
需要说明的是，在本申请的实施例中，电阻阵列包括的多个电阻中每一个电阻的阻值可以根据实际需求预先匹配，具体的电阻阵列包括的电阻数目，以及电阻的阻值本申请实施例不作限定。
需要说明的是，在本申请的实施例中，当前电阻即为当前时刻与热敏电阻串联的电阻，模数转换器可以直接测量到此时热敏电阻对应的当前电阻值。
可以理解的是，在现有技术中，测量晶体振荡器的温度值采用的测量装置，通常仅为晶体振荡器的热敏电阻串联一个固定电阻，基于该固定电阻，持续测量晶体振荡器的温度值，然而，在晶体振荡器温度过高或过低时，模数转换器处输入的电压信号将较大或较小，导致模数转换器的灵敏度降低，即模数转换器无法保持处于较佳的工作状态，因此，最终测量出的热敏电阻对应的电压不准确，从而导致根据电压进一步确定的温度值也是不准确的，在实际应用中仅能测量较小范围的温度值，对于温度较大或温度较小的情况，难以正常测量。在本申请的实施例中，电阻阵列包括了多个电阻，因此，温度测量装置可以根据实际的测量状态，确定需要与热敏电阻串联以实现温度测量的电阻，以保证模数转换器处于较佳的工作状态，从而不仅提高了温度值的精度，还扩大了可测量的范围。
S102、当当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围。
在本申请的实施例中，当当前电压超过或低于预设电压范围时，温度测量装置可以基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围，其中，目标电压可以为目标电阻与热敏电阻串联之后，测量到的任一处于预设电压范围的电压，目标电压本申请实施例不作限定。
需要说明的是，在本申请的实施例中，用户可以根据实际需求在温度测量装置中设置预设电压范围，具体的预设电压范围可以设置在电源电压一半的附近，电源电压即为当前温度测量装置中接入的工作电压，本申请实施例不作限定。
示例性的，在本申请的实施例中，预设电压范围为：大于等于电源电压的40％，且小于等于电源电压的70％，温度测量装置在测量出当前电压之后，即可判断当前电压是否处于该预设电压范围。
具体的，在本申请的实施例中，温度测量装置基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，包括：当当前电压超过预设电压范围，依次切换电阻阵列中，标称阻值大于当前电阻的电阻与热敏电阻串联；当当前电压低于预设电压范围，依次切换电阻阵列中，标称阻值小于当前电阻的电阻与热敏电阻串联。
可以理解的是，在本申请的实施例中，如果当前电压超过预设电压范围，则表明当前电压过大，相应的，温度测量装置中的模数转换器在测量出当前电压之前，输入其的电压信号是过大的，模数转换器的灵敏度较差，此时测量出的当前电压是不准确的，此时，需要减小输入到模数转换器的电压信号，因此，基于热敏电阻和电阻阵列中电阻串联，对电源电压分压的原理，温度测量装置可以切换到电阻阵列中标称阻值大于当前电阻的电阻，与热敏电阻进行串联，从而降低输入模数转换器的电压信号，当然，如果当前电压低于预设电压范围，则表明当前电压过小，温度测量装置可以切换到电阻阵列中标称阻值小于当前电阻的电阻，与热敏电阻进行串联，从而增大输入模数转换器的电压信号。
需要说明的是，在本申请的实施例中，电阻阵列中包括的每一个电阻都有其对应的标称阻值，即应该达到的阻值，温度测量装置可以直接获取到标称阻值，作为电阻切换的依据。
示例性的，在本申请的实施例中，电阻阵列中包括N个电阻，分别为A1、A2，……An，且标称阻值依次增大，当前与热敏电阻串联电阻A3，测量到的热敏电阻对应的电压超过预设电压范围，因此，温度测量装置可以先从电阻A3切换到将电阻A4，如果测量出热敏电阻对应的电压仍然超过预设电压范围，再从电阻A4切换到电阻A5，依次类推，直到切换到电阻Ax与热敏电阻串联时，热敏电阻对应的电压处于预设电压范围，从而电阻Ax即为目标电阻，x为大于3且小于等于n的自然数。
可以理解的是，在本申请的实施例中，每切换一次与热敏电阻串联的电阻，温度测量装置实际上都将通过模数转换器测量对应的电压，从而进行判断，当然，依次切换串联的电阻，如果切换到满足预设电压范围的电阻，该电阻即为目标电阻，此时则终止切换电阻阵列中的电阻。
可以理解的是，在本申请的实施例中，目标电阻与热敏电阻串联，测量到的热敏电阻对应的目标电压处于预设范围，则表明此时输入模数转换器的电压信号处于电源电压的一半附近，模数转换器可以具备较佳的性能，此时，目标电阻与热敏电阻的阻值较为接近，在热敏电阻随着温度变化产生一定变化时，输入模数转换器的电压信号也会相应产生一定的程度的变化，从而最终温度测量的灵敏度也较高，如果采用目标电压进行晶体振荡器温度的计算，温度值较为准确。
需要说明的是，在本申请的实施例中，温度测量装置测量热敏电阻对应的当前电压之后，还可以执行以下步骤：在基于预设切换规则，从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻的过程中，依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出目标电阻的校正阻值。
具体的，在本申请的实施例中，温度测量装置依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出目标电阻的校正阻值，包括：在从当前电阻切换到电阻阵列中的第一电阻，实现第一电阻与热敏电阻串联时，测量热敏电阻对应的第一电压；获取当前电阻的校正阻值；根据电源电压、当前电压、当前电阻的校正阻值和第一电压，确定第一电阻的校正阻值；当确定第一电阻非目标电阻，在从第一电阻切换到电阻阵列中的第二电阻，实现第二电阻与热敏电阻串联时，测量热敏电阻对应的第二电压，并根据电源电压、第一电压、第一电压的校正阻值和第二电压，继续确定第二电阻的校正阻值，直至确定出目标电阻的校正阻值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，温度测量装置实际上切换过程，确定切换到的电阻的校正阻值，是根据前一个与热敏电阻串联的电阻的校正阻值、热敏电阻与前一个电阻串联时对应的电压、热敏电阻与切换到的电阻串联是对应的电压，以及电源电压确定的，此外，具体的第一电阻为按照预设切换规则所确定的电阻，本发明实施例不作限定。
可以理解的是，在本申请的实施例中，为了避免不同电阻切换导致的额外的偏移，因此，需要进行电阻的阻值的匹配校正，以在后续计算过程中，采用校正阻值进行计算，使计算结果更加准确。
需要说明的是，在本申请的实施例中，温度测量装置每切换一次与热敏电阻串联的电阻时，即可以确定切换到的电阻的校正阻值。
具体的，在本申请的实施例中，温度测量装置根据电源电压、当前电压、当前电阻的校正阻值和第一电压，可以按照以下公式(1)和公式(2)确定第一电阻的校正阻值：
VADC1＝VDD×RTH1/(RTH1+RX1) (1)
VADC2＝VDD×RTH1/(RTH1+RX2) (2)
其中，VADC1为当前电压，VDD为电源电压，RX1为当前电阻的校正阻值，VADC2为第一电压，RTH1为热敏电阻的当前阻值，在切换过程中认为其不变，根据公式(1)即可计算出RTH1，代入公式(2)即可计算出第一电阻的校正阻值RX2。
可以理解的是，在本申请的实施例中，如果第一电压仍然超出或低于预设电压范围，即第一电阻非目标电阻，则切换第二电阻与热敏电阻串联时，第二电阻本发明实施例不作限定，继续按照上述方式确定第二电阻的校正阻值，即测量串联第二电阻时热敏电阻对应的第二电压，根据第二电压、第一电压、第一电阻的校正阻值，以及电源电压，基于公式(1)和公式(2)计算第二电阻的校正阻值，直至确定出目标电阻的校正阻值。
图3为本申请实施例提供的一种确定电阻校正阻值的流程示意图，如图3所示，温度测量装置先判断与当前电阻串联的热敏电阻对应的当前电压VADC1是否超过或低于预设电压范围，如果超过或低于预设电压范围，可以记录当前电压VADC1和当前电阻的校正阻值RX1，之后基于预设切换规则切换到第一电阻与热敏电阻串联，记录第一电压VADC2，最后根据接入的电源电压VDD、VADC1、RX1和VADC2，计算第一电阻的校正阻值RX2。
需要说明的是，在本申请的实施例中，温度测量装置获取当前电阻的校正阻值分为两种情况，具体的，一种情况为，当当前电阻为电阻阵列中第一个与热敏电阻串联的电阻时，将当前电阻的标称电阻确定为当前电阻的校正阻值，另一种情况为，当当前电阻非电阻阵列中第一个与热敏电阻串联的电阻时，获取电阻阵列中历史电阻的校正阻值，以及热敏电阻与历史电阻串联时对应的历史电压，根据电源电压、历史电阻的校正阻值、历史电压和当前电压，确定当前电阻的校正阻值，其中，历史电阻为电阻阵列中，在当前电阻与热敏电阻串联之前，与热敏电阻串联的前一个电阻。
需要说明的是，在本申请的实施例中，历史电阻即为切换到当前电阻之前，与热敏电阻串联的前一个电阻，根据电源电压、历史电阻的校正阻值、历史电压和当前电压，确定当前电阻的校正阻值的过程与上述确定第一电阻的校正阻值的过程相同，在此不再赘述。
需要说明的是，在本申请的实施例中，温度测量装置可以包括存储器，在确定每一个电阻的校正阻值之后，都可以将对应的校正阻值存储在存储器中，便于后续进行数据处理，例如，进行温度值的计算等，具体的存储器类型本发明实施例不作限定。此外，如果确定了目标电阻的校正阻值之后，在后续根据实际情况需要继续切换电阻时，在切换过程中，也可以重新更新电阻的校正阻值，这是因为，随着温度的变化，电阻的阻值实际上还是会产生微小的变化，为了获得精度更高的温度值，需要在每一次切换过程不断重新校准，获得新的校正阻值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，可以将电阻阵列中第一个与热敏电阻串联的电阻确定为参考电阻，即将该电阻的标称阻值确定为该电阻的校正阻值。
S103、基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值。
在本申请的实施例中，温度测量装置在将目标电阻与热敏电阻串联之后，即可基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值。
具体的，在本申请的实施例中，温度测量装置基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值，包括：获取目标电阻的校正阻值；基于电源电压、目标电阻的校正阻值和目标电压，确定温度值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，目标电压为目标电阻与热敏电阻串联之后，温度测量装置测量到的任一处于预设电压范围的电压，具体的目标电压本申请实施例不作限定。
可以理解的是，在本申请的实施例中，在进行电阻切换时，温度测量装置依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定目标电阻的校正阻值，因此，温度测量装置在确定温度值时，可以直接获取到目标电阻的校正阻值。
具体的，在本申请的实施例中，温度测量装置可以按照公式(3)计算热敏电阻在串联目标电阻的情况下，实时的电阻值：
VADC＝VDD×RTH2/(RTH2+RXm) (3)
其中，VADC为目标电压，VDD为电源电压，RXm为目标电阻的校正阻值，将三个数据代入公式(3)，即可确定出此时热敏电阻的阻值RTH2。
具体的，在本申请的实施例中，温度测量装置在确定出热敏电阻的阻值RTH2之后，即可代入公式(4)计算晶体振荡器的温度值：
RTH2＝R0eB(1/T-1/T0) (4)
其中，T0为30度，R0为热敏电阻在温度为T0时的阻值，具体为100千欧，B为热敏电阻常数，将RTH2代入公式(4)，即可计算出的晶体振荡器此时的温度值T。
可以理解的是，在本申请的实施例中，目标电阻和热敏电阻串联之后，由于热敏电阻的温度仍然在不断的变化，因此，温度测量装置在测量到一段时间目标电压，即处于预设电压范围的电压之后，可能出现测量到某一时刻的电压超出或低于预设电压范围，此时，可以将目标电压看作上述当前电阻，重新进行新的电阻切换，确定新的目标电阻，以保证温度测量精度和范围。
图4为本申请实施例提供的一种温度测量方法的流程示意图二。如图4所示，在步骤S103之后，还包括步骤S104：
S104、将温度值传输至时钟发生器，以供时钟发生器根据温度值，对晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
在本申请的实施例中，温度测量装置可以将温度值传输至时钟发生器，以供时钟发生器根据温度值，对晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
可以理解的是，在本申请的实施例中，时钟发生器可以接收到晶体振荡器输出的振荡频率，但是，由于晶体振荡器的温度变化，输出的振荡频率存在不准确的情况，因此，时钟发生器可以根据温度值，按照一定的方式调整接收到的振荡频率，以提供给特定的器件等。
需要说明的是，在本申请的实施例中，基于上述温度测量方法，在实际测量过程中，可以按照一定的周期进行温度测量，本申请实施例不作限定。
本申请实施例提供了一种温度测量方法，基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压；当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；当当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围；基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值。也就是说，本申请提供的技术方案，通过切换电阻阵列中与晶体振荡器的热敏电阻串联的电阻，进行温度测量，不仅提高了温度测量的精度，还扩大了温度测量的范围。
实施例二
本申请实施例提供了一种温度测量装置，图5为本申请实施例提供的一种温度测量装置的结构示意图。如图5所示，所述装置包括：电阻器阵列501、模数转换器502、处理器503；
所述模数转换器502，配置为基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量所述热敏电阻对应的当前电压；所述当前电阻为电阻阵列501中任意一个电阻；
所述处理器503，配置为当所述当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从所述电阻阵列501中切换与所述热敏电阻串联的电阻，直至所述电阻阵列中目标电阻与所述热敏电阻串联，所述模数转换器502测量到所述热敏电阻对应的目标电压处于所述预设电压范围；基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值。
可选的，所述处理器503，配置为当所述当前电压超过所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列501中，标称阻值大于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联；当所述当前电压低于所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列501中，标称阻值小于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联。
可选的，所述处理器503，配置为在基于所述预设切换规则，从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻的过程中，依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
可选的，所述处理器503，配置为在从所述当前电阻切换到所述电阻阵列中的第一电阻，实现所述第一电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第一电压；获取所述当前电阻的校正阻值；根据所述电源电压、所述当前电压、所述当前电阻的校正阻值和所述第一电压，确定所述第一电阻的校正阻值；当确定所述第一电阻非所述目标电阻，在从所述第一电阻切换到所述电阻阵列中的第二电阻，实现所述第二电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第二电压，并根据所述电源电压、所述第一电压、所述第一电阻的校正阻值和所述第二电压时，继续确定所述第二电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
可选的，所述处理器503，配置为当所述当前电阻为所述电阻阵列501中第一个与所述热敏电阻串联的电阻，将所述当前电阻的标称电阻确定为所述当前电阻的校正阻值。
可选的，所述处理器503，配置为当所述当前电阻非所述电阻阵列501中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，获取所述电阻阵列中历史电阻的校正阻值，以及所述热敏电阻与所述历史电阻串联时对应的历史电压；所述历史电阻为所述电阻阵列中，在所述当前电阻与所述热敏电阻串联之前，与所述热敏电阻串联的前一个电阻；根据所述电源电压、所述历史电阻的校正阻值、所述历史电压和所述当前电压，确定所述当前电阻的实际阻值。
可选的，所述处理器503，配置为获取所述目标电阻的校正阻值；基于所述电源电压、所述目标电阻的校正阻值和所述目标电压，确定所述温度值。
可选的，所述处理器503，配置为将所述温度值传输至时钟发生器，以供所述时钟发生器根据所述温度值，对所述晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
本申请实施例提供了一种温度测量装置，基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压；当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；当当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围；基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值。也就是说，本申请提供的温度测量装置，通过切换电阻阵列中与晶体振荡器的热敏电阻串联的电阻，进行温度测量，不仅提高了温度测量的精度，还扩大了温度测量的范围。
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器和模数转换器执行时实现上述温度测量方法。计算机可读存储介质可以是是易失性存储器(volatile memory)，例如随机存取存储器(Random-Access Memory，RAM)；或者非易失性存储器(non-volatile memory)，例如只读存储器(Read-Only Memory，ROM)，快闪存储器(flash memory)，硬盘(Hard Disk Drive，HDD)或固态硬盘(Solid-StateDrive，SSD)；也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各自设备，如移动电话、计算机、平板设备、个人数字助理等。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用硬件实施例、软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程信号处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程信号处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程信号处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程信号处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
工业实用性
在本发明实施例的技术方案中，基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量热敏电阻对应的当前电压；当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；当当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从电阻阵列中切换与热敏电阻串联的电阻，直至电阻阵列中目标电阻与热敏电阻串联，测量到热敏电阻对应的目标电压处于预设电压范围；基于接入的电源电压、目标电阻和目标电压，确定晶体振荡器的温度值。也就是说，本申请提供的技术方案，通过切换电阻阵列中与晶体振荡器的热敏电阻串联的电阻，进行温度测量，不仅提高了温度测量的精度，还扩大了温度测量的范围。

Claims (13)

1.一种温度测量方法，所述方法包括：
基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量所述热敏电阻对应的当前电压；所述当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；
当所述当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻，直至所述电阻阵列中目标电阻与所述热敏电阻串联，测量到所述热敏电阻对应的目标电压处于所述预设电压范围；
基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值；
所述测量所述热敏电阻对应的当前电压之后，所述方法还包括：
在基于所述预设切换规则，从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻的过程中，依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值；
所述依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值，包括：
在从所述当前电阻切换到所述电阻阵列中的第一电阻，实现所述第一电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第一电压；
获取所述当前电阻的校正阻值；
根据所述电源电压、所述当前电压、所述当前电阻的校正阻值和所述第一电压，确定所述第一电阻的校正阻值；
当确定所述第一电阻非所述目标电阻，在从所述第一电阻切换到所述电阻阵列中的第二电阻，实现所述第二电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第二电压，并根据所述电源电压、所述第一电压、所述第一电阻的校正阻值和所述第二电压，继续确定所述第二电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于预设切换规则从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻，包括：
当所述当前电压超过所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值大于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联；
当所述当前电压低于所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值小于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述获取所述当前电阻的校正阻值，包括：
当所述当前电阻为所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，将所述当前电阻的标称电阻确定为所述当前电阻的校正阻值。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述获取所述当前电阻的校正阻值，包括：
当所述当前电阻非所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，获取所述电阻阵列中历史电阻的校正阻值，以及所述热敏电阻与所述历史电阻串联时对应的历史电压；所述历史电阻为所述电阻阵列中，在所述当前电阻与所述热敏电阻串联之前，与所述热敏电阻串联的前一个电阻；
根据所述电源电压、所述历史电阻的校正阻值、所述历史电压和所述当前电压，确定所述当前电阻的校正阻值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值，包括：
获取所述目标电阻的校正阻值；
基于所述电源电压、所述目标电阻的校正阻值和所述目标电压，确定所述温度值。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值之后，所述方法还包括：
将所述温度值传输至时钟发生器，以供所述时钟发生器根据所述温度值，对所述晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
7.一种温度测量装置，所述装置包括：电阻器阵列、模数转换器、处理器；
所述模数转换器，配置为基于当前与晶体振荡器中热敏电阻串联的当前电阻，测量所述热敏电阻对应的当前电压；所述当前电阻为电阻阵列中任意一个电阻；
所述处理器，配置为当所述当前电压超过或低于预设电压范围时，基于预设切换规则从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻，直至所述电阻阵列中目标电阻与所述热敏电阻串联，测量到所述热敏电阻对应的目标电压处于所述预设电压范围；基于接入的电源电压、所述目标电阻和所述目标电压，确定所述晶体振荡器的温度值；
所述处理器，配置为在基于所述预设切换规则，从所述电阻阵列中切换与所述热敏电阻串联的电阻的过程中，依次确定每一个切换到的电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值；
所述处理器，配置为在从所述当前电阻切换到所述电阻阵列中的第一电阻，实现所述第一电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第一电压；获取所述当前电阻的校正阻值；根据所述电源电压、所述当前电压、所述当前电阻的校正阻值和所述第一电压，确定所述第一电阻的校正阻值；当确定所述第一电阻非所述目标电阻，在从所述第一电阻切换到所述电阻阵列中的第二电阻，实现所述第二电阻与所述热敏电阻串联时，测量所述热敏电阻对应的第二电压，并根据所述电源电压、所述第一电压、所述第一电阻的校正阻值和所述第二电压，继续确定所述第二电阻的校正阻值，直至确定出所述目标电阻的校正阻值。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，
所述处理器，配置为当所述当前电压超过所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值大于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联；当所述当前电压低于所述预设电压范围，依次切换所述电阻阵列中，标称阻值小于所述当前电阻的电阻与所述热敏电阻串联。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，
所述处理器，配置为当所述当前电阻为所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻，将所述当前电阻的标称电阻确定为所述当前电阻的校正阻值。
10.根据权利要求7所述的装置，其中，
所述处理器，配置为当所述当前电阻非所述电阻阵列中第一个与所述热敏电阻串联的电阻时，获取所述电阻阵列中历史电阻的校正阻值，以及所述热敏电阻与所述历史电阻串联时对应的历史电压；所述历史电阻为所述电阻阵列中，在所述当前电阻与所述热敏电阻串联之前，与所述热敏电阻串联的前一个电阻；根据所述电源电压、所述历史电阻的校正阻值、所述历史电压和所述当前电压，确定所述当前电阻的实际阻值。
11.根据权利要求7所述的装置，其中，
所述处理器，配置为获取所述目标电阻的校正阻值；基于所述电源电压、所述目标电阻的校正阻值和所述目标电压，确定所述温度值。
12.根据权利要求7所述的装置，其中，
所述处理器，配置为将所述温度值传输至时钟发生器，以供所述时钟发生器根据所述温度值，对所述晶体振荡器输出的振荡频率进行校正。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器和模数转换器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的方法。
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