CN114072538A - 前驱体供应柜 - Google Patents

前驱体供应柜 Download PDF

Info

Publication number
CN114072538A
CN114072538A CN202080045932.1A CN202080045932A CN114072538A CN 114072538 A CN114072538 A CN 114072538A CN 202080045932 A CN202080045932 A CN 202080045932A CN 114072538 A CN114072538 A CN 114072538A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cabinet
precursor supply
precursor
space
hermetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202080045932.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114072538B (zh
Inventor
P·索恩宁
J·韦斯林
M·马里拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qingdao Sifang Sri Intelligent Technology Co ltd
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Publication of CN114072538A publication Critical patent/CN114072538A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114072538B publication Critical patent/CN114072538B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F7/007—Ventilation with forced flow
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F7/04—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation
    • F24F7/06—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit
    • F24F7/08—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit with separate ducts for supplied and exhausted air with provisions for reversal of the input and output systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
    • F17C13/08—Mounting arrangements for vessels
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2205/00—Vessel construction, in particular mounting arrangements, attachments or identifications means
    • F17C2205/01—Mounting arrangements
    • F17C2205/0103—Exterior arrangements
    • F17C2205/0111—Boxes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2270/00—Applications
    • F17C2270/05—Applications for industrial use
    • F17C2270/0518—Semiconductors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F2007/001—Ventilation with exhausting air ducts
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F7/00—Ventilation
    • F24F2007/0025—Ventilation using vent ports in a wall

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

本发明涉及用于容纳一个或多个前驱体容器(80)的前驱体供应柜(2)，前驱体供应柜(2)具有限定内部柜空间(1)的柜壁(3、4、6、7、8、9)。前驱体供应柜(2)包括通气排出连接件(20、21、22)、一个或多个通气入口连接件(10、11)、用于容纳前驱体容器(80)的两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)，该通气排出连接件(20、21、22)布置成将通气气体从内部柜空间(1)排出。气密式前驱体供应腔室(30)布置在前驱体供应柜(2)的内部柜空间(1)内部，使得前驱体供应柜(2)的包围单独的气密式前驱体供应腔室(30)的内部柜空间(1)是通气的。

Description

前驱体供应柜
技术领域
本发明涉及前驱体供应柜，并且更具体地，涉及根据权利要求1所述的前驱体供应柜。
背景技术
前驱体气体从前驱体容器或前驱体器皿被供应到原子层沉积设备的反应腔室。此外，待被处理的基底被放置到反应腔室中，使得可以根据原子层沉积的原理利用前驱体气体处理待被处理的基底。前驱体容器通常布置到通气式空间中，并且前驱体导向件从通气式空间中的前驱体容器朝向反应腔室延伸。前驱体进一步在加热状态下被供应到反应腔室。因此，前驱体容器和前驱体导向件利用加热元件进行加热，以将前驱体在通气式空间中维持在升高的温度并且防止前驱体温度降低以及发生冷凝。
与现有技术相关的缺点中的一个在于，所有前驱体容器和前驱体导向件必须在通气式空间中被单独隔热和加热。此外，由于通气气体发生冷却并且影响前驱体容器和前驱体导向件的温度，因此难以控制前驱体的温度。这使得控制温度变得困难和复杂。不同的前驱体材料需要不同的温度，并且因此每个前驱体容器和前驱体导向件必须被单独隔热和加热。然而，被加热的前驱体容器和前驱体导向件彼此影响，从而使得温度控制变得困难。
发明内容
本发明的目的是提供前驱体供应柜以解决或至少减轻现有技术的缺点。
本发明的目的通过由独立权利要求1中阐明的内容表征的前驱体供应柜实现。
本发明的优选实施例在从属权利要求中公开。
本发明基于提供用于容纳一个或多个前驱体容器的前驱体供应柜的想法。前驱体供应柜具有限定内部柜空间的柜壁。前驱体供应柜包括：通气排出连接件和一个或多个通气入口连接件，该通气排出连接件布置成将通气气体从前驱体供应柜的内部柜空间排出，一个或多个通气入口连接件布置成将通气气体提供到前驱体供应柜的内部柜空间中。前驱体供应柜还包括用于容纳前驱体容器的一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室或两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室。一个或多个气密式前驱体供应腔室布置在前驱体供应柜的内部柜空间内部，使得前驱体供应柜的包围一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室的内部柜空间是通气的。
根据上述内容，一个或多个气密式前驱体供应柜或两个或更多个气密式前驱体供应柜布置在内部柜空间内部，使得一个或多个气密式前驱体供应腔室位于通气式空间、即内部柜空间、内部。因此，前驱体供应腔室的外表面暴露于气体，但前驱体供应腔室的气密式结构防止通气气体进入前驱体供应腔室内部。前驱体容器被容纳在前驱体供应腔室内部并且因此前驱体容器不会经受通气气体或通气流动。
在本申请的上下文中，与前驱体供应腔室相关的气密意味着在前驱体供应腔室内部的腔室空间与前驱体供应腔室的外部、即内部柜空间、之间基本上没有气体流动。因此，气密意味着从前驱体供应柜的内部柜空间进入前驱体供应腔室的腔室空间的、或腔室空间与前驱体供应柜的内部柜空间之间的泄漏流量小于标准状态下的5升/分钟(slm)。优选地，气密意味着上述泄漏流量为0至5slm、或小于3slm，或更优选地小于1slm。
优选地，前驱体供应柜包括两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室，该两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成彼此间隔开，使得在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室之间设置一个或多个流动间隙。
这允许通气气体在两个或更多个前驱体供应腔室之间流动。因此，两个或更多个前驱体供应腔室可以保持为彼此分离，并且特别是两个或更多个前驱体供应腔室可以彼此热分离。两个或更多个前驱体供应腔室内部的温度可以彼此不同，因此有利的是使前驱体供应柜内部的前驱体供应腔室之间的热传递最小化。
在另一实施例中，前驱体供应柜包括两个或更多个气密式前驱体供应腔室，该两个或更多个气密式前驱体供应腔室在内部柜空间内部布置在一起或布置成抵靠彼此。因此，在两个或更多个气密式前驱体供应腔室之间不存在流动间隙。此外，一个前驱体供应腔室可以包括或形成为提供由腔室壁限定的两个或更多个单独的内部腔室空间。在这些实施例中，前驱体供应柜的包围两个或更多个布置在一起的气密式前驱体供应腔室的内部柜空间是通气的。
在一个实施例中，前驱体供应柜包括两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室。两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的至少两者在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成彼此相邻并且彼此相距第一距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室之间形成第一流动间隙。
在另一实施例中，前驱体供应柜包括两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室。两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的至少两者在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成一个位于另一个的顶部上方并且彼此相距第二距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室之间形成第二流动间隙。
在又一实施例中，前驱体供应柜包括两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室。两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的至少两者在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成彼此相邻并且彼此相距第一距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室之间形成第一流动间隙，并且两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的至少两者在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成一个位于另一个的顶部上方并且彼此相距第二距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室之间形成第二流动间隙。
因此，单独的前驱体供应腔室可以布置成在竖向方向和/或水平方向上彼此间隔开，使得在单独的前驱体供应腔室之间形成流动间隙。因此，通气气体可以在单独的前驱体供应腔室之间在每个方向上流动。
在一个实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成与柜壁间隔开，使得在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室和柜壁之间设置流动间隙。
因此，通气气体可以在内部柜空间内部在前驱体供应腔室和柜壁之间流动，使得前驱体供应腔室可以暴露于气体并且与柜壁热分离。此外，前驱体供应腔室可以在所有侧部上暴露于气体。
在另一实施例中，一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室中的至少两者在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置至柜壁中的一者并且与其他柜壁间隔开，使得在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的至少一者与其他柜壁之间设置流动间隙。这允许使得在前驱体供应腔室的除了布置在柜壁上或布置成抵靠柜壁的侧部或腔室壁之外的所有其他侧部或腔室壁上暴露于气体。
在一个实施例中，通气排出连接件包括通气出口和抽吸装置，该通气出口设置至柜壁并且与前驱体供应柜的内部柜空间相通，抽吸装置连接到通气出口并且布置成将通气气体经由通气出口从前驱体供应柜的内部柜空间排出。
通气出口可以包括出口开口和从出口开口延伸的出口通道。
因此，位于内部柜空间内部并且穿过内部柜空间的通气气体流通过提供经由通气出口对内部柜空间的抽吸来实现。例如，抽吸能力可以是每小时超过50立方米的通气气体，或每小时超过100立方米的通气气体。
在一个实施例中，前驱体供应柜包括顶部柜壁并且通气出口设置至顶部柜壁。
在这一实施例中，出口开口可以设置至顶部柜壁，使得通气可以经由顶部壁或内部柜空间的上部部分从内部柜空间排出。
在一个实施例中，一个或多个通气入口连接件包括通气入口，该通气入口与前驱体供应柜的内部柜空间相通并且布置成将通气气体提供到前驱体供应柜的内部柜空间中。
因此，通气排出连接件或抽吸装置提供对内部柜空间的抽吸或使得内部柜空间处于负压，从而导致通气气体经由一个或多个通气入口进入内部柜空间。通气入口可以包括与内部柜空间相通的入口开口。在一些实施例中，入口开口可以与前驱体供应柜周围的大气相通，使得通气气体或空气从周围大气获取。通气入口连接件还可以包括与入口开口连接的入口通道。
在一个实施例中，一个或多个通气入口连接包括调整元件，该调整元件设置至通气入口并且布置成调节通气入口以调节经由通气入口进入前驱体供应柜的内部柜空间的通气气体流。
调整元件可以是终端元件或调节元件，该终端元件或调节元件布置成调节通气气体到内部柜空间中的流入。在一些实施例中，调整元件布置成调节入口开口或入口通道的尺寸。调节入口开口或入口通道的尺寸可以调节进入内部柜空间以及位于内部柜空间内部的通气的流速。
在一个实施例中，前驱体供应柜包括一个或多个柜门，并且一个或多个通气入口连接件布置至一个或多个柜门。
因为打开门导致大部分通气气体通过被打开的门进入内部柜空间，所以将通气入口连接件或入口开口布置至柜门是有利的，使得防止气体流动离开内部柜空间。同时减少了通气气体经由关闭的门中的其他入口开口的流入。此外，将通气入口连接件布置至柜门消除了对柜壁进行开口的需要。
在一个实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室包括与一个或多个柜门对齐的腔室门。
在另一实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的每一者包括腔室门，并且前驱体供应柜包括相应的单独的柜门，该相应的单独的柜门分别与两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的每一者相对。
在又一个实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室布置成与两个或更多个柜门对齐。这意味着两个或更多个前驱体供应腔室布置成与两个或更多个柜门相对或布置在两个或更多个柜门后面。
在再一实施例中，前驱体供应柜包括分别与两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室中的每一者相对的单独的柜门，使得每个单独的柜门与相应的单独的气密式前驱体供应腔室对齐。这意味着存在在每个柜门后面或与每个柜门相对的、在内部柜空间内部对齐的前驱体供应腔室。
因此，打开一个柜门使得增加了经由被打开的柜门朝向与被打开的柜门对齐的前驱体供应腔室进入内部柜空间的通气气体流。因此，由于增加了与被打开的柜门相对或位于被打开的柜门后面的前驱体供应腔室的通气，因此实现了安全性增强。
在一个实施例中，前驱体供应柜包括气密式导通连接件，该气密式导通连接件在前驱体供应柜的内部柜空间内部、在前驱体供应腔室和前驱体供应柜的柜壁之间延伸。
因此，两个或更多个前驱体供应腔室中的每一者包括气密式导通连接件，该气密式导通连接件从前驱体供应腔室延伸到柜壁以从前驱体供应腔室供应前驱体气体。气密式前驱体供应连接件与前驱体供应腔室的内部腔室空间和前驱体供应柜外部相通。
在一个实施例中，单独的气密式前驱体供应腔室在前驱体供应柜的内部柜空间内部布置成与一个柜壁间隔开，使得在单独的气密式前驱体供应腔室和一个柜壁之间设置流动间隙。气密式导通连接件布置成在前驱体供应柜的内部柜空间内部、在前驱体供应腔室和一个柜壁之间延伸穿过单独的气密式前驱体供应腔室和一个柜壁之间的流动间隙。
因此，气密式导通件延伸穿过前驱体供应腔室和柜壁之间的流动间隙。导通连接件被设置为气密式的，使得在导通连接件的内部空间和导通连接件的外部之间基本上没有气体流动。因此，与导通连接件相关的气密意味着从导通连接件的外部进入导通连接件的内部空间的、或导通连接件的内部空间与外部之间的泄漏流量小于标准状态下的5升/分钟(slm)。优选地，气密意味着上述泄漏流量为0至5slm、或小于3slm，或更优选地小于1slm。优选地，导通连接件可以被设置为真空密封式的以形成真空密封式前驱体连接件。真空密封意味着泄漏流量小于0.5slm或小于0.1slm或优选地泄漏基本上为0slm。
在一个实施例中，流动间隙中的至少一者包括用于调节通气气体流的流动引导件。
在另一实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室之间的流动间隙中的至少一者包括流动引导件，该流动引导件用于调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室之间的通气气体流。
在另外的实施例中，一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室和柜壁之间的流动间隙中的至少一者包括流动引导件，该流动引导件用于调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室和柜壁之间的通气气体流。
在又一替代实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室之间的流动间隙中的至少一者包括流动引导件，该流动引导件用于调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室之间的通气气体流，并且一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室和柜壁之间的流动间隙中的至少一者包括流动引导件，该流动引导件用于调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室和柜壁之间的通气气体流。
流动引导件可以调节不同流动间隙中的通气气体的流动方向和/或流速或流量。因此，可以以高效的方式设置通过内部柜空间的通气气体流。
在一个实施例中，前驱体供应柜包括设置在内部柜空间外部的气体面板箱。气体面板箱包括面板箱壁、气体连接件、气体面板通气入口连接件，该面板箱壁限定面板箱内部空间，气体连接件设置在面板箱内部空间内部以供应气态前驱体气体，气体面板通气入口连接件设置至面板箱壁并且布置成将通气气体提供到内部面板箱空间中。气体面板箱连接到前驱体供应柜的通气排出连接件以将通气气体从气体面板箱的面板箱内部空间排出。
因此，通气排出连接件连接到气体面板箱，使得通气气体可以与来自内部柜空间的通气气体一起从面板箱内部空间排出。这为前驱体供应柜提供了简单并且高效的结构。
在一个实施例中，通气出口包括出口通道，该出口通道与内部柜空间相通并且延伸穿过面板箱内部空间，并且出口通道包括面板箱出口开口，该面板箱出口开口在面板箱内部空间内部设置至出口通道。
在另一实施例中，通气出口包括出口通道，该出口通道与内部柜空间相通并且连接到面板箱内部空间，其中，面板箱出口通道与面板箱内部空间相通。
因此，出口通道用于将通气气体从前驱体供应柜以及从面板箱排出。
在一个实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室包括加热元件，该加热元件用于加热两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室的内部腔室空间。
在另一实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室包括加热元件，该加热元件设置在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室的内部腔室空间内部以加热单独的气密式前驱体供应腔室的内部腔室空间。
因此，前驱体容器并且因此前驱体可以在气密式前驱体供应腔室内部被加热，并且前驱体供应腔室布置在前驱体供应柜的通气式内部柜空间中。因此，通气不会影响前驱体容器的加热。
本发明的优点在于，可以将前驱体容器布置到前驱体供应柜内部的通气式空间中，而没有使前驱体容器经受通气气体流。因此，可以非常细致地控制前驱体的温度，因为通气气体流不影响温度并且不与前驱体容器接触。此外，位于单独的气密式前驱体供应腔室中的前驱体容器彼此热分离并且与前驱体供应柜热分离，使得不同前驱体供应腔室和前驱体容器的不同温度不会由于通气气体流而彼此影响。
附图说明
参考随附附图借助于具体实施例详细描述本发明，在随附附图中，图1至图3示意性地示出了根据本发明的前驱体供应柜的实施例；
图4示出了图1至图3中的任何一者的前驱体柜的示意性俯视图；
图5和图6示意性地示出了内部柜空间中的单独的前驱体供应腔室的布置的一个实施例；
图7和图8示意性地示出了内部柜空间中的单独的前驱体供应腔室的布置的另一实施例；
图9示意性地示出了布置前驱体供应柜的柜门和前驱体供应腔室的腔室门的一个实施例；
图10示意性地示出了前驱体供应柜中的气体面板箱的一个实施例；
图11示意性地示出了气体面板箱的一个实施例；
图12示意性地示出了柜门的一个实施例；
图13至图16示意性地示出了前驱体供应腔室的不同实施例。
具体实施方式
图1示出了用于原子层沉积设备或原子层沉积反应器的前驱体供应柜2。前驱体供应柜2布置成容纳一个或多个前驱体容器，前驱体从该一个或多个前驱体容器被供应到原子层沉积反应器，并且特别是供应到原子层沉积反应器的反应腔室，以处理基底。
前驱体供应柜2包括柜壁3、4、6、7、8、9，该柜壁3、4、6、7、8、9限定了前驱体供应柜2内部的内部柜空间1。因此，柜壁3、4、6、7、8、9形成前驱体供应柜2的本体。
前驱体供应柜2还包括一个或多个门5，该一个或多个门5可以布置在提供通向内部柜空间1的通路的打开位置和用于关闭内部柜空间1的关闭位置中。
在图1的实施例中，柜门5设置至前驱体供应柜2的柜前部侧壁4。
然而，柜门5可以可替代地设置至其他柜侧壁3、7、9或顶部柜壁6或底部柜壁8。此外，前驱体供应柜2可以在两个或更多个柜壁3、4、6、7、8、9上包括一个或多个柜门5。
前驱体供应柜2包括一个或多个通气入口连接件10，该一个或多个通气入口连接件10布置成将通气气体提供到前驱体供应柜2的内部柜空间1中。通气气体入口连接件10提供前驱体供应柜的外部至内部柜空间1内部的通路或流入路径，使得通气气体可以从前驱体供应柜2外部流动到内部柜空间1中。
在图1的实施例中，通气入口连接件10设置至柜门5。
在图2的实施例中，通气入口连接件10设置至柜前部侧壁4。
然而，需要说明的是，通气入口连接件10可以设置至腔室壁3、4、6、7、8、9中的任何一者或柜壁3、4、6、7、8、9中的两者或更多者。
一个或多个通气入口连接件10包括通气入口10，该通气入口10与前驱体供应柜2的内部柜空间1相通并且布置成将通气气体提供到前驱体供应柜100的内部柜空间1中。
通气入口10可以进一步与前驱体供应柜2附近的周围大气相通，使得通气气体或通气空气可以经由通气入口10进入内部柜空间1。
通气入口10可以是提供通气气体的入口流动路径的通气入口开口或通气入口通道或类似物。
需要说明的是，在一些实施例中，通气入口10可以连接到通气气体源(未示出)以使得通气气体流入到内部柜空间1中。通气气体源可以是任何合适的气体源。因此，在这一实施例中，通气气体并不从前驱体供应柜周围的大气获取。
图12更详细地示出了一个柜门5。柜门5包括用于打开和关闭柜门5的打开和关闭机构，诸如铰接件或类似物(未示出)。柜门5还可以包括用于将柜门5固定或锁定到关闭位置的锁定机构。柜门5还设置有柜门窗部12以提供与内部柜空间1内部的视觉接触。
如图12所示，通气入口连接件10还可以包括设置至通气入口10的调整元件11。调整元件11布置成调节通气入口10以调节经由通气入口10进入驱体供应柜100的内部柜空间1的通气气体流。调整元件11可以布置成调节由通气入口10或通气入口开口或通气入口通道提供的流动部分。因此，调整元件11可以布置成调节入口开口10的尺寸或入口通道10的横截面积。
调整元件11可以是布置成调节通气气体到内部柜空间1中的流入的任何已知的终端元件或调节元件。
调整元件11可以设置至所有通气入口连接件10或仅设置至通气入口连接件10中的一些。此外，调整元件11可以设置至布置至柜门5或柜壁3、4、6、7、8、9的通气入口连接件10。
前驱体供应柜2包括一个或多个通气排出连接件20、22，该一个或多个通气排出连接件20、22布置成将通气气体从前驱体供应柜2的内部柜空间1排出。通气排出连接件20、22提供通向内部柜空间1的通路和通气气体的流出路径以将通气气体从内部柜空间1排出。
通气排出连接件20、22设置至柜壁3、4、6、7、8、9。因此，通气气体可以通过柜壁3、4、6、7、8、9排出。
在图1和图2的实施例中，通气排出连接件20、22设置至顶部柜壁6，如图4所示。通气排出连接件包括与内部柜空间1相通的出口开口21。通气出口通道20从出口开口21延伸。
然而，通气排出连接件20、22可以可替代地设置至任何其他柜壁3、4、7、8、9，或者可以在两个或更多个柜壁3、4、6、7、8、9中存在一个或多个通气排出连接件20、22。
通气排出连接件20、22包括通气出口20，该通气出口20设置至柜壁3、4、6、7、8、9并且与前驱体供应柜2的内部柜空间1相通。通气出口20可以是提供通气气体的出口流动路径的通气出口开口20或通气出口通道或类似物。
通气排出连接件还包括抽吸装置22，该抽吸装置22连接到通气出口21或出口通道20并且布置成将通气气体经由通气出口20从前驱体供应柜2的内部柜空间1排出。
抽吸装置22可以是能够经由通气出口20将通气气体从内部柜空间1排出的真空泵或类似装置。抽吸装置20还提供经由通气入口连接件10进入内部柜空间1的通气气体流入。
抽吸装置22布置成将通气气体流提供至前驱体供应柜，该通气气体流是至少25立方米/小时、或至少50立方米/小时、或50至100立方米/小时、或至少100立方米/小时的通气气体。
优选地，通气排出连接件20、22或通气出口20以及通气入口连接件10或通气入口10布置在前驱体供应柜10的不同柜壁3、4、6、7、8、9上。此外，优选地，通气排出连接件20、22或通气出口20以及通气入口连接件10或通气入口10在前驱体供应柜2中布置成彼此相距一距离，使得通气气体可以流动穿过整个内部柜空间1。
如图3所示，前驱体供应柜2还包括用于容纳前驱体容器80的一个或多个、优选地两个或更多个、单独的气密式前驱体供应腔室30。一个或多个气密式前驱体供应腔室30布置在前驱体供应柜2的内部柜空间1的内部，如图3所示。
两个或更多个气密式前驱体供应腔室30布置在内部柜空间1内部，使得前驱体供应柜2的内部柜空间1包围两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30，并且因此前驱体供应柜2的包围两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30的内部柜空间1是通气的。因此，两个或更多个前驱体供应腔室30布置在包围两个或更多个前驱体供应腔室30的通气式内部柜空间1中。
图5示出了本发明的一个实施例以及当从前驱体供应柜2的前部侧壁4、即从柜门5的方向、观察时前驱体供应腔室30在内部腔室空间1内部的布置。
在内部柜空间1内部，两个或更多个前驱体供应腔室30被放置或布置至(一个或多个)架子31或搁板，该(一个或多个)架子31或搁板设置在内部柜空间1内部以支撑一个或多个前驱体供应腔室30。
如图5和图6所示，存在四个前驱体供应腔室30，该四个前驱体供应腔室30布置成彼此相邻或者一个叠置在另一个顶部上方。在图5中，存在成排的两个相邻的前驱体供应腔室30和成列的两个叠置的前驱体供应腔室30。然而，需要说明的是，本发明不限于任何数量或布置的前驱体供应腔室30。
单独的气密式前驱体供应腔室30布置成在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部彼此间隔开，使得在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30之间设置一个或多个流动间隙A、B。流动间隙A、B在相邻或叠置的前驱体供应腔室30之间延伸，使得前驱体供应腔室与相邻和/或叠置的前驱体供应腔室30相距由流动间隙A、B限定的一距离或多个距离。
前驱体供应腔室30之间的流动间隙A、B使得能够实现单独的前驱体供应腔室30之间的通气气体流。
因此，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的至少两者在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置成彼此相邻并且彼此相距第一距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室30之间形成第一流动间隙A，如图5和图6所示。
类似地，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的至少两者在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置成一个位于另一个的顶部上方并且彼此相距第二距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室30之间形成第二流动间隙B。
在图5的实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的至少两者在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置成彼此相邻并且彼此相距第一距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室30之间形成第一流动间隙A。此外，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的至少两者在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置成一个位于另一个的顶部上方并且彼此相距第二距离，使得在相邻的气密式前驱体供应腔室30之间形成第二流动间隙B。
然而，在替代实施例中，两个或更多个前驱体供应腔室30可以布置在一起或布置成抵靠彼此，使得在这些前驱体供应腔室30之间不存在流动间隙。因此，布置在一起的这些前驱体供应腔室30形成位于通气式内部柜空间1内部的一个单元。
两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30进一步在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置成与柜壁3、4、6、7、8、9间隔开，使得在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30和柜壁3、4、6、7、8、9之间设置流动间隙C、D、E、F、G、H。
如图5和图6所示，前驱体供应腔室30布置成在竖向方向上与柜壁6、8、即顶部壁6和底部壁8、分别相距一距离或距离C、D。因此，分别在前驱体供应腔室30与顶部壁6之间和前驱体供应腔室30与底部壁8之间形成流动间隙C、D。
前驱体供应腔室30还布置成在水平方向上与柜壁3、7、即侧壁3、7、分别相距一距离或距离E、F。前驱体供应腔室30进一步布置成在水平方向上与柜壁3、7、即侧壁3、7、分别相距一距离或距离E、F。因此，分别在前驱体供应腔室30与第一壁3之间和前驱体供应腔室30与第二壁7之间形成流动间隙E、F。
前驱体供应腔室30还布置成在水平方向上与柜壁4、9、即前部壁4和后部壁9、分别相距一距离或距离G、H。前驱体供应腔室30进一步布置成在水平方向上与柜壁4、9、即前部壁4和后部壁9、分别相距一距离或距离G、H。因此，分别在前驱体供应腔室30与前部壁4之间和前驱体供应腔室30与后部壁9之间形成流动间隙G、H。
根据上文所述，前驱体供应腔室30与柜壁间隔开，使得通气气体可以在柜壁3、4、6、7、8、9与前驱体供应腔室30之间流动。因此，前驱体供应腔室30可以从所有侧部和所有方向暴露于气体。
在替代实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的至少一者在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置至柜壁3、4、6、7、8、9中的一者并且与其他柜壁3、4、6、7、8、9间隔开，使得在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的至少一者与其他柜壁3、4、6、7、8、9之间设置流动间隙C、D、E、F、G、H。因此，前驱体供应腔室30可以在内部柜空间1内部布置成抵靠一个柜壁3、4、6、7、8、9或布置在一个柜壁3、4、6、7、8、9上。在这一情况下，前驱体供应腔室30在除了柜壁的布置成被前驱体供应腔室30抵靠的一个侧部之外的所有其他侧部暴露于气体。
如图7和图8所示，流动间隙A、B、C、D、E、F、G、H中的至少一者包括流动引导件50、51、52、53、54、55、56、57以调节通气气体流。流动引导件50、51、52、53、54、55、56、57可以是调节流动间隙A、B、C、D、E、F、G、H中的通气气体流的阻流元件、引导叶片、具有流动开口的板元件或类似元件。利用流动引导件50、51、52、53、54、55、56、57，通气气体流可以在内部柜空间1内部和不同的流动间隙A、B、C、D、E、F、G、H之间均匀分布。
因此，如图7和图8所示，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30之间的流动间隙A、B中的至少一者包括流动引导件50、51，以调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30之间的以及流动间隙A、B中的通气气体流。
附加地或可替代地，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30与柜壁3、4、6、7、8、9之间的流动间隙C、D、E、F、G、H中的至少一者包括流动引导件52、53、54、55、56、57，以调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30和柜壁3、4、6、7、8、9之间的以及流动间隙C、D、E、F、G、H中的通气气体流。
在图7和图8的实施例中，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30之间的流动间隙A、B中的至少一者包括流动引导件50、51，以调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30之间的通气气体流，并且两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30和柜壁3、4、6、7、8之间的流动间隙C、D、E、F、G、H中的至少一者包括流动引导件52、53、54、55、56、57，以调节两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30与柜壁3、4、6、7、8、9之间的以及流动间隙C、D、E、F、G、H中的通气气体流。这允许调节内部柜空间1内部的单独的前驱体供应腔室30附近的通气气体流。
图13、图14、图15和图16示出了单独的前驱体供应腔室30的实施例。在操作原子层沉积设备期间，前驱体容器或前驱体器皿被放置或容纳在前驱体供应腔室30内部。
前驱体供应腔室30包括腔室壁31、32、33、37、38，该腔室壁31、32、33、37、38在前驱体供应腔室30内部限定了腔室空间或内部腔室空间78，如图13至图16所示。
前驱体供应腔室30还包括腔室门组件32、35、36，该腔室门组件32、35、36布置成以气密方式关闭前驱体供应腔室30或内部腔室空间78。腔室门组件32、35、36包括腔室门32，该腔室门32布置成与前驱体供应腔室30的门开口连接。
门开口可以设置在前驱体供应腔室30的一个侧壁或顶部壁31或底部壁38上。
腔室门32布置成与门开口连接，以打开和关闭门开口以及还打开和关闭前驱体供应腔室30和前驱体供应腔室30的内部腔室空间78。
腔室门32包括门窗部34，该门窗部34布置成在腔室门32处于关闭位置时提供与内部腔室空间78的视觉接触。
腔室门组件还包括门打开和关闭机构。门打开和关闭机构可以包括能够打开和关闭腔室门的铰接件或类似物。在图13至图16的实施例中，铰接件可以设置至门32的底部边缘。铰接件也可以布置至腔室门32的一些其他边缘。
腔室门关闭机构还包括预应力机构35、36，该预应力机构35、36用于对腔室门32施加预应力而使腔室门32到达关闭位置。在关闭位置中，腔室门32被施加预应力而抵靠腔室本体和限定门开口的腔室壁。
在图13至图16的实施例中，关闭机构包括气动支柱36，该气动支柱36在枢转点35处连接到前驱体供应腔室30的腔室本体或侧壁33，并且连接到腔室门32。因此，气动支柱36在腔室本体或侧壁33与腔室门32之间延伸。气动支柱36布置成在关闭位置中将腔室门32按压抵靠腔室本体从而以气密方式关闭前驱体供应腔室30。
在优选实施例中，存在在腔室门32的两侧和相对的侧壁33上的气动支柱36。
关闭机构布置成在腔室门32被打开时将腔室门32朝向关闭位置拉动，如图14所示。
图13示出了处于关闭状态中的前驱体供应腔室30和处于关闭位置中的腔室门组件32、35、36。因此，腔室门32处于关闭位置中并且前驱体供应腔室30和内部腔室空间78以气密方式被关闭。因此，腔室门组件32、35、36布置成以气密方式关闭前驱体供应腔室30的门开口。
与腔室门组件相关的气密意味着经由腔室门32或门组件32、35、36的泄漏流量小于5slm，或优选地小于3slm或更优选地小于1slm。
气动支柱36可以由弹簧或类似物代替。
此外，关闭机构还可以包括用于将腔室门固定到关闭位置的锁或闩锁。锁或闩锁还可以包括预应力装置，例如弹性构件或弹簧，该预应力装置用于对腔室门32施加预应力而使腔室门32到达关闭位置。在一些实施例中，锁或闩锁可以提供单独的预应力装置和单独的关闭机构。
如图14和图15所示，腔室门组件还包括密封构件44，该密封构件44布置成在腔室门32处于关闭位置时密封前驱体供应腔室30。密封构件44设置至腔室本体和门开口。因此，密封构件44设置至侧壁33、顶部壁31和底部壁38的在门开口处的边缘。
可替代地或附加地，密封元件44可以被设置至腔室门32。
密封元件44布置成在腔室门32的关闭位置中位于腔室本体与腔室门32之间，或者位于侧壁33、顶部壁31和底部壁38或侧壁33、顶部壁31和底部壁38的边缘与门开口之间，从而以气密方式密封内部腔室空间78和前驱体供应腔室30。
两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30包括加热元件71、77，以加热两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30的内部腔室空间78。因此，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30包括加热元件71、77，该加热元件71、77设置在两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30的内部腔室空间78内部，以加热单独的气密式前驱体供应腔室30的内部腔室空间78。
如图16所示，前驱体供应腔室30包括第一加热元件77，该第一加热元件77设置至前驱体供应腔室30并且布置成加热前驱体供应腔室30的腔室空间78内部的前驱体容器80。
在图16的实施例中，前驱体供应腔室30包括前驱体容器保持件76，该前驱体容器保持件76位于前驱体供应腔室30内部以保持前驱体容器80。前驱体容器保持件76布置在前驱体供应腔室30的腔室空间78的底部处，或者布置至前驱体供应腔室30的腔室空间的下部部分。此外，前驱体容器保持件76在腔室空间78内部布置在前驱体供应腔室30的底部壁38上或底部壁38附近。此外，前驱体容器80被放置在前驱体容器保持件76上。在图16的实施例中，前驱体容器保持件76被设置为前驱体容器基座。
第一加热元件77设置至前驱体容器保持件76以加热由前驱体容器保持件76保持的或被保持在前驱体容器保持件76上的前驱体容器80。因此，第一加热元件77可以加热前驱体容器保持件76上的前驱体容器80以加热前驱体容器80内部的前驱体。因此，第一加热元件77可以布置成从底部加热前驱体容器80。
第一加热元件77可以是电加热元件或液体加热元件或一些其他加热元件，在该液体加热元件中加热液体进行循环。
因此，第一加热元件77布置成加热前驱体容器保持件76，该前驱体容器保持件76又加热前驱体容器80。
前驱体容器保持件76还可以形成为器皿并且第一加热元件77被设置至器皿。前驱体容器保持件可以至少部分地将前驱体容器80接纳到器皿中。因此，第一加热元件77可以布置成从底部以及从侧部加热前驱体容器80。前驱体容器保持件还可以形成为可以围绕前驱体容器80布置的套环。第一加热元件77可以设置至套环并且布置成从侧部加热前驱体容器80。
在所有上述实施例中，前驱体容器80以及第一加热元件77布置至腔室空间78的下部部分。
在替代实施例中，第一加热元件77可以设置至前驱体供应腔室30的腔室空间的下部部分B。此外，第一加热元件77可以设置成在腔室空间78内部与底部壁38连接或位于底部壁38上。
在另外的实施例中，第一加热元件77可以设置至底部壁38。因此，第一加热元件77可以在内部嵌入到底部壁38。
在后面的实施例中，在需要的情况下，可以省略前驱体容器保持件76。
如图16所示，前驱体供应腔室30还包括前驱体供应元件70，该前驱体供应元件70布置成控制从前驱体容器80经由气密式前驱体连接件40到前驱体供应腔室30外部的前驱体供应。前驱体供应元件70被设置为块体或类似物，该块体或类似物具有气体连接件以将前驱体从前驱体容器80经由前驱体供应腔室30外部的前驱体连接件40供应到原子层沉积反应器。
前驱体供应元件70包括一个或多个气阀73、74、75，该一个或多个气阀73、74、75布置成控制从前驱体容器80经由气密式前驱体连接件40到前驱体供应腔室10外部的前驱体供应。
例如，前驱体供应元件70可以包括载气阀73、前驱体阀74和供应阀75，如图16所示。因此，阀73、74、75可以固定地或可拆卸地附接到前驱体供应元件70。
前驱体供应元件70布置至前驱体供应腔室的腔室空间78的上部部分。
当前驱体供应腔室30包括前驱体容器保持件76时，前驱体供应元件70在前驱体供应腔室30内部布置在前驱体容器保持件76上方。
此外，在一个实施例中，前驱体供应元件70布置成与顶部壁31连接。前驱体供应元件70可以在内部腔室空间78内部附接到顶部壁31，或者前驱体供应元件70可以在顶部壁31附近附接到侧壁33。
在一个实施例中，前驱体供应元件70可移除地附接到前驱体供应腔室30并且位于内部腔室空间78内部。因此，前驱体供应元件70可以设置成相对于前驱体供应腔室30为可移除的元件。因此，所有的气阀73、74、75可以通过移除前驱体供应元件70而被同时移除。这使得维护工作更简单。
在替代实施例中，可以省略前驱体供应元件70并且可以将气阀作为单独的部件设置至前驱体供应腔室30。一个或多个单独的气阀73、74、75布置成控制从前驱体容器80经由气密式前驱体连接件40到前驱体供应腔室40外部的前驱体供应。
前驱体供应腔室30还包括第二加热元件71，该第二加热元件71设置至前驱体供应腔室30的腔室空间的上部部分。此外，第二加热元件71设置在前驱体供应腔室30的内部腔室空间78内部的第一加热元件77上方。
此外，优选地，第二加热元件71设置在前驱体供应腔室30中的前驱体容器保持件76上方，如图16所示。
如图16所示，第二加热元件71被设置至前驱体供应元件70。因此，第二加热元件71布置成加热前驱体供应元件70并且进一步加热从前驱体容器80供应到前驱体供应元件70的前驱体气体。由于气阀73、74、75被设置至相同的块体，因此，第二加热元件还将作为前驱体供应元件70中的气体导向件的气阀73、74、75保持在期望的温度。因此，当前驱体从前驱体容器80被供应到前驱体供应腔室30之外时，前驱体的温度可以在内部腔室空间78内部被细致地控制。
第二加热元件71可以是设置在腔室空间78内部的电加热元件或液体加热元件或一些其他加热元件，在该液体加热元件中加热液体进行循环。
因此，第二加热元件71布置成加热气阀和与气阀73、74、75连接的气体导向件以加热前驱体。
在替代实施例中，第二加热元件71可以设置至前驱体供应腔室30的腔室空间78的上部部分。此外，第二加热元件71可以在腔室空间78内部设置成与顶部壁31连接或设置在顶部壁31上。
在另外的实施例中，第二加热元件71可以设置至顶部壁31。因此，第二加热元件71可以在内部嵌入到顶部壁31。
在后面的实施例中，在需要的情况下，可以省略前驱体供应元件70并且气阀73、74、75可以是单独的气阀。
在所有上述实施例中，前驱体供应元件70以及第二加热元件71布置至腔室空间78的上部部分。
如图6、图9、图14和图15所示，前驱体供应腔室30还包括设置至腔室壁的气密式前驱体连接件40，以将前驱体从前驱体容器80供应至前驱体供应腔室30外部。如图14和图15所示，气密式前驱体连接件40从腔室壁延伸并且提供从前驱体供应腔室30的外部进入腔室空间78的气密式导通件。因此，气密式前驱体连接件与内部腔室空间78相通并且提供从前驱体供应腔室30的外部进入内部腔室空间78的气密连接件。
与前驱体连接件40相关的气密意味着从外部进入前驱体连接件的泄漏流量小于5slm或为0至5slm，或小于3slm，或更优选地小于1slm。优选地，前驱体连接件40被设置为真空密封式的以形成真空密封式前驱体连接件40。真空密封意味着泄漏流量小于0.5slm或小于0.1slm或优选地泄漏基本上为0slm。
气密式前驱体连接件40用于提供进入和离开前驱体供应腔室30的气体以及用于将电力供应到前驱体供应腔室30或类似物中。
在附图的实施例中，气密式前驱体连接件40设置至前驱体供应腔室30的与门开口和腔室门32相对的后部侧壁37。
前驱体连接件或气密式导通连接件40在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部、在前驱体供应腔室30与前驱体供应柜2的柜壁3、4、6、7、8、9之间延伸，如图6和图9所示。
在图6和图9的实施例中，导通连接件40设置至前驱体供应腔室30的后部壁37并且导通连接件40穿过流动间隙H延伸到后部柜壁9。
因此，单独的气密式前驱体供应腔室30在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部布置成与一个柜壁9间隔开，使得在单独的气密式前驱体供应腔室30和一个柜壁9之间设置流动间隙H。气密式导通连接件40布置成在前驱体供应柜2的内部柜空间1内部、在前驱体供应腔室30和一个柜壁9之间延伸穿过单独的气密式前驱体供应腔室30和一个柜壁9之间的流动间隙H。
因此，导通连接件40设置至通气式内部柜空间1。
前驱体供应腔室30可以包括设置至气密式前驱体连接件40的第三加热元件。第三加热元件可以设置在气密式前驱体连接件40内部以加热气体导向件并且因此加热气体，诸如前驱体导向件中的前驱体气体。
第三加热元件可以是设置在气密式前驱体连接件40内部的电加热元件或液体加热元件或一些其他加热元件，在该液体加热元件中加热液体进行循环。
因此，单独的前驱体供应腔室30在通气式内部柜空间1中形成单独加热的前驱体腔室30。
如图3和图9所示，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30包括与两个或更多个柜门5对齐的腔室门32。两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30与两个或更多个柜门5对齐。
此外，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的每一者包括腔室门32，并且前驱体供应柜2包括相应的单独的柜门5，该相应的单独的柜门5分别与两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的每一者相对。这意味着，前驱体供应柜2包括分别与两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室30中的每一者相对的单独的柜门5，使得每个单独的柜门5与相应的单独的气密式前驱体供应腔室30对齐。
因此，前驱体供应柜2包括针对每个其他前驱体供应腔室30的单独的柜门5。
图10和图11示出了一实施例，在该实施例中，前驱体供应柜2包括设置在内部柜空间1外部的气体面板箱60。气体面板箱60包括限定了面板箱内部空间67的面板箱壁61、62、63、64、65、66。气体面板箱还包括气体连接件70，该气体连接件70设置在面板箱内部空间67内部以供应气态前驱体气体。
气体面板箱60被设置为用于在原子层沉积工艺期间不被加热的工艺气体。气体利用入口气体管线71、72被供应到气体面板箱60中并且被供应到气体连接件70，并且进一步从气体面板箱60经由出口气体管线73供应。被带到气体面板箱60的气体通常是危险气体。
气体面板箱60还包括气体面板通气入口连接件24、25，该气体面板通气入口连接件24、25设置至面板箱壁61、62、63、64、65、66或气体面板箱门并且布置成提供进入内部面板箱空间67的通气气体。气体面板通气入口连接件可以包括入口开口24，该入口开口24与面板箱内部空间67和气体面板箱60的外部相通以将通气气体供应到气体面板箱60。气体面板通气入口连接件还可以包括在气体面板箱内部或气体面板箱60外部延伸的入口通道25。
如图10和图11所示，气体面板箱60连接到前驱体供应柜2的通气排出连接件20、21、22以将通气气体从气体面板箱60的面板箱内部空间67排出。因此，使用相同的通气排出连接件20、21、22以将通气气体从前驱体供应柜2的内部柜空间1和气体面板箱60的面板箱内部空间67排出。
因此，通气出口20、21包括出口通道20，该出口通道20经由入口开口21与内部柜空间1相通。出口通道20延伸穿过面板箱内部空间67并且出口通道20包括面板箱出口开口23，该面板箱出口开口23在面板箱内部空间67内部设置至出口通道20，如图10和图11所示。
出口通道20或面板箱出口开口23还可以以其他方式连接到面板箱内部空间67并且出口通道20不必延伸穿过面板箱内部空间67。因此，面板箱出口开口23可以包括面板箱出口通道23，该面板箱出口通道23与面板箱内部空间67相通并且在面板箱内部空间67和出口通道20之间延伸，该出口通道20连接到抽吸装置。
因此，相同的抽吸装置22和出口连接件或出口通道20可以用于内部柜空间1和面板箱内部空间67。
上文已经参考附图中示出的示例描述了本发明。然而，本发明不以任何方式限于以上示例，而是可以在权利要求书的范围内变化。

Claims (15)

1.一种用于容纳一个或多个前驱体容器(80)的前驱体供应柜(2)，所述前驱体供应柜(2)具有限定内部柜空间(1)的柜壁(3、4、6、7、8、9)，其特征在于，所述前驱体供应柜(2)包括：
-通气排出连接件(20、21、22)，所述通气排出连接件(20、21、22)布置成将通气气体从所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)排出；
-一个或多个通气入口连接件(10、11)，所述一个或多个通气入口连接件(10、11)布置成将通气气体提供到所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)中；
-用于容纳前驱体容器(80)的两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)，所述两个或更多个气密式前驱体供应腔室(30)布置在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部，使得所述前驱体供应柜(2)的包围所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)的所述内部柜空间(1)是通气的，两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成彼此间隔开，使得在所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)之间设置一个或多个流动间隙(A、B)。
2.根据权利要求1所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述前驱体供应柜(2)包括两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)，并且：
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的至少两者在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成彼此相邻并且彼此相距第一距离，使得在相邻的所述气密式前驱体供应腔室(30)之间形成第一流动间隙(A)；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的至少两者在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成一个位于另一个的顶部上方并且彼此相距第二距离，使得在相邻的所述气密式前驱体供应腔室(30)之间形成第二流动间隙(B)；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的至少两者在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成彼此相邻并且彼此相距第一距离，使得在相邻的所述气密式前驱体供应腔室(30)之间形成第一流动间隙(A)，并且所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的至少两者在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成一个位于另一个的顶部上方并且彼此相距第二距离，使得在相邻的所述气密式前驱体供应腔室(30)之间形成第二流动间隙(B)。
3.根据权利要求1或2所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于：
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成与所述柜壁(3、4、6、7、8、9)间隔开，使得在所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述柜壁(3、4、6、7、8、9)之间设置流动间隙(C、D、E、F、G、H)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述通气排出连接件(20、21、22)包括：
-通气出口(20、21)，所述通气出口(20、21)设置至所述柜壁(3、4、6、7、8、9)并且与所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)相通；以及
-抽吸装置(22)，所述抽吸装置(22)连接到所述通气出口(20、21)并且布置成将通气气体经由所述通气出口(20)从所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)排出。
5.根据权利要求4所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述前驱体供应柜(2)包括顶部柜壁(6)，并且所述通气出口(20、21)设置至所述顶部柜壁(6)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述一个或多个通气入口连接件(10、11)包括通气入口(10)，所述通气入口(10)与所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)相通并且布置成将通气气体提供到所述前驱体供应柜(100)的所述内部柜空间(1)中。
7.根据权利要求6所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述一个或多个通气入口连接件(10)包括调整元件(11)，所述调整元件(11)设置至所述通气入口(10)并且布置成调节所述通气入口(10)以调节经由所述通气入口(10)进入所述前驱体供应柜(100)的所述内部柜空间(1)的通气气体流。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于：
-所述前驱体供应柜(2)包括一个或多个柜门(5)，并且所述一个或多个通气入口连接件(10、11)布置至所述一个或多个柜门(5)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于：
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)包括与所述一个或多个柜门(5)对齐的腔室门(32)；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)布置成与所述一个或多个柜门(5)对齐；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的每一者包括腔室门(32)并且所述前驱体供应柜(2)包括相应的单独的柜门(5)，所述相应的单独的柜门(5)分别与所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的每一者相对；或者
-所述前驱体供应柜(2)包括分别与所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)中的每一者相对的单独的柜门(5)，使得每个单独的柜门(5)与相应的单独的气密式前驱体供应腔室(30)对齐。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述前驱体供应柜(2)包括气密式导通连接件(40)，所述气密式导通连接件(40)在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部、在所述前驱体供应腔室(30)与所述前驱体供应柜(2)的所述柜壁(3、4、6、7、8、9)之间延伸。
11.根据权利要求10所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述单独的气密式前驱体供应腔室(30)在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部布置成与一个柜壁(9)间隔开，使得在所述单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述一个柜壁(9)之间设置所述流动间隙(H)，并且所述气密式导通连接件(40)布置成在所述前驱体供应柜(2)的所述内部柜空间(1)内部、在所述前驱体供应腔室(30)和所述一个柜壁(9)之间延伸穿过所述单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述一个柜壁(9)之间的所述流动间隙(H)。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于：
-所述流动间隙(A、B、C、D、E、F、G、H)中的至少一者包括用于调节通气气体流动的流动引导件(50、51、52、53、54、55、56、57)；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)之间的所述流动间隙(A、B)中的至少一者包括流动引导件(50、51)，所述流动引导件(50、51)用于调节所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)之间的通气气体流；或者
-所述一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述柜壁(3、4、6、7、8、9)之间的所述流动间隙(C、D、E、F、G、H)中的至少一者包括流动引导件(52、53、54、55、56、57)，所述流动引导件(52、53、54、55、56、57)用于调节所述一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述柜壁(3、4、6、7、8、9)之间的通气气体流；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)之间的所述流动间隙(A、B)中的至少一者包括流动引导件(50、51、52、53、54、55、56、57)，所述流动引导件(50、51、52、53、54、55、56、57)用于调节所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)之间的通气气体流，并且所述一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述柜壁(3、4、6、7、8、9)之间的所述流动间隙(C、D、E、F、G、H)中的至少一者包括流动引导件(52、53、54、55、56、57)，所述流动引导件(52、53、54、55、56、57)用于调节所述一个或多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)和所述柜壁(3、4、6、7、8、9)之间的通气气体流。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述前驱体供应柜(2)包括设置在所述内部柜空间(1)外部的气体面板箱(60)，所述气体面板箱(60)包括：
-面板箱壁(61、62、63、64、65、66)，所述面板箱壁(61、62、63、64、65、66)限定面板箱内部空间(67)；
-气体连接件(70)，所述气体连接件(70)设置在所述面板箱内部空间(67)内部以供应气态前驱体气体；
-气体面板通气入口连接件(24、25)，所述气体面板通气入口连接件(24、25)设置至所述面板箱壁(61、62、63、64、65、66)并且布置成将通气气体提供到所述内部面板箱空间(67)中；并且
-所述气体面板箱(60)连接到所述前驱体供应柜(2)的所述通气排出连接件(20、21、22)以将通气气体从所述气体面板箱(60)的所述面板箱内部空间(67)排出。
14.根据权利要求13所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于，所述通气出口(20、21)包括出口通道(20)，所述出口通道(20)与所述内部柜空间(1)相通并且延伸穿过所述面板箱内部空间(67)，并且所述出口通道(20)包括面板箱出口开口(23)，所述面板箱出口开口(23)在所述面板箱内部空间(67)内部设置至所述出口通道(20)。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的前驱体供应柜(2)，其特征在于：
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)包括加热元件(71、77)，所述加热元件(71、77)用于加热所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)的内部腔室空间(78)；或者
-所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)包括加热元件(71、77)，所述加热元件(71、77)设置在所述两个或更多个单独的气密式前驱体供应腔室(30)的内部腔室空间(78)内部以加热所述单独的气密式前驱体供应腔室(30)的内部腔室空间(78)。
CN202080045932.1A 2019-04-25 2020-04-24 前驱体供应柜 Active CN114072538B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20195337 2019-04-25
FI20195337A FI129502B (en) 2019-04-25 2019-04-25 Feedstock supply cabinet
PCT/FI2020/050268 WO2020216995A1 (en) 2019-04-25 2020-04-24 Precursor supply cabinet

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114072538A true CN114072538A (zh) 2022-02-18
CN114072538B CN114072538B (zh) 2023-08-22

Family

ID=72941547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080045932.1A Active CN114072538B (zh) 2019-04-25 2020-04-24 前驱体供应柜

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11549702B2 (zh)
EP (1) EP3959352B1 (zh)
CN (1) CN114072538B (zh)
FI (1) FI129502B (zh)
WO (1) WO2020216995A1 (zh)

Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000079019A1 (en) * 1999-06-24 2000-12-28 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
US20030075273A1 (en) * 2001-08-15 2003-04-24 Olli Kilpela Atomic layer deposition reactor
US20040065258A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Sandhu Gurtej S. Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools
US20050145181A1 (en) * 2003-12-31 2005-07-07 Dickinson Colin J. Method and apparatus for high speed atomic layer deposition
GB0520448D0 (en) * 2002-09-11 2005-11-16 Planar Systems Inc Precursor material delivery system for atomic layer deposition
US20080241387A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asm International N.V. Atomic layer deposition reactor
US20090211525A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
US20100322604A1 (en) * 2006-10-10 2010-12-23 Kyle Fondurulia Precursor delivery system
KR20110001762A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 건국대학교 산학협력단 원자층 증착장치 및 이를 이용한 원자층 증착방법
US20110311726A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Cambridge Nanotech Inc. Method and apparatus for precursor delivery
CN102312221A (zh) * 2011-09-06 2012-01-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置
CN103298974A (zh) * 2011-01-26 2013-09-11 Beneq有限公司 装置、方法以及反应腔室
CN103459663A (zh) * 2011-01-31 2013-12-18 荷兰应用自然科学研究组织Tno 用于原子层沉积的设备
CN106715752A (zh) * 2014-09-19 2017-05-24 凸版印刷株式会社 成膜装置以及成膜方法
US20170167022A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Lg Chem, Ltd. Apparatus for high speed atomic layer deposition and deposition method using the same
US20170218513A1 (en) * 2016-02-02 2017-08-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
FI20165205A (fi) * 2016-03-11 2017-09-12 Beneq Oy Laite ja menetelmä
WO2018002449A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Beneq Oy Method of coating a substrate and an apparatus
US20180163307A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-14 Applied Materials, Inc. Precursor control system and process
JP2018115392A (ja) * 2018-03-01 2018-07-26 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護
CN108715998A (zh) * 2018-06-14 2018-10-30 华中科技大学 一种用于大批量微纳米颗粒包裹的原子层沉积装置
US20190055649A1 (en) * 2017-08-18 2019-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Precursor Supply Unit, Substrate Processing System, and Method of Fabricating Semiconductor Device Using the Same
CN109518164A (zh) * 2018-12-20 2019-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 原子层沉积设备及方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4625627A (en) * 1985-05-20 1986-12-02 Matheson Gas Products, Inc. Ventilated cabinet for containing gas supply vessels
US5151395A (en) 1987-03-24 1992-09-29 Novapure Corporation Bulk gas sorption and apparatus, gas containment/treatment system comprising same, and sorbent composition therefor
US6076359A (en) 1996-11-25 2000-06-20 American Air Liquide Inc. System and method for controlled delivery of liquified gases
JP4359965B2 (ja) 1999-07-27 2009-11-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US6877551B2 (en) * 2002-07-11 2005-04-12 Avaya Technology Corp. Systems and methods for weatherproof cabinets with variably cooled compartments
US9205969B2 (en) * 2007-12-11 2015-12-08 Tokitae Llc Temperature-stabilized storage systems
JP5886760B2 (ja) * 2010-01-14 2016-03-16 インテグリス・インコーポレーテッド 換気ガス管理システムおよびプロセス
US20140319984A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 John N. Younts Cabinet ventilation system
US10788239B2 (en) * 2019-01-25 2020-09-29 MTU Onsite Energy Corporation Generator set louver system

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000079019A1 (en) * 1999-06-24 2000-12-28 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
US20030075273A1 (en) * 2001-08-15 2003-04-24 Olli Kilpela Atomic layer deposition reactor
GB0520448D0 (en) * 2002-09-11 2005-11-16 Planar Systems Inc Precursor material delivery system for atomic layer deposition
US20040065258A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Sandhu Gurtej S. Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools
US20050145181A1 (en) * 2003-12-31 2005-07-07 Dickinson Colin J. Method and apparatus for high speed atomic layer deposition
US20100322604A1 (en) * 2006-10-10 2010-12-23 Kyle Fondurulia Precursor delivery system
US20080241387A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asm International N.V. Atomic layer deposition reactor
US20090211525A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
KR20110001762A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 건국대학교 산학협력단 원자층 증착장치 및 이를 이용한 원자층 증착방법
US20110311726A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Cambridge Nanotech Inc. Method and apparatus for precursor delivery
CN103298974A (zh) * 2011-01-26 2013-09-11 Beneq有限公司 装置、方法以及反应腔室
CN103459663A (zh) * 2011-01-31 2013-12-18 荷兰应用自然科学研究组织Tno 用于原子层沉积的设备
CN102312221A (zh) * 2011-09-06 2012-01-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置
CN106715752A (zh) * 2014-09-19 2017-05-24 凸版印刷株式会社 成膜装置以及成膜方法
US20170167022A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Lg Chem, Ltd. Apparatus for high speed atomic layer deposition and deposition method using the same
US20170218513A1 (en) * 2016-02-02 2017-08-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
FI20165205A (fi) * 2016-03-11 2017-09-12 Beneq Oy Laite ja menetelmä
WO2018002449A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Beneq Oy Method of coating a substrate and an apparatus
US20180163307A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-14 Applied Materials, Inc. Precursor control system and process
US20190055649A1 (en) * 2017-08-18 2019-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Precursor Supply Unit, Substrate Processing System, and Method of Fabricating Semiconductor Device Using the Same
JP2018115392A (ja) * 2018-03-01 2018-07-26 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護
CN108715998A (zh) * 2018-06-14 2018-10-30 华中科技大学 一种用于大批量微纳米颗粒包裹的原子层沉积装置
CN109518164A (zh) * 2018-12-20 2019-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 原子层沉积设备及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114072538B (zh) 2023-08-22
US20220146051A1 (en) 2022-05-12
FI20195337A1 (en) 2020-10-26
FI129502B (en) 2022-03-31
EP3959352A1 (en) 2022-03-02
US11549702B2 (en) 2023-01-10
WO2020216995A1 (en) 2020-10-29
EP3959352A4 (en) 2022-06-08
EP3959352B1 (en) 2023-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170006214A (ko) 박막 증착 장치
KR20120034551A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI796030B (zh) 具有串接處理區域的電漿腔室
CN114072538B (zh) 前驱体供应柜
US11004663B2 (en) Chamber design for semiconductor processing
US20230067579A1 (en) Substrate processing apparatus and method
US20160326648A1 (en) Apparatus for selectively sealing a gas feedthrough
US20220205098A1 (en) Atomic layer deposition apparatus
CN114008240A (zh) 前驱体供应腔室
CN114127333B (zh) 前驱体源布置和原子层沉积设备
TW201439362A (zh) 基板處理裝置及處理容器內壓力調整方法
KR101590346B1 (ko) 박막증착장치
US20220205097A1 (en) An atomic layer deposition apparatus
FI130920B1 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD
CN117628207A (zh) 闸阀和基板处理装置以及基板处理方法
KR20220106129A (ko) 기재 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Espoo, Finland

Applicant after: BENEQ Group Ltd.

Address before: Espoo, Finland

Applicant before: BENEQ OY

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20220909

Address after: Espoo, Finland

Applicant after: BENEQ OY

Address before: Espoo, Finland

Applicant before: BENEQ Group Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230427

Address after: Room 205-5-7, 2nd Floor, East Office Building, No. 45 Beijing Road, Qianwan Bonded Port Area, Qingdao, Shandong Province, China (Shandong) Pilot Free Trade Zone (A)

Applicant after: QINGDAO SIFANG SRI INTELLIGENT TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Espoo, Finland

Applicant before: BENEQ OY

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant