CN114068341A - 测试方法及测试系统 - Google Patents

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CN114068341A CN202010782416.9A CN202010782416A CN114068341A CN 114068341 A CN114068341 A CN 114068341A CN 202010782416 A CN202010782416 A CN 202010782416A CN 114068341 A CN114068341 A CN 114068341A
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Abstract

本发明实施例提供一种测试方法及测试系统，其中，测试方法包括：基于预设测试区域对待测晶圆进行检测，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果；获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在待测晶圆中的位置；基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，测试结果分布图形用于表征离散点分布图的图形特征；获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性；基于相关性获取待测晶圆的测试结果。本发明实施例以解决目前识别晶圆测试存在的误差及时效性问题。

Description

测试方法及测试系统
技术领域
本发明涉及半导体测试技术领域，特别涉及一种测试方法及测试系统。
背景技术
集成电路的制程过程，通常可分为晶圆制程、晶圆测试、晶圆封装以及最后测试。其中，晶圆测试(Chip Probe，CP)和最后测试(Final Test，FT)是集成电路生产过程中的重要环节，CP测试的目的是把坏的管芯(Die)挑出来，以节约废芯片封装的成本，在合理的成本控制条件下，以具有较高的可信度的方式得出晶圆测试的结果。
然而发明人发现，目前CP测试以及FT测试中，为了有效率执行测试的过程，通常只筛选出良率较低的芯片，且对于测试过程中出现的一些较不明显的问题，容易造成漏识别，同时该现象也不仅限于低良率的芯片上。
发明内容
本发明实施例提供一种测试方法及测试系统，以解决目前识别晶圆测试存在的误差及时效性问题。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种测试方法，包括：基于预设测试区域对待测晶圆进行检测，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果；获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在待测晶圆中的位置；基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，测试结果分布图形用于表征离散点分布图的图形特征；获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性；基于相关性获取待测晶圆的测试结果。
与现有技术相比，本发明实施例通过对预设测试区域的待测晶圆进行检测，以获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图。基于预设区域的图形分布特征划分离散点分布图为多个测试区域，并获取每个测试区域的测试结果分布图形，然后根据测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，获取待测晶圆的测试结果，以机械检测获取相关性的方式获取待测晶圆的测试结果，避免了通过目前识别产生的误差和时效性问题。另外，通过测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性分析获取的待测晶圆的测试结果，具有较高的可信度。
另外，检测结果的资料类型为类别型，检测结果用于指示待测晶圆中各个待测芯片分别为正常芯片或异常芯片；获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括：获取待测晶圆中的异常芯片的位置分布图。另外，检测结果的资料类型为数据型，检测结果用于指示待测晶圆中各个待测芯片的具体测试数值；获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括：获取待测晶圆中每一个待测芯片所对应的所有的具体测试数值，基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片，并获取待测晶圆中的异常芯片的位置分布图。本实施例分别给出了当测试资料为类别型和数据型时的测试方法，以保证本实施例提供的测试方法可以适用于不同类型的检测结果。
另外，基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片，包括：将所有的具体测试数值按具体测试数值大小进行升序排列；在升序排列中任取两个检测结果作为第一检测结果和第二检测结果，且第二检测结果大于第一检测结果；作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，具体测试数值Q满足：Q≤Q1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr，具体测试数据Q为异常测试数值，Q1为第一检测结果的具体测试数值，Q2为第二检测结果的具体测试数值，Iqr为第二检测结果与第一检测结果的四分位差。本发明实施例给出的一种通过数据型检测结果获取离散点的具体分析方法。
另外，基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片，包括：将所有的具体测试数值按具体测试数值大小进行降序排列；在降序排列中任取两个检测结果作为第三检测结果和第四检测结果，且第四检测结果小于第三检测结果；作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，具体测试数值Q满足：Q≤Q4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr，具体测试数据Q为异常测试数值，Q3为第三检测结果的具体测试数值，Q4为第四检测结果的具体测试数值，Iqr为第三检测结果与第四检测结果的四分位差。本发明实施例给出的另一种通过数据型检测结果获取离散点的具体分析方法。
另外，基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，包括：基于十字交叉的区域划分方式，将离散点分布图均匀划分为第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域；统计第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域中离散点的数量以及位置差异，获取测试结果分布图形。另外，基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，包括：基于同心环的区域划分方式，将离散点分布图均匀划分为第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域；统计第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域中离散点的数量以及位置差异，获取测试结果分布图形。本发明实施例给出的两种不同预设测试区域的图形分布特征。
另外，统计第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域中离散点的数量以及位置差异的方式包括：通过卡方检定的方式统计第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域中离散点的数量差异。通过卡方检定的方式获取第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域中离散点的数量差异，获取的测试结果具有较高的说服力。
另外，获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，包括：判断测试结果分布图形中的离散点是否存在与预设测试区域的图形分布特征相同的区域集中现象。通过离散点是否存在区域集中现象以判断待测晶圆是否存在问题。
本发明实施例还提供了一种测试系统，包括：待测晶圆、检测机台以及处理模块；检测机台基于预设测试区域对待测晶圆进行检测，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果，并将检测结果上传至处理模块；处理模块用于，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在待测晶圆中的位置；处理模块还用于，基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，测试结果分布图形用于表征离散点分布图的图形特征，并获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，并基于相关性获取待测晶圆的测试结果。
另外，处理模块包括：接收单元，用于接收检测结果；分析单元，连接接收单元，用于获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图；第一处理单元，连接分析单元，用于基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形；第二处理单元，连接第一处理单元，用于获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性；第三处理单元，连接第二处理单元，用于基于相关性获取待测晶圆的测试结果。
另外，分析单元至少包括：第一分析单元或第二分析单元的其中一个；检测结果的资料类型为类别型，检测结果用于指示待测晶圆中各个待测芯片分别为正常芯片或异常芯片，第一分析单元用于获取待测晶圆中的异常芯片的位置分布图；检测结果的资料类型为数据型，检测结果用于指示待测晶圆中各个待测芯片的具体测试数值，第二分析单元用于获取待测晶圆中每一个待测芯片所对应的所有的具体测试数值，基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片，并获取待测晶圆中的异常芯片的位置分布图。
另外，第二分析单元包括：第一排序子单元，用于将所有的具体测试数值按具体测试数值大小进行升序排列；第一选取子单元，用于在升序排列中任取两个检测结果作为第一检测结果和第二检测结果，且第二检测结果大于第一检测结果；第一计算子单元，作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，具体测试数值Q满足：Q≤Q1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr，具体测试数据Q为异常测试数值，Q1为第一检测结果的具体测试数值，Q2为第二检测结果的具体测试数值，Iqr为第二检测结果与第一检测结果的四分位差。
另外，第二分析单元包括：第二排序子单元，用于将所有的具体测试数值按具体测试数值大小进行降序排列；第二选取子单元，用于在降序排列中任取两个检测结果作为第三检测结果和第四检测结果，且第四检测结果小于第三检测结果；第二计算子单元，作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，具体测试数值Q满足：Q≤Q4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr，具体测试数据Q为异常测试数值，Q3为第三检测结果的具体测试数值，Q4为第四检测结果的具体测试数值，IQR为第四检测结果与第三检测结果的四分位差。
相比于现有技术而言，本发明实施例通过对处理模块获取检测机台对待测晶圆的检测结果，并分析待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，并基于预设区域的图形分布特征划分离散点分布图为多个测试区域，并获取每个测试区域的测试结果分布图形，然后根据测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，获取待测晶圆的测试结果。避免了通过目前识别产生的误差和时效性问题，且通过测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性分析获取的待测晶圆的测试结果，具有较高的可信度。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明第一实施例提供的测试方法的流程示意图；
图2和图3为本发明第一实施例提供的排序方式的示意图；
图4和图5为本发明第一实施例提供的区域划分方式的示意图；
图6为本发明第一实施例提供的测试结果分布图形的示意图；
图7至图9为本发明第二实施例提供的测试系统的结构示意图。
具体实施方式
目前，CP测试以及FT测试中，为了有效率执行测试的过程，通常只筛选出良率较低的芯片，且对于测试过程中出现的一些较不明显的问题，容易造成漏识别，同时该现象也不仅限于低良率的芯片上。
为解决上述问题，本发明第一实施例提供了一种测试方法，包括：基于预设测试区域对待测晶圆进行检测，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果；获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在待测晶圆中的位置；基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，测试结果分布图形用于表征离散点分布图的图形特征；获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性；基于相关性获取待测晶圆的测试结果。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本发明的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合，相互引用。
图1为本发明实施例提供的测试方法对应的流程示意图，下面对本实施例的测试方法进行具体说明。
参考图1，测试方法包括：步骤101～步骤105，具体如下：
步骤101，对待测晶圆进行检测，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果。
具体地，基于预设测试区域对待测晶圆进行检测，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果。其中，预设测试区域即待测晶圆需要进行芯片检测的各个位点的集合，位点用于表征待测晶圆中芯片的位置。即依据预设的检测位点对待测晶圆中各个芯片进行检测，以获取待测晶圆中各个芯片的检测结果。
需要说明的是，预设测试区域是对应于待测晶圆相应设置的，即适用于不同型号的待测晶圆时，预设测试区域中所包含的位点并不相同。即本实施例提供的测试方法适用于不同型号晶圆的检测。
需要说明的是，在其他实施例中，若晶圆各个芯片的检测结果并不适合用于后续的统计分析，还要将检测结果进行转化，以转化成时候后续用于统计分析的检测结果；在其他实施例中，还包括对检测结果的预处理过程，以将初步认定为不合格的晶圆直接提出，提到后续进行统计分析的效率。
步骤102，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图。
具体地，获取待测晶圆中各个芯片检测结果的离散点分布图，离散点分布图用于保证待测晶圆中离散点的位置和数量，离散点用于表征异常芯片在待测晶圆中的位置。
需要说明的是，本实施例提供的测试方法不仅适用于类别型的检测结果，还适用于数据型的检测结构；其中，类别型的检测结果直接用于指示待测晶圆中各个待测芯片为正常芯片或异常芯片；数据型的检测结果用于指示待测晶圆中各个待测芯片的具体测试数值。
在一个例子中，当检测结果的资料类型为类别型时，待测芯片中异常芯片的位置分布图即待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图。
在一个例子中，当检测结果的资料类型为数据型时，获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括：获取待测晶圆中每一个待测芯片所对应的所有的具体测试数值，基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片，并获取待测晶圆中异常芯片的位置分布图。
本实施例中给出了两种基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片的方法。
方法一：参考图2，将所有的具体测试数值Q按具体测试数值大小进行升序排列，按照1～n的排列顺序，具体测试数据Q逐渐增大，在升序排列中任取两个检测结果分别作为第一检测结果Q1和第二检测结果Q2，且第二检测结果Q2大于第一检测结果Q1；作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，当具体测试数据Q满足：Q≤Q1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr时，具体测试数据Q为异常测试数值，其中，Iqr为第二检测结果Q2与第一检测结果Q1的四分位差。
在一个例子中，若存在100个具体测试数值Q，且第一检测结果Q1若排序第25位，第二检测结果Q2若排序为75位；那么Iqr为第二检测结果Q2与第一检测结果Q1的四分位差，即Iqr＝75-25＝50。
方法二：参考图3，将所有的具体测试数值Q按具体测试数值大小进行降序排列，按照1～n的排列顺序，具体测试数据Q逐渐减小，在降序排列中任取两个检测结果分别作为第三检测结果Q3和第四检测结果Q4，且第四检测结果Q4小于第三检测结果Q3；作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，当具体测试数据Q满足：Q≤Q4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr时，具体测试数据Q为异常测试数值，其中，Iqr为第四检测结果Q4与第三检测结果Q3的四分位差。
在一个例子中，若存在100个具体测试数值Q，且第四检测结果Q4若排序第25位，第三检测结果Q3若排序为75位；那么Iqr为第三检测结果Q3与第四检测结果Q4的四分位差，即Iqr＝75-25＝50。
需要说明的是，在上述两种基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片的方法中，预设数量的具体数值可以根据所需的晶圆良率进行设置，当需要生产的晶圆良率较高时，预设数量的具体数值可以设置为较小的数值，以保证仅当出现较少的异常数值时，也可以识别待测芯片为异常芯片；当需要生成的晶圆良率不太高时，预设数量的具体数值可以设置为较大的数值，以保证当出现一定数量的异常数值时，待测芯片仍为正常芯片。
步骤103，基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形。
具体地，基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，测试结果分布图形用于表征离散点分布图的图形特征。
在一个例子中，参考图4基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，包括：基于十字交叉的区域划分方式，将离散点分布图均匀划分为第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204。其中，十字交叉的点为离散点分布图的圆心位置，以保证划分的第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204的面积大小相同。统计第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204中离散点的数量以及位置差异，获取测试结果分布图形。
在另一个例子中，参考图5基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，包括：基于同心环的区域划分方式，将离散点分布图划分为第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204。其中，第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204具有相同的圆心，且内环测试区域所占的半径大于外环测试区域所占的半径，以保证第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204所占据的面积大小相似。统计第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204中离散点的数量以及位置差异，获取测试结果分布图形。
具体地，统计第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204中离散点的数量以及位置差异的方式包括：通过卡方检定(chi-square,X2)的方式统计第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204中离散点的数量差异。通过卡方检定的方式获取第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204中离散点的数量差异，获取的测试结果具有较高的说服力。
步骤104，获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性。
具体地，判断测试结果分布图形中的离散点是否存在与预设测试区域的图形分布特征相同的区域集中现象。
参考图6，本实施例以十字交叉划分离散点分布图为第一测试区域201、第二测试区域202、第三测试区域203和第四测试区域204为例进行相关性判断的说明。
正常情况下的离散点分布图中的离散点205分布应呈现常态(高斯)分布，随机分散于各区域，例如第一测试区域201和第四测试区域204以及第二测试区域202左边的离散点205属于正常现象，可能是由于制程差异而导致形成的离散点。而基于与第三测试区域203以及第二测试区域202右侧的离散点205具有区域集中现象，表明测试结果分布图形中离散点存在与预设测试区域的图形分布特征中的第三测试区域203存在较高的相关性，说明第三测试区域203的测试参数设置错误或晶圆产品出现问题。
步骤105，基于相关性获取待测晶圆的测试结果。
在本实施例中，在获取到待测晶圆的测试结果后，若待测晶圆的测试结果没有问题，则测试继续执行，若待测晶圆的测试结果存在问题，则通知相关制程工程师进行检验，判断是否为设置的机台测试参数出现问题，若为设置的机台参数出现问题，则相比于现有技术而言可以更快地修正；若并非是设置的机台参数出现问题，则可以判断为产品问题，则丢弃具有产品问题的晶圆产品。
需要说明的是，本实施例中提供的测试方法不仅可以用于CP测试中的测试机台，还可以用于FT测试中的测试机台。
相对于现有技术而言，本发明实施例通过对预设测试区域的待测晶圆进行检测，以获取待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图。基于预设区域的图形分布特征划分离散点分布图为多个测试区域，并获取每个测试区域的测试结果分布图形，然后根据测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，获取待测晶圆的测试结果，以机械检测获取相关性的方式获取待测晶圆的测试结果，避免了通过目前识别产生的误差和时效性问题。另外，通过测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性分析获取的待测晶圆的测试结果，具有较高的可信度。
上面各种步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
本发明第二实施例涉及一种测试系统。
参考图7～图9，以下将结合附图对本实施例提供的测试系统进行详细说明，与第一实施例相同或相应的部分，以下将不做详细赘述。
参考图7，测试系统300，包括：待测晶圆302、检测机台301以及处理模块303；检测机台301基于预设测试区域对待测晶圆302进行检测，获取待测晶圆302中各个芯片的检测结果，并将检测结果上传至处理模块303；处理模块303用于，获取待测晶圆302中各个芯片的检测结果的离散点分布图，离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在待测晶圆302中的位置；处理模块303还用于，基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，测试结果分布图形用于表征离散点分布图的图形特征，并获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，并基于相关性获取待测晶圆302的测试结果。
具体地，处理模块303包括：接收单元304，用于接收检测结果；分析单元305，连接接收单元304，用于获取待测晶圆302中各个芯片的检测结果的离散点分布图；第一处理单元306，连接分析单元305，用于基于预设测试区域的图形分布特征，将离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形；第二处理单元307，连接第一处理单元306，用于获取测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性；第三处理单元308，连接第二处理单元307，用于基于相关性获取待测晶圆302的测试结果。
其中，分析单元305至少包括第一分析单元和第二分析单元的其中一个。在一个例子中，参考图7，分析单元305包括第一分析单元310；当检测结果的资料类型为类别型时，检测结果用于指示待测晶圆302中各个待测芯片分别为正常芯片或异常芯片，第一分析单元310用于获取待测晶圆302中的异常芯片的位置分布图。在另一个例子中，参考图8和图9，分析单元305包括第二分析单元320；当检测结果的资料类型为数据型时，检测结果用于指示待测晶圆302中各个待测芯片的具体测试数值，第二分析单元320用于获取待测晶圆302中每一个待测芯片所对应的所有的具体测试数值，基于具体测试数值判断待测芯片为正常芯片或异常芯片，并获取待测晶圆302中的异常芯片的位置分布图。
具体地，参考图8，第二分析单元320包括：第一排序子单元321，用于将所有的具体测试数值按具体测试数值大小进行升序排列。第一选取子单元322，用于在升序排列中任取两个检测结果分别作为第一检测结果Q1和第二检测结果Q2，且第二检测结果Q2大于第一检测结果Q1。第一计算子单元323，作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，当具体测试数据Q满足：Q≤Q1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr时，具体测试数据Q为异常测试数值，其中，Iqr为第二检测结果Q2与第一检测结果Q1的四分位差。
或者，参考图9，第二分析单元320包括：第二排序子单元331，用于将所有的具体测试数值Q按具体测试数值大小进行降序排列。第二选取子单元332，用于在降序排列中任取两个检测结果分别作为第三检测结果Q3和第四检测结果Q4，且第四检测结果Q4小于第三检测结果Q3。第二计算子单元333，作为离散点的待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，当具体测试数据Q满足：Q≤Q4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr时，具体测试数据Q为异常测试数值，其中，Iqr为第四检测结果Q4与第三检测结果Q3的四分位差。
需要说明的是，在其他实施例中，分析单元可以同时包括第一分析单元和第二分析单元，即既可用于类别型资料类型的测试结果，又可用于数据型资料类型的测试结果。
与现有技术相比，本发明实施例通过对处理模块获取检测机台对待测晶圆的检测结果，并分析待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，并基于预设区域的图形分布特征划分离散点分布图为多个测试区域，并获取每个测试区域的测试结果分布图形，然后根据测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性，获取待测晶圆的测试结果。避免了通过目前识别产生的误差和时效性问题，且通过测试结果分布图形和预设测试区域的图形分布特征的相关性分析获取的待测晶圆的测试结果，具有较高的可信度。
值得一提的是，本实施例中所涉及到的各模块均为逻辑模块，在实际应用中，一个逻辑单元可以是一个物理单元，也可以是一个物理单元的一部分，还可以以多个物理单元的组合实现。此外，为了突出本发明的创新部分，本实施例中并没有将与解决本发明所提出的技术问题关系不太密切的单元引入，但这并不表明本实施例中不存在其它的单元。
由于第一实施例与本实施例相互对应，因此本实施例可与第一实施例互相配合实施。第一实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，在第一实施例中所能达到的技术效果在本实施例中也同样可以实现，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施例中提到的相关技术细节也可应用在第一实施例中。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施例是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (14)

1.一种测试方法，其特征在于，包括：
基于预设测试区域对待测晶圆进行检测，获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果；
获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，所述离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在所述待测晶圆中的位置；
基于所述预设测试区域的图形分布特征，将所述离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，所述测试结果分布图形用于表征所述离散点分布图的图形特征；
获取所述测试结果分布图形和所述预设测试区域的图形分布特征的相关性；
基于所述相关性获取所述待测晶圆的测试结果。
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述检测结果的资料类型为类别型，所述检测结果用于指示所述待测晶圆中各个待测芯片分别为正常芯片或所述异常芯片；
所述获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括：获取所述待测晶圆中的所述异常芯片的位置分布图。
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述检测结果的资料类型为数据型，所述检测结果用于指示所述待测晶圆中各个待测芯片的具体测试数值；
所述获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图包括：获取所述待测晶圆中每一个待测芯片所对应的所有的所述具体测试数值，基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片，并获取所述待测晶圆中的所述异常芯片的位置分布图。
4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片，包括：
将所有的所述具体测试数值按具体测试数值大小进行升序排列；
在所述升序排列中任取两个检测结果作为第一检测结果和第二检测结果，且所述第二检测结果大于所述第一检测结果；
作为所述离散点的所述待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，所述具体测试数值Q满足：Q≤Q1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr，所述具体测试数据Q为所述异常测试数值，Q1为所述第一检测结果的具体测试数值，Q2为所述第二检测结果的具体测试数值，Iqr为所述第二检测结果与所述第一检测结果的四分位差。
5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片，包括：
将所有的所述具体测试数值按具体测试数值大小进行降序排列；
在所述降序排列中任取两个检测结果作为第三检测结果和第四检测结果，且所述第四检测结果小于所述第三检测结果；
作为所述离散点的所述待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，所述具体测试数值Q满足：Q≤Q4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr，所述具体测试数据Q为所述异常测试数值，Q3为所述第三检测结果的具体测试数值，Q4为所述第四检测结果的具体测试数值，Iqr为所述第三检测结果与所述第四检测结果的四分位差。
6.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述基于所述预设测试区域的图形分布特征，将所述离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，包括：
基于十字交叉的区域划分方式，将所述离散点分布图均匀划分为第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域；
统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量以及位置差异，获取所述测试结果分布图形。
7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述基于所述预设测试区域的图形分布特征，将所述离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，包括：
基于同心环的区域划分方式，将所述离散点分布图均匀划分为第一测试区域、第二测试区域、第三测试区域和第四测试区域；
统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量以及位置差异，获取所述测试结果分布图形。
8.根据权利要求6或者7所述的测试方法，其特征在于，所述统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量以及位置差异的方式包括：通过卡方检定的方式统计所述第一测试区域、所述第二测试区域、所述第三测试区域和所述第四测试区域中所述离散点的数量差异。
9.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述获取所述测试结果分布图形和所述预设测试区域的图形分布特征的相关性，包括：
判断所述测试结果分布图形中的所述离散点是否存在与所述预设测试区域的图形分布特征相同的区域集中现象。
10.一种测试系统，其特征在于，包括：待测晶圆、检测机台以及处理模块；
所述检测机台基于预设测试区域对所述待测晶圆进行检测，获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果，并将所述检测结果上传至所述处理模块；
所述处理模块用于，获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图，所述离散点分布图中的离散点用于表征异常芯片在所述待测晶圆中的位置；
所述处理模块还用于，基于所述预设测试区域的图形分布特征，将所述离散点分布图划分为多个测试区域，并获取测试结果分布图形，所述测试结果分布图形用于表征所述离散点分布图的图形特征，并获取所述测试结果分布图形和所述预设测试区域的图形分布特征的相关性，并基于所述相关性获取所述待测晶圆的测试结果。
11.根据权利要求10所述的测试系统，其特征在于，所述处理模块包括：
接收单元，用于接收所述检测结果；
分析单元，连接所述接收单元，用于获取所述待测晶圆中各个芯片的检测结果的离散点分布图；
第一处理单元，连接所述分析单元，用于基于所述预设测试区域的图形分布特征，将所述离散点分布图划分为多个测试区域，并获取所述测试结果分布图形；
第二处理单元，连接所述第一处理单元，用于获取所述测试结果分布图形和所述预设测试区域的图形分布特征的相关性；
第三处理单元，连接所述第二处理单元，用于基于所述相关性获取所述待测晶圆的测试结果。
12.根据权利要求11所述的测试系统，其特征在于，所述分析单元至少包括：第一分析单元或第二分析单元的其中一个；
所述检测结果的资料类型为类别型，所述检测结果用于指示所述待测晶圆中各个待测芯片分别为正常芯片或所述异常芯片，所述第一分析单元用于获取所述待测晶圆中的异常芯片的位置分布图；
所述检测结果的资料类型为数据型，所述检测结果用于指示所述待测晶圆中各个待测芯片的具体测试数值，所述第二分析单元用于获取所述待测晶圆中每一个待测芯片所对应的所有的所述具体测试数值，基于所述具体测试数值判断所述待测芯片为正常芯片或所述异常芯片，并获取所述待测晶圆中的所述异常芯片的位置分布图。
13.根据权利要求12所述的测试系统，其特征在于，所述第二分析单元包括：
第一排序子单元，用于将所有的所述具体测试数值按具体测试数值大小进行升序排列；
第一选取子单元，用于在所述升序排列中任取两个检测结果作为第一检测结果和第二检测结果，且所述第二检测结果大于所述第一检测结果；
第一计算子单元，作为所述离散点的所述待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，所述具体测试数值Q满足：Q≤Q1-1.5*Iqr或者Q≥Q2+1.5*Iqr，所述具体测试数据Q为所述异常测试数值，Q1为所述第一检测结果的具体测试数值，Q2为所述第二检测结果的具体测试数值，Iqr为所述第二检测结果与所述第一检测结果的四分位差。
14.根据权利要求12所述的测试系统，其特征在于，所述第二分析单元包括：
第二排序子单元，用于将所有的所述具体测试数值按具体测试数值大小进行降序排列；
第二选取子单元，用于在所述降序排列中任取两个检测结果作为第三检测结果和第四检测结果，且所述第四检测结果小于所述第三检测结果；
第二计算子单元，作为所述离散点的所述待测芯片对应的检测结果至少包括预设数量的异常测试数值，所述具体测试数值Q满足：Q≤Q4-1.5*Iqr或者Q≥Q3+1.5*Iqr，所述具体测试数据Q为所述异常测试数值，Q3为所述第三检测结果的具体测试数值，Q4为所述第四检测结果的具体测试数值，IQR为所述第四检测结果与所述第三检测结果的四分位差。
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